JP2006073769A - エピタキシャル成長用基板の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 サファイヤ基板への結晶成長の核となる部分を、より簡便な方法によって提供すること。
【解決手段】サファイヤ基板1の主面上に凹凸パターン5を形成して窒化物半導体単結晶4のエピタキシャル成長用基板を製造する方法において、サファイヤ基板1の主面に研磨工程を行って該主面の平坦度をRa=1nm以下にした後、該研磨工程で用いた砥粒よりも粒径の大きな砥粒2を用いて、該サファイヤ基板1の主面全体に深さ1μm未満の直線、曲線、同心円等の形状を有するヘアライン状の凹凸パターン5を形成することを特徴とする、エピタキシャル成長用基板の製造方法である。
【選択図】 図2
Description
本発明は、窒化ガリウムをはじめとした、窒化物半導体単結晶のエピタキシャル成長に用いる基板の製造方法に関する。
今日、窒化ガリウムをはじめとした窒化物半導体単結晶は、青色発光ダイオード(Blue LED)などで広く用いられている。窒化物半導体単結晶の成長方法としては、MOCVD法・HVPE法などの気相成長法が挙げられる。気相成長を行うための基板としてはSiC基板、GaN基板等の他、サファイヤ基板が用いられている。
このうち、サファイヤ基板を用いた窒化物半導体単結晶の気相成長が最も容易であり、広く量産化されている。しかしながら、サファイヤ基板と窒化物半導体単結晶との格子定数の差が大きいため、成長した窒化物半導体単結晶が格子欠陥を生じやすい。
そのため、例えば図1に示すように、ステップ状にオフアングルしたサファイヤ基板1の主面上に、素子構造となる窒化物半導体単結晶4の層を設けることにより、窒化物半導体単結晶4の結晶性を向上させる発明が、従来知られている(特許文献1)。
また、サファイヤ基板の主面上にリソグラフィ技術によって複数の溝を周期的なストライプ状に形成し、該サファイヤ基板の主面上に窒化物半導体単結晶の層を設けることにより、窒化物半導体単結晶の結晶性を向上させる発明が、従来知られている(特許文献2)。
しかしながら、特許文献1に示すサファイヤ基板上にステップを形成する方法では、基板主面の面方位、具体的にはc面からのオフアングルは、厳密に正確である必要があった。また、熱処理によって結晶成長の核となる均一なステップ構造を得るためには、基板の平坦度もRa=0.1nm以下と、原子レベルにおいて平坦であることが求められた。このことは、サファイヤ基板の面方位の調整、およびサファイヤ基板の研磨の各工程において、多大な労力を要するという問題点となった。
また、特許文献2に示す、単結晶基板の主面上にリソグラフィ技術によって溝を形成する方法では、リソグラフィー処理に先立ってサファイヤ基板上にSiO↓2等からなるレジスト層の形成・除去を行わなくてはならず、サファイヤ基板への溝形成の工程が煩雑になるという問題点があった。
本発明は上記問題点に鑑みてなされたものであって、その目的とするところは、第1には、サファイヤ基板への結晶成長の核となる部分を、より簡便な方法によって提供することである。第2には、レジスト形成・除去の工程を必要としない、より簡便なサファイヤ基板の主面への凹凸パターンの形成方法を提供することである。
請求項1記載の発明は、サファイヤ基板の主面上に凹凸パターンを形成して窒化物半導体単結晶のエピタキシャル成長用基板を製造する方法において、サファイヤ基板の主面に研磨工程を行って該主面の平坦度をRa=1nm以下にした後、該研磨工程で用いた砥粒よりも粒径の大きな砥粒を用いて、該サファイヤ基板の主面全体に深さ1μm未満の直線、曲線、同心円等の形状を有するヘアライン状の凹凸パターンを形成することを特徴とする、エピタキシャル成長用基板の製造方法である。
請求項2記載の発明は、請求項1に記載の発明の構成に加えて、凹凸パターンの形成工程で用いる砥粒が、遊離砥粒であることを特徴とする、エピタキシャル成長用基板の製造方法である。
請求項3記載の発明は、請求項1に記載の発明の構成に加えて、凹凸パターンの形成工程で用いる砥粒が、固定砥粒であることを特徴とする、エピタキシャル成長用基板の製造方法である。
請求項4記載の発明は、請求項2に記載の発明の構成に加えて、遊離砥粒を用いる凹凸パターンの形成手段として片面研磨機を用いることを特徴とする、エピタキシャル成長用基板の製造方法である。
請求項5記載の発明は、請求項3に記載の発明の構成に加えて、固定砥粒を用いる凹凸パターンの形成手段として研磨テープを用いることを特徴とする、エピタキシャル成長用基板の製造方法である。
本発明のエピタキシャル成長用基板の製造方法によれば、サファイヤ基板の主面上に凹凸パターンを形成することによって、サファイヤ基板上における窒化物半導体単結晶の成長核をより簡便に形成することが出来るという効果を奏する。
また、本発明のエピタキシャル成長用基板の製造方法によれば、サファイヤ基板に砥粒を用いて凹凸パターンを形成することによって、レジスト形成などの前工程を要することなく、簡便にサファイヤ基板の主面上に微細な凹凸を形成することが出来るという効果を奏する。
以下、本発明を実施するための最良の形態について説明する。
本実施形態は、例えば図2及び図3に示すように、サファイヤ基板1と、遊離砥粒6あるいは固定砥粒7を用いた、エピタキシャル成長用基板の製造方法である。
本実施形態は、例えば図2及び図3に示すように、サファイヤ基板1と、遊離砥粒6あるいは固定砥粒7を用いた、エピタキシャル成長用基板の製造方法である。
本実施形態で用いるサファイヤ基板1は、予め研磨工程によって該主面を平坦にする(図2(a)、図3(a))。本実施形態で用いるサファイヤ基板1の主面の面方位は、成長させる窒化物半導体単結晶4の格子定数との関係で決定されるが、例えばc面、a面、r面などを用いることが出来る。この研磨工程は、従来知られているような技術、例えばアルミナ、ダイヤモンド等を含んだ遊離砥粒を含む研磨液をサファイヤ基板の主面に滴下し、研磨パッドを用いて研磨する方法によって行うことが出来る。研磨工程後のサファイヤ基板の平坦度は、Ra=1nm以下であれば良い。
研磨工程を経たサファイヤ基板1に対して、直線、曲線、同心円の形状を有するヘアライン状の凹凸パターン5を形成する。凹凸パターン5の形成方法としては、遊離砥粒6を用いる方法、もしくは固定砥粒7を用いる方法を用いることが出来る。
前者の方法は、サファイヤ基板1の主面上にアルミナ、ダイヤモンド等の砥粒3を含んだ遊離砥流6を滴下して研磨パッド2を載せて、サファイヤ基板1または研磨パッド2のいずれかをスライドさせること、もしくはサファイヤ基板1または研磨パッド2のいずれかをスピンドル等を用いて回転させることで凹凸パターン5を付ける方法である(図2(b)、(c))。遊離砥粒6を用いた凹凸パターン5の形成手段としては、サブミクロンの研磨精度を有する公知の研磨手段を用いることが出来るが、特に片面研磨機を用いることが好ましい。
凹凸パターン5の形成工程で用いる遊離砥流6に含まれる砥粒3の粒径は、前記研磨工程で用いる砥粒よりも大きい必要があり、かつ1μmよりも小さいことが好ましい。ここで、遊離砥粒6が前記研磨工程で用いる砥粒よりも小さいと、サファイヤ基板1の平坦度をかえって小さくしてしまい、凹凸パターン5が形成できなくなる。一方で、遊離砥粒6が1μmより大きいと、サファイヤ基板1にダメージがかかり、サファイヤ基板1が損傷を受けやすくなる。
後者の方法は、サファイヤ基板1の主面にアルミナ、ダイヤモンド等からなる砥粒3を固定した固定砥粒7を載せて、サファイヤ基板1または固定砥粒7をスライドさせること、もしくはサファイヤ基板1または固定砥粒7をスピンドル等を用いて回転させることにより、サファイヤ基板1の表面に格子状、縞状もしくは同心円状等の凹凸パターン5を付ける方法である(図3(b))。凹凸パターン5の形成工程で用いる固定砥粒7に固定される砥粒3の粒径は、遊離砥粒6を用いる場合と同様の理由によって、前記研磨工程で用いる砥粒3よりも大きい必要があり、かつ1μm以下であることが好ましい。固定砥粒7を用いた凹凸パターン5の形成手段としては、サブミクロンの研磨精度を有する公知の研磨手段を用いることが出来るが、特に研磨テープを用いることが好ましい。
こうして凹凸パターン5を形成したサファイヤ基板1は(図2(d)、図3(c))、砥粒および削り粉を洗浄した後、窒化物半導体単結晶4のエピタキシャル成長に供することが出来る(図2(e)、図3(d))。
1 サファイヤ基板
2 研磨パッド
3 砥粒
4 窒化物半導体単結晶
5 凹凸パターン
6 固定砥粒
7 遊離砥粒
2 研磨パッド
3 砥粒
4 窒化物半導体単結晶
5 凹凸パターン
6 固定砥粒
7 遊離砥粒
Claims (5)
- サファイヤ基板の主面上に凹凸パターンを形成して窒化物半導体単結晶のエピタキシャル成長用基板を製造する方法において、
サファイヤ基板の主面に研磨工程を行って該主面の平坦度をRa=1nm以下にした後、
該研磨工程で用いた砥粒よりも粒径の大きな砥粒を用いて、該サファイヤ基板の主面全体に深さ1μm未満の直線、曲線、同心円等の形状を有するヘアライン状の凹凸パターンを形成することを特徴とする、エピタキシャル成長用基板の製造方法。 - 凹凸パターンの形成工程で用いる砥粒が、遊離砥粒であることを特徴とする、請求項1に記載のエピタキシャル成長用基板の製造方法。
- 凹凸パターンの形成工程で用いる砥粒が、固定砥粒であることを特徴とする、請求項1に記載のエピタキシャル成長用基板の製造方法。
- 遊離砥粒を用いる凹凸パターンの形成手段として片面研磨機を用いることを特徴とする、請求項2に記載のエピタキシャル成長用基板の製造方法。
- 固定砥粒を用いる凹凸パターンの形成手段として研磨テープを用いることを特徴とする、請求項3に記載のエピタキシャル成長用基板の製造方法。
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