JP2006173379A - Device and method for polishing board - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、基板を研磨する基板研磨装置および基板研磨方法に関するものである。 The present invention relates to a substrate polishing apparatus and a substrate polishing method for polishing a substrate.
近年、半導体基板は、配線の微細化等により、使用される金属材料も多岐にわたるようになりつつある。この金属材料は、通常CVD法で基板表面に付着させているため、基板の表面や裏面の外周縁部および外周端部(以下、「外周領域」という)への付着は避けることができない。そして、このような外周領域に付着した金属材料は、その後の工程で剥離、発塵したり、溶けて汚染物質となるため、基板が不良品となる原因となっていた。 In recent years, metal materials used for semiconductor substrates have been diversified due to miniaturization of wirings and the like. Since this metal material is usually attached to the substrate surface by the CVD method, adhesion to the outer peripheral edge portion and the outer peripheral end portion (hereinafter referred to as “peripheral region”) of the front surface and the rear surface of the substrate cannot be avoided. And since the metal material adhering to such an outer periphery area | region peels off, dust-generates in a subsequent process, or melt | dissolves and becomes a pollutant, it has become a cause by which a board | substrate becomes defective.
そこで、基板の外周領域に付着した金属材料を除去するために、例えば下記の特許文献1に示すような種々の装置が提案されている。
この特許文献1に示されているエッジ研磨装置は、「円板形ワークをチャックして軸線の回りに回転させながら、ワークを挟んで互いに対向する一対の上側エッジ用研磨部材の弧状の作業面をワークの傾斜した上側エッジに接触させ、また下側エッジ用研磨部材の弧状の作業面をワークの傾斜した下側エッジに接触させ、さらに外周面用研磨部材の弧状の作業面をワークの外周面に接触させてワークの外周領域を研磨する」装置であり、この装置で確かにワークの上側エッジ、下側エッジ及び外周面を同時に効率よく研磨することできる。
The edge polishing apparatus disclosed in
しかし、上記のエッジ研磨装置では、弧状の作業面をワークに接触させて研磨しているため、外周面付近のエッジまでは研磨できるものの、エッジからより基板中心方向に入りこんだ、平坦な面は研磨することができない。 However, in the above-described edge polishing apparatus, the arc-shaped work surface is in contact with the workpiece for polishing, so that the edge near the outer peripheral surface can be polished, but the flat surface that penetrates more toward the substrate center from the edge is It cannot be polished.
一方、基板の外周面やエッジだけでなく、エッジからより基板中心方向に入りこんだ平坦な面も研磨し、研磨領域を広げて上記の不良要因を確実に除去したいという要望が、近年高まっている。 On the other hand, in recent years, there is an increasing demand for polishing not only the outer peripheral surface and edge of the substrate, but also the flat surface that penetrates from the edge toward the center of the substrate, and widens the polishing area to reliably remove the above-mentioned defect factors. .
また、上記のエッジ研磨装置では、一対の上側エッジ用研磨部材、下側エッジ用研磨部材および外周面用研磨部材の4つの研磨部材が必要であり、装置が複雑で、製造コストも高くなっていた。 Further, the above-described edge polishing apparatus requires four polishing members, ie, a pair of upper edge polishing member, lower edge polishing member and outer peripheral surface polishing member, and the apparatus is complicated and the manufacturing cost is high. It was.
また、上記のエッジ研磨装置では、各研磨部材の弧状の作業面をワークのエッジや外周面に線接触させているため、作業面とワークとの間では、ワークの形状が異なる毎に、接触面積が異なり、また面圧も異なってしまう。したがって、研磨加工条件が不安定となり、精度良い研磨を再現性良く安定して行うことができない。さらにワークが弧状の作業面に規制され、弧状作業面と同じ曲率に加工されてしまい、ワークのエッジや外周面を所望の曲率に加工できないという問題点も有していた。 Further, in the above edge polishing apparatus, the arc-shaped work surface of each polishing member is in line contact with the edge or outer peripheral surface of the work, so that the work surface and the work are in contact each time the work shape is different. The area is different and the surface pressure is also different. Therefore, the polishing process conditions become unstable, and accurate polishing cannot be performed stably with good reproducibility. Furthermore, the workpiece is restricted by the arc-shaped work surface and is processed to have the same curvature as that of the arc-shaped work surface, and there is a problem that the edge and outer peripheral surface of the workpiece cannot be processed to a desired curvature.
この発明は上記に鑑み提案されたもので、基板の外周領域を研磨する場合に、研磨領域を広げることができ、また簡単な装置で製造コストも低減することができ、基板を所望の曲率で高精度に研磨でき、さらにその高精度の研磨を再現性よく安定して行うことができる基板研磨装置を提供することを目的とする。 The present invention has been proposed in view of the above, and when the outer peripheral region of the substrate is polished, the polishing region can be widened, the manufacturing cost can be reduced with a simple apparatus, and the substrate can be formed with a desired curvature. It is an object of the present invention to provide a substrate polishing apparatus that can perform high-precision polishing and can perform the high-precision polishing stably with high reproducibility.
上記目的を達成するために、請求項1に記載の発明は、基板を研磨する基板研磨装置において、上記基板を軸回りに回転自在に支持する基板支持部と、略円盤状でその外周に研磨部が形成された研磨体と、上記研磨体を軸回りに回転自在に支持する研磨体支持部と、上記研磨体支持部を移動させる研磨体移動部と、を備え、上記基板および研磨体を回転させつつ、上記研磨体移動部により研磨体の研磨部を基板の外周縁部および外周端部(以下「外周領域」という)に接触させかつその外周領域の形状に沿って移動させ、研磨部で外周領域を研磨する、ことを特徴としている。 In order to achieve the above object, according to a first aspect of the present invention, there is provided a substrate polishing apparatus for polishing a substrate, a substrate support portion for rotatably supporting the substrate around an axis, and a substantially disc-shaped polishing on the outer periphery thereof. A polishing body having a portion formed thereon, a polishing body support section that supports the polishing body rotatably about an axis, and a polishing body moving section that moves the polishing body support section. While rotating, the polishing body moving section brings the polishing section of the polishing body into contact with the outer peripheral edge and outer peripheral edge (hereinafter referred to as “outer peripheral area”) of the substrate and moves along the shape of the outer peripheral area. The outer peripheral region is polished by the above.
請求項2に記載の発明は、上記した請求項1に記載の発明の構成に加えて、上記研磨体移動部は、研磨体を基板に対して垂直方向に移動させる垂直移動部と、研磨体を基板の所定の径方向に移動させる径方向移動部と、を備えることを特徴としている。 According to a second aspect of the invention, in addition to the configuration of the first aspect of the invention described above, the polishing body moving unit includes a vertical moving unit that moves the polishing body in a direction perpendicular to the substrate, and a polishing body. And a radial direction moving part for moving the substrate in a predetermined radial direction of the substrate.
請求項3に記載の発明は、上記した請求項1または2に記載の発明の構成に加えて、上記研磨体移動部は、研磨体を基板の上記所定の径方向とは直交する方向に移動させる直交方向移動部、を備えることを特徴としている。 According to a third aspect of the invention, in addition to the configuration of the first or second aspect of the invention described above, the polishing body moving section moves the polishing body in a direction perpendicular to the predetermined radial direction of the substrate. An orthogonal direction moving unit is provided.
また、請求項4に記載の発明は、上記した請求項1から3の何れか1項に記載発明の構成に加えて、上記研磨体移動部による研磨体の研磨部の移動は、基板の一方の面の外周縁部から外周端部を経由し他方の面の外周縁部に向かう第1の移動と、その逆方向の他方の面の外周縁部から外周端面を経由して一方の面の外周縁部に向かう第2の移動との組み合わせである、ことを特徴としている。 According to a fourth aspect of the present invention, in addition to the configuration of any one of the first to third aspects, the movement of the polishing portion of the polishing body by the polishing body moving portion is performed on one side of the substrate. The first movement from the outer peripheral edge of the other surface to the outer peripheral edge of the other surface through the outer peripheral edge, and the other surface of the other surface from the outer peripheral edge of the other surface in the opposite direction via the outer peripheral edge It is a combination with the second movement toward the outer peripheral edge.
さらに、請求項5に記載の発明は、基板を研磨する基板研磨方法において、上記基板と、略円盤状でその外周に研磨部が形成された研磨体とを回転させつつ、研磨体の研磨部を基板の外周領域に接触させかつその外周領域の形状に沿って移動させ、研磨部で外周領域を研磨する、ことを特徴としている。
Furthermore, the invention according to
この発明の基板研磨装置では、略円盤状の研磨体の外周に形成されている研磨部を基板の外周領域に接触させかつその外周領域の形状に沿って移動させつつ、外周領域を研磨するようにしたので、外周より基板中心方向に入りこんだ面も自在に研磨可能となる。この面は平坦面であっても、斜面であってもよく、またその表面に凹凸があってもよい。このように研磨領域を広げることで付着物をより広範囲に除くことができ、したがってその付着物に起因して発生していた不良を確実に除去することができる。 In the substrate polishing apparatus of this invention, the outer peripheral region is polished while the polishing portion formed on the outer periphery of the substantially disc-shaped polishing body is brought into contact with the outer peripheral region of the substrate and moved along the shape of the outer peripheral region. As a result, it is possible to freely polish the surface entering the center of the substrate from the outer periphery. This surface may be a flat surface or an inclined surface, and the surface may be uneven. By widening the polishing area in this manner, the deposits can be removed in a wider range, and therefore, defects caused by the deposits can be reliably removed.
また、研磨体を基板に接触させるだけでよいため、簡単な装置で研磨することができ、製造コストも低減することができる。 Further, since it is only necessary to bring the polishing body into contact with the substrate, polishing can be performed with a simple apparatus, and the manufacturing cost can be reduced.
さらに、研磨部を基板の外周領域の形状に沿って移動させるので、どのような基板の形状にも追随させることができ、したがって、基板を所望の曲率で高精度に研磨でき、さらにその高精度の研磨を再現性よく安定して行うことができる。 Furthermore, since the polishing part is moved along the shape of the outer peripheral region of the substrate, it can follow any shape of the substrate. Therefore, the substrate can be polished with a desired curvature with high accuracy, and the high accuracy can be achieved. Can be stably performed with good reproducibility.
先ずこの発明の第1の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。 First, a first embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
図1はこの発明の基板研磨装置の平面図、図2は図1のA−A断面図、図3は図1のB−B断面図である。なお、図3における研磨体3は、図1の研磨体3をY方向に移動した状態となっている。これらの図において、この発明の基板研磨装置1は、基台91,92上に構築され、基板Dを軸回りに回転自在に支持する基板支持部2と、略円盤状でその外周に研磨部30が形成された研磨体3と、その研磨体3を軸回りに回転自在に支持する研磨体支持部4と、その研磨体支持部4を移動させる研磨体移動部5とを備えている。
1 is a plan view of a substrate polishing apparatus according to the present invention, FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line AA in FIG. 1, and FIG. 3 is a cross-sectional view taken along line BB in FIG. Note that the
そして、研磨体移動部5は、研磨体3を基板Dに対して垂直方向に移動させる垂直移動部6と、研磨体3を基板Dの所定の径方向に移動させる径方向移動部7と、研磨体3を基板Dの所定の径方向とは直交する方向に移動させる直交方向移動部8とを有している。
The polishing
上記の基板Dは、例えば略円板状の半導体ウェハであり、図4(a)(b)に示すように、表面側のパターン形成部D0と、そのパターン形成部D0より外周側の外周縁部D1と、外周端部D2と、裏面の外周縁部D3とを有している。外周縁部D1,D3は平坦であってもよいし、斜面であってもよい。またその表面に凹凸があってもよい。外周端部D2は、通常は図4(a)のように曲率を有しているが、図4(b)のように斜面と垂直面とで形成されていてもよい。またその表面に凹凸があってもよい。以下の説明では、表面の外周縁部D1、外周端部D2および裏面の外周縁部D3を合わせた領域を「外周領域」と称することとする。 The substrate D is, for example, a substantially disk-shaped semiconductor wafer. As shown in FIGS. 4A and 4B, the surface-side pattern forming portion D0 and the outer peripheral edge on the outer peripheral side from the pattern forming portion D0. It has a portion D1, an outer peripheral end D2, and an outer peripheral edge D3 on the back surface. The outer peripheral edge portions D1 and D3 may be flat or may be slopes. Further, the surface may be uneven. The outer peripheral end D2 usually has a curvature as shown in FIG. 4A, but may be formed of a slope and a vertical surface as shown in FIG. 4B. Further, the surface may be uneven. In the following description, a region including the outer peripheral edge portion D1, the outer peripheral edge portion D2, and the outer peripheral edge portion D3 on the back surface is referred to as an “outer peripheral region”.
上記の基板支持部2は、図2および図3に示すように、基台91上に設けられ、基台91に立設された支持用シャフト21と、その支持用シャフト21の頂部に設けられた基板受け部22と、回転駆動部23とを有している。支持用シャフト21は、基台91に固定されている円筒部21aとその円筒部21aの中空部にベアリング機構で回転自在に設けられている軸部21bとを有し、この軸部21bには、回転駆動部23のモータ23aの回転がギヤ列23bを介して伝達され、それによって基板受け部22が回転する。また軸部21bには垂直方向に孔21cが形成され、その孔21cの下方から空気が吸引され、その吸引力によって基板受け部22にセッティングされた基板Dがチャッキングされ固定される。
As shown in FIGS. 2 and 3, the
基板Dは、基板受け部22にセッティングされた状態で、基板受け部22に対して、少なくとも外周領域がはみ出すようになる(図2、図3参照)。
When the substrate D is set in the
基台91には、位置決め部2Aが3カ所に設けられている。図1では2カ所のみ図示したが、図示されていない残り1カ所の位置決め部2Aが、例えば研磨体支持部4の位置の近傍に配置されている。位置決め部2Aは、その頂部の回転自在な円柱体201が基板Dの外周面に当接し、基板Dのチャッキング時の位置決めを3方向から高精度に行う。研磨時には基板Dから離れた位置に退避する。なお、この位置決め部2Aは、3カ所だけでなく、必要に応じて2カ所、あるいは4カ所以上設けるようにしてもよい。
The
次に上記の研磨体移動部5および研磨体支持部4について説明する。
Next, the polishing
研磨体移動部5は、上記したように、垂直移動部6と径方向移動部7と直交方向移動部8とから構成されている。直交方向移動部8は、基台92上に設けられ、レール8a,8b、サーボモータ81、ボールネジ82、および直交方向移動テーブル83を備えている。この構成により、サーボモータ81が回転しボールネジ82が回転すると、ナット状移動体を介して直交方向移動テーブル83が、レール8a,8bに沿って図中Y方向に移動する。
As described above, the polishing
上記の径方向移動部7は、直交方向移動テーブル83上に設けられ、レール7a,7b、サーボモータ71、ボールネジ72および径方向移動テーブル73を備えている。この構成により、サーボモータ71が回転しボールネジ72が回転すると、ナット状移動体74を介して径方向移動テーブル73が、レール7a,7bに沿って図中X方向(所定の径方向)に移動する。
The radial movement unit 7 is provided on the orthogonal movement table 83 and includes
上記の垂直移動部6は、径方向移動テーブル73上に立設された機枠60に設けられる。この垂直移動部6は、レール6a,6b、サーボモータ61、ボールネジ62、ナット状移動体64および垂直方向移動テーブル63を備えている。この構成により、サーボモータ61が回転しボールネジ62が回転すると、ナット状移動体64を介して垂直方向移動テーブル63が、レール6a,6bに沿って図中Z方向に移動する。そして、垂直方向移動テーブル63には水平方向に横機枠65が設けられ、この横機枠65の水平方向先端側には研磨体支持部4が設けられ、この研磨体支持部4によって研磨体3が回転自在に支持されている。すなわち、横機枠65にはモータ66が配置され、モータ66の回転がプーリを介して研磨体3に伝達され、研磨体3が回転する。
The vertical moving
研磨体3は、上記したように、略円盤状でその外周に研磨部30が形成されている。この研磨部30は、例えば研磨布や砥石の表面である。研磨時には研磨部30と基板Dとの間に研磨液が供給される。
As described above, the polishing
また、基板研磨装置1には、基板Dの少し上方に高さ位置計測センサS1が、また基板Dの外周面から少し離れた位置に偏心量計測センサS2が配置され、高さ位置計測センサS1は、基板受け部22にセッティングされた基板Dの正確な高さ位置を計測し、偏心量計測センサS2は、基板受け部22にセッティングされた基板Dが回転する際の径方向の偏心量(振れ量)を計測する。
In the
基板研磨装置1の各部の動作は、ここでは図示されていない制御装置を用いて行われる。すなわち、制御装置は、モータ23a,66、サーボモータ61,71,81に指令してこれらのモータを駆動して所定の動作を行わせ、また基板Dをチャッキングする時の吸引動作、研磨液供給動作等の制御も行う。
The operation of each part of the
上記構成の基板研磨装置1において、外周領域の研磨は次のように行われる。 先ず、基板Dの外周領域の形状をプロファイラ(表面形状測定装置)を用いて計測し、その形状データを制御装置に入力する。
In the
次に、基板Dを基板受け部22にチャッキングし、位置決め部2Aで位置決めしてセッティングし、その状態で、高さ位置計測センサS1を用いて基板Dの高さ位置を高精度に計測し、偏心量計測センサS2を用いて基板回転時の基板Dの振れ量を計測し、制御装置にフィードバックする。
Next, the substrate D is chucked to the
制御装置では、プロファイラで求めた形状データから研磨体3の外周領域の研磨を行うための各部の軌跡(XYZ方向での軌跡)を求め、さらにその軌跡に、高さ位置計測センサS1および偏心量計測センサS2からの諸データを加味して補正を加え、研磨体3の高精度の軌跡を求める。
In the control device, the trajectory of each part (trajectory in the XYZ directions) for polishing the outer peripheral region of the polishing
その後、制御装置は、基板Dおよび研磨体3を回転させるとともに、求めた軌跡データに従って、研磨体移動部5(垂直移動部6、径方向移動部7および直交方向移動部8)を動作させる。その結果、基板Dと研磨部30とは接触しつつ、研磨体3が、例えば図5、図6に示すように、軌跡Pに従ってM位置から外周領域に沿ってN位置までの第1の移動を行い、また軌跡Pに従ってN位置から外周領域に沿ってM位置まで第2の移動を行い、少なくともその何れかの移動を行うことで、また多くの場合は第1の移動と第2の移動とを組み合わせて行うことにより、外周領域の研磨が行われる。なお、図5は研磨体の直径が大きい場合を、図6は研磨体の直径が小さい場合をそれぞれ示している。
Thereafter, the control device rotates the substrate D and the polishing
図7は本発明での研磨範囲の説明図である。本発明では、研磨体3の外周に形成されている研磨部30を基板Dに接触させつつ研磨するようにしたので、基板Dの外周領域での研磨範囲Wは、図7(a)に示すような外周端部D2だけでなく、図7(b)に示すような外周縁部D1,D3を含めた範囲が研磨可能となり、さらには図7(c)に示すような、より基板中心方向に入りこんで平坦な領域がより広くなった外周縁部D1,D3も自在に研磨可能となる。また、図7(d)に示すように、基板Dの表面と裏面とで研磨範囲が異なる場合でも自在に対応することができる。なお、特許文献1に示したような、弧状の作動面を用いるエッジ研磨装置では、図7(a)の外周端部の研磨に対応できるのみである。
FIG. 7 is an explanatory diagram of the polishing range in the present invention. In the present invention, since the polishing
以上述べたように、この発明の基板研磨装置1では、略円盤状の研磨体3の外周に形成されている研磨部30を基板Dの外周領域に接触させかつその外周領域の形状に沿って移動させつつ、外周領域を研磨するようにしたので、外周より基板中心方向に入りこんだ面も自在に研磨可能となる。この面は平坦面であっても、斜面であってもよく、またその表面に凹凸があってもよい。このように研磨領域を広げることで付着物をより広範囲に除くことができ、したがってその付着物に起因して発生していた不良を確実に除去することができる。
As described above, in the
また、研磨体3を基板Dに接触させるだけでよいため、簡単な装置で研磨することができ、製造コストも低減することができる。
Moreover, since it is only necessary to bring the polishing
さらに、研磨部30を基板Dの外周領域の形状に沿って移動させるので、どのような基板の形状にも追随させることができ、したがって、基板Dを所望の曲率で高精度に研磨でき、さらにその高精度の研磨を再現性よく安定して行うことができる。
Further, since the polishing
次にこの発明の第2の実施形態を説明する。 Next, a second embodiment of the present invention will be described.
図8はこの発明の第2の実施形態の説明図である。この第2の実施形態では研磨体3を基板Dの表側と裏側の双方に配置している。上記第1の実施形態において、研磨体3を図1の状態からY方向に移動させた場合は図3の状態になるが、この図3において、基板Dの表側と裏側とを研磨する場合は、それぞれの位置に研磨体3を移動させて順に行うこととなる。これに対して、図8に示す第2の実施形態では、研磨体3を基板Dの表側と裏側の双方に配置し、表側の研磨と裏側の研磨を同時に行えるようにしている。したがって、より効率よく研磨を行えるようになる。
FIG. 8 is an explanatory diagram of the second embodiment of the present invention. In the second embodiment, the polishing
1 基板研磨装置
2 基板支持部
2A 位置決め部
21 支持用シャフト
21a 円筒部
21b 軸部
21c 孔
22 基板受け部
23 回転駆動部
23a モータ
23b ギヤ列
201 円柱体
3 研磨体
30 研磨部
4 研磨体支持部
5 研磨体移動部
6 垂直移動部
6a,6b レール
60 機枠
61 サーボモータ
62 ボールネジ
63 垂直方向移動テーブル
64 ナット状移動体
65 横機枠
66 モータ
7 径方向移動部
7a,7b レール
71 サーボモータ
72 ボールネジ
73 径方向移動テーブル
74 ナット状移動体
8 直交方向移動部
8a,8b レール
81 サーボモータ
82 ボールネジ
83 直交方向移動テーブル
91 基台
92 基台
D 基板
D0 パターン形成部
D1,D3 外周縁部
D2 外周端部
P 軌跡
S1 高さ位置計測センサ
S2 偏心量計測センサ
W 研磨範囲
X 所定の径方向
Y 所定の径方向とは直交する方向
Z 垂直方向
DESCRIPTION OF
Claims (5)
上記基板を軸回りに回転自在に支持する基板支持部と、
略円盤状でその外周に研磨部が形成された研磨体と、
上記研磨体を軸回りに回転自在に支持する研磨体支持部と、
上記研磨体支持部を移動させる研磨体移動部と、を備え、
上記基板および研磨体を回転させつつ、上記研磨体移動部により研磨体の研磨部を基板の外周縁部および外周端部(以下「外周領域」という)に接触させかつその外周領域の形状に沿って移動させ、研磨部で外周領域を研磨する、
ことを特徴とする基板研磨装置。 In a substrate polishing apparatus for polishing a substrate,
A substrate support section for supporting the substrate rotatably about an axis;
A polishing body having a substantially disc shape and a polishing portion formed on the outer periphery thereof;
A polishing body support for supporting the polishing body rotatably about an axis;
A polishing body moving section for moving the polishing body support section,
While rotating the substrate and the polishing body, the polishing body moving portion brings the polishing portion of the polishing body into contact with the outer peripheral edge portion and the outer peripheral edge portion (hereinafter referred to as “outer peripheral region”) of the substrate, and follows the shape of the outer peripheral region. And move the outer peripheral area with the polishing part.
A substrate polishing apparatus.
研磨体を基板に対して垂直方向に移動させる垂直移動部と、
研磨体を基板の所定の径方向に移動させる径方向移動部と、を備える請求項1に記載の基板研磨装置。 The polishing body moving part is
A vertical movement unit for moving the polishing body in a direction perpendicular to the substrate;
The substrate polishing apparatus according to claim 1, further comprising a radial direction moving unit that moves the polishing body in a predetermined radial direction of the substrate.
研磨体を基板の上記所定の径方向とは直交する方向に移動させる直交方向移動部、を備える請求項2に記載の基板研磨装置。 The polishing body moving part is
The substrate polishing apparatus according to claim 2, further comprising: an orthogonal direction moving unit that moves the polishing body in a direction orthogonal to the predetermined radial direction of the substrate.
上記基板と、略円盤状でその外周に研磨部が形成された研磨体とを回転させつつ、研磨体の研磨部を基板の外周領域に接触させかつその外周領域の形状に沿って移動させ、研磨部で外周領域を研磨する、
ことを特徴とする基板研磨方法。 In a substrate polishing method for polishing a substrate,
While rotating the substrate and a polishing body having a substantially disc shape and a polishing portion formed on the outer periphery thereof, the polishing portion of the polishing body is brought into contact with the outer peripheral region of the substrate and moved along the shape of the outer peripheral region, Polish the outer peripheral area with the polishing part,
A substrate polishing method characterized by the above.
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- 2004-12-16 JP JP2004364317A patent/JP2006173379A/en active Pending
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