JP2006147302A - イオン伝導体 - Google Patents
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Abstract
【課題】室温から高温に至るまで、電極間に沿った方向に高いイオン伝導率を示すイオン伝導体を提供する。
【解決手段】 電解質と、a)下記式(化1)で示される少なくとも2種類の分子、またはb)下記式(化1)で示される分子およびNC−C6H4−C6H4−O−R2、NC−C6H4−C6H4−R3、NC−C6H4−CH(OCH2)2CH−R4またはNC−C6H4−OCO−C6H4−R5で示される少なくとも1種類の分子と、を含むイオン伝導体とする。ただし、Aはシアノ基またはフッ素原子であり、R1は炭素数が2以上8以下の直鎖アルキル基であり、R2、R3、R4、R5は炭素数が2以上10以下の直鎖アルキル基である。
【化1】
【選択図】図1
【解決手段】 電解質と、a)下記式(化1)で示される少なくとも2種類の分子、またはb)下記式(化1)で示される分子およびNC−C6H4−C6H4−O−R2、NC−C6H4−C6H4−R3、NC−C6H4−CH(OCH2)2CH−R4またはNC−C6H4−OCO−C6H4−R5で示される少なくとも1種類の分子と、を含むイオン伝導体とする。ただし、Aはシアノ基またはフッ素原子であり、R1は炭素数が2以上8以下の直鎖アルキル基であり、R2、R3、R4、R5は炭素数が2以上10以下の直鎖アルキル基である。
【化1】
【選択図】図1
Description
本発明は、イオン伝導体に関する。具体的には、リチウムおよびリチウムイオン電池、キャパシタ、光電気化学電池、イオンセンサ、フォトクロミック素子、燃料電池等の各種デバイスに適した特性を有するイオン伝導体に関する。
従来から知られているイオン伝導体としては、無機材料を用いた無機固体電解質、有機高分子を用いた高分子固体電解質、水または非水溶媒を用いた液状電解質が挙げられる。高分子固体電解質は、液漏れのおそれがなく不揮発性であり、次世代リチウム二次電池用の電解質等として注目を集めている。しかし、高分子固体電解質は、現段階ではイオン伝導率が十分に高くはない。
イオン伝導率の向上のため、液状電解質をゲル化剤で固化させたゲル電解質も検討されている。しかし、ゲル電解質には揮発しやすい液状成分が残存しているため、デバイスの安全性を十分に確保できない。
近年、固体と液体の中間的性質を有する液晶材料を用い、液晶材料が有する配向性等の特性を利用したイオン伝導体が提案されている(特許文献1〜特許文献3)。
実用に供される条件を考慮すると、電極間に配置されるイオン伝導体は、室温下で、電極間の方向に相対的に高いイオン伝導率を示すことが望まれる。また、デバイスによっては、室温下とともに高温下で高いイオン伝導率を示すことが望まれる。しかし、広い温度域で電極に対して垂直方向に高いイオン伝導率を示す、液晶材料を用いたイオン伝導体は知られていない。
そこで、本発明は、電解質、ならびに、a)下記式(化1)で示される少なくとも2種類の分子、またはb)下記式(化1)で示される分子と、下記式(化2)、式(化3)、式(化4)もしくは式(化5)で示される少なくとも1種類、好ましくは少なくとも2種類、の分子と、を含むイオン伝導体を提供する。
ただし、Aはシアノ基またはフッ素原子であり、R1は炭素数が2以上8以下の直鎖アルキル基であり、R2、R3、R4、R5は炭素数が2以上10以下の直鎖アルキル基である。
温度が低くなるとイオンは拡散しにくくなり、液晶性分子が結晶状態となるとイオン伝導率はさらに低下する。これを考慮し、本発明では、上記(化1)で示される液晶性分子に加え、上記(化1)で示される別の種類の液晶性分子または上記(化2)〜(化5)のいずれかで示される少なくとも1種類の液晶性分子を含ませることにより、液晶状態と結晶状態とを転移する温度を低下させ、幅広い温度で液晶性を発現させることとした。
本発明のイオン伝導体では、ネマチック液晶状態で、液晶性分子が電極に垂直に配向するため、イオン伝導率は電極間の方向について相対的に高くなる。上記液晶性分子は、すべて末端に極性基(シアノ基またはフッ素原子)を有するため、電解質との相溶性にも優れている。
こうして、本発明によれば、室温から高温に至るまで、高いイオン伝導率を有するイオン伝導体を提供できる。
本発明のイオン伝導体は、式(化1)で示される特定の直鎖アルキル基を有する分子(以下、「分子A」ということがある)とともに、式(化1)〜式(化5)のいずれかで示される分子(以下、「分子B」ということがある)を含む。分子Bが式(化1)で示される分子の場合、当該分子Bには、分子Aに含まれる直鎖アルキル基とは別の直鎖アルキル基、および/または分子Aに含まれる極性基(シアノ基またはフッ素原子)とは異なる極性基が含まれる。分子Bを添加することにより、分子A単独の状態と比較して、イオン伝導体に含まれる液晶性分子についての液晶状態と結晶状態との転移温度が低下する。
イオン伝導体における分子Aに対する分子B(分子B/分子A)の比は、分子の種類等にもよるが、モル比により表示して、0.1〜0.9が好適である。式(化1)で示される2種以上の分子が含まれるイオン伝導体では、直鎖アルキル基に含まれる炭素数が最も多い分子を分子Aとし、それ以外の分子を分子Bとする。
本発明のイオン伝導体を用いれば、電極に垂直方向に、即ち電極間の方向に沿って、相対的に高い伝導率を得ることができる。具体的には、本発明のイオン伝導体は、透明導電膜付きガラス電極間に狭持して測定した室温(23℃)におけるイオン伝導率を、上記電極間と直交する方向の23℃におけるイオン伝導率よりも高くすることもできる。室温近傍では、高温域と比較すれば伝導率は低下するが、本発明のイオン伝導体では液晶性分子の配向性が伝導率の低下を補う。
本発明のイオン伝導体は、透明導電膜付きガラス電極間に狭持して測定した23℃におけるイオン伝導率が1.0×10-6以上であり、上記電極間に狭持して測定した80℃におけるイオン伝導率が1.0×10-5以上、とすることもできる。
本発明のイオン伝導体では、電解質および液晶性分子の含有率は特に制限されないが、電解質の含有率は1〜30モル%、特に5〜20モル%、が好ましく、上記分子(式(化1)〜式(化5)のいずれかで示される分子)の含有率は70〜99モル%、特に80〜95モル%、が好ましい。電解質が1モル%未満となると伝導性の発現に必要なイオンが不足し、電解質が30モル%を超えると液晶相が発現しない場合がある。
電解質としては、アルカリ金属塩、特にリチウム塩が好適であり、具体的には、LiPF6、LiBF4、LiN(C2F5SO2)2、LiAsF6、LiSbF6、LiAlF4、LiGaF4、LiInF4、LiClO4、LiN(CF3SO2)2、LiCF3SO3、LiSiF6、LiN(CF3SO2)(C4F9SO2)等を用いることができる。
電解質はデバイスに応じて適宜選択するとよい。リチウム塩以外の電解質としては、LiI、NaI、KI、CsI、CaI2等の金属ヨウ化物、4級イミダゾリウム化合物のヨウ素塩、テトラアルキルアンモニウム化合物のヨウ素塩、LiBr、NaBr、KBr、CsBr、CaBr2等の金属臭化物を例示できる。
電解質の別の好ましい例はプロトン酸である。プロトン酸は無機酸でも有機酸でもよい。無機酸としては、硝酸、硫酸、亜硫酸、重亜硫酸、燐酸、亜燐酸、次燐酸、メタ燐酸、次亜燐酸、アミド燐酸、炭酸、重炭酸、塩酸、臭化水素酸、ヨウ化水素酸、オルトホウ酸、メタホウ酸、アルミン酸、アミド硫酸、ヒドラジノ硫酸、スルファミン酸を例示できる。また、有機酸としては、イソ吉草酸、イソ酪酸、オクタン酸、シクロヘキサンカルボン酸、乳酸、酢酸、酪酸、クロトン酸、アゼライン酸、クエン酸、コハク酸、シュウ酸、酒石酸、フマル酸、マロン酸、リンゴ酸、ラウリン酸、ミリスチン酸、パルミチン酸、ステアリン酸、アニス酸、安息香酸、p−アミノ安息香酸、ナフトエ酸、テレフタル酸、ピロメリツト酸、アスパラギン、アスパラギン酸、4−アミノ酪酸、アラニン、アルギニン、イソロイシン、グリシン、ゲルタミン酸、システイン、セリン、バリン、ヒスチジン、メチオニン、ロイシン、安息香酸、安息香酸−2−燐酸、アデノシン−2’−燐酸、フェノール−3−燐酸、ガラクトース−1−燐酸、ベンゼンホスホン酸、2−アミノエチルホスホン酸、2−ブロム−p−トリルホスホン酸、2−メトキシフェニルホスホン酸、t−ブチルホスフィン酸、o−クレゾール、m−クレゾール、p−クレゾール、4−アミノ−m−クレゾール、2,4−ジニトロフェノール、o−ブロモフェノール、p−フェノールスルホン酸、p−アセチルフェノール、アスコルビン酸、レダクチン、3−ヒドロキシフェニルホウ酸、3−アミノフェニルホウ酸、β−フェニルエチルボロン酸、ヒドラジン−N,N−ジ酢酸、ヒドラジン−N,N’−ジ酢酸を例示できる。プロトン酸は、上記に限らず、例えば、スルフォニルイミド酸、その誘導体等であってもよい。
本発明のイオン伝導体は、上記液晶性分子、電解質以外に、ゲル化剤、ポリエチレンオキサイド等その他成分を含んでいてもよいが、その他成分の含有率は、20モル%以下とすることが好ましい。
本発明のイオン伝導体は、リチウムイオン電池、燃料電池等各種デバイスへの適用が可能である。例えば色素増感型太陽電池では不揮発性のイオン伝導体が求められているが、本発明のイオン伝導体は十分に要求特性を満たす。
以下、実施例により本発明をより具体的に説明する。まず、イオン伝導率の測定方法について説明する。
(垂直方向イオン伝導率の測定方法)
図1に、イオン伝導率の測定に用いたセルを示す。このセルを作製するために、まず、アルゴングローブボックス内にて、予め透明導電膜としてITO(indium tin oxide)膜3を形成した縦25mm、横20mmのガラス板(ITO膜付きガラス電極)4に、試料充填部1として直径(r)15mmの円を打ち抜いた厚み24μmの粘着剤付きポリイミドフィルム(図2参照)をスペーサー2として貼り付けた。次いで、試料充填部1に、加熱して等方性液体状態とした試料(イオン伝導体)を充填し、その後、もう1枚のITO膜付きガラス電極4をITO膜3が充填部1側となるように配置した。
図1に、イオン伝導率の測定に用いたセルを示す。このセルを作製するために、まず、アルゴングローブボックス内にて、予め透明導電膜としてITO(indium tin oxide)膜3を形成した縦25mm、横20mmのガラス板(ITO膜付きガラス電極)4に、試料充填部1として直径(r)15mmの円を打ち抜いた厚み24μmの粘着剤付きポリイミドフィルム(図2参照)をスペーサー2として貼り付けた。次いで、試料充填部1に、加熱して等方性液体状態とした試料(イオン伝導体)を充填し、その後、もう1枚のITO膜付きガラス電極4をITO膜3が充填部1側となるように配置した。
こうして得た伝導率測定用セルは、一旦、室温(23℃)まで自然冷却し、室温で、または測定温度にまで昇温してから、インピーダンス測定装置(横河ヒューレットパッカード製4284A)を用いた複素インピーダンス法により、高周波数側の円弧と低周波数側の直線との交点の実数成分インピーダンスを求め、以下の式に基づいて伝導率σ(S/cm)を算出した。
σv=d/(R×A)
d:スペーサー厚み(cm)、R:実数成分インピーダンス(Ω)、A:極板面積(cm2)
σv=d/(R×A)
d:スペーサー厚み(cm)、R:実数成分インピーダンス(Ω)、A:極板面積(cm2)
(水平方向イオン伝導率の測定方法)
図3に、水平方向イオン伝導率の測定に用いた櫛型電極を示す。この櫛型電極11は、ガラス板上に、ITOを厚み30nmとなるように蒸着し、さらにAgとAuとからなる合金を総厚みが0.8μmとなるように蒸着することにより形成した。互いに対向するように配置した櫛型電極11は、それぞれ3つの櫛部12を有し、各櫛部12の幅Wは2mm、櫛部12の間隔Dは3mm、対向する櫛部の重複幅Vは7mmとした。この櫛型電極11の櫛部12の間に、測定対象とする試料を等方性状態となるように加熱してから塗布し、この試料を覆う領域に縦10mm、横25mmのガラス板を重ねてこの領域(測定領域13)でのみ試料を保持した。その後、垂直方向イオン伝導率の測定と同様にして伝導率σpを求めた。なお、伝導率σpの絶対値は、試料が等方性液体状態のときの測定値で補正した。
図3に、水平方向イオン伝導率の測定に用いた櫛型電極を示す。この櫛型電極11は、ガラス板上に、ITOを厚み30nmとなるように蒸着し、さらにAgとAuとからなる合金を総厚みが0.8μmとなるように蒸着することにより形成した。互いに対向するように配置した櫛型電極11は、それぞれ3つの櫛部12を有し、各櫛部12の幅Wは2mm、櫛部12の間隔Dは3mm、対向する櫛部の重複幅Vは7mmとした。この櫛型電極11の櫛部12の間に、測定対象とする試料を等方性状態となるように加熱してから塗布し、この試料を覆う領域に縦10mm、横25mmのガラス板を重ねてこの領域(測定領域13)でのみ試料を保持した。その後、垂直方向イオン伝導率の測定と同様にして伝導率σpを求めた。なお、伝導率σpの絶対値は、試料が等方性液体状態のときの測定値で補正した。
(実施例1)
式(化1)においてAがシアノ基、R1がプロピル基に相当する4−(4−プロピルシクロヘキシル)ベンゾニトリル(SYNTHON Chemicals製)0.35g(1.54×10-3モル)、式(化1)においてAがシアノ基、R1がペンチル基に相当する4−(4−ペンチルシクロヘキシル)ベンゾニトリル(SYNTHON Chemicals製)0.59g(2.31×10-3モル)、LiN(CF3SO2)2(キシダ化学製、以下「LiTFSI」と表記する)0.06g(2.09×10-4モル)を混合し、アルゴングロープボックス中のホットプレート上で100℃にて溶解させ、液状のイオン伝導体を得た。
式(化1)においてAがシアノ基、R1がプロピル基に相当する4−(4−プロピルシクロヘキシル)ベンゾニトリル(SYNTHON Chemicals製)0.35g(1.54×10-3モル)、式(化1)においてAがシアノ基、R1がペンチル基に相当する4−(4−ペンチルシクロヘキシル)ベンゾニトリル(SYNTHON Chemicals製)0.59g(2.31×10-3モル)、LiN(CF3SO2)2(キシダ化学製、以下「LiTFSI」と表記する)0.06g(2.09×10-4モル)を混合し、アルゴングロープボックス中のホットプレート上で100℃にて溶解させ、液状のイオン伝導体を得た。
このイオン伝導体について、上記測定方法によりイオン伝導率を測定した。測定用セルを自然冷却したときの冷却速度は、5〜10℃/分であった。垂直方向イオン伝導率測定用セルについて、室温(23℃)で偏光顕微鏡観察を用いてオルソスコープ観察およびコノスコープ観察を行ったところ、液晶性分子が電極に垂直配向していることが確認された。
(実施例2)
式(化1)においてAがフッ素原子、R1がヘキシル基に相当する1−フルオロ−4−(4−ヘキシルシクロヘキシル)ベンゼン(Yantai Valiant Fine Chemicals製)0.34g(1.30×10-3モル)、式(化2)においてR2がペンチル基に相当する4’−ペンチルオキシビフェニル−4−カルボニトリル(ワコーケミカル製)0.29g(1.09×10-3モル)、式(化2)においてR2がヘプチル基に相当する4’−ヘプチルオキシビフェニル−4−カルボニトリル(ワコーケミカル製)0.32g(1.09×10-3モル)、LiTFSI0.05g(1.74×10-4モル)を混合し、アルゴングロープボックス中のホットプレート上で100℃にて溶解させ、液状のイオン伝導体を得た。
式(化1)においてAがフッ素原子、R1がヘキシル基に相当する1−フルオロ−4−(4−ヘキシルシクロヘキシル)ベンゼン(Yantai Valiant Fine Chemicals製)0.34g(1.30×10-3モル)、式(化2)においてR2がペンチル基に相当する4’−ペンチルオキシビフェニル−4−カルボニトリル(ワコーケミカル製)0.29g(1.09×10-3モル)、式(化2)においてR2がヘプチル基に相当する4’−ヘプチルオキシビフェニル−4−カルボニトリル(ワコーケミカル製)0.32g(1.09×10-3モル)、LiTFSI0.05g(1.74×10-4モル)を混合し、アルゴングロープボックス中のホットプレート上で100℃にて溶解させ、液状のイオン伝導体を得た。
このイオン伝導体について、実施例1と同様にしてイオン伝導率および配向特性を測定した。このイオン伝導体も電極に垂直配向していた。
(比較例1)
上記イオン伝導体に代えて、上記リチウム塩0.05g(1.74×10-4モル)を4−ヒドロキシベンゼン酸−4−オクチル−フェニルエステル(東京化成製、融点70℃)0.95g(2.91×10-3モル)に溶解させたイオン伝導体を用いた以外は、実施例1と同様にして、各特性を測定した。このイオン伝導体では、電極に対する垂直配向性は確認できなかった。
上記イオン伝導体に代えて、上記リチウム塩0.05g(1.74×10-4モル)を4−ヒドロキシベンゼン酸−4−オクチル−フェニルエステル(東京化成製、融点70℃)0.95g(2.91×10-3モル)に溶解させたイオン伝導体を用いた以外は、実施例1と同様にして、各特性を測定した。このイオン伝導体では、電極に対する垂直配向性は確認できなかった。
本発明のイオン伝導体は、室温付近から高温に至るまで高いイオン伝導率を有するため、特に使用温度域が広いデバイスに適した特性を有する。本発明のイオン伝導体は、不揮発性であって、実用面で重要となる電極間の伝導率が大きい。本発明のイオン伝導体は、リチウムイオン電池、燃料電池に代表される各種デバイスの材料として大きな利用価値を有する。
1 試料充填部
2 スペーサー
3 ITO膜
4 ITO膜付きガラス電極
11 櫛型電極
12 櫛部
13 測定領域
2 スペーサー
3 ITO膜
4 ITO膜付きガラス電極
11 櫛型電極
12 櫛部
13 測定領域
Claims (2)
- 電解質、ならびに
a)下記式(化1)で示される少なくとも2種類の分子、または
b)下記式(化1)で示される分子と、下記式(化2)、式(化3)、式(化4)もしくは式(化5)で示される少なくとも1種類の分子と、
を含むイオン伝導体。
- 透明導電膜付きガラス電極間に狭持して測定した23℃におけるイオン伝導率が、前記電極間と直交する方向の23℃におけるイオン伝導率よりも高い請求項1に記載のイオン伝導体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2004334824A JP2006147302A (ja) | 2004-11-18 | 2004-11-18 | イオン伝導体 |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006278240A (ja) * | 2005-03-30 | 2006-10-12 | Sharp Corp | 色素増感型光電変換装置及びその製造方法 |
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2004
- 2004-11-18 JP JP2004334824A patent/JP2006147302A/ja active Pending
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2006278240A (ja) * | 2005-03-30 | 2006-10-12 | Sharp Corp | 色素増感型光電変換装置及びその製造方法 |
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