JP2006071510A - 反射率測定方法及び反射率測定装置 - Google Patents

反射率測定方法及び反射率測定装置 Download PDF

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Abstract

【課題】 曲率を有する被測定光学素子であっても面全体の反射光の光量を一度の測定で得ることができ、反射率を算出することができる反射率測定装置を得る。
【解決手段】 被測定光学素子の凹面と同一材料からなる表面を備える平板と、既知の透過率を有する基準レンズと、基準レンズに入射した平行光の出射光の焦点位置に曲率中心を一致させるように配置される被測定光学素子と、平板および被測定光学素子で反射されるそれぞれの光の光量を測定する反射光量測定部と、を有する反射率測定装置。
【選択図】 図1

Description

本発明は、曲率を有する光学素子の反射率測定方法及び反射率測定装置に関する。
従来、光学素子の反射率の測定は、例えば図3に示す装置を用いて行っていた。
図3に示す装置においては、半導体レーザ110から出射され、コリメータレンズ121で平行光化された光の一部がハーフミラー122を透過して対物レンズ160に入射する。対物レンズ160を透過した光は、被測定光学素子115で反射されて再び対物レンズ160を透過し、ハーフミラー122で一部が透過し、残りは反射され集光レンズ125で集光されて絞り127を経て積分球141に入射する。積分球141に入射した光はその光量がフォトダイオード142で電流に変換されてその電流値が電流計143で測定されて、反射光量が測定される。その後、反射率が算出される。
特開2002−90302号公報 特許第3406944号公報
図3に示す装置においては、被測定光学素子115を半導体レーザ110から出射する光の光路の光軸方向(図中のZ方向)に移動させて対物レンズ160と被測定光学素子115の距離を調整して、対物レンズ160から出射した測定光が被測定光学素子115上の1点に集まるようにしている(キャッツアイ状態)。このようにキャッツアイ状態を利用する場合には、測定光が被測定光学素子115の凹面116上の1点のみに照射されることとなるため、被測定光学素子115の反射率の測定は点測定となる。このため、被測定光学素子115の凹面全体の反射率を正確に測定するには、凹面上の各点に測定光を照射する操作を繰り返し行わなければならなかった。
上記問題点を解決するために、本発明の反射率測定装置は、被測定光学素子の凹面と同一材料からなる表面を備える平板と、既知の透過率を有する基準レンズと、基準レンズに入射した平行光の出射光の焦点位置に曲率中心を一致させるように配置される被測定光学素子と、平板および被測定光学素子で反射されるそれぞれの光の光量を測定する反射光量測定部と、を有することを特徴とする。
本発明を方法としてみると、被測定光学素子の凹面の反射率を測定する反射率測定方法であって、凹面と同一材料からなる表面を備える平板に参照光たる平行光を照射して、その反射光の光量を測定する参照光測定ステップと、既知の透過率を有する基準レンズに入射した平行光の出射光の焦点位置に被測定光学素子の曲率中心を一致させる被測定光学素子配置ステップと、被測定光学素子配置ステップにおいて所定位置に配置した被測定光学素子の凹面に対して、基準レンズからの測定光たる出射光を照射して、その反射光を基準レンズにより平行光とし、この平行光の光量を測定する測定光測定ステップと、参照光測定ステップで測定した光量と、測定光測定ステップで測定した光量とに基づいて被測定光学素子の反射率を算出する反射率算出ステップと、を有することを特徴とする。
被測定光学素子によって反射された光及び被測定レンズを透過した光は、それらの光量をそれぞれ電流値として測定されることが好ましく、積分球で集められて光電変換素子によってその光量を電流に変換することができる。また、平板の反射率は、被測定光学素子と同じ反射率であることが望ましい。
光電変換素子は、フォトダイオードとすることができる。
本発明によれば、操作者は、基準レンズの焦点位置と被測定光学素子の曲率中心を合わせた状態(基準レンズから被測定光学素子に入射する光が垂直に入射する状態)において被測定光学素子が反射する光の光量を測定するので、曲率を有する被測定光学素子であっても面全体の反射光の光量を一度の測定で得ることができ、反射率を算出することができる。また、曲率を有する被測定光学素子と平板の表面の被覆状態の相違を測定することもできる。
以下、本発明の反射率測定方法及び反射率測定装置の一実施形態について詳細に説明する。本発明の反射率測定は、参照光(コリメータレンズで平行化され、平板で反射される平行光)の光量を測定し、測定光(基準レンズから出射して被測定光学素子で反射され、再び基準レンズで平行化される光)の光量を測定し、これらの光量をそれぞれ電流に変換し、被測定光学素子の凹面(ある曲率を有する光学素子の球面状の反射面)の反射率を算出して行う。
参照光の光量の測定は、図1に示す構成の装置を用いる。この装置においては、光源として半導体レーザ10を有し、この半導体レーザ10から出射される光の光路上に、半導体レーザ10に近い方から順に、コリメータレンズ21、ハーフミラー22、平板31を配置する。また、ハーフミラー22で反射される光の光路上には、ハーフミラー22に近い方から順に、集光レンズ25、絞り27が配置される。絞り27から出射される光の光路上には、反射光量測定部40を配置する。反射光量測定部40は、積分球41、フォトダイオード(光電変換素子)42、電流計43、算出ユニット50を有する。なお、光電変換素子は、光量を電流に変換することができれば、フォトダイオードに限らず、トランジスタ、フォトリフレクタを用いることができる。
コリメータレンズ21は、半導体レーザ10から出射される光を平行光化し、ハーフミラー22に出射する。ハーフミラー22は、コリメータレンズ21により平行光化された光のうち一部を反射し、残りを透過する性質を有する。さらに、ハーフミラー22は、コリメータレンズ21からの平行光の垂直面に対して45度傾けて配置されている。
平板31は、コリメータレンズ21からの平行光の垂直面と平行に反射面(表面)31aを配置しており、その反射面31aには被覆膜(コート)が設けられている。この被覆膜は、被測定光学素子32と同じ処理を施し、同じ材質を用いるので、平板31と被測定光学素子32は、それぞれに入射する光を同じ反射率で反射する。また、平行光は反射面31aに対して垂直に入射するので、反射される光は、入射する光と同一の光路を通りハーフミラー22に入射する。ハーフミラー22に入射する光は、一部は透過して、残りは反射される。
集光レンズ25は、ハーフミラー22で反射される平行光を集光する。絞り27は、任意のNA(開口数)を有しており、集光する光の焦点位置に配置されて、積分球41に入射する光束を制限し、ハーフミラー22で反射される平行光以外の光の入射を防止し、これらによる測定誤差を減少させる。積分球41は、球状の内面に硫酸バリウム等の拡散物質を塗布したものであって、入射した光を集積する。積分球41の内面には、入射した光の光量を電流に変換するフォトダイオード42の一端が設けられており、得られる電流を電流計43で測定し、平板31の参照光の光量を算出ユニット50に表示することができる。
算出ユニット50は、演算部50a、記憶部50b、モニター50c、制御部50d、入力部50eを有しており、電流計43で測定した電流値を参照光の光量としてモニター50cに表示する。
測定光の光量の測定は、図2に示す構成の装置を用いて行う。この装置は、図1における平板31の代わりに、ハーフミラー22に近い方から順に、基準レンズ60、被測定光学素子32を配置している。基準レンズ60は、凸型のレンズであり、既知の透過率を有する。被測定光学素子32は、曲率を有する凹状反射面(凹面)32aを備える光学素子であり、例えば凹面鏡を用いることができる。
基準レンズ60は、コリメータレンズ21により平行化された光のうち、ハーフミラー22を透過する平行光を集光し、任意のNAの光とする。この任意のNAの光を被測定光学素子32に入射し、被測定光学素子32は、曲率中心を基準レンズ60の焦点位置に一致させるように、光軸方向に移動して配置する(オートコリメーション状態)。この状態において、基準レンズ60から出射する光は、被測定光学素子32の凹状反射面32aに対して垂直に入射し、反射される光は入射する光と同じ光路を通り、再び基準レンズ60に入射し、平行化する。
基準レンズ60を透過し、被測定光学素子32で反射されて再び基準レンズ60を透過する平行光は、ハーフミラー23において一部が反射され、残りは透過する。ハーフミラー23で反射された光は、その光路上に配置された集光レンズ25によって集光されて、絞り27を通って反射光量測定部40に入射する。反射光量測定部40には、積分球41、フォトダイオード42、電流計43、算出ユニット50を有する。積分球41は、球状の内面に硫酸バリウム等の拡散物質を塗布したものであって、入射した光を集積する。積分球41に入射した光は、その内面に配置されたフォトダイオード42によって光量が電流に変換され、この電流を電流計43で測定し、算出ユニット50に表示する。
本発明による反射率測定の動作について説明する。
(参照光の反射率測定方法)
平板31の反射光量の測定前に、平板31のアライメントを行う。平板31を図1に示す装置に取り付けると、算出ユニット50のモニター50cに平板31の姿勢を示す数値が表示される。操作者は、平板31の姿勢を調整する必要がある場合には、入力部50eから所定の数値を入力すると制御部50dを介して、平板31の保持部(図示せず)が移動し、平板31を所定の姿勢にすることができる。アライメントが完了すると、コリメータレンズ21により平行化された光は、平板31に対して垂直に入射し、反射される光は入射する光と同じ光路を通りハーフミラー22に入射する。
以上のようにアライメントされた平板31を用いて、参照光の光量の測定を行う。半導体レーザ10から出射される光は、コリメータレンズ21によって平行光となり、ハーフミラー22を通過して、平板31に入射し、入射光と同じ光路を通り反射される。この反射光の一部は、ハーフミラー22で反射されて集光レンズ25により、集光されて積分球41内に取り込まれる。これをフォトダイオード42により電流に変換することにより平板31における反射光量に対応する電流値を測定することができる。得られた電流値は、算出ユニット50内に配置されて、電流値から反射率を演算する演算部50aで演算される。その演算結果がモニター50cに表示される。また、演算結果は記憶部50bに記憶される。
(測定光の反射率測定方法)
基準レンズ60の反射光量の測定前に、基準レンズ60および被測定光学素子32のアライメントを行う。基準レンズ60を図2に示す装置に取り付けると、算出ユニット50のモニター50cに基準レンズ60の姿勢を示す数値が表示される。操作者が入力部50eから所定の数値を入力すると、制御部50dにより基準レンズ60の姿勢を調整する指示が出され、基準レンズ60を所望の姿勢にすることができる。アライメントが完了した基準レンズ60を固定し、被測定光学素子32を図2に示す装置に取り付ける。被測定光学素子32を半導体レーザ10から出射する光の光路の光軸方向(図中のZ方向)に移動させて、基準レンズ60から出射する任意のNAの光の焦点位置に被測定光学素子32の曲率中心を一致させる。この状態を維持したまま、基準レンズ60と同様に被測定光学素子32のアライメントを行い、所定の姿勢とすることができる。
以上のようにアライメントされた被測定光学素子32から反射する光を積分球41内に取り込み、この光量をフォトダイオード42により電流に変換することにより被測定光学素子32で反射される光の光量に対応する電流値を測定することができる。得られた電流値と、操作者があらかじめ入力部50eに入力する基準レンズ60の既知の透過率とを用いて、算出ユニット50内の演算部50aで演算されて反射率がモニター50cに表示される。また、演算結果は記憶部50bに記憶される。
得られた反射率は、曲率を有する被測定光学素子32の面全体の反射率を示している。
得られた平板31の反射光量と被測定光学素子32の反射光量は、記憶部50bに記憶されるので、これらの違いをモニター50cに表示することができ、操作者は、平板31の表面と被測定光学素子32の凹面との、それぞれの被覆膜(コート)の被覆状態の差をモニター50cに表示することもできる。
本発明の実施形態に係る参照光の光量の測定を行うときの装置構成を示す図である。 本発明の実施形態に係る測定光の光量の測定を行うときの装置構成を示す図である。 従来の反射率測定方法における装置構成を示す図である。
符号の説明
10 半導体レーザ
21 コリメータレンズ
22 ハーフミラー
25 集光レンズ
27 絞り
31 平板
31a 反射面
32 被測定光学素子
32a 凹状反射面(凹面)
40 反射光量測定部
41 積分球
42 フォトダイオード
50 算出ユニット
50a 演算部
50b 記憶部
50c モニター
50d 制御部
50e 入力部
60 基準レンズ

Claims (6)

  1. 被測定光学素子の凹面の反射率を測定する反射率測定方法であって、
    前記凹面と同一材料からなる表面を備える平板に参照光たる平行光を照射して、その反射光の光量を測定する参照光測定ステップと、
    既知の透過率を有する基準レンズに入射した平行光の出射光の焦点位置に前記被測定光学素子の曲率中心を一致させる被測定光学素子配置ステップと、
    前記被測定光学素子配置ステップにおいて所定位置に配置した前記被測定光学素子の前記凹面に対して、前記基準レンズからの測定光たる出射光を照射して、その反射光を前記基準レンズにより平行光とし、この平行光の光量を測定する測定光測定ステップと、
    前記参照光測定ステップで測定した光量と、前記測定光測定ステップで測定した光量とに基づいて前記被測定光学素子の反射率を算出する反射率算出ステップと、
    を有することを特徴とする反射率測定方法。
  2. 前記平板または前記被測定光学素子で反射されて積分球で集められる光は、光電変換素子で光量を電流値に変換される請求項1記載の反射率測定方法。
  3. 前記光電変換素子は、フォトダイオードである請求項1または請求項2記載の反射率測定方法。
  4. 被測定光学素子の凹面と同一材料からなる表面を備える平板と、
    既知の透過率を有する基準レンズと、
    前記基準レンズに入射した平行光の出射光の焦点位置に曲率中心を一致させるように配置される被測定光学素子と、
    前記平板および前記被測定光学素子で反射されるそれぞれの光の光量を測定する反射光量測定部と、
    を有することを特徴とする反射率測定装置。
  5. 前記平板または前記被測定光学素子で反射されて積分球で集められる光は、光電変換素子で光量を電流に変換される請求項4記載の反射率測定装置。
  6. 前記光電変換素子は、フォトダイオードである請求項4または請求項5記載の反射率測定装置。
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