JP2006135358A5 - - Google Patents

Claims (25)

1. 半導体層が積層された積層体の内部に備えられた酸化可能領域の一部を選択的に酸化する半導体製造装置であって、
   酸化炉内の被測定物に光を照射する光源と、
   酸化反応中の被測定物からの反射光を検出する反射光検出手段と、
   該反射光検出手段で検出した反射光に基づいて、前記酸化可能領域の酸化反応を制御する反応制御手段と、
   を備えた半導体製造装置。
2. 前記反応制御手段は、前記反射光検出手段で検出した反射光の所定波長での反射率、所定波長での反射率の変化率、所定波長帯域での平均反射率、または所定波長帯域での平均反射率の変化率に基づいて、前記酸化可能領域の酸化反応を制御する請求項１に記載の半導体製造装置。
3. 前記反射光検出手段で検出した反射光に基づいて、所定波長での反射率、所定波長での反射率の変化率、所定波長帯域での平均反射率、又は所定波長帯域での平均反射率の変化率を演算する演算手段を更に備え、
   前記反応制御手段は、前記演算手段での演算結果に基づいて、前記酸化可能領域の酸化反応を制御する請求項１または２に記載の半導体製造装置。
4. 前記反応制御手段は、前記演算手段での演算結果に基づいて、所定波長での反射率、所定波長での反射率の変化率、所定波長帯域での平均反射率、又は所定波長帯域での平均反射率の変化率が所望の値になった場合に反応が終了するように、前記酸化可能領域の酸化反応を制御する請求項３に記載の半導体製造装置。
5. 前記所望の値は、前記酸化可能領域の所望の選択的に酸化しない未酸化領域の面積に対応する値である請求項４に記載の半導体製造装置。
6. 前記演算手段での演算結果を表示する表示手段を更に備えた請求項３乃至５のいずれか１項に記載の半導体製造装置。
7. 前記光源は、前記被測定物の表面層に光を照射する請求項１乃至６のいずれか１項に記載の半導体製造装置。
8. 前記被測定物は、前記半導体層が積層された積層体である請求項１乃至７のいずれか１項に記載の半導体製造装置。
9. 前記被測定物は、前記半導体層が積層された積層体の近傍に配置されたモニター用サンプルである請求項１乃至８のいずれか１項に記載の半導体製造装置。
10. 前記モニター用サンプルは、反射率が酸化時間に比例して増加または減少するように形成されている請求項９に記載の半導体製造装置。
11. 前記モニター用サンプルは、前記半導体層が積層された積層体と同じ積層構造を有し且つ内部に酸化可能な領域を有する請求項９または１０に記載の半導体製造装置。
12. 前記モニター用サンプルは、前記積層体の酸化可能領域の選択的に酸化しない未酸化領域の面積が所望の値になった場合に所定波長での反射率または所定波長帯域での平均反射率が一定になるように設計され、
    前記反応制御手段は、前記モニター用サンプルの所定波長での反射率または所定波長帯域での平均反射率が一定になった場合に反応が終了するように、前記半導体レーザ前駆体の酸化反応を制御する請求項９乃至１１のいずれか１項に記載の半導体製造装置。
13. 前記酸化可能領域は、前記半導体層が積層された積層体から形成される半導体レーザ前駆体の内部に備えられた請求項１乃至１２のいずれか1項に記載の半導体製造装置。
14. 半導体層が積層された積層体の内部に備えられた酸化可能領域の一部を選択的に酸化する半導体製造方法であって、
    酸化炉内の被測定物に光を照射して、酸化反応中の被測定物からの反射光を検出し、
    検出した反射光に基づいて、前記酸化可能領域の酸化反応を制御して半導体を製造する半導体製造方法。
15. 前記検出した反射光の所定波長での反射率、所定波長での反射率の変化率、所定波長帯域での平均反射率、又は所定波長帯域での平均反射率の変化率に基づいて、前記酸化可能領域の酸化反応を制御する請求項１４に記載の半導体製造方法。
16. 前記検出した反射光の所定波長での反射率、所定波長での反射率の変化率、所定波長帯域での平均反射率、又は所定波長帯域での平均反射率の変化率を演算し、
    演算結果に基づいて前記酸化可能領域の酸化反応を制御する請求項１３または１５に記載の半導体製造方法。
17. 前記演算結果に基づいて、所定波長での反射率、所定波長での反射率の変化率、所定波長帯域での平均反射率、又は所定波長帯域での平均反射率の変化率が所望の値になった場合に反応が終了するように、前記酸化可能領域の酸化反応を制御する請求項１６に記載の半導体製造方法。
18. 前記所望の値は、前記酸化可能領域の所望の選択的に酸化しない未酸化領域の面積に対応する値である請求項１７に記載の半導体製造方法。
19. 前記被測定物の表面層に光を照射する請求項１４乃至１８のいずれか１項に記載の半導体製造方法。
20. 前記被測定物は、前記半導体層が積層された積層体である請求項１４乃至１９のいずれか１項に記載の半導体製造方法。
21. 前記被測定物は、前記積層体の近傍に配置されたモニター用サンプルである請求項１４乃至１９のいずれか１項に記載の半導体製造方法。
22. 前記モニター用サンプルは、反射率が酸化時間に比例して増加または減少するように形成されている請求項２１に記載の半導体製造方法。
23. 前記モニター用サンプルは、前記半導体層が積層された積層体と同じ積層構造を有し且つ内部に酸化可能な領域を有する請求項２１または２２に記載の半導体製造方法。
24. 前記モニター用サンプルは、前記積層体の酸化可能領域の選択的に酸化未酸化領域の面積が所望の値になった場合に所定波長での反射率または所定波長帯域での平均反射率が一定になるように設計され、
    前記モニター用サンプルの所定波長での反射率または所定波長帯域での平均反射率が一定になった場合に反応が終了するように、前記半導体レーザ前駆体の酸化反応を制御する請求項２１乃至２３のいずれか１項に記載の半導体製造方法。
25. 前記酸化可能領域は、前記半導体層が積層された積層体から形成される半導体レーザ前駆体の内部に備えられた請求項１４乃至２４のいずれか1項に記載の半導体製造方法。