JP2006131769A - Plastic structure and method for producing plastic structure - Google Patents

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敦 遊佐
Satoko Arai
聡子 新井
Teruo Hori
照夫 堀
Shu Cho
習 趙
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a new plastic structure containing a high concentration of metallic microparticles in the inside near its surface. <P>SOLUTION: The plastic structure is one wherein a metallic element 202 (e.g., palladium) in the form of an organometallic complex or a modification thereof is present in an amount of at least 5 atomic% in the depth to 5 nm from the outermost surface of a desired part of the plastic structure 4, and amide groups are present in at least the region where the metallic element 202 is present. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は表面改質されたプラスチック構造体及びプラスチック構造体の製造方法に関する。更に詳細には、本発明は表面改質され導電性を有するプラスチック構造体及びプラスチック構造体の製造方法に関する。   The present invention relates to a surface-modified plastic structure and a method for producing the plastic structure. More specifically, the present invention relates to a plastic structure having a surface modified conductivity and a method for manufacturing the plastic structure.

無電解メッキは、プラスチック構造体よりなる電子機器の表面に金属導電膜を形成する手段として広く利用されている。プラスチックの無電解メッキプロセスは材料などにより多少異なるが、一般的に図10の流れ図に示されるように、樹脂成形(S100)、成形体の脱脂(S101)、エッチング(S102)、中和及び湿潤化(S103)、触媒付与(S104)、触媒活性化(S105)、および無電解メッキ(S106)の各工程からなる。   Electroless plating is widely used as a means for forming a metal conductive film on the surface of an electronic device made of a plastic structure. The process of electroless plating of plastic differs slightly depending on the material, etc., but generally, as shown in the flowchart of FIG. 10, resin molding (S100), degreasing of the molded body (S101), etching (S102), neutralization and wetting (S103), catalyst application (S104), catalyst activation (S105), and electroless plating (S106).

また、エッチングにはクロム酸溶液やアルカリ金属水酸化物溶液などを用いるが、これらエッチング液は中和等の後処理が必要なため、コスト高の要因となっている他、毒性の高いエッチャントを用いることによる取り扱いの問題がある。   In addition, a chromic acid solution or an alkali metal hydroxide solution is used for etching, but these etching solutions require post-treatment such as neutralization, which is a cause of high cost and a highly toxic etchant. There is a problem of handling due to use.

エッチングによる粗面化の必要のないプロセスが従来から幾つか提案されている(例えば、特許文献1及び2)。これらはメッキ触媒の含有する薄膜を有機バインダーや紫外線硬化樹脂によりプラスチック表面に形成するものである。また、アミン化合物等のガス雰囲気で紫外線レーザーをプラスチック表面に照射し改質する技術も既に提案されている(例えば、特許文献3)。さらに、コロナ放電処理、プラズマ処理、紫外線処理等による改質技術も提案されている。   Several processes that do not require roughening by etching have been proposed (for example, Patent Documents 1 and 2). In these, a thin film containing a plating catalyst is formed on a plastic surface with an organic binder or an ultraviolet curable resin. In addition, a technique for modifying a plastic surface by irradiating an ultraviolet laser in a gas atmosphere such as an amine compound has already been proposed (for example, Patent Document 3). Further, reforming techniques such as corona discharge treatment, plasma treatment, and ultraviolet treatment have been proposed.

一方、無電解メッキや電解メッキにより回路基板上に配線を形成する方法としてセミアディティブ法がよく知られている。セミアディティブ方法にかかるフローを図11に示す。   On the other hand, a semi-additive method is well known as a method of forming wiring on a circuit board by electroless plating or electrolytic plating. A flow according to the semi-additive method is shown in FIG.

この方法によれば、配線層は次に示す工程により形成される。まず、図10に示した方法と同様の工程により樹脂成形体の表面を処理する(S100〜S105)。次に、無電解メッキにより基板全体に1〜2μmのメッキ層を形成する(S106)。続いて、感光性フィルムやレジストを形成後(S107)、マスキングして露光および現像を行うことにより配線パターンが設けられたフィルムやレジストの層を形成する(S108)。さらに電解メッキプロセスによりパターン化によって露出した無電解メッキ層上に電解メッキを形成する(S109)。次にフィルムやレジストを除去した後(S110)、ソフトエッチングにより配線部以外の無電解メッキ層を除去することでメッキ配線は完成する(S111)。   According to this method, the wiring layer is formed by the following steps. First, the surface of the resin molded body is treated by the same process as that shown in FIG. 10 (S100 to S105). Next, a plating layer of 1 to 2 μm is formed on the entire substrate by electroless plating (S106). Subsequently, after forming a photosensitive film or resist (S107), a film or resist layer provided with a wiring pattern is formed by performing exposure and development by masking (S108). Further, electrolytic plating is formed on the electroless plating layer exposed by patterning by the electrolytic plating process (S109). Next, after removing the film and resist (S110), the plating wiring is completed by removing the electroless plating layer other than the wiring portion by soft etching (S111).

更に、銅メッキの場合、樹脂との密着性が悪いことから(酸化)銅に微細突起を作り樹脂とのアンカー作用を強化する後処理も行われることもある。この処理は、通常、黒化処理と呼ばれる。   Furthermore, in the case of copper plating, since the adhesion to the resin is poor, a post-treatment may be performed to form fine protrusions on (oxidized) copper and reinforce the anchoring action with the resin. This processing is usually called blackening processing.

成形体に立体回路を設ける方法も従来から提案されている(例えば、特許文献4及び5)。まず、立体的な回路基板のプラスチックを樹脂成形により形成する。次に、表面を粗面化および触媒付与した後、全面に無電解メッキを形成し、フォトレジストを全面塗着する。そしてフォトマスクを被せて露光した後に現像し回路パターン形成部以外を除去する。   A method of providing a three-dimensional circuit on a molded body has also been conventionally proposed (for example, Patent Documents 4 and 5). First, a three-dimensional circuit board plastic is formed by resin molding. Next, after roughening the surface and applying a catalyst, electroless plating is formed on the entire surface, and a photoresist is applied over the entire surface. Then, after exposing with a photomask, development is performed to remove portions other than the circuit pattern forming portion.

この上に電解メッキさらにNiやAuの無電解メッキを形成した後、フォトレジストを剥離するとともに無電解メッキの不要部分をエッチング除去する。立体構造体に均一なフォトレジストを形成するのは困難であるため、電着レジストを用いることが特許文献4に提案されているが、かかるレジストは耐アルカリ性が低いという欠点を有している。   After electrolytic plating and further electroless plating of Ni or Au are formed thereon, the photoresist is peeled off and unnecessary portions of the electroless plating are removed by etching. Since it is difficult to form a uniform photoresist on the three-dimensional structure, it is proposed in Patent Document 4 to use an electrodeposition resist. However, such a resist has a drawback of low alkali resistance.

射出成形を利用した回路形成方法も提案されている(例えば、特許文献6)。この特許文献6に記載された方法によれば、先ず、金型表面における回路形成面にRa1〜5μm程度の粗面化した面を設け、射出成形前に触媒核を金型の全面に付着させた後、回路基板を射出成形で形成することで該触媒核を全面転写させる。そして、触媒核の密着性の強い粗面化された成形面のみ無電解メッキが強固に密着し、それ以外の粗面化されていない個所は密着性が弱いため電解メッキ後における回路以外の無電解メッキ層を除去するエッチングの際に核触媒と共に除去できると特許文献6中で説明されている。   A circuit formation method using injection molding has also been proposed (for example, Patent Document 6). According to the method described in Patent Document 6, first, a roughened surface of Ra 1 to 5 μm is provided on the circuit forming surface on the mold surface, and the catalyst core is adhered to the entire surface of the mold before injection molding. Thereafter, the catalyst core is entirely transferred by forming a circuit board by injection molding. The electroless plating strongly adheres only to the roughened molding surface where the adhesion of the catalyst core is strong, and the other non-roughened parts are weakly adherent, so that there is no other than the circuit after electrolytic plating. Patent Document 6 describes that it can be removed together with a nuclear catalyst during etching for removing the electrolytic plating layer.

こうした、従来におけるプラスチックの無電解メッキ膜およびメッキ膜配線の形成技術の問題点を克服すべく、超臨界流体を用いた、新規なプラスチックの無電解メッキ法が提案されている(例えば、非特許文献1)。非特許文献1に記載された方法によれば、有機金属錯体を超臨界二酸化炭素に溶解させ、各種ポリマーに接触させることで、ポリマー表面に金属錯体を注入することができる。そして、加熱や化学還元処理する等によって還元することにより金属微粒子を析出させる。これにより、ポリマー表面全体に無電解メッキ可能になる。このプロセスによれば、廃液処理が不要で、表面粗さが良好なプラスチックの無電解メッキプロセスが達成できる、とされる。
特開平9−59778号公報 特開2001−303255号公報 特開平6−87964号公報 特開平4−76985号公報 特開平1−206692号公報 特開平6−196840号公報 堀照夫著「超臨界流体の最新応用技術」株式会社エヌ・ティー・エス出版、p.250-255(2004)
A novel plastic electroless plating method using a supercritical fluid has been proposed (for example, non-patented) in order to overcome the problems of the conventional technology for forming an electroless plating film and plating film wiring of plastic. Reference 1). According to the method described in Non-Patent Document 1, the metal complex can be injected onto the polymer surface by dissolving the organometallic complex in supercritical carbon dioxide and bringing it into contact with various polymers. Then, metal fine particles are deposited by reduction by heating, chemical reduction treatment or the like. This allows electroless plating over the entire polymer surface. According to this process, waste liquid treatment is unnecessary, and an electroless plating process of plastic with good surface roughness can be achieved.
JP-A-9-59778 JP 2001-303255 A JP-A-6-87964 JP-A-4-76985 JP-A-1-206692 JP-A-6-196840 Teruo Hori, “Latest Application Technology for Supercritical Fluids”, NTS Publishing, p.250-255 (2004)

上記非特許文献1においては、メッキ処理可能なポリマーとして、ポリプロピレン(PP)、ポリカーボネート(PC)、PBT(ポリブチルテレフタレート)、ポリテトラフルオロエチレン(PTFE)、ナイロン6(PA6)、等が開示されている。そして、超臨界二酸化炭素に溶解するとともにポリマー内に浸透し、メッキ核となる金属錯体として、ビス(シクロペンタジエニル)ニッケル、ビス(アセチルアセトナト)パラジウム(II)、ジメチル(シクロオクタジエニル)プラチナ(II)が開示されているが、金属錯体はポリマー表面から内部に、島状に浸透する例のみ開示されている。そして、ポリマー表面に導電性を付与するためには、金属錯体の浸透および還元後、上述の通り無電解メッキ膜の形成が必須であった。   Non-Patent Document 1 discloses polypropylene (PP), polycarbonate (PC), PBT (polybutyl terephthalate), polytetrafluoroethylene (PTFE), nylon 6 (PA6), and the like as polymers that can be plated. ing. And as a metal complex that dissolves in supercritical carbon dioxide and penetrates into the polymer and becomes the plating nucleus, bis (cyclopentadienyl) nickel, bis (acetylacetonato) palladium (II), dimethyl (cyclooctadienyl) ) Platinum (II) is disclosed, but the metal complex is disclosed only in the form of islands penetrating from the polymer surface to the inside. And in order to provide electroconductivity to the polymer surface, formation of an electroless plating film was essential as described above after permeation and reduction of the metal complex.

そして、本発明者らが鋭意検討した結果、超臨界流体に溶解した金属錯体は、ほとんどのポリマーに対し、最表面における浸透量が、多くても2〜3atomic%(アトミックパーセント)以下であり、島状に浸透することが判明した。さらに、浸透した金属錯体が、効率よく還元され金属微粒子になることは殆どなく、つまり還元率が必ずしも高くないことが判った。   As a result of intensive studies by the present inventors, the metal complex dissolved in the supercritical fluid has a permeation amount on the outermost surface of most polymers of at most 2 to 3 atomic% (atomic percent) or less, It was found that it penetrated into islands. Furthermore, it was found that the permeated metal complex is hardly reduced efficiently to become metal fine particles, that is, the reduction rate is not necessarily high.

従って、本発明の目的は、超臨界流体を溶媒に用いたプラスチックの表面改質方法において、前記課題を解決し、金属錯体をプラスチック表面から高濃度に内部に浸透させることにある。さらに、高濃度に浸透した金属錯体を高還元率にて金属微粒子に還元することで、金属微粒子による導電性膜を、無電界メッキプロセスなしで形成することを目的とした。   Accordingly, an object of the present invention is to solve the above-mentioned problems and to allow a metal complex to penetrate from the plastic surface to a high concentration in a plastic surface modification method using a supercritical fluid as a solvent. Furthermore, the object is to form a conductive film made of metal fine particles without an electroless plating process by reducing a metal complex that has penetrated at a high concentration to metal fine particles at a high reduction rate.

さらに、成形加工時に、超臨界流体に溶解した金属錯体をプラスチック表面に選択的に高濃度に浸透させ、かつ還元し、表面を粗面化することなく、また無電解メッキプロセスなしで導電性を有する電気配線パターンを形成することを目的とした。もしくは、無電解メッキの触媒核となる金属微粒子を高効率にてプラスチック表面に形成することを目的とした。   In addition, the metal complex dissolved in the supercritical fluid can be selectively penetrated into the plastic surface at a high concentration and reduced during the molding process, without roughening the surface and without electroless plating process. It was aimed to form an electrical wiring pattern having. Alternatively, the object is to form metal fine particles, which serve as catalyst nuclei for electroless plating, on a plastic surface with high efficiency.

前記課題を解決するために、本発明にかかるプラスチック構造体は、有機金属錯体若しくはその変性物からなる金属元素がプラスチック構造体の所望部分の最表面より5nm以下の深さにおいては5atomic%以上存在し、少なくとも前記金属元素が存在する領域にアミド基が存在するものである。本発明によれば、金属錯体もしくはそれに由来する金属元素がプラスチックおよびプラスチック構造体の最表面において高濃度に浸透しているで、良質な無電解メッキ膜が形成できる。また、無電解メッキ処理を行わずとも、導電性を得ることが可能となる。尚、本発明にかかるプラスチック構造体は、プラスチック及びプラスチック成形体(成形品)の双方を含む。   In order to solve the above-mentioned problems, the plastic structure according to the present invention has a metal element composed of an organometallic complex or a modified product thereof at 5 atomic% or more at a depth of 5 nm or less from the outermost surface of a desired portion of the plastic structure. In addition, an amide group exists at least in a region where the metal element exists. According to the present invention, a metal complex or a metal element derived therefrom permeates at a high concentration on the outermost surface of the plastic and the plastic structure, so that a high-quality electroless plating film can be formed. In addition, conductivity can be obtained without performing electroless plating. The plastic structure according to the present invention includes both a plastic and a plastic molded body (molded product).

図4に本発明にかかるプラスチックの断面構造の模式図を示す。図に示されるように、プラスチックの表面領域201に金属錯体や金属元素のクラスター202が浸透している。特に、最表面200に、より多くのクラスター202が浸透している。   FIG. 4 shows a schematic diagram of a cross-sectional structure of a plastic according to the present invention. As shown in the figure, a metal complex or metal element cluster 202 penetrates into the plastic surface region 201. In particular, more clusters 202 penetrate the outermost surface 200.

ここで、プラスチックの分析方法は、例えば、次の方法を用いることができる。まず、金属錯体や金属元素における、プラスチック最表面よりの厚み方向の分布は、プラスチック断面を集束イオンビーム加工観察装置(FIB:Focused Ion Beam)にて露出させた後、透過型電子顕微鏡(TEM:Transmission Electron Microscope)にて断面観察することにより同定できる。また、電子線マイクロプローブ分析装置(EPMA:Electron Probe Micro Analyzer)にて金属微粒子の分布を厚み方向にマッピングすることができる。   Here, as a plastic analysis method, for example, the following method can be used. First, the distribution of the metal complex or metal element in the thickness direction from the outermost surface of the plastic is obtained by exposing a cross section of the plastic with a focused ion beam processing observation apparatus (FIB) and then transmitting a transmission electron microscope (TEM). It can be identified by observing the cross section with a transmission electron microscope. Further, the distribution of metal fine particles can be mapped in the thickness direction by an electron beam microprobe analyzer (EPMA).

最表面における金属錯体やそれに由来する金属微粒子の元素比率や金属錯体の還元率等の状態解析は、X線光電子分光法(XPS:X-ray Photoelectron Spectroscopy、ESCA:Electron Spectroscopy for Chemical Analysis)を用いることができる。X線光電子分光法では、検出された電子の結合エネルギーから元素の種類、シグナル強度から元素の比率を調べることができる。また、内部に浸透した金属錯体が完全に金属元素に還元されていないプラスチックを分析した場合、検出波形は金属元素の結合エネルギーよりも高エネルギー側にシフトしたブロードな形状になる。この場合、メタルと、その酸化物や金属錯体の比率を状態解析することにより、メタルとして存在する金属元素の比率を求めることができる。あらかじめ、金属錯体単体の結合エネルギーを調査する必要があるが、プラスチック内に存在する金属錯体は、超臨界二酸化炭素にてプラスチックより抽出し、単体で取り出し分析することができる。   X-ray photoelectron spectroscopy (XPS: X-ray Photoelectron Spectroscopy, ESCA: Electron Spectroscopy for Chemical Analysis) is used for state analysis such as the element ratio of the metal complex on the outermost surface and the metal fine particles derived therefrom and the reduction rate of the metal complex. be able to. In X-ray photoelectron spectroscopy, the type of element can be determined from the detected binding energy of electrons, and the element ratio can be determined from signal intensity. In addition, when a plastic in which the metal complex that has penetrated inside is not completely reduced to a metal element is analyzed, the detected waveform has a broad shape shifted to a higher energy side than the binding energy of the metal element. In this case, by analyzing the state of the ratio of the metal and its oxide or metal complex, the ratio of the metal element present as the metal can be obtained. Although it is necessary to investigate in advance the binding energy of a single metal complex, the metal complex present in the plastic can be extracted from the plastic with supercritical carbon dioxide and taken out for analysis.

また本発明にかかるプラスチック構造体は、アミド基(-CONH)を有するプラスチック材料により構成される。本発明者らの検討によれば、例えば、下記構造を有するポリアミド(PA)系材料に対しては、高濃度に金属錯体が浸透され、また高い還元率を得ることができる。PAは下記化学構造式(1)、(2)で示されるナイロン系ポリマーを用いることができる。また、ポリアミドイミド(PAI)のようなベンゼン環を有する高耐熱性スーパーエンプラや芳香族ナイロンを用いることができる。各種プラスチック材料は、無機フィラー等を含有していてもよい。   The plastic structure according to the present invention is made of a plastic material having an amide group (—CONH). According to the study by the present inventors, for example, a polyamide (PA) -based material having the following structure is penetrated with a high concentration, and a high reduction rate can be obtained. For PA, nylon polymers represented by the following chemical structural formulas (1) and (2) can be used. In addition, a high heat resistant super engineering plastic or aromatic nylon having a benzene ring such as polyamideimide (PAI) can be used. Various plastic materials may contain an inorganic filler or the like.

さらに、本発明にかかるプラスチック構造体は、その表面が内部に浸透した金属元素により導電性を有する。上記ポリアミド系材料に対して、他のプラスチックと比較し、高濃度に金属錯体が浸透し、無電解メッキプロセスなしで金属導電性膜が形成可能となる。そのメカニズムは、親水性のアミド基を有することに起因し、超臨界二酸化炭素や金属錯体に対し親和性がよい、金属錯体の還元サイトとして働く、などと考えられる。 Furthermore, the plastic structure according to the present invention has conductivity due to a metal element whose surface has penetrated inside. Compared to other plastics, the polyamide complex penetrates the polyamide complex at a higher concentration, and a metal conductive film can be formed without an electroless plating process. The mechanism is attributed to having a hydrophilic amide group, and is considered to have good affinity for supercritical carbon dioxide and metal complexes, and serve as a reduction site for metal complexes.

また、超臨界流体に溶解させた有機金属錯体を、アミド基を有するプラスチックに接触させることで、該プラスチックの表面に有機金属錯体に含有される金属元素より構成される導電膜を形成するが可能である。本発明に用いることが可能な有機金属錯体には、超臨界二酸化炭素にある程度の溶解度を有すれば、任意であるが、例えば、ビス(シクロペンタジエニル)ニッケル、ビス(アセチルアセトナト)パラジウム(II)、ジメチル(シクロオクタジエニル)プラチナ(II)、ヘキサフルオロアセチルアセトナトパラジウム(II)、ヘキサフルオロアセチルアセトナトヒドレート銅(II)、ヘキサフルオロアセチルアセトナトプラチナ(II)、ヘキサフルオロアセチルアセトナト(トリメチルホスフィン)銀(I)、ジメチル(ヘプタフルオロオクタネジオネート)銀(AgFOD)等が含まれる。超臨界流体にこれら金属錯体を溶解させ、プラスチックに浸透させた後、加熱処理や化学還元処理により、還元効率を向上させてもよい。   In addition, by bringing the organometallic complex dissolved in the supercritical fluid into contact with a plastic having an amide group, it is possible to form a conductive film composed of the metal element contained in the organometallic complex on the surface of the plastic. It is. The organometallic complex that can be used in the present invention is arbitrary as long as it has a certain degree of solubility in supercritical carbon dioxide. For example, bis (cyclopentadienyl) nickel, bis (acetylacetonato) palladium (II), dimethyl (cyclooctadienyl) platinum (II), hexafluoroacetylacetonatopalladium (II), hexafluoroacetylacetonatohydrate copper (II), hexafluoroacetylacetonatoplatinum (II), hexafluoroacetyl Examples include acetonato (trimethylphosphine) silver (I), dimethyl (heptafluorooctaneoneate) silver (AgFOD), and the like. After these metal complexes are dissolved in a supercritical fluid and infiltrated into the plastic, the reduction efficiency may be improved by heat treatment or chemical reduction treatment.

本発明においては、金属錯体の超臨界流体に対する溶解度を向上させるために、アセトン、アルコール等の助溶媒を用いてもよい。
また、プラスチック構造体において少なくとも金属元素が存在する領域にガラス繊維を包含させることが好ましい。これにより、プラスチック構造体の強度を高めることができる。
In the present invention, a cosolvent such as acetone or alcohol may be used in order to improve the solubility of the metal complex in the supercritical fluid.
In addition, it is preferable to include glass fibers in a region where at least the metal element exists in the plastic structure. Thereby, the intensity | strength of a plastic structure can be raised.

本発明の態様においては、成形時に表面に高濃度にプラスチック表面および内部に金属錯体および金属微粒子を浸透させることができ、例えば導電性を有するプラスチック構造体を得ることができる。特に、本発明によれば、密着性の高い金属膜を得ることができ、配線として利用することも可能である。表面電気抵抗の低減のため、さらに、無電解メッキ膜の形成を施してもよい。   In the embodiment of the present invention, the metal complex and the metal fine particles can be permeated into the surface of the plastic and the interior thereof at a high concentration during molding, for example, a plastic structure having conductivity can be obtained. In particular, according to the present invention, a metal film with high adhesion can be obtained, and can also be used as wiring. In order to reduce the surface electrical resistance, an electroless plating film may be further formed.

アミド基を有するプラスチックと金属錯体の溶解した超臨界流体を接触させる方法は、任意であるが、例えば可塑化シリンダー内等において、溶融状態のプラスチックと超臨界流体等を混合してもよい。また、金型にプラスチックを射出充填した後、金型とプラスチックの間に隙間を形成し、超臨界流体および金属錯体を導入してもよい。   A method of bringing the plastic having an amide group into contact with the supercritical fluid in which the metal complex is dissolved is arbitrary, but the molten plastic may be mixed with the supercritical fluid in a plasticizing cylinder, for example. Further, after injection-filling the mold with plastic, a gap may be formed between the mold and the plastic, and the supercritical fluid and the metal complex may be introduced.

本発明で使用することができる超臨界流体は、空気、CO、CO、O、N、HO、メタン、エタン、プロパン、ブタン、ペンタン、ヘキサン、メタノール、エチルアルコール、アセトン、ジエチルエーテル等である。Nの臨界温度は−147℃、臨界圧力は34気圧であり、HOの臨界温度は374℃、臨界圧力は218気圧であるのに対して、COの臨界温度は31℃、臨界圧力は73気圧であり、n―ヘキサン並の溶解度を有し、ある種の熱可塑性樹脂材料へ可塑剤として働き射出成形や押し出し成形で実績が多い点で、COが特に望ましい。これらは1種単独で用いてもよいし、2種以上を混合してもよい。 Supercritical fluids that can be used in the present invention are air, CO, CO 2 , O 2 , N 2 , H 2 O, methane, ethane, propane, butane, pentane, hexane, methanol, ethyl alcohol, acetone, diethyl Ethers and the like. The critical temperature of N 2 is −147 ° C. and the critical pressure is 34 atm. The critical temperature of H 2 O is 374 ° C. and the critical pressure is 218 atm, whereas the critical temperature of CO 2 is 31 ° C. The pressure is 73 atmospheres, CO 2 is particularly desirable in that it has a solubility comparable to that of n-hexane and works as a plasticizer for certain thermoplastic resin materials and has a proven track record in injection molding and extrusion molding. These may be used individually by 1 type and may mix 2 or more types.

また、別の観点による本発明は、プラスチック構造体の表面に導電膜を形成する金属元素のパターンを有するプラスチック構造体の製造方法であって、射出成形装置もしくはプレス装置の金型内にアミド基を表面に有するプラスチックからなる熱可塑性樹脂を射出充填もしくは保持するステップと、有機金属錯体の溶解した超臨界流体を熱可塑性樹脂表面に選択的に接触させるステップからなり、前記プラスチック構造体の表面には、前記有機金属錯体に還元されることにより生成された金属微粒子が5atomic%の割合で存在し、導電性を有する。   Another aspect of the present invention is a method for producing a plastic structure having a metal element pattern for forming a conductive film on the surface of the plastic structure, wherein the amide group is placed in a mold of an injection molding apparatus or a press apparatus. A step of injecting or holding a thermoplastic resin made of plastic having a surface thereof, and a step of selectively bringing a supercritical fluid in which an organometallic complex is dissolved into contact with the surface of the thermoplastic resin. The metal fine particles produced by being reduced to the organometallic complex are present at a ratio of 5 atomic% and have conductivity.

本発明におけるプラスチックの断面構造の模式図を図5に示すが、任意の線幅203にて、任意の高さ201を有する凸部において、最表面200を中心に金属錯体や金属元素のクラスター202が浸透している。本発明の態様によれば、金属微粒子がナノスケールのクラスターを形成しながら高密度にパターン化された状態でプラスチック内部に選択式に浸透しているため、密着性および表面平滑性に優れた電気配線を得ることができる。さらに導電膜の膜厚を無電解メッキ等により増やし、表面の電気抵抗を下げて用いてもよい。   A schematic diagram of the cross-sectional structure of the plastic in the present invention is shown in FIG. Has penetrated. According to the aspect of the present invention, the metal fine particles permeate selectively into the plastic in a state of being densely patterned while forming nano-scale clusters, so that the electricity excellent in adhesion and surface smoothness can be obtained. Wiring can be obtained. Furthermore, the film thickness of the conductive film may be increased by electroless plating or the like to reduce the surface electrical resistance.

本発明によれば、表面近傍の内部に金属微粒子が高濃度に浸透する新規なプラスチックを提供することができる。金属微粒子は選択式に浸透させることも可能であるので、電気回路を有するプラスチック構造体も得ることができる。   According to the present invention, it is possible to provide a novel plastic in which metal fine particles permeate at a high concentration inside the vicinity of the surface. Since the metal fine particles can be permeated selectively, a plastic structure having an electric circuit can also be obtained.

[実施例1]
本実施例において用いたプラスチック構造体の製造装置の概略構成を図1に示す。本実施例においては、図1に示す製造装置を用いて、ナイロン樹脂の表面全体に金属錯体を注入した。また、超臨界流体の種類としては、二酸化炭素を用いた。本装置の配管表面すべてには、図示しないヒーターが巻かれている。配管ヒーターは55℃に設定した。
[Example 1]
FIG. 1 shows a schematic configuration of a plastic structure manufacturing apparatus used in this example. In this example, the metal complex was injected over the entire surface of the nylon resin using the manufacturing apparatus shown in FIG. Carbon dioxide was used as the type of supercritical fluid. A heater (not shown) is wound around the entire piping surface of the apparatus. The piping heater was set at 55 ° C.

また、本実施例においては、超臨界流体の発生装置として、公知のシリンジポンプ(ISCO社製SFX260D)を用いた。3〜7MPaの液化二酸化炭素を蓄えるボンベ1は、ボールバルブ35の手動による開放により、フィルター41および逆流防止弁37を通過し、シリンジポンプ2に導入され、昇圧される。尚、液化二酸化炭素の圧力は、圧力計40によって測定される。一方、助溶媒であるエタノールやアセトン等のエントレーナは、容器31に蓄えられる。容器31に蓄えられたエントレーナは、ボールバルブ36を開放すると、逆流防止弁37を経てエントレーナ用シリンジポンプ3に導入され、昇圧される。   In this example, a known syringe pump (SFX260D manufactured by ISCO) was used as a supercritical fluid generator. The cylinder 1 storing liquefied carbon dioxide of 3 to 7 MPa passes through the filter 41 and the backflow prevention valve 37 by manual opening of the ball valve 35, is introduced into the syringe pump 2, and is pressurized. Note that the pressure of the liquefied carbon dioxide is measured by the pressure gauge 40. On the other hand, an entrainer such as ethanol or acetone as a cosolvent is stored in the container 31. When the ball valve 36 is opened, the entrainer stored in the container 31 is introduced into the entrainer syringe pump 3 via the backflow prevention valve 37 and is pressurized.

本実施例においては、二酸化炭素に対するエントレーナの体積比濃度を任意の値にて制御しながら、二酸化炭素とエントレーナの混合流体を、圧力計39の圧力が20MPaになるように制御した。本実施例においては、エントレーナにエタノールを用い、二酸化炭素に対する濃度は2%とした。圧力計39の圧力が過剰に上昇しないように安全弁42を設けた。   In this example, the mixed fluid of carbon dioxide and entrainer was controlled so that the pressure of the pressure gauge 39 was 20 MPa while controlling the volume ratio concentration of the entrainer with respect to carbon dioxide at an arbitrary value. In this example, ethanol was used as the entrainer, and the concentration relative to carbon dioxide was 2%. A safety valve 42 is provided so that the pressure of the pressure gauge 39 does not rise excessively.

上記方法にて合成された、エタノール混合の超臨界二酸化炭素を、ボールバルブ43の開放にて、導入口46より、高圧容器6内に導入した。   The supercritical carbon dioxide mixed with ethanol synthesized by the above method was introduced into the high-pressure vessel 6 through the inlet 46 when the ball valve 43 was opened.

高圧容器6には、予めプラスチック4および金属錯体8をフィルター44により区分けして設置しておいた。高圧容器6内は、攪拌装置7にて、攪拌され濃度の均一化を図ることができる。   In the high-pressure vessel 6, the plastic 4 and the metal complex 8 were previously separated by a filter 44 and installed. The inside of the high-pressure vessel 6 is agitated by the agitator 7 and can be made uniform in concentration.

本実施例において、プラスチック4は板厚0.3mmのPA6フィルム(アラム株式会社製6432−02 6N 6ナイロン)を用いた。また、金属錯体8は、ビス(アセチルアセトナト)パラジウム(II)を用いた。   In this example, the plastic 4 was a PA6 film (6432-02 6N 6 nylon manufactured by Aram Co., Ltd.) having a plate thickness of 0.3 mm. As the metal complex 8, bis (acetylacetonato) palladium (II) was used.

本発明においては、本実施例のようにバッチ法を用い、ナイロン樹脂表面に金属錯体を高濃度に注入するためには、対象プラスチックに対して金属錯体の仕込み量をある程度、多くする必要がある。プラスチックに対する金属錯体の仕込み量は0.5wt%(重量パーセント)以上が望ましい。仕込み量が少ないと島状にしか注入されず、導電性を得ることができない場合があるからである。本実施例においては、3g(グラム)のPA6に対し、金属錯体は60mg(2wt%)用いた。   In the present invention, the batch method is used as in this embodiment, and in order to inject the metal complex at a high concentration onto the surface of the nylon resin, it is necessary to increase the amount of the metal complex charged to the target plastic to some extent. . The charge amount of the metal complex to the plastic is preferably 0.5 wt% (weight percent) or more. This is because if the charging amount is small, it is injected only in an island shape, and it may not be possible to obtain conductivity. In this example, 60 mg (2 wt%) of the metal complex was used with respect to 3 g (gram) of PA6.

高圧容器6内に導入された、上記超臨界二酸化炭素は、金属錯体8を溶解し、容器内全体に拡散する。そして、プラスチック4表面より、一部は浸透していく。高圧容器6の温度は図示しないヒーターによって温度制御可能であるが、本実施例においては120℃とし、この温度で1時間保持した。その後、40℃まで容器6を冷却した。   The supercritical carbon dioxide introduced into the high-pressure vessel 6 dissolves the metal complex 8 and diffuses throughout the vessel. A part of the surface of the plastic 4 penetrates. Although the temperature of the high-pressure vessel 6 can be controlled by a heater (not shown), in this embodiment, the temperature was set to 120 ° C. and kept at this temperature for 1 hour. Thereafter, the container 6 was cooled to 40 ° C.

そして、ボールバルブ69を開放し、保圧弁34にて圧力33が急減圧しないように制御しながら、抽出容器32に、大気圧に減圧した二酸化炭素とエタノールおよび余剰な金属錯体の粉体を抽出した。
高圧容器6内を大気にし、PA6のプラスチックを取り出した。表面は金属光沢があり、導電性を有した。
Then, the ball valve 69 is opened, and the powder of carbon dioxide, ethanol, and excess metal complex decompressed to the atmospheric pressure is extracted into the extraction container 32 while controlling the pressure 33 so that the pressure 33 is not suddenly reduced by the pressure holding valve 34. did.
The inside of the high-pressure vessel 6 was evacuated, and the plastic of PA6 was taken out. The surface had a metallic luster and was electrically conductive.

本実施例のプラスチック表面をX線光電子分光装置(XPS)にて元素比を測定した結果を表3に示す。Pd由来の元素は11.6atomic%含まれることがわかった。   Table 3 shows the results of measuring the element ratio of the plastic surface of this example using an X-ray photoelectron spectrometer (XPS). The element derived from Pd was found to be contained at 11.6 atomic%.

次に、XPSで測定したPd3dの結合エネルギーのナローバンド波形より、Pdメタルの存在率すなわち金属錯体の還元率を算出した。図8に本実施例のPd3dの結合エネルギーのナローバンド波形を示すが、Pd3dとPd3dのピークがブロードに検出された。これより、メタル成分以外の成分が含まれることが判明した。予め、金属錯体単体にて、Pdの化学結合状態、つまりPd3dのピーク結合エネルギーを同定しておいた。そして、図8の原波形における、Pd3d化学結合のピークエネルギーは、Pdメタルの335.1eV、PdO2および金属錯体の337.9〜338.2eV、PdOの336.3eVそれぞれに帰属される3種類の波形に分離できることが認められた。各分離波形の合成波形が原波形に完全に重なるようにして、分離波形の面積比を算出した。これより、Pdメタルの存在率は、76%であることが判明した。 Next, the abundance ratio of Pd metal, that is, the reduction ratio of the metal complex was calculated from the narrow band waveform of the binding energy of Pd3d measured by XPS. Shows a narrowband waveform binding energy of Pd3d of this embodiment in FIG. 8, but the peak of Pd3d 5 and Pd3d 3 was detected broad. From this, it was found that components other than the metal component were included. The chemical bond state of Pd, that is, the peak bond energy of Pd3d was previously identified with a metal complex alone. Then, the original waveform of Figure 8, the peak energy of Pd3d 5 chemical bonds, Pd metal 335.1EV, PdO 2 and of the metal complex 337.9~338.2EV, 3 kinds attributed to each 336.3eV of PdO It was confirmed that it can be separated into waveforms. The area ratio of the separated waveforms was calculated so that the synthesized waveform of each separated waveform completely overlapped with the original waveform. From this, it was found that the abundance ratio of Pd metal was 76%.

以上より、本実施例のプラスチックにおいては、最表面におけるPdメタルの量は11.6(atomic%)*76(%)=約8.8(atomic%)であることがわかった。   From the above, in the plastic of this example, it was found that the amount of Pd metal on the outermost surface was 11.6 (atomic%) * 76 (%) = about 8.8 (atomic%).

これより、最表面(XPSの分析能力に依存するため、通常5nm以下の深さ)においては、Pd錯体が高還元率にてメタルに還元され、高濃度に存在することがわかった。   From this, it was found that the Pd complex was reduced to a metal at a high reduction rate and present in a high concentration on the outermost surface (usually a depth of 5 nm or less because it depends on the XPS analytical ability).

さらに、本実施例のプラスチックをFIBにて断面を露出させ、TEMにて観察した結果を図6,7に示す。図6、図7ともに、矢印部分がプラスチックの最表面部である。これらより、最表面には高濃度にPdの金属元素が密集した層200が、約40nmの厚みで形成されていることがわかる。また図6より、Pd元素が浸透している深さは少なくとも2μm以上であることがわかる。   Furthermore, the cross section of the plastic of this example was exposed with FIB, and the results of observation with TEM are shown in FIGS. 6 and 7, the arrow portion is the outermost surface portion of the plastic. From these, it can be seen that a layer 200 in which Pd metal elements are concentrated at a high concentration is formed on the outermost surface with a thickness of about 40 nm. Further, FIG. 6 shows that the depth of penetration of the Pd element is at least 2 μm or more.

以上、本実施例におけるナイロン樹脂においては、金属錯体が還元されたPdメタル成分が高濃度に浸透しており、最表面においては、導電性を有する金属膜が形成されていた。   As described above, in the nylon resin in this example, the Pd metal component reduced from the metal complex penetrated at a high concentration, and a conductive metal film was formed on the outermost surface.

[実施例2]
金属錯体にヘキサフルオロアセチルアセトナトパラジウム(II)を用い、プラスチックに対する仕込み量を15wt%とした以外は、実施例1と同様にPA6に金属錯体を注入した。圧力39は15MPaになるように制御した。高圧容器の温度を150℃とし、この温度で1時間保持した。また本実施例においては、エントレーナを用いなかった。それ以外は、実施例1と同様にして金属錯体をプラスチック表面全体に浸透させた。
[Example 2]
The metal complex was injected into PA6 in the same manner as in Example 1 except that hexafluoroacetylacetonato palladium (II) was used as the metal complex and the amount charged to the plastic was 15 wt%. The pressure 39 was controlled to be 15 MPa. The temperature of the high-pressure vessel was set to 150 ° C. and kept at this temperature for 1 hour. In this example, no entrainer was used. Otherwise, the metal complex was allowed to penetrate the entire plastic surface in the same manner as in Example 1.

処理後のプラスチック表面は、金属光沢があり、導電性を有した。本実施例のプラスチック表面をX線光電子分光装置(XPS)にて元素比を測定した結果を表4に示す。Pd由来の元素は15.0atomic%含まれることがわかった。   The treated plastic surface had a metallic luster and was electrically conductive. Table 4 shows the results of measuring the element ratio of the plastic surface of this example using an X-ray photoelectron spectrometer (XPS). The element derived from Pd was found to be contained at 15.0 atomic%.

次に、XPSで測定したPd3dの結合エネルギーのナローバンド波形より、Pdメタルの存在率を算出した。これより、Pdメタルの存在率は、77%であることが判明した。   Next, the abundance of Pd metal was calculated from the narrow band waveform of the binding energy of Pd3d measured by XPS. From this, it was found that the abundance ratio of Pd metal was 77%.

以上より、本実施例のプラスチックにおいては、最表面におけるPdメタルの量は15.0(atomic%)*77(%)=約11.6(atomic%)であることがわかった。   From the above, it was found that in the plastic of this example, the amount of Pd metal on the outermost surface was 15.0 (atomic%) * 77 (%) = about 11.6 (atomic%).

さらに、本実施例のプラスチックをFIBにて断面を露出させ、TEMにて観察した結果を図12、図13に示す。これより、最表面には高濃度にPdの金属元素が密集した層が明確に形成されていないが、深さ方向においても高濃度に浸透していることがわかった。またPd元素が浸透している深さは少なくとも5μm以上であることがわかった。   Furthermore, the cross section of the plastic of this example was exposed with FIB, and the results of observation with TEM are shown in FIGS. From this, it was found that a layer in which Pd metal elements were densely formed at a high concentration was not clearly formed on the outermost surface, but penetrated at a high concentration even in the depth direction. It was also found that the depth of penetration of the Pd element was at least 5 μm.

[実施例3]
プラスチックに板厚0.5mmのPA66フィルム(アラム株式会社製 6435−02 66N)を用い、圧力計39の圧力は20MPaになるように制御した。高圧容器の温度を150℃とし、この温度で5時間保持した。それ以外は、実施例2と同様な金属錯体および仕込み量にて、プラスチック表面全体に金属錯体を浸透させた。
[Example 3]
A PA66 film (6435-02 66N manufactured by Aram Co., Ltd.) having a plate thickness of 0.5 mm was used as the plastic, and the pressure of the pressure gauge 39 was controlled to 20 MPa. The temperature of the high-pressure vessel was set to 150 ° C. and kept at this temperature for 5 hours. Other than that, the metal complex was infiltrated into the entire plastic surface with the same metal complex and charge as in Example 2.

処理後のプラスチック表面は、金属光沢があり、導電性を有した。本実施例のプラスチック表面をX線光電子分光装置(XPS)にて元素比を測定した結果を表5に示す。Pd由来の元素は18.2atomic%含まれることがわかった。   The treated plastic surface had a metallic luster and was electrically conductive. Table 5 shows the results of measuring the element ratio of the plastic surface of this example using an X-ray photoelectron spectrometer (XPS). The element derived from Pd was found to be contained at 18.2 atomic%.

次に、XPSで測定したPd3dの結合エネルギーのナローバンド波形より、Pdメタルの存在率を算出した。これより、Pdメタルの存在率は、81%であることが判明した。   Next, the abundance of Pd metal was calculated from the narrow band waveform of the binding energy of Pd3d measured by XPS. From this, it was found that the abundance ratio of Pd metal was 81%.

以上より、本実施例のプラスチックにおいては、最表面におけるPdメタルの量は18.2(atomic%)*81(%)=約14.7(atomic%)であることがわかった。   From the above, it was found that in the plastic of the present example, the amount of Pd metal on the outermost surface was 18.2 (atomic%) * 81 (%) = about 14.7 (atomic%).

さらに、本実施例のプラスチックをFIBにて断面を露出させ、TEMにて観察した結果を図14、図15に示す。これより、最表面には高濃度にPdの金属元素が密集した層が、約60nmの厚みで形成されていることがわかった。   Furthermore, the cross section of the plastic of this example was exposed with FIB, and the results of observation with TEM are shown in FIGS. From this, it was found that a layer having a high concentration of Pd metal elements was formed on the outermost surface with a thickness of about 60 nm.

[実施例4]
プラスチックに板厚0.3mmのPAIフィルム(アラム株式会社製 6448−01)を用い、金属錯体のプラスチックに対する仕込み量を10重量%とした。圧力計の圧力39は20MPaになるように制御した。それ以外は、実施例2と同様に金属錯体をプラスチック表面全体に浸透させた。
[Example 4]
A PAI film having a plate thickness of 0.3 mm (6448-01, manufactured by Aram Co., Ltd.) was used as the plastic, and the amount of metal complex charged to the plastic was 10 wt%. The pressure gauge pressure 39 was controlled to 20 MPa. Other than that, the metal complex was made to osmose | permeate the whole plastic surface like Example 2. FIG.

処理後のプラスチック表面は、金属光沢があり、導電性を有した。本実施例のプラスチック表面をX線光電子分光装置(XPS)にて元素比を測定した結果を表6に示す。Pd由来の元素は17.9atomic%含まれることがわかった。   The treated plastic surface had a metallic luster and was electrically conductive. Table 6 shows the results of measuring the element ratio of the plastic surface of this example using an X-ray photoelectron spectrometer (XPS). It was found that the element derived from Pd contained 17.9 atomic%.

次に、XPSで測定したPd3dの結合エネルギーのナローバンド波形より、Pdメタルの存在率を算出した。これより、Pdメタルの存在率は、75%であることが判明した。   Next, the abundance of Pd metal was calculated from the narrow band waveform of the binding energy of Pd3d measured by XPS. From this, it was found that the abundance ratio of Pd metal was 75%.

以上より、本実施例のプラスチックにおいては、最表面におけるPdメタルの量は17.9(atomic%)*75(%)=約13.4(atomic%)であることがわかった。   From the above, in the plastic of this example, it was found that the amount of Pd metal on the outermost surface was 17.9 (atomic%) * 75 (%) = 13.4 (atomic%).

さらに、本実施例のプラスチックをFIBにて断面を露出させ、TEMにて観察した結果を図16、図17に示す。これより、最表面には高濃度にPdの金属元素が密集した層が、約20nmの厚みで形成されていることがわかった。該最表面部200をEDS(Energy Dispersive X-Ray Spectroscopy エネルギー分散型分光法)にて元素分析したところ、Pd元素が30atomic%検出された。   Furthermore, the cross section of the plastic of this example was exposed with FIB, and the results of observation with TEM are shown in FIGS. From this, it was found that a layer having a high concentration of Pd metal elements was formed on the outermost surface with a thickness of about 20 nm. When the outermost surface portion 200 was subjected to elemental analysis by EDS (Energy Dispersive X-Ray Spectroscopy energy dispersive spectroscopy), 30 atomic% of Pd element was detected.

本試料においては、深さ方向における金属錯体の浸透が認められなかった。この要因として、材料のガラス転移温度が高く(約250℃)、処理条件(150℃、20MPa)によりポリマーが十分に膨潤しなかったことが推定される。しかし、最表面においては、高濃度に金属錯体が吸着していることより、金属錯体および二酸化炭素と本ポリマーの親和性が高いことが示唆される。   In this sample, penetration of the metal complex in the depth direction was not observed. As this factor, it is presumed that the glass transition temperature of the material was high (about 250 ° C.), and the polymer did not swell sufficiently due to the processing conditions (150 ° C., 20 MPa). However, on the outermost surface, the metal complex is adsorbed at a high concentration, which suggests that the affinity of the present polymer with the metal complex and carbon dioxide is high.

[実施例5]
プラスチックに射出成形で作製したガラス繊維を33%含有した板厚2.0mmのPA6(三菱エンジニリアリングプラスチック製 ノバミッド1015G33)の基板を用いた。金属錯体のプラスチックに対する仕込み量を25重量%とした。圧力計の圧力39は20MPaになるように制御した。それ以外は、実施例2と同様に金属錯体をプラスチック表面全体に浸透させた。
[Example 5]
A substrate of PA6 (Novamid 1015G33 made by Mitsubishi Engineering ring plastic) having a thickness of 2.0 mm and containing 33% glass fiber produced by injection molding in plastic was used. The amount of metal complex charged to the plastic was 25% by weight. The pressure gauge pressure 39 was controlled to 20 MPa. Other than that, the metal complex was made to osmose | permeate the whole plastic surface like Example 2. FIG.

処理後のプラスチック表面は、金属光沢があり、導電性を有した。本実施例のプラスチック表面をX線光電子分光装置(XPS)にて元素比を測定した結果を表7に示す。Pd由来の元素は8.6atomic%含まれることがわかった。   The treated plastic surface had a metallic luster and was electrically conductive. Table 7 shows the results of measuring the element ratio of the plastic surface of this example using an X-ray photoelectron spectrometer (XPS). It turned out that the element derived from Pd is contained 8.6 atomic%.

次に、XPSで測定したPd3dの結合エネルギーのナローバンド波形より、Pdメタルの存在率を算出した。これより、Pdメタルの存在率は、80%であることが判明した。   Next, the abundance of Pd metal was calculated from the narrow band waveform of the binding energy of Pd3d measured by XPS. From this, it was found that the abundance of Pd metal was 80%.

以上より、本実施例のプラスチックにおいては、最表面におけるPdメタルの量は8.6(atomic%)*80(%)=約6.9(atomic%)であることがわかった。   From the above, in the plastic of this example, it was found that the amount of Pd metal on the outermost surface was 8.6 (atomic%) * 80 (%) = about 6.9 (atomic%).

さらに、本実施例のプラスチックをFIBにて断面を露出させ、TEMにて観察した結果を図18、図19に示した。これより、最表面には高濃度にPdの金属元素が密集した層は明確に形成されていないことがわかった。しかし、少なくとも2μm以上の深さにて高濃度にPd元素が浸透していることがわかった。この深さの範囲において、ガラス繊維は観察されなかった。これは、射出成形時において、比重の重いガラス繊維が成形体の中心分に集中し、最表面に浮上しにくいことが要因と考えられる。   Furthermore, the cross section of the plastic of this example was exposed with FIB, and the results of observation with TEM are shown in FIGS. From this, it was found that a layer in which Pd metal elements were densely concentrated at the outermost surface was not clearly formed. However, it was found that Pd element penetrates at a high concentration at a depth of at least 2 μm. In this depth range, no glass fiber was observed. This is considered to be due to the fact that glass fibers having a high specific gravity are concentrated on the center of the molded body during injection molding and hardly float on the outermost surface.

[実施例6]
本実施例においては、シリンジポンプ等は実施例1と同様な装置を用い、ボールバルブ43までは実施例1と同様な装置構成とした。本実施例にかかる装置の一部を図2に示す。超臨界二酸化炭素とエタノールの混合溶媒は、ボールバルブ43、バルブ47を経て、金属錯体8を溶解させる高圧容器6に導入した。エタノールと二酸化炭素の混合比および圧力は実施例1と同様にした。圧力は圧力計51が20MPaになるように調整した。
高圧容器6内で、実施例1と同様の金属錯体ビス(アセチルアセトナト)パラジウム(II)を、攪拌装置7を用い、超臨界二酸化炭素に溶解させた。
[Example 6]
In the present embodiment, the syringe pump and the like use the same device as in the first embodiment, and the device configuration up to the ball valve 43 is the same as that in the first embodiment. A part of the apparatus according to this example is shown in FIG. A mixed solvent of supercritical carbon dioxide and ethanol was introduced into the high-pressure vessel 6 in which the metal complex 8 was dissolved through the ball valve 43 and the valve 47. The mixing ratio and pressure of ethanol and carbon dioxide were the same as in Example 1. The pressure was adjusted so that the pressure gauge 51 became 20 MPa.
In the high-pressure vessel 6, the same metal complex bis (acetylacetonato) palladium (II) as in Example 1 was dissolved in supercritical carbon dioxide using the stirring device 7.

本実施例においては、下記方法で予め射出成形したナイロン樹脂のプラスチック板をプレス成形した。本実施例においては、ナイロン樹脂にPA6(三菱エンジニアリングプラスチック社製 ノバミッド1010C2)を用いた。まず、板厚1.0mmのプラスチック板4をプレスピストン15上にセットし、減圧弁49で圧力計が15MPaになるように調整した超臨界流体をバルブ48の開放により、プレスピストン15下面より導入して、ピストン15を上昇させた。プレスピストン15は、温調ホース52により導入された100℃の温調水によって、温度制御されている。   In this example, a plastic plate made of nylon resin previously injection-molded by the following method was press-molded. In this example, PA6 (Novamid 1010C2 manufactured by Mitsubishi Engineering Plastics) was used as the nylon resin. First, a plastic plate 4 having a thickness of 1.0 mm is set on the press piston 15, and a supercritical fluid adjusted by the pressure reducing valve 49 so that the pressure gauge becomes 15 MPa is introduced from the lower surface of the press piston 15 by opening the valve 48. Then, the piston 15 was raised. The temperature of the press piston 15 is controlled by 100 ° C. temperature control water introduced by the temperature control hose 52.

プラスチック板4は、プレスによりNi製のスタンパ14に押し当てられる。スタンパ14は厚み0.6mmであり、スタンパホルダー19によって上金型21上に保持されている。上金型21は温調回路56を流動する温調水によって100℃に温度制御されている。上金型21と下金型は、Oリング67の内側をシールされている。   The plastic plate 4 is pressed against the Ni stamper 14 by pressing. The stamper 14 has a thickness of 0.6 mm and is held on the upper mold 21 by a stamper holder 19. The temperature of the upper mold 21 is controlled to 100 ° C. by temperature control water flowing in the temperature control circuit 56. The upper mold 21 and the lower mold are sealed inside the O-ring 67.

スタンパ14上には、微細な溝幅を有する図3に示す矩形溝22が数本刻まれている。図3に示す通り、スタンパ上の溝22は、溝幅9が100μm、ピッチ10が100μmである。そして各溝の深さは100μmである。また、各溝9は、超臨界流体の導入用円筒状穴18、および排出用穴17と接続されている。各導入穴18、排出穴17それぞれの中心には、スタンパを貫通する直径φ30μmの貫通穴11、12が設けられている。   On the stamper 14, several rectangular grooves 22 shown in FIG. As shown in FIG. 3, the groove 22 on the stamper has a groove width 9 of 100 μm and a pitch 10 of 100 μm. The depth of each groove is 100 μm. Each groove 9 is connected to a cylindrical hole 18 for introducing a supercritical fluid and a discharge hole 17. At the center of each of the introduction hole 18 and the discharge hole 17, through holes 11 and 12 having a diameter of 30 μm that penetrate the stamper are provided.

本実施例においては、超臨界流体および溶解した金属錯体は、貫通穴11および導入穴18を経て、プラスチック4と密着したスタンパ上の溝22の間に形成される微細な空間を流動し、排出穴17および貫通穴12から排出させる。   In this embodiment, the supercritical fluid and the dissolved metal complex flow through the fine space formed between the groove 22 on the stamper that is in close contact with the plastic 4 via the through hole 11 and the introduction hole 18, and are discharged. The holes 17 and the through holes 12 are discharged.

本実施例においては、上記の方法でプレスされた状態にて、溝22に対峙したプラスチック4の表面部分にボールバルブ47を開き、超臨界流体に溶解した金属錯体を接触させた。5分間、超臨界流体を滞留させた後、ボールバルブ53を0.5秒間のみ開き、回収槽13に超臨界流体等を一部排出させた。そして、バルブ54を開き、回収槽を大気圧に減圧した。   In this example, the ball valve 47 was opened on the surface portion of the plastic 4 facing the groove 22 while being pressed by the above method, and the metal complex dissolved in the supercritical fluid was brought into contact therewith. After the supercritical fluid was allowed to stay for 5 minutes, the ball valve 53 was opened only for 0.5 seconds, and a part of the supercritical fluid and the like was discharged to the collection tank 13. And the valve | bulb 54 was opened and the collection tank was pressure-reduced to atmospheric pressure.

プラスチック4の表面に高圧に戻した超臨界流体を接触させた後、排出させる動作を4回繰り返した。そしてボールバルブ47を閉鎖した後、バルブ53および54を開き、金型内部を大気に減圧した。   After the supercritical fluid returned to high pressure was brought into contact with the surface of the plastic 4, the operation of discharging was repeated four times. Then, after closing the ball valve 47, the valves 53 and 54 were opened, and the inside of the mold was decompressed to the atmosphere.

上記方法により、溝22に対応した部分にのみ、超臨界流体の溶解した金属錯体を浸透させた。さらに、上金型21と下金型20の温調水の温度を170℃に上昇させて、金属錯体を熱還元した。
そして、金型温度を50℃まで冷却した後、プラスチックを取り出した。
By the above method, only the portion corresponding to the groove 22 was infiltrated with the metal complex in which the supercritical fluid was dissolved. Furthermore, the temperature of the temperature control water of the upper mold 21 and the lower mold 20 was increased to 170 ° C., and the metal complex was thermally reduced.
Then, after cooling the mold temperature to 50 ° C., the plastic was taken out.

本実施例におけるプラスチック表面は、スタンパの溝22に対応した部分のみ、凸状に変形し、凸部のみ金属光沢および導電性を有した。断面を観察したところ、図5に示すように、金属元素のクラスター202が表面に高濃度に密集した層を形成しており、深さ50μmまで浸透していた。   The plastic surface in this example was deformed into a convex shape only at the portion corresponding to the groove 22 of the stamper, and only the convex portion had metallic luster and conductivity. When the cross section was observed, as shown in FIG. 5, a cluster of metal elements 202 formed a dense layer on the surface, and penetrated to a depth of 50 μm.

比較例Comparative example

[比較例1]
プラスチックに、ガラス転移温度約150℃の脂環式オレフィン樹脂(日本ゼオン社製ゼオネックス480R)を用いた以外は、実施例1と同様に金属錯体をプラスチック表面全体に浸透させた。処理後のプラスチック表面は、金属光沢や導電性は有さなかった。本比較例のプラスチック表面をX線光電子分光装置(XPS)にて元素比を測定した結果を表8に示す。その結果、Pd由来の元素は2.2atomic%含まれることがわかった。
[Comparative Example 1]
The metal complex was infiltrated into the entire plastic surface in the same manner as in Example 1 except that an alicyclic olefin resin having a glass transition temperature of about 150 ° C. (ZEONEX 480R manufactured by Nippon Zeon Co., Ltd.) was used as the plastic. The treated plastic surface did not have metallic luster or conductivity. Table 8 shows the results of measuring the element ratio of the plastic surface of this comparative example with an X-ray photoelectron spectrometer (XPS). As a result, it was found that the element derived from Pd contained 2.2 atomic%.

次に、XPSで測定したPd3dの結合エネルギーのナローバンド波形より、Pdメタルの存在率を算出した。波形は図9に示す。これより、Pdメタルの存在率は、60%であることが判明した。   Next, the abundance of Pd metal was calculated from the narrow band waveform of the binding energy of Pd3d measured by XPS. The waveform is shown in FIG. From this, it was found that the abundance ratio of Pd metal was 60%.

以上より、本比較例のプラスチックにおいては、最表面におけるPdメタルの量は2.2(atomic%)*60(%)=約1.3(atomic%)であることがわかった。   From the above, in the plastic of this comparative example, it was found that the amount of Pd metal on the outermost surface was 2.2 (atomic%) * 60 (%) = about 1.3 (atomic%).

[比較例2]
プラスチックに板厚2.0mmのPEI(ポリエーテルイミド GEプラスチックス社製 ウルテム)基板を用い、金属錯体のプラスチックに対する仕込み量を1重量%とした。高圧容器の温度を150℃とし、この温度で30分間保持した。それ以外は、実施例2と同様に金属錯体をプラスチック表面全体に浸透させた。
[Comparative Example 2]
A PEI (Polyetherimide GE Plastics Ultem) substrate with a plate thickness of 2.0 mm was used as the plastic, and the amount of metal complex charged to the plastic was 1% by weight. The temperature of the high-pressure vessel was set to 150 ° C. and kept at this temperature for 30 minutes. Other than that, the metal complex was made to osmose | permeate the whole plastic surface like Example 2. FIG.

処理後のプラスチック表面は、金属光沢や導電性は有さなかった。本比較例のプラスチック表面をX線光電子分光装置(XPS)にて元素比を測定した結果を表9に示す。Pd由来の元素は3.7atomic%含まれることがわかった。   The treated plastic surface did not have metallic luster or conductivity. Table 9 shows the results of measuring the element ratio of the plastic surface of this comparative example using an X-ray photoelectron spectrometer (XPS). It was found that the element derived from Pd contained 3.7 atomic%.

次に、XPSで測定したPd3dの結合エネルギーのナローバンド波形より、Pdメタルの存在率を算出した。これより、Pdメタルの存在率は、6%であることが判明した。   Next, the abundance of Pd metal was calculated from the narrow band waveform of the binding energy of Pd3d measured by XPS. From this, it was found that the abundance ratio of Pd metal was 6%.

以上より、本比較例のプラスチックにおいては、最表面におけるPdメタルの量は3.7(atomic%)*6(%)=約0.2(atomic%)であることがわかった。   From the above, in the plastic of this comparative example, it was found that the amount of Pd metal on the outermost surface was 3.7 (atomic%) * 6 (%) = about 0.2 (atomic%).

[比較例3]
プラスチックに板厚0.1mmのPETフィルムを用い、金属錯体にジメチルシクロオクタジエン白金(II)を用いた。金属錯体のプラスチックに対する仕込み量を1重量%とした。高圧容器の温度を120℃とし、この温度で1時間保持した。それ以外は、比較例2と同様に金属錯体をプラスチック表面全体に浸透させた。
[Comparative Example 3]
A PET film having a thickness of 0.1 mm was used as the plastic, and dimethylcyclooctadiene platinum (II) was used as the metal complex. The amount of metal complex charged to the plastic was 1% by weight. The temperature of the high-pressure vessel was set to 120 ° C. and kept at this temperature for 1 hour. Other than that, the metal complex was made to osmose | permeate the whole plastic surface like the comparative example 2. FIG.

処理後のプラスチック表面は、金属光沢や導電性は有さなかった。本比較例のプラスチック表面をX線光電子分光装置(XPS)にて元素比を測定した結果を表10に示す。Pt由来の元素は1.0atomic%含まれることがわかった。   The treated plastic surface did not have metallic luster or conductivity. Table 10 shows the results of measuring the element ratio of the plastic surface of this comparative example using an X-ray photoelectron spectrometer (XPS). The element derived from Pt was found to be contained at 1.0 atomic%.

次に、XPSで測定したPt4fの結合エネルギーのナローバンド波形より、Ptメタルの存在率を算出した。これより、Ptメタルの存在率は、26%であることが判明した。   Next, the abundance of Pt metal was calculated from the narrow band waveform of the binding energy of Pt4f measured by XPS. From this, it was found that the abundance ratio of Pt metal was 26%.

以上より、本比較例のプラスチックにおいては、最表面におけるPtメタルの量は1.0(atomic%)*26(%)=約0.3(atomic%)であることがわかった。   From the above, in the plastic of this comparative example, it was found that the amount of Pt metal on the outermost surface was 1.0 (atomic%) * 26 (%) = about 0.3 (atomic%).

なお、本比較例以外に、PMMA、PCにて同様な実験を行ったが、本発明のような金属光沢を有する導電性膜を形成することができなかった。また、XPS分析による最表面に存在するメタルの量は3atomic%以下であり、還元率は最大65%であった。
上記実施例1〜5および比較例1〜3の金属錯体の注入条件を表11に、金属錯体注入後のXPS分析結果を表12にまとめて示す。
In addition to the present comparative example, similar experiments were performed using PMMA and PC, but a conductive film having a metallic luster as in the present invention could not be formed. Further, the amount of metal present on the outermost surface by XPS analysis was 3 atomic% or less, and the reduction rate was 65% at the maximum.
Table 11 shows the injection conditions of the metal complexes of Examples 1 to 5 and Comparative Examples 1 to 3, and Table 12 shows the XPS analysis results after injection of the metal complexes.

本発明にかかるプラスチック構造体の製造装置を示す概略構成図である。It is a schematic block diagram which shows the manufacturing apparatus of the plastic structure concerning this invention. 本発明にかかるプラスチック構造体の製造装置の一部を示す概略構成図である。It is a schematic block diagram which shows a part of manufacturing apparatus of the plastic structure concerning this invention. 本発明にかかるプラスチック構造体の製造装置に組み込まれたスタンパ上の溝の構成を示す上面図である。It is a top view which shows the structure of the groove | channel on the stamper integrated in the manufacturing apparatus of the plastic structure concerning this invention. 本発明にかかるプラスチック構造体の断面構造の模式図である。It is a schematic diagram of the cross-sectional structure of the plastic structure concerning this invention. 本発明にかかるプラスチック構造体の断面構造の模式図である。It is a schematic diagram of the cross-sectional structure of the plastic structure concerning this invention. 本発明にかかるプラスチック構造体のTEMによる断面写真である。It is a cross-sectional photograph by TEM of the plastic structure concerning this invention. 本発明にかかるプラスチック構造体のTEMによる断面写真である。It is a cross-sectional photograph by TEM of the plastic structure concerning this invention. 本発明にかかるプラスチックにおけるPD3dの結合エネルギーのナローバンド波形を示すグラフである。It is a graph which shows the narrow band waveform of the binding energy of PD3d in the plastic concerning this invention. 本発明にかかるプラスチックにおけるPD3dの結合エネルギーのナローバンド波形を示すグラフである。It is a graph which shows the narrow band waveform of the binding energy of PD3d in the plastic concerning this invention. 一般的なプラスチックの無電解メッキプロセスを示すフローチャートである。3 is a flowchart showing a general plastic electroless plating process. 一般的な配線層の製造プロセスを示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the manufacturing process of a general wiring layer. 実施例2にかかるプラスチックの断面をTEMにより観察した図である。It is the figure which observed the cross section of the plastic concerning Example 2 by TEM. 実施例2にかかるプラスチックの断面をTEMにより観察した図である。It is the figure which observed the cross section of the plastic concerning Example 2 by TEM. 実施例3にかかるプラスチックの断面をTEMにより観察した図である。It is the figure which observed the cross section of the plastic concerning Example 3 by TEM. 実施例3にかかるプラスチックの断面をTEMにより観察した図である。It is the figure which observed the cross section of the plastic concerning Example 3 by TEM. 実施例4にかかるプラスチックの断面をTEMにより観察した図である。It is the figure which observed the cross section of the plastic concerning Example 4 by TEM. 実施例4にかかるプラスチックの断面をTEMにより観察した図である。It is the figure which observed the cross section of the plastic concerning Example 4 by TEM. 実施例5にかかるプラスチックの断面をTEMにより観察した図である。It is the figure which observed the cross section of the plastic concerning Example 5 by TEM. 実施例5にかかるプラスチックの断面をTEMにより観察した図である。It is the figure which observed the cross section of the plastic concerning Example 5 by TEM.

符号の説明Explanation of symbols

4 プラスチック構造体
202 クラスター
4 Plastic structure 202 Cluster

Claims (12)

有機金属錯体若しくはその変性物からなる金属元素がプラスチック構造体の所望部分の最表面より5nm以下の深さにおいては5atomic%以上存在し、少なくとも前記金属元素が存在する領域にアミド基が存在するプラスチック構造体。   A plastic in which a metal element composed of an organometallic complex or a modified product thereof is present at 5 atomic% or more at a depth of 5 nm or less from the outermost surface of the desired portion of the plastic structure, and an amide group is present at least in the region where the metal element is present. Structure. 前記金属元素の還元率は60%以上であることを特徴とする請求項1記載のプラスチック構造体。   The plastic structure according to claim 1, wherein a reduction rate of the metal element is 60% or more. 前記金属元素は、パラジウム錯体若しくはその変性物であることを特徴とする請求項1又は2記載のプラスチック構造体。   The plastic structure according to claim 1 or 2, wherein the metal element is a palladium complex or a modified product thereof. プラスチック構造体の表面が内部に浸透した金属元素により導電性を有することを特徴とする請求項1、2又は3記載のプラスチック構造体。   4. The plastic structure according to claim 1, 2 or 3, wherein the surface of the plastic structure has conductivity by a metal element penetrating inside. 前記プラスチック構造体において少なくとも前記金属元素が存在する領域は、ガラス繊維を包含することを特徴とする請求項1乃至4いずれかに記載のプラスチック構造体。   5. The plastic structure according to claim 1, wherein a region where at least the metal element is present in the plastic structure includes glass fibers. 6. プラスチック表面に導電膜を形成する方法であって、
有機金属錯体を超臨界流体に溶解させるステップと、
前記有機金属錯体を、アミド基を有するプラスチック表面に接触させるステップを備え、該プラスチックの表面に有機金属錯体に含有される金属元素によって導電膜を形成する導電膜の形成方法。
A method of forming a conductive film on a plastic surface,
Dissolving an organometallic complex in a supercritical fluid;
A method for forming a conductive film, comprising the step of bringing the organometallic complex into contact with a plastic surface having an amide group, and forming a conductive film on the surface of the plastic with a metal element contained in the organometallic complex.
前記金属元素は、パラジウム錯体若しくはその変性物であることを特徴とする請求項6記載の導電膜の形成方法。   The method for forming a conductive film according to claim 6, wherein the metal element is a palladium complex or a modified product thereof. 前記プラスチックはガラス繊維を含有することを特徴とする請求項6又は7記載の導電膜の形成方法。   The method for forming a conductive film according to claim 6 or 7, wherein the plastic contains glass fiber. プラスチック構造体の製造方法であって、
有機金属錯体を超臨界流体に溶解させるステップと、
射出成形装置の金型内に射出充填したアミド基を有するプラスチックと、上記有機金属錯体の溶解した超臨界流体とを接触させ、プラスチック構造体を得るステップとを備え、
前記プラスチック構造体の所望部分の最表面から5nm以下の深さにおいては、前記有機金属錯体に含有される金属微粒子が5atomic%以上の割合で存在しているプラスチック構造体の製造方法。
A method of manufacturing a plastic structure,
Dissolving an organometallic complex in a supercritical fluid;
A step of obtaining a plastic structure by contacting a plastic having an amide group injected and filled in a mold of an injection molding apparatus with a supercritical fluid in which the organometallic complex is dissolved, and
A method for producing a plastic structure, wherein metal fine particles contained in the organometallic complex are present at a ratio of 5 atomic% or more at a depth of 5 nm or less from the outermost surface of a desired portion of the plastic structure.
プラスチック構造体の表面に導電膜を形成する金属元素のパターンを有するプラスチック構造体の製造方法であって、
射出成形装置もしくはプレス装置の金型内にアミド基を表面に有するプラスチックからなる熱可塑性樹脂を射出充填もしくは保持するステップと、
有機金属錯体の溶解した超臨界流体を熱可塑性樹脂表面に選択的に接触させるステップからなり、
前記プラスチック構造体の表面には、前記有機金属錯体に還元されることにより生成された金属微粒子が5atomic%の割合で存在し、導電性を有することを特徴とするプラスチック構造体の製造方法。
A method for producing a plastic structure having a metal element pattern for forming a conductive film on the surface of the plastic structure,
Injection filling or holding a thermoplastic resin made of plastic having an amide group on its surface in a mold of an injection molding device or a press device; and
A step of selectively contacting the surface of the thermoplastic resin with the supercritical fluid in which the organometallic complex is dissolved,
A method for producing a plastic structure, characterized in that metal fine particles produced by reduction to the organometallic complex are present at a ratio of 5 atomic% on the surface of the plastic structure and have electrical conductivity.
前記金属元素は、パラジウム錯体若しくはその変性物であることを特徴とする請求項9又は10記載のプラスチック構造体の製造方法。   The method for producing a plastic structure according to claim 9 or 10, wherein the metal element is a palladium complex or a modified product thereof. 前記プラスチックはガラス繊維を含有することを特徴とする請求項9、10又は11記載のプラスチック構造体の製造方法。   12. The method for producing a plastic structure according to claim 9, 10 or 11, wherein the plastic contains glass fiber.
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