JP2006162891A - ムラ欠陥検査装置及び方法、並びにフォトマスクの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 単位パターンが規則的に配列されてなる繰り返しパターンを、透明基板52の表面52Aに備えたフォトマスク50へ光を照射する光源12と、フォトマスクからの反射光を受光して受光データとする受光器13とを有し、この受光データを解析装置14が解析して繰り返しパターンに発生したムラ欠陥を検出するムラ欠陥検査装置10であって、上記光源12は、フォトマスクにおける透明基板の裏面52B側へ光を照射するものである。
【選択図】 図1
Description
まず、図4(B)に示すように、受光器63がフォトマスク50の繰り返しパターンにおける単位パターンのエッジ部にて散乱して反射したパターン情報を有する光65を受光する他、上記繰り返しパターンの単位パターン間を通過して透明基板52の裏面52Bにて反射したパターン情報を有する光66をも受光してしまう。このため、この受光器63からの受光データを解析する解析装置64が、ムラ欠陥を高精度に検出できない恐れがある。
図1は、本発明に係るムラ欠陥検査装置の一実施の形態を示す側断面図である。図2は、図1のII矢視図である。
(1)図4(A)に示すように、光源12が、フォトマスク50における透明基板52の裏面52B側へ光を照射することから、受光器13は、フォトマスク50における繰り返しパターン51の単位パターン53のエッジ部で散乱して反射したパターン情報を有する反射光15を受光し、他のパターン情報を有する光、つまり、図4(B)に示すように、繰り返しパターン51の単位パターン53間を通過して透明基板52の裏面52Bにて反射したパターン情報を有する光66を受光することがない。尚、受光器13は、透明基板52の裏面52Bで反射した光16を受光するが、この光16にはパターン情報が含まれていないため、ムラ欠陥の検出に影響を及ぼすことがない。従って、受光器13が受光して変換した受光データを解析装置14が解析することによって、繰り返しパターン51に発生したムラ欠陥を高精度に検出することができる。
例えば、ムラ欠陥検査装置10における受光器13は、フォトマスク50における繰り返しパターン51の単位パターン53のエッジ部で散乱された光を受光するものを述べたが、このフォトマスク50の繰り返しパターン51における単位パターン53間を透過する透過光、特にこの透過光のうち、単位パターン53のエッジ部で回析された回析光を受光してもよい。
11 ステージ
12 光源
13 受光器
14 解析装置
50 フォトマスク(被検査体)
51 繰り返しパターン
52 透明基板(透光性基板)
52A 透明基板の表面
52B 透明基板の裏面
53 単位パターン
56 ペリクル膜
57 ペリクルフレーム
Claims (6)
- 単位パターンが規則的に配列されてなる繰り返しパターンを、透光性基板の表面に備えた被検査体へ光を照射する光源と、上記被検査体からの反射光または透過光を受光して受光データとする受光器とを有し、この受光データを解析して上記繰り返しパターンに発生したムラ欠陥を検出するムラ欠陥検査装置であって、
上記光源は、上記被検査体における上記透光性基板の裏面側へ光を照射することを特徴とするムラ欠陥検査装置。 - 上記被検査体を載置して支持するステージは、上記被検査体における透光性基板の表面に接触して当該被検査体を支持することを特徴とする請求項1に記載のムラ欠陥検査装置。
- 上記被検査体における透光性基板の表面には、繰り返しパターンを被覆して保護するペリクル膜が設けられたことを特徴とする請求項1または2に記載のムラ欠陥検査装置。
- 上記被検査体が、映像デバイスを製造するためのフォトマスクであることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載のムラ欠陥検査装置。
- 単位パターンが規則的に配列されてなる繰り返しパターンを、透光性基板の表面に備えた被検査体へ光を照射し、上記被検査体からの反射光または透過光を受光して受光データとし、この受光データを解析して上記繰り返しパターンに発生したムラ欠陥を検出するムラ欠陥検査方法であって、
上記被検査体における上記透光性基板の裏面側から、当該被検査体へ光を照射することを特徴とするムラ欠陥検査方法。 - 透光性基板上に所定の遮光膜パターンを備えたフォトマスクを製造するフォトマスクの製造方法において、
上記透光性基板上に、多数の単位パターンが規則的に配列された繰り返しパターンからなる遮光膜パターンを形成する遮光膜パターン形成工程と、
上記繰り返しパターンに発生したムラ欠陥を、請求項5に記載のムラ欠陥検査方法を実施して検査するムラ欠陥検査工程と、を有することを特徴とするフォトマスクの製造方法。
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Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007333590A (ja) * | 2006-06-15 | 2007-12-27 | Hoya Corp | パターン欠陥検査方法、パターン欠陥検査用テストパターン基板、及びパターン欠陥検査装置、並びにフォトマスクの製造方法、及び表示デバイス用基板の製造方法 |
JP2008170371A (ja) * | 2007-01-15 | 2008-07-24 | Hoya Corp | パターン欠陥検査方法、及びパターン欠陥検査装置 |
KR100902877B1 (ko) | 2007-11-15 | 2009-06-16 | (주)티이에스 | 반도체 제조용 마스크의 크롬면 감지장치 |
CN103969853A (zh) * | 2013-02-05 | 2014-08-06 | 北京京东方光电科技有限公司 | 阵列基板及其检测方法和检测装置 |
JP2014170044A (ja) * | 2013-03-01 | 2014-09-18 | Lasertec Corp | マスク評価装置 |
CN105628344A (zh) * | 2016-01-29 | 2016-06-01 | 深圳英伦科技有限公司 | 背光模组及其透光均匀性检测系统及其led混珠搭配方法 |
JP2017053792A (ja) * | 2015-09-11 | 2017-03-16 | 株式会社東芝 | 欠陥検査方法及び欠陥検査装置 |
Families Citing this family (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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CN100454006C (zh) * | 2006-09-07 | 2009-01-21 | 哈尔滨工业大学 | 一种基于机器视觉的液晶显示器斑痕缺陷检测方法与系统 |
KR100850113B1 (ko) * | 2006-12-27 | 2008-08-04 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 포토 레지스트 패턴의 결함 검출 방법 |
KR100945918B1 (ko) * | 2007-02-02 | 2010-03-05 | 주식회사 하이닉스반도체 | 마스크 결함 검사 방법 및 검사 장치 |
EP2147296A1 (en) | 2007-04-18 | 2010-01-27 | Micronic Laser Systems Ab | Method and apparatus for mura detection and metrology |
KR100892486B1 (ko) | 2007-08-01 | 2009-04-10 | 경희대학교 산학협력단 | 다층 주기 구조물의 물리량 산출 방법 |
KR100980329B1 (ko) * | 2008-04-22 | 2010-09-06 | 한국표준과학연구원 | 기판 결함 검출용 적외선 검사 장치의 보정을 위한 기준패턴 제조 장치 및 그를 이용한 제조 방법 |
KR20130051796A (ko) * | 2011-11-10 | 2013-05-21 | (주)쎄미시스코 | 기판 검사장치 |
JP6453780B2 (ja) | 2013-03-12 | 2019-01-16 | マイクロニック アーベーMycronic Ab | 機械的に形成されるアライメント基準体の方法及び装置 |
WO2014140047A2 (en) | 2013-03-12 | 2014-09-18 | Micronic Mydata AB | Method and device for writing photomasks with reduced mura errors |
KR102242559B1 (ko) | 2014-12-01 | 2021-04-20 | 삼성전자주식회사 | 광학 검사 장치 |
CN104914133B (zh) * | 2015-06-19 | 2017-12-22 | 合肥京东方光电科技有限公司 | 摩擦缺陷检测装置 |
CN105549240B (zh) * | 2016-03-11 | 2018-09-21 | 京东方科技集团股份有限公司 | 液晶显示器件的水波纹等级的测量方法和装置 |
US10446423B2 (en) * | 2016-11-19 | 2019-10-15 | Applied Materials, Inc. | Next generation warpage measurement system |
KR101937187B1 (ko) * | 2017-05-11 | 2019-01-14 | 주식회사 에이치비테크놀러지 | 필름표면의 불량 검출 장치 |
US10983430B2 (en) | 2018-02-22 | 2021-04-20 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Mask assembly and haze acceleration method |
KR102580487B1 (ko) * | 2018-06-18 | 2023-09-21 | 주식회사 케이씨텍 | 패드 모니터링 장치 및 이를 포함하는 패드 모니터링 시스템, 패드 모니터링 방법 |
CN109814328B (zh) * | 2019-03-28 | 2022-06-10 | 京东方科技集团股份有限公司 | 虚拟掩膜板、掩膜板及其制作方法 |
CN109916657A (zh) * | 2019-04-25 | 2019-06-21 | 天津益三友色母料有限公司 | 色母料取样检测装置 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4886975A (en) * | 1986-02-14 | 1989-12-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Surface examining apparatus for detecting the presence of foreign particles on two or more surfaces |
JPH0480762A (ja) * | 1990-07-23 | 1992-03-13 | Canon Inc | 位置検出装置及びその検出方法 |
KR100203530B1 (ko) | 1994-09-16 | 1999-06-15 | 니시무로 타이죠 | 결함검사장치 |
US5790247A (en) * | 1995-10-06 | 1998-08-04 | Photon Dynamics, Inc. | Technique for determining defect positions in three dimensions in a transparent structure |
JP3921554B2 (ja) * | 1997-01-20 | 2007-05-30 | 積水化学工業株式会社 | 折り畳みコンテナ |
JPH10300447A (ja) | 1997-04-23 | 1998-11-13 | K L Ee Akurotetsuku:Kk | 表面パターンむら検出方法及び装置 |
US6482557B1 (en) * | 2000-03-24 | 2002-11-19 | Dupont Photomasks, Inc. | Method and apparatus for evaluating the runability of a photomask inspection tool |
US6919957B2 (en) * | 2000-09-20 | 2005-07-19 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for determining a critical dimension, a presence of defects, and a thin film characteristic of a specimen |
JP3615181B2 (ja) * | 2001-11-06 | 2005-01-26 | 株式会社東芝 | 露光装置の検査方法、焦点位置を補正する露光方法、および半導体装置の製造方法 |
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Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007333590A (ja) * | 2006-06-15 | 2007-12-27 | Hoya Corp | パターン欠陥検査方法、パターン欠陥検査用テストパターン基板、及びパターン欠陥検査装置、並びにフォトマスクの製造方法、及び表示デバイス用基板の製造方法 |
JP2008170371A (ja) * | 2007-01-15 | 2008-07-24 | Hoya Corp | パターン欠陥検査方法、及びパターン欠陥検査装置 |
KR100902877B1 (ko) | 2007-11-15 | 2009-06-16 | (주)티이에스 | 반도체 제조용 마스크의 크롬면 감지장치 |
CN103969853A (zh) * | 2013-02-05 | 2014-08-06 | 北京京东方光电科技有限公司 | 阵列基板及其检测方法和检测装置 |
WO2014121555A1 (zh) * | 2013-02-05 | 2014-08-14 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其检测方法和检测装置 |
JP2014170044A (ja) * | 2013-03-01 | 2014-09-18 | Lasertec Corp | マスク評価装置 |
JP2017053792A (ja) * | 2015-09-11 | 2017-03-16 | 株式会社東芝 | 欠陥検査方法及び欠陥検査装置 |
CN105628344A (zh) * | 2016-01-29 | 2016-06-01 | 深圳英伦科技有限公司 | 背光模组及其透光均匀性检测系统及其led混珠搭配方法 |
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