JP2006093505A - Mos型素子の保護装置及び半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】低濃度領域の拡散前のパターン幅を11μm〜13μmとし、実低濃度領域幅を6μm〜8μmにする。これにより、チップサイズが小さいものでもマシンモデルにて200V以上の静電破壊耐量を実現できる。パターン幅はポリシリコン厚みにより変動するが、ツェナーダイオードの抵抗換算値が130Ω以下であれば200V以上の静電破壊耐量を実現できる。ゲート抵抗が不要となるので、高速動作にも対応できる。
【選択図】 図1
Description
2 ツェナーダイオード
4 ゲート連結電極
5 実動作領域
6 セル
10 MOSFET
11 n+型半導体基板
12 n−型エピタキシャル層
13 チャネル層
14 トレンチ
15 ゲート酸化膜
16 ゲート電極
18 ソース領域
19 ボディ領域
20 層間絶縁膜(BPSG膜)
25 低濃度領域
26 高濃度領域
30 マスク
33 抵抗体
31 ゲートパッド電極
32 ツェナーダイオード
34 ゲート連結電極
35 実動作領域
36 セル
41 基板
45 低濃度領域
46 高濃度領域
50 MOSFET
w11 マスクパターン幅
w12 マスク開口幅
w13 実低濃度領域幅
w14 高濃度領域幅
w21 マスクパターン幅
w22 マスク開口幅
w23 実低濃度領域幅
w24 高濃度領域幅
Claims (7)
- ポリシリコン層に設けた一導電型の高濃度領域および逆導電型の低濃度領域からなるpn接合ダイオードを複数個重ねたMOS型素子の保護装置において、
前記低濃度領域のパターン幅を狭めて抵抗換算値を約140Ω以下とし、静電耐量を200V以上にしたことを特徴とするMOS型素子の保護装置。 - ポリシリコン層に設けた一導電型の高濃度領域領域および逆導電型の低濃度領域からなるpn接合ダイオードを複数個重ねたMOS型素子の保護装置において、
前記低濃度領域を形成するマスクのパターン幅を11μm〜13μmとし、静電耐量を200V以上にしたことを特徴とするMOS型素子の保護装置。 - 前記低濃度領域の拡散後のパターン幅は6μm〜8μmであることを特徴とする請求項1または請求項2に記載のMOS型素子の保護装置。
- 前記マスクの開口幅は、3μm程度であることを特徴とする請求項1または請求項2に記載のMOS型素子の保護装置。
- 1つの前記pn接合ダイオードの耐圧は6V〜9Vであることを特徴とする請求項1または請求項2に記載のMOS型素子の保護装置。
- 基板に設けたMOS型素子と、
前記基板上に設けたポリシリコン層に一導電型の高濃度領域および逆導電型の低濃度領域を形成し、pn接合ダイオードを複数個重ねた保護装置とを具備し、
前記低濃度領域のパターン幅を狭めて前記保護装置の抵抗換算値を約140Ω以下とし、静電耐量を200V以上にしたことを特徴とする半導体装置。 - 前記MOS型素子と前記保護装置を集積化しチップサイズを0.55mm角以下にすることを特徴とする請求項6に記載の半導体装置。
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