JP2006133739A - Method of manufacturing liquid crystal display device - Google Patents

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Shigetoshi Kitamura
成寿 北村
Nobuhiko Einaga
信彦 永長
Hideyuki Imura
秀之 井村
Hiroshi Otaguro
洋 大田黒
Yoshihiro Kazueda
義弘 数枝
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Japan Display Central Inc
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Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of manufacturing a liquid crystal display device by which a pixel having a bright spot can be more surely corrected. <P>SOLUTION: The method of manufacturing the liquid crystal display device has a step for irradiation with a laser beam 20 from a side of an array substrate ARP of the liquid crystal display device LCD toward a corner part from the inner part of the surface of the pixel PIX having the bright spot and a step for disturbing alignment of the pixel PIX by using a laser beam 30 from the side of the array substrate ARP of the liquid crystal display LCD. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は液晶表示装置の製造方法に関し、特に、表示画素の修正を含む液晶表示装置の製造方法に関する。   The present invention relates to a method for manufacturing a liquid crystal display device, and more particularly to a method for manufacturing a liquid crystal display device including correction of display pixels.

従来、液晶表示装置を構成する表示画素のひとつに、常時点灯する輝点と呼ばれる欠点がある場合に、該表示画素に対してパルスレーザ光を複数回走査しつつ照射することにより修正する方法が知られている(例えば、特許文献1参照)。この特許文献に開示された
方法は、パルスレーザ光のオーバーラップ率が一定値になるようにその繰り返し周波数を走査速度に同期させ、輝点を有する画素内を平面的に複数回走査させる液晶表示装置の製造方法であり、1回目の走査が画素に気泡をつくる工程、2回目の走査が発生させた気泡が存在する中で画素にレーザスポットを走査する工程であって、それにより輝点を有する画素に対応する配向膜を加工することで液晶材料の配向を乱して画素を黒点化する方法である。
特開2003−262842号公報(第4−5頁、図5)
Conventionally, when one of the display pixels constituting a liquid crystal display device has a defect called a bright spot that is always lit, there is a method of correcting the display pixel by irradiating the display pixel with a pulse laser beam while scanning it a plurality of times. It is known (see, for example, Patent Document 1). The method disclosed in this patent document is a liquid crystal display in which the repetition frequency is synchronized with the scanning speed so that the overlap ratio of the pulsed laser beam becomes a constant value, and the inside of a pixel having a bright spot is scanned a plurality of times in a plane. A method of manufacturing an apparatus, wherein a first scan creates bubbles in a pixel, and a second scan scans a pixel with a laser spot in the presence of bubbles generated by the scan, thereby producing a bright spot. In this method, the alignment film corresponding to the pixel having the pixel is processed to disturb the alignment of the liquid crystal material, thereby blackening the pixel.
Japanese Patent Laying-Open No. 2003-262842 (page 4-5, FIG. 5)

しかしながら、上記液晶表示装置の製造方法では、1回目のレーザ光走査を行って気泡を発生させても、それが画素全体にまで、詳しくは画素コーナー部に広がりにくい。 However, in the manufacturing method of the liquid crystal display device, even if the first laser beam scanning is performed to generate bubbles, it is difficult for the bubbles to spread to the entire pixel, specifically to the pixel corner portion.

そのために、2回目のレーザ光照射時に、画素のコーナー部に残る液晶材料が障害となって配向膜を加工することができず、そのコーナー部からの光漏れにより依然として輝点と視認されてしまう。 Therefore, the liquid crystal material remaining in the corner portion of the pixel becomes an obstacle at the time of the second laser light irradiation, and the alignment film cannot be processed, and it is still visually recognized as a bright spot due to light leakage from the corner portion. .

本発明は、上記問題点を解決するためになされたもので、輝点を有する画素をより確実に滅点化することができる液晶表示装置の製造方法を提供することを目的とする。 The present invention has been made to solve the above-described problems, and an object of the present invention is to provide a method for manufacturing a liquid crystal display device that can more reliably darken a pixel having a bright spot.

上記問題点を解決するために、本発明の一態様は、
基板の一主面に複数の画素電極がマトリクス状に配置され、前記画素電極上に第一配向膜を有するアレイ基板と、前記アレイ基板に対向配置する一主面に対向電極を有し、前記対向電極上に第二配向膜を有する対向基板と、前記アレイ基板および対向基板とに前記第一及び第二配向膜を介して挟持された液晶材料からなる液晶層とを備え、それぞれの前記画素電極と、前記画素電極に対応する前記液晶層および前記対向電極とによって構成される複数の表示画素を備えた液晶表示装置の製造方法であって、
前記複数の表示画素のうちの輝点を有する一前記表示画素を平面的に内側からコーナー部に向かってレーザ光を走査しながら照射して、前記一表示画素に対応する前記液晶層の前記液晶材料を気化させる第一工程と、
前記一表示画素に対応する液晶材料を所定の方向に配列する配向界面を、レーザ光を照射して加工する第二工程と、を有することを特徴とする液晶表示装置の製造方法である。
In order to solve the above problems, one embodiment of the present invention provides:
A plurality of pixel electrodes are arranged in a matrix on one main surface of the substrate, an array substrate having a first alignment film on the pixel electrode, and a counter electrode on one main surface arranged to face the array substrate, A counter substrate having a second alignment film on the counter electrode, and a liquid crystal layer made of a liquid crystal material sandwiched between the array substrate and the counter substrate via the first and second alignment films, and each of the pixels A method of manufacturing a liquid crystal display device including a plurality of display pixels configured by an electrode, the liquid crystal layer corresponding to the pixel electrode, and the counter electrode,
The liquid crystal of the liquid crystal layer corresponding to the one display pixel is irradiated by irradiating one of the plurality of display pixels having a bright spot while scanning a laser beam in a plane from the inside toward the corner portion. A first step of vaporizing the material;
And a second step of processing the alignment interface in which the liquid crystal material corresponding to the one display pixel is arranged in a predetermined direction by irradiating with a laser beam.

さらに、前記複数の表示画素のうち輝点を有する表示画素が異物を有しており、この異物をレーザ照射により粉砕する工程を前記第一工程の前に付加することを特徴とする液晶表示装置の製造方法である。   Further, a display pixel having a bright spot among the plurality of display pixels has a foreign substance, and a step of pulverizing the foreign substance by laser irradiation is added before the first step. It is a manufacturing method.

本発明によれば、輝点を有する画素をより確実に修正することができる液晶表示装置の製造方法を得ることができる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the manufacturing method of the liquid crystal display device which can correct the pixel which has a luminescent point more reliably can be obtained.

以下、本発明の実施例を図面を参照して説明する。   Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

(実施例1)
図1は、本発明の実施例1に係る透過型の液晶表示装置の一部概略断面図であり、この液晶表示装置の構成について説明する。
Example 1
FIG. 1 is a partial schematic cross-sectional view of a transmissive liquid crystal display device according to Embodiment 1 of the present invention, and the configuration of the liquid crystal display device will be described.

この液晶表示装置LCDは、アレイ基板ARPと、アレイ基板ARPに対向配置された対向基板FAPと、それらに挟持された液晶層LCLと、アレイ基板ARPおよび対向基板FAPの液晶層LCLと接する面とは反対側面に各々配設された偏光板APP、FPPとから構成される。また、上述のアレイ基板ARPと対向基板FAPとは、図示しないが基板間のギャップを均一にするビーズスペーサを挟持している。   This liquid crystal display device LCD includes an array substrate ARP, a counter substrate FAP arranged to face the array substrate ARP, a liquid crystal layer LCL sandwiched between them, and a surface in contact with the liquid crystal layer LCL of the array substrate ARP and the counter substrate FAP. Is composed of polarizing plates APP and FPP respectively disposed on opposite sides. Further, the array substrate ARP and the counter substrate FAP described above sandwich a bead spacer that makes the gap between the substrates uniform although not shown.

アレイ基板ARPは、ガラス基板AGPと、そのガラス基板AGPの一主表面に形成された複数の信号線と、信号線に略直交配置された複数の走査線と、これらの各交点付近に配置される薄膜トランジスタTRAと、薄膜トランジスタTRAに接続された、画素電極(ITO:Indium Tin Oxide)AITと、それらを覆うようにアレイ基板ARP上に配設された配向膜AALとから構成される。薄膜トランジスタTRAは、走査線に接続するゲート電極と、その上を覆うゲート絶縁膜GINと、その上の半導体層としてのアモルファスシリコン層と、その上の信号線に接続するソース電極と、ドレイン電極とから構成される。   The array substrate ARP is arranged in the vicinity of the glass substrate AGP, a plurality of signal lines formed on one main surface of the glass substrate AGP, a plurality of scanning lines arranged substantially orthogonal to the signal lines, and their intersections. Thin film transistor TRA, a pixel electrode (ITO: Indium Tin Oxide) AIT connected to the thin film transistor TRA, and an alignment film AAL disposed on the array substrate ARP so as to cover them. The thin film transistor TRA includes a gate electrode connected to the scanning line, a gate insulating film GIN covering the gate electrode, an amorphous silicon layer as a semiconductor layer thereon, a source electrode connected to the signal line thereon, a drain electrode, Consists of

なお、ここでは薄膜トランジスタの半導体層として、アモルファスシリコン層を用いているが、ポリシリコンを用いることも可能である。また、ここでは薄膜トランジスタ構造をボトムゲート構造として説明しているが、トップゲート構造であってもよい。   Note that although an amorphous silicon layer is used here as a semiconductor layer of the thin film transistor, polysilicon can also be used. Although the thin film transistor structure is described as a bottom gate structure here, a top gate structure may be used.

対向基板FAPは、ガラス基板FGPと、そのガラス基板FGPの一主面上に配置される網目状のブラックマトリクスBMと、このブラックマトリクスBMで区切られた領域に対応して配置される赤(R)、緑(G)、青(B)の3色のカラーフィルタCFR、CFG、CFBと、カラーフィルタ上に配置される、例えば透明電極としてのITOからなる対向電極FITが形成され、さらにその上に配向膜FALが形成されている。   The counter substrate FAP includes a glass substrate FGP, a mesh-like black matrix BM disposed on one main surface of the glass substrate FGP, and red (R) disposed in correspondence with a region partitioned by the black matrix BM. ), Green (G), and blue (B) color filters CFR, CFG, and CFB, and a counter electrode FIT made of ITO, for example, as a transparent electrode is formed on the color filter. An alignment film FAL is formed.

配向膜AALおよびFALは、それぞれラビング処理が施されることで、液晶分子を所定の方向に配列させ、電圧印加時の液晶分子の立ち上げ方向を規定するものである。   The alignment films AAL and FAL are each subjected to a rubbing treatment, thereby aligning liquid crystal molecules in a predetermined direction and defining a rising direction of the liquid crystal molecules when a voltage is applied.

このような液晶表示装置LCDは、完成後、画像検査が行われる。そして、この液晶表示装置LCDは、画像検査時に輝点(輝点欠点ともいう)が発見された場合、その後、次のようにして輝点欠点を修正する。なお、本明細書において輝点とは、例えば黒表示状態時にもなお白表示状態(非黒表示)をなす画素をいう。   Such a liquid crystal display device LCD is subjected to image inspection after completion. In the liquid crystal display device LCD, when a bright spot (also referred to as a bright spot defect) is found during image inspection, the bright spot defect is corrected as follows. In this specification, a bright spot refers to a pixel that is still in a white display state (non-black display) even in a black display state, for example.

そして、輝点欠点を有する画素の少なくともいずれか一方の配向膜を加工することで、画素に対する電圧の印加・無印加に係らず滅点化する。例えば、ノーマリホワイト・モードの液晶表示装置にあっては、電圧無印加状態で白表示、電圧印加状態で黒表示をなすが、電圧を印加しても黒表示状態を呈さない画素、即ち輝点欠点の画素が存在する場合があり、この場合は電圧印加の有無に係らず黒表示状態を呈するように配向膜を加工し、滅点化する。そして、この配向膜の加工の際、対象画素のコーナー部を越えて予め液晶材料を排することによって、より確実に輝点画素を滅点化することが可能となる。   Then, by processing at least one of the alignment films of the pixel having the bright spot defect, the dark spot is reduced regardless of whether the voltage is applied to the pixel or not. For example, in a normally white mode liquid crystal display device, pixels that do not exhibit a black display state even when a voltage is applied, that is, white display when no voltage is applied and black display when a voltage is applied, that is, a bright display. There may be a point-defective pixel. In this case, the alignment film is processed so as to exhibit a black display state regardless of whether a voltage is applied or not, and a dark spot is formed. When the alignment film is processed, the bright spot pixel can be darkened more reliably by removing the liquid crystal material in advance beyond the corner of the target pixel.

本実施例の製造方法について、図面を参照して詳細に説明する。   The manufacturing method of the present embodiment will be described in detail with reference to the drawings.

まず、液晶表示装置LCDの画像検査は、黒ラスター表示をして目視により行う。ここで液晶表示装置LCDに輝点を有する画素PIXが確認されると、その画素PIXに相当する、アレイ基板ARP、対向基板FAPの各々の配向膜AAL、FALに対して、アレイ基板ARP側より、集光したレーザ光20を走査しながら照射する。   First, the image inspection of the liquid crystal display device LCD is visually performed with a black raster display. Here, when a pixel PIX having a bright spot is confirmed in the liquid crystal display device LCD, the alignment substrate AAL and FAL of the array substrate ARP and the counter substrate FAP corresponding to the pixel PIX are respectively viewed from the array substrate ARP side. The focused laser beam 20 is irradiated while scanning.

図2は、本発明の実施例1の対象画素の概略平面図である。   FIG. 2 is a schematic plan view of a target pixel according to the first embodiment of the present invention.

液晶表示装置LCDに輝点を有する画素PIXが確認されると、まず第一工程で、アレイ基板ARP側から液晶表示装置LCDに対して、画素PIXの略中心部CEN近傍から各画素PIXの主要なコーナー部CRNに向かって集光したレーザ光20を4回に分けて走査しながら照射する(図2(a))。   When a pixel PIX having a bright spot is confirmed in the liquid crystal display device LCD, first, in the first step, the main pixel of each pixel PIX is detected from the vicinity of the center CEN of the pixel PIX to the liquid crystal display device LCD from the array substrate ARP side. The laser beam 20 condensed toward the corner portion CRN is irradiated while being scanned in four times (FIG. 2A).

使用するレーザ照射機としては、例えばNEC社製「SL455H」が挙げられる。   As a laser irradiation machine to be used, for example, “SL455H” manufactured by NEC Corporation may be mentioned.

このとき、集光したレーザ光20は、レーザエネルギーを0.01mJから0.3mJ、より好ましくは0.02mJから0.12mJ、集光径は2μmから10μmとすることが好ましく、この実施例においてはレーザエネルギーを0.03mJ、集光径を6μmとした。   At this time, the condensed laser light 20 has a laser energy of 0.01 mJ to 0.3 mJ, more preferably 0.02 mJ to 0.12 mJ, and a condensing diameter of 2 μm to 10 μm. Used a laser energy of 0.03 mJ and a focused diameter of 6 μm.

集光したレーザ光20はまた、画素PIXの外周部CIRより2μmから10μm内側で照射し終わることが好ましく、3μmから6μm内側で照射し終わることがより好適であって、この実施例では5μm内側で照射を終了した。例えば画素サイズは92μm×262μmから200μm×600μmである。   The converged laser beam 20 is also preferably irradiated from 2 μm to 10 μm inside the outer peripheral portion CIR of the pixel PIX, more preferably from 3 μm to 6 μm, and in this embodiment, 5 μm inside. At the end of irradiation. For example, the pixel size is 92 μm × 262 μm to 200 μm × 600 μm.

次に、第二工程で第一工程と同じく集光したレーザ光30をアレイ基板ARPの外側より、対象画素の端部からジグザグ状に走査しながら照射することで画素PIXに対応する配向膜AAL、FALを加工する(図2(b))。   Next, the alignment film AAL corresponding to the pixel PIX is irradiated by irradiating the laser beam 30 condensed in the second step from the outside of the array substrate ARP in a zigzag manner from the outside of the array substrate ARP. FAL is processed (FIG. 2B).

このとき、集光したレーザ光30は、第一工程と同じくレーザエネルギーは0.01mJから0.3mJ、より好ましくは0.02mJから0.12mJ、集光径は2μmから10μmとすることが好ましく、この実施例においてはレーザエネルギーを0.03mJ、集光径を6μmとした。   At this time, the condensed laser beam 30 has a laser energy of 0.01 mJ to 0.3 mJ, more preferably 0.02 mJ to 0.12 mJ, and a condensed diameter of 2 μm to 10 μm, as in the first step. In this example, the laser energy was set to 0.03 mJ, and the focused diameter was set to 6 μm.

以上説明したように、第一工程でレーザ照射によって生じる気泡BUBは画素PIXのコーナー部までうまく押し広げられ、これによりコーナー部、より詳しくはコーナー部を越えてまで存在することとなるため、第二工程で画素PIXに対応するアレイ基板ARPおよび対向基板FAPの両配向膜AAL、FALを集光したレーザ光30で照射することにより画素PIXのコーナー部まで加工することができ、その結果、気泡BUBが消滅したあとも画素PIXのコーナー部に存在することとなる液晶材料の配向も余さず乱され、これにより画素PIXのコーナー部からも光モレが起こらなくなる。   As described above, the bubble BUB generated by the laser irradiation in the first process is successfully pushed up to the corner portion of the pixel PIX, and thus exists beyond the corner portion, more specifically, the corner portion. By irradiating the two alignment films AAL and FAL of the array substrate ARP corresponding to the pixel PIX and the counter substrate FAP with the focused laser light 30, the corner portion of the pixel PIX can be processed. Even after the BUB disappears, the orientation of the liquid crystal material that will be present in the corner portion of the pixel PIX is also disturbed, so that no light leakage occurs from the corner portion of the pixel PIX.

また、図2(c)のように画素PIX中に異物Fが存在する場合でも、気泡を発生するレーザ光20が画素中心部CENから異物Fをまたがってコーナー部CRNにまで集光レーザ光20を照射することになり、異物の陰で気泡の発生が妨げられることなく、画素全体に気泡を生成することができる。すなわち、予め、異物を含む経路で気泡を発生するレーザ光20を複数に分割して照射することにより、液晶を気化させその気泡をリペアすべき表示画素全面に成長させることができる。   Further, even when the foreign matter F exists in the pixel PIX as shown in FIG. 2C, the laser beam 20 that generates bubbles extends from the pixel center portion CEN to the corner portion CRN across the foreign matter F. Therefore, bubbles can be generated in the entire pixel without hindering the generation of bubbles under the influence of foreign matter. That is, by previously dividing and irradiating the laser beam 20 that generates bubbles in a path including a foreign substance into a plurality of portions, the liquid crystal can be vaporized and the bubbles can be grown on the entire display pixel to be repaired.

ところで、図3(a)乃至(d)は、第一工程におけるレーザ光照射時の各コーナー部におけるレーザ光の照射状態をより詳細に説明する図である。それぞれの図中20Lは、各画素PIXのコーナー部における最終端部のレーザ光であり、DICが画素コーナー部と20Lとの距離を示す。トランジスタTRAが配設されているコーナー部のみ、最終端部の照射位置DITはトランジスタTRAからの距離を示す。最終端部の照射位置は、画素コーナー部より各々2μmから10μm内側とすることが好ましく、4.5μmから5μmとするとより好適である。   Incidentally, FIGS. 3A to 3D are views for explaining in more detail the irradiation state of the laser light at each corner portion at the time of laser light irradiation in the first step. In each figure, 20L is the laser beam at the end of each pixel PIX, and DIC indicates the distance between the pixel corner and 20L. Only in the corner portion where the transistor TRA is disposed, the irradiation position DIT at the final end indicates the distance from the transistor TRA. The irradiation position at the final end is preferably 2 μm to 10 μm inside the pixel corner, and more preferably 4.5 μm to 5 μm.

これにより、画素PIX内の液晶層LCLを構成する液晶材料LCMを、熱により気化させ気泡BUBとして発生させると同時に、発生した気泡BUBをさらにコーナー部に向かって拡大していき、コーナー部端まで、より詳しくは画素PIX範囲の一部外であって隣接画素に到達しない範囲まで拡げることとなる。その際、レーザ光による単なる走査のみでは画素PIXのコーナー部に液晶材料LCMが液晶状態として残りがちであるが、画素の略中心部CEN近傍よりコーナー部に向かって集光したレーザ光20を照射することによって、画素PIXのコーナー部を越えて気泡BUBを画素PIX範囲の一部外まで拡げていくこととなり、これにより気泡BUBを、コーナー部を含む画素PIX全体を覆う大きさにすることができる。   Thereby, the liquid crystal material LCM constituting the liquid crystal layer LCL in the pixel PIX is vaporized by heat to be generated as a bubble BUB, and at the same time, the generated bubble BUB is further expanded toward the corner portion to reach the corner portion end. More specifically, it extends to a range outside a part of the pixel PIX range and not reaching an adjacent pixel. At that time, the liquid crystal material LCM tends to remain in the liquid crystal state at the corner portion of the pixel PIX only by simple scanning with the laser beam, but the laser beam 20 focused toward the corner portion is irradiated from the vicinity of the substantially central portion CEN of the pixel. By doing so, the bubble BUB is expanded beyond a part of the pixel PIX range beyond the corner portion of the pixel PIX, and thereby the bubble BUB is sized to cover the entire pixel PIX including the corner portion. it can.

図3に示すように、第一工程で、画素PIXのコーナー部に向かってレーザを照射する際、画素PIXの外周部CIRより4.5μmから5μm内側で照射し終わるようにするのは、画素PIXの周囲の配線に影響を与えないようにするとともに、画素PIXと隣接する画素PIX1〜8に与える影響を最小限にとどめられるように、気泡が隣接画素にかからないようにするためである。   As shown in FIG. 3, in the first step, when irradiating the laser toward the corner portion of the pixel PIX, it is necessary to finish irradiation within 4.5 μm to 5 μm from the outer peripheral portion CIR of the pixel PIX. This is to prevent the bubbles from being applied to the adjacent pixels so as not to affect the wiring around the PIX and to minimize the influence on the pixels PIX1 to PIX8 adjacent to the pixel PIX.

また、図4に示すように、N番目の集光したレーザ光200と、N+1番目の集光したレーザ光201との各々の中心点までの距離DIS2を、1μmから6μmあけて照射するのが適当だが、1μmから3μmとするとより好適である。   In addition, as shown in FIG. 4, the distance DIS2 to the center point of each of the Nth focused laser beam 200 and the (N + 1) th focused laser beam 201 is irradiated with a distance of 1 μm to 6 μm. Appropriate, but 1 to 3 μm is more preferable.

また図5に示すように、集光したレーザ光30は、画素PIXの外周部CIRより4.5μmから5μm内側の範囲内で照射する。これは、画素PIXの周囲の配線に影響を与えないようにすると同時に、画素PIXと隣接する画素PIX1〜8に与える影響を最小限にとどめるためである。   Further, as shown in FIG. 5, the condensed laser light 30 is irradiated within a range of 4.5 μm to 5 μm inside the outer peripheral portion CIR of the pixel PIX. This is to prevent the wiring around the pixel PIX from being affected and to minimize the influence on the pixels PIX1 to PIX1 adjacent to the pixel PIX.

以上説明したように、対象画素の内側から該画素のコーナー部に向かってレーザ光を走査しながら照射することにより、対象画素全域にかけて気泡を形成することができる。そして、この状態で対象画素の配向膜の加工を行うことにより、対象画素の端部の加工もより確実に行うことが可能となる。また、複数回に分割して気泡を発生するレーザを照射することにより、画素内に異物があった場合でも対象画素全域にわたってムラなく気泡を形成することが可能となる。したがって、画素PIXの液晶層LCLを構成する液晶材料LCMが、画素加工後に元の液晶状態に戻ったあとの配向は、画素PIXのコーナー部においても残さず乱されることとなり、光漏れがなくなることとなる。   As described above, it is possible to form bubbles over the entire area of the target pixel by irradiating the laser beam while scanning the laser beam from the inside of the target pixel toward the corner portion of the pixel. Then, by processing the alignment film of the target pixel in this state, the end of the target pixel can be processed more reliably. In addition, by irradiating a laser that generates bubbles by dividing the plurality of times, it is possible to form bubbles uniformly throughout the entire target pixel even when there is a foreign substance in the pixel. Therefore, the alignment after the liquid crystal material LCM constituting the liquid crystal layer LCL of the pixel PIX returns to the original liquid crystal state after the pixel processing is disturbed without remaining in the corner portion of the pixel PIX, and light leakage is eliminated. It will be.

また、この例では第一工程で画素の略中心部よりコーナー部へ向かって集光した光を照射することとしたが、画素の形状や構造、また輝点の状態等により、集光した光の照射開始位置を適宜変えてもかまわない。   In this example, the focused light is emitted from the approximate center of the pixel toward the corner in the first step. However, the collected light depends on the shape and structure of the pixel, the state of the bright spot, etc. The irradiation start position may be appropriately changed.

第二工程における画素全体への走査は、画素の短辺側から始めてもよいし、長辺側から始めてもよいが、第一工程で形成した気泡が存在している中で加工することが必要である。   The scanning of the entire pixel in the second step may be started from the short side or the long side of the pixel, but it is necessary to process in the presence of bubbles formed in the first step. It is.

カラーフィルタは、ここでは対向基板上に形成したタイプを使用しているが、アレイ基板上に形成したタイプであってもかまわない。その場合は、カラーフィルタのレーザによる変質を考慮して、アレイ基板側からではなく、対向基板側からレーザ光を照射するとよい。   Here, the color filter used is a type formed on the counter substrate, but may be a type formed on the array substrate. In that case, in consideration of the deterioration of the color filter by the laser, it is preferable to irradiate the laser beam not from the array substrate side but from the counter substrate side.

この実施例では、液晶表示装置として透過型を例にとり説明したが、透過部を有するものであれば、微反射型、半透過型であっても応用できる。半透過型の場合は、反射部を除いた少なくとも透過部のみの加工でもよい。   In this embodiment, the liquid crystal display device has been described by taking a transmission type as an example. In the case of the semi-transmissive type, processing of at least the transmissive part excluding the reflective part may be performed.

また、透過部の全くない反射型であっても、対向基板側からレーザ照射することにより加工することができる。   Further, even a reflection type having no transmission part can be processed by laser irradiation from the counter substrate side.

また、今回スペーサはパネル内に散布して用いるビーズ状のものを用いているが、柱状に形成するタイプのスペーサである場合にも用いることができることはいうまでもない。   Further, this time, the spacers are used in the form of beads dispersed in the panel, but it goes without saying that the spacers can also be used when the spacers are of the type formed in a columnar shape.

(実施例2)
次に本発明の実施例2の液晶表示装置について、図面を参照して説明する。
(Example 2)
Next, a liquid crystal display device according to Embodiment 2 of the present invention will be described with reference to the drawings.

画素の状態等によって照射時の加工面積がレンズ系により集光したレーザ光(焦点)よりも、焦点位置からレーザ光路の前後方向にややずらして広いスポットとした結像レーザ光を照射したほうがスムーズで、かつ画素の不要なキズつきを抑えて気泡の発生およびその拡張ができる場合もある。   It is smoother to irradiate the imaging laser beam with a wide spot slightly shifted from the focal position in the front-back direction of the laser beam path than the laser beam (focal point) focused by the lens system due to the state of the pixel, etc. In some cases, bubbles can be generated and expanded while suppressing unnecessary scratches on the pixels.

工程としては、実施例1の方法と同じく、第一工程で画素PIXの略中心部CENより画素のコーナー部へのレーザ光照射、第二工程で画素部全体にレーザ光を照射するのであるが、その際に使用するレーザ光を、両工程とも結像したレーザ光とするものである。   As the process, as in the method of the first embodiment, the laser light is irradiated from the substantially central portion CEN of the pixel PIX to the corner of the pixel in the first process, and the entire pixel part is irradiated in the second process. In this case, the laser beam used in this process is a laser beam imaged in both steps.

アレイ基板ARP側から、液晶表示装置LCDに対して画素PIX上方に設置した光源より、結像したレーザ光22を該画素PIXの略中心部CEN近傍より、画素PIXコーナー部に向かって走査しながら照射する(図6(a))。 From the array substrate ARP side, the imaged laser light 22 is scanned from the vicinity of the central portion CEN of the pixel PIX toward the pixel PIX corner portion from the light source installed above the pixel PIX with respect to the liquid crystal display device LCD. Irradiate (FIG. 6A).

このとき照射する結像したレーザ光22は、結像大きさが1μmから12μm、より好ましくは8μmから9μmである。 The imaged laser light 22 irradiated at this time has an image formation size of 1 μm 2 to 12 μm 2 , more preferably 8 μm 2 to 9 μm 2 .

なお、レーザエネルギーは実施例1の場合と同じく0.01mJから0.3mJ、好ましくは0.02mJから0.12mJとし、照射間隔は5μmから30μmとすることが好ましく、この実施例では第一工程と同様に20μmから25μmとした。 The laser energy is 0.01 mJ to 0.3 mJ, preferably 0.02 mJ to 0.12 mJ, and the irradiation interval is preferably 5 μm to 30 μm. Similarly, the thickness was set to 20 μm to 25 μm.

そのあと画素PIX全体に、結像したレーザ光30を、第一工程と同じくアレイ基板ARP側より走査しながら照射することで画素PIXに対応する両配向膜AAL、FALを加工する(図6(b))。   Thereafter, the image forming laser beam 30 is irradiated to the entire pixel PIX while scanning from the array substrate ARP side in the same manner as in the first step, thereby processing both alignment films AAL and FAL corresponding to the pixel PIX (FIG. 6 ( b)).

使用する結像したレーザ光31は、結像したレーザ光21と同様の結像大きさおよびレーザエネルギーである。   The imaged laser beam 31 to be used has the same image formation size and laser energy as the imaged laser beam 21.

なお、全体を走査するのに使用するレーザ光は、集光したレーザ光とすることもできる。その際は、実施例1の場合と同条件で走査を行うようにする。   Note that the laser beam used to scan the whole may be a focused laser beam. In that case, scanning is performed under the same conditions as in the first embodiment.

このように、画素の状態等によって気泡を画素コーナー部まで拡げていく方法を選択することができ、かつ同じレーザ光を使用して画素全体を走査する場合は、使用するレーザ光を替える手間を省くというメリットも得ることができる。   As described above, the method of expanding the bubbles to the pixel corner portion can be selected depending on the state of the pixel, and when scanning the entire pixel using the same laser beam, it is necessary to change the laser beam to be used. The merit of omitting can also be obtained.

(実施例3)
実施例1、2では、第一工程が気泡BUBを発生させる工程であると同時に、発生した気泡BUBを、輝点を有する画素PIX全体を覆うように拡げていく工程ともなるが、その工程を行う前に、該画素PIXに対して結像したレーザ光21を照射することで、より確実に該画素PIXの液晶層LCLを構成する液晶材料LCMを気化させ、気泡BUBを発生させることができる。
(Example 3)
In the first and second embodiments, the first step is a step of generating the bubble BUB, and at the same time, the generated bubble BUB is expanded to cover the entire pixel PIX having the bright spot. By irradiating the imaged laser beam 21 to the pixel PIX before the operation, the liquid crystal material LCM constituting the liquid crystal layer LCL of the pixel PIX can be more reliably vaporized and the bubble BUB can be generated. .

図7は、本発明の実施例3を平面的にみた概略説明図である。   FIG. 7 is a schematic explanatory view of the third embodiment of the present invention when viewed in plan.

ここでも、使用したタイプは、実施例1と同じく透過型液晶表示装置である。(図7(a))。   Here again, the type used is a transmissive liquid crystal display device as in the first embodiment. (FIG. 7A).

その際、結像したレーザ光11は、結像大きさを18μmから24μmとすることが好ましく、この例では24μmとする。レーザエネルギーは実施例1の集光したレーザ光20と同じく、0.02mJから0.12mJとすることが好ましい。この結像したレーザ光21を、画素PIXの略中心部CENに照射する。これにより、画素PIXの液晶層LCLを構成する液晶材料LCMを気化させ、その気泡BUBをより確実に発生させることができる。 At this time, the imaged laser beam 11 preferably has an imaging size of 18 μm 2 to 24 μm 2, and in this example, 24 μm 2 . The laser energy is preferably 0.02 mJ to 0.12 mJ, similar to the focused laser beam 20 of the first embodiment. The imaged laser beam 21 is applied to the substantially central portion CEN of the pixel PIX. Thereby, the liquid crystal material LCM constituting the liquid crystal layer LCL of the pixel PIX can be vaporized, and the bubble BUB can be generated more reliably.

こうして画素PIX全体に気泡BUBを発生させた後の工程は、実施例1に記載の方法と同様で、アレイ基板ARP側から、液晶表示装置LCDに対して集光したレーザ光20を、画素PIXの略中心部CEN近傍より該画素PIXコーナー部に向かって走査しながら照射する(図7(b))。 The process after the bubble BUB is generated in the entire pixel PIX is the same as the method described in the first embodiment, and the laser light 20 condensed on the liquid crystal display device LCD from the array substrate ARP is used as the pixel PIX. Irradiation is performed while scanning toward the corner portion of the pixel PIX from the vicinity of the substantially central portion CEN of FIG.

そのあと画素PIX全体に、集光したレーザ光30を、第一工程と同じくアレイ基板ARP側より走査しながら照射することで画素PIXに対応する配向膜AALおよびFALを加工する(図7(c))。   After that, the alignment film AAL and FAL corresponding to the pixel PIX are processed by irradiating the entire pixel PIX with the focused laser beam 30 while scanning from the array substrate ARP side as in the first step (FIG. 7C). )).

なお、結像したレーザ光21を照射する位置は、画素PIXの略中心部であれば全体に気泡をいきわたらせやすいと考えられるが、画素や配線の形状または構成、また、輝点の状態等によって適宜変えてもかまわない。 It should be noted that if the imaged laser beam 21 is irradiated at a substantially central portion of the pixel PIX, it is considered that bubbles are likely to be scattered throughout. However, the shape or configuration of the pixel or wiring, the state of the bright spot, etc. It may be changed as appropriate.

また、コーナー部への照射の際の最終端部も、実施例1と同様、トランジスタTRAがあるコーナー部のみ、画素コーナー部より各々2μmから10μm内側とするのが好ましく、この例では3μmから6μm内側とした。また、全体の走査による照射も画素PIXの外周部CIRより4.5μmから5μm内側にて走査するとよい。   In addition, as in the first embodiment, it is preferable that only the corner portion where the transistor TRA is located be 2 μm to 10 μm inside the pixel corner portion, and in this example 3 μm to 6 μm. The inside. Also, the irradiation by the entire scanning may be performed by scanning from the outer peripheral portion CIR of the pixel PIX by 4.5 μm to 5 μm.

なお、ここで、実施例2と同様の理由で、画素コーナー部へのレーザ光の照射および画素全体への照射を、集光したレーザ光ではなく、結像したレーザ光とすることもできる。その際は実施例2と同条件で行うとよい。   Here, for the same reason as in the second embodiment, the irradiation of the laser beam to the pixel corner portion and the irradiation of the entire pixel can be made not to the focused laser beam but to an imaged laser beam. In that case, it is good to carry out on the same conditions as Example 2.

また、コーナー部への照射を集光したレーザ光で、全体への照射を結像したレーザ光で行うこともできる。その際も、それぞれ前述の条件でのレーザ光を使用することとする。   Further, it is also possible to perform irradiation on the entire corner portion with a focused laser beam and image formation on the whole with a focused laser beam. Also in this case, the laser light under the above-mentioned conditions is used.

この方法によって、より確実に画素PIXの液晶層LCLを構成する液晶材料LCMを気化させることができ、その結果、輝点を有する画素PIXの修正の精度を、よりよくすることができる。   By this method, the liquid crystal material LCM constituting the liquid crystal layer LCL of the pixel PIX can be vaporized more reliably, and as a result, the correction accuracy of the pixel PIX having a bright spot can be improved.

(実施例4)
実施例3での、画素の略中心部に照射する結像したレーザ光は、輝点を有する画素PIXの形状等により、複数箇所に照射することも可能である。
Example 4
In the third embodiment, the imaged laser light irradiated on the substantially central portion of the pixel can be irradiated to a plurality of locations depending on the shape of the pixel PIX having a bright spot.

図8は、本発明の実施例4を平面的にみた概略説明図である。 FIG. 8 is a schematic explanatory view of the fourth embodiment of the present invention when viewed in plan.

輝点を有する画素PIX相当部に、Cs線等の配線がある場合などは、その配線相当部にはレーザ光の照射は避けることが望ましい。そこで例えば、配線WIRを境として、輝点を有する画素PIXを画素PIXAおよび画素PIXBに概念上分割したとして、各画素PIXAおよびPIXBの、各略重心部CENAおよびCENBに、それぞれ結像したレーザ光11Aおよび11Bを照射する(図8(a))。 When there is a wiring such as a Cs line in a pixel PIX equivalent part having a bright spot, it is desirable to avoid irradiating the wiring equivalent part with a laser beam. Therefore, for example, assuming that the pixel PIX having the bright spot is conceptually divided into the pixel PIXA and the pixel PIXB with the wiring WIR as a boundary, the laser beams imaged on the respective substantially center portions CENA and CENB of the pixels PIXA and PIXB, respectively. 11A and 11B are irradiated (FIG. 8A).

このときも、実施例1と同じく、使用したのは透過型液晶表示装置で、結像したレーザ光11Aおよび11Bは、結像大きさをここでは各々18μmから24μmとするのが好ましく、この例では24μmとした。また、レーザエネルギーは実施例1での集光したレーザ光と同じく、0.02mJから0.12mJとすることが好ましく、この例では0.045mJとした。 In this case, as in the first embodiment, a transmission type liquid crystal display device was used, the laser beam 11A and 11B was imaged, it is preferable to the imaging size as 24 [mu] m 2 respectively from 18 [mu] m 2 here, In this example, it is 24 μm 2 . The laser energy is preferably 0.02 mJ to 0.12 mJ, similar to the focused laser beam in Example 1, and in this example 0.045 mJ.

また、その場合、コーナー部に向かっての照射も、配線WIRの部位を避けることが望ましく、画素PIXを、PIXAおよびPIXBに概念上分割したとして各々に照射する(図8(b))。 Further, in this case, it is desirable to avoid the portion of the wiring WIR for the irradiation toward the corner portion, and each pixel PIX is irradiated on the assumption that it is conceptually divided into PIXA and PIXB (FIG. 8B).

続いての集光したレーザ光30による走査も、上記配線相当部を避けておこなう必要があるが、その他は実施例1の場合と同プロセスである(図8(c))。 Subsequent scanning with the condensed laser beam 30 needs to be performed while avoiding the wiring-corresponding portion, but the other processes are the same as those in the first embodiment (FIG. 8C).

この場合も、略中心部CENAおよびCENB近傍より、PIXAコーナー部、PIXBコーナー部に向かって集光したレーザ光20を照射するが、それぞれ配線部WIRおよびコーナー部への照射最終端部も、実施例1と同様、トランジスタTRAがあるコーナー部のみ、画素コーナー部より各々3μmから6μm内側とするのが好ましく、この例では4.5μmから5μm内側とした。また、全体の走査による照射も該画素PIXの外周部CIRおよび配線部WIRより4.5μmから5μm内側にて走査するとよい。   Also in this case, the laser beam 20 focused toward the PIXA corner portion and the PIXB corner portion is irradiated from the vicinity of the substantially central portions CENA and CENB. However, the final irradiation ends of the wiring portion WIR and the corner portion are also performed. As in Example 1, it is preferable that only the corner portion where the transistor TRA is located is 3 μm to 6 μm inside from the pixel corner portion, and in this example, it is 4.5 μm to 5 μm inside. Further, the irradiation by the whole scanning may be performed by scanning from the outer peripheral portion CIR and the wiring portion WIR of the pixel PIX by 4.5 μm to 5 μm.

なお、この例においては、結像したレーザ光11Aおよび11Bの照射位置を、画素PIXを概念上分割した、PIXAおよびPIXBのおのおのの略中心部CENAおよびCENBとしたが、画素の形状や構成、また輝点の状態等によって適宜変えてもかまわない。また、結像したレーザ光の照射箇所を、ここでは画素を概念上二つに分割することとして二箇所としたが、画素の形状や構成等によっては三箇所以上としてもよい。 In this example, the irradiation positions of the imaged laser beams 11A and 11B are PIXA and PIXB, which are substantially divided from the pixel PIX, but are substantially center portions CENA and CENB. Further, it may be appropriately changed depending on the state of the bright spot. In addition, although the imaged laser light is irradiated at two locations by conceptually dividing the pixel into two in this embodiment, it may be three or more depending on the shape and configuration of the pixel.

また、該画素PIXコーナー部に対する集光したレーザ光20の照射開始位置を略中心部CENAおよびCENB近傍にするとしたが、画素の形状や構成、また輝点の状態等によって適宜変えてもかまわない。 In addition, although the irradiation start position of the focused laser beam 20 on the pixel PIX corner portion is set near the center portions CENA and CENB, it may be appropriately changed depending on the shape and configuration of the pixel, the state of the bright spot, and the like. .

この方法により、画素PIX相当部に配線がある場合であっても配線を傷つけずに、より確実に輝点を有する画素を加工することができる。 By this method, even if there is a wiring in the pixel PIX equivalent part, it is possible to process a pixel having a bright spot more reliably without damaging the wiring.

(実施例5)
画素の色によってCF(カラーフィルタ)の厚さに差を設けているマルチギャップ構成のCFが対向基板FAP側に形成されている場合、その厚さの差により、発生させた気泡BUBが、輝点を有する画素PIX部にとどまらず、その隣接画素に移動してしまう場合もある。そうすると輝点を有する画素PIXの修正ができなくなるので、輝点を有する画素PIXを覆う範囲にとどまらせることが必要となる。
(Example 5)
When a multi-gap CF having a difference in the thickness of the CF (color filter) depending on the color of the pixel is formed on the counter substrate FAP side, the generated bubble BUB is brightened due to the difference in thickness. In some cases, the pixel PIX portion having a point moves to an adjacent pixel instead of the pixel PIX portion. As a result, the pixel PIX having a bright spot cannot be corrected, and it is necessary to stay within the range covering the pixel PIX having the bright spot.

図9は、本発明の実施例5を平面的にみた概略説明図である。   FIG. 9 is a schematic explanatory view of the fifth embodiment of the present invention when viewed in plan.

画素PIXは、対向基板FAPに、赤のカラーフィルタCFRが形成されている。この赤のカラーフィルタCFRは、青、緑のカラーフィルタCFBおよびCFGに比べて厚く、かつアレイ基板ARPおよび対向基板FAP間のギャップが他の二色の画素に比べて小さく形成されている。そのため、この赤の画素が輝点を有した場合、気泡BUBを発生させても、この赤の画素よりも基板間ギャップを大きく形成された隣接の青または緑の画素に移動していきやすい。   In the pixel PIX, a red color filter CFR is formed on the counter substrate FAP. The red color filter CFR is thicker than the blue and green color filters CFB and CFG, and has a smaller gap between the array substrate ARP and the counter substrate FAP than the other two-color pixels. Therefore, when this red pixel has a bright spot, even if a bubble BUB is generated, it is likely to move to an adjacent blue or green pixel having a larger inter-substrate gap than this red pixel.

そこで、赤の画素が輝点を有することが確認されるとまず、画素PIX上の、それに隣接する画素PIX1およびPIX2との近傍部に各々、結像したレーザ光111および112を照射する(図9(a))。   Therefore, when it is confirmed that the red pixel has a bright spot, first, the imaged laser beams 111 and 112 are irradiated on the vicinity of the pixel PIX1 and PIX2 adjacent to the pixel PIX, respectively (FIG. 9 (a)).

このとき、結像したレーザ光111および112を、隣接する画素PIX1およびPIX2上に直接照射するのではなく、輝点を有する画素PIX上に対して照射するのは、隣接する画素PIX1およびPIX2に対して、レーザ光を照射することによる悪影響を与えないようにするためである。   At this time, instead of directly irradiating the imaged laser beams 111 and 112 onto the adjacent pixels PIX1 and PIX2, the pixels PIX1 and PIX2 having the bright spot are irradiated onto the adjacent pixels PIX1 and PIX2. On the other hand, it is for preventing the bad influence by irradiating a laser beam.

このとき、結像したレーザ光111および112は、照射位置を画素の外周部CIRより2μmから6μm内側とするのが好ましく、4.5μmから5μm内側とするとより好適である。結像大きさは10μmから20μmが好適であり、この例では18μmとする。 At this time, the imaged laser beams 111 and 112 are preferably positioned at an inner position of 2 μm to 6 μm from the outer peripheral portion CIR of the pixel, and more preferably from 4.5 μm to 5 μm. The imaging size is preferably 10 μm 2 to 20 μm 2 , and in this example, it is 18 μm 2 .

そうして、発生させた気泡BUB1およびBUB2を、各々隣接する画素PIX1およびPIX2にわざと移動させる(図9(b))。   Then, the generated bubbles BUB1 and BUB2 are intentionally moved to the adjacent pixels PIX1 and PIX2, respectively (FIG. 9B).

この発生させた気泡BUB1およびBUB2が存在するときに、結像したレーザ光11を照射して、輝点を有する画素PIXに気泡BUBを発生させる。すると、気泡BUBは気泡BUB1およびBUB2が壁となって、隣接する他の画素に移動することができなくなる(図9(c))。 When the generated bubbles BUB1 and BUB2 exist, the imaged laser beam 11 is irradiated to generate bubbles BUB in the pixel PIX having a bright spot. Then, the bubbles BUB cannot move to other adjacent pixels because the bubbles BUB1 and BUB2 become walls (FIG. 9C).

こうして気泡BUBを画素PIX上に固定しておいた上で、画素PIXのコーナー部にレーザ光を照射する工程(図9(d))、および、画素全体にレーザ光を走査させる工程(図9(e))を、実施例1〜3のいずれか一と同様に行う。コーナー部への照射および全体への走査による照射は、集光したレーザ光でも結像したレーザ光でも、画素の状態等により適宜選択することができる。 In this way, after fixing the bubble BUB on the pixel PIX, a step of irradiating the corner portion of the pixel PIX with laser light (FIG. 9D) and a step of scanning the entire pixel with the laser light (FIG. 9). (E)) is performed in the same manner as in any one of Examples 1 to 3. Irradiation to the corner portion and overall scanning can be selected as appropriate depending on the state of the pixel, whether the laser beam is focused or imaged.

この方法により、CFによって隣接画素との段差を生じさせている場合においても、発生させた気泡が隣接する画素へと移動していかずに輝点を有する画素上にとどまり、しかも隣接する画素に気泡発生による悪影響を与えることもないので、安全かつ確実に輝点を有する画素を加工することができる。 By this method, even when a step with an adjacent pixel is generated by CF, the generated bubble does not move to the adjacent pixel but stays on the pixel having the bright spot, and the bubble is generated in the adjacent pixel. Since there is no adverse effect due to the occurrence, a pixel having a bright spot can be processed safely and reliably.

なお、この例では赤のCFがいちばん厚く、青・緑のCFがそれよりも薄い場合を示しているが、どのCFが厚くなっている場合であっても応用できることはいうまでもない。 In this example, the red CF is the thickest and the blue and green CFs are thinner than that, but it goes without saying that any CF can be applied.

また、この例では短辺側に隣接する画素にのみ発生させた泡を移動させているが、長辺側にのみ発生させかつ移動させること、あるいは四方全てに発生させかつ移動させることも、上記と同様の条件にて実施できる。 Further, in this example, the bubbles generated only on the pixels adjacent to the short side are moved, but it is also possible to generate and move only on the long side, or to generate and move on all four sides. It can be carried out under the same conditions.

また、液晶表示装置が半透過型で、かつ透過部のギャップが広く、反射部のギャップが透過部より狭いマルチギャップタイプである場合は、透過部に気泡を発生させると、反射部が壁となり、気泡が逃げずにその場にとどまるため、その後の加工が容易にできる。 In addition, when the liquid crystal display device is a transflective type, and the multi-gap type in which the gap of the transmissive part is wide and the gap of the reflective part is narrower than that of the transmissive part, if the bubble is generated in the transmissive part, the reflective part becomes a wall. Since the bubbles stay in place without escaping, subsequent processing can be easily performed.

また、液晶表示装置が半透過型で、かつ透過部のギャップが狭く、反射部のギャップが透過部より広いマルチギャップタイプである場合は、透過部に気泡を発生させる際、基板間ギャップの広い反射部へと気泡が逃げていきやすい。そこで、上記説明のように、透過部端部に気泡固定用の気泡BUB1およびBUB2を発生させる。その上で、透過部に気泡BUBを発生させる工程、透過部端部に向かってレーザ光を照射する工程、透過部を加工する工程を順に行う。 In addition, when the liquid crystal display device is a transflective type and the multi-gap type in which the gap of the transmissive part is narrow and the gap of the reflective part is wider than that of the transmissive part, the gap between the substrates is wide when generating bubbles in the transmissive part. Air bubbles easily escape to the reflective part. Therefore, as described above, bubbles BUB1 and BUB2 for fixing bubbles are generated at the end of the transmission part. Then, the step of generating the bubble BUB in the transmission part, the step of irradiating the laser beam toward the end of the transmission part, and the step of processing the transmission part are sequentially performed.

上記方法により、マルチギャップタイプであっても、気泡を隣接画素に逃がさず確実に輝点を有する画素を加工することができる。 According to the above method, even in the multi-gap type, a pixel having a bright spot can be surely processed without letting bubbles escape to adjacent pixels.

(実施例6)
図10(a)、(b)、(c)、(d)は、本発明の実施例6を示すものである。なお他の実施例と同一符号の部分は同様部分を示す。本実施例は特定の表示画素の電極間に異物が介在し正常な配向制御ができない場合のレーザリペア加工を説明する。(a)に示すように、異物がある場合、異物周辺Aでは正常な配向制御ができず、黒表示時に輝点となる異物不良が発生することがある。本実施例のレーザリペアでは気泡成長、配向乱し工程前に異物粉砕を施す。
(Example 6)
10 (a), (b), (c), and (d) show Example 6 of the present invention. In addition, the part of the same code | symbol as another Example shows a similar part. In the present embodiment, laser repair processing will be described in the case where foreign matter is present between electrodes of a specific display pixel and normal alignment control cannot be performed. As shown to (a), when there exists a foreign material, normal orientation control cannot be performed in the foreign material periphery A, and the foreign material defect used as a luminescent spot at the time of black display may generate | occur | produce. In the laser repair of this embodiment, foreign matter pulverization is performed before the bubble growth and orientation disturbance process.

まず(a)工程で異物Fにレーザ照射して異物を粉砕する。これにより(b)に示すように、粉砕時に画素部の異物周辺に液晶気泡が生じ、粉砕された異物が生成された気泡の範囲で四散し、画素の両電極表面に付着する。   First, in step (a), the foreign matter F is irradiated with laser to pulverize the foreign matter. As a result, as shown in (b), liquid crystal bubbles are generated around the foreign matter in the pixel portion during pulverization, and the crushed foreign matter is scattered in a range of the generated bubbles and adheres to both electrode surfaces of the pixel.

続いて(c)に示すように実施例1と同様に画素中心部からコーナー部にかけてレーザ光照射を行い、液晶を気化させて特定画素全面に気泡を生成する。この気泡が生じた状態で(d)に示すように、画素全面を集光したレーザ光のスポットでジグザグ状に蛇行走査して電極上の配向膜を蒸散させて配向乱しを施す。これにより配向膜の飛散物が両電極表面に付着して画素全面の配向性を低下させることができる。   Subsequently, as shown in (c), laser light is irradiated from the center of the pixel to the corner as in the first embodiment, and the liquid crystal is vaporized to generate bubbles on the entire surface of the specific pixel. In the state where the bubbles are generated, as shown in (d), the alignment film on the electrode is evaporated and the alignment is disturbed by meandering scanning in zigzag manner with the spot of the laser beam condensed on the entire pixel surface. Thereby, the scattered matter of the alignment film adheres to both electrode surfaces, and the orientation of the entire pixel surface can be lowered.

破砕された異物は液晶層厚をきめるスペーサと同等またはそれよりも小さければよく、異物のない場合の修復と同等の成功率で画素を不働化し、黒点化を実施することができる。   The crushed foreign matter only needs to be equal to or smaller than the spacer that determines the thickness of the liquid crystal layer, and the pixels can be deactivated and black spots can be made with the same success rate as the repair without the foreign matter.

本発明のレーザ光照射方向を示す液晶表示装置の一画素の概略断面図。1 is a schematic cross-sectional view of one pixel of a liquid crystal display device showing a laser beam irradiation direction of the present invention. 本発明の実施例1の各ステップを説明するための概略平面図。The schematic plan view for demonstrating each step of Example 1 of this invention. 画素コーナー部への照射状態の拡大説明図。Expansion explanatory drawing of the irradiation state to a pixel corner part. 集光したレーザ光のN番目とN+1番目との各々の中心点間の距離を示す拡 大説明図。Expansive explanatory drawing which shows the distance between each center point of the Nth and N + 1th of the condensed laser beam. 集光したレーザ光の画素の周囲部からの距離を示す拡大説明図。The expanded explanatory view which shows the distance from the peripheral part of the pixel of the condensed laser beam. 本発明の実施例2の各ステップを説明するための概略平面図。The schematic plan view for demonstrating each step of Example 2 of this invention. 本発明の実施例3の各ステップを説明するための概略平面図。The schematic plan view for demonstrating each step of Example 3 of this invention. 本発明の実施例4の各ステップを説明するための概略平面図。The schematic plan view for demonstrating each step of Example 4 of this invention. 本発明の実施例5の各ステップを説明するための概略平面図。The schematic plan view for demonstrating each step of Example 5 of this invention. 本発明の実施例6の各ステップを説明するための概略平面図。The schematic plan view for demonstrating each step of Example 6 of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

11 結像したレーザ光
20、30 集光したレーザ光
21、31 結像したレーザ光
111、112 結像したレーザ光
ARP アレイ基板
FAP 対向基板
AGP アレイ側ガラス基板
FGP 対向側ガラス基板
APP、FPP アレイ側、対向側偏光板
GIN ゲート絶縁膜
AIT 画素電極
FIT 対向電極
AAL、FAL アレイ側、対向側配向膜
TRA トランジスタ
LCL 液晶層
LCM 液晶層を構成する液晶材料
CFR、CFG、CFB カラーフィルタ(赤)、(緑)、(青)
LCD 液晶表示装置
PIX 液晶表示装置の一画素
CIR 画素の外周部
CEN 画素の中心部
CRN 画素のコーナー部
CENA 概念上分割された画素Aの中心部
CENB 概念上分割された画素Bの中心部
BUB 気泡
WIR 配線
PIX1〜8 輝点を有する画素と隣接する画素
DIC 画素外周部とレーザ光との距離
DIT トランジスタとレーザ光との距離
DIS2 N番目の集光した光とN+1番目の集光した光との中心点間の距離
F 異物
11 laser beam 20, 30 focused laser beam 21, 31 laser beam 111, 112 focused laser beam ARP array substrate FAP counter substrate AGP array side glass substrate FGP counter side glass substrate APP, FPP array Side, counter side polarizing plate GIN Gate insulating film AIT Pixel electrode FIT Counter electrode AAL, FAL Array side, counter side alignment film TRA Transistor LCL Liquid crystal layer LCM Liquid crystal materials CFR, CFG, CFB constituting the liquid crystal layer Color filter (red), (Green), (blue)
LCD Liquid crystal display device PIX One pixel CIR of liquid crystal display device Peripheral portion CEN of pixel Center portion of pixel CRN Corner portion of pixel CENA Center portion of conceptually divided pixel CENB Central portion of conceptually divided pixel B BUB Bubble WIR wiring PIX1-8 Pixel having a bright spot DIC adjacent to the pixel DIC Distance between the pixel outer periphery and the laser light DIT Distance between the transistor and the laser light DIS2 Nth condensed light and N + 1th condensed light Distance between center points F Foreign matter

Claims (8)

基板の一主面に複数の画素電極がマトリクス状に配置され、前記画素電極上に第一配向膜を有するアレイ基板と、前記アレイ基板に対向配置する一主面に対向電極を有し、前記対向電極上に第二配向膜を有する対向基板と、前記アレイ基板および対向基板とに前記第一及び第二配向膜を介して挟持された液晶材料からなる液晶層とを備え、それぞれの前記画素電極と、前記画素電極に対応する前記液晶層および前記対向電極とによって構成される複数の表示画素を備えた液晶表示装置の製造方法であって、
前記複数の表示画素のうちの輝点を有する一前記表示画素を平面的に内側からコーナー部に向かってレーザ光を走査しながら照射して、前記一表示画素に対応する前記液晶層の前記液晶材料を気化させる第一工程と、
前記一表示画素に対応する液晶材料を所定の方向に配列する配向界面を、レーザ光を照射して加工する第二工程と、を有することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
A plurality of pixel electrodes are arranged in a matrix on one main surface of the substrate, an array substrate having a first alignment film on the pixel electrode, and a counter electrode on one main surface arranged to face the array substrate, A counter substrate having a second alignment film on the counter electrode, and a liquid crystal layer made of a liquid crystal material sandwiched between the array substrate and the counter substrate via the first and second alignment films, and each of the pixels A method of manufacturing a liquid crystal display device including a plurality of display pixels configured by an electrode, the liquid crystal layer corresponding to the pixel electrode, and the counter electrode,
The liquid crystal of the liquid crystal layer corresponding to the one display pixel is irradiated by irradiating one of the plurality of display pixels having a bright spot while scanning a laser beam in a plane from the inside toward the corner portion. A first step of vaporizing the material;
And a second step of processing the alignment interface in which the liquid crystal material corresponding to the one display pixel is arranged in a predetermined direction by irradiating with a laser beam.
請求項1に記載の液晶表示装置の製造方法であって、
前記第一工程の前記レーザ光の照射が、前記アレイ基板側から前記対向基板側に向かって照射する工程であり、
前記第二工程の前記レーザ光の照射が、前記アレイ基板側から前記対向基板側に向かって照射する工程である
ことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
It is a manufacturing method of the liquid crystal display device according to claim 1,
The irradiation of the laser light in the first step is a step of irradiating from the array substrate side toward the counter substrate side,
The method of manufacturing a liquid crystal display device, wherein the laser beam irradiation in the second step is a step of irradiating from the array substrate side toward the counter substrate side.
請求項1または2に記載の液晶表示装置の製造方法であって、
前記第一または第二工程の前記レーザ光の照射が、集光したレーザ光を用いることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
A manufacturing method of a liquid crystal display device according to claim 1 or 2,
A method for manufacturing a liquid crystal display device, wherein the laser beam irradiation in the first or second step uses a focused laser beam.
請求項1または2のいずれか1項に記載の液晶表示装置の製造方法であって、
前記第一または第二工程の前記レーザ光の照射が、結像したレーザ光を用いることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
A method for manufacturing a liquid crystal display device according to claim 1, wherein:
A method for manufacturing a liquid crystal display device, wherein the laser beam irradiation in the first or second step uses an imaged laser beam.
請求項1または2のいずれか1項に記載の液晶表示装置の製造方法であって、
前記第一工程の前に、前記輝点を有する前記一表示画素に対して、レーザ光を照射する予備照射工程を有することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
A method for manufacturing a liquid crystal display device according to claim 1, wherein:
A method of manufacturing a liquid crystal display device comprising a preliminary irradiation step of irradiating the one display pixel having the bright spot with a laser beam before the first step.
請求項5に記載の液晶表示装置の製造方法であって、
前記予備照射工程が、結像したレーザ光を前記アレイ基板側より前記対向基板側に向かって照射する工程であることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
It is a manufacturing method of the liquid crystal display device according to claim 5,
The method of manufacturing a liquid crystal display device, wherein the preliminary irradiation step is a step of irradiating the imaged laser light from the array substrate side toward the counter substrate side.
請求項5または6のいずれか1項に記載の液晶表示装置の製造方法であって、
前記予備照射工程が前記輝点を有する前記一表示画素の複数箇所に対してレーザ光を照射することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
It is a manufacturing method of the liquid crystal display device of any one of Claim 5 or 6, Comprising:
A method of manufacturing a liquid crystal display device, wherein the preliminary irradiation step irradiates a plurality of locations of the one display pixel having the bright spot with laser light.
請求項6または7のいずれか1項に記載の液晶表示装置の製造方法であって、
前記予備照射工程が前記輝点を有する前記表示画素の端部近傍に結像したレーザ光を照射する第二の予備照射工程を有することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
It is a manufacturing method of the liquid crystal display device of any one of Claim 6 or 7,
The method of manufacturing a liquid crystal display device, wherein the preliminary irradiation step includes a second preliminary irradiation step of irradiating laser light imaged in the vicinity of an end portion of the display pixel having the bright spot.
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