JP2006142772A - Mold and its manufacturing method, and method for forming pattern - Google Patents
Mold and its manufacturing method, and method for forming pattern Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006142772A JP2006142772A JP2004339295A JP2004339295A JP2006142772A JP 2006142772 A JP2006142772 A JP 2006142772A JP 2004339295 A JP2004339295 A JP 2004339295A JP 2004339295 A JP2004339295 A JP 2004339295A JP 2006142772 A JP2006142772 A JP 2006142772A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mold
- concavo
- convex pattern
- pattern
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Abstract
Description
本発明は、特に数百ｎｍ以下、百ｎｍ以下の凹凸パターン構造を有するナノサイズの構造体の製造に利用して好適なモールド及びその製造方法、パターン形成方法に関する。 The present invention relates to a mold suitable for use in the production of a nano-sized structure having a concavo-convex pattern structure of several hundred nm or less, particularly 100 nm or less, a method for producing the mold, and a pattern forming method.
石英基板やＳｉ基板上に、サイズの凹凸構造を形成するにあたって、ナノサイズのパターンを有するモールド（型）を利用して凹凸構造を転写形成するいわゆるナノインプリント法が近年着目されており、この技術を半導体装置や光学装置、印刷物などへ応用する方法が各種提案されている。 In forming a concavo-convex structure of a size on a quartz substrate or Si substrate, a so-called nanoimprint method in which a concavo-convex structure is transferred and formed using a mold having a nano-size pattern has recently attracted attention. Various methods for application to semiconductor devices, optical devices, printed materials, and the like have been proposed.
例えば、ＣＤ（コンパクトディスク）、ＤＶＤ（ディジタルヴァーサタイルディスク）などの再生専用ＲＯＭ型の光記録媒体を製造するにあたって、従来はバルクの金属を加工して作製したマスターモールドからＮｉＰの無電界メッキ膜にパターンを転写する方法で大量生産用のスタンパ、すなわち製造用のモールドを作製する方法が採用されている。
これらの各種光記録媒体において、高密度化、大容量化を達成するために作製される凹凸パターンの微細化が要求されており、より大容量化が図られたBlu-ray Disc（ブルーレイディスク）等においては、数百ｎｍ以下のサイズの凹凸構造を生産性良く製造する技術が望まれている。
For example, when manufacturing a read-only ROM type optical recording medium such as a CD (compact disc) or a DVD (digital versatile disc), a NiP electroless plating film is conventionally produced from a master mold produced by processing a bulk metal. A method of producing a stamper for mass production, that is, a mold for production, is employed by a method of transferring a pattern.
In these various optical recording media, miniaturization of the concavo-convex pattern produced in order to achieve high density and large capacity is required, and Blu-ray Disc (Blu-ray Disc) with a higher capacity has been demanded. For example, a technique for manufacturing a concavo-convex structure having a size of several hundred nm or less with high productivity is desired.
また、フォトリソグラフィに用いられるレジストのパターン化技術において、ナノサイズの凹凸を有するモールドを、被加工面上のレジストに押し付けて、レジスト上にこの凹凸パターンを転写する方法が提案されている（非特許文献１参照。）。
この方法は、熱酸化で作製したＳｉＯ２を電子ビームリソグラフィーと反応性イオンエッチング（ＲＩＥ：Reactive Ion Etching）で加工して凹凸パターンを作製し、このＳｉＯ２凹凸パターンをＰＭＭＡ（ポリメチルメタクリレート）に転写して、更にＰＭＭＡパターンの上に金属を蒸着して金属モールドを作製するものである。
Further, in a resist patterning technique used in photolithography, a method has been proposed in which a mold having nano-sized irregularities is pressed against a resist on a surface to be processed, and the irregular pattern is transferred onto the resist (non-patterned). (See Patent Document 1).
In this method, SiO 2 produced by thermal oxidation is processed by electron beam lithography and reactive ion etching (RIE) to produce a concavo-convex pattern, and this SiO 2 concavo-convex pattern is converted into PMMA (polymethyl methacrylate). The metal mold is fabricated by transferring and further depositing metal on the PMMA pattern.
更に、１μｍ以下の微細なパターンを形成した物体を表面が金属からなる物体に密着させることで微細パターンを形成する方法も提案されている（例えば特許文献１参照。）。
上記特許文献１に開示の方法においては、マスターモールド材料として単結晶ＳｉＣを使用しているためにマスターモールドのサイズが直径２インチ以下に限定されるという問題がある。
また、上記特許文献１には、純Ａｌ金属等の比較的柔らかい金属に比較的硬度の大なるモールドを用いてパターンを形成する技術は開示されているが、マスターモールドからパターンを直接形成する方法しか開示されていない。
例えば金属表面を有するモールドを用いてナノサイズのパターンを転写する場合には、被転写材料によっては、百ｎｍ以下程度の微細なパターンが歪んでしまい、精度良いパターン転写を行えない恐れがある。
更に、材料の硬度や変形特性によっては、弾性変形を主体とするパターン転写となってしまい、数百ｎｍ以下、特に百ｎｍ以下のレベルのパターンまで正確に凹凸形状が転写されない場合があり、ナノサイズのパターンの適切な変形が可能でかつパターン形状が安定であり、製造の容易なモールドの実現が望まれている。
The method disclosed in Patent Literature 1 has a problem that the size of the master mold is limited to 2 inches or less in diameter because single crystal SiC is used as the master mold material.
Further, the above Patent Document 1 discloses a technique for forming a pattern using a mold having a relatively high hardness on a relatively soft metal such as pure Al metal, but a method for directly forming a pattern from a master mold. Only disclosed.
For example, when a nano-sized pattern is transferred using a mold having a metal surface, a fine pattern of about 100 nm or less may be distorted depending on the material to be transferred, and there is a possibility that accurate pattern transfer cannot be performed.
Furthermore, depending on the hardness and deformation characteristics of the material, the pattern transfer mainly consists of elastic deformation, and the uneven shape may not be accurately transferred to a pattern of several hundred nm or less, particularly 100 nm or less. It is desired to realize a mold that can be appropriately deformed in a size pattern, has a stable pattern shape, and is easy to manufacture.
また、従来のナノプリント用のモールドは、例えば大容量光記録媒体のスタンパを製造する場合には、パターンを転写するのは基本的に１回だけなので、位置合わせの必要はなかったが、パターンが積層される構造を作製するために、モールドを何回も被加工部上に重ね合わせてパターンを形成する場合、上述した非特許文献１及び特許文献１に記載のモールドでは、位置合わせが難しく、ナノサイズの凹凸パターンを積層する構造を精度良く形成することは難しいという問題がある。 Also, the conventional nanoprint mold, for example, when manufacturing a stamper for a large-capacity optical recording medium, the pattern is basically transferred only once, so there is no need for alignment. In order to produce a structure in which the molds are stacked, when the pattern is formed by overlaying the mold on the work part many times, the mold described in Non-Patent Document 1 and Patent Document 1 described above is difficult to align. There is a problem that it is difficult to accurately form a structure in which nano-sized uneven patterns are stacked.
以上の課題を解決するために、本発明は、ナノサイズの凹凸パターンが精度良く形成され、また被加工部に対し良好に転写形成することが可能なモールドとその製造方法を提供し、更にこのモールドを利用して、パターン積層構造物を容易に形成することが可能なモールド及びその製造方法、パターンの形成方法を提供することを目的とする。 In order to solve the above-mentioned problems, the present invention provides a mold capable of forming a nano-sized uneven pattern with high precision and capable of satisfactorily transferring and forming a processed part, and a method for manufacturing the same. An object of the present invention is to provide a mold capable of easily forming a pattern laminated structure using the mold, a manufacturing method thereof, and a pattern forming method.
上記課題を解決するため、本発明によるモールドの製造方法は、算術平均粗度Ｒａが１００ｎｍ以下の表面を有する金属部の表面に、凹凸パターンを有するマスターモールドを押し付けて、上記凹凸パターンを上記金属部に転写する工程を少なくとも有することを特徴とする。
また、本発明は、上述のモールドの製造方法において、金属部を基板上に形成することを特徴とする。
更に、本発明は、上述のモールドの製造方法において、少なくとも上記金属部を、Ｂｉ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｉｎ、Ｉｒ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｓｂ、Ｓｉ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｙのうちの単体、あるいはこれらと、Ａｇ、Ａｌ、Ａｕ、Ｐｂ、Ｓｎを含めた材料の合金より形成することを特徴とする。
In order to solve the above-mentioned problems, the mold manufacturing method according to the present invention is such that a master mold having a concavo-convex pattern is pressed against the surface of a metal part having a surface having an arithmetic average roughness Ra of 100 nm or less, and the concavo-convex pattern is formed on the metal. At least a step of transferring to the part.
In addition, the present invention is characterized in that the metal part is formed on a substrate in the above-described mold manufacturing method.
Furthermore, the present invention provides the above-described mold manufacturing method, wherein at least the metal portion is made of Bi, Co, Cr, Cu, Fe, In, Ir, Mg, Mn, Ni, Pd, Pt, Sb, Si, W, It is characterized by being formed from a single element of Mo, Ta, Nb, Ti, Zr, Hf, and Y, or an alloy of these and materials including Ag, Al, Au, Pb, and Sn.
また、本発明によるモールドは、算術平均粗度Ｒａが１００ｎｍ以下の金属部に、マスターモールドの凹凸パターンが押し付けられて凹凸パターン部が形成されて成ることを特徴とする。
また、本発明によるモールドは、算術平均粗度Ｒａが１００ｎｍ以下の金属部に、マスターモールドの凹凸パターンが押し付けられて凹凸パターン部が形成され、上記凹凸パターン部が、パターン転写された後陽極酸化されて成ることを特徴とする。
更に、本発明は、上述のモールドにおいて、上記基板が、少なくとも所定の波長の光に対し光透過性を有し、上記凹凸パターン部が、パターン転写された後陽極酸化されて成ることを特徴とする。
The mold according to the present invention is characterized in that the concave / convex pattern portion of the master mold is pressed against a metal portion having an arithmetic average roughness Ra of 100 nm or less to form the concave / convex pattern portion.
In the mold according to the present invention, the concave / convex pattern portion of the master mold is pressed against a metal portion having an arithmetic average roughness Ra of 100 nm or less to form the concave / convex pattern portion, and the concave / convex pattern portion is anodized after the pattern transfer. It is characterized by being made.
Furthermore, the present invention is characterized in that, in the above-mentioned mold, the substrate has a light transmission property with respect to light of at least a predetermined wavelength, and the uneven pattern portion is anodized after pattern transfer. To do.
更に、本発明の凹凸パターンの形成方法は、上述の本発明構成のモールドを用いて凹凸パターンを形成する方法である。
すなわち、本発明による凹凸パターンの形成方法は、算術平均粗度Ｒａが１００ｎｍ以下の金属部に、マスターモールドの凹凸パターンが押し付けられて凹凸パターン部が形成されて成るモールドを用いて凹凸パターンを転写形成することを特徴とする。
Furthermore, the formation method of the uneven | corrugated pattern of this invention is a method of forming an uneven | corrugated pattern using the mold of the above-mentioned structure of this invention.
That is, the method for forming a concavo-convex pattern according to the present invention transfers a concavo-convex pattern using a mold in which the concavo-convex pattern portion of the master mold is pressed against a metal portion having an arithmetic average roughness Ra of 100 nm or less. It is characterized by forming.
上述したように、本発明のモールドの製造方法は、算術平均粗度Ｒａが１００ｎｍ以下の表面を有する金属部の表面に、凹凸パターンを有するマスターモールドを押し付けて、この凹凸パターンを金属部に転写してモールドの凹凸パターン部を形成するものであり、これにより数百ｎｍ以下のナノサイズの凹凸パターンを良好に転写することができる。
また、ある程度の硬度を有する金属あるいは合金をモールド材料とすることにより、ナノサイズのパターンレベルにおいてマスターモールドから精度良い転写がなされ、かつこれをモールドと使用して強度を保持できる構成とすることができ、ナノサイズの凹凸パターンを高精度で転写することが可能で、かつ製造の比較的簡便な、実用的なモールドを提供することができる。
特に、凹凸パターン部を薄膜として形成し、陽極酸化により光透過性とすることによって、ナノサイズの凹凸パターンの転写を同じ基板上に連続して重ね合わせるような例えば半導体加工プロセスにおけるエッチングマスク用レジストを形成する場合に、本発明のモールドを適用することによって、転写パターンの重ね合わせ精度を容易に向上させることができる。
As described above, in the mold manufacturing method of the present invention, the master mold having a concavo-convex pattern is pressed onto the surface of a metal part having a surface with an arithmetic average roughness Ra of 100 nm or less, and the concavo-convex pattern is transferred to the metal part. Thus, the concave / convex pattern portion of the mold is formed, whereby a nano-sized concave / convex pattern of several hundred nm or less can be satisfactorily transferred.
In addition, by using a metal or alloy having a certain degree of hardness as a mold material, it is possible to transfer accurately from the master mold at the nano-size pattern level, and use this as a mold to maintain strength. In addition, it is possible to provide a practical mold that can transfer a nano-sized uneven pattern with high accuracy and is relatively easy to manufacture.
In particular, resists for etching masks in, for example, semiconductor processing processes, in which the transfer of nano-sized concavo-convex patterns is continuously superimposed on the same substrate by forming the concavo-convex pattern portion as a thin film and making it light transmissive by anodization In forming the pattern, the overlay accuracy of the transfer pattern can be easily improved by applying the mold of the present invention.
以上説明したように、本発明によるモールドの製造方法によれば、数百ｎｍ以下の凹凸パターンを良好に転写できるモールドを容易にかつ精度良く製造することができる。
また、本発明のモールドの製造方法において、金属部を基板上に形成することによって、凹凸パターン部の材料選定を容易にし、より確実にモールドの耐久性を確保し、また良好な凹凸パターンの転写を実現できる。
更に、本発明のモールドの製造方法において、少なくとも上記金属部を、Ｂｉ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｉｎ、Ｉｒ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｓｂ、Ｓｉ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｙのうちの単体、あるいはこれらと、Ａｇ、Ａｌ、Ａｕ、Ｐｂ、Ｓｎを含めた材料の合金より形成することによって、精度良くマスターモールドの凹凸パターンを転写することができ、かつ耐久性を保持することができる。
また、本発明のモールドの製造方法において、金属部の表面を、凹凸パターンを転写する前に、化学的機械的研磨法により平坦化することによって、より精度良く凹凸パターン部を形成することができる。
As described above, according to the mold manufacturing method of the present invention, a mold capable of satisfactorily transferring a concavo-convex pattern of several hundred nm or less can be easily and accurately manufactured.
Further, in the mold manufacturing method of the present invention, the metal part is formed on the substrate, thereby facilitating selection of the material of the uneven pattern part, ensuring the durability of the mold more reliably, and transferring a good uneven pattern. Can be realized.
Furthermore, in the method for producing a mold of the present invention, at least the metal part is made of Bi, Co, Cr, Cu, Fe, In, Ir, Mg, Mn, Ni, Pd, Pt, Sb, Si, W, Mo, Ta. , Nb, Ti, Zr, Hf, Y alone or these and an alloy of materials including Ag, Al, Au, Pb, Sn can be used to accurately transfer the concave / convex pattern of the master mold. And durability can be maintained.
In the mold manufacturing method of the present invention, the surface of the metal part can be formed more accurately by planarizing the surface of the metal part by a chemical mechanical polishing method before transferring the uneven pattern. .
更に、本発明のモールドの製造方法において、金属部に凹凸パターン部を形成した後、陽極酸化により凹凸パターン部を光透過性とすることによって、所定の波長の光に対し透過性を有するモールドを提供することができる。
また、本発明のモールドの製造方法において、基板の材料として、少なくとも所定の波長の光に対し光透過性を有する材料とし、この基板上に、透明電極を形成し、透明電極上に、金属部より成る凹凸パターン部を形成し、その後陽極酸化により凹凸パターン部を光透過性とすることによって、光透過性のモールドを容易に、かつその凹凸パターン部を精度良く製造することができる。
更に、本発明のモールドの製造方法において、凹凸パターン部を構成する合金を、ＡｌｘＭ１−ｘまたはＭｇＭ１−ｘと表される材料とし、上記Ｍを、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｉｎ、Ｉｒ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｓｂ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｙのうち少なくとも１種類の金属より成る単体あるいは合金として、かつ上記ｘを、
０．０５≦ｘ≦０．９９
として構成することによって、陽極酸化により良好に光透過性を有するモールドを得ることができる。
Furthermore, in the mold manufacturing method of the present invention, after forming the concavo-convex pattern portion on the metal portion, the concavo-convex pattern portion is made light transmissive by anodic oxidation, whereby a mold having transparency to light of a predetermined wavelength is obtained. Can be provided.
In the mold manufacturing method of the present invention, the material of the substrate is a material having optical transparency to light of at least a predetermined wavelength, a transparent electrode is formed on the substrate, and a metal part is formed on the transparent electrode. By forming the concavo-convex pattern portion and then making the concavo-convex pattern portion light-transmitting by anodic oxidation, the light-transmitting mold can be easily manufactured with high accuracy.
Furthermore, in the method for producing a mold of the present invention, an alloy constituting the concavo-convex pattern portion is a material represented by Al x M 1-x or MgM 1-x, and the above M is Ag, Au, Co, Cr, A simple substance composed of at least one metal selected from Cu, Fe, In, Ir, Mg, Mn, Ni, Pd, Pt, Sb, Si, Sn, W, Mo, Ta, Nb, Ti, Zr, Hf, and Y As an alloy and x
0.05 ≦ x ≦ 0.99
As a result, it is possible to obtain a mold having good light transmittance by anodic oxidation.
また、本発明のモールドによれば、数百ｎｍ以下の凹凸パターンを良好に転写することができる。
また、本発明のモールドにおいて、凹凸パターン部を、基板上に形成された薄膜より構成することによって、凹凸パターン部の材料選定を容易にし、より確実にモールドの耐久性を確保し、また良好な凹凸パターンの転写を実現できる。
Moreover, according to the mold of the present invention, a concavo-convex pattern of several hundred nm or less can be transferred satisfactorily.
Moreover, in the mold of the present invention, the concave / convex pattern portion is composed of a thin film formed on the substrate, thereby facilitating material selection of the concave / convex pattern portion, ensuring the mold durability more reliably, Transfer of the uneven pattern can be realized.
また、本発明のモールドによれば、凹凸パターン部を、パターン転写された後陽極酸化された構成とすることによって、モールドを光透過性とすることができ、これにより位置合わせの容易なモールドを得ることができる。
また、本発明のモールドにおいて、基板と凹凸パターン部との間に、透明電極を設ける構成とすることにより、基板が導電性材料でない場合でも良好に陽極酸化を行うことができ、基板や凹凸パターン部の材料選定を容易にすると共に、良好にモールドを光透過性とすることができ、位置合わせが容易なモールドを得ることができる。
In addition, according to the mold of the present invention, the uneven pattern portion can be made light transmissive by adopting an anodized structure after pattern transfer, thereby making it easy to align the mold. Obtainable.
In the mold of the present invention, by providing a transparent electrode between the substrate and the uneven pattern portion, it is possible to perform anodization satisfactorily even when the substrate is not a conductive material. In addition to facilitating selection of the material of the part, the mold can be made light-transmissive and a mold that can be easily aligned can be obtained.
また、本発明の凹凸パターンの形成方法によれば、数百ｎｍ以下の凹凸パターンを精度良く形成することができる。
更に、本発明の凹凸パターンの形成方法において、モールドを光透過性として、モールドの凹凸パターン部の表面に位置合わせ用のマーカーを設け、このマーカーを目印として凹凸パターンを転写形成することにより、凹凸パターンが複数積層されるパターン積層構造物を作製する際に、精度良く所定の位置に凹凸パターンを形成することができる。
In addition, according to the method for forming a concavo-convex pattern of the present invention, a concavo-convex pattern of several hundred nm or less can be formed with high accuracy.
Furthermore, in the method for forming a concavo-convex pattern according to the present invention, the mold is made light transmissive, a marker for alignment is provided on the surface of the concavo-convex pattern portion of the mold, and the concavo-convex pattern is transferred and formed using this marker as a mark. When producing a pattern laminated structure in which a plurality of patterns are laminated, the concave / convex pattern can be accurately formed at a predetermined position.
以下本発明を実施するための最良の形態の例を説明するが、本発明は以下の例に限定されるものではない。
本発明によるモールドの製造方法は、算術平均粗度Ｒａが１００ｎｍ以下の表面を有する金属部の表面に、凹凸パターンを有するマスターモールドを押し付けて、この凹凸パターンを金属部に転写してモールドの凹凸パターン部を形成する。
このようにして形成される本発明構成のモールドは、算術平均粗度Ｒａが１００ｎｍ以下の金属から成る凹凸パターン部を有する構成であり、凹凸パターン部を構成する金属よりも硬度の大なる材料より成るマスターモールドを用いることにより、良好に数百ｎｍ以下の凹凸パターンが転写形成され、かつマスターモールドの耐久性を確保することができる。
特に、本発明のモールドにおいて、少なくとも凹凸パターン部を、Ｂｉ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｉｎ、Ｉｒ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｓｂ、Ｓｉ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｙのうちの単体、あるいはこれらとＡｇ、Ａｌ、Ａｕ、Ｐｂ、Ｓｎを含めた材料の合金より構成し、マスターモールドの材料に対して適切な材料を選定することによって、より微小なナノサイズのパターンを高い精度をもって転写することが可能であり、かつ、モールドとしてパターン形成に使用可能な強度を保持することができる。
なお、目的とする凹凸パターンのサイズによって、例えば１００ｎｍ以下の幅及び深さの凹凸を形成しようとする場合は、凹凸パターン部のＲａとしては、５０ｎｍ以下とすることが望ましい。特に、光記録媒体製造用の原盤、いわゆるスタンパを作製する場合においては、Ｒａが１ｎｍ未満程度の光学的な平坦面とすることが望まれる。そのためには、金属単体よりも、合金を用いるほうが、アモルファスとなるのでＲａを例えば１ｎｍ未満程度に抑えることが可能となるという利点を有する。
Examples of the best mode for carrying out the present invention will be described below, but the present invention is not limited to the following examples.
In the mold manufacturing method according to the present invention, a master mold having a concavo-convex pattern is pressed against the surface of a metal part having a surface with an arithmetic average roughness Ra of 100 nm or less, and the concavo-convex pattern is transferred to the metal part. A pattern portion is formed.
The mold of the present invention thus formed has a concavo-convex pattern portion made of a metal having an arithmetic average roughness Ra of 100 nm or less, and is made of a material having a hardness higher than that of the metal constituting the concavo-convex pattern portion. By using such a master mold, a concave and convex pattern of several hundred nm or less can be satisfactorily transferred and the durability of the master mold can be ensured.
In particular, in the mold of the present invention, at least the concavo-convex pattern portion is made of Bi, Co, Cr, Cu, Fe, In, Ir, Mg, Mn, Ni, Pd, Pt, Sb, Si, W, Mo, Ta, Nb, By constituting a single material of Ti, Zr, Hf, Y or an alloy of these and materials including Ag, Al, Au, Pb, Sn, and selecting an appropriate material for the material of the master mold, It is possible to transfer a finer nano-sized pattern with high accuracy and to maintain strength that can be used for pattern formation as a mold.
For example, when an unevenness having a width and depth of 100 nm or less is to be formed depending on the size of the intended uneven pattern, the Ra of the uneven pattern portion is desirably 50 nm or less. In particular, in the case of producing a master disk for manufacturing an optical recording medium, a so-called stamper, it is desired that the optical flat surface has an Ra of less than about 1 nm. For this purpose, using an alloy rather than a single metal has an advantage that Ra can be suppressed to, for example, less than about 1 nm because it becomes amorphous.
本発明のモールドの材料と、これに対しパターンを転写する際に用いるマスターモールド材料として代表的な材料を検討した結果を以下に示す。
多結晶のＳｉＣ、バルクのアルミニウム基板、スパッタリング法でＳｉ基板上に形成したＡｌ−Ｈｆ合金薄膜の各材料を用意し、これらにダイヤモンド三角錐を押し込んで材料の硬度を正確に評価できる押し込み負荷除去法によって、硬さと押し込み深さの関係を測定して、材料の定量的な硬度を評価した。各材料の硬度を定量的に評価した結果を、図１〜図３に示す。
図１の結果から、多結晶ＳｉＣの硬度が５５ＧＰａ、図２の結果からＡｌ基板が０．２５〜１．５ＧＰａ、図３の結果からＡｌ−Ｈｆ合金が５ＧＰａであることがわかる。よって、多結晶ＳｉＣをマスターモールド材料、バルクＡｌ基板及びＡｌ−Ｈｆ合金をモールド材料として選択すれば、パターン転写が行えることがわかる。
しかしながら、Ａｌ単体の場合は、比較的硬度が低いため、サブミクロン以下の例えば数百ｎｍ、数十ｎｍ程度の凹凸パターンを転写するモールド材料としては、硬度が十分でない恐れがある。Ａｌ−Ｈｆ合金は、数百ｎｍ、数十ｎｍ程度の凹凸パターンを転写するモールドの材料として十分高い硬度が得られる。
The results of studying typical materials as the master mold material used when transferring the pattern to the material of the mold of the present invention are shown below.
We prepare materials for polycrystalline SiC, bulk aluminum substrate, and Al-Hf alloy thin film formed on Si substrate by sputtering method, and indentation load removal that can accurately evaluate material hardness by pushing diamond triangular pyramid into these materials The quantitative hardness of the material was evaluated by measuring the relationship between hardness and indentation depth. The results of quantitative evaluation of the hardness of each material are shown in FIGS.
1 shows that the hardness of polycrystalline SiC is 55 GPa, the result of FIG. 2 shows that the Al substrate is 0.25 to 1.5 GPa, and the result of FIG. 3 shows that the Al—Hf alloy is 5 GPa. Therefore, it can be seen that pattern transfer can be performed if polycrystalline SiC is selected as the master mold material, bulk Al substrate and Al—Hf alloy as the mold material.
However, since the hardness of Al alone is relatively low, the hardness may not be sufficient as a mold material for transferring a concavo-convex pattern of sub-micron or less, for example, several hundred nm or several tens of nm. The Al—Hf alloy has a sufficiently high hardness as a mold material for transferring a concavo-convex pattern of about several hundred nm or several tens of nm.
なお、上述のＡｌ−Ｈｆ合金と同等程度の硬度を有する材料を組み合わせても、同様に良好なパターン転写を行うことが可能である。すなわち、本発明のモールドに用いて好適なマスターモールドの材料としては、Ｓｉ、ＳｉＣ、ダイヤモンド、Ａｌ２Ｏ３のうち１つの材料より成るか、あるいは、Ｓｉ基板上にＳｉＣ又はダイヤモンドを成膜した構成とすることにより、上記材料より成る本発明構成のモールドに対し良好に数百ｎｍ以下のナノサイズの凹凸パターンを転写することができる。 Even when a material having the same degree of hardness as the above-described Al—Hf alloy is combined, good pattern transfer can be similarly performed. That is, as a material of a master mold suitable for use in the mold of the present invention, it is made of one material of Si, SiC, diamond, Al 2 O 3 , or SiC or diamond is formed on a Si substrate. By adopting the configuration, a nano-sized uneven pattern with a size of several hundred nm or less can be transferred to the mold of the present invention made of the above material.
更に、本発明のモールドにおいて、凹凸パターン部を、例えば基板上に形成された膜厚１０μｍ以下の薄膜より構成することもできる。この場合の膜厚の下限としては、目的とする凹凸パターンの深さを超える膜厚以上とする。また、１０μｍを超える場合は成膜時間が長くなり、生産性が低下する恐れがある。したがって、１０μｍ以下とすることが望ましい。
このように、凹凸パターン部を薄膜により構成する場合は、特に合金により構成する場合に材料の選定が容易となり、またスパッタリング法を用いて所定の混合比をもって容易に精度良く作製することができるという利点を有する。
Furthermore, in the mold of the present invention, the concavo-convex pattern portion can be composed of, for example, a thin film having a thickness of 10 μm or less formed on the substrate. In this case, the lower limit of the film thickness is equal to or greater than the film thickness exceeding the depth of the target concavo-convex pattern. On the other hand, when the thickness exceeds 10 μm, the film formation time becomes long, and the productivity may be lowered. Therefore, it is desirable to set it as 10 micrometers or less.
Thus, when the concavo-convex pattern portion is composed of a thin film, it is easy to select a material, particularly when composed of an alloy, and it can be easily and accurately produced with a predetermined mixing ratio using a sputtering method. Have advantages.
図４Ａ〜Ｄは、このような薄膜型構成のモールドの製造方法の一例の製造工程図である。先ず、図４Ａに示すように、例えばＳｉより成る基板１の上に、Ｔｉ等より成る密着層２、Ａｌ合金より成る金属部３ａをスパッタリング等によりそれぞれ成膜する。密着層２としては、その他Ｃｒ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｗ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｃｒ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５、Ｎｂ２Ｏ５、ＨｆＯ２等を用いることができる。そして、この金属部３ａに対して、例えばＳｉＣより成るマスターモールド３０を矢印ａで示すように所定の圧力をもって押圧して、図４Ｂに示すように、モールド１０の表面にこの場合Ａｌ合金より成る凹凸パターン部３を形成する。
なお、金属部３ａを、Ｃｕ等の単体により構成する場合など、その算術平均粗度Ｒａが数百ｎｍを超える場合は、化学的機械的研磨（ＣＭＰ：Chemical Mechanical Polishing）法により表面を研磨することが望ましい。
そして、この後図４Ｃに示すように、例えばＰＭＭＡ等の光硬化性樹脂等の転写材５をモールド１０の凹凸パターン部３の上に塗布し、光を照射して、図４Ｄに示すように、モールド１０の凹凸パターンが転写された凹凸パターン体２０を形成することができる。
このような製造方法を利用して、光記録媒体を作製するための原盤、いわゆるスタンパを作製することによって、数百ｎｍ以下、１００ｎｍ以下の凹凸パターンを良好に転写形成することができる。
なお、上述の例においては、基板上に薄膜を形成する例を説明したが、Ａｌ合金等より成る例えば薄板状の金属部を用いて、上述の製造方法により同様に本発明構成のモールドを製造することができる。
4A to 4D are manufacturing process diagrams of an example of a method for manufacturing a mold having such a thin film mold configuration. First, as shown in FIG. 4A, an adhesion layer 2 made of Ti or the like and a metal portion 3a made of an Al alloy are formed on a substrate 1 made of Si, for example, by sputtering or the like. As the adhesion layer 2, Cr, Ta, Nb, W, Zr, Hf, Cr 2 O 3 , Ta 2 O 5 , Nb 2 O 5 , HfO 2 or the like can be used. Then, a master mold 30 made of, for example, SiC is pressed against the metal portion 3a with a predetermined pressure as shown by an arrow a, and the surface of the mold 10 is made of an Al alloy in this case as shown in FIG. 4B. The uneven pattern portion 3 is formed.
When the arithmetic average roughness Ra exceeds several hundred nm, such as when the metal part 3a is made of a simple substance such as Cu, the surface is polished by a chemical mechanical polishing (CMP) method. It is desirable.
Then, as shown in FIG. 4C, a transfer material 5 such as a photocurable resin such as PMMA is applied on the concave / convex pattern portion 3 of the mold 10 and irradiated with light, as shown in FIG. 4D. The concavo-convex pattern body 20 to which the concavo-convex pattern of the mold 10 is transferred can be formed.
By using such a manufacturing method, a master for producing an optical recording medium, that is, a so-called stamper can be produced, whereby a concavo-convex pattern of several hundred nm or less and 100 nm or less can be transferred and formed satisfactorily.
In the above example, the example in which the thin film is formed on the substrate has been described. However, the mold having the configuration of the present invention is similarly manufactured by the above-described manufacturing method using, for example, a thin plate-shaped metal portion made of an Al alloy or the like. can do.
図５は、多結晶ＳｉＣを加工して作製したマスターモールドの表面の測長ＳＥＭ（Scanning Electron Microscopy、走査型電子顕微鏡）による観察写真図である。１３０ｎｍ×１３０ｎｍのドットパターンが、ピッチ２５０ｎｍ程度で良好に形成されていることがわかる。
図６は、図５に示したＳｉＣより成るマスターモールドのパターンを、３５００ｋｇｆ／ｃｍ２（〜３４３ＭＰａ）のプレス圧力で、Ａｌ−Ｈｆ合金をスパッタリング法により基板上に形成して成る金属部の表面へ転写したパターンのＳＥＭによる観察写真図である。また、このＡｌ−Ｈｆ合金より成る金属部の断面をＳＴＥＭ（Scanning Transmission Microscopy、走査透過型電子顕微鏡）により観察した写真図を図７及び図８に示す。図６〜図８から、直径φが８０ｎｍ、深さ８０ｎｍのホールが、ピッチＰ〜２５０ｎｍで形成されていることがわかる。
つまり、この例においては、マスターモールドの材料に対してモールドの凹凸パターン部の材料を適切に選定することによって、弾性変形主体ではなく、塑性変形を主体とした転写を行うことを実現し、精度良く良好にナノサイズレベル、すなわちこの場合数十〜数百ｎｍの凹凸パターンの転写を行うことが可能となっていることがわかる。
FIG. 5 is an observation photograph of a surface of a master mold produced by processing polycrystalline SiC using a length measuring SEM (Scanning Electron Microscopy). It can be seen that a dot pattern of 130 nm × 130 nm is well formed with a pitch of about 250 nm.
FIG. 6 shows the surface of the metal part formed by forming the pattern of the master mold made of SiC shown in FIG. 5 on the substrate by a sputtering method with an Al—Hf alloy at a pressing pressure of 3500 kgf / cm 2 (˜343 MPa). It is the observation photograph figure by SEM of the pattern transcribe | transferred to. Moreover, the photograph figure which observed the cross section of the metal part which consists of this Al-Hf alloy by STEM (Scanning Transmission Microscopy, scanning transmission electron microscope) is shown in FIG.7 and FIG.8. 6 to 8, it can be seen that holes having a diameter φ of 80 nm and a depth of 80 nm are formed at a pitch P of 250 nm.
In other words, in this example, by appropriately selecting the material of the concave and convex pattern portion of the mold with respect to the material of the master mold, it is possible to perform transfer mainly based on plastic deformation, not on the main body of elastic deformation. It can be seen that it is possible to transfer a concavo-convex pattern having a nano-size level, that is, in this case, several tens to several hundreds of nanometers.
なお、上述したように、ＳｉＣ多結晶の硬度は５５ＧＰａなので、前述した本発明のモールドを構成する材料、すなわちＢｉ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｉｎ、Ｉｒ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｓｂ、Ｓｉ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｙの内の単体、あるいはこれらとＡｇ、Ａｌ、Ａｕ、Ｐｂ、Ｓｎを含めた材料の合金をモールドとして使用した場合に、マスターモールドとして使用して良好にパターンを転写することができる。
一方、例えばＳｉをマスターモールド材料とした場合には、マスターモールドの耐久性の観点からモールド材料として選択する金属として金属に中に含まれるＷ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｙの含有量の総計は、３０ａｔ％以下であることが望ましい。
As described above, since the hardness of the SiC polycrystal is 55 GPa, the material constituting the mold of the present invention, that is, Bi, Co, Cr, Cu, Fe, In, Ir, Mg, Mn, Ni, Pd, When a single piece of Pt, Sb, Si, W, Mo, Ta, Nb, Ti, Zr, Hf, Y or an alloy of these and materials including Ag, Al, Au, Pb, Sn is used as a mold In addition, the pattern can be transferred satisfactorily by using as a master mold.
On the other hand, for example, when Si is used as a master mold material, W, Mo, Ta, Nb, Ti, Zr, Hf, Y contained in the metal as a metal to be selected as a mold material from the viewpoint of the durability of the master mold. The total content of is desirably 30 at% or less.
図９及び図１０は、図６に示すモールドを鋳型にして光硬化樹脂にナノサイズのドットパターンを転写した凹凸パターン体を、ＡＦＭ（Atomic Force Microscopy：原子間力顕微鏡）により観察した写真図である。直径及び深さ８０nmのナノサイズのドットパターンが欠けることなく、ピッチ２５０ｎmで精度良く形成されていることがわかる。
したがって、本発明構成のモールドを用いることによって、数十〜数百ｎｍの凹凸パターンを精度良く良好に被転写体に転写することができることがわかる。
FIG. 9 and FIG. 10 are photographic views of the concavo-convex pattern body obtained by transferring the nano-sized dot pattern onto the photo-curing resin using the mold shown in FIG. 6 as a mold, and observed with an AFM (Atomic Force Microscopy). is there. It can be seen that the nano-sized dot pattern with a diameter and a depth of 80 nm is formed accurately with a pitch of 250 nm without being lost.
Therefore, it can be seen that, by using the mold having the structure of the present invention, a concavo-convex pattern of several tens to several hundreds of nanometers can be transferred to a transfer target with good accuracy.
次に、本発明のモールドにおいて、光透過性を有する構成とする例について説明する。
図１１Ａ〜Ｄは、本発明のモールドの製造方法の一例の製造工程を示し、例えば半導体装置の種々のパターニング工程に利用されるレジストパターン形成工程のように、多数のパターンを積層して形成する場合に好適な製造方法の一例である。
Next, an example in which the mold of the present invention has a light-transmitting configuration will be described.
11A to 11D show an example of a manufacturing process of a mold manufacturing method according to the present invention. For example, a resist pattern forming process used in various patterning processes of a semiconductor device is formed by laminating a large number of patterns. It is an example of the manufacturing method suitable for the case.
先ず、光透過性の例えば硬質ガラスより成る基板１１を用意する。この基板１１としては、モールドを使用する波長帯域において所望の光透過性を有する材料であればよい。この基板１１の上に、例えば密着層２として、酸化されると透明になるＴｉ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｎｂ等より成る材料をスパッタリング法により厚さ５０ｎｍ以下として形成する。そしてこの上に、前述の材料より成るＡｌ−ＨｆやＡｌ−Ｔｉなどの合金より成る金属部１３ａを、スパッタリング法で形成する。そして、図１１Ａに示すように、例えばＳｉＣより成るマスターモールド３０の凹凸パターンを、矢印ａで示すように、１０００〜５０００ｋｇｆ／ｃｍ２（９８〜４９０ＭＰａ）のプレス圧力で押圧して、金属部１３ａ上に転写する。 First, a light-transmitting substrate 11 made of, for example, hard glass is prepared. The substrate 11 may be any material having a desired light transmittance in a wavelength band in which a mold is used. On the substrate 11, for example, a material made of Ti, Cr, Ta, Nb or the like that becomes transparent when oxidized is formed to have a thickness of 50 nm or less as the adhesion layer 2 by sputtering. On top of this, a metal portion 13a made of an alloy such as Al—Hf or Al—Ti made of the aforementioned material is formed by sputtering. And as shown to FIG. 11A, the uneven | corrugated pattern of the master mold 30 which consists of SiC, for example, is pressed with the press pressure of 1000-5000 kgf / cm < 2 > (98-490 MPa) as shown by the arrow a, The metal part 13a Transfer on top.
転写した金属部１３ａ及び密着層２を陽極酸化法により酸化することで、光透過性のモールド１０を得ることができる。
そしてこの光透過性のモールド１０を用いて、図１１Ｃに示すように、例えば基板２１上にスピンコートしたレジスト２２に密着させることで、図１１Ｄに示すように、簡単に１００ｎｍ以下程度の幅及び深さのレジストパターンを形成することができる。
The light-transmitting mold 10 can be obtained by oxidizing the transferred metal portion 13a and the adhesion layer 2 by an anodic oxidation method.
Then, by using this light-transmitting mold 10, as shown in FIG. 11C, for example, by being brought into close contact with the resist 22 spin-coated on the substrate 21, as shown in FIG. 11D, a width of about 100 nm or less and A resist pattern having a depth can be formed.
また、図１２Ａ〜Ｄにおいては、前述の例における密着層に換えて透明電極を設ける場合の製造方法の一例の工程図を示す。この場合においても、モールドの基板材料としては、光透過性の例えば硬質ガラスを用いることができ、この基板１１の上に、透明電極となる電極材１２ａを形成する。この電極材１２ａとしては、例えばインジウム・スズ・オキサイド（ＩＴＯ）、あるいはスズ・オキサイド、あるいはＴｉ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ｗの内少なくとも１種類以上の元素を３０ａｔ％以下含むインジウム・スズ・オキサイド又はスズ・オキサイドを用いることができる。そして電極材１２ａの上に、Ａｌ合金等より成る金属部１３ａをスパッタリング等により形成し、マスターモールド３０の凹凸パターンを矢印ａで示すように所定の圧力をもって押圧し、図１２Ｂに示すように、凹凸パターン部１３を形成する。 12A to 12D show process diagrams of an example of a manufacturing method in the case where a transparent electrode is provided instead of the adhesion layer in the above example. Also in this case, as a mold substrate material, for example, light-transmitting hard glass can be used, and an electrode material 12 a serving as a transparent electrode is formed on the substrate 11. As this electrode material 12a, for example, indium tin oxide containing at least one element of indium tin oxide (ITO), tin oxide, or Ti, Ta, Nb, Zr, Mo, and W at 30 at% or less. Oxide or tin oxide can be used. Then, a metal part 13a made of an Al alloy or the like is formed on the electrode material 12a by sputtering or the like, and the concave / convex pattern of the master mold 30 is pressed with a predetermined pressure as shown by an arrow a, and as shown in FIG. The uneven pattern portion 13 is formed.
そして、このようにして凹凸パターン部１３を形成した基板１１を、例えば濃度が０．１〜０．５Ｍ（モル濃度）の蓚酸浴あるいは硫酸浴あるいは燐酸浴中において、１０〜１００Ｖで陽極酸化することによって、光透過性のモールド１０を得ることができる。
この光透過性のモールド１０を使用すれば、既に基板上に作製してある凹凸パターンの上に、正確な位置合わせ精度でレジストパターンを形成することができる。特に、例えばモールド１０の表面の一部に位置合わせ用のマークを設けることによって、このマークを目印としてより簡便に精度良く位置合わせを行うことが可能となる。
そして、このようなモールド１０を利用して、前述の図１Ｃ及びＤにおいて説明した例と同様に、基板２１上に塗布したレジスト２２に対して、所望のナノサイズ程度の凹凸パターンを形成して凹凸パターン体２０を作製することができる。
Then, the substrate 11 having the concavo-convex pattern portion 13 formed in this manner is anodized at 10 to 100 V, for example, in an oxalic acid bath, sulfuric acid bath or phosphoric acid bath having a concentration of 0.1 to 0.5 M (molar concentration). Thus, the light transmissive mold 10 can be obtained.
If this light-transmitting mold 10 is used, a resist pattern can be formed with an accurate alignment accuracy on the concavo-convex pattern already formed on the substrate. In particular, for example, by providing a mark for alignment on a part of the surface of the mold 10, it is possible to perform alignment more simply and accurately using this mark as a mark.
Then, using such a mold 10, a concavo-convex pattern of a desired nanosize is formed on the resist 22 applied on the substrate 21, similarly to the example described in FIGS. 1C and D described above. The uneven pattern body 20 can be produced.
なお、図１１及び図１２は、レジストにモールドの凹凸パターンを転写した例であるが、図４において説明したように、ＰＭＭＡ等の熱硬化樹脂を用いても同様な凹凸パターンの転写が可能であることはいうまでもない。
なお、本発明のモールドにおいて、凹凸パターン部を構成する合金は、ＡｌｘＭ１−ｘと表され、上記Ｍを、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｉｎ、Ｉｒ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｓｂ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｙのうち少なくとも１種類の金属より成る単体あるいは合金とするか、あるいは、凹凸パターンを構成する合金を、ＭｇＭ´１−ｘと表して、このＭ´を、Ａｇ、Ａｌ、Ａｕ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｉｎ、Ｉｒ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｓｂ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｙのうち少なくとも１種類の金属より成る単体あるいは合金として、上記ｘを、
０．０５≦ｘ≦０．９９
（ただしｘは原子％）とすることにより、良好に陽極酸化を行うことができる。
11 and 12 show examples in which the concave / convex pattern of the mold is transferred to the resist. However, as described with reference to FIG. 4, a similar concave / convex pattern can be transferred using a thermosetting resin such as PMMA. Needless to say.
In the mold of the present invention, the alloy constituting the concavo-convex pattern portion is represented as Al x M 1-x, and M is Ag, Au, Co, Cr, Cu, Fe, In, Ir, Mg, Mn Ni, Pd, Pt, Sb, Si, Sn, W, Mo, Ta, Nb, Ti, Zr, Hf, Y, or a single element or alloy made of a metal, or a concavo-convex pattern The alloy to be expressed is MgM ′ 1-x, and this M ′ is represented by Ag, Al, Au, Co, Cr, Cu, Fe, In, Ir, Mn, Ni, Pd, Pt, Sb, Si, Sn, As a simple substance or alloy made of at least one kind of metal among W, Mo, Ta, Nb, Ti, Zr, Hf, and Y, the above x
0.05 ≦ x ≦ 0.99
By setting (where x is atomic%), anodic oxidation can be performed satisfactorily.
次に、本発明によるモールド及びその製造方法の実施例の各例を説明する。各例ともに、良好な精度をもって凹凸パターンを転写したモールドを得ることができ、またマスターモールドの耐久性が保持されることを確認できた。 Next, each example of the embodiment of the mold and the manufacturing method thereof according to the present invention will be described. In each example, it was possible to obtain a mold having a concavo-convex pattern transferred with good accuracy, and to confirm that the durability of the master mold was maintained.
（１）実施例１
Ｓｉ単結晶基板上にスパッタリング法でＡｌ−Ｔｉ合金（Ｔｉを１０ａｔ％含有）を１００ｎｍ成膜する。この基板をモールドとして多結晶ＳｉＣを加工して作製したマスターモールドを、３０００ｋｇｆ／ｃｍ２（〜２９４ＭＰａ）のプレス圧力で圧着することで、マスターモールド上に形成したナノサイズの凹凸パターンを転写したモールドを作製する。
(1) Example 1
An Al—Ti alloy (containing 10 at% Ti) is formed to a thickness of 100 nm on a Si single crystal substrate by sputtering. A mold in which a nano-sized uneven pattern formed on a master mold is transferred by press-bonding a master mold produced by processing polycrystalline SiC using this substrate as a mold with a pressing pressure of 3000 kgf / cm 2 (˜294 MPa). Is made.
（２）実施例２
Ｓｉ単結晶基板上に、スパッタリング法でＮｉ−Ｔｉ合金（Ｔｉ１０ａｔ％含有）を１００ｎｍ成膜する。この基板をモールドとして、多結晶ＳｉＣを加工して作製したマスターモールドを、３０００ｋｇｆ／ｃｍ２（〜２９４ＭＰａ）のプレス圧力で圧着することで、マスターモールド上に形成したナノサイズの凹凸パターンを転写したモールドを作製する。
(2) Example 2
A Ni—Ti alloy (containing Ti 10 at%) is deposited to a thickness of 100 nm on a Si single crystal substrate by sputtering. A master mold produced by processing polycrystalline SiC using this substrate as a mold was pressure-bonded with a press pressure of 3000 kgf / cm 2 (up to 294 MPa) to transfer the nano-sized uneven pattern formed on the master mold. A mold is produced.
（３）実施例３
Ｓｉ単結晶基板上に、スパッタリング法でＡｇ−Ｔｉ合金（Ｔｉ１０ａｔ％含有）を１００ｎｍ成膜する。この基板をモールドとして、多結晶ＳｉＣを加工して作製したマスターモールドを、３０００ｋｇｆ／ｃｍ２（〜２９４ＭＰａ）のプレス圧力で圧着することで、マスターモールド上に形成したナノサイズの凹凸パターンを転写したモールドを作製する。
(3) Example 3
An Ag—Ti alloy (containing Ti 10 at%) is formed to a thickness of 100 nm on a Si single crystal substrate by sputtering. A master mold produced by processing polycrystalline SiC using this substrate as a mold was pressure-bonded with a press pressure of 3000 kgf / cm 2 (up to 294 MPa) to transfer the nano-sized uneven pattern formed on the master mold. A mold is produced.
（４）実施例４
Ｓｉ単結晶基板上に、スパッタリング法でＡｇ−Ｔａ合金（Ｔａ１０ａｔ％含有）を１００ｎｍ成膜する。この基板をモールドとして、単結晶Ｓｉを加工して作製したマスターモールドを、３５００ｋｇｆ／ｃｍ２（〜３４３ＭＰａ）のプレス圧力で圧着することで、マスターモールド上に形成したナノサイズのパターンを転写したモールドを作製する。
(4) Example 4
An Ag—Ta alloy (containing Ta 10 at%) is formed to a thickness of 100 nm on a Si single crystal substrate by sputtering. A mold in which a nano-sized pattern formed on the master mold is transferred by press-bonding a master mold produced by processing single crystal Si using this substrate as a mold with a pressing pressure of 3500 kgf / cm 2 (˜343 MPa). Is made.
（５）実施例５
Ｓｉ単結晶基板上に、スパッタリング法でＮｉ−Ｔａ合金（Ｔａ１０ａｔ％含有）を１００ｎｍ成膜する。この基板をモールドとして、単結晶Ｓｉを加工して作製したマスターモールドを、３５００ｋｇｆ／ｃｍ２（〜３４３ＭＰａ）のプレス圧力で圧着することで、マスターモールド上に形成したナノサイズの凹凸パターンを転写したモールドを作製する。
(5) Example 5
A Ni—Ta alloy (containing Ta 10 at%) is deposited to a thickness of 100 nm on a Si single crystal substrate by sputtering. A master mold produced by processing single crystal Si using this substrate as a mold was pressure-bonded with a press pressure of 3500 kgf / cm 2 (˜343 MPa), thereby transferring a nano-sized uneven pattern formed on the master mold. A mold is produced.
（６）実施例６
Ｓｉ単結晶基板上に、スパッタリング法でＡｌ−Ｔａ合金（Ｔａ１０ａｔ％含有）を１００ｎｍ成膜する。この基板をモールドとして、単結晶Ｓｉを加工して作製したマスターモールドを、３５００ｋｇｆ／ｃｍ２（〜３４３ＭＰａ）のプレス圧力で圧着することで、マスターモールド上に形成したナノサイズの凹凸パターンを転写したモールドを作製する。
(6) Example 6
An Al—Ta alloy (containing Ta 10 at%) is deposited to a thickness of 100 nm on a Si single crystal substrate by sputtering. A master mold produced by processing single crystal Si using this substrate as a mold was pressure-bonded with a press pressure of 3500 kgf / cm 2 (˜343 MPa), thereby transferring a nano-sized uneven pattern formed on the master mold. A mold is produced.
（７）実施例７
Ｓｉ単結晶基板上に、スパッタリング法でＡｌ−Ｗ合金を８００ｎｍ成膜する。この基板の表面を、粒径３０ｎｍ〜８０ｎｍのＳｉＯ２粒子を含有したアルカリ性研磨液を用いてＲａが１ｎｍ以下になるまでＣＭＰ法で平坦化する。この基板をモールドとして、単結晶Ｓｉを加工して作製したマスターモールドを、３５００ｋｇｆ／ｃｍ２（〜３４３ＭＰａ）のプレス圧力で圧着することで、マスターモールド上に形成したナノサイズの凹凸パターンを転写したモールドを作製する。
(7) Example 7
An Al—W alloy film having a thickness of 800 nm is formed on a Si single crystal substrate by sputtering. The surface of this substrate is planarized by CMP using an alkaline polishing liquid containing SiO 2 particles having a particle size of 30 nm to 80 nm until Ra becomes 1 nm or less. A master mold produced by processing single crystal Si using this substrate as a mold was pressure-bonded with a press pressure of 3500 kgf / cm 2 (˜343 MPa), thereby transferring a nano-sized uneven pattern formed on the master mold. A mold is produced.
（８）実施例８
ガラス基板上に、スパッタリング法で密着層としてＴｉ３０ｎｍを成膜した上に、Ａｌ−Ｔｉ（Ｔｉ含有１０ａｔ％）を２００ｎｍスパッタリング法で成膜する。Ｓｉ単結晶基板に、電子線露光法によるレジストパターン形成及びＲＩＥ法で加工して幅及び深さ１００ｎｍの微細パターンを形成したマスターモールドを用意し、ガラス基板上のＡｌ−Ｔｉ層に対し、プレス圧力３５００ｋｇｆ／ｃｍ２（〜３４３ＭＰａ）で圧着させることで、微細凹凸パターンを転写する。
この基板を、０．２５Ｍ蓚酸溶液中で５０Ｖの電圧を１０分間印加し、陽極酸化することで光学的に透明なモールドを作製する。
(8) Example 8
On a glass substrate, Ti 30 nm was formed as an adhesion layer by a sputtering method, and then Al—Ti (Ti-containing 10 at%) was formed by a 200 nm sputtering method. A master mold having a resist pattern formed by an electron beam exposure method and processed by an RIE method to form a fine pattern with a width and depth of 100 nm is prepared on an Si single crystal substrate, and pressed against an Al-Ti layer on a glass substrate. The fine concavo-convex pattern is transferred by pressure bonding at a pressure of 3500 kgf / cm 2 (˜343 MPa).
The substrate is anodized by applying a voltage of 50 V for 10 minutes in a 0.25 M oxalic acid solution to produce an optically transparent mold.
（９）実施例９
ガラス基板上に、スパッタリング法で密着層としてＴａ３０ｎｍを成膜した上に、Ｍｇ−Ｔａ（Ｔａ含有１０ａｔ％）を２００ｎｍスパッタリング法で成膜する。Ｓｉ単結晶基板に、電子線露光法によるレジストパターン形成及びＲＩＥ法で加工して幅及び深さ１００ｎｍの微細パターンを形成したマスターモールドを用意し、ガラス基板上のＭｇ−Ｔａ層に対し、プレス圧力３５００ｋｇｆ／ｃｍ２（〜３４３ＭＰａ）で圧着させることで微細パターンを転写する。この基板を、０．２５Ｍ蓚酸溶液中で５０Ｖの電圧を１０分間印加し、陽極酸化することで光学的に透明なモールドを作製する。
(9) Example 9
On the glass substrate, Ta 30 nm was formed as an adhesion layer by sputtering, and then Mg—Ta (Ta-containing 10 at%) was formed by 200 nm sputtering. A master mold was prepared on a Si single crystal substrate by forming a resist pattern by electron beam exposure and processing by RIE to form a fine pattern with a width and depth of 100 nm, and pressed against the Mg-Ta layer on the glass substrate. The fine pattern is transferred by pressure bonding at a pressure of 3500 kgf / cm 2 (˜343 MPa). The substrate is anodized by applying a voltage of 50 V for 10 minutes in a 0.25 M oxalic acid solution to produce an optically transparent mold.
（１０）実施例１０
ガラス基板上に、スパッタリング法で電極材としてインジウム・スズ・オキサイド５０ｎｍを成膜した上に、Ａｌ−Ｔｉ（Ｔｉ含有１０ａｔ％）を２００ｎｍスパッタリング法で成膜する。Ｓｉ単結晶基板に電子線露光法によるレジストパターン形成及びＲＩＥ法で加工して幅及び深さ１００ｎｍの微細パターンを形成したマスターモールドを用意し、ガラス基板上のＡｌ−Ｔｉ層に対し、プレス圧力３５００ｋｇｆ／ｃｍ２（〜３４３ＭＰａ）で圧着させることで微細パターンを転写する。この基板を、０．２５Ｍ蓚酸溶液中で５０Ｖの電圧を１０分間し、陽極酸化することで光学的に透明なモールドを作製する。
(10) Example 10
On the glass substrate, an indium tin oxide 50 nm film was formed as an electrode material by a sputtering method, and then Al—Ti (Ti-containing 10 at%) was formed by a 200 nm sputtering method. Prepare a master mold in which a resist pattern is formed on an Si single crystal substrate by electron beam exposure and processed by RIE to form a fine pattern having a width and depth of 100 nm. Press pressure is applied to the Al-Ti layer on the glass substrate. The fine pattern is transferred by pressure bonding at 3500 kgf / cm 2 (˜343 MPa). The substrate is anodized by applying a voltage of 50 V for 10 minutes in a 0.25 M oxalic acid solution to produce an optically transparent mold.
（１１）実施例１１
ガラス基板上に、スパッタリング法で電極材としてスズ・オキサイド５０ｎｍを成膜した上に、Ａｌ−Ｔａ（Ｔａ含有１０ａｔ％）を２００ｎｍスパッタリング法で成膜する。Ｓｉ単結晶基板に電子線露光法によるレジストパターン形成及びＲＩＥ法で加工して幅及び深さ１００ｎｍの微細パターンを形成したマスターモールドを用意し、ガラス基板上のＡｌ−Ｔａ層に対し、プレス圧力３５００ｋｇｆ／ｃｍ２（〜３４３ＭＰａ）で圧着させることで微細パターンを転写する。この基板を、０．２５Ｍ蓚酸溶液中で５０Ｖの電圧を1０分間印加し、陽極酸化することで光学的に透明なモールドを作製する。
(11) Example 11
On the glass substrate, 50 nm of tin oxide was formed as an electrode material by a sputtering method, and then Al—Ta (Ta-containing 10 at%) was formed by a 200 nm sputtering method. A master mold was prepared by forming a resist pattern by an electron beam exposure method on an Si single crystal substrate and processing it by an RIE method to form a fine pattern having a width and depth of 100 nm. Press pressure against an Al-Ta layer on a glass substrate The fine pattern is transferred by pressure bonding at 3500 kgf / cm 2 (˜343 MPa). The substrate is anodized by applying a voltage of 50 V for 10 minutes in a 0.25 M oxalic acid solution to produce an optically transparent mold.
（１２）実施例１２
ガラス基板上に、スパッタリング法で電極材としてインジウム・スズ・タイタニウム・オキサイド５０ｎｍを成膜した上に、Ａｌ−Ｔｉ（Ｔｉ含有1０ａｔ％）を２００ｎｍスパッタリング法で成膜する。Ｓｉ単結晶基板に電子線露光法によるレジストパターン形成及びＲＩＥ法で加工して幅及び深さ１００ｎｍの微細パターンを形成したマスターモールドを用意し、ガラス基板上のＡｌ−Ｔｉ層に対し、プレス圧力３５００ｋｇｆ／ｃｍ２（〜３４３ＭＰａ）で圧着させることで微細パターンを転写する。この基板を０．２５Ｍ蓚酸溶液中で５０Ｖの電圧を1０分間印加し、陽極酸化することで光学的に透明なモールドを作製する。
(12) Example 12
On the glass substrate, an indium / tin / titanium / oxide film having a thickness of 50 nm is formed as an electrode material by a sputtering method, and then Al—Ti (Ti-containing 10 at%) is formed by a 200 nm sputtering method. Prepare a master mold in which a resist pattern is formed on an Si single crystal substrate by electron beam exposure and processed by RIE to form a fine pattern having a width and depth of 100 nm. Press pressure is applied to the Al-Ti layer on the glass substrate. The fine pattern is transferred by pressure bonding at 3500 kgf / cm 2 (˜343 MPa). The substrate is anodized by applying a voltage of 50 V in a 0.25 M oxalic acid solution for 10 minutes to produce an optically transparent mold.
（１３）実施例１３
ガラス基板上に、スパッタリング法で電極材としてスズ・タイタニウム・オキサイド５０ｎｍを成膜した上に、Ａｌ−Ｔａ（Ｔａ含有１０ａｔ％）を２００ｎｍスパッタリング法で成膜する。Ｓｉ単結晶基板に電子線露光法によるレジストパターン形成及びＲＩＥ法で加工して幅及び深さ１００ｎｍの微細パターンを形成したマスターモールドを用意し、ガラス基板上のＡｌ−Ｔａ層に対し、プレス圧力３５００ｋｇｆ／ｃｍ２（〜３４３ＭＰａ）で圧着させることで微細パターンを転写する。この基板を０．２５Ｍ蓚酸溶液中で５０Ｖの電圧を1０分間印加し、陽極酸化することで光学的に透明なモールドを作製する。
(13) Example 13
On the glass substrate, a film of tin, titanium, and oxide 50 nm is formed as an electrode material by a sputtering method, and then Al—Ta (Ta-containing 10 at%) is formed by a 200 nm sputtering method. A master mold was prepared by forming a resist pattern by an electron beam exposure method on an Si single crystal substrate and processing it by an RIE method to form a fine pattern having a width and depth of 100 nm. Press pressure against an Al-Ta layer on a glass substrate The fine pattern is transferred by pressure bonding at 3500 kgf / cm 2 (˜343 MPa). The substrate is anodized by applying a voltage of 50 V in a 0.25 M oxalic acid solution for 10 minutes to produce an optically transparent mold.
以上説明した各実施例におけるモールドを用いて、それぞれ良好な精度をもって転写材もしくは被加工体に対して凹凸パターンを転写形成することができた。
特に、実施例８〜１３による光学的に透明なモールドを用いて、その表面に位置合わせ用のマークを設けることによって、精度良く凹凸パターンが積層されたパターン積層体を形成することが可能であった。
Using the mold in each of the embodiments described above, it was possible to transfer and form a concavo-convex pattern on a transfer material or workpiece with good accuracy.
In particular, by using the optically transparent molds according to Examples 8 to 13 and providing the alignment marks on the surface, it is possible to form a pattern laminate in which the concave and convex patterns are accurately laminated. It was.
なお、本発明は、上述の各実施の形態の例及び実施例に限定されるものではなく、例えば薄膜型構成とする場合に、基板の材料として金属を被着することが可能な種々の材料を用いるとか、また基板と凹凸パターン部との間に種々の下地層を設けることができる等、本発明構成を逸脱しない範囲において、その他種々の変形、変更が可能であることはいうまでもない。 The present invention is not limited to the examples and examples of the above-described embodiments. For example, in the case of a thin film type configuration, various materials capable of depositing a metal as a substrate material It goes without saying that other various modifications and changes can be made without departing from the structure of the present invention, such as using a substrate and providing various underlayers between the substrate and the uneven pattern portion. .
１．基板、２．密着層、３．凹凸パターン部、３ａ、金属部、４．凹凸パターン、５．転写材、１０．モールド、１１．透明基板、１２．透明電極、１３．凹凸パターン部、１３ａ．金属部、２０．凹凸パターン体、２１．基板、２２．レジスト、３０．マスターモールド 1. Substrate, 2. 2. adhesion layer; 3. Uneven pattern part, 3a, metal part, 4. Uneven pattern, Transfer material, 10. Mold, 11. Transparent substrate, 12. Transparent electrode, 13. Uneven pattern part, 13a. Metal part, 20. Uneven pattern body, 21. Substrate, 22. Resist, 30. Master mold
Claims (16)
ことを特徴とするモールドの製造方法。 Manufacturing of a mold comprising at least a step of pressing a master mold having a concavo-convex pattern onto the surface of a metal part having a surface with an arithmetic average roughness Ra of 100 nm or less, and transferring the concavo-convex pattern to the metal part. Method.
ことを特徴とする請求項１記載のモールドの製造方法。 The method for producing a mold according to claim 1, wherein the metal part is formed on a substrate.
ことを特徴とする請求項１記載のモールドの製造方法。 At least the metal part is made of Bi, Co, Cr, Cu, Fe, In, Ir, Mg, Mn, Ni, Pd, Pt, Sb, Si, W, Mo, Ta, Nb, Ti, Zr, Hf, and Y. The mold manufacturing method according to claim 1, wherein the mold is formed of a single substance or an alloy of these and a material including Ag, Al, Au, Pb, and Sn.
ことを特徴とする請求項２記載のモールドの製造方法。 At least the metal part is made of Bi, Co, Cr, Cu, Fe, In, Ir, Mg, Mn, Ni, Pd, Pt, Sb, Si, W, Mo, Ta, Nb, Ti, Zr, Hf, and Y. The mold manufacturing method according to claim 2, wherein the mold is formed of a single substance or an alloy of these and a material including Ag, Al, Au, Pb, and Sn.
ことを特徴とする請求項１記載のモールドの製造方法。 The method for producing a mold according to claim 1, wherein the surface of the metal part is flattened by a chemical mechanical polishing method before the uneven pattern is transferred.
ことを特徴とする請求項２記載のモールドの製造方法。 The method for producing a mold according to claim 2, wherein the surface of the metal part is flattened by a chemical mechanical polishing method before the uneven pattern is transferred.
陽極酸化により上記凹凸パターン部を光透過性とする
ことを特徴とする請求項２記載のモールドの製造方法。 After transferring the concavo-convex pattern to the metal part to form the concavo-convex pattern part,
The method for producing a mold according to claim 2, wherein the concavo-convex pattern portion is made light transmissive by anodization.
上記基板上に、透明電極を形成し、
上記透明電極上に、上記金属部より成る上記凹凸パターン部を形成し、
その後陽極酸化により上記凹凸パターン部を光透過性とする
ことを特徴とする請求項７記載のモールドの製造方法。 As a material for the substrate, a material having light transmittance for light of at least a predetermined wavelength band,
A transparent electrode is formed on the substrate,
Forming the concavo-convex pattern portion made of the metal portion on the transparent electrode;
The method for producing a mold according to claim 7, wherein the concavo-convex pattern portion is thereafter made light transmissive by anodization.
上記Ｍを、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｉｎ、Ｉｒ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｓｂ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｙのうち少なくとも１種類の金属より成る単体あるいは合金とするか、
あるいは、上記金属部を、ＭｇＭ´１−ｘと表される材料より形成し、
上記Ｍ´を、Ａｇ、Ａｌ、Ａｕ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｉｎ、Ｉｒ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｓｂ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｙのうち少なくとも１種類の金属より成る単体あるいは合金として、
上記ｘを、
０．０５≦ｘ≦０．９９
として形成する
ことを特徴とする請求項７記載のモールドの製造方法。 The metal part is formed from a material expressed as Al x M 1-x ,
M is Ag, Au, Co, Cr, Cu, Fe, In, Ir, Mg, Mn, Ni, Pd, Pt, Sb, Si, Sn, W, Mo, Ta, Nb, Ti, Zr, Hf, Y or a single element or alloy made of at least one kind of metal,
Alternatively, the metal part is formed from a material expressed as MgM ′ 1-x ,
The above M ′ is Ag, Al, Au, Co, Cr, Cu, Fe, In, Ir, Mn, Ni, Pd, Pt, Sb, Si, Sn, W, Mo, Ta, Nb, Ti, Zr, Hf. , Y as a simple substance or alloy composed of at least one metal,
X above
0.05 ≦ x ≦ 0.99
The method for manufacturing a mold according to claim 7, wherein the mold is formed as follows.
上記Ｍを、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｉｎ、Ｉｒ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｓｂ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｙのうち少なくとも１種類の金属より成る単体あるいは合金とするか、
あるいは、上記金属部を、ＭｇＭ´１−ｘと表される材料より形成し、
上記Ｍ´を、Ａｇ、Ａｌ、Ａｕ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｉｎ、Ｉｒ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｓｂ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｙのうち少なくとも１種類の金属より成る単体あるいは合金として、
上記ｘを、
０．０５≦ｘ≦０．９９
として形成する
ことを特徴とする請求項８記載のモールドの製造方法。 The metal part is formed from a material expressed as Al x M 1-x ,
M is Ag, Au, Co, Cr, Cu, Fe, In, Ir, Mg, Mn, Ni, Pd, Pt, Sb, Si, Sn, W, Mo, Ta, Nb, Ti, Zr, Hf, Y or a single element or alloy made of at least one kind of metal,
Alternatively, the metal part is formed from a material expressed as MgM ′ 1-x ,
The above M ′ is Ag, Al, Au, Co, Cr, Cu, Fe, In, Ir, Mn, Ni, Pd, Pt, Sb, Si, Sn, W, Mo, Ta, Nb, Ti, Zr, Hf. , Y as a simple substance or alloy composed of at least one metal,
X above
0.05 ≦ x ≦ 0.99
The method for manufacturing a mold according to claim 8, wherein the mold is formed as follows.
ことを特徴とするモールド。 A mold characterized in that an uneven pattern portion is formed by pressing an uneven pattern of a master mold on a metal portion having an arithmetic average roughness Ra of 100 nm or less.
ことを特徴とする請求項１１記載のモールド。 The mold according to claim 11, wherein the concavo-convex pattern portion is formed of a thin film formed on a substrate.
上記金属部に、マスターモールドの凹凸パターンが押し付けられて凹凸パターン部が形成され、
上記凹凸パターン部が、パターン転写された後陽極酸化されて成る
ことを特徴とするモールド。 A metal part having an arithmetic average roughness Ra of 100 nm or less is formed on the substrate,
The concave / convex pattern part of the master mold is pressed against the metal part to form the concave / convex pattern part,
The mold characterized in that the concavo-convex pattern portion is anodized after pattern transfer.
ことを特徴とする請求項１３記載のモールド。 The mold according to claim 13, wherein a transparent electrode is provided between the substrate and the concavo-convex pattern portion.
ことを特徴とする凹凸パターンの形成方法。 Forming the concavo-convex pattern using a mold in which the concavo-convex pattern portion of the master mold is pressed against a metal portion having an arithmetic average roughness Ra of 100 nm or less, and the concavo-convex pattern portion is formed. Method.
上記マーカーを目印として上記凹凸パターンを転写形成する
ことを特徴とする請求項１５記載の凹凸パターンの形成方法。
The mold is made light transmissive, and a marker for alignment is provided on the surface of the uneven pattern portion of the mold,
The method for forming a concavo-convex pattern according to claim 15, wherein the concavo-convex pattern is transferred and formed using the marker as a mark.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2004339295A JP4595505B2 (en) | 2004-11-24 | 2004-11-24 | Mold, manufacturing method thereof, and pattern forming method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2004339295A JP4595505B2 (en) | 2004-11-24 | 2004-11-24 | Mold, manufacturing method thereof, and pattern forming method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2006142772A true JP2006142772A (en) | 2006-06-08 |
| JP4595505B2 JP4595505B2 (en) | 2010-12-08 |
Family
ID=36622995
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2004339295A Expired - Fee Related JP4595505B2 (en) | 2004-11-24 | 2004-11-24 | Mold, manufacturing method thereof, and pattern forming method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4595505B2 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009052066A (en) * | 2007-08-24 | 2009-03-12 | Kanagawa Acad Of Sci & Technol | Imprinting mold and manufacturing method therefor |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6724851B2 (en) | 2017-04-14 | 2020-07-15 | 株式会社デンソー | Base material, mold package using the same, base material manufacturing method, and mold package manufacturing method |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08133761A (en) * | 1994-11-01 | 1996-05-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Production of die for forming optical element |
| JPH1096808A (en) * | 1996-09-24 | 1998-04-14 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Formation of fine pattern |
| JP2002355749A (en) * | 2001-05-29 | 2002-12-10 | Sumitomo Metal Ind Ltd | METHOD OF MANUFACTURING SUBSTRATE FOR STAMPER, AND METHOD OF POLISHING Ni ROLLED PLATE |
| JP2003026427A (en) * | 2001-07-12 | 2003-01-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Metallic mold for molding substrate and method for manufacturing the same |
| JP2003160343A (en) * | 2001-11-21 | 2003-06-03 | Konica Corp | Molding die for forming optical element and optical element |
| JP2004259435A (en) * | 2004-04-22 | 2004-09-16 | Lintec Corp | Optical disk manufacturing method and uneven pattern transferring method |
-
2004
- 2004-11-24 JP JP2004339295A patent/JP4595505B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08133761A (en) * | 1994-11-01 | 1996-05-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Production of die for forming optical element |
| JPH1096808A (en) * | 1996-09-24 | 1998-04-14 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Formation of fine pattern |
| JP2002355749A (en) * | 2001-05-29 | 2002-12-10 | Sumitomo Metal Ind Ltd | METHOD OF MANUFACTURING SUBSTRATE FOR STAMPER, AND METHOD OF POLISHING Ni ROLLED PLATE |
| JP2003026427A (en) * | 2001-07-12 | 2003-01-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Metallic mold for molding substrate and method for manufacturing the same |
| JP2003160343A (en) * | 2001-11-21 | 2003-06-03 | Konica Corp | Molding die for forming optical element and optical element |
| JP2004259435A (en) * | 2004-04-22 | 2004-09-16 | Lintec Corp | Optical disk manufacturing method and uneven pattern transferring method |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009052066A (en) * | 2007-08-24 | 2009-03-12 | Kanagawa Acad Of Sci & Technol | Imprinting mold and manufacturing method therefor |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4595505B2 (en) | 2010-12-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| McClelland et al. | Nanoscale patterning of magnetic islands by imprint lithography using a flexible mold | |
| US7341825B2 (en) | Method for producing high resolution nano-imprinting masters | |
| US8741162B2 (en) | Method of manufacturing nanoimprint stamp | |
| CN106030406B (en) | Method for uniform imprint pattern transfer of sub-20 nm features | |
| JP4641321B2 (en) | Mold for pattern transfer | |
| WO2013047195A1 (en) | Mold blank, master mold, copy mold, and method for manufacturing mold blank | |
| US20080187719A1 (en) | Nano-imprinting mold, method of manufacture of nano-imprinting mold, and recording medium manufactured with nano-imprinting mold | |
| WO2004092836A1 (en) | Fabrication of nanostructures | |
| JP5067835B2 (en) | Method for manufacturing magnetic recording medium | |
| JP2010284814A (en) | Method of manufacturing stamper | |
| JP5020251B2 (en) | Method for forming a support on which a shaped body such as a lithography mask is mounted | |
| JP2008293609A (en) | Manufacturing method of stamper, manufacturing method of nanohole structure, and manufacturing method of magnetic recording medium | |
| JP2005133166A (en) | Stamper for pattern transfer, and its production method | |
| TW201220360A (en) | High contrast alignment marks through multiple stage imprinting | |
| JP5441991B2 (en) | Imprint mold and manufacturing method thereof | |
| JP4595505B2 (en) | Mold, manufacturing method thereof, and pattern forming method | |
| US20110053094A1 (en) | Method for fabricating roller mold for nanoimprinting | |
| JP5175812B2 (en) | Nano mold, mold manufacturing method and magnetic recording medium manufacturing method | |
| JP6136271B2 (en) | Manufacturing method of imprint mold | |
| JP5599213B2 (en) | Mold manufacturing method | |
| Tiginyanu et al. | Nanoimprint lithography (NIL) and related techniques for electronics applications | |
| JP6089451B2 (en) | Nanoimprint mold and manufacturing method thereof | |
| JP6015140B2 (en) | Nanoimprint mold and manufacturing method thereof | |
| KR20080073824A (en) | Blank stamp and the stamp used for nano imprint lithography | |
| JP2007035998A (en) | Mold for imprint |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Effective date: 20070907 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Effective date: 20100208 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100223 |
|
| A521 | Written amendment |
Effective date: 20100419 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100824 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Effective date: 20100906 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131001 Year of fee payment: 3 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |