JP2006108582A - 露光方法及び露光装置、デバイス製造方法 - Google Patents
露光方法及び露光装置、デバイス製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006108582A JP2006108582A JP2004296689A JP2004296689A JP2006108582A JP 2006108582 A JP2006108582 A JP 2006108582A JP 2004296689 A JP2004296689 A JP 2004296689A JP 2004296689 A JP2004296689 A JP 2004296689A JP 2006108582 A JP2006108582 A JP 2006108582A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- exposure
- stage
- substrate
- measurement
- measured
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
- G03F9/7046—Strategy, e.g. mark, sensor or wavelength selection
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7088—Alignment mark detection, e.g. TTR, TTL, off-axis detection, array detector, video detection
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
【解決手段】 基板上のパターン位置を計測する基板パターン位置計測工程と、原板のパターンを前記基板に投影露光する露光工程を有する露光方法において、基板パターン位置計測工程における計測位置で、基板を保持及び移動するステージの駆動特性であるステージ駆動特性を計測する。露光工程における露光位置で、ステージ駆動特性を計測する。そして、上記計測位置と上記露光位置でのステージ駆動特性の差を、該基板パターン位置計測工程と該露光工程のいずれかもしくは両方で補正する。
【選択図】 図1
Description
1.投影光学系を介してアライメントマークの位置を測定するTTL(スルー・ザ・レンズ)方式
2.投影光学系を介することなく直接アライメントマークの位置を計測するOA(オフ・アクシス)方式
等がある。
dwy=θwy*x+Mwy*y+Swy (2)
この式で、dwx、dwyは、ウエハ4上の座標位置(x,y)での位置ずれ量であり、各係数であるウエハ4上のパターンのX方向倍率オフセットMwx、Y方向倍率オフセットMwy、X方向ローテーションθwx、Y方向ローテーションθwy、X方向シフトSwx、Y方向シフトSwyを、最小二乗法により計算することで補正式を算出できる。
露光手段によって原版のパターンを基板に投影露光する露光方法であって、
前記露光手段を介さずに、前記基板上のパターン位置及び前記ステージの位置を検出する第1検出系を用いて、前記基板を保持及び移動するステージの駆動特性であるステージ駆動特性を計測する計測位置ステージ駆動特性計測工程と、
前記露光手段を介して、前記ステージの位置を計測する第2検出系を用いて、前記ステージ駆動特性を計測する露光位置ステージ駆動特性計測工程とを備え、
前記基板パターン位置計測工程における計測位置と前記露光工程における露光位置での前記ステージ駆動特性の差を、該基板パターン位置計測工程と該露光工程のいずれかもしくは両方で補正する。
前記計測位置ステージ駆動特性計測工程と前記露光位置ステージ駆動特性計測工程はそれぞれ、前記第1検出系と前記第2検出系を用いて、前記複数の基板支持部上それぞれ、あるいは前記複数のステージ上それぞれの3個以上の基準マークを計測する。
前記投影光学系を介して、前記可動ステージ上の複数の基準マークの位置を順次計測する第1計測系を用いて、前記複数の基準マークの位置を計測する第1計測工程と、
前記複数の基準マークの設定位置から前記第1計測工程において計測された複数の位置を近似的に求めるための第1関係を決定する第1決定工程と、
前記投影光学系を含まない光学系を介して、前記複数の基準マークの位置を順次計測する第2計測系を用いて、前記複数の基準マークの位置を計測する第2計測工程と、
前記複数の基準マークの設定位置から前記第2計測工程において計測された複数の位置を近似的に求めるための第2関係を決定する第2決定工程と、
前記第2計測系を用いて、前記基板が配された前記可動ステージ上の複数のマークの位置を計測する第3計測工程と、
前記可動ステージ上の複数のマークの設定位置から前記第3計測工程において計測された複数の位置を近似的に求めるための第3関係を決定する第3決定工程と、
前記可動ステージ上の複数のマークの設定位置と前記第3関係と前記第1および第2関係の差異とに基づいて、前記基板上の各被露光領域の位置を算出する算出工程と
を備える。
原版のパターンを基板に投影露光する露光装置であって、
前記原板のパターンを基板に投影露光する露光手段と、
前記基板を保持及び移動するステージと、
前記露光手段を介さずに、前記基板上のパターン位置及び前記ステージの位置を計測する第1計測手段と
前記露光手段を介して、前記ステージの位置を計測する第2計測手段とを備え、
前記露光手段と前記第1計測手段使用時の前記ステージの駆動特性を、前記ステージ上に構成されている2つ以上の基準マークを用いて計測する。
原版のパターンを基板に投影露光する露光装置であって、
前記基板を支持する複数の基板支持手段と、
前記基板支持手段を支持及び移動する1つまたは複数のステージと、
前記原板のパターンを基板に投影露光する露光手段と、
前記基板上のパターン及び前記基板支持手段の位置を計測する第1計測手段と、
前記露光手段を介して、前記基板支持手段の位置を計測する第2計測手段とを備え、
前記露光手段と前記第1計測手段使用時の前記ステージの駆動特性を、前記基板支持手段上または前記ステージ上に構成されている3つ以上の基準マークを用いて計測する。
原版のパターンを基板に投影露光する露光装置であって、
前記原板のパターンを基板に投影露光する露光手段と、
前記基板を保持及び移動するステージと、
前記露光手段を介して前記ステージ上の複数の基準マークの位置を順次計測する第1計測手段と、
前記複数の基準マークの設定位置から前記第1計測手段において計測された複数の位置を近似的に求めるための第1関係を決定する第1決定手段と、
前記露光手段を含まない光学系を介して、前記複数の基準マークの位置を順次計測する第2計測手段と、
前記複数の基準マークの設定位置から前記第2計測手段において計測された複数の位置を近似的に求めるための第2関係を決定する第2決定手段と、
前記第2計測手段を用いて、前記基板が配された前記ステージ上の複数のマークの位置を計測する第3計測手段と、
前記ステージ上の複数のマークの設定位置から前記第3計測手段において計測された複数の位置を近似的に求めるための第3関係を決定する第3決定手段と、
前記ステージ上の複数のマークの設定位置と前記第3関係と前記第1および第2関係の差異とに基づいて、前記基板上の各被露光領域の位置を算出する算出手段と
を備える。
デバイス製造方法であって、
上記の露光装置を用いて、感光材が塗布された基板にパターンを転写する工程と、
前記基板を現像する工程と、
を含む。
本発明の実施形態1について説明する。
ds1y=θs1y*x+Ms1y*y+Ss1y (4)
ここで、ds1x、ds1yは、各基準マーク位置(x,y)での位置ずれ量である。
ds2y=θs2y*x+Ms2y*y+Ss2y (6)
ここで、ds2x、ds2yは各基準マーク位置(x,y)での位置ずれ量である。
Msy=Ms1y/Ms2y (8)
θsx=θs1x−θs2x (9)
θsy=θs1y−θs2y (10)
尚、下記式(11)、(12)で算出できるSsx、Ssyは、X方向とY方向のベースラインずれ量(計測時に駆動したベースライン量BLと計測したベースライン量の差分)である。
Ssy=Ss1y−Ss2y (12)
ここで、式(3)、(4)、(5)、(6)の各係数を求めるためには、少なくとも各ステージ位置において3つ以上の基準マーク計測値(ds1x、ds1y、ds2x、ds2y)が必要である。また、上記ステージ駆動特性を計測するためには、3つ以上の基準マークを計測する必要がある。
本発明の実施形態2について説明する。
ds1y=(θs1y+θc1)*x+Ms1y+Sc1y (14)
ここで、ds1x、ds1yは、各基準マーク位置(x,y)での位置ずれ量である。
ds2y=(θs2y+θc2)*x+Ms2y+Sc2y (16)
ここで、ds2x、ds2yは、各基準マーク位置(x,y)での位置ずれ量である。
Msy=Ms1y/Ms2y (18)
θsx=θs1x−θs2x (19)
θsy=θs1y−θs2y (20)
尚、チャック位置ずれ量及び回転量Sc1x、Sc1y、θc1、Sc2x、Sc2y、θc2は、従来例のチャック位置ずれ量及び回転量と同じである。
次に上記の露光装置を利用した半導体デバイスの製造プロセスを説明する。
2 レチクル
3 投影光学系
4 ウエハ
5 ウエハステージ
6 ウエハチャック
7 ウエハステージ制御部
8 TTLアライメント検出系
9 OAアライメント検出系
10 高さ検出部
11 制御部
12 基準部材
13 計測ステーション
14 露光ステーション
15 ウエハ供給部
Claims (14)
- 露光手段によって原版のパターンを基板に投影露光する露光方法であって、
前記露光手段を介さずに、前記基板上のパターン位置及び前記ステージの位置を検出する第1検出系を用いて、前記基板を保持及び移動するステージの駆動特性であるステージ駆動特性を計測する計測位置ステージ駆動特性計測工程と、
前記露光手段を介して、前記ステージの位置を計測する第2検出系を用いて、前記ステージ駆動特性を計測する露光位置ステージ駆動特性計測工程とを備え、
前記基板パターン位置計測工程における計測位置と前記露光工程における露光位置での前記ステージ駆動特性の差を、該基板パターン位置計測工程と該露光工程のいずれかもしくは両方で補正する
ことを特徴とする露光方法。 - 前記基板パターン位置計測工程と前記露光工程は、1つの前記ステージを処理対象とし、前記計測位置ステージ駆動特性計測工程と前記露光位置ステージ駆動特性計測工程はそれぞれ、前記第1検出系と前記第2検出系を用いて前記ステージ上の2個以上の基準マークを計測する
ことを特徴とする請求項1に記載の露光方法。 - 前記基板パターン位置計測工程と前記露光工程は、前記ステージ上で基板を支持する複数の基板支持部あるいは複数の前記ステージを処理対象とし、
前記計測位置ステージ駆動特性計測工程と前記露光位置ステージ駆動特性計測工程はそれぞれ、前記第1検出系と前記第2検出系を用いて、前記複数の基板支持部上それぞれ、あるいは前記複数のステージ上それぞれの3個以上の基準マークを計測する
ことを特徴とする請求項1に記載の露光方法。 - 以前に計測した前記ステージ駆動特性を記憶媒体に記憶しておき、前記計測位置ステージ駆動特性計測工程または前記露光位置ステージ駆動特性計測工程を行わない時は、前記記憶媒体に記憶されたステージ駆動特性を用いて、前記ステージ駆動特性の差を補正する
ことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の露光方法。 - 以前に計測した前記ステージ駆動特性を記憶媒体に記憶しておき、前記計測位置ステージ駆動特性計測工程及び前記露光位置ステージ駆動特性計測工程で計測する基準マークの数及び計測するステージ駆動特性を計測対象の基板毎に変更する
ことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の露光方法。 - 以前に計測したステージ駆動特性を記憶媒体に記憶しておき、前記計測位置ステージ駆動特性計測工程及び前記露光位置ステージ駆動特性計測工程で計測する基準マークの数及び計測するステージ駆動特性を、前記記憶媒体に記憶されたステージ駆動特性からの変化量に基づいて、計測対象の基板毎に変更する
ことを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の露光方法。 - 前記ステージ駆動特性は、前記ステージの駆動倍率、駆動ローテーションを含む
ことを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の露光方法。 - 投影光学系を介して原版のパターンを可動ステージ上に配された基板に投影する露光方法であって、
前記投影光学系を介して、前記可動ステージ上の複数の基準マークの位置を順次計測する第1計測系を用いて、前記複数の基準マークの位置を計測する第1計測工程と、
前記複数の基準マークの設定位置から前記第1計測工程において計測された複数の位置を近似的に求めるための第1関係を決定する第1決定工程と、
前記投影光学系を含まない光学系を介して、前記複数の基準マークの位置を順次計測する第2計測系を用いて、前記複数の基準マークの位置を計測する第2計測工程と、
前記複数の基準マークの設定位置から前記第2計測工程において計測された複数の位置を近似的に求めるための第2関係を決定する第2決定工程と、
前記第2計測系を用いて、前記基板が配された前記可動ステージ上の複数のマークの位置を計測する第3計測工程と、
前記可動ステージ上の複数のマークの設定位置から前記第3計測工程において計測された複数の位置を近似的に求めるための第3関係を決定する第3決定工程と、
前記可動ステージ上の複数のマークの設定位置と前記第3関係と前記第1および第2関係の差異とに基づいて、前記基板上の各被露光領域の位置を算出する算出工程と
を備えることを特徴とする露光方法。 - 前記可動ステージ上の複数のマークは、該可動ステージ上で前記基板上のマーク、あるいは該基板を支持する基板支持部上のマークのいずれかである
ことを特徴とする請求項8に記載の露光方法。 - 請求項1乃至9のいずれか1項に記載の露光方法を用いる露光装置。
- 原版のパターンを基板に投影露光する露光装置であって、
前記原板のパターンを基板に投影露光する露光手段と、
前記基板を保持及び移動するステージと、
前記露光手段を介さずに、前記基板上のパターン位置及び前記ステージの位置を計測する第1計測手段と
前記露光手段を介して、前記ステージの位置を計測する第2計測手段とを備え、
前記露光手段と前記第1計測手段使用時の前記ステージの駆動特性を、前記ステージ上に構成されている2つ以上の基準マークを用いて計測する
ことを特徴とする露光装置。 - 原版のパターンを基板に投影露光する露光装置であって、
前記基板を支持する複数の基板支持手段と、
前記基板支持手段を支持及び移動する1つまたは複数のステージと、
前記原板のパターンを基板に投影露光する露光手段と、
前記基板上のパターン及び前記基板支持手段の位置を計測する第1計測手段と、
前記露光手段を介して、前記基板支持手段の位置を計測する第2計測手段とを備え、
前記露光手段と前記第1計測手段使用時の前記ステージの駆動特性を、前記基板支持手段上または前記ステージ上に構成されている3つ以上の基準マークを用いて計測する
ことを特徴とする露光装置。 - 原版のパターンを基板に投影露光する露光装置であって、
前記原板のパターンを基板に投影露光する露光手段と、
前記基板を保持及び移動するステージと、
前記露光手段を介して前記ステージ上の複数の基準マークの位置を順次計測する第1計測手段と、
前記複数の基準マークの設定位置から前記第1計測手段において計測された複数の位置を近似的に求めるための第1関係を決定する第1決定手段と、
前記露光手段を含まない光学系を介して、前記複数の基準マークの位置を順次計測する第2計測手段と、
前記複数の基準マークの設定位置から前記第2計測手段において計測された複数の位置を近似的に求めるための第2関係を決定する第2決定手段と、
前記第2計測手段を用いて、前記基板が配された前記ステージ上の複数のマークの位置を計測する第3計測手段と、
前記ステージ上の複数のマークの設定位置から前記第3計測手段において計測された複数の位置を近似的に求めるための第3関係を決定する第3決定手段と、
前記ステージ上の複数のマークの設定位置と前記第3関係と前記第1および第2関係の差異とに基づいて、前記基板上の各被露光領域の位置を算出する算出手段と
を備えることを特徴とする露光装置。 - デバイス製造方法であって、
請求項10乃至13のいずれか1項に記載の露光装置を用いて、感光材が塗布された基板にパターンを転写する工程と、
前記基板を現像する工程と、
を含むことを特徴とするデバイス製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004296689A JP3962736B2 (ja) | 2004-10-08 | 2004-10-08 | 露光装置およびデバイス製造方法 |
US11/245,241 US7477390B2 (en) | 2004-10-08 | 2005-10-07 | Exposure method and apparatus, and device manufacturing method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004296689A JP3962736B2 (ja) | 2004-10-08 | 2004-10-08 | 露光装置およびデバイス製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006108582A true JP2006108582A (ja) | 2006-04-20 |
JP3962736B2 JP3962736B2 (ja) | 2007-08-22 |
Family
ID=36144880
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004296689A Expired - Fee Related JP3962736B2 (ja) | 2004-10-08 | 2004-10-08 | 露光装置およびデバイス製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7477390B2 (ja) |
JP (1) | JP3962736B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008219005A (ja) * | 2007-03-02 | 2008-09-18 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置の較正方法 |
US7990519B2 (en) | 2008-02-19 | 2011-08-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus and device manufacturing method |
WO2016136691A1 (ja) * | 2015-02-23 | 2016-09-01 | 株式会社ニコン | 基板処理システム及び基板処理方法、並びにデバイス製造方法 |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI478272B (zh) * | 2007-08-15 | 2015-03-21 | 尼康股份有限公司 | A positioning device, a bonding device, a laminated substrate manufacturing device, an exposure device, and a positioning method |
JP2010103438A (ja) * | 2008-10-27 | 2010-05-06 | Canon Inc | パターニング方法、露光システム、プログラム及びデバイス製造方法 |
JP5507875B2 (ja) * | 2009-04-14 | 2014-05-28 | キヤノン株式会社 | 露光装置、露光方法およびデバイス製造方法 |
JP5448724B2 (ja) * | 2009-10-29 | 2014-03-19 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイスの製造方法 |
KR102239782B1 (ko) | 2016-09-30 | 2021-04-13 | 가부시키가이샤 니콘 | 계측 시스템 및 기판 처리 시스템, 그리고 디바이스 제조 방법 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61263123A (ja) | 1985-05-16 | 1986-11-21 | Canon Inc | ステップアンドリピート露光方法 |
US4861162A (en) * | 1985-05-16 | 1989-08-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Alignment of an object |
JPS6449007A (en) | 1987-08-19 | 1989-02-23 | Sumitomo Electric Industries | Optical cable |
JP2794593B2 (ja) | 1989-06-19 | 1998-09-10 | 株式会社ニコン | 投影露光装置 |
US5978071A (en) * | 1993-01-07 | 1999-11-02 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus and method in which mask stage is moved to provide alignment with a moving wafer stage |
JP3634487B2 (ja) * | 1996-02-09 | 2005-03-30 | キヤノン株式会社 | 位置合せ方法、位置合せ装置、および露光装置 |
JP3595707B2 (ja) * | 1998-10-23 | 2004-12-02 | キヤノン株式会社 | 露光装置および露光方法 |
JP4046884B2 (ja) * | 1999-03-26 | 2008-02-13 | キヤノン株式会社 | 位置計測方法および該位置計測法を用いた半導体露光装置 |
TW497013B (en) | 2000-09-07 | 2002-08-01 | Asm Lithography Bv | Method for calibrating a lithographic projection apparatus and apparatus capable of applying such a method |
JP2003059807A (ja) | 2001-08-20 | 2003-02-28 | Nikon Corp | 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
JP4315420B2 (ja) * | 2003-04-18 | 2009-08-19 | キヤノン株式会社 | 露光装置及び露光方法 |
JP4603814B2 (ja) * | 2004-04-23 | 2010-12-22 | キヤノン株式会社 | 露光装置、合焦位置検出装置及びそれらの方法、並びにデバイス製造方法 |
-
2004
- 2004-10-08 JP JP2004296689A patent/JP3962736B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2005
- 2005-10-07 US US11/245,241 patent/US7477390B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008219005A (ja) * | 2007-03-02 | 2008-09-18 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置の較正方法 |
US7990519B2 (en) | 2008-02-19 | 2011-08-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus and device manufacturing method |
WO2016136691A1 (ja) * | 2015-02-23 | 2016-09-01 | 株式会社ニコン | 基板処理システム及び基板処理方法、並びにデバイス製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7477390B2 (en) | 2009-01-13 |
US20060077388A1 (en) | 2006-04-13 |
JP3962736B2 (ja) | 2007-08-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101312862B1 (ko) | 이동체 구동 방법 및 이동체 구동 시스템, 패턴 형성 방법 및 패턴 형성 장치, 노광 방법 및 노광 장치, 그리고 디바이스 제조 방법 | |
US7248335B2 (en) | Exposure apparatus, device manufacturing method, stage apparatus, and alignment method | |
JP4434372B2 (ja) | 投影露光装置およびデバイス製造方法 | |
US7477390B2 (en) | Exposure method and apparatus, and device manufacturing method | |
US7463334B2 (en) | Exposure apparatus and device manufacturing method | |
US20020037460A1 (en) | Stage unit, measurement unit and measurement method, and exposure apparatus and exposure method | |
JP2009200122A (ja) | 露光装置およびデバイス製造方法 | |
JP2007184342A (ja) | 露光システム、露光方法、及びデバイス製造方法 | |
US20030020889A1 (en) | Stage unit, measurement unit and measurement method, and exposure apparatus and exposure method | |
JP2007184343A (ja) | 処理方法、処理装置、及びプログラム | |
JP2003197502A (ja) | 計測方法及び露光方法、露光装置、並びにデバイス製造方法 | |
JP2010034331A (ja) | 露光装置およびデバイス製造方法 | |
JP2003197504A (ja) | 露光方法及びデバイス製造方法 | |
JP2003059808A (ja) | 露光方法及びデバイス製造方法 | |
JPH1174190A (ja) | X線露光装置 | |
JP2001085316A (ja) | 露光装置、デバイス製造方法およびステージ装置 | |
JP2004029372A (ja) | マスク、結像特性計測方法、露光方法、及びデバイス製造方法 | |
JP2003059809A (ja) | 露光方法及びデバイス製造方法 | |
US6856404B2 (en) | Scanning exposure method and apparatus, and device manufacturing method using the same | |
JP2007273653A (ja) | 露光装置及び露光方法 | |
JPH10199804A (ja) | 投影露光装置及び投影露光方法並びにデバイス製造方法 | |
JP2005109333A (ja) | 半導体製造装置およびデバイス製造方法 | |
JP2002296755A (ja) | マスク、位置制御精度計測方法、及び露光方法、並びにデバイス製造方法 | |
JP2000124119A (ja) | 露光装置およびデバイス製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060928 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20061006 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20061205 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070507 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070521 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100525 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110525 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120525 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120525 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130525 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140525 Year of fee payment: 7 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |