JP2006107415A - メモリーカード構造とその製造方法 - Google Patents

メモリーカード構造とその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2006107415A
JP2006107415A JP2004342915A JP2004342915A JP2006107415A JP 2006107415 A JP2006107415 A JP 2006107415A JP 2004342915 A JP2004342915 A JP 2004342915A JP 2004342915 A JP2004342915 A JP 2004342915A JP 2006107415 A JP2006107415 A JP 2006107415A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
memory card
molding material
electronic package
substrate
card structure
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2004342915A
Other languages
English (en)
Inventor
Cheng-Hsien Kuo
正▲玄▼ 郭
Ming-Jhy Jiang
明智 江
Cheng-Kang Yu
正綱 虞
Hui-Chuan Chuang
慧娟 荘
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Advanced Flash Memory Card Technology Co Ltd
Original Assignee
Advanced Flash Memory Card Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Advanced Flash Memory Card Technology Co Ltd filed Critical Advanced Flash Memory Card Technology Co Ltd
Publication of JP2006107415A publication Critical patent/JP2006107415A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/538—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames the interconnection structure between a plurality of semiconductor chips being formed on, or in, insulating substrates
    • H01L23/5388—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames the interconnection structure between a plurality of semiconductor chips being formed on, or in, insulating substrates for flat cards, e.g. credit cards
    • D—TEXTILES; PAPER
    • D06—TREATMENT OF TEXTILES OR THE LIKE; LAUNDERING; FLEXIBLE MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • D06C—FINISHING, DRESSING, TENTERING OR STRETCHING TEXTILE FABRICS
    • D06C23/00—Making patterns or designs on fabrics
    • D06C23/04—Making patterns or designs on fabrics by shrinking, embossing, moiréing, or crêping
    • D—TEXTILES; PAPER
    • D03—WEAVING
    • D03D—WOVEN FABRICS; METHODS OF WEAVING; LOOMS
    • D03D13/00—Woven fabrics characterised by the special disposition of the warp or weft threads, e.g. with curved weft threads, with discontinuous warp threads, with diagonal warp or weft
    • D03D13/004—Woven fabrics characterised by the special disposition of the warp or weft threads, e.g. with curved weft threads, with discontinuous warp threads, with diagonal warp or weft with weave pattern being non-standard or providing special effects
    • D—TEXTILES; PAPER
    • D06—TREATMENT OF TEXTILES OR THE LIKE; LAUNDERING; FLEXIBLE MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • D06P—DYEING OR PRINTING TEXTILES; DYEING LEATHER, FURS OR SOLID MACROMOLECULAR SUBSTANCES IN ANY FORM
    • D06P3/00—Special processes of dyeing or printing textiles, or dyeing leather, furs, or solid macromolecular substances in any form, classified according to the material treated
    • D06P3/02—Material containing basic nitrogen
    • D06P3/04—Material containing basic nitrogen containing amide groups
    • D06P3/24—Polyamides; Polyurethanes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/065—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L25/0655—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
    • H05K3/28—Applying non-metallic protective coatings
    • H05K3/284—Applying non-metallic protective coatings for encapsulating mounted components
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K5/00—Casings, cabinets or drawers for electric apparatus
    • H05K5/02—Details
    • H05K5/0256—Details of interchangeable modules or receptacles therefor, e.g. cartridge mechanisms
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K5/00—Casings, cabinets or drawers for electric apparatus
    • H05K5/06—Hermetically-sealed casings
    • H05K5/064—Hermetically-sealed casings sealed by potting, e.g. waterproof resin poured in a rigid casing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00011—Not relevant to the scope of the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/191—Disposition
    • H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
    • H01L2924/19105—Disposition of discrete passive components in a side-by-side arrangement on a common die mounting substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/11—Printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
    • H05K1/117—Pads along the edge of rigid circuit boards, e.g. for pluggable connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/13—Moulding and encapsulation; Deposition techniques; Protective layers
    • H05K2203/1305—Moulding and encapsulation
    • H05K2203/1316—Moulded encapsulation of mounted components

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Textile Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Credit Cards Or The Like (AREA)
  • Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

【目的】 モールディング材料の使用量を減少させて、メモリーカードの製造コストを低減するメモリーカード構造とその製造方法を提供する。
【解決手段】 このメモリーカード構造は、基板と、多数個の電子パッケージデバイスと、モールディング材料と、プラスチック成形材料とを含み、メモリーカードを製造する時、基板を提供するものであって、基板が多数個の外部接点および多数個の内部接点を有して、多数個の外部接点が多数個の内部接点に電気接続されるステップと、多数個の電子パッケージデバイスを表面実装方式により、それぞれ多数個の内部接点に電気接続するステップと、モールディングを行うものであって、モールディング材料により多数個の電子パッケージデバイスおよび対応する多数個の内部接点を被覆するステップと、射出成形を行うものであって、プラスチック成形材料によりモールディング材料および基板を被覆するとともに、前記した多数個の外部接点を露出させるステップとを含む。
【選択図】 図２

Description

この発明は、メモリー装置構造とその製造方法に関し、特に、メモリーカード構造とその製造方法に関する。
近年来、電子集積回路技術および材料の進歩には目覚ましいものがあり、そのチップ体積は日増しに縮小されているが、その機能は日増しに強化されており、応用の広範さは及ばざる所なしと言うことができ、これによって電子集積回路を利用して生産される製品は、おしなべて軽薄短小の形態へ向かっており、電子辞書、デジタルカメラおよび各種デジタル製品などなど…枚挙にいとまがない。しかも、チップパッケージ技術は日増しに成熟しているので、市場には、すでに厚さが相当に薄いカード中にシングルチップまたはマルチチップをパッケージしたものが存在し、チップ内に大容量のデジタルデータを保存できる特性によって、磁気記録媒体の体積よりも更に小さい差し替え式のメモリーを形成するまでになっている。このような電子媒体をメモリーカードと総称している。
図１は、従来技術にかかるメモリーカード構造を示しており、中華民国（台湾）専利公告第５５６９０８号は、図１に示したようなメモリーカード１００を開示している。このメモリーカード１００は、主要に、基板１１０と、多数個の電子パッケージデバイス１２０と、モールディング材料１３０とから構成される。そのうち、基板１１０は、少なくとも多数個の外部接点１１２および多数個の内部接点１１４を有し、外部接点１１２と内部接点１１４とは、貫通孔１１８を介して電気接続を行っている。各貫通孔１１８内部には、充填体１１６が充填されて、外部の湿気が進入することを防止し、電子パッケージデバイス１２０が基板１１０表面に配置されて、それぞれ内部接点１１４に電気接続される。また、モールディング材料１３０が基板１１０上表面全体を被覆して、電子パッケージデバイス１２０および対応する内部接点１１４を保護している。
図１に示すように、従来技術にかかるメモリーカード１００のモールディング材料１３０は、基板１１０上表面全体を被覆しており、モールディング材料１３０の販売価格が比較的高いため、メモリーカード１００のコストもそれにつれて高くなり、それに各貫通孔１１８内部に充填される充填体１１６が工程を複雑なものとして、コストをさらに上昇させる。従って、モールディング材料１３０の使用量をいかに減少させるかが考慮に値する問題となる。
そこで、この発明の目的は、モールディング材料の使用量を減少させて、メモリーカードの製造コストを低減するメモリーカード構造を提供することにある。この発明の別な目的は、モールディング材料の使用量を減少させて、メモリーカードの製造コストを低減するメモリーカード製造方法を提供することにある。
上記課題を解決し、所望の目的を達成するために、この発明にかかるメモリーカード構造は、少なくとも多数個の外部接点および多数個の内部接点を有して、多数個の外部接点が多数個の内部接点に電気接続する基板と、基板表面に配置されるとともに、それぞれ多数個の内部接点に電気接続する多数個の電子パッケージデバイスと、多数個の電子パッケージデバイスおよび対応する多数個の内部接点を被覆するモールディング材料と、モールディング材料および基板を被覆するとともに、多数個の外部接点を露出させるプラスチック成形材料とを含むものから構成される。
この発明にかかる好適な実施形態において、メモリーカード構造は、例えば、安全デジタルメモリーカードである。また、電子パッケージデバイスは、メモリーパッケージデバイスまたは受動素子とすることができ、電子パッケージデバイスのパッケージ形態をリードフレーム型パッケージまたはボールグリッドアレイ式パッケージとすることができる。さらに、電子パッケージデバイスは、表面実装技術（Surface Mounted Technology = SMT）方式により内部接点に電気接続することができる。
この発明の好適な実施形態にかかるメモリーカード構造において、モールディング材料は、例えば、エポキシ樹脂またはポリイミドすることができる。そして、プラスチック成形材料は、例えば、ポリカーボネイト（ＰＣ）、ポリスチレン（ＰＳ）およびアクリロニトリル−ブタジエン−スチレン（ＡＢＳ）樹脂からなるグループ、あるいは他の適切な汎用型エンジニアリングプラスチックより選択されるものとすることができる。
この発明にかかるメモリーカード製造方法は、基板を提供するものであって、基板が少なくとも多数個の外部接点および多数個の内部接点を有して、多数個の外部接点が多数個の内部接点に電気接続されるステップと、多数個の電子パッケージデバイスを表面実装方式により、それぞれ多数個の内部接点に電気接続するステップと、モールディングを行うものであって、モールディング材料により多数個の電子パッケージデバイスおよび対応する多数個の内部接点を被覆するステップと、射出成形を行うものであって、プラスチック成形材料によりモールディング材料および基板を被覆するとともに、前記した多数個の外部接点を露出させるステップとを含むものから構成される。
この発明にかかるメモリーカード製造方法において、射出成形ステップが完了した後、メモリーカードの外形が例えば安全デジタルメモリーカード規格に適合したものとなる。また、モールディングステップの方法は、例えば、トランスファーモールディング（transfer molding）またはディスペンシング（dispensing）とすることができる。さらに、モールディングステップ中、モールディング材料が被覆する面積は、基板の一部分の面積だけである。
この発明にかかるメモリーカード製造方法において、電子パッケージデバイスは、例えば、メモリーパッケージデバイスまたは受動素子とすることができる。また、電子パッケージデバイスのパッケージ形態をリードフレーム型パッケージあるいはボールグリッドアレイ式パッケージとすることができる。
この発明は、モールディング材料を採用して電子パッケージデバイスおよび対応する内部接点を被覆し、プラスチック成形材料を利用してモールディング材料および基板を被覆するとともに、外部接点を露出させているので、この発明は、モールディング材料の使用量全体を減少させることができることから、メモリーカードの製造コストを低減すると同時に、メモリーカード全体の構造強度を増大させることができる。
上記構成により、この発明にかかるメモリーカード構造とその製造方法は、モールディング材料を採用して電子パッケージデバイスおよび対応する内部接点を被覆する、つまり基板の一部分の面積だけを被覆してから、次に、射出成形を利用してプラスチック成形材料により電子パッケージデバイスおよび基板を被覆するとともに、外部接点を露出させる。また、電子パッケージデバイスは、表面実装技術によって、それぞれ内部接点に電気接続される。従って、この発明は、下記する利点を有する。
(a) モールディング材料の被覆する面積は、基板の一部分の面積だけであるから、モールディング材料の使用量を減少させることができ、生産コストを低減させる。
(b)モールディングステップ完了後に、プラスチック成形材料により他の部材と一体的に射出成形するので、構造上の強度を向上させる。
(c)電子パッケージデバイスは、表面実装技術により、それぞれ内部接点に電気接続されるので、メモリーカードの製造コストを低減できると同時に、メモリーカードの歩留まりならびに信頼性を向上させる。
以下、この発明にかかる好適な実施形態を図面に基づいて説明する。
図２は、この発明の好適な実施形態にかかるメモリーカードを示す要部断面図である。図２において、このメモリーカード２００は、主要に、基板２１０と、多数個の電子パッケージデバイス２２０と、モールディング材料２３０と、プラスチック成形材料２４０とから構成される。そのうち、基板２１０は、少なくとも多数個の外部接点２１２および多数個の内部接点２１４を有し、外部接点２１２と多数個の内部接点２１４とは、例えば基板２１０中の貫通孔（図示せず）を介して電気接続されている。電子パッケージデバイス２２０が基板２１０表面に配置されるとともに、それぞれ内部接点２１４に電気接続されるが、電子パッケージデバイス２２０には、メモリーパッケージデバイス２２２および受動素子２２４が含まれる。この実施形態中、電子パッケージデバイス２２０のパッケージ形態をボールグリッドアレイ（Ball Grid Array = BGA）式パッケージ、リードフレーム型パッケージ（Leadframe Type Package = LTP）または他の適切なパッケージ形態とすることができる。
図２において、モールディング材料２３０は、電子パッケージデバイス２２０ならびに対応する内部接点２１４を被覆するが、モールディング材料２３０は、例えば、エポキシ樹脂またはポリイミドとすることができる。また、プラスチック成形材料２４０は、モールディング材料２３０および基板２１０を被覆するとともに、外部接点２１２を露出させるが、プラスチック成形材料２４０は、例えば、ポリカーボネイト（ＰＣ）、ポリスチレン（ＰＳ）およびアクリロニトリル−ブタジエン−スチレン（ＡＢＳ）樹脂からなるグループ、あるいは他の適切な汎用型エンジニアリングプラスチックより選択されるものとすることができる。
図３（ａ）〜図３（ｃ）は、図２のメモリーカードの製造方法を示している。図３（ａ）において、先ず、基板２１０を提供するが、基板２１０には、少なくとも多数個の外部接点２１２および多数個の内部接点２１４を備えており、そのうち、外部接点２１２と内部接点２１４とが電気接続されている。次に、図３（ｂ）において、電子パッケージデバイス２２０（例えば、メモリーパッケージデバイス２２２または受動素子２２４とする）は、表面実装技術（Surface Mounted Technology = SMT）の方法により、それぞれ内部接点２１４に電気接続される。
図３（ｃ）において、モールディングステップを行うが、モールディング材料２３０によって電子パッケージデバイス２２０および対応する内部接点２１４を被覆し、かつモールディング材料２３０の被覆する面積は、基板２１０の一部分の面積だけである。このモールディングステップの方法には、トランスファーモールディングまたはディスペンシングが含まれる。その後、図２を同時に参照されたいが、モールディングステップ完了後に射出成形ステップを行い、プラスチック成形材料によりモールディング材料２３０および基板２１０を被覆するとともに、外部接点２１２を露出させる。
射出成形ステップ完了後、このメモリーカード２００の外形は、例えば、安全デジタルメモリーカード（Secure Digital Memory Card）規格に適合するものであり、この規格は、日本企業の東芝（Toshiba）および松下（Panasonic）が１９９７年に共同で制定したものである。但し、この実施形態のメモリーカード２００の外形は、また、その他の種類の規格にも適合するよう製作することができ、例えば、ＣＦメモリーカード（Compact Flash Memory Card）、ＭＳメモリーカード（Memory Stick Card）、ＭＳ Ｄｕｏメモリーカード（Memory Sick Duo）、ＳＭメモリーカード（SmartMedia〔登録商標〕Card）、ｘＤメモリーカード（xD Picture Card）、ＭＭＣメモリーカード（Multi Media Card）、ＲＳ ＭＭＣメモリーカード（Reduced Size Multi Media Card）、Ｍｉｎｉ ＳＤメモリーカード（Mini Secure Digital Card）、μメモリーカード（μ Card）、ＲＳμメモリーカード（Reduced Sizeμ Card）…などその他の類似機能の小型メモリーカードがそうである。
以上のごとく、この発明を好適な実施例により開示したが、もとより、この発明を限定するためのものではなく、当業者であれば容易に理解できるように、この発明の技術思想の範囲内において、適当な変更ならびに修正が当然なされうるものであるから、その特許権保護の範囲は、特許請求の範囲および、それと均等な領域を基準として定めなければならない。
従来技術にかかるメモリーカード構造を示す要部断面図である。 この発明の好適な実施形態にかかるメモリーカード構造を示す要部断面図である。 （ａ）〜（ｃ）は、図２のメモリーカードの製造方法を示す要部断面図である。
符号の説明
２００ メモリーカード
２１０ 基板
２１２ 外部接点
２１４ 内部接点
２２０ 電子パッケージデバイス
２２２ メモリーパッケージデバイス
２２４ 受動素子
２３０ モールディング材料
２４０ プラスチック成形材料

Claims (19)

  1. 少なくとも多数個の外部接点および多数個の内部接点を有して、前記した多数個の外部接点が前記した多数個の内部接点に電気接続する基板と、
    前記基板表面に配置されるとともに、それぞれ前記した多数個の内部接点に電気接続する多数個の電子パッケージデバイスと、
    前記した多数個の電子パッケージデバイスおよび対応する前記した多数個の内部接点を被覆するモールディング材料と、
    前記モールディング材料および前記基板を被覆するとともに、前記した多数個の外部接点を露出させるプラスチック成形材料と
    を含むメモリーカード構造。
  2. 上記メモリーカード構造が、安全デジタルメモリーカードを含むものである請求項１記載のメモリーカード構造。
  3. 上記した多数個の電子パッケージデバイスが、メモリーパッケージデバイスを含むものである請求項１記載のメモリーカード構造。
  4. 上記した多数個の電子パッケージデバイスが、受動素子を含むものである請求項１記載のメモリーカード構造。
  5. 上記した多数個の電子パッケージデバイスのパッケージ形態が、リードフレーム型パッケージを含むものである請求項１記載のメモリーカード構造。
  6. 上記した多数個の電子パッケージデバイスのパッケージ形態が、ボールグリッドアレイ式パッケージを含むものである請求項１記載のメモリーカード構造。
  7. 上記した多数個の電子パッケージデバイスが、表面実装技術方式により上記した多数個の内部接点に電気接続されるものである請求項１記載のメモリーカード構造。
  8. 上記モールディング材料が、エポキシ樹脂を含むものである請求項１記載のメモリーカード構造。
  9. 上記モールディング材料が、ポリイミドを含むものである請求項１記載のメモリーカード構造。
  10. 上記プラスチック成形材料が、ポリカーボネイト（ＰＣ）、ポリスチレン（ＰＳ）およびアクリロニトリル−ブタジエン−スチレン（ＡＢＳ）樹脂からなるグループより選択されるものである請求項１記載のメモリーカード構造。
  11. 基板を提供するものであって、前記基板が少なくとも多数個の外部接点および多数個の内部接点を有して、前記した多数個の外部接点が前記した多数個の内部接点に電気接続されるステップと、
    多数個の電子パッケージデバイスを表面実装技術方式により、それぞれ前記した多数個の内部接点に電気接続するステップと、
    モールディングを行うものであって、モールディング材料により前記した多数個の電子パッケージデバイスおよび対応する前記した多数個の内部接点を被覆するステップと、
    射出成形を行うものであって、プラスチック成形材料により前記モールディング材料および前記基板を被覆するとともに、前記した多数個の外部接点を露出させるステップと
    を含むメモリーカード製造方法。
  12. 上記した射出成形を行うステップを完了した後に、その外形が安全デジタルメモリーカード規格に適合するものである請求項１１記載のメモリーカード製造方法。
  13. 上記したモールディングを行うステップが、トランスファーモールディング（transfer molding）を含むものである請求項１１記載のメモリーカード製造方法。
  14. 上記したモールディングを行うステップが、ディスペンシング（dispensing）を含むものである請求項１１記載のメモリーカード製造方法。
  15. 上記したモールディングを行うステップ中、上記モールディング材料の被覆する面積が上記基板の一部分の面積だけを覆うものである請求項１１記載のメモリーカード製造方法。
  16. 上記した多数個の電子パッケージデバイスが、メモリーパッケージデバイスを含むものである請求項１１記載のメモリーカード製造方法。
  17. 上記した多数個の電子パッケージデバイスが、受動素子を含むものである請求項１１記載のメモリーカード製造方法。
  18. 上記した多数個の電子パッケージデバイスのパッケージ形態が、リードフレーム型パッケージを含むものである請求項１１記載のメモリーカード構造。
  19. 上記した多数個の電子パッケージデバイスのパッケージ形態が、ボールグリッドアレイ式パッケージを含むものである請求項１１記載のメモリーカード構造。
JP2004342915A 2004-10-06 2004-11-26 メモリーカード構造とその製造方法 Pending JP2006107415A (ja)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW093130203A TW200612347A (en) 2004-10-06 2004-10-06 Structure of memory card and producing method thereof

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2006107415A true JP2006107415A (ja) 2006-04-20

Family

ID=36124717

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004342915A Pending JP2006107415A (ja) 2004-10-06 2004-11-26 メモリーカード構造とその製造方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US7230279B2 (ja)
JP (1) JP2006107415A (ja)
KR (1) KR20060030844A (ja)
TW (1) TW200612347A (ja)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7341194B2 (en) * 2005-08-11 2008-03-11 Chant Sincere Co., Ltd. Adapter card
TWI320608B (en) * 2006-12-06 2010-02-11 Chipmos Technologies Inc Light emitting chip package and light source module
KR101451888B1 (ko) * 2012-10-25 2014-10-16 하나 마이크론(주) 메모리 카드 시스템

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5324473A (en) * 1988-05-06 1994-06-28 Baresich Frank J Method for molding stress free amorphous and crystalline thermoplastic resins
US5709065A (en) * 1996-07-31 1998-01-20 Empak, Inc. Desiccant substrate package
JP3822768B2 (ja) * 1999-12-03 2006-09-20 株式会社ルネサステクノロジ Ｉｃカードの製造方法
US6462273B1 (en) * 2001-03-16 2002-10-08 Micron Technology, Inc. Semiconductor card and method of fabrication
US6444501B1 (en) * 2001-06-12 2002-09-03 Micron Technology, Inc. Two stage transfer molding method to encapsulate MMC module
US7023702B2 (en) * 2003-10-09 2006-04-04 Intel Corporation Apparatus including circuit board and heat sink and method of making the apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
US7230279B2 (en) 2007-06-12
US20060071313A1 (en) 2006-04-06
TW200612347A (en) 2006-04-16
KR20060030844A (ko) 2006-04-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6624005B1 (en) Semiconductor memory cards and method of making same
US7777351B1 (en) Thin stacked interposer package
CN101238579B (zh) 装配具有led的半导体装置的方法
JP2007004775A (ja) 半導体メモリカード
US20060220201A1 (en) Structure of memory card packaging and method of forming the same
US7220915B1 (en) Memory card and its manufacturing method
CN105789065B (zh) 一种芯片封装结构、终端设备及方法
US6943438B2 (en) Memory card having a control chip
US20140374901A1 (en) Semiconductor package and method of fabricating the same
US6963135B2 (en) Semiconductor package for memory chips
JP2006107419A (ja) メモリカード構造とその製造方法
US20040084758A1 (en) Semiconductor package with lead frame as chip carrier and method for fabricating the same
US7589405B2 (en) Memory cards and method of fabricating the memory cards
JP2006107415A (ja) メモリーカード構造とその製造方法
JP2006107420A (ja) メモリカード構造とその製造方法
CN205845930U (zh) 一种芯片封装结构及终端设备
US7663214B2 (en) High-capacity memory card and method of making the same
EP1662427A1 (en) Memory card and method of fabricating the same
US20040245590A1 (en) Image sensor package
KR100627045B1 (ko) 집적회로카드용 반도체패키지와 이의 제조방법
KR19990000701A (ko) 칩 온 보드(cob) 패키지용 인쇄회로기판 및 그를 이용한 칩 온 보드 패키지
KR19980019661A (ko) 홈이 형성된 인쇄회로기판을 이용한 COB(Chip On Board)패키지
US7491568B2 (en) Wafer level package and method for making the same
KR101384342B1 (ko) 반도체 패키지
US6838756B2 (en) Chip-packaging substrate

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20070518

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20070607

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20070907

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20070912

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20071009

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20071012

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20071107

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20071112

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20080219