JP2006161158A - 金属−セラミックス接合基板の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】セラミックス基板10の少なくとも一方の面にAlまたはAl合金からなる金属板12を接合して回路パターンを形成した後、 金属板12の表面の所定の部分に無電解Ni合金めっき18を施す、金属−セラミックス接合基板の製造方法において、金属板の表面全体にめっきを施した後に、めっきが必要な部分にレジスト20を塗布し、酸性エッチング液によりレジスト20が付着していない部分のめっきを除去する。
【選択図】図3
Description
めっきマスク材として有機溶剤剥離タイプのレジストを使用し、亜鉛置換法またはパラジウム活性法により部分的に無電解ニッケル合金めっきを行い、その後、有機溶剤によりレジストを剥離する。このタイプのレジストは、強アルカリおよび強酸のいずれにも耐性が高いため、めっき工程の薬液として、有機溶剤以外は殆ど制約なく使用できる。したがって、亜鉛置換法およびパラジウム活性法のいずれの前処理方法も採ることが可能であり、無電解ニッケル合金めっき液に対しても問題ない。レジストの剥離には、有機溶剤としてトリクレンやパークレンを用いるのが一般的である。
亜鉛置換法またはパラジウム活性法で前処理を行い、金属板の表面の全面に無電解ニッケル合金めっきを施す。その後、例えば、アルカリ除去タイプのレジストをニッケルめっきが必要な部分に付着させ、塩化鉄溶液などにより不要な部分のニッケルめっきを溶解し、最後に、アルカリ薬液として水酸化ナトリウムなどを使用してレジストを剥離する。
アルカリ剥離タイプのレジストを付着させ、めっきの前処理液としての脱脂液、化学研磨液、活性化液を全て酸性の液とするパラジウム活性法により、無電解ニッケル合金めっきを行った後、アルカリ薬液である水酸化ナトリウムなどを使用してレジストを剥離する。
図1に示すように、セラミックス基板10として窒化アルミニウム(AlN)基板を用意し(図1(a))、溶湯接合法により純アルミニウム12をAlN基板に接合した(図1(b))後、アルカリ除去タイプのレジスト14を回路パターン形状に印刷し(図1(c))、塩化鉄溶液により不要部分をエッチング除去して(図1(d))、回路を形成した(図1(e))。
ワイヤボンディング性については、超音波ワイヤボンダ(超音波工業製のUSW−20ZDE60S−C)により、荷重440g、時間0.5秒および出力7.0の超音波条件で、直径0.3mmのアルミニウムワイヤをニッケルめっき表面にループ状に接合させた後、そのループの頂部を引っ張り、アルミニウムワイヤが切れた時の荷重を測定した。その結果、本実施例では、全てのサンプルが500g以上の強さを有し、十分な強さであった。
図3に示すように、セラミックス基板10としてAlN基板およびアルミナ基板の2種類の基板を用意し、実施例1と同じ方法で回路形成までの工程を行い、実施例1と同様の亜鉛置換およびパラジウム活性の前処理により、金属の全面にそれぞれ無電解Ni−Pめっきを行った(図3(a))。その後、スクリーン印刷により、ニッケルめっきが必要な所定の部分のみにアルカリ剥離タイプのレジスト20を塗布した(図3(b))後、硝酸と硫酸の混酸により不要なニッケルめっきを除去して、下地のアルミニウムの表面を露出させ、部分的にNi−Pめっきが施される状態にした(図3(c))。その後、レジスト20をアルカリ(NaOH)で剥離した後、実施例1と同じ方法により、それぞれのサンプルを得た(図3(d))。
図4に示すように、セラミックス基板10としてAlN基板およびアルミナ基板の2種類の基板を用意し、実施例1と同じ方法で回路形成までの工程を行った。
セラミックス基板10としてAlN基板を使用し、溶湯接合法によりAl−0.5%Si合金をAlN基板に接合した以外は、実施例3と同じ方法によりサンプルを作製し、実施例1と同様の評価を行った。
セラミックス基板10としてAlN基板を使用し、Al−Si系ろう材により純アルミニウムをAlN基板に接合した以外は、実施例3と同様の方法によりサンプルを作製し、実施例1と同様の評価を行った。
セラミックス基板10としてAlN基板を使用し、Al−Si系ろう材によりJIS6061相当のAl−Mg−Si合金をAlN基板を接合した以外は、実施例3と同様の方法によりサンプルを作製し、実施例1と同様の評価を行った。
亜鉛置換法の前処理を行った以外は、実施例3と同様の方法により無電解Ni−Pめっきを試みたが、硝酸による化学研磨工程において、レジストが全て剥離し、部分的にめっきすることができなかった。
市販のアルカリ系脱脂液を使用した以外は、実施例3と同様の方法により無電解Ni−Pめっきを試みたが、レジストが剥離し、部分的にめっきすることができなかった。
比較例2と同様のアルカリ系脱脂液を酸で中和して中性にした以外は、実施例3と同様の方法によりサンプルを作製し、実施例1と同様の評価を行った。
12 アルミニウム
14 アルカリ除去タイプのレジスト
16 溶剤剥離タイプのレジスト
18 無電解Ni−Pめっき
20 アルカリ剥離タイプのレジスト
Claims (6)
- セラミックス基板の少なくとも一方の面にアルミニウムまたはアルミニウム合金からなる金属板を接合して回路パターンを形成した後、 金属板の表面の所定の部分に無電解ニッケル合金めっきを施す、金属−セラミックス接合基板の製造方法において、無電解ニッケル合金めっきを施す前に、金属板の表面全体に対して、亜鉛置換法またはパラジウム活性法による前処理を行い、無電解ニッケル合金めっきを施し、その後、所定形状のレジストをニッケル合金めっきの表面に付着させ、酸性薬液によりレジストが付着していない部分のニッケル合金めっきをエッチング除去した後、レジストを剥離することを特徴とする、金属−セラミックス接合基板の製造方法。
- 前記レジストがアルカリ剥離タイプまたは有機溶剤剥離タイプのレジストであり、このレジストをアルカリ溶液または有機溶剤により剥離することを特徴とする、請求項1に記載の金属−セラミックス接合基板の製造方法。
- 前記セラミックス基板の主成分が、アルミナ、窒化アルミニウムまたは窒化硅素であることを特徴とする、請求項1または2に記載の金属−セラミックス接合基板の製造方法。
- 前記アルミニウム合金が、アルミニウム−シリコン系合金、アルミニウム−マグネシウム系合金またはアルミニウム−マグネシウム−シリコン系合金であることを特徴とする、請求項1乃至3のいずれかに記載の金属−セラミックス接合基板の製造方法。
- 前記金属板のセラミックス基板への接合が、溶湯接合法またはろう材接合法によって行われることを特徴とする、請求項1乃至4のいずれかに記載の金属−セラミックス接合基板の製造方法。
- 前記パラジウム活性法による前処理工程において使用する脱脂液および化学研磨液が、酸性で且つ硝酸を含まないことを特徴とする、請求項1乃至5のいずれかに記載の金属−セラミックス接合基板の記載の製造方法。
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