JP2006165438A - プリント基板 - Google Patents

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克彰 玉城
Tadakuni Sato
忠邦 佐藤
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孝泰 塩川
Hodaka Shoji
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Abstract

【課題】広い使用周波数帯域でクロストーク成分を充分に抑制し得る小型のコモンモードの信号線路を用いたプリント基板を提供すること。
【解決手段】このプリント基板100は、グランド層101及び信号線層103が絶縁体層102を挟んで積層されて成る構造において、信号線層103の上部にその表面を覆って誘電体層104を設けたもので、誘電体層104の比誘電率εrを1〜40の範囲として使用周波数帯域0(DC)〜10GHzの範囲でクロストーク成分を抑制し得るものとしている。又、誘電体層104の厚みdを絶縁体層102の厚みhに対してd=0.05h〜0.5hの範囲とし、信号線層103のマイクロストリップ線路による幅Wと互いの間隔SとがS=0.5W〜3Wなる関係が成立する範囲として各部を寸法規定することにより、上述の基本機能を得て使用目的に応じた様々なサイズでの製造を可能としている。
【選択図】図1

Description

本発明は、主としてマイクロ波帯域で使用されるマイクロストリップ線路を含むと共に、広い使用周波数帯域でクロストーク成分を抑制し得るコモンモードの信号線路を用いたプリント基板に関する。
近年、携帯電話等の移動通信機器やパーソナルコンピュータに代表される高性能な電子機器の普及並びにパーソナル化に伴い、これらの機器(システム)には小型化や軽量化等の他、処理速度の高速化等が求められている。このため、隣接する各電気機器間や機器内部の回路素子間において、不要電磁波による干渉や放射の影響が問題となっている。
そこで、これらの機器内部で回路素子を搭載するためのプリント基板において、伝送線路として用いられているマイクロストリップ線路(MSL)から発生する不要電磁波が最近問題視されており、特に隣接する線路間のクロストーク成分を抑圧することがシステム設計において有用であると考えられている。因みに、クロストークとは、複数の線路が存在する場合に或る線路に対して隣接した他の線路における信号が誘導結合や容量結合によりノイズとして誘起されてしまうことであり、その誘起された2次的な信号がクロストーク成分である。
平行して配設されるマイクロストリップ線路の伝送モードには、大きく分けてディファレンシャルモードとコモンモードとの2つのモードがあり、クロストーク成分をより抑制できるのは前者であるため、現在ではコモンモードよりもクロストークの影響が少ないとされているディファレンシャルモードヘと伝送モードを移行することが進められている。
このようなディファレンシャルモードに関連する周知技術としては、例えば3層の伝送層を具備し、3層の伝送層にあって第1層を第1の接地線層とすると共に、第2層を第2の接地線層とし、第1層及び第2層に扶持される中間の第3層を伝送線層とした構造のディファレンシャル信号伝送線路(特許文献1参照)等が挙げられる。
特開平11−282592号公報(要約)
上述した特許文献1に係るディファレンシャルモード伝送線路の場合、3層もの伝送層を有する構造であり、一般的にはコモンモードの約2倍のスペースを使用するために小型化するという視点では好ましくなく、又周知のコモンモードの信号線路の場合には空間を有効に利用してクロストーク成分を充分に抑制し得る構造のものが開発されていないという問題がある。
本発明は、このような問題点を解決すべくなされたもので、その技術的課題は、広い使用周波数帯域でクロストーク成分を充分に抑制し得る小型のコモンモードの信号線路を用いたプリント基板を提供することにある。
本発明によれば、グランド層及び信号線層が互いに絶縁物を挟んで積層されて成るプリント基板において、信号線層の上部に誘電体層が設けられて成るプリント基板が得られる。
又、本発明によれば、上記プリント基板において、誘電体層は、信号線層の表面を覆って形成されているプリント基板が得られる。
更に、本発明によれば、上記何れかのプリント基板において、誘電体層は、比誘電率εrが1〜40の範囲にあるプリント基板が得られる。
加えて、本発明によれば、上記何れか一つのプリント基板において、使用周波数帯域が0〜10GHzの範囲であるプリント基板が得られる。
一方、本発明によれば、上記何れか一つのプリント基板において、絶縁物としての絶縁体層を含み、誘電体層の厚みdは、絶縁体層の厚みhに対してd=0.05h〜0.5hなる関係が成立する範囲にあるプリント基板が得られる。
他方、本発明によれば、上記何れか一つのプリント基板において、信号線層は、マイクロストリップ線路による幅Wを有して互いに間隔Sの距離を隔てて平行して設置されると共に、該間隔Sが該幅Wに対してS=0.5W〜3Wなる関係が成立する範囲にあるプリント基板が得られる。
本発明のプリント基板の場合、グランド層及び信号線層が絶縁物(絶縁体層)を挟んで積層されたマイクロ波帯域で使用される基本構造のものにおいて、コモンモード信号を伝送するための伝送線路に関し、信号線層(マイクロストリップ線路)の上部でその表面を覆うように比誘電率εrが1〜40の範囲にある誘電体層を設けた構造としているため、コモンモードによる伝送形態で省スペース化を図って小型で広い使用周波数帯域0(直流:DC)〜10GHzの範囲にあってクロストーク成分を充分に抑制し得るようになる。又、本発明のプリント基板では、空間を有効に利用して上述した基本機能を得るべく、コモンモードによる信号線路の特色である小型構造にできるという利点を充分に活かし、誘電体層の厚みd及び絶縁体層の厚みhについては、d=0.05h〜0.5hなる関係が成立する範囲にあるようにし、信号線層のマイクロストリップ線路による幅W及び間隔Sについては、S=0.5W〜3Wなる関係が成立する範囲にあるように規定することにより、使用目的に応じた様々なサイズのプリント基板を適応性高く提供できるようになる。
本発明の最良の形態に係るプリント基板は、グランド層及び信号線層が互いに絶縁物を挟んで積層されて成るマイクロ波帯域で使用される基本構造のものにおいて、コモンモード信号を伝送するための伝送線路に関し、信号線層(マイクロストリップ線路)の上部に誘電体層が設けられて成るものである。但し、ここでの誘電体層は、信号線層の表面を覆って形成され、比誘電率εrが1〜40の範囲にあるようにすることで、プリント基板の使用周波数帯域が0(直流:DC)〜10GHzの範囲となるものである。
又、本発明のプリント基板では、空間を有効に利用して小型化を図るべく、誘電体層の厚みdを絶縁物としての絶縁体層の厚みhに対してd=0.05h〜0.5hなる関係が成立する範囲にあるようにしている。更に、同様な目的で信号線層がマイクロストリップ線路による幅Wを有して互いに間隔Sの距離を隔てて平行して設置されるようにし、この場合に間隔Sを幅Wに対してS=0.5W〜3Wなる関係が成立する範囲にあるようにしている。こうした各部の寸法規定により、使用目的に応じた様々なサイズのプリント基板を適応性高く提供できる。
以下は、幾つかの実施例を挙げ、本発明のプリント基板について、具体的に説明する。
図1は、本発明の実施例1に係るプリント基板100の基本構造を示した側面断面図である。
このプリント基板100は、使用周波数帯域が0(DC)〜10GHzの範囲で使用されるもので、グランド層101,信号線層103が互いに絶縁体層102を挟んで積層され、信号線層103上の表面を覆うように信号線層103上及び絶縁体層102上に誘電体層104が形成された構成となっている。
このうち、絶縁体層102はFR4のガラスエポキシ基板を使用して成るもので、厚みh=4mm、比誘電率εr=4.68となっている。又、グランド層101及び信号線層103は、材質として銅が使用されており、信号線層103については厚みt=0.1mmのマイクロストリップ線路から成ると共に、幅Wを有して互いに間隔Sの距離を隔てて平行して設置されており、且つ隣合って平行に形成されているものは幅W=2mmであり、線路間隔S=4mmとなっている。更に、信号線層103上及び絶縁体層102上(プリント基板100上とみなしても良い)に形成された誘電体層104は、アルミナシートを使用して厚みd=1mmで信号線層103上及び絶縁体層102上に貼り付ける形態で実装されており、比誘電率εr=8.5となっている。
図2は、この実施例1に係るプリント基板100(誘電体あり)の周波数(GHz)に対するクロストーク成分の特性を測定した結果を誘電体層104を形成しない構造(誘電体なし)の場合と対比して示したものである。
図2からは、誘電体層104が無い場合と比べて、誘電体層104を敷くことにより、0(DC)〜12GHz帯においてクロストーク成分が顕著に抑制される様子が判る。
実施例2では、実施例1のプリント基板100の基本構造をそのままにして、誘電体層104における比誘電率εrを幾つかの異なる値に変化させて各プリント基板100を作製したものである。但し、実施例2に係る各プリント基板100における各部のパラメータについて、誘電体層104の厚みdは絶縁体層102の厚みh=4mmに対してd=0.1h(0.4mm)であり、信号線層103のマイクロストリップ線路における間隔Sは幅W=2mmに対してS=2W(4mm)であり、絶縁体層102はガラスエポキシ基板を材料とする比誘電率εr=4.68のものとして共通させている。
図3は、実施例2に係る各プリント基板100(誘電体あり)の周波数(GHz)に対するクロストーク成分の特性を測定した結果を誘電体層104を形成しない構造(誘電体なし)の場合と対比して示したものである。
図3からは、比誘電率εrが3,7,10のものまではその値が高くなるにつれてクロストーク成分を0(DC)〜12GHzの全ての周波数帯域で誘電体層104を敷かない場合に比べて抑制できること、比誘電率εrが10を越えた30,40のものでは逆に比誘電率εrが高くなるにつれてクロストーク成分が大きくなってしまうこと、比誘電率εrが40であれば0(DC)〜10GHzの帯域ではクロストーク成分を抑制できるが、10GHzを超過すると逆にクロストーク成分が誘電体層104を敷かない場合と比べて大きくなってしまうことが判る。
従って、実施例2に係る各プリント基板100(比誘電率εrが3,7,10,30,40)のものは、何れも0(DC)〜10GHzの周波数帯域を使用周波数の範囲とすれば、クロストーク成分を抑制できることが判る。
実施例3では、実施例1のプリント基板100の基本構造をそのままにして、誘電体層104における厚みdを変化させて各プリント基板100を作製したものである。但し、実施例3に係る各プリント基板100における各部のパラメータについて、誘電体層104の比誘電率εrは7のものであり、信号線層103のマイクロストリップ線路における間隔Sは幅W=2mmに対してS=2W(4mm)であり、絶縁体層102は厚みh=0.4mmのガラスエポキシ基板を材料とする比誘電率εr=4.68のものとして共通させている。
図4は、実施例3に係る各プリント基板100(誘電体あり)の周波数(GHz)に対するクロストーク成分の特性を測定した結果を誘電体層104を形成しない構造(誘電体なし)の場合と対比して示したものである。
図4からは、厚みdがd=0.05h,d=0.1h,d=0.2hのものまではその値が大きくなるにつれてクロストーク成分を0(DC)〜12GHzの全ての周波数帯域で誘電体層104を敷かない場合に比べて抑制できること、厚みdがd=0.3h,d=0.5hのものでは逆に厚みdが厚くなるにつれてクロストーク成分が大きくなってしまうこと、厚みdが0.5hであれば0(DC)〜10GHzの帯域ではクロストーク成分を抑制できるが、10GHzを超過すると逆にクロストーク成分が誘電体層104を敷かない場合と比べて大きくなってしまうことが判る。
従って、実施例3に係る各プリント基板100(厚みdがd=0.05h,0.1h,0.2h,0.3h,0.5h)のものは、何れも0(DC)〜10GHzの周波数帯域を使用周波数の範囲とすれば、クロストーク成分を抑制できることが判る。
実施例4では、実施例1のプリント基板100の基本構造をそのままにして、信号線層103のマイクロストリップ線路における間隔Sを変化させて各プリント基板100を作製したものである。但し、実施例4に係る各プリント基板100における各部のパラメータについて、誘電体層104の比誘電率εrは7のものであり、誘電体層104の厚みdは絶縁体層102の厚みh=4mmに対してd=0.1h(0.4mm)であり、絶縁体層102はガラスエポキシ基板を材料とする比誘電率εr=4.68のものとして共通させている。
図5は、実施例4に係る各プリント基板100(誘電体あり)の周波数(GHz)に対するクロストーク成分の特性を測定した結果を誘電体層104を形成しない構造(誘電体なし)の場合と対比して示したものである。
図5からは、間隔SがS=3W,2.5W,2W,1W,0.5Wの何れの場合にも誘電体層104を敷かない場合(Sc=3W)よりも0(DC)〜12GHzの全ての周波数帯域でクロストーク成分を小さく抑制できること、特に0.5Wまで狭めても誘電体層104を敷かない場合よりもクロストーク成分を小さく抑え得ることが判る。
従って、信号線層103のマイクロストリップ線路における間隔Sが幅Wとの関係でS=0.5W〜3Wの範囲となる形態とすれば、クロストーク成分を抑制できることが判る。
因みに、以上の総括的な結果により、クロストーク成分の抑制効果は、誘電体層104の比誘電率εrが1〜40の範囲、誘電体層104の厚みdが絶縁体層102の厚みhとの関係でd=0.05h〜0.5hの範囲、信号線層103のマイクロストリップ線路における間隔Sが幅Wとの関係でS=0.5W〜3Wの範囲で使用すれば、使用周波数帯域が0(DC)〜10GHzの範囲において誘電体層104を敷かないS=3Wの構造のものよりもクロストーク成分を抑制できる効果が得られることが判った。
ところで、上述した実施例1〜実施例4に係るプリント基板100では、信号線103上及び絶縁体層102上に設ける誘電体層104をアルミナシートの貼り付けにより実装する形態として説明したが、誘電体層104は液状に溶かした誘電体を基板上に噴霧することによっても形成できるので、構造上はこのような形態に限定されない。
図6は、実施例5に係るプリント基板200を作製するために要する誘電体形成装置の概略構成を示した側面断面図である。
このプリント基板200の場合も、実施例1〜実施例4に係るプリント基板100の場合と同様に、使用周波数帯域が0(DC)〜10GHzの範囲で使用されるもので、グランド層201,信号線層203が互いに絶縁体層202を挟んで積層され、信号線層203上の表面を覆うように信号線層203上及び絶縁体層202上に誘電体層204が形成された構成となっている点は共通していが、誘電体層204の形状が先の実施例1〜実施例4に係るプリント基板100における誘電体層104の形状と幾分異なっている。
即ち、実施例5に係るプリント基板200では、図6に示されるような誘電体形成装置としての噴霧器206から液状に溶かした誘電体液を信号線層203上及び絶縁体層202上(プリント基板200上とみなしても良い)に噴霧することによって誘電体層204を形成したものである。この誘電体層204は、信号線203の上方部分が信号線層203の有する厚みtの分、凸状となって信号線層203の無い絶縁体層202の上方部分よりも厚く形成され、この結果として肉厚部分で厚みdを有する構造となっている。
このような誘電体層204の形状や製造工程(作製過程)が異なる実施例5に係るプリント基板200であっても、実施例1〜4実施例に係るプリント基板100の場合と同等にクロストーク成分を抑制し得る構造となる。
本発明の実施例1に係るプリント基板100の基本構造を示した側面断面図である。 図1に示すプリント基板の周波数に対するクロストーク成分の特性を測定した結果を誘電体層を形成しない構造(誘電体なし)の場合と対比して示したものである。 本発明の実施例2に係る各プリント基板の周波数に対するクロストーク成分の特性を測定した結果を誘電体層を形成しない構造(誘電体なし)の場合と対比して示したものである。 本発明の実施例3に係る各プリント基板の周波数に対するクロストーク成分の特性を測定した結果を誘電体層を形成しない構造(誘電体なし)の場合と対比して示したものである。 本発明の実施例4に係る各プリント基板の周波数に対するクロストーク成分の特性を測定した結果を誘電体層を形成しない構造(誘電体なし)の場合と対比して示したものである。 本発明の実施例5に係るプリント基板を作製するために要する誘電体形成装置の概略構成を示した側面断面図である。
符号の説明
100,200 プリント基板
101,201 グランド層
102,202 絶縁体層
103,203 信号線
104,204 誘電体層
206 噴霧器

Claims (6)

  1. グランド層及び信号線層が互いに絶縁物を挟んで積層されて成るプリント基板において、前記信号線層の上部に誘電体層が設けられて成ることを特徴とするプリント基板。
  2. 請求項1記載のプリント基板において、前記誘電体層は、前記信号線層の表面を覆って形成されていることを特徴とするプリント基板。
  3. 請求項1又は2記載のプリント基板において、前記誘電体層は、比誘電率εrが1〜40の範囲にあることを特徴とするプリント基板。
  4. 請求項1〜3の何れか一つに記載のプリント基板において、使用周波数帯域が0〜10GHzの範囲であることを特徴とするプリント基板。
  5. 請求項1〜4の何れか一つに記載のプリント基板において、前記絶縁物としての絶縁体層を含み、前記誘電体層の厚みdは、前記絶縁体層の厚みhに対してd=0.05h〜0.5hなる関係が成立する範囲にあることを特徴とするプリント基板。
  6. 請求項1〜5の何れか一つに記載のプリント基板において、前記信号線層は、マイクロストリップ線路による幅Wを有して互いに間隔Sの距離を隔てて平行して設置されると共に、該間隔Sが該幅Wに対してS=0.5W〜3Wなる関係が成立する範囲にあることを特徴とするプリント基板。
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