JP2006148439A - 撮像装置 - Google Patents

Abstract

【課題】本発明は、誤補正を防止し適切な欠陥補正を行うことが可能な撮像装置を提供することを目的とする。
【解決手段】ＣＣＤ１６を有する撮像部と、撮像部から出力された画像信号を処理する信号処理部２と、信号処理部２で処理された画像信号に対して画像処理を行う画像処理部３と、ＣＣＤ１６の垂直転送ライン上の欠陥箇所から延びるライン性の不良であるＶライン傷について、その位置とレベルとを所定の検出基準に基づいて検出するＶライン傷検出部５２と、Ｖライン傷検出部による検出結果が、真のＶライン傷を示しているかどうかの確度を、所定の判定基準に基づいて判定する確度判定部５５と、確度判定部５５の判定に基づいて補正条件を選択し、Ｖライン傷の補正を行うＶライン傷補正部５３とを備える。
【選択図】図２

Description

本発明は、撮像装置に係る発明であって、特に、ＣＣＤの欠陥を補正する機能を持つ撮像装置に関するものである。

撮像装置に用いられるＣＣＤ（Charge Coupled Devices）は、撮像装置の小型化、高性能化に伴って小サイズ化、高画素化している。このＣＣＤの小サイズ化、高画素化に伴い、ＣＣＤに画素欠陥が増え、撮影画像に与える影響があった。そこで、特許文献１では、画素欠陥の番地を事前に記録しておき、画素欠陥の位置を特定し補正する技術が開示されている。さらに、特許文献２では、色分離（インターポレーション）において画素欠陥、並びに、その近傍の画素を補間する場合に、画素欠陥を考慮した色分離方法が開示されている。

特開平０７−１６２７５７号公報 特開２０００−２９９８７２号公報

しかし、ＣＣＤの小サイズ化、高画素化がさらに進むことによって、画素間のピッチはさらに狭まり画素だけに限らず垂直転送ライン上にも欠陥が発生しやすくなってきている。この垂直転送ライン上の欠陥は、欠陥箇所に起因して画像上で生じるライン性の傷（「Ｖライン傷」と称する）となるため、撮影画像に与える影響は画素欠陥の場合より大きくなる。さらに、このＶライン傷は、ＣＣＤの温度によって欠陥のレベル変化する温度依存性もある。そのため、従来より開示されている補正では、誤補正が多く、十分対応できない問題があった。

そこで、本発明は、垂直転送ライン上の欠陥に対して補正行う撮像装置であって、誤補正を防止し適切な欠陥補正を行うことが可能な撮像装置を提供することを目的とする。

上記の課題を解決するため、請求項１の発明は、ＣＣＤを有する撮像部と、撮像部から出力された画像信号を処理する信号処理部と、信号処理部で処理された画像信号に対して画像処理を行う画像処理部と、ＣＣＤの垂直転送ライン上の欠陥箇所から延びるライン性の不良であるＶライン傷について、その位置とレベルとを所定の検出基準に基づいて検出するＶライン傷検出部と、Ｖライン傷検出部による検出結果が、真のＶライン傷を示しているかどうかの確度を、所定の判定基準に基づいて判定する確度判定部と、確度判定部の判定に基づいて補正条件を選択し、Ｖライン傷の補正を行うＶライン傷補正部とを備える。

また、請求項２の発明は、請求項１に記載の撮像装置であって、所定の判定基準となるＶライン傷の基準位置及び基準レベルを記憶するＶライン傷記憶部をさらに備え、確度判定部は、Ｖライン傷検出部で検出されたＶライン傷の位置及びレベルを、Ｖライン傷記憶部に記憶されている基準位置及び基準レベルと比較して確度を判定する。

また、請求項３の発明は、請求項２に記載の撮像装置であって、確度判定部は、Ｖライン傷検出部で検出されたＶライン傷の位置が基準位置と一致せず、且つＶライン傷のレベルが基準レベルより大きい場合に、検出されたＶライン傷の位置及びレベルの確度を判定する。

また、請求項４の発明は、請求項２に記載の撮像装置であって、確度判定部は、Ｖライン傷検出部で検出されたＶライン傷の位置が基準位置と一致しない場合、Ｖライン傷検出部に再検出を行わせる。

また、請求項５の発明は、請求項１乃至請求項４のいずれか１つに記載の撮像装置であって、撮像部の状態を検出する状態検出部をさらに備え、Ｖライン傷補正部は、状態検出部の検出された状態より、レベルの検出データがオーバーフローするかを判定するオーバーフロー判定を行う。

また、請求項６の発明は、請求項５に記載の撮像装置であって、撮像部の状態を示す指標として、撮像部の温度が用いられており、状態検出部は、温度を測定または推定する手段としてタイマー及び温度計のうち少なくとも一つを備える。

また、請求項７の発明は、請求項５又は請求項６に記載の撮像装置であって、Ｖライン傷補正部は、オーバーフロー判定に基づき、補正方法を選択する。

また、請求項８の発明は、請求項１乃至請求項４のいずれか１つに記載の撮像装置であって、Ｖライン傷検出部は、垂直転送ラインを所定期間停止させて、Ｖライン傷の位置及びレベルの検出を行い、Ｖライン傷検出部は、レベルの検出データがオーバーフローしていると判断した場合、垂直転送ラインを停止する所定期間を短縮して、Ｖライン傷のレベルを再度検出する。

請求項１に記載の撮像装置は、確度判定部で、Ｖライン傷検出部による検出結果が、真のＶライン傷を示しているかどうかの確度を、所定の判定基準に基づいて判定するので、誤補正を防止することができ、最適なＶライン傷補正を行うことができる効果がある。

請求項２に記載の撮像装置は、Ｖライン傷記憶部に記憶されている基準位置及び基準レベルと比較して確度を判定するので、工場出荷時等の基準に基づいてＶライン傷の出方を再確認でき、最適なＶライン傷補正を行うことができる効果がある。

請求項３に記載の撮像装置は、検出された位置が基準位置と一致せず、且つＶライン傷のレベルが基準レベルより大きい場合に、検出された位置及びレベルの確度を判定するので、誤補正を防ぎ最適なＶライン傷補正を行うことができる効果がある。

請求項４に記載の撮像装置は、位置が基準位置と一致しない場合、Ｖライン傷検出部に再検出を行わせるので、検出される傷レベルの精度が上がり、誤補正を防ぎ最適なＶライン傷補正を行うことができる効果がある。

請求項５に記載の撮像装置は、検出された状態をに基づいて検出データのオーバーフローを判定することができるため、最適なＶライン傷補正を行うことができる効果がある。

請求項６に記載の撮像装置は、状態を示す指標として、撮像部の温度及び動作時間による温度予測を用いているので、検出データのオーバーフローを予測し、検出データのオーバーフローを回避することができる。

請求項７に記載の撮像装置は、オーバーフロー判定に基づいて補正方法を選択するので、検出データのオーバーフローを回避し、最適なＶライン傷補正を行うことができる効果がある。

請求項８に記載の撮像装置は、検出データがオーバーフローしていると判断した場合、垂直転送ラインを停止する所定期間を短縮するので、検出データのオーバーフローを解消し、最適なＶライン傷補正を行うことができる効果がある。

（実施の形態１）
＜撮像装置の要部構成＞
図１は、本発明の実施形態に係る撮像装置１の要部構成を示す図である。ここで、図１（ａ）〜（ｃ）は、それぞれ撮像装置１の正面図、背面図及び上面図に相当している。

撮像装置１は、デジタルカメラとして構成されており、撮影レンズ１０を備えている。

撮像装置１は、その上面にモード切替スイッチ１２とシャッターボタン１３とが設けられている。

モード切替スイッチ１２は、被写体を撮像してその静止画を記録する静止画撮影モード（ＲＥＣモード）と、動画撮影を行う動画モード（ＭＯＶＥモード）と、メモリーカード９（図２参照）に記録された画像を再生する再生モード（ＰＬＡＹモード）とを切替えるためのスイッチである。

シャッターボタン１３は、半押し状態（Ｓ１オン）と、さらに押し込まれた全押し状態（Ｓ２オン）とを検出可能な２段階スイッチになっている。上記の静止画撮影モードにおいてシャッターボタン１３が半押しされると、ズーム・フォーカスモータドライバー４７（図２参照）が駆動されて、合焦位置に撮影レンズ１０を移動させる動作が行われる。一方、静止画撮影モードにおいてシャッターボタン１３が全押しされると、本撮影動作、つまり記録用の撮影動作が行われる。

撮像装置１の背面には、撮影された画像などを表示するＬＣＤ（Liquid Crystal Display）モニタ４２と、電子ビューファインダー（ＥＶＦ）４３と、コマ送り・ズームスイッチ１５とが設けられている。

コマ送り・ズームスイッチ１５は、４つのボタンで構成され、再生モードにおける記録画像のコマ送りや、撮影時のズーミングを指示するためのスイッチである。このコマ送り・ズームスイッチ１５の操作により、図２のズーム・フォーカスモータドライバー４７が駆動されて、撮影レンズ１０に関する焦点距離を変更できる。

図２は、撮像装置１の機能ブロックを示す図である。

撮像装置１は、撮像センサ１６と、撮像センサ１６にデータ伝送可能に接続する信号処理部２と、信号処理部２に接続する画像処理部３と、画像処理部３に接続するカメラ制御部４０とを備えている。

撮像センサ１６は、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の原色透過フィルターがピクセル単位に市松状に配列（ベイヤー配列）されたエリアセンサ（撮像素子）として構成されており、全画素読み出しタイプである。この撮像センサ１６の温度については、撮像装置１の筐体内の温度を測定する温度センサー４９により検出が可能となっている。

撮像センサ１６において露光によって電荷の蓄積が完了すると、光電変換された電荷信号は、遮光された撮像センサ１６内の垂直・水平転送路へとシフトされ、ここからバッファを介し画像信号として出力される。

信号処理部２は、ＣＤＳ２１とＡＧＣ２２とＡ／Ｄ変換部２３とを有しており、いわゆるアナログフロントエンドとして機能する。

撮像センサ１６から出力されたアナログ画像信号は、ＣＤＳ２１でサンプリングされノイズが除去された後、ＡＧＣ２２により撮影感度に相当するアナログゲインが乗算されて感度補正が行われる。

Ａ／Ｄ変換部２３は、１４ビットの変換器として構成されており、ＡＧＣ２２で正規化されたアナログ信号をデジタル化する。デジタル変換された画像信号は、画像処理部３で所定の画像処理が施されて画像ファイルが生成される。

画像処理部３は、点欠陥補正部５１とＶライン傷検出部５２とＶライン傷補正部５３とを備えている。また、画像処理部３は、デジタル処理部３ｐと画像圧縮部３６とビデオエンコーダー３８とメモリカードドライバー３９とを備えている。

画像処理部３に入力された画像データについては、まず点欠陥補正部５１において予め記憶されている点欠陥アドレスに基づき欠陥が存在する画素データが補正データに置換される。そして、Ｖライン傷検出部５２及びＶライン傷補正部５３において、撮像センサ１６の垂直転送ライン（垂直ＣＣＤ）の欠陥箇所に起因して画像上で生じるライン性の傷（以下では、「Ｖライン傷」と称する）を検知して補正する（後で詳述）。なお、Ｖライン傷検出部５２で検出された傷のアドレスは、傷アドレスメモリ５４に格納されることとなる。

デジタル処理部３ｐは、画素補間部３１とホワイトバランス制御部３２とガンマ補正部３３と輪郭強調部３４と解像度変換部３５とを有している。

デジタル処理部３ｐに入力される画像データは、撮像センサ１６の読み出しに同期し画像メモリー４１に書込まれる。以後は、この画像メモリー４１に格納された画像データにアクセスし、デジタル処理部３ｐで各種の処理が行われる。

画像メモリー４１内の画像データは、まずホワイトバランス制御部３２によりＲＧＢ各画素が独立にゲイン補正され、ＲＧＢのホワイトバランス補正が行われる。このホワイトバランス補正では、撮影被写体から本来白色となる部分を輝度や彩度データ等から推測し、その部分のＲ、Ｇ、Ｂそれぞれの平均値とＧ／Ｒ比及びＧ／Ｂ比とを求め、これらの情報に基づいてＲ及びＢの補正ゲインとして制御される。

ホワイトバランス補正された画像データは、画素補間部３１でＲＧＢ各画素をそれぞれのフィルターパターンでマスキングした後、高帯域まで画素値を有するＧ画素については、注目画素に対する周辺１２画素のコントラストパターンに基づき画素値の空間的な変化を推定し、周囲４画素のデータに基づき被写体のパターンに最適な画素値を算出して割り当てる。一方、Ｒ画素及びＢ画素に関しては、周囲の８画素の同色画素値に基づいて補間する。

画素補間された画像データは、ガンマ補正部３３で各出力機器に合った非線形変換、具体的にはガンマ補正及びオフセット調整が行われ、画像メモリー４１に格納される。

輪郭強調部３４は、画像データに応じたハイパスフィルターによって輪郭を際立たせるエッジ強調処理を行う。

そして、画像メモリー４１に格納された画像データは、解像度変換部３５で設定された画素数に水平垂直の縮小又は間引きが行われ、画像圧縮部３６で圧縮処理を行った後、メモリカードドライバー３９にセットされるメモリーカード９に記録される。この画像記録時には、指定された解像度の撮影画像が記録される。また、解像度変換部３５では、画像表示時についても画素間引きを行って、ＬＣＤモニタ４２やＥＶＦ４３に表示するための低解像度画像を作成する。プレビュー時には、画像メモリー４１から読み出された６４０×２４０画素の低解像度画像がビデオエンコーダー３８でＮＴＳＣ／ＰＡＬにエンコードされ、これをフィールド画像としてＬＣＤモニタ４２やＥＶＦ４３で画像再生が行われる。

カメラ制御部４０は、ＣＰＵ及びメモリを備え、撮像装置１の各部を統括的に制御する部位である。具体的には、上記のモード切替スイッチ１２やシャッターボタン１３などを有するカメラ操作スイッチ５０に対して撮影者が行う操作入力を処理する。また、カメラ制御部４０は、撮影者によるモード設定スイッチ１２の操作により、被写体を撮像してその画像データを記録する静止画撮影モードや動画モード、再生モードへの切替えを行う。

撮像装置１は、本撮影前の撮影準備状態において被写体を動画的態様でＬＣＤモニタ４２に表示するプレビュー表示（ライブビュー表示）時には、絞り４４の光学絞りが絞りドライバー４５によって開放固定となる。また、シャッタースピード（ＳＳ）に相当する撮像センサ１６の電荷蓄積時間（露光時間）に関しては、撮像センサ１６で取得したライブビュー画像に基づき、カメラ制御部４０が露出制御データを演算する。そして、算出された露出制御データに基づいて予め設定されたプログラム線図により、撮像センサ１６の露光時間が適正となるようにタイミングジェネレーターセンサードライバー４６に対するフィードバック制御が行われる。

そして、本撮影時では、ライブビュー時に測光された光量データに基づいて予め設定されたプログラム線図によって絞りドライバー４５とタイミングジェネレーターセンサードライバー４６とで撮像センサ１６への露光量が制御される。

以上の構成を有する撮像装置については、撮像センサ１６で取得された画像データにおいてＶライン傷の検出・補正を行えるが、これらについて以下で説明する。

＜Ｖライン傷の検出について＞
図３は、撮像センサ１６の構成を示す図である。

撮像センサ１６においては、各フォトダイオード１６１で光電変換され蓄積された電荷が各垂直転送ライン毎に設けられた垂直ＣＣＤ（以下では「ＶＣＣＤ」ともいう）１６２に読み出され、１水平期間の周期で最下段の水平ＣＣＤ１６３に転送される。そして、水平ＣＣＤ１６３に転送された電荷は、画素クロックに基づき読み出されることで水平画素方向の読み出しが行われる。

このような撮像センサ１６の動作により、２次元的に配列されたフォトダイオード１６１で取得した２次元画像に対して水平ライン毎にスキャン読み出しが行われることとなる。

ここで、フォトダイオード１６１に欠陥がある場合には、この欠陥によって発生する電荷が信号電荷に加算されるため、撮影画像において点欠陥として再現されることとなる。この点欠陥については、点欠陥補正部５１において、欠陥に起因して発生する電荷に相当する画素レベルが減算される補正が行われる。

一方、垂直転送ラインの一部に同様の欠陥箇所（傷）Ｆｐが存在する場合には、欠陥箇所Ｆｐに電荷が読み出されるフォトダイオードとＸ方向のアドレスが等しいフォトダイオードからの電荷は、欠陥箇所Ｆｐが存在する垂直ＣＣＤ１６ｆを通って撮像センサ１６から出力されることとなる。このため、欠陥箇所Ｆｐに対して電荷転送方向Ｈａの上流から転送される信号電荷群Ｆａに電荷が加算されることとなり、図４に示すように撮影画像Ｇ１おいて明度の高いライン性の傷（Ｖライン傷）Ｇａとして再現される。

上述した点欠陥の場合には撮影画像に与える劣化要因は少ないものの、図４に示すようなＶライン傷Ｇａの場合には画質に対する影響が非常に大きくなるため、その検出が重要となるが、以下では、この検出方法を説明する。

図５及び図６は、Ｖライン傷の検出原理を説明するための図である。

Ｖライン傷Ｇａ（図４）については、上述したように図３に示す垂直ＣＣＤ１６２の欠陥箇所Ｆｐを通って読み出される信号画素群Ｆａに起因して画像上で生じるライン性の明度傷として発生する。

そこで、図５に示すように垂直ＣＣＤ１６２の転送を一定期間（例えば２００水平期間）停止することにより欠陥箇所Ｆｐで発生する電荷量を増大させた後に、フォトダイオードからの電荷をＶＣＣＤに転送することなく画像読み出しを行うこととする。これにより、垂直ＣＣＤ１６２上の欠陥箇所Ｆｐに信号電荷が読み出されるフォトダイオードＤｐの画素データを強調して撮像センサ１６から出力できることとなる。

このように欠陥箇所Ｆｐが強調され撮像センサ１６から出力された画像Ｇ２では、図６に示すように、Ｖライン傷Ｇａのうち欠陥箇所Ｆｐに電荷が読み出されるフォトダイオードＤｐ（図５）の位置に対応したＢ画素Ｇｐの画素レベルが垂直ＣＣＤ１６２の転送停止期間に正比例して強調されることとなる。

以上のような画像Ｇ２が読み出された後に、画像Ｇ２から明度の高い輝点となる画素Ｇｐのアドレスを検出することで、Ｖライン傷の下端に対応する欠陥箇所の位置（アドレス）を検知できることとなる。以下では、撮像装置１によるＶライン傷の検出について具体的に説明する。

図７は、撮像装置１におけるＶライン傷の検出動作を示すフローチャートである。

まず、シャッターに相当する絞り４４を閉じた（ステップＳＴ１）後に、ＶＣＣＤ１６２において電荷の高速はき出しが設定される（ステップＳＴ２）。

ステップＳＴ３では、上述したように、ＶＣＤＤ１６２での転送を２００水平転送期間停止する。これにより、ＶＣＣＤ１６２の欠陥箇所で電荷が増幅されることとなる。

ステップＳＴ４では、撮像センサ１６からフォトダイオードからの電荷をＶＣＣＤに転送することなく画素データを順次に読み出す。

ステップＳＴ５では、ステップＳＴ４で読み出されたレベルを１／２００倍で正規化した画素レベルが、予め定められた傷レベルリファレンス（閾値）Ｖｒｅｆより大きいかを判定する。ここで、傷レベルリファレンスＶｒｅｆより大きい場合には、ステップＳＴ６に進み、傷レベルリファレンスＶｒｅｆ以下の場合には、ステップＳＴ７に進む。

ステップＳＴ６では、傷レベルリファレンスＶｒｅｆより大きい欠陥画素（傷）に関して画像上のアドレス（Ｈ，Ｖ）を、傷アドレスメモリ５４に登録する。この際には、傷レベル（画素値）も登録する。

ステップＳＴ７では、撮像センサ１６からの画像読み出しが完了したかを判定する。ここで、画像読み出しが完了した場合には、ステップＳＴ８に進み、未完の場合には、ステップＳＴ４に戻る。

ステップＳＴ８では、傷アドレスメモリ５４に格納されている傷のアドレスを並び替える。この場合には、例えば傷レベルの大きい順に、つまり昇順に傷アドレスの順番が変更される。

ステップＳＴ９では、ステップＳＴ８で並び替えられた傷アドレスに基づき、傷レベルが上位４０位以内に入る傷アドレスと傷レベルとを、傷アドレスメモリ５４に再登録する。この傷レベルについては、２００水平転送期間停止して得られた画素データに関して１／２００倍で正規化したレベルが登録されることとなる。

以上のような撮像装置１の動作により、Ｖライン傷の検出を適切に行えることとなるが、この検出動作は、例えば撮像装置１の工場出荷前に管理された所定の温度にて行われ、工場出荷時には、傷アドレスメモリ５４に必要な情報がデフォルトのデータとして格納されている状態にする。

なお、上記のステップＳＴ８の動作については、Ｖライン傷の傷レベルに基づき並べ替えるだけでなく、Ｖライン傷の範囲も考慮して並べ替えるようにしても良い。例えば、（傷レベル）×（Ｖライン傷の範囲）から得られる情報に基づき、並べ替えを行う。これにより、画像全体に与える各Ｖライン傷の影響を考慮した並べ替えが可能となる。

撮像センサ１６のＶライン傷は、温度依存性を有しているが、この特性について、以下で説明する。

図８は、撮像センサ１６におけるＶライン傷の温度依存性を説明するための図である。図８（ａ）〜（ｃ）は、常温時（例えば２０度）、３０度及び４０度の高温時における撮像センサ１６の状態の一例と、撮像センサ１６から出力された画像Ｇｔとを表している。

常温時の撮像センサ１６においては、図８（ａ）に示すように傷として認識される垂直ＣＣＤの欠陥箇所は１箇所Ｆｐ１のみであり、撮像センサ１６から出力される画像Ｇｔで生じるＶライン傷も１本Ｇａ１だけとなる。

３０度の高温時の撮像センサ１６においては、常温時に比べて顕在化されるＶライン傷の箇所が温度に依存して１つ増加する。すなわち、図８（ｂ）に示すように傷として認識される垂直ＣＣＤの欠陥箇所は２箇所Ｆｐ１、Ｆｐ２となり、撮像センサ１６から出力される画像ＧｔにおけるＶライン傷も２本Ｇａ１、Ｇａ２となる。

４０度の高温時の撮像センサ１６においては、３０度の高温時に比べて顕在化されるＶライン傷が温度に依存してさらに１つ増加する。すなわち、図８（ｃ）に示すように傷として認識される垂直ＣＣＤの欠陥箇所は３箇所Ｆｐ１〜Ｆｐ３となり、撮像センサ１６から出力される画像ＧｔにおけるＶライン傷が３本Ｇａ１〜Ｇａ３となる。

このように撮像センサ１６においては、Ｖライン傷が温度依存性を有しているため、上述したＶライン傷の検出は、温度毎に検出することが好ましい。

＜Ｖライン傷の補正について＞
撮像装置１のＶライン傷補正部５３においては、検出されたＶライン傷に対して（１）オフセットによる補正と、（２）画素補間による補正とを選択的に行えるようになっている。これら２種類の補正方法について以下で説明する。

（１）オフセットによる補正
図９は、オフセットによるＶライン傷の補正を説明するための図である。

オフセットによるＶライン傷の補正では、まず撮像センサ１６から出力された画像Ｇ３においてＶライン傷Ｇａに起因するオフセット成分Ｌｏを検出する。そして、このオフセット成分Ｌｏを画像Ｇ３におけるＶライン傷Ｇａの画素レベルから減算することで、画像ノイズとしての傷が消去された補正画像Ｇ４を生成する。

このようなオフセットによる補正方法では、上述のように撮像装置１の工場出荷時に傷アドレスメモリ５４に格納されるデフォルトのＶライン傷データに基づき傷レベル（オフセット成分Ｌｏ）を推定して補正しても良いが、温度依存性が大きいＶライン傷の特性を考慮すると、撮影時にリアルタイムでオフセット量（補正量）を求めるのが好ましい。このオフセット量の検出方法について説明する。

撮像センサ１６は、図１０に示すように黒レベルを検出するためのオプチカル・ブラック部（以下「ＯＢ部」という）１６ｂａ、１６ｂｂを有している。ここで、各ＯＢ部から垂直ＣＣＤ１６２に読み出された電荷は、下段のＯＢ部１６ｂａの方が先に水平ＣＣＤ１６３に転送され、上段のＯＢ部１６ｂｂの方が後で転送されることとなる。以下では、垂直ＣＣＤ１６２に２つの欠陥箇所Ｆｐ１、Ｆｐ２が存在するケースについてのオフセット量の検出を説明する。

図１１に示すように撮像センサ１６から出力された画像Ｇ５においては、上段のＯＢ部１６ｂｂから読み出され垂直ＣＣＤ１６２の欠陥箇所Ｆｐ１を通過してその影響を受けた画素Ｇｂ２は、下段のＯＢ部１６ｂａから読み出され欠陥箇所Ｆｐ１を通過せずその影響を受けていない画素Ｇｂ１より上記のオフセット量だけ画素レベルが大きくなっている。同様に、上段のＯＢ部１６ｂｂから読み出され垂直ＣＣＤ１６２の欠陥箇所Ｆｐ２を通過した画素Ｇｂ４は、欠陥箇所Ｆｐ２を通過しない画素Ｇｂ３より上記のオフセット量だけ画素レベルが増加している。

したがって、図１１に示すＶライン傷Ｇａ１の傷レベル（オフセット量）は、画素Ｇｂ２のレベルから画素Ｇｂ１のレベルを減算することにより得られ、Ｖライン傷Ｇａ２のオフセット量は、画素Ｇｂ４のレベルから画素Ｇｂ３のレベルを減算することにより得られることとなる。

次に、撮像装置１における上記のオフセット量（傷レベル）の検出動作について説明する。

図１２は、撮像装置１におけるＶライン傷の傷レベルの検出動作を示すフローチャートである。

ステップＳＴ１１では、レリーズして露光を行う。すなわち、撮影者によりシャッターボタン１３が全押し（Ｓ２オン）されて、被写体を撮影する動作が行われる。

ステップＳＴ１２では、撮像センサ１６から画素データを順次に読み出す。

ステップＳＴ１３では、ステップＳＴ１２で撮像センサ１６から読み出された画素データをキャプチャーする処理を行う。

ステップＳＴ１４では、ステップＳＴ１２で読み出された画素のアドレスが、傷アドレスメモリ５４に登録されているＶライン傷のアドレスに該当するかを判定する。ここで、登録アドレスに該当する場合には、ステップＳＴ１５に進み、該当しない場合には、ステップＳＴ１８に進む。

ステップＳＴ１５では、ステップＳＴ１２で読み出された画素が転送された垂直ＣＣＤ１６２の両端にあるＯＢ部１６ｂａ、１６ｂｂ（図１０）の黒レベルを検出し、これらの黒レベルの差分を求めて、傷レベルを検出する。

ステップＳＴ１６では、ステップＳＴ１５で検出された傷レベルが、傷レベルリファレンスＶｒｅｆより大きいかを判定する。ここで、傷レベルリファレンスＶｒｅｆより大きい場合には、ステップＳＴ１７に進み、傷レベルリファレンスＶｒｅｆ以下の場合には、ステップＳＴ１８に進む。

ステップＳＴ１７では、ステップＳＴ１６において傷レベルリファレンスＶｒｅｆより大きい欠陥画素（傷）に関して画像上のアドレス（Ｈ，Ｖ）を、傷アドレスメモリ５４に登録する。この際には、傷レベルも登録する。

ステップＳＴ１８及びステップＳＴ１９では、図７に示すステップＳＴ７及びステップＳＴ８と同様の動作を行う。

ステップＳＴ２０では、ステップＳＴ１９で並び替えられた傷アドレスに基づき、傷レベルが上位２０位以内に入る傷アドレスと傷レベルとを、傷アドレスメモリ５４に再登録する。

以上のような撮像装置１の動作により、撮影中に傷レベルの検出が可能となり、オフセットによるＶライン傷の補正を適切に行えることとなる。

なお、予め決められた温度範囲内で工場出荷時等に検出されたＶライン傷の情報を傷アドレスメモリ５４に記録しておけば、この情報を利用してＶライン傷の補正を行えるため、より高速な補正処理が可能となる。

（２）画素補間による補正
図１３は、画素補間によるＶライン傷の補正を説明するための図である。

画素補間によるＶライン傷の補正では、Ｖライン傷の周辺に位置する画素ラインのデータに基づき置換データを作成し、この置換データでＶライン傷の画素データを置換する処理を行う。

例えば、画像Ｇ６において、Ｖライン傷Ｇａの左右に配置される同色の画素ラインＪ１、Ｊ２を検出し、これらの画素ラインＪ１、Ｊ２に関する画素レベルの平均値でＶライン傷Ｇａの画素データを置換する。これにより、傷が消去された補正画像Ｇ７が生成される。

このような画素補間による補正方法では、オフセットによるＶライン傷の補正に比べて精度が低くなるものの、Ｖライン傷の箇所（アドレス）が既知である場合には、傷レベルの検出が不要となる。そして、画素補間による補正方法においては、Ｖライン傷のオフセット値が温度特性を有する事に対する考慮が基本的に不要である。

＜傷レベル（オフセット量）検出の変形例＞
上記の実施形態における撮影時の傷レベル（オフセット量）検出については、工場出荷時に行う傷レベル検出（図７）に類似した方法により行っても良い。この検出方法について説明する。

図１４は、本発明の変形例に係る傷レベルの検出動作を示すフローチャートである。

ステップＳＰ１及びステップＳＰ２では、図１２に示すステップＳＴ１１及びステップＳＴ１３と同様の動作を行う。

ステップＳＰ３では、キャプチャー処理が完了したかを判定する。ここで、キャプチャー処理が完了した場合には、ステップＳＰ４に進み、完了していない場合には、ステップＳＰ２の動作を繰り返す。

ステップＳＰ４〜ＳＰ７では、図７に示すステップＳＴ１〜ＳＴ４と同様の動作を行う。

ステップＳＰ８では、図１２に示すステップＳＴ１４と同様の動作を行う。

ステップＳＰ９では、傷レベルの検出を行う。具体的には、２００水平転送期間停止して得られた画素データに関して１／２００倍で正規化したレベルを、傷レベルとして検出する。

ステップＳＰ１０〜ＳＰ１４では、図１２に示すステップＳＴ１６〜ＳＴ２０と同様の動作を行う。

以上のような動作によっても、撮影時においてＶライン傷の傷レベルを適切に検出できることとなる。

＜確度判定について＞
上記で述べたように、Ｖライン傷Ｇａの補正を行う場合、欠陥箇所の位置（傷アドレス）及び傷レベルを検出することが重要である。特に、オフセットによる補正を行う場合、傷レベルを正しく検出できなければ、Ｖライン傷Ｇａの補正を行っても撮影画像をさらに劣化させる可能性もある。そこで、本実施の形態に係る撮像装置１では、Ｖライン傷Ｇａについて傷アドレス及び傷レベルを検出した後に、その検出結果が真のＶライン傷Ｇａを示しているかどうかの確度を、所定の所定基準に基づいて判定する確度判定を行っている。

図１５は、本実施の形態に係る撮像装置１の機能ブロックを示す図である。図１５に示す機能ブロックは、基本的に図２に示した機能ブロックと同じであるが、確度判定部５５を設けている点が異なる。この確度判定部５５は、Ｖライン傷検出部５２において所定の検出基準に基づいて検出された傷アドレス及び傷レベルが、所定の判定基準に基づいて、真のＶライン傷Ｇａを示しているかどうかの確度を判定している。そして、Ｖライン傷補正部５３は、確度判定部５５の判定に基づいて補正条件（傷レベル（オフセット量）など）を選択し、Ｖライン傷の補正を行っている。

図１６は、確度判定部５５を備える撮像装置１におけるＶライン傷Ｇａの検出動作を示すフローチャートである。図１６に示すフローチャートでは、撮影時の傷アドレス（欠陥箇所の位置）及び傷レベル（オフセット量）の検出について、図１４のフローチャートに示す方法により行っている。つまり、ステップＳＲ１〜ＳＲ１１では、図１４に示すステップＳＰ４〜ＳＰ１４と同様の動作を行う。また、オフセット値を得る動作として図１２の動作も行っている。

次に、ステップＳＲ１２では、確度判定部５５において、撮影時に検出した傷アドレス（ステップＳＲ１１で再登録した傷レベル上位２０）と、傷アドレスメモリ５４に工場出荷時に登録されている傷アドレスのうち上位２０までの傷アドレス（以下、単に「登録されている上位傷アドレス」と称す）との比較を行っている。つまり、ステップＳＲ１２では、撮影時に検出した傷アドレスが、登録されている上位傷アドレスと一致するか否かを基準に確度判定を行っている。

そして、ステップＳＲ１３で、撮影時に検出した傷アドレスと登録されている上位傷アドレスとが一致した場合は検出結果が、真のＶライン傷Ｇａを示しているとの確度を有しているとしてステップＳＲ１４に進み、一致しなかった場合はステップＳＲ１５に進む。なお、撮影時に検出した傷アドレスは、登録されている上位傷アドレスと一致しない場合でも、傷アドレスメモリ５４に登録されている傷アドレスのうち上位２１から４０までの傷アドレス（以下、単に「登録されている下位傷アドレス」と称す）とは一致するものとする。

ステップＳＲ１４では、Ｖライン傷補正部５３において、撮影時に検出した傷レベルが真のＶライン傷Ｇａを示しているとして、撮影時に検出した傷レベルをオフセット量（補正条件）として選択して補正を行う。一方、ステップＳＲ１５では、検出エラー判定が開始される。まず、ステップＳＲ１６では、登録されている下位傷アドレスのうち、撮影時に検出した傷アドレスと一致するアドレスを求め、当該登録されている下位傷アドレスの傷レベル（以下、単に「登録されている傷レベル」と称す）と撮影時に検出した傷レベルとの大小比較が行われる。ここで、撮影時に検出した傷レベルが登録されている傷レベル以上であればステップＳＲ１７に進み、撮影時に検出した傷レベルが登録されている傷レベル未満であればステップＳＲ１８に進む。

ステップＳＲ１７では、撮影時に検出した傷レベルの方が真のＶライン傷Ｇａを示しているとして、撮影時に検出した傷レベルをオフセット量（補正条件）として選択して補正を行う。一方、ステップＳＲ１８では、登録されている傷レベルの方が真のＶライン傷Ｇａを示しているとして、登録されている傷レベルをオフセット量（補正条件）として選択して補正を行う。ステップＳＲ１９では、補正を行う全てのＶライン傷Ｇａのアドレスを読み出したかを判定し、全て読み出していればフローを終了し、全て読み出していなければステップＳＲ４に戻る。

上記のように、撮影時に検出した傷アドレス及び傷レベルについて確度判定を行い、その判定結果に基づいてＶライン傷Ｇａの補正を行うことで、本実施の形態に係る撮像装置１は誤補正を少なくすることができる。なお、上記の確度判定部５５では、登録されている上位傷アドレスを基準に、撮影時に検出した傷アドレスが、真のＶライン傷Ｇａを示しているかどうかの確度判定を行ったが、本発明はこれに限られず、他の基準を用いて確度を判定しても構わない。また、上記では、工場出荷時に行う傷レベル検出（図７）では、傷レベルが上位４０以内に入る傷アドレス及び傷レベルを傷アドレスメモリ５４に登録し、撮影時に検出する傷アドレス及び傷レベルでは、傷レベルが上位２０以内に入る傷アドレス及び傷レベルを傷アドレスメモリ５４に登録している。しかし、本発明はこれに限られず、工場出荷時に傷レベルを上位何位登録し、撮影時に上位何位登録するかはＣＣＤの品質等を考慮して自由に設定することができる。

＜変形例＞
次に、確度判定部５５を備える撮像装置１におけるＶライン傷Ｇａの検出動作を示す別のフローチャートを図１７に示す。図１７に示すフローチャートは、図１６に示すフローチャートのステップＳＲ１６に代えて、ステップＳＲ２０とステップＳＲ２１が設けられている。ステップＳＲ２０では、撮影時に検出した傷アドレスのうち一致しなかった不整合アドレスについて、再度傷レベルの検出（再検出）を行う。ステップＳＲ２１では、再検出した傷レベルが登録されている傷レベル以上であればステップＳＲ１７に進み、再検出した傷レベルが登録されている傷レベル未満であればステップＳＲ１８に進む。

以上のように、本実施の形態に係る撮像装置１では、確度判定部５５において、再傷レベル検出を行うので、傷レベルの検出精度が向上し、Ｖライン傷補正での誤検出を少なくすることができる。

（実施の形態２）
＜オーバーフロー判定について＞
上記で説明したように、Ｖライン傷Ｇａに対してオフセットによる補正を行う場合、傷レベルの精度が補正の良否を左右することになる。そのため、傷レベルの検出データがオーバーフローすると正確な傷レベルを把握することができず、Ｖライン傷Ｇａの補正を精度良く行うことができなくなる。また、上記で説明したようにＶライン傷Ｇａの傷レベルは、温度依存性を有しており、撮像装置１の起動後一定時間経過してＣＣＤの温度が高くなると傷レベルも高くなる。さらに、撮像装置１の撮影感度を高感度に設定した場合、ＣＣＤの温度が高くなると傷レベルが飽和状態に達し、傷レベルの検出データがオーバーフローする可能性が高くなる。

そこで、本実施の形態に係る撮像装置１では、撮像部の状態を示す指標（ＣＣＤの温度や撮影感度など）を検出する状態検出部（図１５では温度センサー４９やカメラ制御部４０がこれにあたる）を設け、撮像装置１の状態に基づいて、傷レベルの検出データがオーバーフローする可能性が高いと判定される場合には、オフセットによる補正に代えて、傷レベルが不要な画素補間による補正でＶライン傷の補正を行う。

図１８は、撮像装置１における検出データのオーバーフローに対する処置を示すフローチャートである。まず、ステップＳＵ１では、露光時間の演算を行い、撮影環境に最適な露光時間を設定する。ステップＳＵ２では、撮像センサ１６から画素データを順次に読み出す。ステップＳＵ３では、ステップＳＵ２で読み出された画素データのアドレスが、傷アドレスメモリ５４に登録されているＶライン傷のアドレスに該当するかを判定する。ここで、登録アドレスに該当する場合には、ステップＳＵ４に進み、該当しない場合には、ステップＳＵ９に進む。

ステップＳＵ４では、撮像装置１を起動してから２０分経過したかを判定する。これは、カメラ制御部４０内のタイマーで行う。ここで、撮像装置１の起動後の時間が２０分以上の場合には、ステップＳＵ５に進み、該当しない場合には、ステップＳＵ７に進む。ステップＳＵ５では、撮像装置１の撮影感度がＩＳＯ感度８００以上であるかを判定する。これは、カメラ制御部４０内の設定の判断により行う。ここで、撮影感度がＩＳＯ感度８００以上の場合には、ステップＳＵ６に進み、該当しない場合には、ステップＳＵ７に進む。ステップＳＵ６では、隣接ライン画素による画素置換補正（画素補間による補正）でＶライン傷Ｇａの補正を行う。なお、隣接ライン画素による画素置換補正（画素補間による補正）は、補正を行うために傷レベルを検出する必要がなく、検出データのオーバーフローの影響を受けずにＶライン傷Ｇａの補正を行うことができる。

ステップＳＵ７では、傷レベルの検出を行う。具体的には、２００水平転送期間停止して得られた検出データに関して１／２００倍で正規化したレベルを、傷レベルとして検出する。ここで、検出データがオーバーフローすると、１／２００倍で正規化された傷レベルが正確に検出できなくなる。なお、撮像装置１では、起動後２０分未満、又は起動後２０分以上で且つ撮影感度がＩＳＯ感度８００未満であれば、２００水平転送期間停止して得られる検出データがオーバーフローする可能性が低い。ステップＳＵ８では、ステップＳＵ７で検出された傷レベルをオフセット量として、オフセットによる補正を行う。ステップＳＵ９では、全画像の読み出しが完了したかを判定する。ここで、全画像の読み出しが完了している場合には、フローチャートは終了し、完了していない場合には、ステップＳＵ２に戻る。

上記で説明した撮像装置１では、検出データのオーバーフロー判定を撮像部の状態を示す指標（ＣＣＤの温度や撮影感度など）に基づいて行い、その判定結果により補正方法（オフセットによる補正、画素補間による補正など）を選択する。すなわち、オーバーフロー判定をした場合は、画素補間による補正を行うことで、検出データのオーバーフローにより正確な傷レベルが得られない場合であっても、適切なＶライン傷補正を行うことができる。

＜変形例＞
図１９は、撮像装置１における検出データのオーバーフローに対する処置を示す別のフローチャートである。まず、シャッターに相当する絞り４４を閉じた（ステップＳＶ１）後に、ＶＣＣＤ１６２において電荷の高速はき出しが設定される（ステップＳＶ２）。ステップＳＶ３では、ＶＣＤＤ１６２での転送を２００水平転送期間停止する。これにより、ＶＣＣＤ１６２の欠陥箇所で電荷が増幅されることとなる。

ステップＳＶ４では、撮像センサ１６から画素データを順次に読み出す。ステップＳＶ５では、ステップＳＶ４で読み出された画素データのアドレスが、傷アドレスメモリ５４に登録されているＶライン傷のアドレスに該当するかを判定する。ここで、登録アドレスに該当する場合には、ステップＳＶ６に進み、該当しない場合には、ステップＳＶ１０に進む。

ステップＳＶ６では、傷レベルの検出を行う。具体的には、２００水平転送期間停止して得られた検出データに関して１／２００倍で正規化したレベルを、傷レベルとして検出する。ステップＳＶ７では、ステップＳＶ６で検出された検出データがオーバーフローしているかを判定する。なお、オーバーフローしているかの判定は、１／２００倍で正規化する前の検出データがオーバーフローしているか否かである。ここで、検出データがオーバーフローしている場合には、ステップＳＶ８に進み、該当しない場合には、ステップＳＶ９に進む。ステップＳＶ８では、検出データがオーバーフローした傷アドレスをエラーアドレスとして傷アドレスメモリ５４に登録する。一方、ステップＳＶ９では、検出した傷レベルを補正に用いるオフセット量として登録する。オーバーフローしているかどうかの判定には、例えば、Ａ／Ｄ変換後のデータビットが２５５（２４０以上でも可）である場合等により判断する。

ステップＳＶ１０では、全画像の読み出しが完了したかを判定する。ここで、全画像の読み出しが完了している場合には、ステップＳＶ１１に進み、完了していない場合には、ステップＳＶ４に戻る。ステップＳＶ１１では、ＶＣＤＤ１６２での転送を５０水平転送期間停止する。これにより、ＶＣＣＤ１６２の欠陥箇所で電荷が増幅されることとなるが、２００水平転送期間停止した場合に比べてその増幅は小さくなる。

ステップＳＶ１２では、撮像センサ１６から画素データを順次に読み出す。ステップＳＶ１３では、ステップＳＶ１２で読み出された画素データのアドレスが、傷アドレスメモリ５４に登録されているエラーアドレスに該当するかを判定する。ここで、エラーアドレスに該当する場合には、ステップＳＶ１４に進み、該当しない場合には、ステップＳＶ１５に進む。

ステップＳＶ１４では、５０水平転送期間停止して得られた検出データ（画像データ）に関して１／５０倍で正規化したレベルを、傷レベルとして検出し、当該傷レベルを補正に用いるオフセット量として登録する。ステップＳＶ１５では、全画像の読み出しが完了したかを判定する。ここで、全画像の読み出しが完了している場合には、フローチャートは終了し、完了していない場合には、ステップＳＶ１２に戻る。

本変形例に係る撮像装置１では、Ｖライン傷検出部５２において、検出データがオーバーフローしているかを判定する。検出データがオーバーフローしている場合、垂直転送ラインを停止する期間を短縮（例えば、２００水平転送期間停止から５０水平転送期間停止に短縮）して、傷レベルを再度検出する。垂直転送ラインを停止する期間を短縮することで、正規化する前の検出データを小さくすることができ、オーバーフローを回避することができる。よって、図１９のフローを行う撮像装置１では、検出データのオーバーフローを回避でき、適切なＶライン傷補正を行うことができる。本実施の形態では、全画素読み出しのＣＣＤの例で示しているが、複数フィールド読み出しのＣＣＤを用いても構わない。複数フィールド読み出しのＣＣＤの場合は、画素データを一旦１フレームに並べて変えてから補正を行うことで、本実施の形態と同じ補正を行うことができる。

本発明の実施形態に係る撮像装置１の要部構成を示す図である。 撮像装置１の機能ブロックを示す図である。 撮像センサ１６の構成を示す図である。 Ｖライン傷を説明するための図である。 Ｖライン傷の検出原理を説明するための図である。 Ｖライン傷の検出原理を説明するための図である。 撮像装置１におけるＶライン傷の検出動作を示すフローチャートである。 撮像センサ１６におけるＶライン傷の温度依存性を説明するための図である。 オフセットによるＶライン傷の補正を説明するための図である。 オフセットによるＶライン傷の補正を説明するための図である。 オフセットによるＶライン傷の補正を説明するための図である。 撮像装置１におけるＶライン傷の傷レベルの検出動作を示すフローチャートである。 画素補間によるＶライン傷の補正を説明するための図である。 本発明の変形例に係る傷レベルの検出動作を示すフローチャートである。 実施の形態１に係る撮像装置１の機能ブロックを示す図である。 実施の形態１の撮像装置１におけるＶライン傷の確度判定の動作を示すフローチャートである。 実施の形態１の撮像装置１におけるＶライン傷の確度判定の動作を示す別のフローチャートである。 実施の形態２の撮像装置１における傷レベルのオーバーフロー判定の動作を示すフローチャートである。 実施の形態２の撮像装置１における傷レベルのオーバーフロー判定の動作を示す別のフローチャートである。

符号の説明

１ 撮像装置
２ 信号処理部
３ 画像処理部
１６ 撮像センサ
１６ｂａ、１６ｂｂ オプチカル・ブラック（ＯＢ）部
４９ 温度センサー
５１ 点欠陥補正部
５２ Ｖライン傷検出部
５３ Ｖライン傷補正部
５４ 傷アドレスメモリ
５５ 確度判定部
１６１ フォトダイオード
１６２ 垂直ＣＣＤ
１６３ 水平ＣＣＤ
Ｆｐ、Ｆｐ１、Ｆｐ２、Ｆｐ３ 垂直ＣＣＤ上の欠陥箇所

Claims (8)

1. ＣＣＤを有する撮像部と、
   前記撮像部から出力された画像信号を処理する信号処理部と、
   前記信号処理部で処理された画像信号に対して画像処理を行う画像処理部と、
   前記ＣＣＤの垂直転送ライン上の欠陥箇所に起因して画像上で生じるライン性の傷であるＶライン傷について、その位置とレベルとを所定の検出基準に基づいて検出するＶライン傷検出部と、
   前記Ｖライン傷検出部による検出結果が、真のＶライン傷を示しているかどうかの確度を、所定の判定基準に基づいて判定する確度判定部と、
   前記確度判定部の判定に基づいて補正条件を選択し、前記Ｖライン傷の補正を行うＶライン傷補正部とを備える撮像装置。
2. 請求項１に記載の撮像装置であって、
   前記所定の判定基準となる前記Ｖライン傷の基準位置及び基準レベルを記憶するＶライン傷記憶部をさらに備え、
   前記確度判定部は、前記Ｖライン傷検出部で検出された前記Ｖライン傷の前記位置及び前記レベルを、前記Ｖライン傷記憶部に記憶されている前記基準位置及び前記基準レベルと比較して前記確度を判定することを特徴とする撮像装置。
3. 請求項２に記載の撮像装置であって、
   前記確度判定部は、前記Ｖライン傷検出部で検出された前記Ｖライン傷の前記位置が前記基準位置と一致せず、且つ前記Ｖライン傷の前記レベルが前記基準レベルより大きい場合に、検出された前記Ｖライン傷の前記位置及び前記レベルの前記確度を判定することを特徴とする撮像装置。
4. 請求項２に記載の撮像装置であって、
   前記確度判定部は、前記Ｖライン傷検出部で検出された前記Ｖライン傷の前記位置が前記基準位置と一致しない場合、前記Ｖライン傷検出部に再検出を行わせることを特徴とする撮像装置。
5. 請求項１乃至請求項４のいずれか１つに記載の撮像装置であって、
   前記撮像部の状態を検出する状態検出部をさらに備え、
   前記Ｖライン傷補正部は、前記状態検出部の検出された前記状態より、前記レベルの検出データがオーバーフローするかを判定するオーバーフロー判定を行うことを特徴とする撮像装置。
6. 請求項５に記載の撮像装置であって、
   前記撮像部の前記状態を示す指標として、前記撮像部の温度が用いられており、前記状態検出部は、前記温度を測定または推定する手段としてタイマー及び温度計のうち少なくとも一つを備えることを特徴とする撮像装置。
7. 請求項５又は請求項６に記載の撮像装置であって、
   前記Ｖライン傷補正部は、前記オーバーフロー判定に基づき、前記補正方法を選択することを特徴とする撮像装置。
8. 請求項１乃至請求項４のいずれか１つに記載の撮像装置であって、
   前記Ｖライン傷検出部は、前記垂直転送ラインを所定期間停止させて、前記Ｖライン傷の前記位置及び前記レベルの検出を行い、
   前記Ｖライン傷検出部は、前記レベルの検出データがオーバーフローしていると判断した場合、前記垂直転送ラインを停止する前記所定期間を短縮して、前記Ｖライン傷の前記レベルを再度検出することを特徴とする撮像装置。
   

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