JP2006128136A - 表示用放電管 - Google Patents

Abstract

【課題】駆動電圧を低減し、高輝度・高精細な表示を可能とした表示用放電管を提供する。
【解決手段】第１の基板１と第２の基板２の間に形成される放電領域に設置する表示用電極５と第１アドレス電極６とを分離し、表示用電極対の間を離し、その電極幅を広くして、第１アドレス電極幅を長さ方向に沿って不均一とすることで表示のための駆動電圧を低減する。
【選択図】図１

Description

本発明は、表示用放電管に係り、特にプラズマ放電を用いたアドレス動作により画素選択を行う表示用放電管に関する。

プラズマ放電を用いたアドレス動作により画素選択を行う表示用放電管、所謂プラズマディスプレイパネル（以下、ＰＤＰとも称する）は直流型（ＤＣ型）と交流型（ＡＣ型）、あるいはこれらを複合したハイブリッド型とに大分される。特に、ＡＣ型ＰＤＰは壁電荷を利用したメモリ機能を有し、ガラス基板等からなる前面板である第１の基板と同じくガラス基板等からなる背面板である第２の基板の対向内面に互いに交差する誘電体層で被覆した第１の電極（表示用電極）と第２の電極（アドレス電極）とを有し、アドレス電極と表示用電極との間で初期放電すなわちアドレス放電を行って誘電体層の表面に電荷を帯電させ、その後誘電体層の帯電電位を利用して、表示用電極間の放電にて表示を行うものである。

図７〜図９により従来のＰＤＰについて説明する。

図７は従来技術によるＡＣ型ＰＤＰの概略斜視図、図８は従来技術によるＡＣ型ＰＤＰの概略断面図である。なお、図８において、構造の理解を容易にするために、第１の基板は第２の基板に対して９０°回転させて示してある。

図７と図８において、１は第１の基板である透明な前面ガラス基板、２は第２の基板である背面ガラス基板、３は隔壁、５は表示用電極（メモリ電極）、５ａは母電極、５ｂは透明電極、７０はアドレス電極、８ａは誘電体層、９は保護膜（ＭｇＯ）、１０はＲ，Ｇ，Ｂの蛍光体である。

このＰＤＰを構成する背面ガラス基板２上には複数の互いに並行なストライプ状のアドレス電極７０がスクリーン印刷等の厚膜技術や蒸着、エッチング等の薄膜技術によって被着形成され、背面ガラス基板２上のアドレス電極７０と平行に当該アドレス電極７０を囲むようにストライプ状の隔壁３がスクリーン印刷、サンドブラスト法などにより形成される。

なお、ストライプ状の隔壁３の内側にはＲ、Ｇ、Ｂの３原色の蛍光体１０が各色にスクリーン印刷法等で塗り分けられている。

上記の背面ガラス基板２と共同して管体を形成する透明な前面ガラス基板１上には、背面ガラス基板２に形成された複数のアドレス電極７０と直交する如く、複数の互いに並行な表示用電極５が被着形成されている。なお、１つの表示セルの中には２つの表示用電極５を持つ。

表示の際には、アドレス電極７０と１表示セル（以下、１セルとも言う）内の１つの表示用電極５との間でアドレス放電が行われ、その後２つの表示用電極５間で表示放電が行われる。表示用電極５は所謂メモリ電極である。表示用電極の放電のプラズマにより紫外線が放出され、この紫外線が蛍光体１０を励起し、前面ガラス基板１から表示光として取り出す。

なお、表示用電極５の上には誘電体層８ａが印刷等で形成されており、その上に保護膜（ＭｇＯ膜)９が蒸着されている。また、前面ガラス基板１及び背面ガラス基板２により構成される管体の内部には、放電用ガスが封入される。

図９は従来技術によるハイブリット型ＰＤＰを示す断面図である。

同図において、背面ガラス基板２側に直流放電(ＤＣ放電)による自己走査機能を有する複数の互いに直交するアドレス電極２２、２３が設けられ、複数の貫通孔を通じて、背面ガラス基板２側のアドレス電極２２、２３との間で放電空間が結合する前面ガラス基板１側に設けられた透明全面電極１７及びこれに対向する複数の貫通孔を有する有孔金属板２０からなる半交流型メモリー部(半ＡＣ型メモリー部)が設けられている。

なお、複数のアドレス電極２２の各間隙にそれぞれ絶縁基板２４が配され、透明全面電極１７上は透明絶縁層１８で覆われ、有孔金属板２０と透明絶縁層１８との間及び有孔金属板２０と絶縁基板２４との間には、それぞれ隔壁１９、２１が設けられて、内部に放電用気体を有する背面ガラス基板２、前面ガラス基板１からなる管体内に封入される。

このハイブリット型ＰＤＰでは、アドレス電極２２、２３間の放電で生じた電子を、有孔金属板２０に与えた電圧でメモリー側に引き出し、前面ガラス基板１側の透明絶縁層１８で覆われた透明全面電極１７と有孔金属板２０との間で、ＡＣ型放電が維持される。

この種のハイブリット型ＰＤＰは、自己走査機能による回路の簡単化と、メモリー機能による高輝度化を図ったものである。

なお、上記のＰＤＰは特公平３−７６４６８号公報に開示されている。

図７に示した従来のＡＣ型ＰＤＰは、隣合う表示用電極間による放電の有無の制御を距離の差で行うものであるため、より高精細化及び電極間を離す（電極幅を広げることによる等）ことによる高輝度化に対応できない。

一方、図９に示した従来のハイブリット型ＰＤＰは、構造が複雑であるため量産が困難であると共に、次のような問題点がある。即ち、このＰＤＰが確実に動作するためには、アドレス側及びメモリー側の放電空間を連結するための孔の径を大きくして、両放電空間の結合を強力にしなければならないが、その孔の径があまり大きくすると、両放電空間の分離が不確実になるという矛盾がある。又、メモリー放電を消去する場合、前面ガラス基板側の透明全面電極上の絶縁層上に蓄積される壁電荷を消去しなければならないが、有孔金属板の孔が小さいと、背面ガラス基板側のアドレス電極による壁電荷の制御が困難になる。更に、その孔の径が大きいとメモリー放電の影響で、安定なアドレッシングと自己走査機能が損なわれるという問題がある。

また、このＰＤＰのアドレス側と表示側を隔てる有孔金属板は、仮にその一部分が絶縁層で覆われていても、あるいは、金属板を使わず、絶縁体に金属層を形成したりしても、金属電極が露出していることが動作上の必須要件であるため、ＤＣ型走査部との絶縁及び安定動作上の理由から精度の高い構造的分離が必要で、このことが一層製造を困難にしている。さらに、半ＡＣ型動作のために、メモリーに寄与する壁電荷がアドレス側の片方にしか蓄積されないので、メモリー機能が弱く放電維持電圧も高いという問題がある。

本発明の目的は、上記従来のＰＤＰの諸問題を解消し、構成を簡素化すると共に、高輝度・高精細な表示を可能とした表示用放電管を提供することにある。

上記目的を達成するために、本発明は、互いに略平行な第１，第２の電極と、これら第１，第２の電極と略平行に配置した第３の電極とを有する第１の基板と、第１の基板に対向配置されて第１，第２，第３の電極に交差し、かつ互いに略平行な第４の電極を有する第２の基板を備え、第１の基板と第２の基板との間にガスを封入して放電領域を形成した表示用放電管であって、第１，第２の電極を覆う誘電体層を有すると共に、第３の電極は第１，第２の電極の電極対間に配置されて、表示セル毎に４電極構造を成し、第１，第２の電極の各々は、第４の電極と交差する部分で第４の電極と交差しない部分より幅狭の部分を有するように形成され、隣接する放電セル発光の光学的クロストークを防ぐ隔壁を、第１，第２の電極の光透過率の低い部分上に形成し、第１，第２の電極間で表示のための放電を行なうように構成したことを特徴とする藻のである。

また、本発明は、互いに略平行な第１，第２の電極と、これら第１，第２の電極と略平行に配置した第３の電極とを有する第１の基板と、第１の基板に対向配置されて第１，第２，第３の電極に交差し、かつ互いに略平行な第４の電極を有する第２の基板を備え、第１の基板と第２の基板との間にガスを封入して放電領域を形成した表示用放電管であって、第１，第２の電極を覆う誘電体層を有すると共に、第３の電極は第１，第２の電極の電極対間に配置されて、表示セル毎に４電極構造を成し、第３の電極の電極幅が、第４の電極と交差する部分で第４の電極と交差しない部分より幅広に形成されて成り、隣接する放電セル発光の光学的クロストークを防ぐ隔壁を、第１，第２の電極の光透過率の低い部分上に形成したことを特徴とする藻のである。

本発明によれば、放電電極間の距離を離すことによる電圧の上昇を電極幅を変化させることにより低く抑えることができ、かつ、電極間を離すことにより大幅な輝度向上ができる。

以下、本発明の実施形態を図面を用いて詳細に説明する。

（表示用放電管の実施例１)
図１は本発明による表示用放電管の一実施例の概略構造を説明する分解斜視図、図２は図１に示した表示用放電管の概略構造を説明する断面図である。

なお、図２においては、構造の理解を容易にするために、第１の基板を第２の基板に対して９０°回転して表示してある。

この表示用放電管は、第１の基板として、例えば、透明なガラス基板を使用し、前面ガラス基板１とする。また、第２の基板として、例えば、透明なガラス基板を使用し、これを背面ガラス基板２とする。

前記前面ガラス基板１及び前記背面ガラス基板２の周辺はフリットガラスによって封止され、封止で構成される管体内に下記の構造体が収納されると共に、管体内を真空にした後ヘリウム(Ｈｅ)、ネオン(Ｎｅ)、アルゴン(Ａｒ)、キセノン(Ｘｅ)等、又はそれらの混合気体等の放電用気体（ガス）が封入されて構成される。

管体内に収納される構造体として、背面ガラス基板２の上には第２アドレス電極７が薄膜プロセスや印刷等の厚膜プロセス等で形成されており、この第２アドレス電極７を囲むようにストライプ状の隔壁３がスクリーン印刷やサンドブラスト法等で形成されている。そして、第２アドレス電極７の上にはＲＧＢ３原色の各蛍光体１０が印刷等の方法でストライプ状の隔壁３の壁面にも形成されている。

前記前面ガラス基板１には、表示用電極対５、第１アドレス電極６が薄膜プロセス等により形成されている。前記表示用電極５は透明電極５ｂと前記透明電極５ｂとは電気抵抗が異なるバスライン（母線）５ａとからなり、前記第１アドレス電極６は透明電極６ｂと前記透明電極６ｂとは電気抵抗が異なるバスライン（母線）６ａとから構成される。

前記背面ガラス基板２には、前記第１アドレス電極６と直交するように第２アドレス電極７が形成されており、前記第１アドレス電極６の電極幅は前記第２アドレス電極７と重なる部分を広くする。

図３は本発明による表示用放電管の一実施例の変形例の概略構造を説明する図２と同様の断面図である。

図３に示すように、第２アドレス電極７の上に白色の誘電体層８ｂを印刷等で形成後、ストライプ状の隔壁３及び蛍光体１０を形成しても良い。その他の構成は図２と同様である。

表示用電極５の電極対５Ｍ１，５Ｍ２及び第１アドレス電極６の上には、誘電体層８ａ及び保護膜９が形成されている。

誘電体層８ａは透明なガラス等からなる絶縁体であり、印刷等で形成され、保護膜９は２次電子放射率の高いＭｇＯ等の酸化物であり、蒸着などで形成される。

前面ガラス基板１側の隔壁４と背面ガラス基板２の隔壁３とで区画される放電領域で形成される１つ表示セル（以下、単にセルとも言う）の中には表示用電極５の２本の電極対５Ｍ１，５Ｍ２と第２アドレス電極７、および第１アドレス電極６が配置される。

アドレス用電極と表示用電極を分離することにより、表示用電極は隣接する放電領域にて電極対を構成する電極５Ｍ１と電極５Ｍ２をそれぞれ共通に使用することは可能である。例えば、５Ｍ１及び５Ｍ２の上に隔壁４を形成することにより、放電空間（放電領域）を分離できる。

図４は本発明による表示用放電管の前面ガラス基板上の表示画素内の平面図、図５は前面ガラス基板上の電極パターンの説明図である。

同各図において、７Ａは第２アドレス電極７の中心線を示す。

表示用電極５（５Ｍ１、５Ｍ２）の上に格子状の隔壁４が形成され、第１アドレス電極６はこの隔壁４の中央部、すなわち第２アドレス電極７と直交する部分で幅を広くしている。また、第１アドレス電極６の電極幅が広くないところでは、表示用電極５の幅を広くして電極間隔を狭くしている。

表示用電極５（５Ｍ１，５Ｍ２）は透明電極５ｂとこの透明電極５ｂとは電気抵抗が異なる母電極５ａとから構成されている。

以下、本発明による表示用放電管の具体例な数値例を説明する。

前面ガラス基板１および背面ガラス基板２としては、板厚が２．０ｍｍのソーダガラスを使用し、表示セルのセルピッチは０．３３ｍｍ×１．０ｍｍである。 なお、これらガラス基板の板厚は、基本的に耐真空強度があり、取扱いに問題がなければ上記の数値に限るものではなく、特に制限はない。また、ガラスの材質としてはソーダガラスよりも高歪点ガラス望ましいが、これにこだわるものではない。

前面ガラス基板１上には、第１アドレス電極６が最大幅０．３ｍｍ、最小幅０．０５ｍｍに形成する。この第１アドレス電極６を構成する透明電極６ｂはＩＴＯ膜にて幅０．３ｍｍ、長さ０．２ｍｍの島状のパターンを複数個形成し、そのパターンを連通するように母電極６ｂをＣｒ−Ｃｕ−Ｃｒにて幅０．０５ｍｍに形成する。

なお、図４では、透明電極６ｂは長方形の島状パターンとしているが、隣接する透明電極との間がつながるようにしてもよく、またこの電極パターンも長方形に限らず、楕円形状等の他の形状としてもよいものであり、第１アドレス電極６の電極幅がアドレス放電の起こるところでが広く、他の場所では表示用電極の妨げとならない程度の電極幅であればよい。

一方、表示用電極５は透明電極５ｂと母電極５ａとからなり、透明電極５ｂとしてＩＴＯ膜を、母電極５ａとしてはＣｒ−Ｃｕ−Ｃｒを用いている。この表示用電極５の幅はおおよそ第１アドレス電極６が最大幅のところでは最小幅である０．６ｍｍに、第１アドレス電極６が最小幅のところでは最大幅である０．８５ｍｍとなる。なお、母電極５ａは透明電極５ｂの中心部に形成する。

表示用電極５の母線５ａ、第１アドレス電極６の母線６ａは、それぞれ透明電極５ｂ、６ｂの中心部に形成しているが、これらの母線はそれぞれの透明電極の上に存在すればよいものであり、必ずしも上記のように透明電極５ｂ、６ｂの中心部に形成する必要はない。

また、ここでは、母線５ａ、６ａにＣｒ−Ｃｕ−Ｃｒを用いているが、透明電極の電気抵抗を下げるものであればＡｇ等の金属、Ｃｒ−Ａｕ−Ｃｒ等の多層膜を使用してもよい。

透明電極５ｂ、６ｂについても、透明電極であればＩＴＯに限るものではなく、例えばネサ膜などでもよい。

表示セルピッチが１．０ｍｍのとき、第１アドレス電極６の幅は概略最大幅で０．５〜０．１ｍｍであり、最小幅は０．１〜０．０３ｍｍである。第１アドレス電極６の幅が０．５ｍｍを越えると、この第１アドレス電極６と共に表示画素を形成する表示用電極５の電極面積が少なくなり、好ましくない。また、最大幅が０．１ｍｍ未満であると、アドレス放電のための電極面積が少なくなり、放電電圧が高くなったり、確実な放電が起こるまでの時間が長くなり、これも好ましくない。

一方、最小幅が０．０３ｍｍ未満では抵抗値が下がらず、これもまた好ましいものではない。

表示用電極５と第１アドレス電極６を形成後、これらの電極上を覆って透明な誘電体層８ａを０．０２０ｍｍの厚さで全面均一に形成し、表示用電極５の電極対５Ｍ１，５Ｍ２の透明電極５ｂ上に形成した母線５ａの上に４辺のうち２辺が重なるように、ほぼ格子状の隔壁４を形成する。この隔壁４の高さは、封入ガスが４００ｔｏｒｒのときは０．０３ｍｍとする。

また、この隔壁４は格子状に限るものではないが、隣接する放電セルの発光の光学的クロストーク等を防ぐためにはこのような略格子状とするのが望ましい。

また、隔壁４の形成位置は、表示用電極５の透明電極５ｂの上であれば画像表示機能上の問題はないが、母電極５ａの上に形成した方が光透過率が高くなり、明るい表示画像が得られる。

なお、上記隔壁４を印刷法等で形成する場合、第１層すなわち上層は黒色で、下層は白色で印刷するのが望ましい。

そして、背面ガラス基板２に形成したストライプ状の隔壁３と前面ガラス基板１上に形成したほぼ格子状の隔壁４の２辺を重ねるように配置する。

格子状の隔壁４を形成後、保護膜９として電子ビーム蒸着（ＥＢ蒸着）等の方法を用いてＭｇＯ膜５００〜８００ｎｍの厚さに形成する。

背面ガラス基板２の上には、印刷法あるいはフォトプロセスでＡｇ、Ｎｉ，Ｃｒ−Ｃｕ−Ｃｒなどを電極幅０．１５ｍｍで成膜して第２アドレス電極７を形成する。

この第２アドレス電極７の上に白色の誘電体層８ｂを０．０１５ｍｍの厚さで均一に形成する。

なお、第２アドレス電極７の電極幅は、放電セルピッチが０．３３ｍｍのとき、概略０．０５〜０．２ｍｍである。この電極幅が狭くなると放電開始電圧が高くなったり、所定の放電状態になるまでに時間を必要とするため、０．０５ｍｍ未満の電極幅ではアドレス放電が難しくなる。

また、白色誘電体層８ｂは形成しなくとも基本的な機能において大きな差はないが、この白色誘電体層８ｂを形成することにより、蛍光体１０の反射光の利用率の向上が図られ、またストライプ状の隔壁３をサンドブラストを利用して形成する時に第２アドレス電極７を保護する役割りを果たす。

ストライプ状の隔壁３の幅は０．０６ｍｍ、その高さは０．１５ｍｍである。なお、この隔壁３の幅は概略０．０２〜０．１ｍｍの範囲、高さは０．０５〜０．２０ｍｍの範囲で上記サンドブラストあるいは印刷法により形成する。

ストライプ状の隔壁３の幅が０．１ｍｍを越えると開口率が悪くなり、充分な明るさや放電空間を確保できない。このストライプ状の隔壁３は、その幅が細ければ細い程よいが、０．０２ｍｍ未満では充分な高さの隔壁を形成できない。

ストライプ状の隔壁３の高さが０．０５ｍｍ未満であると充分な量の蛍光体を塗布することができず、また、その高さが０．２ｍｍを越えると隔壁の形成が困難である。

この背面ガラス基板２への蛍光体１０の形成は、ペースト状の蛍光体材料を印刷法などで塗布し、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）に塗り分ける。

このようにして、前面ガラス基板１と背面ガラス基板２が製作され、得られた前面ガラス基板１と背面ガラス基板２および排気管（図示せず）をフリットガラスにて封着後、排気し、ガスを封入しチップオフする。封入するガスとしては、Ｈｅ−Ｘｅ、Ｎｅ−Ｘｅ等のイオン化可能なガスであり、２５°Ｃで概略４００ｔｏｒｒ程度の圧力で封入される。

なお、封入されるガスの種類は、本発明の基本的機能に大きな差を及ぼさない。

上記では、背面ガラス基板２上に形成する隔壁をストライプ状の隔壁３として説明したが、背面ガラス基板２の上に格子状の隔壁を形成してもよい。この場合は、格子状の隔壁の下層は白色のガラス材を使用し、最上層は黒色のガラス材を使用する。

なお、この場合、蛍光体１０は格子状の隔壁の内側に、マクロ的にはストライプに形成する。前面ガラス基板１には透明な誘電体層８ａまでを形成し、前面ガラス基板１上には格子状の隔壁４は形成しないが、これを形成してもよいことは言うまでもない。その後、保護膜としてＭｇＯ膜９を形成し、背面ガラス２と封着する。

以上の実施例では、表示用電極５を隣り合うセルで共通に使用した構成で説明したが、表示用電極５がセル毎に分離されていても問題はない。また、第１アドレス電極６は１つのセルの中に１つの島状のパターンで形成したものとして説明したが、１つのセルの中に複数の島状のパターンが存在する構成とすることもできる。

次に、上記した実施例の表示用放電管の駆動方法について説明する。

図６は本発明による表示用放電管の駆動方法の一例を説明する駆動波形図である。なお、実施例中の電圧は、封入ガスとしてＮｅ−６％Ｘｅを４００ｔｏｒｒで封入した時の値である。

まず、表示用放電管の画面上の全放電セルを均一な状態にするために、すなわち、表示用電極５の電極対を構成する電極５Ｍ１と５Ｍ２及び第１アドレス電極６上の電荷を初期状態にするために、電極５Ｍ１と５Ｍ２間で誘電体層８ａの表面にある壁電荷を消去するための放電を行う。

すなわち、図６のリセット期間中に電極５Ｍ１にＰｗｓａのパルスを、５Ｍ２にＰｗｓｋのパルスを印加して行う。このパルスは壁電荷がつかないようにすることを目的にしているため、幅が狭いパルスである。

一般に、所謂ＡＣ型表示用放電管においては、放電時にパルス幅が短いと壁電荷が生じず、パルス幅が広いと壁電荷が生じる。

なお、本実施例ではＰｗｓａ、Ｐｗｓｋのパルス幅は１μｓであり、Ｐｗｓａの電圧は＋４０Ｖ、Ｐｗｓｋは−２４０Ｖである。

この放電の後（すなわち、全面リセット後）、図６のアドレス期間中の波形を第１アドレス電極６（６−１、６−２、・・６−ｎ）、第１アドレス電極７（７−ｎ）、表示用共通電極の電極５Ｍ１と５Ｍ２に印加する。

アドレスしたい放電セルでは、放電するような電位差で第１アドレス電極６に負パルスＰｃを、第２アドレス電極７には正のパルスＰａを印加する。この時、表示用共通電極５の電極の片側、例えば５Ｍ１には低圧側である第１アドレス電極６と放電を起こさない範囲で、アドレス放電で生じる放電空間の電位より高い電圧＋Ｖｍを印加し、もう１つの電極５Ｍ２には、高圧側である第２アドレス電極７と放電を起こさない範囲でアドレス放電で生じる放電空間の電位より低い電圧−Ｖｍを印加する。

これらのアドレス電極に印加するパルスは当該アドレス電極に壁電荷が生じないようなパルス幅が短いパルス（Ｐｃ、Ｐａ）を印加して、アドレス放電を起こし、アドレス放電後の空間電荷が表示用電極５の電極５Ｍ１と５Ｍ２にそれぞれ逆特性の壁電荷を蓄積させる。

なお、パルスＰｃとパルスＰａのパルス幅は１μｓであり、パルスＰｃの電圧は−１２０Ｖ、パルスＰａは＋４０Ｖであり、＋Ｖｍは＋３０Ｖ、−Ｖｍは−３０Ｖである。

サステイン期間では、表示用電極を構成する電極５Ｍ１と５Ｍ２に図６のサステイン期間に放電維持パルスＰｓが印加され、アドレス放電の起こった、すなわち表示用共通電極に壁電荷のあるセルは放電し、アドレス放電の起こらなかった、すなわち表示用共通電極に壁電荷のないセルは放電しない。

なお、Ｐｓはパルス幅は４μｓ、電圧は−２２０Ｖであり、放電の起こったセルでは放電により壁電荷が形成される。

このように、アドレス放電（画像情報）の有無にしたがってサステイン期間中の放電維持をコントロールできる。

本発明による表示用放電管の一実施例の概略構造を説明する分解斜視図である。 図１に示した表示用放電管の概略構造を説明する断面図である。 本発明による表示用放電管の第一実施例の変形例の概略構造を説明する図２と同様の断面図である。 本発明による表示用放電管の前面ガラス基板上の表示画素内の平面図である。 本発明による表示用放電管の前面ガラス基板上の電極パターンの説明図である。 本発明による表示用放電管の駆動方法の一例を説明する駆動波形図である。 従来技術によるＡＣ型ＰＤＰの概略斜視図である。 従来技術によるＡＣ型ＰＤＰの概略断面図である。 従来技術によるハイブリット型ＰＤＰを示す断面図である。

符号の説明

１ 第１の基板である透明な前面ガラス基板
２ 第２の基板である背面ガラス基板
３ 隔壁
４ 隔壁
５ 表示用電極（メモリ電極）
５ａ 母電極
５ｂ 透明電極
６ 第１アドレス電極
６ａ 母電極
６ｂ 透明電極
７ 第２アドレス電極
８ａ 誘電体層
８ｂ 白色誘電体層
９ 保護膜（ＭｇＯ）
１０ Ｒ，Ｇ，Ｂの蛍光体

Claims (2)

1. 互いに略平行な第１，第２の電極と、前記第１，第２の電極と略平行に配置した第３の電極とを有する第１の基板と、前記第１の基板に対向配置されて前記第１，第２，第３の電極に交差し、かつ互いに略平行な第４の電極を有する第２の基板を備え、前記第１の基板と前記第２の基板との間にガスを封入して放電領域を形成した表示用放電管であって、
   前記第１，第２の電極を覆う誘電体層を有すると共に、前記第３の電極は前記第１，第２の電極の電極対間に配置されて、表示セル毎に４電極構造を成し、
   前記第１，第２の電極の各々は、前記第４の電極と交差する部分で前記第４の電極と交差しない部分より幅狭の部分を有するように形成され、
   隣接する放電セル発光の光学的クロストークを防ぐ隔壁を、前記第１，第２の電極の光透過率の低い部分上に形成し、
   前記第１，第２の電極間で表示のための放電を行なうように構成したことを特徴とする表示用放電管。
2. 互いに略平行な第１，第２の電極と、前記第１，第２の電極と略平行に配置した第３の電極とを有する第１の基板と、前記第１の基板に対向配置されて前記第１，第２，第３の電極に交差し、かつ互いに略平行な第４の電極を有する第２の基板を備え、前記第１の基板と前記第２の基板との間にガスを封入して放電領域を形成した表示用放電管であって、
   前記第１，第２の電極を覆う誘電体層を有すると共に、前記第３の電極は前記第１，第２の電極の電極対間に配置されて、表示セル毎に４電極構造を成し、
   前記第３の電極の電極幅が、前記第４の電極と交差する部分で前記第４の電極と交差しない部分より幅広に形成されて成り、
   隣接する放電セル発光の光学的クロストークを防ぐ隔壁を、前記第１，第２の電極の光透過率の低い部分上に形成したことを特徴とする表示用放電管。
   

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