JP2006128515A

JP2006128515A - 回路装置

Info

Publication number: JP2006128515A
Application number: JP2004317108A
Authority: JP
Inventors: Toshimichi Naruse; 俊道成瀬; Hajime Kobayashi; 初小林
Original assignee: Sanyo Electric Co Ltd
Current assignee: Sanyo Electric Co Ltd
Priority date: 2004-10-29
Filing date: 2004-10-29
Publication date: 2006-05-18

Abstract

【課題】外部電極の接続構造が強化された回路装置を提供すること。
【解決手段】回路装置１０Ａでは、上層の第１の配線層２２には、回路素子として半導体素子１２Ａ等が電気的に接続され、封止樹脂１３により被覆されている。回路装置１０Ａの裏面には、第２の配線層２３から成るパッド２３Ａが構成されている。パッド２３Ａの側面は、部分的に被覆樹脂１６から露出し、パッド２３Ａの裏面および側面には、外部電極１５が接触している。
【選択図】図１

Description

本発明は回路装置に関し、特に、外部接続用の電極を装置の下面に具備する回路装置に関するものである。

従来、電子機器にセットされる回路装置は、携帯電話、携帯用のコンピューター等に採用されるため、小型化、薄型化、軽量化が求められている。例えば、回路装置として半導体装置を例にして述べると、最近ではＣＳＰ（チップサイズパッケージ）と呼ばれる、チップのサイズと同等のウェハスケールＣＳＰが開発されている。

図７（Ａ）は、支持基板として基板６５を採用した、チップサイズよりも若干大きいＣＳＰ６６を示すものである。ここでは基板６５にトランジスタチップＴが実装されたものとして説明していく。

この基板６５の表面には、第１の電極６７、第２の電極６８およびダイパッド６９が形成され、裏面には第１の裏面電極７０Ａと第２の裏面電極７０Ｂが形成されている。そしてスルーホールＴＨを介して、第１の電極６７と第１の裏面電極７０Ａが接続されている。更にスルーホールＴＨを介して、第２の電極６８と第２の裏面電極７０Ｂが電気的に接続されている。

ダイパッド６９にはトランジスタチップＴが固着され、トランジスタのエミッタ電極と第１の電極６７が金属細線７２を介して接続される。更に、トランジスタのベース電極と第２の電極６８が金属細線７２を介して接続されている。トランジスタチップＴを覆うように基板６５に樹脂層７３が設けられている。

また、上記したようなＣＳＰ等の回路装置では、外部との電気信号の授受を行うために、装置の裏面に半田等から成る外部電極７６が形成される（例えば、下記特許文献１を参照。）。

図７（Ａ）を参照して、基板６５の裏面に形成される第１の裏面電極７０Ａおよび第２の裏面電極７０Ｂには、外部電極７６が形成されている。また、外部電極７６を除外した領域の基板６５の裏面は、レジスト７４により被覆されている。

外部電極７６の形状を規制する構造は、主に２つの構造がある。第１の構造は、solder mask defined（以下、ＳＭＤ構造と称する）であり、第２の構造は、non solder mask defined（以下、ＮＳＭＤ構造と称する）である。

図７（Ｂ）を参照して、ＳＭＤ構造では、レジスト７４に設けた開口部７５により、外部電極７６の形状と位置が規制されている。この構造では、外部電極７６が付着される裏面電極７０がレジスト７４により被覆され、裏面電極７０と基板６５との密着強度が補強されている。更に、裏面電極を大きく形成できる利点もある。

図７（Ｃ）を参照して、ＮＳＭＤ構造では、レジスト７４に設けた開口部７５は、裏面電極７０よりも大きく形成される。従って、外部電極７６は、裏面電極７０の濡れ性によりその形状と位置が規制されている。この構造では、裏面電極７０の側面も外部電極７６により覆われるので、両者の接着強度が強固に成っている。
特開平１１−２７４３６１号公報

しかしながら、図７（Ｂ）に示したＳＭＤ構造では、外部電極７６が裏面電極７０の裏面のみに付着していたので、両者の接着強度が弱い問題があった。更に、外部電極７６と裏面電極７０との接着力は、両者の界面の状態により低下してしまう恐れがあった。例えば、裏面電極７０にメッキ膜が形成された場合、メッキ膜と外部電極７６との密着強度が弱いために、外部電極７６の接続信頼性が低下してしまう問題があった。

上記のことから、ＣＳＰ６６の使用状況下にて、外部電極７６に引張応力が作用した場合、外部電極７６と裏面電極７０との境界から両者が分離してしまう問題があった。更には、レジスト７４に設けた開口部７５により外部電極７６の形状が規制されるので、外部電極７６の断面形状が括れてしまう問題があった。このように外部電極７６が括れてしまうと、外部電極７６の機械的強度が低下してしまう問題があった。

また、図７（Ｃ）に示したＮＳＭＤ構造では、裏面電極７０がレジスト７４に被覆されていないために、裏面電極７０と基板６５との密着極度が弱い問題があった。従って、外部電極７６に引張応力が作用すると、裏面電極７０が基板６５から剥離してしまう問題があった。

従って、本発明の主な目的は、外部電極の接続構造が強化された回路装置を提供することにある。

本発明の回路装置は、回路素子と、前記回路素子と電気的に接続されてパッドを形成する導電パターンと、前記パッドの側面を部分的に露出させて前記導電パターンを被覆する被覆樹脂とを具備することを特徴とする。

更に、本発明の回路装置では、本発明の回路装置は、前記パッドには外部電極が接続され、前記外部電極は、前記パッドの裏面および側辺に接触することを特徴とする。

更に、本発明の回路装置では、前記パッドから一体に外部に延在する突出部が、前記被覆樹脂により被覆されることを特徴とする。

更に本発明の回路装置では、複数個の前記突出部が、前記パッドの中心に対して対称な位置に設けられることを特徴とする。

本発明の回路装置は、回路素子と、前記回路素子と電気的に接続されてパッドを形成する導電パターンと、前記パッドを露出させて前記導電パターンを被覆する被覆樹脂とを具備し、前記パッドから一体に外部に延在する突出部が、前記被覆樹脂により被覆されることを特徴とする。

更に本発明の回路装置では、前記パッドには外部電極が接続され、前記外部電極は、前記被覆樹脂から露出する前記パッドおよび前記突出部に接触することを特徴とする。

本発明の回路装置に依れば、導電パターンを被覆する被覆樹脂から、パッドの側面が部分的に露出される。従って、パッドの側面に半田等の外部電極を付着させることが可能になり、外部電極とパッドとの接着強度が向上される。更に、パッドを含む導電パターンは被覆樹脂により被覆されている。従って、パッドの剥離も抑止された構造となっている。

更に本発明の回路装置に依れば、パッドから一体に延在する突出部が形成されており、この突出部が被覆樹脂により被覆されている。従って、突出部が被覆樹脂により被覆されることで、パッドの剥離が更に抑止された構造となっている。

図１を参照して、本形態の回路装置１０Ａの構成を説明する。図１（Ａ）は回路装置１０Ａの断面図であり、図１（Ｂ）は回路装置１０Ａを裏面から見た平面図であり、図１（Ｃ）パッド２３Ａを拡大した斜視図である。

図１（Ａ）および図１（Ｂ）を参照して、本形態の回路装置１０Ａは、多層の導電パターンが構成されている。また、上層の第１の配線層２２には、回路素子として半導体素子１２Ａ等が電気的に接続され、封止樹脂１３により被覆されている。回路装置１０Ａの裏面には、第２の配線層２３から成るパッド２３Ａが構成されている。本形態では、パッド２３Ａの側面が部分的に被覆樹脂１６から露出する構成と成っている。回路装置１０Ａを構成する構成要素を以下にて説明する。

本形態では、絶縁層２１を介して積層された第１の配線層２２および第２の配線層２３により導電パターンが構成されている。第１の配線層２２と、第２の配線層２３とは、絶縁層２１を貫通する接続部１９により所望の箇所にて接続されている。ここでは、２層の配線構造が示されているが、３層以上の配線構造が形成されても良い。

第１の配線層２２は、絶縁層２１の上面に設けられた導電パターンであり、半導体素子１２Ａやチップ素子１２Ｂ等の回路素子が電気的に接続されている。具体的には、半導体素子１２等が固着されるダイパッド、金属細線１４が接続されるボンディングパッド等が第１の配線層２２により形成される。更には、これらを接続する配線を、第１の配線層２２により構成しても良い。また、第１の配線層２２の表面は、回路素子のボンディング性を向上させるために、金属被膜２６により被覆されている。また、第１の配線層２２は、回路素子が接続される箇所を除いて、樹脂材料により被覆されても良い。

第２の配線層２３は、絶縁層２１の下面に設けられた導電パターンであり、外部電極１５が付着されるパッド２３Ａを形成している。また、接続部１９とパッド２３Ａとを接続する配線２３Ｄが構成されても良い。

更に、パッド２３Ａの表面は、メッキ膜から成る金属被膜２６が形成される場合がある。金属被膜２６が形成されることにより、パッド２３Ａと外部電極１５との密着強度は低下する。そこで本形態では、外部電極１５がパッド２３Ａの裏面および側面も被覆することで、両者が接触する面積を増大させて密着強度を向上させている。

上記した両配線層の材料としては、ロウ材の付着性、ボンディング性、メッキ性が考慮されてその材料が選択される。具体的には、Ｃｕを主材料とした導電箔、Ａｌを主材料とした導電箔またはＦｅ−Ｎｉ等の合金から成る導電箔等を、配線層の材料として採用することができる。

回路素子としては、トランジスタ、ダイオード、ＩＣチップ等の半導体素子１２Ａ、チップコンデンサ、チップ抵抗等のチップ素子１２Ｂである。これらの回路素子は、固着材２０を介して第１の配線層２２の表面に固着される。また厚みが厚くはなるが、ＣＳＰ、ＢＧＡ等のフェイスダウンの半導体素子も実装できる。ここで、複数個の回路素子１２から成るシステムが構成されてもよい。

封止樹脂１３は半導体素子１２Ａ等の回路素子を被覆する働きを有し、熱硬化性樹脂または熱可塑性樹脂がその材料として採用される。

被覆樹脂１６は、回路素子１０Ａの裏面を被覆するように形成されている。また、被覆樹脂１６には開口部１８が設けられ、この開口部１８からはパッド２３Ａが露出している。パッド２３Ａおよび開口部１８は、略円形に形成され、開口部１８の方がパッド２３Ａよりも大きく形成されている。従って、パッド２３Ａの側面は被覆樹脂１６により被覆されていない。

外部電極１５は、半田等から成りパッド２３Ａの裏面に付着されている。本形態では、パッド２３Ａの裏面および側面が、外部電極１５により覆われている。従って、パッド２３Ａと外部電極１５とが接触する面積が大きいので、両者の接着力が向上されている。ここで、半田の他にも銀ペーストや銅ペースト等を外部電極１５の材料として採用することもできる。更にまた、ここでは、外部電極１５によるＢＧＡ（Ball Grid Array）が形成されているが、外部電極１５を省いた構成でも良い。外部電極１５が省かれた場合は、裏面に露出するパッド２３ＡによるＬＧＡ（Land Grid Array）が形成される。

図１（Ｂ）を参照して、第２の配線層２３から成るパッド２３Ａの形状を説明する。パッド２３Ａには、周囲に突出する突出部２３Ｃが一体に設けられている。具体的には、パッド２３Ａは、被覆樹脂１６に設けた開口部１８よりも小さく形成されている。例えば、開口部１８の径が０．５ｍｍであるのに対し、パッド２３Ａの径は、０．４ｍｍ程度である。

更に、突出部２３Ｃの形状は、パッド２３Ａの中心に対して対称な位置に設けられている。具体的には、図１（Ｂ）の上部に位置するパッド２３Ａを参照して、４つの突出部２３Ｃは、パッド２３Ａの中心点に対して点対称に配置されている。このことにより、突出部２３Ｃによる付着力の向上を最大にすることができる。また、下部に位置するパッド２３Ｂを参照すると、上下方向に２つの突出部２３Ｃが配置されている。

図１（Ｃ）を参照して、パッド２３Ａの構成を更に説明する。突出部２３Ｃはパッド２３Ａに連続して外部に突出する部位であり、その先端部が被覆樹脂１６により被覆されている。この図では、被覆樹脂１６により被覆される部分の突出部２３Ｃを点線で示している。具体的には、突出部２３Ｃが周囲に突出する長さは、例えば２ｍｍ程度である。突出部２３Ｃの付け根から１ｍｍ程度の部分は、開口部１８から露出する。そして、突出部２３Ｃの先端部分から１ｍｍ程度の部分は、被覆樹脂１６により被覆される。このように突出部２３Ｃが部分的に被覆樹脂により被覆されることにより、パッド２３Ａの剥離が防止されている。

図２を参照して、回路装置１０Ａが実装基板２４に実装された構造を説明する。図２（Ａ）は実装基板２４に実装された回路装置１０Ａの断面図であり、図２（Ｂ）はパッド２３Ａが形成された領域の平面図である。

図２（Ａ）を参照して、ここでは、リフロー工程により溶融された外部電極１５を介して、実装基板２４の表面に形成された導電路２４Ａに、回路装置１０Ａが実装されている。図示するように、パッド２３Ａの側面は、外部電極１５により被覆されている。従って、外部電極１５とパッド２３Ａとの接着強度が大きい。このことから、回路装置１０Ａと実装基板２４との熱膨張係数が異なり、外部電極１５に熱応力が作用した場合でも、外部電極１５とパッド２３Ａとの剥離を抑止することができる。更に、実装基板２４と回路装置１０Ａとの間に引張応力が作用した場合でも、外部電極１５とパッド２３Ａとの剥離は抑止されている。

図２（Ｂ）を参照して、外部電極１５は、パッド２３Ａの側面の裏面および側面を被覆するように形成されている。更に、開口部１８に露出する突出部２３Ｃの裏面および側面も、外部電極１５により被覆されている。このように、外部電極１５が、パッド２３Ａに加えて突出部２３Ｃにも密着することにより、外部電極１５とパッド２３Ａとの接着強度が向上されている。

更に、突出部２３Ｃが設けられた領域では、外部電極１５は被覆樹脂１６に接触するが、この領域以外では外部電極１５は被覆樹脂１６に接触しない。従って、括れる部分が無い、滑らかな外形の外部電極１５を得ることができる。また、括れ部が形成されたとしても、括れる部分が少ない形状の外部電極１５を形成することができる。

図３を参照して、他の形態の回路装置１０Ｂの構成を説明する。図３（Ａ）は回路装置１０Ｂの断面図であり、図３（Ｃ）は回路装置１０Ｂを裏面から見た平面図である。

図３（Ａ）および図３（Ｂ）を参照して、回路装置１０Ｂでは、単層の導電パターン１１が形成され、この導電パターン１１に半導体素子１２Ａが電気的に接続されている。また、導電パターン１１の裏面が露出された状態で、半導体素子１２Ａおよび導電パターン１１が封止樹脂１３により封止されている。

導電パターン１１は裏面を露出させて封止樹脂１３に埋め込まれた構造になっており、分離溝１７により電気的に分離されている。導電パターン１１はエッチングにより形成され、その側面は湾曲面に形成されている。

更に、導電パターン１１は、中央部付近に配置されたダイパッド１１Ｂと、ダイパッド１１Ｂを囲むよう配置された複数個のボンディングパッド１１Ａとから成る。ダイパッド１１Ｂの上面には、半田等の固着材２０を介して、半導体素子１２Ａが固着されている。半導体素子１２Ａの表面に設けられた電極と、ボンディングパッド１１Ａとは、金属細線１４を介して接続される。

ボンディングパッド１１Ａは、周囲に突出する突出部１１Ｃが設けられており、突出部１１Ｃの構成は、図１を参照して説明した回路装置１０Ａと同様である。

封止樹脂１３から露出する導電パターン１１の裏面には半田等のロウ材から成る外部電極１５が設けられている。また、装置の裏面で外部電極１５が設けられない箇所は、被覆樹脂１６で被覆されている。

封止樹脂１３は、導電パターン１１の裏面を露出させて半導体素子１２Ａ、金属細線１４および導電パターン１１を被覆している。また、各導電パターン１１を分離する分離溝１７には封止樹脂１３が充填されている。

図３（Ｂ）を参照して、ボンディングパッド１１Ａには、周辺部に向かって突出する突出部１１Ｃが一体に形成されている。このことから、突出部１１Ｃの側面も封止樹脂１３により被覆されるので、ボンディングパッド１１Ａと封止樹脂１３とが密着する面積が増大し、両者の密着強度が向上されている。

更に、突出部１１Ｃの先端部は、被覆樹脂１６により被覆されている。従って、熱応力または引張応力がボンディングパッド１１Ａに作用しても、ボンディングパッド１１Ａは封止樹脂１３から剥離しづらい構造になっている。

図４を参照して、次に、本形態の回路装置１０Ａを用いた試験結果を説明する。ここでは、外部電極１５に引張応力を加えることにより、本形態の効果を確認した。図４（Ａ）は、本形態の回路装置１０Ａを裏面から見た平面図である。図４（Ｂ）は、比較例の回路装置１０Ｃを裏面から見た平面図である。図４（Ｃ）は、押し込み試験の概要を示す断面図である。図４（Ｄ）は、この押し込み試験の結果を示すグラフである。

図４（Ａ）を参照して、回路装置１０Ａの裏面には、マトリックス状にパッド２３Ａが形成されている。各パッド２３Ａは、被覆樹脂１６に設けた開口部１８から露出している。更に、各パッド２３Ａには、不図示の外部電極が付着されている。ここでは、最外周部に位置するパッド２３Ａに、突出部２３Ｃを設けている。

図４（Ｂ）を参照して、回路装置１０Ｃは、本形態の回路装置１０Ａの比較対象として用意された回路装置である。この回路装置１０Ｃでは、パッド２３Ａに突出部２３Ｃが形成されていない。回路装置１０Ｃの他の構成は、回路装置１０Ａと同様である。

図４（Ｃ）を参照して、押し込み試験の具体的な方法を説明する。先ず、回路装置１０Ａは、実装基板２４の下面に実装されている。具体的には、外部電極１５を介して、回路装置１０Ａは実装基板２４の下面に実装されている。更に、実装基板２４の両端は、支持部２５Ａ、２５Ｂにより指示されている。この状態で、実装基板２４に、上方から荷重Ｆを加える。荷重Ｆが加えられた実装基板２４は、下方に凸状に湾曲する。従って、回路装置１０Ａの周辺部に位置する外部電極１５には、大きな引張応力が作用する。ここでは、外部電極１５が破断するまで、荷重Ｆを増加させた。また、比較対象である回路装置１０Ｃに付いても同様の試験を行った。

図４（Ｄ）のグラフを参照して、上記した内容の試験結果を説明する。この図に示すグラフの横軸は、荷重Ｆを加えることにより実装基板２４が変形した押し込み量を示している。グラフの縦軸は、荷重Ｆによる押し込み力を示している。また、回路装置１０Ａおよび回路装置１０Ｃの外部電極１５が破断したポイントを、それぞれＰ１およびＰ２で示している。

破断点Ｐ１は、本形態の回路装置１０Ａが破断したポイントを示している。即ち、４０Ｎ程度の押し込み力にて、回路装置１０Ａの周辺部に位置する外部電極１５は破断した。また、この時の押し込み量は、２．５ｍｍ程度である。

破断点Ｐ２は、比較対象の回路装置１０Ｃが破断したポイントを示している。即ち、２０Ｎ程度の押し込み力にて、回路装置１０Ｃの周辺部に位置する外部電極１５が破断した。この時点での押し込み量は、１．５ｍｍ程度である。

上記の実験結果から、本願の回路装置１０Ａに設けられた外部電極１５は、引張力に対して強い構造であることが判明した。これは、外部電極１５がパッド２３Ａの裏面および側面を被覆しているので、両者の密着強度が強いためである。更に、パッド２３Ａの突出部２３Ｃが、被覆樹脂１６に被覆されることで、パッド２３Ａ自体の接着強度も向上されている。特に回路装置１０Ａの周辺部に於いては、強い引張力が作用する。従って、突出部２３Ｃを有するパッド２３Ａの構成は、特にこのような領域に於いて有効である。

図５を参照して、次に、図１に示す回路装置１０Ａの製造方法を説明する。

図５（Ａ）を参照して、先ず、絶縁層２１を介して積層された導電箔をパターニングして、第１の配線層２２および第２の配線層２３を形成する。具体的には、所望の形状にパターニングされたレジストＰＲを介して、ウェットエッチングを行うことにより、第１の配線層２２および第２の配線層２３が得られる。この工程にて、図１（Ｂ）に示すような突出部２３Ｃが設けられたパッド２３Ａが形成される。

図５（Ｂ）を参照して、次に、第１の配線層２２の表面にメッキ膜から成る金属被膜２６を形成する。この金属被膜２６は、第１の配線層２２のボンディング性を向上するために形成される。具体的には、下層から、銅メッキ膜、ニッケルメッキ膜および金メッキ膜が形成される。また、本工程により、第２の配線層２３の表面に、金属被膜２６を形成しても良い。このことにより、第２の配線層２３の表面が酸化してしまうのを防止することができる。

図５（Ｃ）を参照して、次に、第１の配線層２２に回路素子を電気的に接続する。ここでは、半導体素子１２Ａおよびチップ素子１２Ｂが第１の配線層２２に電気的に接続される。半導体素子１２Ａの電極と第１の配線層２２とは、金属細線１４を介して接続される。更に、半導体素子１２Ａおよびチップ素子１２Ｂが被覆されるように封止樹脂１３が形成される。また、第２の配線層２３は、被覆樹脂１６により被覆される。

図５（Ｄ）を参照して、次に、被覆樹脂１６の露光および現像を行うことにより、開口部１８を形成する。開口部１８は、パッド２３Ａよりも大きく形成され、パッド２３Ａの側面は開口部１８から露出する。また、パッド２３Ａと一体に形成される突出部２３Ｃは、部分的に被覆樹脂１６により被覆される。

図５（Ｅ）を参照して、次に、パッド２３Ａに外部電極１５を付着する。本工程では、半田等のロウ材から成る外部電極１５は、パッド２３Ａの裏面および側面を被覆している。従って、外部電極１５とパッド２３Ａとの密着強度は強固になっている。上記の工程により、図１に示すような回路装置１０Ａが製造される。

図６を参照して、次に、図３に示した単層の配線構造を有する回路装置１０Ｂの製造方法を説明する。

図６（Ａ）を参照して、先ず、銅などの金属から成る導電箔４０の表面に分離溝１７を設けて、導電パターン１１を凸状に形成する。ここでは、ボンディングパッド１１Ａおよびダイパッド１１Ｂから成る導電パターン１１が凸状になるように、分離溝１７が形成される。分離溝１７の形成は、パターニングされたレジストＰＲを介したウェットエッチングにより行われる。本工程にて、ボンディングパッド１１Ａは、図３に示すように突出部を有するように形成される。

図６（Ｂ）を参照して、次に、半導体素子１２Ａをダイパッド１１Ｂに固着して、金属細線１４を介して、半導体素子１２Ａとボンディングパッド１１Ａとを電気的に接続する。更に、半導体素子１２Ａが被覆されて分離溝１７に充填されるように、封止樹脂１３を形成する。

図６（Ｃ）を参照して、次に、分離溝１７に充填された封止樹脂１３が露出するまで、導電箔４０を裏面から除去する。ここでは、ウェットエッチングにより、導電箔を裏面から除去する。

図６（Ｄ）を参照して、次に、露出する導電パターン１１が被覆されるように被覆樹脂１６を形成する。更に、封止樹脂１６の露光および現像を行うことにより、ボンディングパッド１１Ａの裏面が露出されるように、開口部１８を形成する。ここで、開口部１８はボンディングパッド１１Ａよりも大きく形成される。更に、ボンディングパッド１１Ａと一体で形成される突出部１１Ｃは、被覆樹脂１６により被覆される。

図６（Ｅ）を参照して、次に、開口部１８から露出するボンディングパッド１１Ａの裏面に、外部電極１５を付着させる。以上の工程により、回路装置１０Ｂが製造される。

本発明の回路装置を示す断面図（Ａ）、平面図（Ｂ）、斜視図（Ｃ）である。本発明の回路装置を示す断面図（Ａ）、平面図（Ｂ）である。本発明の回路装置の製造方法を示す断面図（Ａ）、平面図（Ｂ）である。本発明の回路装置を示す平面図（Ａ）、比較例の回路装置を示す平面図（Ｂ）、押し込み試験の概要を示す断面図（Ｃ）、試験の結果を示すグラフ（Ｄ）である。本発明の回路装置の製造方法を示す断面図（Ａ）−（Ｅ）である。本発明の回路装置の製造方法を示す断面図（Ａ）−（Ｅ）である。従来の回路装置を示す断面図（Ａ）、拡大された断面図（Ｂ）、拡大された断面図（Ｃ）である。

符号の説明

１０Ａ回路装置
１０Ｂ回路装置
１１導電パターン
１１Ａボンディングパッド
１１Ｂダイパッド
１２Ａ半導体素子
１２Ｂチップ素子
１３封止樹脂
１４金属細線
１５外部電極
１６被覆樹脂
１７分離溝
１８開口部
１９接続部
２０固着材
２１絶縁層
２３Ａパッド
２３Ｃ突出部

Claims

回路素子と、前記回路素子と電気的に接続されてパッドを形成する導電パターンと、前記パッドの側面を部分的に露出させて前記導電パターンを被覆する被覆樹脂とを具備することを特徴とする回路装置。
前記パッドには外部電極が接続され、
前記外部電極は、前記パッドの裏面および側辺に接触することを特徴とする請求項１記載の回路装置。
前記パッドから一体に外部に延在する突出部が、前記被覆樹脂により被覆されることを特徴とする請求項１記載の回路装置。
複数個の前記突出部が、前記パッドの中心に対して対称な位置に設けられることを特徴とする請求項３記載の回路装置。
回路素子と、前記回路素子と電気的に接続されてパッドを形成する導電パターンと、前記パッドを露出させて前記導電パターンを被覆する被覆樹脂とを具備し、
前記パッドから一体に外部に延在する突出部が、前記被覆樹脂により被覆されることを特徴とする回路装置。
前記パッドには外部電極が接続され、
前記外部電極は、前記被覆樹脂から露出する前記パッドおよび前記突出部に接触することを特徴とする請求項５記載の回路装置。
複数個の前記突出部が、前記パッドの中心に対して対称な位置に設けられることを特徴とする請求項５記載の回路装置。