JP2006105637A - Nmrプローブ、シム装置、および、nmr装置 - Google Patents
Nmrプローブ、シム装置、および、nmr装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006105637A JP2006105637A JP2004289485A JP2004289485A JP2006105637A JP 2006105637 A JP2006105637 A JP 2006105637A JP 2004289485 A JP2004289485 A JP 2004289485A JP 2004289485 A JP2004289485 A JP 2004289485A JP 2006105637 A JP2006105637 A JP 2006105637A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- nmr
- magnetic field
- shim
- detection coil
- probe
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Images
Landscapes
- Magnetic Resonance Imaging Apparatus (AREA)
Abstract
【課題】NMRプローブのQ値と勾配磁場の印加応答性を同時に高めたNMR装置を提供する。
【解決手段】試料に高周波磁場を印加すると共に、試料からのNMR信号を検出する検出コイル部と、該検出コイルに高周波電磁場を送信すると共に、該検出コイルからのNMR信号を受信する同調回路部とを備え、それらを金属製のカバーで覆ったNMRプローブにおいて、前記検出コイル部のカバーを高抵抗の金属、前記同調回路部のカバーの少なくとも内面を低抵抗の金属で構成した。
【選択図】図4
【解決手段】試料に高周波磁場を印加すると共に、試料からのNMR信号を検出する検出コイル部と、該検出コイルに高周波電磁場を送信すると共に、該検出コイルからのNMR信号を受信する同調回路部とを備え、それらを金属製のカバーで覆ったNMRプローブにおいて、前記検出コイル部のカバーを高抵抗の金属、前記同調回路部のカバーの少なくとも内面を低抵抗の金属で構成した。
【選択図】図4
Description
本発明は、NMRプローブ、シム装置、および、それらを具備したNMR装置に関し、特に、NMRプローブのQ値と勾配磁場の印加応答性を高めたNMR装置に関する。
NMR装置は、試料に強力な静磁場を印加して、試料中の核スピンを持った原子核の磁気モーメントに静磁場方向を軸とする歳差運動を惹起させた上で、静磁場方向に直交する向きの高周波磁場を印加して、原子核の磁気モーメントの歳差運動を励起し、その後、原子核の磁気モーメントの歳差運動が励起状態から基底状態に戻る際に放出されるNMR信号を、試料に固有な周波数を持った高周波磁界として観測する分析装置である。
従来のNMRプローブと、静磁場を発生する超伝導磁石との位置関係を、図1に示す。図中、1は超伝導磁石である。超伝導磁石1の内部には、超伝導線により、図示しない主コイルが巻回されている。主コイルは、通常、液体ヘリウム等を蓄えることができる図示しない断熱容器中に置かれ、極低温に冷却されている。
NMRプローブ2は、このような超伝導磁石1の外側に配置される鍔状のベース部と、超伝導磁石1の内側に挿入される筒状部とで構成され、筒状部は、通常、この超伝導磁石1の中心軸に沿って貫通された筒状の室温ボア3の内部に向けて、下側の開口部から上方向に向けて挿入される。
NMRプローブ2の測定部外周には、超伝導磁石1が発生する強い静磁場の歪みを補正し、均一度の高い静磁場に成形するシムコイルを巻回したシムボビン(シム型枠)4が設けられている。シムボビン4は、超伝導磁石1の室温ボア3内に挿入された室温シム5の先端に配置される。室温シム5は、NMRプローブ2の外周を取り囲むようにして、超伝導磁石1に設けられた室温ボア3の下側の開口部から上方向に向けて、NMRプローブ2と同軸状に挿入されている。
図2は、NMRプローブを拡大した図である。図中、6は、試料管に入ったNMR試料である。試料6を取り囲むようにして、NMRプローブ先端の検出コイル部7に、検出コイル8と磁場勾配(FG)コイル9が設置されている。検出コイル部7の下方は、NMR周波数に対する同調コイルを内蔵した同調回路部10になっていて、検出コイル部7と同調回路部10の外側は、金属製のプローブカバー11で頑丈に保護されている。
NMR信号を測定する際には、検出コイル8からパルス状の高周波磁場が試料6に印加されると同時に、FGコイル9からは、パルス状の勾配磁場が試料6に印加される。高周波磁場と勾配磁場を印加後、試料6から放出されるNMR信号を、所定のタイミングで、検出コイル8により検出する。検出されたNMR信号は、同調回路部10に送られ、同調回路部10に設けられた前置増幅器によって増幅されて、NMRプローブの外部に取り出される。
同調回路部10は、検出コイル8の共振周波数を所望の周波数に設定すると共に、外部の接続ケーブルとの整合を取る働きをする。このとき、同調回路部10には、可能な限り、高い信号雑音比(SNR)を保持すること、すなわち、高いQ値が求められる。
しかしながら、同調回路を流れる高周波電磁場は、その周辺の金属に高周波電流を誘起し、その結果、金属自身の電気抵抗に由来する高周波電流の減衰のため、Q値の低下を招く。そのため、プローブカバー11を含めた、同調回路部周辺の金属部分には、十分に電気抵抗の低い金属、例えば、金、銀、銅などを採用する必要がある。
また、プローブカバー11を接地電極として使用する場合も多く、その場合も、プローブカバー11は、十分に電気抵抗の低い金属で作られる必要がある。更に、EMI対策も考慮して、現在のプローブカバーには、低抵抗金属製のものが広く採用されている。
ところで、検出コイル8の周囲には、通常、FGコイル9を配置し、勾配磁場を試料6に印加して、SNRの向上や磁場分布の測定などに使用する。試料6に印加する勾配磁場は、多くの場合、矩形波パルスであり、立ち上がり、立ち下がりの鋭い時間応答を必要とする。
しかし、FGコイル9が発生する勾配磁場パルスは、周囲に存在する金属、特に、プローブカバー11に誘導電流を生じ、FGコイル9が発生する磁場とは逆方向の磁場を誘起し、時間と共に減衰する。試料6が受け取る勾配磁場は、図3に示すように、FGコイル9が発生する磁場と、プローブカバー11などに誘起される誘導電流によって発生する磁場との和である。その結果、勾配磁場パルスの立ち上がり、立ち下がりは、鈍ったものとなってしまうという問題があった。
このため、FGコイル9の発生する勾配磁場パルスが、鋭い立ち上がり、立ち下がりを維持できるようにするために、一般に、FGコイル9は、傾斜磁場発生コイルとシールドコイルの組み合わせから成り、プローブカバー11に対して、勾配磁場パルスの遮蔽を行ない、プローブカバー11に誘導電流が発生しないようにしている。
しかし、誘導電流を全く発生させないような設計と実装は、容易ではなく、ある程度の誘導電流の発生は、容認せざるを得ない。
その結果、SNRなどの性能を犠牲にしても、ある程度の誘導電流を容認できるようなNMR測定方法を採用することになる。その場合でも、誘導電流の減衰時間を可能な限り短くし、NMR測定に無用な制約条件を課さないようにしておくことが重要である。
現状のNMRプローブでは、このような設計・製造上の制約条件に基づく、誘導電流の減衰時間を短くするような考慮は、行なわれておらず、同調回路のQ値を低下させないため、電気伝導度の高い材料を用い、同調回路部と検出コイル部のカバーを一体加工で製造するか、もしくは、同一の材料で製造している。このため、誘導電流の減衰時間が長くなっているという問題があった。
本発明の目的は、上述した点に鑑み、NMRプローブのQ値と勾配磁場の印加応答性を同時に高めたNMR装置を提供することにある。
この目的を達成するため、本発明にかかるNMRプローブは、試料に高周波磁場を印加すると共に、試料からのNMR信号を検出する検出コイル部と、該検出コイルに高周波を送信すると共に、該検出コイルからのNMR信号を受信する同調回路部とを備え、前記検出コイル部と同調回路部を金属製のカバーで覆ったNMRプローブにおいて、
前記検出コイル部のカバーを高抵抗の金属、前記同調回路部のカバーの少なくとも内面を低抵抗の金属で構成したことを特徴としている。
前記検出コイル部のカバーを高抵抗の金属、前記同調回路部のカバーの少なくとも内面を低抵抗の金属で構成したことを特徴としている。
また、前記高抵抗の金属は、チタンまたはその合金であることを特徴としている。
また、本発明にかかるシム装置は、NMRプローブの外周に設置され、NMRプローブに印加される静磁場の歪みを補正するシムコイルを備えたシム装置において、
前記シムコイルのボビンを高抵抗の金属で構成したことを特徴としている。
前記シムコイルのボビンを高抵抗の金属で構成したことを特徴としている。
また、前記高抵抗の金属は、チタンまたはその合金であることを特徴としている。
また、本発明にかかるNMR装置は、上記NMRプローブと上記シム装置を同時に備えたことを特徴としている。
本発明のNMR装置によれば、検出コイル部のカバーを高抵抗の金属または樹脂、同調回路部のカバーの少なくとも内面を低抵抗の金属で構成したNMRプローブと、シムコイルのボビンを高抵抗の金属または樹脂で構成したシム装置を、同時に備えたので、
NMRプローブのQ値と勾配磁場の印加応答性を同時に高めたNMR装置を提供することが可能になった。
NMRプローブのQ値と勾配磁場の印加応答性を同時に高めたNMR装置を提供することが可能になった。
以下、図面を参照しながら、本発明の実施の形態を説明する。
NMRプローブの同調回路部のQ値を落とさず、しかも、勾配磁場パルスにより誘導される誘導電流の減衰時間を短くして、勾配磁場の印加応答性を高める1つの方法は、図4に示すように、プローブカバーを検出コイル部と同調回路部に分け、検出コイル部側のカバーに適当な電気抵抗を持たせることである。
発生する誘導電流を図5のような回路でモデル化し、外部から階段関数状に比例する磁場変動をコイルに加えた場合を考える。この回路を表わす微分方程式は式(1)、その解は式(2)のようになる。尚、ここで、δ(t)はデルタ関数、θ(t)は階段関数を表わす。
しかし、式(2)の電流は、実際には、金属表面を流れる誘導電流であるため、表皮電流の考え方を適用しなければならない。一般に、表皮厚δは、式(3)に基づいて計算することができる。
ここで、プローブカバーの材質が銅であると仮定して、高周波の周波数毎の表皮厚δを求めると、図6のようになる。実質上、意味のある周波数は、約1/2τ以上の周波数と考えて良く、経験的にτ=〜10μsであるため、50kHz以上の周波数を考慮するとすれば、プローブカバーが銅であるとした場合、磁束の洩れのない最低表皮厚は、0.3mmとなる。
更に、図6に、銅以外の金属、すなわち、アルミニウム、チタン、真鍮、青銅について、銅の場合と同様に、表皮厚δを求めた結果を示す。また、これらの金属の体積抵抗率と、銅のτ値に対するこれらの金属のτ値の比を、図7に示す。ただし、R∝√σとした。
図6から明らかなように、50kHzの高周波磁場を減衰させるには、プローブカバーの材料として、青銅やチタン(その合金も含む)が望ましいことが分かる。その場合、図7から、銅の場合に較べて、誘導電流の減衰時間は、1/3倍から1/5倍となる。また、プローブカバーの厚さが十分に得られず、パルス勾配磁場が洩れ出して、シムボビンに誘導電流が発生するような場合であっても、その漏洩量が小さければ、十分な効果を得られるため、必ずしも、図6に示すような厚みは必要ではない。
以上、プローブカバーを2つの部分に分けて、それぞれ異なる金属で構成する方法を示したが、それ以外にも、例えば、図8に示すように、高周波に対して体積抵抗率の大きい材料、例えば、チタン(その合金も含む)を用いて、プローブカバー全体を製作し、同調回路部近傍のプローブカバー内側のみに、金、銀、銅などの低い電気抵抗率を持つ金属薄膜を、メッキなどの方法で設置することも考えられる。
その場合、必要なメッキ厚は、NMRに使用される高周波の周波数が、通常、約100MHz以上であるため、表皮厚から判断して、10μm程度で良く、実現可能である。メッキではなく、クラッド材などを用いて、同様の構成を実現しても良い。
以上の実施例を総括すれば、検出コイル部に高抵抗の金属、同調回路部の少なくとも内側表面に低抵抗の金属を配したプローブカバーを採用すれば、同調回路部のQ値を落とさず、誘導電流の減衰時間を短くすることができ、磁場勾配コイルが作る勾配磁場の印加応答性を高めることができる。従って、使用可能な金属は、図6記載のもののみに留まらず、高抵抗の金属であれば、他の多くの金属も使用可能である。
従来のシム装置では、シムコイルのボビンに電気抵抗率の小さな金属、例えば銅を使用する場合が多いため、上記の議論では、シムコイルのボビンには、誘導電流を流させない条件を考えていた。しかし、シムコイルのボビンにも、適当な電気抵抗を持たせれば、NMRプローブから洩れ出したパルス勾配磁場を短時間で減衰させることができる。
その場合、プローブカバーの厚みと、シムボビンの厚みを合わせた厚みが、パルス勾配磁場の減衰に利用できるため、より高抵抗の金属を使用すれば、大きな効果が期待できる。特に、電気抵抗率の大きさ、軽量性、高強度の観点から、実施例1のプローブカバーの場合と同様に、チタンおよびその合金が有望であることは、言うまでもない。しかし、高抵抗の金属であれば、他の多くの金属も使用可能である。
上記の議論と逆の取り扱いも考えられる。すなわち、パルス勾配磁場を透過させる材料、例えば、合成樹脂でプローブカバーおよびシムボビンを製作し、高周波電磁場を遮蔽するために、低抵抗の金属薄膜、例えば、金、銀、銅などの薄膜を、プローブカバー内部の同調回路部の周囲に設置する方法である。
これにより、同調回路部からの高周波の洩れは防げ、Q値を高く維持できると共に、プローブカバーおよびシムボビンでの勾配磁場パルスによる誘導電流の発生もなくなる。この場合、超伝導磁石の室温ボア壁に、勾配磁場パルス由来の誘導電流が発生するが、FGコイルからの距離が遠いため、その影響は、比較的小さくて済む。
NMRプローブ、シム装置、および、それらを具備したNMR装置に、広く利用できる。
1:超伝導磁石、2:プローブ、3:室温ボア、4:シムボビン、5:室温シム、6:試料、7:検出コイル部、8:検出コイル、9:磁場勾配コイル、10:同調回路部、11:プローブカバー
Claims (5)
- 試料に高周波磁場を印加すると共に、試料からのNMR信号を検出する検出コイル部と、該検出コイルに高周波を送信すると共に、該検出コイルからのNMR信号を受信する同調回路部とを備え、前記検出コイル部と同調回路部を金属製のカバーで覆ったNMRプローブにおいて、
前記検出コイル部のカバーを高抵抗の金属、前記同調回路部のカバーの少なくとも内面を低抵抗の金属で構成したことを特徴とするNMRプローブ。 - 前記高抵抗の金属は、チタンまたはその合金であることを特徴とする請求項1記載のNMRプローブ。
- NMRプローブの外周に設置され、NMRプローブに印加される静磁場の歪みを補正するシムコイルを備えたシム装置において、
前記シムコイルのボビンを高抵抗の金属で構成したことを特徴とするシム装置。 - 前記高抵抗の金属は、チタンまたはその合金であることを特徴とする請求項3記載のシム装置。
- 請求項1記載のNMRプローブと請求項3記載のシム装置を同時に備えたことを特徴とするNMR装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004289485A JP2006105637A (ja) | 2004-10-01 | 2004-10-01 | Nmrプローブ、シム装置、および、nmr装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004289485A JP2006105637A (ja) | 2004-10-01 | 2004-10-01 | Nmrプローブ、シム装置、および、nmr装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006105637A true JP2006105637A (ja) | 2006-04-20 |
Family
ID=36375571
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004289485A Withdrawn JP2006105637A (ja) | 2004-10-01 | 2004-10-01 | Nmrプローブ、シム装置、および、nmr装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2006105637A (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2007114085A1 (ja) | 2006-04-06 | 2007-10-11 | Olympus Medical Systems Corp. | 医療システム |
JP2008026003A (ja) * | 2006-07-18 | 2008-02-07 | Jeol Ltd | Nmrプローブ |
JP2008082751A (ja) * | 2006-09-26 | 2008-04-10 | Hitachi Ltd | Nmr用プローブ及びnmr装置 |
JP2009192237A (ja) * | 2008-02-12 | 2009-08-27 | Hitachi Ltd | Nmrプローブ及びnmr装置 |
US7750636B2 (en) | 2007-02-27 | 2010-07-06 | Hitachi, Ltd. | NMR system |
JP2011501196A (ja) * | 2007-10-23 | 2011-01-06 | アブクマー インコーポレイテッド | マイクロコイル磁気共鳴検出器 |
US10416260B2 (en) | 2011-10-17 | 2019-09-17 | Koninklijke Philips N.V. | Magnetic field probe for MRI with a fluoroelastomer or a solution of a fluorine-containing compound |
-
2004
- 2004-10-01 JP JP2004289485A patent/JP2006105637A/ja not_active Withdrawn
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2007114085A1 (ja) | 2006-04-06 | 2007-10-11 | Olympus Medical Systems Corp. | 医療システム |
JP2008026003A (ja) * | 2006-07-18 | 2008-02-07 | Jeol Ltd | Nmrプローブ |
JP2008082751A (ja) * | 2006-09-26 | 2008-04-10 | Hitachi Ltd | Nmr用プローブ及びnmr装置 |
US7750636B2 (en) | 2007-02-27 | 2010-07-06 | Hitachi, Ltd. | NMR system |
JP2011501196A (ja) * | 2007-10-23 | 2011-01-06 | アブクマー インコーポレイテッド | マイクロコイル磁気共鳴検出器 |
JP2009192237A (ja) * | 2008-02-12 | 2009-08-27 | Hitachi Ltd | Nmrプローブ及びnmr装置 |
US10416260B2 (en) | 2011-10-17 | 2019-09-17 | Koninklijke Philips N.V. | Magnetic field probe for MRI with a fluoroelastomer or a solution of a fluorine-containing compound |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
FI95624B (fi) | Itsesuojatut gradienttikelat ydinmagneettista resonanssikuvausta varten | |
US4905316A (en) | Magnetic field generating system for magnetic resonance imaging system | |
US8587313B2 (en) | Gradient magnetic field coil device and magnetic resonance imaging apparatus | |
JP2854374B2 (ja) | 磁気共鳴装置 | |
JP3273648B2 (ja) | Nmrプローブ | |
JPH07299048A (ja) | 磁気共鳴撮像装置 | |
US20070252598A1 (en) | Methods and apparatus for MRI shim elements | |
JP2006105637A (ja) | Nmrプローブ、シム装置、および、nmr装置 | |
JP4933122B2 (ja) | 核磁気共鳴用プローブ | |
JP5166711B2 (ja) | 高分解能nmrプローブ | |
JP5939484B2 (ja) | Nmrプローブ装置 | |
CN108267504A (zh) | 一种铁磁性发动机壳体内叶片动态原位监测方法 | |
EP3460499B1 (en) | Orthogonal fluxgate sensor | |
JP2002532683A (ja) | 水素化物含有量の決定方法および装置 | |
RU2591027C1 (ru) | Способ измерения величины и пространственного распределения локальных магнитных полей, возникающих вследствие протекания коррозионных процессов на металлической поверхности в проводящем растворе | |
JP5139913B2 (ja) | Nmr装置 | |
JP5049813B2 (ja) | Nmrプローブ及びnmr装置 | |
JP4835038B2 (ja) | Mri用信号検出装置 | |
JP3697550B2 (ja) | 核磁気共鳴装置 | |
JPH09238919A (ja) | 磁気共鳴イメージング装置 | |
JP2000055708A (ja) | 電磁流量計 | |
KR20220065597A (ko) | 일체형 전압 및 전류 센서를 구비하는 플라즈마 장치, 및 플라즈마 장치에서의 전압 및 전류 모니터링 방법 | |
JPH0241591Y2 (ja) | ||
JP6146883B2 (ja) | Nmrプローブ装置、nmr試料管 | |
JP2004325251A (ja) | 均一磁場発生装置およびそれを用いた核磁気共鳴装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20071204 |