JP2006171078A - 3次元テーパ構造を有するデバイスの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板1上にコア2を形成後、反応性イオンエッチングによりコア2の一部のエッチングを行い、エッチング面2aを形成すると共に、エッチングされていないコア2の表面に溝3を形成する。溝3は、同じ大きさで同じ形状の溝をエッチング面2a方向に向かって徐々に間隔を狭める配置となるように平行に形成する。更に、700〜1400℃の温度でアニールを行ない、コア2自体のリフローによりコア2の形状を変化させてテーパ面5を有するテーパ構造を実現する。最後に、フォトリソグラフィにより回路パターンを形成し、反応性イオンエッチングでコア2をエッチングすることにより、三次元テーパ面7を有する素子を得る。
【選択図】 図1
Description
この方法は、基板51上にコア膜52をスパッタリング等により形成する際に、基板51から少し離した位置にシャドーマスク55を配置し、基板51上にコア材料56が届きにくい場所を作る、即ち、基板面の位置により堆積速度を変えるという方法である。
しかし、この方法では、製造中に基板51に対するシャドーマスク55の位置がずれることがあり、膜厚の制御が困難で、細かいパターンの製造が難しく、大量生産には不向きであった。しかも、実現できないパターンがあるという課題があった。
この例では、図6に示すように、基板61上に、順に、2次元テーパの下層コア膜67、上層コア膜68が形成された構造となっている。この場合、膜厚の変化は階段状であるが、各層を形成する際の精度はフォトリソグラフィの際のあわせの精度により決まるため、コア形状を制御しやすく、複雑な回路構成も可能である。しかし、コアの形状が階段状であり、なめらかな変化ではないため、損失が大きくなるなど所望の特性が得られにくい場合が多かった。
例えば、コアの一部を除去して段差を形成した後、段差上に薄膜を堆積して段差を滑らかな斜面に成形して光導波路を形成する方法がある(例えば、特許文献2、特許文献3参照)。
また、この方法では、コアの一部にリフローさせる材料を後から形成しているため、コア膜とリフロー膜との間で材質の均一性に劣るものとなる。
図1に、第1の実施形態の製造方法を示す。
まず、基板1上にコア2を所定の厚さ(T1)となるように形成する(図1(a))。この形成膜厚T1は、3次元テーパ完成時に一番厚い部分の膜厚となる。
本実施形態では、コア2自体をリフローさせるため、Geのドーパント量を20〜40%と増やし、700〜1400℃の範囲の温度、例えば1340℃の温度で10分〜24時間アニール処理を行うことにより連続な膜を得ることができる。
図3に、三次元テーパ面7を形成する際の元となるパターンとして、図2(b)のようなくさび体33を用いた場合のもう一つの製造方法を説明する。
まず、基板31上にコア32を形成した後、くさび体33を残してエッチングし、エッチング面32aを形成する。
する(図3(a))。
エッチングにより、くさび体33は、矩形状の断面の上部2点の角から一定の角度でエッチングされる。エッチングを続けていくと、断面形状は三角形となり、この三角形の大きさは当初の矩形状断面の幅の長さに比例する(相似形)。更に、くさび体33の全ての断面形状が三角形になるまでエッチングすることにより、図3(b)に示す三次元くさび体35が得られる。この三次元くさび体35の断面構造は、図3(c)、(d)に示すように、高さ方向にもなめらかな傾斜を有する構造となっている。
図4に、三次元テーパ面7を形成する際の元となるパターンとして、図2(c)のように円柱孔43を用いた場合のもう一つの製造方法を説明する。
まず、基板41上にコア42を形成した後、通常条件の反応性イオンエッチングにより図中右側へ行くに従い径が大きくなるような円柱孔43を形成し、さらに図中右側の部分にエッチング面42aを設ける(図4(a))。この円柱孔43は、図4(b)に示すように、径は異なっているが、深さは皆同じである。
(1)コア形成は1回、エッチングはコアの前処理エッチングと横方向のコア形成エッチングの2回で済み、工程が簡略で、生産性が良い。
(2)コア自体をリフローさせるため、コア材全体の材質が均一である。このため、コア材の位置により、材質が異なったり不均一になったりすることがない。
(3)垂直方向のテーパ形成と、横方向のテーパ形成とに分けて行うため、フォトリソグラフィの合わせ精度はそれほど厳密性を要求されない。
(4)準備段階のコアのエッチングでは、垂直方向の階段構造は特に必要がなく、リフローにより容易に垂直方向のテーパを実現することが可能である。
2、22、32、42 コア
2a、22a、32a、42a エッチング面
3 溝
5 テーパ面
7 三次元テーパ面
23 円柱体
33 くさび体
35 三次元くさび体
43 円柱孔
45 段状円柱孔
51、61 基板
52 コア膜
55 シャドーマスク
56 コア材料
67 下層コア膜
68 上層コア膜
Claims (5)
- 基板上にコアを所定の厚さに形成する第1工程と、
前記コアの一方の側に所定の深さまでエッチングを行ってエッチング面を形成すると共に、前記エッチング面以外のコアの表面に、前記エッチング面に近づくに従ってその比率が高くなるように空隙部分を設ける第2工程と、
700〜1400℃の温度でアニールを行い、コア自体のリフローによりコアの形状を変化させる第3工程と、
フォトリソグラフィにより回路パターンを形成してコアをエッチングする第4工程と、を備えることを特徴とする3次元テーパ構造を有するデバイスの製造方法。 - 前記第2工程は、前記エッチング面以外のコアの表面に、溝をエッチング面方向に向かって徐々に間隔を狭める配置となるように平行に複数設けることを特徴とする請求項1記載の3次元テーパ構造を有するデバイスの製造方法。
- 前記第2工程は、前記エッチング面以外のコアの表面に、円柱体をエッチング面方向に向かって徐々にその径が小さくなるように複数設けることを特徴とする請求項1記載の3次元テーパ構造を有するデバイスの製造方法。
- 前記第2工程は、前記エッチング面以外のコアの表面に、エッチング面側に突起部を有するくさび体を複数設けることを特徴とする請求項1記載の3次元テーパ構造を有するデバイスの製造方法。
- 前記第2工程は、前記エッチング面以外のコアの表面に、円柱孔をエッチング面方向に向かって徐々にその径及び深さが大きくなるように複数設けることを特徴とする請求項1記載の3次元テーパ構造を有するデバイスの製造方法。
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