JP2006077277A - スパッタリング装置用スペーサ及びこれを用いたスパッタリング装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】 スパッタリング処理を繰り返し行っても、バッキングプレートとグランドシールドとの間で、スパッタリング粒子の堆積による短絡が生じないようにする。
【解決手段】 ターゲット5を取り付けるバッキングプレート4と、平面視においてターゲット5から所定距離隔ててターゲット5を囲うように設けられるグランドシールド6との間に絶縁性のスペーサ1を介装する。このスペーサ1のグランドシールド6と接触する面及びバッキングプレートと接触する面のターゲット側の側部に段12a,12bを形成する。
【選択図】 図3

Description

本発明はスパッタリング装置用スペーサに関し、より詳細にはバッキングプレートとグランドシールドとの間に介装するスパッタリング装置用スペーサに関するものである。
スパッタリング装置は、液晶パネルや光ディスク、電子部品デバイス等の薄膜形成工程において広く用いられている。スパッタリング装置ではターゲット材料が装置内に飛散するため、成膜対象物以外の部分にもターゲット材料が不可避的に付着する。図6に、従来のスパッタリング装置の部分断面図を示す。
図6のスパッタリング装置は、セパレータ2の中央凹部22にテフロンシート3を介してバッキングプレート4が取り付けられ、その上にターゲット5が取り付けられている。そして、絶縁性のスペーサ1’によって、バッキングプレート4の外周上方の離隔した位置にグランドシールド6が設けられている。このような従来のスパッタリング装置では、ターゲット5から飛び出したスパッタリング粒子(不図示)が、ターゲット5とグランドシールド6との隙間から、バッキングプレート4の表面およびスペーサ1’の側面に付着し堆積する。このためスパッタリング処理を繰り返し行うと、堆積物tがスペーサ1’の側面を伝わって上方に広がって行く。一方、バッキングプレート4には−500V程度の電圧が印加されているため、この堆積物tがグランドシールド6にまで至ると、バッキングプレート4とグランドシールド6と間で短絡が生じる。
ターゲット材料のスペーサ1の側面への付着を防止するためには、ターゲット5とグランドシールド6との隙間を狭くすることやスペーサ1’のターゲット方向への延出部11を短くすることなどが考えられる。しかし、ターゲット材料とグランドシールド6との間には電位差があるため、ターゲット5とグランドシールド6との隙間を狭くすると短絡が生じる。このため、前記隙間は少なくとも数mmは必要である。またスペーサ1’のターゲット方向への延出部11を短くすると、スパッタリング処理時の熱によってバッキングプレート4が変形したときに短絡が生じるおそれがある。このため、スペーサ1’の延出部11は少なくとも数mmは必要である。
そこでこのような不具合を防止するため、例えば特許文献1では、ターゲット押さえの絶縁部品に切込みを設けたスパッタリング装置が提案されている。
特開2002−4039号公報(特許請求の範囲、(0010)〜(0014)、図2〜図4)
しかしながら提案された装置では、切込みの形成位置が、スペーサである絶縁部品の下端部であるため、スパッタリング処理が繰り返し行われると、スパッタリング粒子の付着・堆積層が厚くなり、やがてはこの堆積物がグランドシールドに至るおそれがある。
本発明はこのような従来の問題に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、スパッタリング処理が繰り返し行われても、バッキングプレートとグランドシールドとの間で短絡が生じないスパッタリング装置を提供することにある。
また本発明の目的は、バッキングプレートとグランドシールドとの間で短絡を効果的に防止するスペーサを提供することにある。
本発明によれば、スパッタリング装置のターゲットを取り付けるバッキングプレートと、平面視においてターゲットから所定距離隔ててターゲットを囲うように設けられるグランドシールドとの間に介装される絶縁性のスペーサであって、グランドシールドと接触する面のターゲット側の側部が切り欠かれ、段が形成されたことを特徴とするスパッタリング装置用スペーサが提供される。
ここでバッキングプレートとグランドシールドとの短絡をより確実に防止する観点からは、ターゲット側の側面に切り込みを形成する、さらにはバッキングプレートと接触する面のターゲット側の側部を切り欠き、段を形成するのが好ましい。
また本発明によれば、ターゲットを取り付けるバッキングプレートと、平面視においてターゲットから所定距離隔ててターゲットを囲うように設けられるグランドシールドと、バッキングプレートとグランドシールドとの間に介装される絶縁性のスペーサとを備えたスパッタリング装置において、スペーサとして前記記載のものを使用することを特徴とするスパッタリング装置が提供される。
本発明のスパッタリング装置用スペーサ及びスパッタリング装置では、スペーサの、グランドシールドと接触する面のターゲット側の側部が切り欠かれ、段が形成されているので、スパッタリング処理が繰り返し行われ、スパッタリング粒子の堆積物がスペーサの側面を伝わって上方に広がって行ったとしても、前記段によって、スパッタリング粒子の堆積層がグランドシールドに接触することが阻止される。これによりバッキングプレートとグランドシールドとの間の短絡が防止される。
また、ターゲット側の側面に切り込みを形成する、さらにはバッキングプレートと接触する面のターゲット側の側部を切り欠いて段を形成すると、バッキングプレートとグランドシールドとの短絡をより確実に防止することができる。
以下、本発明のスパッタリング装置用スペーサ(以下、単に「スペーサ」と記すことがある)及びスパッタリング装置について図に基づいて説明する。なお、本発明はこれらの実施形態に何ら限定されるものではない。
図1は、本発明に係るスパッタリング装置の平面図であり、図2は、その垂直断面図である。直方体形状のセパレータ2の上面外周部にはO−リング7が取り付けられ、セパレータ2上に被せるシールド(不図示)とセパレータ2との密着性を上げ、セパレータ2とシールド(不図示)とによって形成される内部空間の気密性を高めている。また、セパレータ2の上面の中央部には、平面視において四角形の第1凹部21(図2に図示)が形成され、第1凹部21の底面にさらに第2凹部22(図2に図示)が形成されている。第2凹部22の底面にはテフロンシート(図2に図示)3が敷設され、その上に、第2凹部22の周側壁から所定距離隔ててバッキングプレート4が設けられている。そしてバッキングプレート4上の中央に、バッキングプレート4よりも若干小さい略相似形のターゲット5が取り付けられている。
平面視においてバッキングプレート4の長手方向略中央部の両側部の、バッキングプレート4と第2凹部22の側壁との間に、垂直断面が逆L字状のスペーサ1がそれぞれ2個挟入されている。スペーサ1の上面は、第1凹部21の底面と面一となっており、第1凹部21の底面とスペーサ1の上面に、枠状のグランドシールド6が取り付けられている。このグランドシールド6は、スパッタリング処理時に飛散したターゲット粒子が装置内周面に付着するのを防止する。
スパッタリング処理時には、バッキングプレート6を介してターゲット5にはマイナス数百ボルトの電圧が印加される一方、グランドシールド6及びセパレータ2は接地されている。スペーサ1は絶縁性を有し、バッキングプレート4とグランドシールド6との間に生じる数百ボルトの電圧差はスペーサ1によって保持される。
またスパッタリング処理時には、前述のように、ターゲット材料が装置内に飛散し、ターゲット5とグランドシールド6との隙間から、バッキングプレート4の表面およびスペーサ1の側面に付着し堆積するが、図3に示すように、本発明のスペーサ1の場合、グランドシールド6と接触する面およびバッキングプレート4と接触する面のターゲット側の側部に段12aと段12bが形成されているため、ターゲット粒子の堆積物がスペーサ1の側面を伝わって上方に広がって行くことが効果的に防止される。
図3のスペーサの斜視図を図4に示す。スペーサ1に形成される段12aの深さdは、装置の維持管理周期などを考慮すれば0.1mm以上とするのが好ましい。また段12aの長さLは、グランドシールド6のスペーサ1からの突き出し長さにもよるが、一般に2mm以上とするのが好ましい。
スペーサの材質としては絶縁性のものであれば特に限定はなく、例えばポリアセタールやポリカーボネート、フッ素樹脂などのプラスチックが好適である。またスペーサはこれらのプラスチックによって一体成形するのが強度的に好ましい。なお、使用によりターゲット粒子が付着したスペーサは、洗浄によってターゲット粒子等を除去し再使用することができる。
図4のスペーサでは、グランドシールド6と接触する面およびバッキングプレート4と接触する面のターゲット側の側部に段12aと段12bが形成されているが、ターゲット粒子の堆積物がスペーサの側面を伝わって上方に広がって行くことを防止するには、図5(a)に示すように、少なくともグランドシールド6と接触する面のターゲット側の側部に段12aが形成されていればよい。もっとも、ターゲット粒子の堆積物がスペーサの側面を伝わって上方に広がって行くことを一層効果的に防止する観点からは、図4に示すような、バッキングプレート4と接触する面のターゲット側の側部に段12bを形成する他、スペーサのターゲット側の側面に切り込み13を形成してもよい(図5(b)、(c))。切り込み13の幅及び長さの好適範囲は、前述の段12aの深さd及び長さLの好適範囲と同じである。このような種々のスペーサ形状の中でも、バッキングプレート4の熱変形を抑えることなどのスペーサの他の役割を考慮すると、図4に示す形状が最も好ましい。
ここで本発明に係るスペーサ及びスパッタリング装置の効果を確かめるため、次のような実験を行った。スペーサとして図4に示すものを使用して(d=0.5mm,L=2mm)、図1に示すスパッタリング装置でガラス基板上に酸化チタン膜を形成し、短絡が発生することなく何枚までスパッタリング処理ができるか測定した。この結果、43,000枚のガラス基板をスパッタリング処理しても短絡は発生しなかった。
比較例
一方、スペーサとして、段および切り込みのないもの(図5に図示)を使用した以外は実施例と同様にしてスパッタリング処理によってガラス基板上に酸化チタン膜を形成し、何枚までスパッタリング処理ができるか測定した。この結果、10,400枚のガラス基板をスパッタリング処理したところで、ターゲット粒子の堆積による、バッキングプレートとグランドシールドとの間の短絡が発生した。
以上の実施例及び比較例から理解されるように、本発明のスペーサを用いることにより、従来の装置に比べて4倍以上のスパッタリング処理を行うことができるようになった。
本発明のスパッタリング装置の一例を示す平面図である。 図1のスパッタリング装置の垂直断面図である。 図1のスパッタリング装置の部分拡大断面図である。 本発明のスペーサの一例を示す斜視図である。 本発明のスペーサの他の例を示す垂直断面図である。 従来のスパッタリング装置を示す部分拡大断面図である。
符号の説明
1 ターゲット
2 セパレータ
3 テフロンシート
4 バッキングプレート
5 ターゲット
6 グランドシールド
7 O−リング
12a,12b 段
13 切り込み

Claims (4)

  1. スパッタリング装置のターゲットを取り付けるバッキングプレートと、平面視においてターゲットから所定距離隔ててターゲットを囲うように設けられるグランドシールドとの間に介装される絶縁性のスペーサであって、
    グランドシールドと接触する面のターゲット側の側部が切り欠かれ、段が形成されたことを特徴とするスパッタリング装置用スペーサ。
  2. ターゲット側の側面に切り込みがさらに形成された請求項1記載のスパッタリング装置用スペーサ。
  3. バッキングプレートと接触する面のターゲット側の側部が切り欠かれ、段が形成された請求項1又は2記載のスパッタリング装置用スペーサ。
  4. ターゲットを取り付けるバッキングプレートと、平面視においてターゲットから所定距離隔ててターゲットを囲うように設けられるグランドシールドと、バッキングプレートとグランドシールドとの間に介装される絶縁性のスペーサとを備えたスパッタリング装置であって、
    前記スペーサとして請求項1〜3のいずれかに記載のものを使用したことを特徴とするスパッタリング装置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN103388124A (zh) * 2012-05-10 2013-11-13 三星显示有限公司 溅射设备以及使用该溅射设备沉积薄膜的方法
CN109712861A (zh) * 2018-12-25 2019-05-03 哈工大机器人(岳阳)军民融合研究院 一种防短路功能的离子光学系统及微型离子源

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