JP2006124764A - 有機シリコン化合物及び該化合物を用いたシリコン含有膜の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】低温での膜成長が可能な有機シリコン化合物及び該化合物を用いたシリコン含有膜の製造方法を提供する。高い平坦性の膜を形成することができ、かつ高く安定な成長速度が得られる有機シリコン化合物及び該化合物を用いたシリコン含有膜の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の有機シリコン化合物は、SiH2[R(t-Bu)N]2で表される有機シリコン化合物である。但し、式中のRはメチル基、エチル基又はイソプロピル基を示し、t-Buはターシャリーブチル基を示す。また、本発明のシリコン含有膜の製造方法は、上記有機シリコン化合物を用いてMOCVD法によりシリコン含有膜を作製することを特徴とする。
【選択図】なし
【解決手段】本発明の有機シリコン化合物は、SiH2[R(t-Bu)N]2で表される有機シリコン化合物である。但し、式中のRはメチル基、エチル基又はイソプロピル基を示し、t-Buはターシャリーブチル基を示す。また、本発明のシリコン含有膜の製造方法は、上記有機シリコン化合物を用いてMOCVD法によりシリコン含有膜を作製することを特徴とする。
【選択図】なし
Description
本発明は、有機金属化学気相成長法(Metal Organic Chemical Vapor Deposition、以下、MOCVD法という。)により成膜されるSi-N膜やHf-Si-O膜等のシリコン含有膜の原料として好適な有機シリコン化合物及び該化合物を用いたシリコン含有膜の製造方法に関するものである。
絶縁膜や保護膜、LOCOS構造形成のマスク材料としてSi-N膜が広く用いられている。このSi-N膜を成膜する方法には熱CVD法が主に用いられている。使用する原料ガスとしては、シラン/アンモニア混合ガス、シラン/窒素混合ガス等が一般的である。
しかし熱CVD法により形成されるSi-N膜の段差被覆性は、半導体装置の微細化や多層配線化に伴う基板の表面段差の増大に対応できず、ボイドが形成されたり、クラックが発生し易くなっていた。また、シラン化合物を使用すると、成膜の途中でパーティクルが発生して配管を閉塞したり、成膜が不安定になる問題があった。更にシラン化合物は高い成膜温度が必要なため、化合物が分解する際に発生するパーティクルが基板上に付着してしまう問題もあった。
しかし熱CVD法により形成されるSi-N膜の段差被覆性は、半導体装置の微細化や多層配線化に伴う基板の表面段差の増大に対応できず、ボイドが形成されたり、クラックが発生し易くなっていた。また、シラン化合物を使用すると、成膜の途中でパーティクルが発生して配管を閉塞したり、成膜が不安定になる問題があった。更にシラン化合物は高い成膜温度が必要なため、化合物が分解する際に発生するパーティクルが基板上に付着してしまう問題もあった。
上記問題を解決する方策として、反応管と、炉口フランジと、ガス供給管と、プラズマ生成手段とを備え、プラズマ生成手段を炉口フランジのガス供給管の近傍に設けて、ガス供給管から反応管内に供給されるガスを、プラズマ生成手段により生成したプラズマにより活性化可能に構成したことを特徴とする基板処理装置が開示されている(例えば、特許文献1参照。)。特許文献1では、支燃性ガスとしてNH3を、可燃性ガスとしてDCS(ジクロロシラン:SiH2Cl2)、SiH4、SiCl4、Si2H6、Si2Cl6、BTBAS(ビスt-ブチルアミノシラン)、TEOS(テトラキス(エチルオキサイド)シラン)等を使用し、Si3N4膜を形成している。上記処理装置により、炉口フランジ内にプラズマを生成するプラズマ生成領域を形成し、反応管内に供給するガスに、プラズマ生成領域でプラズマにより活性化されたガスが含まれるようにしたので、プラズマを使わずに熱のみでガスを活性化させる熱CVDの温度に比べて、より低い温度で基板を処理することができる。
特開2003−229425号公報(請求項1、段落[0051]及び段落[0053])
しかしながら、上記特許文献1に示される処理装置を使用することで従来に比べると成膜温度を低減することはできるが、熱CVD法を使用する際に発生する段差被覆性等の上記諸問題を解決するには至っていない。
一方、高誘電体ゲート絶縁膜としてシリコン酸化膜に代わるゲート絶縁膜が要望されており、候補としてHf含有薄膜、具体的にはHf-Si-O膜等が注目されている。Hf-Si-O膜を作製するための原料としてどの有機シリコン化合物を用いればゲート絶縁膜として優れたHf-Si-O膜を作製することができるのか、膜形成材料の選定や製造方法の選定がされている。
一方、高誘電体ゲート絶縁膜としてシリコン酸化膜に代わるゲート絶縁膜が要望されており、候補としてHf含有薄膜、具体的にはHf-Si-O膜等が注目されている。Hf-Si-O膜を作製するための原料としてどの有機シリコン化合物を用いればゲート絶縁膜として優れたHf-Si-O膜を作製することができるのか、膜形成材料の選定や製造方法の選定がされている。
本発明の目的は、低温での膜成長が可能な有機シリコン化合物及び該化合物を用いたシリコン含有膜の製造方法を提供することにある。
本発明の別の目的は、高い平坦性の膜を形成することができ、かつ高く安定な成長速度が得られる有機シリコン化合物及び該化合物を用いたシリコン含有膜の製造方法を提供することにある。
本発明の別の目的は、高い平坦性の膜を形成することができ、かつ高く安定な成長速度が得られる有機シリコン化合物及び該化合物を用いたシリコン含有膜の製造方法を提供することにある。
請求項1に係る発明は、次の式(1)に示される有機シリコン化合物である。
SiH2[R(t-Bu)N]2 ……(1)
但し、式中のRはメチル基、エチル基又はイソプロピル基を示し、t-Buはターシャリーブチル基を示す。
SiH2[R(t-Bu)N]2 ……(1)
但し、式中のRはメチル基、エチル基又はイソプロピル基を示し、t-Buはターシャリーブチル基を示す。
請求項1に係る発明では、上記式(1)に示される構造を有することで、化合物中のSi−H構造が低エネルギー結合となるため、従来より使用されているシラン化合物よりも低温での膜成長が可能となる。また、上記構造の化合物は静電的エネルギーが成膜対象となる基板と相互作用するため、高い平坦性の膜を形成することができる。更に、上記構造の化合物は成膜の際に成膜対象となる基板上からアミノ基が容易に脱離するため、高く安定な成長速度が得られる。
請求項2に係る発明は、請求項1記載の有機シリコン化合物を用いてMOCVD法によりシリコン含有薄膜を作製することを特徴とするシリコン含有薄膜の製造方法である。
本発明の有機シリコン化合物は、SiH2[R(t-Bu)N]2で表される有機シリコン化合物である。上記構造を有する本発明の有機シリコン化合物は上記構造を有することで、化合物中のSi−H構造が低エネルギー結合となるため、従来より使用されているシラン化合物よりも低温での膜成長が可能となる。また、上記構造の化合物は静電的エネルギーが成膜対象となる基板と相互作用するため、高い平坦性の膜を形成することができる。更に、上記構造の化合物は成膜の際に成膜対象となる基板上からアミノ基が容易に脱離するため、高く安定な成長速度が得られる。
次に本発明を実施するための最良の形態を説明する。
本発明の有機シリコン化合物は次の式(1)に示される。
本発明の有機シリコン化合物は次の式(1)に示される。
SiH2[R(t-Bu)N]2 ……(1)
但し、式中のRはメチル基、エチル基又はイソプロピル基を示し、t-Buはターシャリーブチル基を示す。
但し、式中のRはメチル基、エチル基又はイソプロピル基を示し、t-Buはターシャリーブチル基を示す。
上記式(1)に示される構造を有することで、化合物中のSi−H構造が低エネルギー結合となるため、従来より使用されているシラン化合物よりも低温での膜成長が可能となる。また、上記構造の化合物は静電的エネルギーが成膜対象となる基板と相互作用するため、高い平坦性の膜を形成することができる。更に、上記構造の化合物は成膜の際に成膜対象となる基板上からアミノ基が容易に脱離するため、高く安定な成長速度が得られる。なお、上記式(1)のRがMe、Et、i-Pu以外の官能基であると、その構造の不安定さから低温での膜成長ができない不具合を生じる。上記式(1)のRがメチル基の場合を次の式(2)に、エチル基の場合を次の式(3)に、イソプロピル基の場合を次の式(4)にそれぞれ示す。
SiH2[Me(t-Bu)N]2 ……(2)
SiH2[Et(t-Bu)N]2 ……(3)
SiH2[(i-Pu)(t-Bu)N]2 ……(4)
なお、式(2)中のMeはメチル基を、式(3)中のEtはエチル基を、式(4)中のi-Puはイソプロピル基をそれぞれ示す。
SiH2[Et(t-Bu)N]2 ……(3)
SiH2[(i-Pu)(t-Bu)N]2 ……(4)
なお、式(2)中のMeはメチル基を、式(3)中のEtはエチル基を、式(4)中のi-Puはイソプロピル基をそれぞれ示す。
本発明の有機シリコン化合物、例えばRをメチル基としたSiH2[Me(t-Bu)N]2を製造する方法としては、先ず、ジクロロシランをジエチルエーテルに溶解して溶解液を調製する。次いで、この溶解液にメチル(t-ブチル)アミノリチウムを添加し、添加した液を氷冷下で、30分間程度攪拌する。次に、攪拌した液をろ過し、得られたろ液を減圧濃縮することにより固形物が得られる。この固形物を再結晶することにより、SiH2[Me(t-Bu)N]2の精製物が得られる。上記製造方法において、メチル(t-ブチル)アミノリチウムをエチル(t-ブチル)アミノリチウムに代えることでSiH2[Et(t-Bu)N]2が、イソプロピル(t-ブチル)アミノリチウムに代えることでSiH2[(i-Pu)(t-Bu)N]2がそれぞれ得られる。
本発明のシリコン含有膜の製造方法は、前述した本発明の有機シリコン化合物を用いてMOCVD法により基材上、例えばシリコン基板上にシリコン含有膜を作製することを特徴とする。本発明の有機シリコン化合物を用いてMOCVD法によりシリコン含有膜を作製すると、本発明の有機シリコン化合物は、化合物中のSi−H構造が低エネルギー結合となるため、従来より使用されているシラン化合物よりも低温での膜成長が可能となる。また、上記構造の化合物は静電的エネルギーが成膜対象となる基板と相互作用するため、高い平坦性の膜を形成することができる。更に、上記構造の化合物は成膜の際に成膜対象となる基板上からアミノ基が容易に脱離するため、高く安定な成長速度が得られる。
また、前述した本発明の有機シリコン化合物と有機ハフニウム化合物の双方を用い、MOCVD法により、優れた膜質のハフニウムシリコン含有膜を作製することができる。特に本発明の有機シリコン化合物と、次の一般式(5)又は式(6)に示される有機ハフニウム化合物の双方を用いてMOCVD法によりハフニウムシリコン含有膜を作製することで、高い成膜速度で優れた膜質のハフニウムシリコン含有膜を作製することができる。
Hf[R1R2N]4 ……(5)
但し、R1、R2は炭素数1〜4の直鎖又は分岐状アルキル基であり、R1とR2は互いに同一でも異なっていてもよい。
但し、R1、R2は炭素数1〜4の直鎖又は分岐状アルキル基であり、R1とR2は互いに同一でも異なっていてもよい。
Hf[OR3]4 ……(6)
但し、R3は炭素数1〜4の直鎖又は分岐状アルキル基である。
但し、R3は炭素数1〜4の直鎖又は分岐状アルキル基である。
本発明の製造方法により作製されるシリコン含有膜のうち、Si-N膜が絶縁膜や保護膜、LOCOS構造形成のマスク材料の用途に、Hf-Si-O膜がゲート絶縁膜の用途にそれぞれ好適である。
次に本発明の実施例を比較例とともに詳しく説明する。
<実施例1>
先ず、ジクロロシラン70gをジエチルエーテルに溶解して溶解液を調製した。この溶解液300ccにメチル(t-ブチル)アミノリチウム200gを添加し、添加した液を氷冷下で、30分間攪拌した。次に、攪拌した液をろ過し、得られたろ液を約26.6Pa(2torr)、50℃で減圧濃縮することにより固形物を得た。この固形物を再結晶することにより、精製物を40g得た。得られた精製物を1H-NMRにより測定した結果、測定値はδ=1.3ppm(m,C−H)、δ=4.1ppm(s,C−H)及びδ=2.9ppm(m,C−H)であった。上記分析結果より得られた化合物はSiH2[Me(t-Bu)N]2であると同定された。
<実施例2>
メチル(t-ブチル)アミノリチウムをエチル(t-ブチル)アミノリチウムに代えた以外は実施例1と同様にして精製物を得た。得られた精製物を1H-NMRにより測定した結果、測定値はδ=1.2ppm(s,C−H)、δ=3.6ppm(s,C−H)、δ=4.6ppm(m,C−H)、δ=1.5ppm(m,C−H)であった。上記分析結果より得られた化合物はSiH2[Et(t-Bu)N]2であると同定された。
<実施例3>
メチル(t-ブチル)アミノリチウムをイソプロピル(t-ブチル)アミノリチウムに代えた以外は実施例1と同様にして精製物を得た。得られた精製物を1H-NMRにより測定した結果、測定値はδ=1.6ppm(s,C−H)、δ=4.2(s,C−H)、δ=4.8ppm(m,C−H)及びδ=5.1ppm(m,C−H)であった。上記分析結果より得られた化合物はSiH2[(i-Pu)(t-Bu)N]2であると同定された。
<実施例1>
先ず、ジクロロシラン70gをジエチルエーテルに溶解して溶解液を調製した。この溶解液300ccにメチル(t-ブチル)アミノリチウム200gを添加し、添加した液を氷冷下で、30分間攪拌した。次に、攪拌した液をろ過し、得られたろ液を約26.6Pa(2torr)、50℃で減圧濃縮することにより固形物を得た。この固形物を再結晶することにより、精製物を40g得た。得られた精製物を1H-NMRにより測定した結果、測定値はδ=1.3ppm(m,C−H)、δ=4.1ppm(s,C−H)及びδ=2.9ppm(m,C−H)であった。上記分析結果より得られた化合物はSiH2[Me(t-Bu)N]2であると同定された。
<実施例2>
メチル(t-ブチル)アミノリチウムをエチル(t-ブチル)アミノリチウムに代えた以外は実施例1と同様にして精製物を得た。得られた精製物を1H-NMRにより測定した結果、測定値はδ=1.2ppm(s,C−H)、δ=3.6ppm(s,C−H)、δ=4.6ppm(m,C−H)、δ=1.5ppm(m,C−H)であった。上記分析結果より得られた化合物はSiH2[Et(t-Bu)N]2であると同定された。
<実施例3>
メチル(t-ブチル)アミノリチウムをイソプロピル(t-ブチル)アミノリチウムに代えた以外は実施例1と同様にして精製物を得た。得られた精製物を1H-NMRにより測定した結果、測定値はδ=1.6ppm(s,C−H)、δ=4.2(s,C−H)、δ=4.8ppm(m,C−H)及びδ=5.1ppm(m,C−H)であった。上記分析結果より得られた化合物はSiH2[(i-Pu)(t-Bu)N]2であると同定された。
<比較例1>
従来よりSi-N膜形成材料として使用されているヘキサジクロロジシラン(HCD)を用意した。
<比較例2>
従来よりSi-N膜形成材料として使用されているトリクロロシラン(TCS)を用意した。
<比較例3>
従来よりSi-N膜形成材料として使用されているジクロロシラン(DCS)を用意した。
<比較例4>
従来よりSi-N膜形成材料として使用されているビスt-ブチルアミノシラン(BTBAS)を用意した。
従来よりSi-N膜形成材料として使用されているヘキサジクロロジシラン(HCD)を用意した。
<比較例2>
従来よりSi-N膜形成材料として使用されているトリクロロシラン(TCS)を用意した。
<比較例3>
従来よりSi-N膜形成材料として使用されているジクロロシラン(DCS)を用意した。
<比較例4>
従来よりSi-N膜形成材料として使用されているビスt-ブチルアミノシラン(BTBAS)を用意した。
<比較試験1>
実施例1〜3及び比較例1〜4の化合物を形成材料として次に表1に示す成膜条件で基材上にSi-N膜をそれぞれ作製した。なお、実施例1〜3の製造方法はMOCVD法により、比較例1〜4の製造方法は熱CVD法により行った。更に、成膜の際の反応ガス種類を実施例1〜3ではN2、NH3及びHN=NHに、比較例1ではN2及びNH3に、比較例2ではNH3及びHN=NHに、比較例3ではNH3に、比較例4ではN2及びNH3とした。
実施例1〜3及び比較例1〜4の化合物を形成材料として次に表1に示す成膜条件で基材上にSi-N膜をそれぞれ作製した。なお、実施例1〜3の製造方法はMOCVD法により、比較例1〜4の製造方法は熱CVD法により行った。更に、成膜の際の反応ガス種類を実施例1〜3ではN2、NH3及びHN=NHに、比較例1ではN2及びNH3に、比較例2ではNH3及びHN=NHに、比較例3ではNH3に、比較例4ではN2及びNH3とした。
続いて、以下に示すような成膜時間当たりの膜厚試験及び表面粗さ試験を行った。
(1)成膜時間あたりの膜厚試験
成膜を終えた基材上のSi-N膜を断面SEM(走査型電子顕微鏡)像から膜厚を測定した。
(2)表面粗さ試験
成膜を終えた基材上のSi-N膜をAFM(原子間力顕微鏡)アナライザーを用いて膜表面における表面粗さが一番高いRtopと一番低いRBottomをそれぞれ測定した。
(1)成膜時間あたりの膜厚試験
成膜を終えた基材上のSi-N膜を断面SEM(走査型電子顕微鏡)像から膜厚を測定した。
(2)表面粗さ試験
成膜を終えた基材上のSi-N膜をAFM(原子間力顕微鏡)アナライザーを用いて膜表面における表面粗さが一番高いRtopと一番低いRBottomをそれぞれ測定した。
<評価1>
実施例1〜3及び比較例1〜4の形成材料を用いてそれぞれ得られたSi-N膜の試験結果を表2にそれぞれ示す。なお、表2中の表面粗さは、表面粗さ試験で測定したRTopとRBottomの差を示す。
実施例1〜3及び比較例1〜4の形成材料を用いてそれぞれ得られたSi-N膜の試験結果を表2にそれぞれ示す。なお、表2中の表面粗さは、表面粗さ試験で測定したRTopとRBottomの差を示す。
表2より明らかなように、450℃の成膜温度では、従来より使用されているシラン化合物を形成材料とした比較例1〜4は、成膜時間に対する膜厚が不均一であり、十分な膜厚も得られていなかった。また、表面粗さは、RTopとRBottomの差が大きく、平坦性の悪いSi-N膜が得られていた。これは成膜の途中でパーティクルが発生して、成膜室へ至るまでの配管に閉塞が生じたため、膜厚や表面粗さが不均一になったのではないかと考えられる。一方、実施例1〜3の有機シリコン化合物を用いて形成したSi-N膜は、450℃の成膜温度であっても、成膜時間に比例して膜厚が厚くなる結果が得られており、低温での膜成長が可能であり、かつ成長速度が安定していることが判る。また、表面粗さは、RTopとRBottomの差が非常に小さく、高い平坦性を有するSi-N膜が得られていた。
<比較試験2>
実施例1〜3及び比較例1〜4の形成材料を用い、成膜温度を750℃に代えた以外は比較試験1と同様にして基材上にSi-N膜をそれぞれ作製し、上記比較試験1と同様に成膜時間当たりの膜厚試験及び表面粗さ試験を行った。
実施例1〜3及び比較例1〜4の形成材料を用い、成膜温度を750℃に代えた以外は比較試験1と同様にして基材上にSi-N膜をそれぞれ作製し、上記比較試験1と同様に成膜時間当たりの膜厚試験及び表面粗さ試験を行った。
<評価2>
実施例1〜3及び比較例1〜4の形成材料を用いてそれぞれ得られたSi-N膜の試験結果を表3にそれぞれ示す。なお、表3中の表面粗さは、表面粗さ試験で測定したRTopとRBottomの差を示す。
実施例1〜3及び比較例1〜4の形成材料を用いてそれぞれ得られたSi-N膜の試験結果を表3にそれぞれ示す。なお、表3中の表面粗さは、表面粗さ試験で測定したRTopとRBottomの差を示す。
表3より明らかなように、750℃の成膜温度では、従来より使用されている比較例1〜4のシラン化合物を用いることで、ある程度の膜厚を稼ぐことはできているが、その膜厚は成膜時間によってばらつきが生じており、成長速度は安定していない。また、表面粗さは、RTopとRBottomの差が非常に大きく、成膜位置によってかなりの凹凸があると考えられる平坦性の悪いSi-N膜が得られていた。一方、実施例1〜3の有機シリコン化合物を用いて形成したSi-N膜は、高い成膜温度であっても、成膜時間に比例して膜厚が厚くなる結果が得られており、成長速度が安定していることが判る。また、表面粗さは、RTopとRBottomの差が非常に小さく、高い平坦性を有するSi-N膜が得られていた。
<比較試験3>
先ず、有機Hf化合物としてHf[Et2N]4、Hf[Me2N]4、Hf[EtMeN]4、Hf[t-BuO]4及びHfCl4をそれぞれ用意した。次に、実施例1〜3の有機シリコン化合物及び上記有機ハフニウム化合物を形成材料とし、反応ガス種類をO2に、成膜温度を650℃に代えた以外は上記表1に示す成膜条件で基材上にSi-Hf-O膜をそれぞれ作製した。作製したSi-Hf-O膜に対して上記比較試験1と同様に成膜時間当たりの膜厚試験及び表面粗さ試験を行った。
先ず、有機Hf化合物としてHf[Et2N]4、Hf[Me2N]4、Hf[EtMeN]4、Hf[t-BuO]4及びHfCl4をそれぞれ用意した。次に、実施例1〜3の有機シリコン化合物及び上記有機ハフニウム化合物を形成材料とし、反応ガス種類をO2に、成膜温度を650℃に代えた以外は上記表1に示す成膜条件で基材上にSi-Hf-O膜をそれぞれ作製した。作製したSi-Hf-O膜に対して上記比較試験1と同様に成膜時間当たりの膜厚試験及び表面粗さ試験を行った。
<評価3>
実施例1〜3の有機シリコン化合物を用いてそれぞれ得られたSi-Hf-O膜の試験結果を表4にそれぞれ示す。なお、表4中の表面粗さは、表面粗さ試験で測定したRTopとRBottomの差を示す。
実施例1〜3の有機シリコン化合物を用いてそれぞれ得られたSi-Hf-O膜の試験結果を表4にそれぞれ示す。なお、表4中の表面粗さは、表面粗さ試験で測定したRTopとRBottomの差を示す。
表4より明らかなように、実施例1〜3の有機シリコン化合物を用いて形成したSi-Hf-O膜は、成膜時間に比例して膜厚が厚くなる結果が得られており、成長速度が安定していることが判る。また、表面粗さは、RTopとRBottomの差が非常に小さく、高い平坦性を有するSi-Hf-O膜が得られていた。また、実施例1〜3の全ての有機シリコン化合物において、有機ハフニウム化合物にアミン化合物及びアルコキシド化合物を用いてSi-Hf-O膜を作製した例では、有機ハフニウム化合物に塩化ハフニウムを用いてSi-Hf-O膜を作製した例に比べて時間あたりの膜厚が厚くなる傾向が見られた。
Claims (2)
- 次の式(1)に示される有機シリコン化合物。
SiH2[R(t-Bu)N]2 ……(1)
但し、式中のRはメチル基、エチル基又はイソプロピル基を示し、t-Buはターシャリーブチル基を示す。 - 請求項1記載の有機シリコン化合物を用いて有機金属化学蒸着法によりシリコン含有膜を作製することを特徴とするシリコン含有膜の製造方法。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2010106859A1 (ja) * | 2009-03-19 | 2010-09-23 | 株式会社Adeka | 化学気相成長用原料及びこれを用いたシリコン含有薄膜形成方法 |
-
2004
- 2004-10-28 JP JP2004313367A patent/JP2006124764A/ja not_active Withdrawn
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WO2010106859A1 (ja) * | 2009-03-19 | 2010-09-23 | 株式会社Adeka | 化学気相成長用原料及びこれを用いたシリコン含有薄膜形成方法 |
CN102282291A (zh) * | 2009-03-19 | 2011-12-14 | 株式会社艾迪科 | 化学气相沉积用原料及使用了该原料的含硅薄膜形成方法 |
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