JP2006093490A - Light emitting diode back panel and its manufacturing method, light emitting diode display and its manufacturing method, light emitting diode lighting device and its manufacturing method, and light emitting diode array device and its manufacturing method - Google Patents

Light emitting diode back panel and its manufacturing method, light emitting diode display and its manufacturing method, light emitting diode lighting device and its manufacturing method, and light emitting diode array device and its manufacturing method Download PDF

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a light emitting diode backlight, a light emitting diode display, and a light emitting diode lighting device which are extremely reduced in the uneveness in color and brightness, and to provide methods of manufacturing them. <P>SOLUTION: Red light, green light, and blue light emitting diodes are arranged on a board 101 so as to form the light emitting diode backlight, the light emitting diode display, or the light emitting diode lighting device. The light emitting diodes formed of the same light emitting diode wafer are used, at least, as the certain color light emitting diodes out of the red light, green light, and blue light emitting diodes, or the light emitting diodes obtained from the same light emitting diode wafer are arranged on the board 101 in the same arrangement in which they have been arranged on the wafer. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

この発明は、発光ダイオードバックパネルおよびその製造方法ならびに発光ダイオードディスプレイおよびその製造方法ならびに発光ダイオード照明装置およびその製造方法ならびに発光ダイオードアレイ装置およびその製造方法に関し、特に、赤色発光、緑色発光および青色発光の発光ダイオードを基板上に多数配列した発光ダイオードバックパネルあるいは発光ダイオードディスプレイに適用して好適なものである。   The present invention relates to a light emitting diode back panel and a manufacturing method thereof, a light emitting diode display and a manufacturing method thereof, a light emitting diode illumination device and a manufacturing method thereof, and a light emitting diode array device and a manufacturing method thereof, in particular, red light emission, green light emission and blue light emission. The present invention is suitable for application to a light emitting diode back panel or a light emitting diode display in which a large number of light emitting diodes are arranged on a substrate.

最近、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）のバックライトとして、発光ダイオード（ＬＥＤ）を基板上に多数配列したＬＥＤバックライトが用いられることが多くなっている。このＬＥＤバックライトは現状の液晶テレビの色再現範囲を大幅に広げるものであり、有望視されている。また、ＬＥＤの効率はますます向上しており、近い将来、冷陰極型蛍光ランプ（ＣＣＦＬ）の効率を上回ると考えられ、照明装置もＬＥＤで置き換えられる可能性が高くなっている。   Recently, as a backlight of a liquid crystal display (LCD), an LED backlight in which a large number of light emitting diodes (LEDs) are arranged on a substrate is often used. This LED backlight greatly expands the color reproduction range of the current liquid crystal television and is considered promising. In addition, the efficiency of the LED is further improved, and it is considered that it will exceed the efficiency of the cold cathode fluorescent lamp (CCFL) in the near future, and there is a high possibility that the lighting device is replaced with the LED.

なお、特許文献１には、複数の半導体成長基板から発光素子を転写してサブピクセルを構成（配列）するようにしたＬＥＤ表示装置が開示されている。特許文献２には、複数の発光素子が二次元的に形成されたウエハから発光素子群が一列または複数列に並ぶように切り出した発光素子群からなるアレイ光源が開示されている。特許文献３には、ウエハから切り出されたＬＥＤを一列に配列したＬＥＤアレイが開示されている。
特開２００３−３３２６３３号公報 Patent Document 1 discloses an LED display device in which light emitting elements are transferred from a plurality of semiconductor growth substrates to form (arrange) subpixels. Patent Document 2 discloses an array light source composed of light emitting element groups cut out from a wafer on which a plurality of light emitting elements are two-dimensionally formed so that the light emitting element groups are arranged in one or a plurality of rows. Patent Document 3 discloses an LED array in which LEDs cut out from a wafer are arranged in a line.
JP 2003-332633 A

特開２０００−９９８号公報Japanese Patent Laid-Open No. 2000-998

特開平８−４６２４３号公報JP-A-8-46243

しかしながら、上述のＬＥＤバックライトは、面内の色（発光波長）および輝度のむらが激しいという問題がある。これは、このＬＥＤバックライトに用いられる多数のＬＥＤ間に発光波長および発光強度のばらつきがあるためである。
したがって、この発明が解決しようとする課題は、色および輝度のむらが極めて少ない発光ダイオードバックライトおよびその製造方法を提供することである。
この発明が解決しようとする他の課題は、色および輝度のむらが極めて少ない発光ダイオードディスプレイおよびその製造方法を提供することである。
この発明が解決しようとするさらに他の課題は、色および輝度のむらが極めて少ない発光ダイオード照明装置およびその製造方法を提供することである。
この発明が解決しようとする課題は、より一般的には、特性のむらが極めて少ない発光ダイオードアレイ装置およびその製造方法を提供することである。 However, the above-described LED backlight has a problem that in-plane color (light emission wavelength) and luminance unevenness are severe. This is because there are variations in emission wavelength and emission intensity among a large number of LEDs used in this LED backlight.
Therefore, the problem to be solved by the present invention is to provide a light-emitting diode backlight with extremely little unevenness in color and brightness and a method for manufacturing the same.
Another problem to be solved by the present invention is to provide a light-emitting diode display with extremely little unevenness in color and brightness and a method for manufacturing the same.
Still another problem to be solved by the present invention is to provide a light-emitting diode illuminating device and a method for manufacturing the same, which have extremely little unevenness in color and brightness.
The problem to be solved by the present invention is, more generally, to provide a light-emitting diode array device having very little characteristic unevenness and a method for manufacturing the same.

本発明者は、従来技術が有する上記の課題を解決すべく鋭意検討を行った結果、この発明を案出するに至った。その概要を説明すると次のとおりである。
すなわち、従来のＬＥＤバックライトにおいて色および輝度のむらが存在するのは、このＬＥＤバックライトの構成に用いられている多数のＬＥＤ間で発光波長および発光強度のむらがあることによる。本発明者の検討によれば、この問題が生じる一つの原因は、従来のＬＥＤバックライトの製造方法においては、発光素子構造を構成する半導体層を成長基板上にエピタキシャル成長させた複数のウェハから切り出した多数のＬＥＤ、あるいは発光素子構造を構成する半導体層を成長基板上にエピタキシャル成長させた一枚のウェハの別々の場所から切り出した多数のＬＥＤの中からランダムにＬＥＤをピックアップしてこれを基板上に配列していたことである。また、半導体層をエピタキシャル成長させたウェハにおいては、基本的に成長温度や原料供給量などの成長条件の面内分布により活性層の混晶組成や厚さが面内で変化していることも原因である。
本発明者は、この問題を解決するためには、基板上に配列するＬＥＤを、同一の成長条件で半導体層を成長させることができる可能性が最も高い同一のウエハから取り出すようにすれば、発光波長や発光強度の均一性を向上させることができ、さらに、同一のウェハ内でも成長条件の均一性が高い領域から取り出すようにすれば、より均一性を向上させることができることを見出した。また、成長条件の中でも最も特性に影響があると思われるＶ／ＩＩＩ比（例えば、トリメチルガリウム（ＴＭＧ）に対するアンモニア流量の比）をウェハ面内で均一化することにより、より一層ＬＥＤの発光波長や発光強度の均一性の向上を図ることができる。
この発明は、上記の検討に基づいて案出されたものである。 The inventor has devised this invention to solve the above-mentioned problems, and has come up with the present invention. The outline is as follows.
That is, the unevenness of color and brightness in the conventional LED backlight is due to the unevenness of the emission wavelength and the emission intensity among the many LEDs used in the configuration of the LED backlight. According to the study of the present inventor, one cause of this problem is that, in a conventional LED backlight manufacturing method, a semiconductor layer constituting a light emitting device structure is cut out from a plurality of wafers epitaxially grown on a growth substrate. A large number of LEDs or a semiconductor layer constituting a light emitting element structure is epitaxially grown on a growth substrate, and the LED is randomly picked up from a large number of LEDs cut out from different locations on one wafer. It was that it was arranged in. Also, in wafers with epitaxially grown semiconductor layers, the mixed crystal composition and thickness of the active layer are basically changed in the plane due to the in-plane distribution of growth conditions such as growth temperature and raw material supply amount. It is.
In order to solve this problem, the present inventor can take out the LEDs arranged on the substrate from the same wafer that is most likely to grow a semiconductor layer under the same growth conditions. It has been found that the uniformity of the emission wavelength and the emission intensity can be improved, and further, the uniformity can be further improved by taking out from the region where the growth conditions are high even within the same wafer. Further, by uniformizing the V / III ratio (for example, the ratio of ammonia flow rate to trimethylgallium (TMG)) in the wafer surface, which is considered to have the most influence on the characteristics among the growth conditions, the emission wavelength of the LED is further increased. In addition, the uniformity of the emission intensity can be improved.
The present invention has been devised based on the above examination.

すなわち、上記課題を解決するために、第１の発明は、
赤色発光の発光ダイオード、緑色発光の発光ダイオードおよび青色発光の発光ダイオードを基板上にそれぞれ複数個配列することにより形成された発光ダイオードバックライトにおいて、
赤色発光の発光ダイオード、緑色発光の発光ダイオードおよび青色発光の発光ダイオードのうちの少なくとも一種類の発光ダイオードが、同一の発光ダイオードウェハから得られたものである
ことを特徴とするものである。 That is, in order to solve the above problem, the first invention
In a light emitting diode backlight formed by arranging a plurality of red light emitting diodes, green light emitting diodes and blue light emitting diodes on a substrate,
At least one of the red light emitting diode, the green light emitting diode, and the blue light emitting diode is obtained from the same light emitting diode wafer.

第２の発明は、
赤色発光の発光ダイオード、緑色発光の発光ダイオードおよび青色発光の発光ダイオードを基板上にそれぞれ複数個配列することにより形成された発光ダイオードバックライトにおいて、
赤色発光の発光ダイオード、緑色発光の発光ダイオードおよび青色発光の発光ダイオードのうちの少なくとも一種類の発光ダイオードが、同一の発光ダイオードウェハから得られた複数の発光ダイオードがその内部における配列を維持して基板上に配列されたものである
ことを特徴とするものである。 The second invention is
In a light emitting diode backlight formed by arranging a plurality of red light emitting diodes, green light emitting diodes and blue light emitting diodes on a substrate,
At least one kind of red light emitting diode, green light emitting diode and blue light emitting diode is used, and a plurality of light emitting diodes obtained from the same light emitting diode wafer are maintained in the arrangement inside. It is characterized by being arranged on a substrate.

第３の発明は、
赤色発光の発光ダイオード、緑色発光の発光ダイオードおよび青色発光の発光ダイオードを基板上にそれぞれ複数個配列することにより形成された発光ダイオードバックライトにおいて、
赤色発光の発光ダイオード、緑色発光の発光ダイオードおよび青色発光の発光ダイオードのうちの少なくとも緑色発光の発光ダイオードおよび青色発光の発光ダイオードが、それぞれ同一の発光ダイオードウェハから得られた複数の発光ダイオードがその内部における配列を維持して基板上に配列されたものである
ことを特徴とするものである。 The third invention is
In a light emitting diode backlight formed by arranging a plurality of red light emitting diodes, green light emitting diodes and blue light emitting diodes on a substrate,
Among the red light emitting diode, the green light emitting diode and the blue light emitting diode, at least the green light emitting diode and the blue light emitting diode are each a plurality of light emitting diodes obtained from the same light emitting diode wafer. It is characterized by being arranged on the substrate while maintaining the arrangement inside.

第４の発明は、
赤色発光の発光ダイオード、緑色発光の発光ダイオードおよび青色発光の発光ダイオードを基板上にそれぞれ複数個配列することにより形成された発光ダイオードバックライトの製造方法において、
赤色発光の発光ダイオード、緑色発光の発光ダイオードおよび青色発光の発光ダイオードのうちの少なくとも一種類の発光ダイオードとして、同一の発光ダイオードウェハから得られたものを用いる
ことを特徴とするものである。 The fourth invention is:
In a method of manufacturing a light emitting diode backlight formed by arranging a plurality of red light emitting diodes, green light emitting diodes and blue light emitting diodes on a substrate, respectively,
A light-emitting diode obtained from the same light-emitting diode wafer is used as at least one of the red light-emitting diode, the green light-emitting diode, and the blue light-emitting diode.

第５の発明は、
赤色発光の発光ダイオード、緑色発光の発光ダイオードおよび青色発光の発光ダイオードを基板上にそれぞれ複数個配列することにより形成された発光ダイオードバックライトの製造方法において、
赤色発光の発光ダイオード、緑色発光の発光ダイオードおよび青色発光の発光ダイオードのうちの少なくとも一種類の発光ダイオードとして、同一の発光ダイオードウェハから得られた複数の発光ダイオードをその内部における配列を維持して基板上に配列する
ことを特徴とするものである。 The fifth invention is:
In a method of manufacturing a light emitting diode backlight formed by arranging a plurality of red light emitting diodes, green light emitting diodes and blue light emitting diodes on a substrate, respectively,
As a light emitting diode of at least one of a red light emitting diode, a green light emitting diode, and a blue light emitting diode, a plurality of light emitting diodes obtained from the same light emitting diode wafer are maintained in an arrangement therein. It is arranged on a substrate.

第６の発明は、
赤色発光の発光ダイオード、緑色発光の発光ダイオードおよび青色発光の発光ダイオードを基板上にそれぞれ複数個配列することにより形成された発光ダイオードバックライトの製造方法において、
赤色発光の発光ダイオード、緑色発光の発光ダイオードおよび青色発光の発光ダイオードのうちの少なくとも緑色発光の発光ダイオードおよび青色発光の発光ダイオードとして、それぞれ同一の発光ダイオードウェハから得られた複数の発光ダイオードをその内部における配列を維持して基板上に配列する
ことを特徴とするものである。 The sixth invention is:
In a method of manufacturing a light emitting diode backlight formed by arranging a plurality of red light emitting diodes, green light emitting diodes and blue light emitting diodes on a substrate, respectively,
A plurality of light emitting diodes obtained from the same light emitting diode wafer are used as at least a green light emitting diode and a blue light emitting diode among the red light emitting diode, the green light emitting diode, and the blue light emitting diode. It is characterized by being arranged on the substrate while maintaining the arrangement inside.

第１〜第６の発明において、発光ダイオードウェハ（ＬＥＤウェハ）とは、成長基板上に発光ダイオードを構成する半導体層（ｎ型半導体層、活性層、ｐ型半導体層など）を成長させ、必要なパターニングや電極形成などの発光ダイオードプロセスを実行したものであり、これをスクライビングしてチップ化することにより発光ダイオードチップを得る。赤色発光の発光ダイオード、緑色発光の発光ダイオードおよび青色発光の発光ダイオードとしては、各種のものを用いることができるが、一般的にはＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体系発光ダイオードが用いられる。その中で典型的な例を挙げると、赤色発光の発光ダイオードはＡｌＧａＩｎＰ系半導体層を活性層（発光層）とする発光ダイオードであり、緑色発光の発光ダイオードおよび青色発光の発光ダイオードはＢx Ａｌy Ｇａ1-x-y-z-u Ｉｎz Ｔｌu Ｎ系半導体層（ただし、０≦ｘ＜１、０≦ｙ＜１、０≦ｚ＜１、０≦ｕ＜１、０≦ｘ＋ｙ＋ｚ＋ｕ＜１）を活性層とする発光ダイオードである。 In the first to sixth inventions, a light emitting diode wafer (LED wafer) is a semiconductor substrate (such as an n-type semiconductor layer, an active layer, or a p-type semiconductor layer) that constitutes a light emitting diode on a growth substrate, and is necessary A light-emitting diode process such as patterning and electrode formation is executed, and a light-emitting diode chip is obtained by scribing the chip process into chips. As the red light emitting diode, the green light emitting diode and the blue light emitting diode, various types of light emitting diodes can be used. Generally, a III-V compound semiconductor light emitting diode is used. As a typical example, a red light emitting diode is a light emitting diode having an AlGaInP-based semiconductor layer as an active layer (light emitting layer), and a green light emitting diode and a blue light emitting diode are B x Al. y Ga 1-xyzu In z Tl u N -based semiconductor layer (where, 0 ≦ x <1,0 ≦ y <1,0 ≦ z <1,0 ≦ u <1,0 ≦ x + y + z + u <1) and the active layer A light emitting diode.

一般に、発光ダイオードウェハにおいては、発光ダイオードを構成する半導体層を成長させる際にウェハを成長温度に加熱するが、ウェハ面内で成長温度を完全に均一にすることは困難であっても、ウェハの有効チップ領域の全部または最低でもその一部分の温度の分布幅を数℃以内に設定することは可能である。成長温度のばらつきは活性層の混晶組成や厚さのばらつきをもたらし、これはウェハから得られる多数の発光ダイオード同士の発光波長や発光強度のばらつきにつながるため、可能な限り小さくすることが好ましい。そこで、赤色発光の発光ダイオード、緑色発光の発光ダイオードおよび青色発光の発光ダイオードとも、一般的には、それぞれ同一の発光ダイオードウェハから得られる複数の発光ダイオードを構成する半導体層の成長温度が最低でも±５℃以内となるようにし、特に、緑色発光の発光ダイオードを構成する半導体層の成長温度は好ましくは±２℃以内、最も好ましくは±１℃以内、同一の発光ダイオードウェハから得られる複数の青色発光の発光ダイオードを構成する半導体層の成長温度は好ましくは±４℃以内、より好ましくは±２℃以内、最も好ましくは±１℃以内にあるようにする。同様に、発光ダイオードウェハにおいては、発光ダイオードを構成する半導体層の成長時に用いる原料の供給量もウェハ面内で完全に均一にすることは困難であっても、ウェハの有効チップ領域の全部または最低でもその一部分の原料の供給量の分布幅を１０％以内に設定することは可能である。成長原料の供給量のばらつきは活性層の混晶組成や厚さのばらつきをもたらし、これはウェハから得られる多数の発光ダイオード同士の発光波長や発光強度のばらつきにつながるため、可能な限り小さくすることが好ましい。そこで、赤色発光の発光ダイオード、緑色発光の発光ダイオードおよび青色発光の発光ダイオードとも、それぞれ同一の発光ダイオードウェハから得られる複数の発光ダイオードを構成する半導体層の成長時に用いる原料のＶ／ＩＩＩ比（ＩＩＩ族元素の原料の供給量に対するＶ族元素の原料の供給量の比）が±１０％以内となるようにするのが好ましい。   Generally, in a light emitting diode wafer, the wafer is heated to a growth temperature when the semiconductor layer constituting the light emitting diode is grown. Even if it is difficult to make the growth temperature completely uniform within the wafer surface, It is possible to set the temperature distribution width of all or at least a part of the effective chip area within several degrees Celsius. Variation in the growth temperature leads to variations in the mixed crystal composition and thickness of the active layer, which leads to variations in the emission wavelength and emission intensity of a large number of light-emitting diodes obtained from the wafer. Therefore, it is preferable to make it as small as possible. . Therefore, in general, a red light emitting diode, a green light emitting diode, and a blue light emitting diode are generally at least the growth temperature of the semiconductor layers constituting a plurality of light emitting diodes obtained from the same light emitting diode wafer. In particular, the growth temperature of the semiconductor layer constituting the light emitting diode emitting green light is preferably within ± 2 ° C., most preferably within ± 1 ° C., and a plurality of layers obtained from the same light emitting diode wafer can be obtained. The growth temperature of the semiconductor layer constituting the blue light emitting diode is preferably within ± 4 ° C., more preferably within ± 2 ° C., and most preferably within ± 1 ° C. Similarly, in a light emitting diode wafer, even if it is difficult to make the supply amount of the raw material used when growing the semiconductor layer constituting the light emitting diode completely uniform within the wafer surface, the entire effective chip area of the wafer or It is possible to set the distribution width of the supply amount of a part of the raw material within 10% at the minimum. Variations in the supply amount of the growth material lead to variations in the mixed crystal composition and thickness of the active layer, which leads to variations in the emission wavelength and emission intensity of a large number of light-emitting diodes obtained from the wafer. It is preferable. Therefore, the red / light-emitting light emitting diode, the green / light-emitting light emitting diode, and the blue / light emitting light-emitting diode are both V / III ratios of raw materials used when growing semiconductor layers constituting a plurality of light-emitting diodes obtained from the same light-emitting diode wafer. The ratio of the supply amount of the Group V element to the supply amount of the Group III element is preferably within ± 10%.

成長基板としては、発光ダイオードを構成する半導体層を良好な結晶性で成長させることが可能である限り、基本的にはどのような材料のものを用いてもよい。具体的には、赤色発光の発光ダイオードを構成するＡｌＧａＩｎＰ系半導体層の成長にはＧａＡｓ基板を用いるのが一般的である。緑色発光および青色発光の発光ダイオードを構成するＢx Ａｌy Ｇａ1-x-y-z-u Ｉｎz Ｔｌu Ｎ系半導体層の成長には、サファイア（Ａｌ2 Ｏ3 ）（Ｃ面、Ａ面、Ｒ面を含む）、ＳｉＣ（６Ｈ、４Ｈ、３Ｃを含む）、Ｓｉ、ＺｎＳ、ＺｎＯ、ＬｉＭｇＯ、ＧａＡｓ、ＭｇＡｌ2 Ｏ4 などからなる基板を用いることができる。より具体的には、例えば、Ｃ面を主面としたサファイア基板を用いることができる。ただし、ここで言うＣ面には、これに対して５〜６°程度まで傾いていて実質的にＣ面とみなすことができる結晶面も含むものとする。 As a growth substrate, any material may be used basically as long as the semiconductor layer constituting the light emitting diode can be grown with good crystallinity. Specifically, a GaAs substrate is generally used for growing an AlGaInP-based semiconductor layer constituting a red light emitting diode. Green-emitting and blue light-emitting diodes constituting the B x Al y Ga 1-xyzu In z Tl u N -based semiconductor layer grown sapphire (Al 2 O 3) (C plane, A plane, including R-plane ), SiC (including 6H, 4H, 3C), Si, ZnS, ZnO, LiMgO, GaAs, MgAl 2 O 4 and the like can be used. More specifically, for example, a sapphire substrate having a C surface as a main surface can be used. However, the C plane mentioned here includes a crystal plane that is inclined to about 5 to 6 ° with respect to this and can be substantially regarded as the C plane.

発光ダイオードを構成する半導体層の成長方法としては、有機金属化学気相成長（ＭＯＣＶＤ）、ハイドライド気相エピタキシャル成長またはハライド気相エピタキシャル成長（ＨＶＰＥ）、分子線エピタキシー（ＭＢＥ）などを用いることができる。
発光ダイオードを配列する基板としては種々のものを用いることができ、用途などに応じて最適なものが用いられるが、通常はこの基板を通して光が取り出されるようにするため、透明な導光板が用いられる。 As a method for growing the semiconductor layer constituting the light emitting diode, metal organic chemical vapor deposition (MOCVD), hydride vapor phase epitaxy or halide vapor phase epitaxy (HVPE), molecular beam epitaxy (MBE), or the like can be used.
Various substrates can be used for arranging the light emitting diodes, and the most suitable one is used depending on the application. Usually, a transparent light guide plate is used to extract light through this substrate. It is done.

第７の発明は、
赤色発光の発光ダイオード、緑色発光の発光ダイオードおよび青色発光の発光ダイオードを基板上にそれぞれ複数個配列することにより形成された発光ダイオードディスプレイにおいて、
赤色発光の発光ダイオード、緑色発光の発光ダイオードおよび青色発光の発光ダイオードのうちの少なくとも一種類の発光ダイオードが、同一の発光ダイオードウェハから得られたものである
ことを特徴とするものである。 The seventh invention
In a light emitting diode display formed by arranging a plurality of red light emitting diodes, green light emitting diodes and blue light emitting diodes on a substrate,
At least one of the red light emitting diode, the green light emitting diode, and the blue light emitting diode is obtained from the same light emitting diode wafer.

第８の発明は、
赤色発光の発光ダイオード、緑色発光の発光ダイオードおよび青色発光の発光ダイオードを基板上にそれぞれ複数個配列することにより形成された発光ダイオードディスプレイにおいて、
赤色発光の発光ダイオード、緑色発光の発光ダイオードおよび青色発光の発光ダイオードのうちの少なくとも一種類の発光ダイオードが、同一の発光ダイオードウェハから得られた複数の発光ダイオードがその内部における配列を維持して基板上に配列されたものである
ことを特徴とするものである。 The eighth invention
In a light emitting diode display formed by arranging a plurality of red light emitting diodes, green light emitting diodes and blue light emitting diodes on a substrate,
At least one kind of red light emitting diode, green light emitting diode and blue light emitting diode is used, and a plurality of light emitting diodes obtained from the same light emitting diode wafer are maintained in the arrangement inside. It is characterized by being arranged on a substrate.

第９の発明は、
赤色発光の発光ダイオード、緑色発光の発光ダイオードおよび青色発光の発光ダイオードを基板上にそれぞれ複数個配列することにより形成された発光ダイオードディスプレイにおいて、
赤色発光の発光ダイオード、緑色発光の発光ダイオードおよび青色発光の発光ダイオードのうちの少なくとも緑色発光の発光ダイオードおよび青色発光の発光ダイオードが、それぞれ同一の発光ダイオードウェハから得られた複数の発光ダイオードがその内部における配列を維持して基板上に配列されたものである
ことを特徴とするものである。 The ninth invention
In a light emitting diode display formed by arranging a plurality of red light emitting diodes, green light emitting diodes and blue light emitting diodes on a substrate,
Among the red light emitting diode, the green light emitting diode and the blue light emitting diode, at least the green light emitting diode and the blue light emitting diode are each a plurality of light emitting diodes obtained from the same light emitting diode wafer. It is characterized by being arranged on the substrate while maintaining the arrangement inside.

第１０の発明は、
赤色発光の発光ダイオード、緑色発光の発光ダイオードおよび青色発光の発光ダイオードを基板上にそれぞれ複数個配列することにより形成された発光ダイオードディスプレイの製造方法において、
赤色発光の発光ダイオード、緑色発光の発光ダイオードおよび青色発光の発光ダイオードのうちの少なくとも一種類の発光ダイオードとして、同一の発光ダイオードウェハから得られたものを用いる
ことを特徴とするものである。 The tenth invention is
In a method of manufacturing a light emitting diode display formed by arranging a plurality of red light emitting diodes, green light emitting diodes and blue light emitting diodes on a substrate, respectively,
A light-emitting diode obtained from the same light-emitting diode wafer is used as at least one of the red light-emitting diode, the green light-emitting diode, and the blue light-emitting diode.

第１１の発明は、
赤色発光の発光ダイオード、緑色発光の発光ダイオードおよび青色発光の発光ダイオードを基板上にそれぞれ複数個配列することにより形成された発光ダイオードディスプレイの製造方法において、
赤色発光の発光ダイオード、緑色発光の発光ダイオードおよび青色発光の発光ダイオードのうちの少なくとも一種類の発光ダイオードとして、同一の発光ダイオードウェハから得られた複数の発光ダイオードをその内部における配列を維持して基板上に配列する
ことを特徴とするものである。 The eleventh invention is
In a method of manufacturing a light emitting diode display formed by arranging a plurality of red light emitting diodes, green light emitting diodes and blue light emitting diodes on a substrate, respectively,
As a light emitting diode of at least one of a red light emitting diode, a green light emitting diode, and a blue light emitting diode, a plurality of light emitting diodes obtained from the same light emitting diode wafer are maintained in an arrangement therein. It is arranged on a substrate.

第１２の発明は、
赤色発光の発光ダイオード、緑色発光の発光ダイオードおよび青色発光の発光ダイオードを基板上にそれぞれ複数個配列することにより形成された発光ダイオードディスプレイの製造方法において、
赤色発光の発光ダイオード、緑色発光の発光ダイオードおよび青色発光の発光ダイオードのうちの少なくとも緑色発光の発光ダイオードおよび青色発光の発光ダイオードとして、それぞれ同一の発光ダイオードウェハから得られた複数の発光ダイオードをその内部における配列を維持して基板上に配列する
ことを特徴とするものである。 The twelfth invention
In a method of manufacturing a light emitting diode display formed by arranging a plurality of red light emitting diodes, green light emitting diodes and blue light emitting diodes on a substrate, respectively,
A plurality of light emitting diodes obtained from the same light emitting diode wafer are used as at least a green light emitting diode and a blue light emitting diode among the red light emitting diode, the green light emitting diode, and the blue light emitting diode. It is characterized by being arranged on the substrate while maintaining the arrangement inside.

第１３の発明は、
赤色発光の発光ダイオード、緑色発光の発光ダイオードおよび青色発光の発光ダイオードを基板上にそれぞれ複数個配列することにより形成された発光ダイオード照明装置において、
赤色発光の発光ダイオード、緑色発光の発光ダイオードおよび青色発光の発光ダイオードのうちの少なくとも一種類の発光ダイオードが、同一の発光ダイオードウェハから得られたものである
ことを特徴とするものである。 The thirteenth invention is
In a light emitting diode illuminating device formed by arranging a plurality of red light emitting diodes, green light emitting diodes and blue light emitting diodes on a substrate,
At least one of the red light emitting diode, the green light emitting diode, and the blue light emitting diode is obtained from the same light emitting diode wafer.

第１４の発明は、
赤色発光の発光ダイオード、緑色発光の発光ダイオードおよび青色発光の発光ダイオードを基板上にそれぞれ複数個配列することにより形成された発光ダイオード照明装置において、
赤色発光の発光ダイオード、緑色発光の発光ダイオードおよび青色発光の発光ダイオードのうちの少なくとも一種類の発光ダイオードが、同一の発光ダイオードウェハから得られた複数の発光ダイオードがその内部における配列を維持して基板上に配列されたものである
ことを特徴とするものである。 The fourteenth invention is
In a light emitting diode illuminating device formed by arranging a plurality of red light emitting diodes, green light emitting diodes and blue light emitting diodes on a substrate,
At least one kind of red light emitting diode, green light emitting diode and blue light emitting diode is used, and a plurality of light emitting diodes obtained from the same light emitting diode wafer are maintained in the arrangement inside. It is characterized by being arranged on a substrate.

第１５の発明は、
赤色発光の発光ダイオード、緑色発光の発光ダイオードおよび青色発光の発光ダイオードを基板上にそれぞれ複数個配列することにより形成された発光ダイオード照明装置において、
赤色発光の発光ダイオード、緑色発光の発光ダイオードおよび青色発光の発光ダイオードのうちの少なくとも緑色発光の発光ダイオードおよび青色発光の発光ダイオードが、それぞれ同一の発光ダイオードウェハから得られた複数の発光ダイオードがその内部における配列を維持して基板上に配列されたものである
ことを特徴とするものである。 The fifteenth invention
In a light emitting diode illuminating device formed by arranging a plurality of red light emitting diodes, green light emitting diodes and blue light emitting diodes on a substrate,
Among the red light emitting diode, the green light emitting diode and the blue light emitting diode, at least the green light emitting diode and the blue light emitting diode are each a plurality of light emitting diodes obtained from the same light emitting diode wafer. It is characterized by being arranged on the substrate while maintaining the arrangement inside.

第１６の発明は、
赤色発光の発光ダイオード、緑色発光の発光ダイオードおよび青色発光の発光ダイオードを基板上にそれぞれ複数個配列することにより形成された発光ダイオード照明装置の製造方法において、
赤色発光の発光ダイオード、緑色発光の発光ダイオードおよび青色発光の発光ダイオードのうちの少なくとも一種類の発光ダイオードとして、同一の発光ダイオードウェハから得られたものを用いる
ことを特徴とするものである。 The sixteenth invention is
In a method for manufacturing a light emitting diode illumination device formed by arranging a plurality of red light emitting diodes, green light emitting diodes and blue light emitting diodes on a substrate,
A light-emitting diode obtained from the same light-emitting diode wafer is used as at least one of the red light-emitting diode, the green light-emitting diode, and the blue light-emitting diode.

第１７の発明は、
赤色発光の発光ダイオード、緑色発光の発光ダイオードおよび青色発光の発光ダイオードを基板上にそれぞれ複数個配列することにより形成された発光ダイオード照明装置の製造方法において、
赤色発光の発光ダイオード、緑色発光の発光ダイオードおよび青色発光の発光ダイオードのうちの少なくとも一種類の発光ダイオードとして、同一の発光ダイオードウェハから得られた複数の発光ダイオードをその内部における配列を維持して基板上に配列する
ことを特徴とするものである。 The seventeenth invention
In a method for manufacturing a light emitting diode illumination device formed by arranging a plurality of red light emitting diodes, green light emitting diodes and blue light emitting diodes on a substrate,
As a light emitting diode of at least one of a red light emitting diode, a green light emitting diode, and a blue light emitting diode, a plurality of light emitting diodes obtained from the same light emitting diode wafer are maintained in an arrangement therein. It is arranged on a substrate.

第１８の発明は、
赤色発光の発光ダイオード、緑色発光の発光ダイオードおよび青色発光の発光ダイオードを基板上にそれぞれ複数個配列することにより形成された発光ダイオード照明装置の製造方法において、
赤色発光の発光ダイオード、緑色発光の発光ダイオードおよび青色発光の発光ダイオードのうちの少なくとも緑色発光の発光ダイオードおよび青色発光の発光ダイオードとして、それぞれ同一の発光ダイオードウェハから得られた複数の発光ダイオードをその内部における配列を維持して基板上に配列する
ことを特徴とするものである。 The eighteenth invention
In a method for manufacturing a light emitting diode illumination device formed by arranging a plurality of red light emitting diodes, green light emitting diodes and blue light emitting diodes on a substrate,
A plurality of light emitting diodes obtained from the same light emitting diode wafer are used as at least a green light emitting diode and a blue light emitting diode among the red light emitting diode, the green light emitting diode, and the blue light emitting diode. It is characterized by being arranged on the substrate while maintaining the arrangement inside.

第１９の発明は、
赤色発光の発光ダイオード、緑色発光の発光ダイオードおよび青色発光の発光ダイオードを基板上にそれぞれ複数個配列することにより形成された発光ダイオードアレイ装置において、
赤色発光の発光ダイオード、緑色発光の発光ダイオードおよび青色発光の発光ダイオードのうちの少なくとも一種類の発光ダイオードが、同一の発光ダイオードウェハから得られたものである
ことを特徴とするものである。 The nineteenth invention
In a light emitting diode array device formed by arranging a plurality of red light emitting diodes, green light emitting diodes and blue light emitting diodes on a substrate,
At least one of the red light emitting diode, the green light emitting diode, and the blue light emitting diode is obtained from the same light emitting diode wafer.

第２０の発明は、
赤色発光の発光ダイオード、緑色発光の発光ダイオードおよび青色発光の発光ダイオードを基板上にそれぞれ複数個配列することにより形成された発光ダイオードアレイ装置において、
赤色発光の発光ダイオード、緑色発光の発光ダイオードおよび青色発光の発光ダイオードのうちの少なくとも一種類の発光ダイオードが、同一の発光ダイオードウェハから得られた複数の発光ダイオードがその内部における配列を維持して基板上に配列されたものである
ことを特徴とするものである。 The twentieth invention is
In a light emitting diode array device formed by arranging a plurality of red light emitting diodes, green light emitting diodes and blue light emitting diodes on a substrate,
At least one kind of red light emitting diode, green light emitting diode and blue light emitting diode is used, and a plurality of light emitting diodes obtained from the same light emitting diode wafer are maintained in the arrangement inside. It is characterized by being arranged on a substrate.

第２１の発明は、
赤色発光の発光ダイオード、緑色発光の発光ダイオードおよび青色発光の発光ダイオードを基板上にそれぞれ複数個配列することにより形成された発光ダイオードアレイ装置において、
赤色発光の発光ダイオード、緑色発光の発光ダイオードおよび青色発光の発光ダイオードのうちの少なくとも緑色発光の発光ダイオードおよび青色発光の発光ダイオードが、それぞれ同一の発光ダイオードウェハから得られた複数の発光ダイオードがその内部における配列を維持して基板上に配列されたものである
ことを特徴とするものである。 The twenty-first invention
In a light emitting diode array device formed by arranging a plurality of red light emitting diodes, green light emitting diodes and blue light emitting diodes on a substrate,
Among the red light emitting diode, the green light emitting diode and the blue light emitting diode, at least the green light emitting diode and the blue light emitting diode are each a plurality of light emitting diodes obtained from the same light emitting diode wafer. It is characterized by being arranged on the substrate while maintaining the arrangement inside.

第２２の発明は、
赤色発光の発光ダイオード、緑色発光の発光ダイオードおよび青色発光の発光ダイオードを基板上にそれぞれ複数個配列することにより形成された発光ダイオードアレイ装置の製造方法において、
赤色発光の発光ダイオード、緑色発光の発光ダイオードおよび青色発光の発光ダイオードのうちの少なくとも一種類の発光ダイオードとして、同一の発光ダイオードウェハから得られたものを用いる
ことを特徴とするものである。 The twenty-second invention relates to
In a method of manufacturing a light emitting diode array device formed by arranging a plurality of red light emitting diodes, green light emitting diodes and blue light emitting diodes on a substrate,
A light-emitting diode obtained from the same light-emitting diode wafer is used as at least one of the red light-emitting diode, the green light-emitting diode, and the blue light-emitting diode.

第２３の発明は、
赤色発光の発光ダイオード、緑色発光の発光ダイオードおよび青色発光の発光ダイオードを基板上にそれぞれ複数個配列することにより形成された発光ダイオードアレイ装置の製造方法において、
赤色発光の発光ダイオード、緑色発光の発光ダイオードおよび青色発光の発光ダイオードのうちの少なくとも一種類の発光ダイオードとして、同一の発光ダイオードウェハから得られた複数の発光ダイオードをその内部における配列を維持して基板上に配列する
ことを特徴とするものである。 The twenty-third invention
In a method of manufacturing a light emitting diode array device formed by arranging a plurality of red light emitting diodes, green light emitting diodes and blue light emitting diodes on a substrate,
As a light emitting diode of at least one of a red light emitting diode, a green light emitting diode, and a blue light emitting diode, a plurality of light emitting diodes obtained from the same light emitting diode wafer are maintained in an arrangement therein. It is arranged on a substrate.

第２４の発明は、
赤色発光の発光ダイオード、緑色発光の発光ダイオードおよび青色発光の発光ダイオードを基板上にそれぞれ複数個配列することにより形成された発光ダイオードアレイ装置の製造方法において、
赤色発光の発光ダイオード、緑色発光の発光ダイオードおよび青色発光の発光ダイオードのうちの少なくとも緑色発光の発光ダイオードおよび青色発光の発光ダイオードとして、それぞれ同一の発光ダイオードウェハから得られた複数の発光ダイオードをその内部における配列を維持して基板上に配列する
ことを特徴とするものである。 The twenty-fourth invention is
In a method of manufacturing a light emitting diode array device formed by arranging a plurality of red light emitting diodes, green light emitting diodes and blue light emitting diodes on a substrate,
A plurality of light emitting diodes obtained from the same light emitting diode wafer are used as at least a green light emitting diode and a blue light emitting diode among the red light emitting diode, the green light emitting diode, and the blue light emitting diode. It is characterized by being arranged on the substrate while maintaining the arrangement inside.

ここで、発光ダイオードアレイ装置はその用途を問わないが、発光ダイオードバックパネル、発光ダイオードディスプレイ、発光ダイオード照明装置などはその典型的な用途である。
第７〜第２４の発明においては、その性質に反しない限り、第１〜第６の発明に関連して説明したことが成立する。 Here, the use of the light emitting diode array device is not limited, but a light emitting diode back panel, a light emitting diode display, a light emitting diode illumination device, and the like are typical uses.
In the seventh to twenty-fourth inventions, what has been described in relation to the first to sixth inventions is valid as long as it is not contrary to the nature thereof.

上述のように構成されたこの発明においては、同一の発光ダイオードウェハから得られた複数の発光ダイオード同士の発光波長や発光強度のばらつきは、異なる発光ダイオードウェハから得られた複数の発光ダイオードからランダムに取り出した複数の発光ダイオード同士の発光波長や発光強度のばらつきに比べて小さい。また、同一の発光ダイオードウェハ内でも、一部の領域から得られる複数の発光ダイオード同士の発光波長や発光強度のばらつきは、全領域から得られる複数の発光ダイオード同士の発光波長や発光強度のばらつきに比べて小さい。   In the present invention configured as described above, the variation in emission wavelength and emission intensity between a plurality of light emitting diodes obtained from the same light emitting diode wafer is random from a plurality of light emitting diodes obtained from different light emitting diode wafers. This is smaller than the variation in the emission wavelength and emission intensity of the plurality of light emitting diodes taken out. In addition, even within the same light emitting diode wafer, the variation in the emission wavelength and the emission intensity of a plurality of light emitting diodes obtained from a part of the region is the variation of the emission wavelength and the emission intensity of a plurality of light emitting diodes obtained from the entire region. Smaller than

この発明によれば、赤色発光の発光ダイオード、緑色発光の発光ダイオードおよび青色発光の発光ダイオードのうちの少なくとも一種類の発光ダイオードが、同一の発光ダイオードウェハから得られたものであり、あるいは、少なくとも一種類の発光ダイオードが、同一の発光ダイオードウェハから得られた複数の発光ダイオードがその内部における配列を維持して基板上に配列されたものであり、あるいは、少なくとも緑色発光の発光ダイオードおよび青色発光の発光ダイオードが、それぞれ同一の発光ダイオードウェハから得られた複数の発光ダイオードがその内部における配列を維持して基板上に配列されたものであることにより、色および輝度のむらが極めて少ない発光ダイオードバックライト、発光ダイオードディスプレイ、発光ダイオード照明装置などを得ることができる。   According to the present invention, at least one of the red light emitting diode, the green light emitting diode, and the blue light emitting diode is obtained from the same light emitting diode wafer, or at least One type of light-emitting diode is a plurality of light-emitting diodes obtained from the same light-emitting diode wafer and arranged on the substrate while maintaining the arrangement inside thereof, or at least green light-emitting diodes and blue light-emitting diodes The light-emitting diode back of the light-emitting diode is extremely small in unevenness in color and brightness because a plurality of light-emitting diodes obtained from the same light-emitting diode wafer are arranged on the substrate while maintaining the arrangement inside the light-emitting diode. Light, light emitting diode display, light emitting It can be obtained, such as diode lighting device.

以下、この発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。なお、実施形態の全図において、同一または対応する部分には同一の符号を付す。
まず、この発明の第１の実施形態によるＬＥＤバックライトについて説明する。
図１はこのＬＥＤバックライトに用いるＧａＮ系ＬＥＤの製造方法を示し、図２はＧａＮ系ＬＥＤの完成状態を示す。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In all the drawings of the embodiments, the same or corresponding parts are denoted by the same reference numerals.
First, an LED backlight according to a first embodiment of the present invention will be described.
FIG. 1 shows a manufacturing method of a GaN-based LED used for this LED backlight, and FIG. 2 shows a completed state of the GaN-based LED.

図１Ａに示すように、まず、例えば主面がＣ＋面であるサファイア基板１１を用意し、サーマルクリーニングなどによりその表面を清浄化した後、このサファイア基板１１上に例えば有機金属化学気相成長（ＭＯＣＶＤ）法により例えば成長温度５００℃でＧａＮバッファ層（図示せず）を成長させる。その後、基板温度を１０００℃程度まで昇温してＧａＮバッファ層を結晶化し、その上にＳｉドープのｎ型ＧａＮ層１２を例えば厚さ３μｍ成長させる。次に、例えば厚さが２．５ｎｍのＩｎＧａＮからなる井戸層と例えば厚さが６ｎｍのＧａＮからなる障壁層とを交互に成長させて多重量子井戸（ＭＱＷ）構造の活性層１３を成長させる。この活性層１３の井戸数は例えば５〜２０とする。次に、この活性層１３上に必要に応じて劣化防止層としてアンドープＧａＮ層（図示せず）を成長させ、さらに、必要に応じてその上に電子阻止層としてＭｇドープのｐ型ＡｌＧａＮ層（図示せず）を成長させた後、その上にＭｇドープのｐ型ＧａＮ層１４を成長させる。ｐ型ＡｌＧａＮ層は、例えばＡｌ組成が０．１５で厚さが２０ｎｍである。次に、必要に応じて、ｐ型ＧａＮ層１４およびｐ型ＡｌＧａＮ層にドープされたＭｇを電気的に活性化するために熱処理を行う。次に、ｐ型ＧａＮ層１４上の所定部分に例えばＮｉ／Ｐｔ／Ａｕ構造や高反射率のＡｇなどからなるｐ側電極１５を形成する。この後、ｐ側電極１５上に例えばＡｕなどからなるパッド電極１６を形成する。   As shown in FIG. 1A, first, for example, a sapphire substrate 11 whose main surface is a C + surface is prepared, and its surface is cleaned by thermal cleaning or the like, and then, for example, metal organic chemical vapor deposition ( For example, a GaN buffer layer (not shown) is grown at a growth temperature of 500 ° C. by MOCVD. Thereafter, the substrate temperature is raised to about 1000 ° C. to crystallize the GaN buffer layer, and a Si-doped n-type GaN layer 12 is grown thereon to a thickness of 3 μm, for example. Next, a well layer made of, for example, 2.5 nm thick InGaN and a barrier layer made of, for example, 6 nm thick GaN are alternately grown to grow an active layer 13 having a multiple quantum well (MQW) structure. The number of wells in the active layer 13 is 5 to 20, for example. Next, if necessary, an undoped GaN layer (not shown) is grown as a deterioration preventing layer on the active layer 13, and an Mg-doped p-type AlGaN layer (as an electron blocking layer is formed thereon if necessary. Then, an Mg-doped p-type GaN layer 14 is grown thereon. For example, the p-type AlGaN layer has an Al composition of 0.15 and a thickness of 20 nm. Next, heat treatment is performed as necessary to electrically activate Mg doped in the p-type GaN layer 14 and the p-type AlGaN layer. Next, a p-side electrode 15 made of, for example, a Ni / Pt / Au structure or high reflectivity Ag is formed on a predetermined portion on the p-type GaN layer 14. Thereafter, a pad electrode 16 made of, for example, Au is formed on the p-side electrode 15.

上記のＧａＮ系半導体層の成長原料は、例えば、Ｇａ原料としてはトリメチルガリウム（（ＣＨ3 ）3 Ｇａ、ＴＭＧ）、Ａｌ原料としてはトリメチルアルミニウム（（ＣＨ3 ）3 Ａｌ、ＴＭＡ）、Ｉｎ原料としてはトリメチルインジウム（（ＣＨ3 ）3 Ｉｎ、ＴＭＩ）を、Ｎ原料としてはＮＨ3 を用いる。ドーパントについては、ｎ型ドーパントとしては例えばシラン（ＳｉＨ4 ）を、ｐ型ドーパントとしては例えばビス＝メチルシクロペンタジエニルマグネシウム（（ＣＨ3 Ｃ5 Ｈ4 ）2 Ｍｇ）あるいはビス＝シクロペンタジエニルマグネシウム（（Ｃ5 Ｈ5 ）2 Ｍｇ）を用いる。 For example, trimethylgallium ((CH 3 ) 3 Ga, TMG) is used as a Ga source, trimethylaluminum ((CH 3 ) 3 Al, TMA) is used as an Al source, and In is used as an In source. Uses trimethylindium ((CH 3 ) 3 In, TMI) and NH 3 as the N source. As for the dopant, for example, silane (SiH 4 ) is used as the n-type dopant, and bis = methylcyclopentadienyl magnesium ((CH 3 C 5 H 4 ) 2 Mg) or bis = cyclopentadienyl is used as the p-type dopant. Magnesium ((C 5 H 5 ) 2 Mg) is used.

次に、図１Ｂに示すように、ｐ側電極１５およびパッド電極１６を覆う所定形状のエッチングマスク（図示せず）を形成した後、このエッチングマスクを用いて例えば反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）法によりｎ型ＧａＮ層１２が露出するまでエッチングを行う。
次に、図１Ｃに示すように、ｎ型ＧａＮ層１２上に例えばＴｉ／Ａｕ構造のｎ側電極１７を形成する。
次に、こうして形成されたＧａＮ系ＬＥＤウェハを切り出してチップ化する。これによって、図１Ｄに示すように、ＧａＮ系ＬＥＤが得られる。図２にこのＧａＮ系ＬＥＤの斜視図を示す。 Next, as shown in FIG. 1B, an etching mask (not shown) having a predetermined shape covering the p-side electrode 15 and the pad electrode 16 is formed, and then, for example, reactive ion etching (RIE) is performed using this etching mask. Etching is performed until the n-type GaN layer 12 is exposed.
Next, as shown in FIG. 1C, an n-side electrode 17 having, for example, a Ti / Au structure is formed on the n-type GaN layer 12.
Next, the GaN-based LED wafer thus formed is cut out into chips. As a result, a GaN-based LED is obtained as shown in FIG. 1D. FIG. 2 shows a perspective view of the GaN-based LED.

図３に活性層１３の成長温度による活性層１３の発光波長の変化を示す。ただし、活性層１３のＩｎＧａＮからなる井戸層の厚さは２．５〜３ｎｍである。例えば、青色として許容される波長範囲が４６５〜４５５ｎｍとすると、そのときの活性層１３の成長温度は７１２〜７２０℃となる。また、緑色として許容される波長範囲が５１７〜５２３ｎｍとすると、そのときの活性層１３の成長温度は６８０〜６８４℃となる。青色、緑色の波長範囲は人の目で見て明らかに色が分かる範囲であり、特に緑色は人間の目に対して色の変化を感じやすいので、波長範囲を狭くした。例えば、活性層１３の成長温度を７１６℃とすることにより波長４６０ｎｍの青色発光のＧａＮ系ＬＥＤを得ることができ、活性層１３の成長温度を６８２℃とすることにより波長５２０ｎｍの緑色発光のＧａＮ系ＬＥＤを得ることができる。   FIG. 3 shows changes in the emission wavelength of the active layer 13 depending on the growth temperature of the active layer 13. However, the thickness of the well layer made of InGaN of the active layer 13 is 2.5 to 3 nm. For example, if the wavelength range allowed for blue is 465 to 455 nm, the growth temperature of the active layer 13 at that time is 712 to 720 ° C. If the wavelength range allowed for green is 517 to 523 nm, the growth temperature of the active layer 13 at that time is 680 to 684 ° C. The wavelength range of blue and green is a range in which the color can be clearly seen with the human eye. In particular, the wavelength range is narrowed because green is easy to feel a color change for the human eye. For example, a blue light emitting GaN-based LED having a wavelength of 460 nm can be obtained by setting the growth temperature of the active layer 13 to 716 ° C., and a green light emitting GaN having a wavelength of 520 nm by setting the growth temperature of the active layer 13 to 682 ° C. System LEDs can be obtained.

サファイア基板１１上にＬＥＤを構成するＧａＮ系半導体層を成長させるのに用いるＭＯＣＶＤ装置を図４に示す。図４に示すように、このＭＯＣＶＤ装置においては、反応管５１の下側に図５に示すようなサセプタ５２が設けられている。このサセプタ５２上に成長基板５３が載置される。この場合、成長基板５３はサファイア基板１１である。このサセプタ５２の内部にはヒータ（図示せず）が設けられており、このヒータにより成長基板５３を必要な温度に加熱することができるようになっている。この場合、サセプタ５２は成長基板５３より十分に大きくし、反応管５１の幅もサセプタ５２より十分に大きくしてある。反応管５１の上流部は仕切り板５４で上下二つの部分に分けられている。そして、反応管５１の上側のインレット５５には十分に均一な流れの窒素または水素を導入し、下側のインレット５６には十分に均一な流れのアンモニアおよび有機ＩＩＩ族原料を導入する。
サセプタ５２上の成長基板５３の温度の面内分布を十分に小さく抑えるために、成長基板５３は、図６Ａに示すように、好適には、例えばＳｉＣコートカーボン製で厚さが２ｍｍ以上の均熱板５７上に載せ、均熱するのが有効である。あるいは、成長基板５３としてのサファイア基板１１が例えば０．４ｍｍ程度の厚さである場合には成長中に反ってしまい、それにより均熱板５７から離れて温度の分布が生じるため、図６Ｂに示すように、成長基板５３が成長中に反らないように十分な厚さ、例えば１ｍｍ程度の厚さにすることも有効である。さらに、図６Ｃに示すように、成長基板５３が反ったときの形状に合わせて均熱板５７の中心部分にくぼみを持たせ、成長基板５３の裏面のすべてが均熱板５７と接触するようにすることも有効である。この均熱板５７のくぼみの形状は、例えば、活性層１３の成長時の温度に加熱したときの成長基板５３の反りに合わせるのが望ましい。
成長原料のＶ／ＩＩＩ比の面内分布を十分に小さく抑えるためには、ＩＩＩ族元素の原料とＶ族元素の原料との合流部分での合流を均一にしたり、反応管５１を上記のように構成してＩＩＩ族元素の原料とＶ族元素の原料とを下から合流させてそれを均一な層流にして流したり、反応管５１の側面をサセプタ５２から遠ざけたりすることが有効である。 FIG. 4 shows an MOCVD apparatus used for growing a GaN-based semiconductor layer constituting an LED on the sapphire substrate 11. As shown in FIG. 4, in this MOCVD apparatus, a susceptor 52 as shown in FIG. A growth substrate 53 is placed on the susceptor 52. In this case, the growth substrate 53 is the sapphire substrate 11. A heater (not shown) is provided inside the susceptor 52 so that the growth substrate 53 can be heated to a necessary temperature by the heater. In this case, the susceptor 52 is sufficiently larger than the growth substrate 53, and the width of the reaction tube 51 is also sufficiently larger than the susceptor 52. The upstream portion of the reaction tube 51 is divided into two upper and lower portions by a partition plate 54. Then, a sufficiently uniform flow of nitrogen or hydrogen is introduced into the upper inlet 55 of the reaction tube 51, and a sufficiently uniform flow of ammonia and the organic group III material are introduced into the lower inlet 56.
In order to keep the in-plane distribution of the temperature of the growth substrate 53 on the susceptor 52 sufficiently small, as shown in FIG. 6A, the growth substrate 53 is preferably made of, for example, SiC coated carbon and has a thickness of 2 mm or more. It is effective to place it on the heat plate 57 and soak it. Alternatively, when the sapphire substrate 11 as the growth substrate 53 has a thickness of, for example, about 0.4 mm, it is warped during the growth, thereby causing a temperature distribution away from the soaking plate 57, so that FIG. As shown, it is also effective to make the growth substrate 53 sufficiently thick so that it does not warp during growth, for example, about 1 mm. Further, as shown in FIG. 6C, a recess is formed in the central portion of the soaking plate 57 in accordance with the shape when the growth substrate 53 is warped, so that the entire back surface of the growing substrate 53 is in contact with the soaking plate 57. It is also effective to make it. The shape of the recess of the soaking plate 57 is desirably matched to the warp of the growth substrate 53 when heated to the temperature at which the active layer 13 is grown.
In order to keep the in-plane distribution of the V / III ratio of the growth raw material sufficiently small, the merging of the group III element raw material and the group V element raw material is made uniform or the reaction tube 51 is made as described above. It is effective to combine the raw material of the group III element and the raw material of the group V element from below and flow them in a uniform laminar flow, or to move the side surface of the reaction tube 51 away from the susceptor 52. .

このＭＯＣＶＤ装置においては、サセプタ５２上の成長基板５３の温度の面内分布は±１℃以内に抑えることができるとともに、成長基板５３上に均一な層流内で成長を行うことができ、活性層１３の厚さの面内分布を±２％以内に抑えることができ、さらに計算で求めた原料のＶ／ＩＩＩ比の面内均一性も±２％以内であった。このようにして得られたＧａＮ系ＬＥＤウェハは、緑色発光用のものとしては発光波長５２０ｎｍ±２ｎｍの均一性をその外側から２ｍｍの範囲を除いた部分で達成し、青色発光用のものとしては発光波長４６０ｎｍ±２ｎｍの均一性をその外側から２ｍｍの範囲を除いた部分で達成した。
一方、従来公知の方法で、例えばｎ型ＧａＡｓ基板上にＡｌＧａＩｎＰ系半導体層を成長させて赤色発光ＡｌＧａＩｎＰ系ＬＥＤウェハを製造する。 In this MOCVD apparatus, the in-plane distribution of the temperature of the growth substrate 53 on the susceptor 52 can be suppressed to within ± 1 ° C., and growth can be performed in a uniform laminar flow on the growth substrate 53. The in-plane distribution of the thickness of the layer 13 could be suppressed within ± 2%, and the in-plane uniformity of the V / III ratio of the raw material obtained by calculation was also within ± 2%. The GaN-based LED wafer thus obtained achieves a uniformity of emission wavelength of 520 nm ± 2 nm in a portion excluding the range of 2 mm from the outside for green light emission, and for blue light emission. Uniformity with an emission wavelength of 460 nm ± 2 nm was achieved in the portion excluding the range of 2 mm from the outside.
On the other hand, a red light emitting AlGaInP LED wafer is manufactured by growing an AlGaInP semiconductor layer on an n-type GaAs substrate, for example, by a conventionally known method.

次に、上述のようにして製造された赤色発光ＡｌＧａＩｎＰ系ＬＥＤウェハ、緑色発光ＧａＮ系ＬＥＤウェハおよび青色発光ＧａＮ系ＬＥＤウェハを分割してチップ化する。例えば、緑色発光ＧａＮ系ＬＥＤウェハについて具体的に説明する。まず、図７Ａに示す緑色発光ＧａＮ系ＬＥＤウェハの縁から２ｍｍの範囲内の外周部を図７Ｂに示すように研削して除去する。これは緑色発光ＧａＮ系ＬＥＤウェハの縁から２ｍｍの範囲内の外周部は一般に半導体層の成長が不均一となり、この部分からは良好なＬＥＤを作製することができないためである。次に、図７Ｃに示すように、緑色発光ＧａＮ系ＬＥＤウェハのダイシングを行って分割し、チップ化する。次に、図７Ｄおよび図７Ｅに示すように、ウェハの一部の領域から得られた緑色発光ＧａＮ系ＬＥＤを、矢印で示すようにウェハ内部における配列を維持したまま、透明なガラスやプラスチックからなる導光板１０１上にマウントする。より詳細には、それぞれの緑色発光ＧａＮ系ＬＥＤのウェハ内部における位置をメモリなどに記憶しておき、この位置情報に基づいてウェハ内部における配列順序を再現する形で導光板１０１上にマウントする。ここで、これらの緑色発光ＧａＮ系ＬＥＤはウェハの一部の領域から取り出されたものであるため、発光波長および発光強度とも±５ｎｍ以内に揃っている。赤色発光ＡｌＧａＩｎＰ系ＬＥＤウェハおよび青色発光ＧａＮ系ＬＥＤウェハについても同様にしてチップ化し、ウェハー内部における配列を維持したまま導光板１０１上にマウントする。この場合、隣接して配列した赤色発光ＡｌＧａＩｎＰ系ＬＥＤ、緑色発光ＧａＮ系ＬＥＤおよび青色発光ＧａＮ系ＬＥＤからなる３個のＬＥＤにより一単位の発光部が構成され、この発光部が必要な数だけ二次元アレイ状に配列される。各ＬＥＤの大きさは例えば１ｍｍ角程度、そのときのＬＥＤの配列ピッチは例えば２０ｍｍ程度である。各ＬＥＤの大きさがより小さく例えば０．５ｍｍ角程度のとき、ＬＥＤの配列ピッチは例えば１０ｍｍ程度である。各ＬＥＤの大きさがさらに小さく例えば０．１ｍｍ（１００μｍ）角程度のとき、ＬＥＤの配列ピッチは例えば１ｍｍ程度である。各ＬＥＤの大きさが小さく、配列ピッチが短くなるにつれてＬＥＤの個数が多くなるが、均一な発光が得られるという利点がある。   Next, the red light emitting AlGaInP LED wafer, the green light emitting GaN LED wafer, and the blue light emitting GaN LED wafer manufactured as described above are divided into chips. For example, a green light emitting GaN-based LED wafer will be specifically described. First, the outer peripheral portion within a range of 2 mm from the edge of the green light-emitting GaN-based LED wafer shown in FIG. 7A is ground and removed as shown in FIG. 7B. This is because the growth of the semiconductor layer is generally non-uniform in the outer peripheral portion within a range of 2 mm from the edge of the green light emitting GaN-based LED wafer, and a good LED cannot be produced from this portion. Next, as shown in FIG. 7C, the green light-emitting GaN-based LED wafer is diced and divided into chips. Next, as shown in FIGS. 7D and 7E, green light-emitting GaN-based LEDs obtained from a partial area of the wafer are made of transparent glass or plastic while maintaining the arrangement inside the wafer as indicated by arrows. Mount on the light guide plate 101. More specifically, the position of each green light emitting GaN-based LED inside the wafer is stored in a memory or the like, and mounted on the light guide plate 101 so as to reproduce the arrangement order inside the wafer based on this position information. Here, since these green light emitting GaN-based LEDs are taken out from a partial region of the wafer, both the emission wavelength and the emission intensity are within ± 5 nm. The red light emitting AlGaInP LED wafer and the blue light emitting GaN LED wafer are similarly chipped and mounted on the light guide plate 101 while maintaining the arrangement inside the wafer. In this case, one unit of light emitting part is constituted by three LEDs composed of a red light emitting AlGaInP LED, a green light emitting GaN LED, and a blue light emitting GaN LED arranged adjacent to each other. Arranged in a dimensional array. The size of each LED is, for example, about 1 mm square, and the arrangement pitch of the LEDs at that time is, for example, about 20 mm. When the size of each LED is smaller, for example, about 0.5 mm square, the arrangement pitch of the LEDs is, for example, about 10 mm. When the size of each LED is even smaller, for example, about 0.1 mm (100 μm) square, the arrangement pitch of the LEDs is, for example, about 1 mm. Although the number of LEDs increases as the size of each LED decreases and the arrangement pitch decreases, there is an advantage that uniform light emission can be obtained.

図８にこのようにして得られたＬＥＤバックライトを示す。導光板１０１には正方形または長方形の穴１０２が二次元アレイ状に設けられ、その穴１０２の中に各ＬＥＤがシリコーン樹脂などの接着剤によりマウントされる。符号１０３〜１０５がそれぞれ赤色発光ＡｌＧａＩｎＰ系ＬＥＤ、緑色発光ＧａＮ系ＬＥＤおよび青色発光ＧａＮ系ＬＥＤを示す。図９に示すように、赤色発光ＡｌＧａＩｎＰ系ＬＥＤ同士を直列に接続するように駆動用の配線１０６を形成し、緑色発光ＧａＮ系ＬＥＤ同士を直列に接続するように駆動用の配線１０７を形成し、青色発光ＧａＮ系ＬＥＤ同士を直列に接続するように駆動用の配線１０８を形成する。これらの配線１０６〜１０８に電流を流すことにより各ＬＥＤを発光させることができ、導光板１０１の後面から白色光が取り出され、バックライトを実現することができる。このＬＥＤバックライトは液晶用バックライトとして用いて好適なものである。   FIG. 8 shows the LED backlight thus obtained. The light guide plate 101 is provided with square or rectangular holes 102 in a two-dimensional array, and the LEDs are mounted in the holes 102 with an adhesive such as silicone resin. Reference numerals 103 to 105 denote a red light emitting AlGaInP LED, a green light emitting GaN LED, and a blue light emitting GaN LED, respectively. As shown in FIG. 9, a drive wiring 106 is formed so that red light emitting AlGaInP LEDs are connected in series, and a driving wiring 107 is formed so that green light emitting GaN LEDs are connected in series. The drive wiring 108 is formed so that the blue light emitting GaN-based LEDs are connected in series. Each LED can emit light by causing current to flow through these wirings 106 to 108, and white light is extracted from the rear surface of the light guide plate 101, thereby realizing a backlight. This LED backlight is suitable for use as a liquid crystal backlight.

以上のように、この第１の実施形態によれば、同一のＬＥＤウェハの一部の領域から得られた発光波長および発光強度が揃った赤色発光ＬＥＤ、緑色発光ＬＥＤおよび青色発光ＬＥＤをウェハ内部における配列を維持して導光板１０１上に配列することによりＬＥＤバックライトを構成しているので、従来に比べて色および輝度の均一性が高い白色ＬＥＤバックライトを実現することができる。   As described above, according to the first embodiment, the red light emitting LED, the green light emitting LED, and the blue light emitting LED having the same light emission wavelength and light emission intensity obtained from a part of the same LED wafer are arranged inside the wafer. Since the LED backlight is configured by maintaining the arrangement in FIG. 5 and arranging it on the light guide plate 101, it is possible to realize a white LED backlight having higher color and luminance uniformity than the conventional one.

次に、この発明の第２の実施形態によるＬＥＤバックライトについて説明する。
この第２の実施形態においては、第１の実施形態と同様に工程を進めてパッド電極１６まで形成した後、サファイア基板１１の裏面側から例えばエキシマーレーザなどによるレーザビームを照射することにより、サファイア基板１１から、ｎ型ＧａＮ層１２から上の部分を剥離する。この際、樹脂などでパッド電極１６側を固定してから剥離を行うのが望ましい。図１０にこのようにして得られるＧａＮ系ＬＥＤを示す。
上記以外のことは、第１の実施形態と同様である。
この第２の実施形態によれば、第１の実施形態と同様な利点を得ることができる。 Next explained is an LED backlight according to the second embodiment of the invention.
In the second embodiment, the process proceeds to the pad electrode 16 in the same manner as in the first embodiment, and then irradiated with a laser beam such as an excimer laser from the back surface side of the sapphire substrate 11, thereby producing sapphire. The upper part from the n-type GaN layer 12 is peeled off from the substrate 11. At this time, it is desirable to perform peeling after fixing the pad electrode 16 side with a resin or the like. FIG. 10 shows a GaN-based LED obtained in this way.
Other than the above are the same as in the first embodiment.
According to the second embodiment, the same advantages as those of the first embodiment can be obtained.

次に、この発明の第３の実施形態によるＬＥＤバックライトについて説明する。
この第３の実施形態においては、第１の実施形態と同様に工程を進めてパッド電極１６まで形成し、ｎ型ＧａＮ層１２上にｎ側電極１７を形成しないで、サファイア基板１１の裏面側から例えばエキシマーレーザなどによるレーザビームを照射することにより、サファイア基板１１から、ｎ型ＧａＮ層１２から上の部分を剥離する。この際、樹脂などでパッド電極１６側を固定してから剥離を行うのが望ましい。次に、このようにして剥離されたＧａＮ系ＬＥＤウェハのｎ型ＧａＮ層１２を裏面からＨＣｌなどを用いてウエットエッチングしたり、さらにラッピングを行ったりすることにより除去してｎ型ＧａＮ層１２の裏面を露出させた後、この裏面にｎ側電極１７を形成する。このｎ側電極１７は例えばインジウム−スズ酸化物（ＩＴＯ）、酸化ニッケル（ＮｉＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）などからなる透明電極とし、この場合はｎ型ＧａＮ層１２の裏面の全面にわたってｎ側電極１７を形成することができる。図１０にこのようにして得られるＧａＮ系ＬＥＤを示す。
上記以外のことは、第１の実施形態と同様である。
この第３の実施形態によれば、第１の実施形態と同様な利点を得ることができる。 Next explained is an LED backlight according to the third embodiment of the invention.
In the third embodiment, the process proceeds to the pad electrode 16 in the same manner as in the first embodiment, and the n-side electrode 17 is not formed on the n-type GaN layer 12, and the back surface side of the sapphire substrate 11 is formed. The upper portion of the sapphire substrate 11 is peeled off from the n-type GaN layer 12 by irradiating with a laser beam such as an excimer laser. At this time, it is desirable to perform peeling after fixing the pad electrode 16 side with resin or the like. Next, the n-type GaN layer 12 of the GaN-based LED wafer thus peeled off is removed from the back surface by wet etching using HCl or the like, or by further lapping to remove the n-type GaN layer 12. After the back surface is exposed, the n-side electrode 17 is formed on the back surface. The n-side electrode 17 is a transparent electrode made of, for example, indium-tin oxide (ITO), nickel oxide (NiO), zinc oxide (ZnO) or the like. 17 can be formed. FIG. 10 shows a GaN-based LED obtained in this way.
Other than the above are the same as in the first embodiment.
According to the third embodiment, the same advantages as those of the first embodiment can be obtained.

次に、この発明の第４の実施形態によるＬＥＤバックライトについて説明する。
この第４の実施形態においては、第１の実施形態において、サファイア基板１１上にＭＯＣＶＤ法によりＧａＮ系半導体を成長させてＧａＮ系ＬＥＤウェハを製造する場合に、ＭＯＣＶＤ装置の反応管５１内で成長中に成長基板５３上に予期せぬ塵埃などの異物の付着が生じたことによりウェハ面内の成長温度の分布が正常時に比べて幾分悪化し、その結果、例えば緑色発光ＧａＮ系ＬＥＤウェハにおいては発光波長が５２０ｎｍ±２ｎｍとなる範囲が中央部の半径１０ｍｍの範囲のみとなった場合を考える。 Next explained is an LED backlight according to the fourth embodiment of the invention.
In the fourth embodiment, in the first embodiment, when a GaN-based LED wafer is manufactured by growing a GaN-based semiconductor on the sapphire substrate 11 by MOCVD, the growth is performed in the reaction tube 51 of the MOCVD apparatus. The unexpected growth of foreign matter such as dust on the growth substrate 53 causes the distribution of the growth temperature in the wafer surface to be somewhat worse than normal. As a result, for example, in a green light emitting GaN LED wafer Consider a case where the emission wavelength is in the range of 520 nm ± 2 nm only in the central radius of 10 mm.

この場合、図１２Ａに示す緑色発光ＧａＮ系ＬＥＤウェハの外周部を図１２Ｂに示すように研削して除去し、中央部の半径１０ｍｍの部分のみ残す。次に、図１２Ｃに示すように、こうして得られた半径１０ｍｍの緑色発光ＧａＮ系ＬＥＤウェハのダイシングを行って分割し、チップ化する。次に、図１２Ｄおよび図１２Ｅに示すように、このウェハの一部の領域から得られた緑色発光ＧａＮ系ＬＥＤを、矢印で示すようにウェハ内部における配列を維持したまま導光板１０１上にマウントする。より詳細には、それぞれの緑色発光ＧａＮ系ＬＥＤのウェハ内部における位置をメモリなどに記憶しておき、この位置情報に基づいてウェハ内部における配列順序を再現する形で導光板１０１上にマウントする。ここで、これらの緑色発光ＧａＮ系ＬＥＤはウェハの一部の領域から取り出されたものであるため、発光波長および発光強度とも±５ｎｍ以内に揃っている。
上記以外のことは、第１の実施形態と同様である。
この第４の実施形態によれば、第１の実施形態と同様な利点を得ることができる。 In this case, the outer peripheral portion of the green light-emitting GaN-based LED wafer shown in FIG. 12A is removed by grinding as shown in FIG. 12B, leaving only the central portion having a radius of 10 mm. Next, as shown in FIG. 12C, the green light-emitting GaN-based LED wafer having a radius of 10 mm obtained in this way is diced and divided into chips. Next, as shown in FIG. 12D and FIG. 12E, green light-emitting GaN-based LEDs obtained from a part of the wafer are mounted on the light guide plate 101 while maintaining the arrangement inside the wafer as indicated by arrows. To do. More specifically, the position of each green light emitting GaN-based LED inside the wafer is stored in a memory or the like, and mounted on the light guide plate 101 so as to reproduce the arrangement order inside the wafer based on this position information. Here, since these green light emitting GaN-based LEDs are taken out from a partial region of the wafer, both the emission wavelength and the emission intensity are within ± 5 nm.
Other than the above are the same as in the first embodiment.
According to the fourth embodiment, the same advantages as those of the first embodiment can be obtained.

次に、この発明の第５の実施形態によるＬＥＤディスプレイについて説明する。
この第５の実施形態においては、図１３Ａに示す緑色発光ＧａＮ系ＬＥＤウェハの縁から２ｍｍの範囲内の外周部を図１３Ｂに示すように研削して除去する。次に、図１３Ｃに示すように、緑色発光ＧａＮ系ＬＥＤウェハのダイシングを行って分割し、チップ化する。次に、図１３Ｄおよび図１３Ｅに示すように、ウェハの一部の領域から得られた緑色発光ＧａＮ系ＬＥＤを、矢印で示すようにウェハ内部における配列を維持したまま導光板１０１上にマウントする。より詳細には、それぞれの緑色発光ＧａＮ系ＬＥＤのウェハ内部における位置をメモリなどに記憶しておき、この位置情報に基づいてウェハ内部における配列順序を再現する形で導光板１０１上にマウントする。ここで、これらの緑色発光ＧａＮ系ＬＥＤはウェハの一部の領域から取り出されたものであるため、発光波長および発光強度とも±５ｎｍ以内に揃っている。赤色発光ＡｌＧａＩｎＰ系ＬＥＤウェハおよび青色発光ＧａＮ系ＬＥＤウェハについても同様にしてチップ化し、ウェハー内部における配列を維持したまま導光板１０１上にマウントする。この場合、隣接して配列した赤色発光ＡｌＧａＩｎＰ系ＬＥＤ、緑色発光ＧａＮ系ＬＥＤおよび青色発光ＧａＮ系ＬＥＤからなる３個のＬＥＤにより一画素が構成され、この画素が必要な数だけ二次元アレイ状に配列される。各ＬＥＤの大きさは例えば０．５ｍｍ角程度である。ＬＥＤの配列ピッチは例えば１０ｍｍ程度である。 Next explained is an LED display according to the fifth embodiment of the invention.
In the fifth embodiment, the outer peripheral portion within a range of 2 mm from the edge of the green light emitting GaN-based LED wafer shown in FIG. 13A is removed by grinding as shown in FIG. 13B. Next, as shown in FIG. 13C, the green light-emitting GaN-based LED wafer is diced and divided into chips. Next, as shown in FIGS. 13D and 13E, green light-emitting GaN-based LEDs obtained from a partial region of the wafer are mounted on the light guide plate 101 while maintaining the arrangement inside the wafer as indicated by arrows. . More specifically, the position of each green light emitting GaN-based LED inside the wafer is stored in a memory or the like, and mounted on the light guide plate 101 so as to reproduce the arrangement order inside the wafer based on this position information. Here, since these green light emitting GaN-based LEDs are taken out from a partial region of the wafer, both the emission wavelength and the emission intensity are within ± 5 nm. The red light emitting AlGaInP LED wafer and the blue light emitting GaN LED wafer are similarly chipped and mounted on the light guide plate 101 while maintaining the arrangement inside the wafer. In this case, one pixel is constituted by three LEDs including a red light emitting AlGaInP LED, a green light emitting GaN LED, and a blue light emitting GaN LED arranged adjacent to each other, and as many pixels as necessary are arranged in a two-dimensional array. Arranged. The size of each LED is, for example, about 0.5 mm square. The arrangement pitch of the LEDs is, for example, about 10 mm.

図１４にこのようにして得られたＬＥＤディスプレイを示す。導光板１０１には正方形または長方形の穴１０２が二次元アレイ状に設けられ、その穴１０２の中に各ＬＥＤがシリコーン樹脂などの接着剤によりマウントされる。符号１０３〜１０５がそれぞれ赤色発光ＡｌＧａＩｎＰ系ＬＥＤ、緑色発光ＧａＮ系ＬＥＤおよび青色発光ＧａＮ系ＬＥＤを示す。図１５に示すように、各ＬＥＤを駆動するために、各ＬＥＤのｐ側電極１５上のパッド電極１６間を接続する配線１０６を形成するとともに、各ＬＥＤのｎ側電極１７間を接続する配線１０７を形成する。これらの配線１０６、１０７を線順次駆動することで各ＬＥＤを発光させ、パッシブマトリックス駆動することができ、フルカラーＬＥＤディスプレイを実現することができる。   FIG. 14 shows the LED display thus obtained. The light guide plate 101 is provided with square or rectangular holes 102 in a two-dimensional array, and the LEDs are mounted in the holes 102 with an adhesive such as silicone resin. Reference numerals 103 to 105 denote a red light emitting AlGaInP LED, a green light emitting GaN LED, and a blue light emitting GaN LED, respectively. As shown in FIG. 15, in order to drive each LED, a wiring 106 connecting between the pad electrodes 16 on the p-side electrode 15 of each LED is formed, and a wiring connecting between the n-side electrodes 17 of each LED. 107 is formed. By driving these wirings 106 and 107 line-sequentially, each LED can emit light and can be driven in a passive matrix, and a full color LED display can be realized.

以上のように、この第５の実施形態によれば、同一のＬＥＤウェハの一部の領域から得られた発光波長および発光強度が揃った赤色発光ＬＥＤ、緑色発光ＬＥＤおよび青色発光ＬＥＤをウェハ内部における配列を維持して導光板１０１上に配列することによりＬＥＤディスプレイを構成しているので、従来に比べて色および輝度の均一性が高いフルカラーＬＥＤディスプレイを実現することができる。   As described above, according to the fifth embodiment, the red light emitting LED, the green light emitting LED, and the blue light emitting LED having the same emission wavelength and emission intensity obtained from a part of the same LED wafer are arranged inside the wafer. Since the LED display is configured by maintaining the arrangement in FIG. 5 and arranging it on the light guide plate 101, it is possible to realize a full-color LED display having higher uniformity in color and brightness than in the past.

以上、この発明の実施形態について具体的に説明したが、この発明は、上述の実施形態に限定されるものではなく、この発明の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。
例えば、上述の第１〜第５の実施形態において挙げた数値、材料、構造、形状、基板、原料、プロセスなどはあくまでも例に過ぎず、必要に応じて、これらと異なる数値、材料、構造、形状、基板、原料、プロセスなどを用いてもよい。 As mentioned above, although embodiment of this invention was described concretely, this invention is not limited to the above-mentioned embodiment, The various deformation | transformation based on the technical idea of this invention is possible.
For example, the numerical values, materials, structures, shapes, substrates, raw materials, processes, etc. given in the first to fifth embodiments are merely examples, and if necessary, numerical values, materials, structures, Shapes, substrates, raw materials, processes, etc. may be used.

例えば、第１の実施形態においては、ウェハの一部の領域から得られた緑色発光ＧａＮ系ＬＥＤを、ウェハ内部における配列を維持したまま導光板１０１上にマウントしているが、必ずしもウェハ内部における配列を維持したままマウントする必要はなく、一部のＬＥＤの配列順を変えてマウントするようにしてもよい。
また、例えば、第１〜第５の実施形態において、ＬＥＤを構成する半導体層の積層構造や形状は単なる例に過ぎず、他の積層構造や形状であってもよい。
また、第１〜第５の実施形態においては、成長基板としてサファイア基板を用いているが、必要に応じて、すでに述べたＳｉＣ基板、Ｓｉ基板などの他の基板を用いてもよい。 For example, in the first embodiment, green light-emitting GaN-based LEDs obtained from a partial area of the wafer are mounted on the light guide plate 101 while maintaining the arrangement inside the wafer. There is no need to mount while maintaining the arrangement, and the arrangement order of some of the LEDs may be changed for mounting.
Further, for example, in the first to fifth embodiments, the laminated structure and shape of the semiconductor layers constituting the LED are merely examples, and other laminated structures and shapes may be used.
In the first to fifth embodiments, the sapphire substrate is used as the growth substrate, but other substrates such as the SiC substrate and the Si substrate described above may be used as necessary.

さらに、上述の第１〜第５の実施形態において、ｐ側電極１５の材料として例えばＡｕやＡｇなどを用いるとともに、ｐ型ＧａＮ層１４とｐ側電極１５との間に活性層１３で発生した光の侵入長以下の厚さを有し、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｃｏ、Ｓｂなどからなるコンタクト金属層を形成してもよい。このようにすることにより、コンタクト金属層による反射増強効果で、ＧａＮ系ＬＥＤの発光効率のより一層の向上を図ることができる。
また、上述の第５の実施形態において、各ＬＥＤの裏面側にレンズを設け、ＬＥＤから発光する光をこのレンズで集光してから導光板１０１を通して外部に取り出すようにしてもよい。光取り出し効率を高くするために、樹脂などの屈折率が１以上の物質でＬＥＤの裏面側を覆うようにしてもよい。 Further, in the first to fifth embodiments described above, for example, Au or Ag is used as the material of the p-side electrode 15, and it is generated in the active layer 13 between the p-type GaN layer 14 and the p-side electrode 15. A contact metal layer made of Ni, Pd, Co, Sb, or the like having a thickness that is equal to or smaller than the light penetration length may be formed. By doing in this way, the luminous efficiency of GaN-type LED can be improved further by the reflection enhancement effect by a contact metal layer.
In the fifth embodiment described above, a lens may be provided on the back side of each LED, and light emitted from the LED may be collected by this lens and then taken out through the light guide plate 101. In order to increase the light extraction efficiency, the back side of the LED may be covered with a material having a refractive index of 1 or more such as resin.

この発明の第１の実施形態によるＬＥＤバックライトにおいて用いられるＧａＮ系ＬＥＤの製造方法を説明するための断面図である。It is sectional drawing for demonstrating the manufacturing method of GaN-type LED used in the LED backlight by 1st Embodiment of this invention. この発明の第１の実施形態によるＬＥＤバックライトにおいて用いられるＧａＮ系ＬＥＤを示す斜視図である。It is a perspective view which shows GaN-type LED used in the LED backlight by 1st Embodiment of this invention. 活性層の成長温度と活性層の発光波長との関係を示す略線図である。It is a basic diagram which shows the relationship between the growth temperature of an active layer, and the light emission wavelength of an active layer. この発明の第１の実施形態においてＧａＮ系ＬＥＤのＧａＮ系半導体層の成長に用いられるＭＯＣＶＤ装置の要部を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the principal part of the MOCVD apparatus used for the growth of the GaN-type semiconductor layer of GaN-type LED in 1st Embodiment of this invention. この発明の第１の実施形態においてＧａＮ系ＬＥＤのＧａＮ系半導体層の成長に用いられるＭＯＣＶＤ装置のサセプタ部を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the susceptor part of the MOCVD apparatus used for the growth of the GaN-type semiconductor layer of GaN-type LED in 1st Embodiment of this invention. この発明の第１の実施形態においてＧａＮ系ＬＥＤのＧａＮ系半導体層の成長温度の面内分布を小さく抑えるための方法を説明するための略線図である。It is a basic diagram for demonstrating the method for suppressing the in-plane distribution of the growth temperature of the GaN-type semiconductor layer of GaN-type LED in 1st Embodiment of this invention small. この発明の第１の実施形態においてＧａＮ系ＬＥＤウェハのチップ化およびマウントの方法を示す略線図である。It is a basic diagram which shows the method of chip-izing and mounting of a GaN-type LED wafer in 1st Embodiment of this invention. この発明の第１の実施形態によるＬＥＤバックライトを示す斜視図である。It is a perspective view which shows the LED backlight by 1st Embodiment of this invention. この発明の第１の実施形態によるＬＥＤバックライトを示す斜視図である。It is a perspective view which shows the LED backlight by 1st Embodiment of this invention. この発明の第２の実施形態によるＬＥＤバックライトにおいて用いられるＧａＮ系ＬＥＤを示す斜視図である。It is a perspective view which shows GaN-type LED used in the LED backlight by 2nd Embodiment of this invention. この発明の第３の実施形態によるＬＥＤバックライトにおいて用いられるＧａＮ系ＬＥＤを示す斜視図である。It is a perspective view which shows GaN-type LED used in the LED backlight by 3rd Embodiment of this invention. この発明の第４の実施形態においてＧａＮ系ＬＥＤウェハのチップ化およびマウントの方法を示す略線図である。It is a basic diagram which shows the method of chip-izing and mounting of a GaN-type LED wafer in 4th Embodiment of this invention. この発明の第５の実施形態においてＧａＮ系ＬＥＤウェハのチップ化およびマウントの方法を示す略線図である。It is a basic diagram which shows the method of chip-izing and mounting of a GaN-type LED wafer in 5th Embodiment of this invention. この発明の第５の実施形態によるＬＥＤディスプレイを示す斜視図である。It is a perspective view which shows the LED display by the 5th Embodiment of this invention. この発明の第５の実施形態によるＬＥＤディスプレイを示す斜視図である。It is a perspective view which shows the LED display by the 5th Embodiment of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

１１…サファイア基板、１２…ｎ型ＧａＮ層、１３…活性層、１４…ｐ型ＧａＮ層、１５…ｐ側電極、１６…パッド電極、１７…ｎ側電極、５１…反応管、５２…サセプタ、５３…成長基板、５４…仕切り板、１０１…導光板、１０２…穴、１０３…赤色発光ＡｌＧａＩｎＰ系ＬＥＤ、１０４…緑色発光ＧａＮ系ＬＥＤ、１０５…青色発光ＧａＮ系ＬＥＤ、１０６〜１０８…配線
DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 ... Sapphire substrate, 12 ... n-type GaN layer, 13 ... Active layer, 14 ... p-type GaN layer, 15 ... p-side electrode, 16 ... Pad electrode, 17 ... n-side electrode, 51 ... Reaction tube, 52 ... Susceptor, 53 ... Growth substrate, 54 ... Partition plate, 101 ... Light guide plate, 102 ... Hole, 103 ... Red light emitting AlGaInP LED, 104 ... Green light emitting GaN LED, 105 ... Blue light emitting GaN LED, 106-108 ... Wiring

Claims (27)

赤色発光の発光ダイオード、緑色発光の発光ダイオードおよび青色発光の発光ダイオードを基板上にそれぞれ複数個配列することにより形成された発光ダイオードバックライトにおいて、
上記赤色発光の発光ダイオード、上記緑色発光の発光ダイオードおよび上記青色発光の発光ダイオードのうちの少なくとも一種類の発光ダイオードが、同一の発光ダイオードウェハから得られたものである
ことを特徴とする発光ダイオードバックライト。 In a light emitting diode backlight formed by arranging a plurality of red light emitting diodes, green light emitting diodes and blue light emitting diodes on a substrate,
The light emitting diode, wherein at least one of the red light emitting diode, the green light emitting diode, and the blue light emitting diode is obtained from the same light emitting diode wafer. Backlight. 赤色発光の発光ダイオード、緑色発光の発光ダイオードおよび青色発光の発光ダイオードを基板上にそれぞれ複数個配列することにより形成された発光ダイオードバックライトにおいて、
上記赤色発光の発光ダイオード、上記緑色発光の発光ダイオードおよび上記青色発光の発光ダイオードのうちの少なくとも一種類の発光ダイオードが、同一の発光ダイオードウェハから得られた複数の発光ダイオードがその内部における配列を維持して上記基板上に配列されたものである
ことを特徴とする発光ダイオードバックライト。 In a light emitting diode backlight formed by arranging a plurality of red light emitting diodes, green light emitting diodes and blue light emitting diodes on a substrate,
A plurality of light emitting diodes obtained from the same light emitting diode wafer are arranged in at least one of the red light emitting diode, the green light emitting diode, and the blue light emitting diode. A light-emitting diode backlight, which is maintained and arranged on the substrate. 赤色発光の発光ダイオード、緑色発光の発光ダイオードおよび青色発光の発光ダイオードを基板上にそれぞれ複数個配列することにより形成された発光ダイオードバックライトにおいて、
上記赤色発光の発光ダイオード、上記緑色発光の発光ダイオードおよび上記青色発光の発光ダイオードのうちの少なくとも上記緑色発光の発光ダイオードおよび上記青色発光の発光ダイオードが、それぞれ同一の発光ダイオードウェハから得られた複数の発光ダイオードがその内部における配列を維持して上記基板上に配列されたものである
ことを特徴とする発光ダイオードバックライト。 In a light emitting diode backlight formed by arranging a plurality of red light emitting diodes, green light emitting diodes and blue light emitting diodes on a substrate,
A plurality of at least the green light emitting diode and the blue light emitting diode among the red light emitting diode, the green light emitting diode, and the blue light emitting diode, each obtained from the same light emitting diode wafer. The light-emitting diode backlight is characterized in that the light-emitting diodes are arranged on the substrate while maintaining the arrangement therein. 上記赤色発光の発光ダイオードがＡｌＧａＩｎＰ系半導体層を活性層とする発光ダイオードであり、上記緑色発光の発光ダイオードおよび上記青色発光の発光ダイオードがＢＡｌＧａＩｎＴｌＮ系半導体層を活性層とする発光ダイオードであることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項記載の発光ダイオードバックライト。   The red light emitting diode is a light emitting diode having an AlGaInP semiconductor layer as an active layer, and the green light emitting diode and the blue light emitting diode are light emitting diodes having a BAlGaInTlN semiconductor layer as an active layer. The light emitting diode backlight according to any one of claims 1 to 3. 同一の発光ダイオードウェハから得られた上記複数の緑色発光の発光ダイオードを構成する半導体層の成長温度が±２℃以内、同一の発光ダイオードウェハから得られた上記複数の青色発光の発光ダイオードを構成する半導体層の成長温度が±４℃以内にあることを特徴とする請求項４記載の発光ダイオードバックライト。   The growth temperature of the semiconductor layer constituting the plurality of green light emitting diodes obtained from the same light emitting diode wafer is within ± 2 ° C., and the plurality of blue light emitting diodes obtained from the same light emitting diode wafer are constituted. The light emitting diode backlight according to claim 4, wherein a growth temperature of the semiconductor layer to be formed is within ± 4 ° C. 同一の発光ダイオードウェハから得られた上記複数の赤色発光の発光ダイオードを構成する半導体層の成長時に用いる原料のＶ／ＩＩＩ比が±１０％、同一の発光ダイオードウェハから得られた上記複数の緑色発光の発光ダイオードを構成する半導体層の成長時に用いる原料のＶ／ＩＩＩ比が±１０％、同一の発光ダイオードウェハから得られた上記複数の青色発光の発光ダイオードを構成する半導体層の成長時に用いる原料のＶ／ＩＩＩ比が±１０％以内にあることを特徴とする請求項４記載の発光ダイオードバックライト。   The V / III ratio of the raw materials used during the growth of the semiconductor layers constituting the plurality of red light emitting diodes obtained from the same light emitting diode wafer is ± 10%, and the plurality of green colors obtained from the same light emitting diode wafer The V / III ratio of the raw material used when growing the semiconductor layer constituting the light emitting light emitting diode is ± 10%, and used when growing the semiconductor layers constituting the plurality of blue light emitting diodes obtained from the same light emitting diode wafer. 5. The light emitting diode backlight according to claim 4, wherein the V / III ratio of the raw material is within ± 10%. 赤色発光の発光ダイオード、緑色発光の発光ダイオードおよび青色発光の発光ダイオードを基板上にそれぞれ複数個配列することにより形成された発光ダイオードバックライトの製造方法において、
上記赤色発光の発光ダイオード、上記緑色発光の発光ダイオードおよび上記青色発光の発光ダイオードのうちの少なくとも一種類の発光ダイオードとして、同一の発光ダイオードウェハから得られたものを用いる
ことを特徴とする発光ダイオードバックライトの製造方法。 In a method of manufacturing a light emitting diode backlight formed by arranging a plurality of red light emitting diodes, green light emitting diodes and blue light emitting diodes on a substrate, respectively,
A light emitting diode obtained from the same light emitting diode wafer is used as at least one kind of light emitting diode of the red light emitting diode, the green light emitting diode and the blue light emitting diode. Manufacturing method of backlight. 赤色発光の発光ダイオード、緑色発光の発光ダイオードおよび青色発光の発光ダイオードを基板上にそれぞれ複数個配列することにより形成された発光ダイオードバックライトの製造方法において、
上記赤色発光の発光ダイオード、上記緑色発光の発光ダイオードおよび上記青色発光の発光ダイオードのうちの少なくとも一種類の発光ダイオードとして、同一の発光ダイオードウェハから得られた複数の発光ダイオードをその内部における配列を維持して上記基板上に配列する
ことを特徴とする発光ダイオードバックライトの製造方法。 In a method of manufacturing a light emitting diode backlight formed by arranging a plurality of red light emitting diodes, green light emitting diodes and blue light emitting diodes on a substrate, respectively,
A plurality of light emitting diodes obtained from the same light emitting diode wafer are arranged as at least one of the red light emitting diode, the green light emitting diode and the blue light emitting diode. A method of manufacturing a light-emitting diode backlight, comprising maintaining and arranging on the substrate. 赤色発光の発光ダイオード、緑色発光の発光ダイオードおよび青色発光の発光ダイオードを基板上にそれぞれ複数個配列することにより形成された発光ダイオードバックライトの製造方法において、
上記赤色発光の発光ダイオード、上記緑色発光の発光ダイオードおよび上記青色発光の発光ダイオードのうちの少なくとも上記緑色発光の発光ダイオードおよび上記青色発光の発光ダイオードとして、それぞれ同一の発光ダイオードウェハから得られた複数の発光ダイオードをその内部における配列を維持して上記基板上に配列する
ことを特徴とする発光ダイオードバックライトの製造方法。 In a method of manufacturing a light emitting diode backlight formed by arranging a plurality of red light emitting diodes, green light emitting diodes and blue light emitting diodes on a substrate, respectively,
A plurality of at least one of the red light emitting diode, the green light emitting diode, and the blue light emitting diode, each obtained from the same light emitting diode wafer, as the green light emitting diode and the blue light emitting diode. A method for producing a light-emitting diode backlight, comprising: arranging the light-emitting diodes on the substrate while maintaining an arrangement inside the light-emitting diodes. 赤色発光の発光ダイオード、緑色発光の発光ダイオードおよび青色発光の発光ダイオードを基板上にそれぞれ複数個配列することにより形成された発光ダイオードディスプレイにおいて、
上記赤色発光の発光ダイオード、上記緑色発光の発光ダイオードおよび上記青色発光の発光ダイオードのうちの少なくとも一種類の発光ダイオードが、同一の発光ダイオードウェハから得られたものである
ことを特徴とする発光ダイオードディスプレイ。 In a light emitting diode display formed by arranging a plurality of red light emitting diodes, green light emitting diodes and blue light emitting diodes on a substrate,
The light emitting diode, wherein at least one of the red light emitting diode, the green light emitting diode, and the blue light emitting diode is obtained from the same light emitting diode wafer. display. 赤色発光の発光ダイオード、緑色発光の発光ダイオードおよび青色発光の発光ダイオードを基板上にそれぞれ複数個配列することにより形成された発光ダイオードディスプレイにおいて、
上記赤色発光の発光ダイオード、上記緑色発光の発光ダイオードおよび上記青色発光の発光ダイオードのうちの少なくとも一種類の発光ダイオードが、同一の発光ダイオードウェハから得られた複数の発光ダイオードがその内部における配列を維持して上記基板上に配列されたものである
ことを特徴とする発光ダイオードディスプレイ。 In a light emitting diode display formed by arranging a plurality of red light emitting diodes, green light emitting diodes and blue light emitting diodes on a substrate,
A plurality of light emitting diodes obtained from the same light emitting diode wafer are arranged in at least one of the red light emitting diode, the green light emitting diode, and the blue light emitting diode. A light-emitting diode display which is maintained and arranged on the substrate. 赤色発光の発光ダイオード、緑色発光の発光ダイオードおよび青色発光の発光ダイオードを基板上にそれぞれ複数個配列することにより形成された発光ダイオードディスプレイにおいて、
上記赤色発光の発光ダイオード、上記緑色発光の発光ダイオードおよび上記青色発光の発光ダイオードのうちの少なくとも上記緑色発光の発光ダイオードおよび上記青色発光の発光ダイオードが、それぞれ同一の発光ダイオードウェハから得られた複数の発光ダイオードがその内部における配列を維持して上記基板上に配列されたものである
ことを特徴とする発光ダイオードディスプレイ。 In a light emitting diode display formed by arranging a plurality of red light emitting diodes, green light emitting diodes and blue light emitting diodes on a substrate,
A plurality of at least the green light emitting diode and the blue light emitting diode among the red light emitting diode, the green light emitting diode, and the blue light emitting diode, each obtained from the same light emitting diode wafer. A light-emitting diode display, wherein the light-emitting diodes are arranged on the substrate while maintaining the arrangement in the inside thereof. 赤色発光の発光ダイオード、緑色発光の発光ダイオードおよび青色発光の発光ダイオードを基板上にそれぞれ複数個配列することにより形成された発光ダイオードディスプレイの製造方法において、
上記赤色発光の発光ダイオード、上記緑色発光の発光ダイオードおよび上記青色発光の発光ダイオードのうちの少なくとも一種類の発光ダイオードとして、同一の発光ダイオードウェハから得られたものを用いる
ことを特徴とする発光ダイオードディスプレイの製造方法。 In a method of manufacturing a light emitting diode display formed by arranging a plurality of red light emitting diodes, green light emitting diodes and blue light emitting diodes on a substrate, respectively,
A light emitting diode obtained from the same light emitting diode wafer is used as at least one kind of light emitting diode of the red light emitting diode, the green light emitting diode and the blue light emitting diode. Display manufacturing method. 赤色発光の発光ダイオード、緑色発光の発光ダイオードおよび青色発光の発光ダイオードを基板上にそれぞれ複数個配列することにより形成された発光ダイオードディスプレイの製造方法において、
上記赤色発光の発光ダイオード、上記緑色発光の発光ダイオードおよび上記青色発光の発光ダイオードのうちの少なくとも一種類の発光ダイオードとして、同一の発光ダイオードウェハから得られた複数の発光ダイオードをその内部における配列を維持して上記基板上に配列する
ことを特徴とする発光ダイオードディスプレイの製造方法。 In a method of manufacturing a light emitting diode display formed by arranging a plurality of red light emitting diodes, green light emitting diodes and blue light emitting diodes on a substrate, respectively,
A plurality of light emitting diodes obtained from the same light emitting diode wafer are arranged as at least one of the red light emitting diode, the green light emitting diode and the blue light emitting diode. A method for producing a light-emitting diode display, comprising maintaining and arranging on the substrate. 赤色発光の発光ダイオード、緑色発光の発光ダイオードおよび青色発光の発光ダイオードを基板上にそれぞれ複数個配列することにより形成された発光ダイオードディスプレイの製造方法において、
上記赤色発光の発光ダイオード、上記緑色発光の発光ダイオードおよび上記青色発光の発光ダイオードのうちの少なくとも上記緑色発光の発光ダイオードおよび上記青色発光の発光ダイオードとして、それぞれ同一の発光ダイオードウェハから得られた複数の発光ダイオードをその内部における配列を維持して上記基板上に配列する
ことを特徴とする発光ダイオードディスプレイの製造方法。 In a method of manufacturing a light emitting diode display formed by arranging a plurality of red light emitting diodes, green light emitting diodes and blue light emitting diodes on a substrate, respectively,
A plurality of at least one of the red light emitting diode, the green light emitting diode, and the blue light emitting diode, each obtained from the same light emitting diode wafer, as the green light emitting diode and the blue light emitting diode. A method for manufacturing a light emitting diode display, comprising: arranging the light emitting diodes on the substrate while maintaining an arrangement in the inside thereof. 赤色発光の発光ダイオード、緑色発光の発光ダイオードおよび青色発光の発光ダイオードを基板上にそれぞれ複数個配列することにより形成された発光ダイオード照明装置において、
上記赤色発光の発光ダイオード、上記緑色発光の発光ダイオードおよび上記青色発光の発光ダイオードのうちの少なくとも一種類の発光ダイオードが、同一の発光ダイオードウェハから得られたものである
ことを特徴とする発光ダイオード照明装置。 In a light emitting diode illuminating device formed by arranging a plurality of red light emitting diodes, green light emitting diodes and blue light emitting diodes on a substrate,
The light emitting diode, wherein at least one of the red light emitting diode, the green light emitting diode, and the blue light emitting diode is obtained from the same light emitting diode wafer. Lighting device. 赤色発光の発光ダイオード、緑色発光の発光ダイオードおよび青色発光の発光ダイオードを基板上にそれぞれ複数個配列することにより形成された発光ダイオード照明装置において、
上記赤色発光の発光ダイオード、上記緑色発光の発光ダイオードおよび上記青色発光の発光ダイオードのうちの少なくとも一種類の発光ダイオードが、同一の発光ダイオードウェハから得られた複数の発光ダイオードがその内部における配列を維持して上記基板上に配列されたものである
ことを特徴とする発光ダイオード照明装置。 In a light emitting diode illuminating device formed by arranging a plurality of red light emitting diodes, green light emitting diodes and blue light emitting diodes on a substrate,
A plurality of light emitting diodes obtained from the same light emitting diode wafer are arranged in at least one of the red light emitting diode, the green light emitting diode, and the blue light emitting diode. A light-emitting diode illuminating device, which is maintained and arranged on the substrate. 赤色発光の発光ダイオード、緑色発光の発光ダイオードおよび青色発光の発光ダイオードを基板上にそれぞれ複数個配列することにより形成された発光ダイオード照明装置において、
上記赤色発光の発光ダイオード、上記緑色発光の発光ダイオードおよび上記青色発光の発光ダイオードのうちの少なくとも上記緑色発光の発光ダイオードおよび上記青色発光の発光ダイオードが、それぞれ同一の発光ダイオードウェハから得られた複数の発光ダイオードがその内部における配列を維持して上記基板上に配列されたものである
ことを特徴とする発光ダイオード照明装置。 In a light emitting diode illuminating device formed by arranging a plurality of red light emitting diodes, green light emitting diodes and blue light emitting diodes on a substrate,
A plurality of at least the green light emitting diode and the blue light emitting diode among the red light emitting diode, the green light emitting diode, and the blue light emitting diode, each obtained from the same light emitting diode wafer. The light-emitting diode illuminating device is characterized in that the light-emitting diodes are arranged on the substrate while maintaining the arrangement in the inside thereof. 赤色発光の発光ダイオード、緑色発光の発光ダイオードおよび青色発光の発光ダイオードを基板上にそれぞれ複数個配列することにより形成された発光ダイオード照明装置の製造方法において、
上記赤色発光の発光ダイオード、上記緑色発光の発光ダイオードおよび上記青色発光の発光ダイオードのうちの少なくとも一種類の発光ダイオードとして、同一の発光ダイオードウェハから得られたものを用いる
ことを特徴とする発光ダイオード照明装置の製造方法。 In a method for manufacturing a light emitting diode illumination device formed by arranging a plurality of red light emitting diodes, green light emitting diodes and blue light emitting diodes on a substrate,
A light emitting diode obtained from the same light emitting diode wafer is used as at least one kind of light emitting diode of the red light emitting diode, the green light emitting diode and the blue light emitting diode. Manufacturing method of lighting device. 赤色発光の発光ダイオード、緑色発光の発光ダイオードおよび青色発光の発光ダイオードを基板上にそれぞれ複数個配列することにより形成された発光ダイオード照明装置の製造方法において、
上記赤色発光の発光ダイオード、上記緑色発光の発光ダイオードおよび上記青色発光の発光ダイオードのうちの少なくとも一種類の発光ダイオードとして、同一の発光ダイオードウェハから得られた複数の発光ダイオードをその内部における配列を維持して上記基板上に配列する
ことを特徴とする発光ダイオード照明装置の製造方法。 In a method for manufacturing a light emitting diode illumination device formed by arranging a plurality of red light emitting diodes, green light emitting diodes and blue light emitting diodes on a substrate,
A plurality of light emitting diodes obtained from the same light emitting diode wafer are arranged as at least one of the red light emitting diode, the green light emitting diode and the blue light emitting diode. A method of manufacturing a light-emitting diode illuminating device, comprising maintaining and arranging on the substrate. 赤色発光の発光ダイオード、緑色発光の発光ダイオードおよび青色発光の発光ダイオードを基板上にそれぞれ複数個配列することにより形成された発光ダイオード照明装置の製造方法において、
上記赤色発光の発光ダイオード、上記緑色発光の発光ダイオードおよび上記青色発光の発光ダイオードのうちの少なくとも上記緑色発光の発光ダイオードおよび上記青色発光の発光ダイオードとして、それぞれ同一の発光ダイオードウェハから得られた複数の発光ダイオードをその内部における配列を維持して上記基板上に配列する
ことを特徴とする発光ダイオード照明装置の製造方法。 In a method for manufacturing a light emitting diode illumination device formed by arranging a plurality of red light emitting diodes, green light emitting diodes and blue light emitting diodes on a substrate,
A plurality of at least one of the red light emitting diode, the green light emitting diode, and the blue light emitting diode, each obtained from the same light emitting diode wafer, as the green light emitting diode and the blue light emitting diode. A method for manufacturing a light-emitting diode illuminating device, comprising: arranging the light-emitting diodes on the substrate while maintaining an arrangement inside the light-emitting diodes. 赤色発光の発光ダイオード、緑色発光の発光ダイオードおよび青色発光の発光ダイオードを基板上にそれぞれ複数個配列することにより形成された発光ダイオードアレイ装置において、
上記赤色発光の発光ダイオード、上記緑色発光の発光ダイオードおよび上記青色発光の発光ダイオードのうちの少なくとも一種類の発光ダイオードが、同一の発光ダイオードウェハから得られたものである
ことを特徴とする発光ダイオードアレイ装置。 In a light emitting diode array device formed by arranging a plurality of red light emitting diodes, green light emitting diodes and blue light emitting diodes on a substrate,
The light emitting diode, wherein at least one of the red light emitting diode, the green light emitting diode, and the blue light emitting diode is obtained from the same light emitting diode wafer. Array device. 赤色発光の発光ダイオード、緑色発光の発光ダイオードおよび青色発光の発光ダイオードを基板上にそれぞれ複数個配列することにより形成された発光ダイオードアレイ装置において、
上記赤色発光の発光ダイオード、上記緑色発光の発光ダイオードおよび上記青色発光の発光ダイオードのうちの少なくとも一種類の発光ダイオードが、同一の発光ダイオードウェハから得られた複数の発光ダイオードがその内部における配列を維持して上記基板上に配列されたものである
ことを特徴とする発光ダイオードアレイ装置。 In a light emitting diode array device formed by arranging a plurality of red light emitting diodes, green light emitting diodes and blue light emitting diodes on a substrate,
A plurality of light emitting diodes obtained from the same light emitting diode wafer are arranged in at least one of the red light emitting diode, the green light emitting diode, and the blue light emitting diode. A light-emitting diode array device that is maintained and arranged on the substrate. 赤色発光の発光ダイオード、緑色発光の発光ダイオードおよび青色発光の発光ダイオードを基板上にそれぞれ複数個配列することにより形成された発光ダイオードアレイ装置において、
上記赤色発光の発光ダイオード、上記緑色発光の発光ダイオードおよび上記青色発光の発光ダイオードのうちの少なくとも上記緑色発光の発光ダイオードおよび上記青色発光の発光ダイオードが、それぞれ同一の発光ダイオードウェハから得られた複数の発光ダイオードがその内部における配列を維持して上記基板上に配列されたものである
ことを特徴とする発光ダイオードアレイ装置。 In a light emitting diode array device formed by arranging a plurality of red light emitting diodes, green light emitting diodes and blue light emitting diodes on a substrate,
A plurality of at least the green light emitting diode and the blue light emitting diode among the red light emitting diode, the green light emitting diode, and the blue light emitting diode, each obtained from the same light emitting diode wafer. The light-emitting diode array device is characterized in that the light-emitting diodes are arranged on the substrate while maintaining the arrangement in the inside thereof. 赤色発光の発光ダイオード、緑色発光の発光ダイオードおよび青色発光の発光ダイオードを基板上にそれぞれ複数個配列することにより形成された発光ダイオードアレイ装置の製造方法において、
上記赤色発光の発光ダイオード、上記緑色発光の発光ダイオードおよび上記青色発光の発光ダイオードのうちの少なくとも一種類の発光ダイオードとして、同一の発光ダイオードウェハから得られたものを用いる
ことを特徴とする発光ダイオードアレイ装置の製造方法。 In a method of manufacturing a light emitting diode array device formed by arranging a plurality of red light emitting diodes, green light emitting diodes and blue light emitting diodes on a substrate,
A light emitting diode obtained from the same light emitting diode wafer is used as at least one kind of light emitting diode of the red light emitting diode, the green light emitting diode and the blue light emitting diode. A method for manufacturing an array device. 赤色発光の発光ダイオード、緑色発光の発光ダイオードおよび青色発光の発光ダイオードを基板上にそれぞれ複数個配列することにより形成された発光ダイオードアレイ装置の製造方法において、
上記赤色発光の発光ダイオード、上記緑色発光の発光ダイオードおよび上記青色発光の発光ダイオードのうちの少なくとも一種類の発光ダイオードとして、同一の発光ダイオードウェハから得られた複数の発光ダイオードをその内部における配列を維持して上記基板上に配列する
ことを特徴とする発光ダイオードアレイ装置の製造方法。 In a method of manufacturing a light emitting diode array device formed by arranging a plurality of red light emitting diodes, green light emitting diodes and blue light emitting diodes on a substrate,
A plurality of light emitting diodes obtained from the same light emitting diode wafer are arranged as at least one of the red light emitting diode, the green light emitting diode and the blue light emitting diode. A method of manufacturing a light-emitting diode array device, comprising maintaining and arranging on the substrate. 赤色発光の発光ダイオード、緑色発光の発光ダイオードおよび青色発光の発光ダイオードを基板上にそれぞれ複数個配列することにより形成された発光ダイオードアレイ装置の製造方法において、
上記赤色発光の発光ダイオード、上記緑色発光の発光ダイオードおよび上記青色発光の発光ダイオードのうちの少なくとも上記緑色発光の発光ダイオードおよび上記青色発光の発光ダイオードとして、それぞれ同一の発光ダイオードウェハから得られた複数の発光ダイオードをその内部における配列を維持して上記基板上に配列する
ことを特徴とする発光ダイオードアレイ装置の製造方法。
In a method of manufacturing a light emitting diode array device formed by arranging a plurality of red light emitting diodes, green light emitting diodes and blue light emitting diodes on a substrate,
A plurality of at least one of the red light emitting diode, the green light emitting diode, and the blue light emitting diode, each obtained from the same light emitting diode wafer, as the green light emitting diode and the blue light emitting diode. A method for manufacturing a light-emitting diode array device, comprising: arranging the light-emitting diodes on the substrate while maintaining the arrangement inside the light-emitting diodes.
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