JP2006069075A - 光書込ユニット、画像形成装置及びプロセスカートリッジ - Google Patents
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Abstract
【課題】 各発光素子アレイチップにおける発光特性にばらつきがあっても、発光光量を一定にし、画像の濃度むらの少ない出力画像を得ることができる光書込ユニット、画像形成装置及びプロセスカートリッジを提供する。
【解決手段】 自己走査型発光素子アレイ1のチップを複数配置したLEDプリントヘッドから成る光書込ユニットにおいて、発光素子の発光光量を制御する電流制限抵抗4の抵抗値を外部から設定する、設定手段5を備えた。
【選択図】 図1
【解決手段】 自己走査型発光素子アレイ1のチップを複数配置したLEDプリントヘッドから成る光書込ユニットにおいて、発光素子の発光光量を制御する電流制限抵抗4の抵抗値を外部から設定する、設定手段5を備えた。
【選択図】 図1
Description
本発明は、自己走査型LEDアレイヘッドを用いた光書込ユニット、画像形成装置及びプロセスカートリッジに関し、特に、各発光素子アレイチップにおける発光光量を一定にし、画像の濃度むらの少ない出力画像を得ることができる光書込ユニット、画像形成装置及びプロセスカートリッジに関する。
一般に、電子写真方式により画像を形成するプリンタ等の画像形成装置では、光書込手段としてレーザ光源とそのレーザ光を偏向走査させるポリゴンミラー等によるレーザ走査光学系を用いるのが主流であるが、近年では、装置全体の小型・簡易化等を図るため、光書込手段としてLEDアレイとレンズアレイとを組み合わせたLEDアレイヘッドを用いた画像形成装置も注目されている。LEDアレイは、多数のLED素子を1直線上に配設させたものであり、各LED素子を画像データに応じて発光制御することにより感光体上に対する光書き込みが行われ、静電潜像が形成される。
従来、自己走査型発光素子アレイを使ったLEDプリントヘッドが提案されている。自己走査型発光素子アレイは、3端子スイッチ素子を多数配列し、その制御端子(ゲート)同士をダイオード(あるいは抵抗)等で結合する。また、スイッチ素子と対を成すように3端子発光素子を多数配列し、スイッチ素子とそれに対応する発光素子のゲートを結線する。そしてスイッチ素子にクロックを供給することにより、順次隣接する発光素子を光らせる、つまり、自己走査発光機能を持たせることができる。したがって、シフトレジスタ等の特別な回路が不要となり、ヘッドを小型、軽量化でき、ひいては画像形成装置の小型化にも寄与することができる。
例えば、特許文献1の技術では、3端子スイッチ素子を複数個配列させて制御電極(ゲート)同士を、ダイオードを介して接続すると共に、それらスイッチ素子と対応して3端子発光素子を多数個配列して、対応する2つの素子のゲート同士を結線する。スイッチ素子にクロックを供給することにより自己走査発光機能を持たせることができるとしている。
従来、自己走査型発光素子アレイを使ったLEDプリントヘッドが提案されている。自己走査型発光素子アレイは、3端子スイッチ素子を多数配列し、その制御端子(ゲート)同士をダイオード(あるいは抵抗)等で結合する。また、スイッチ素子と対を成すように3端子発光素子を多数配列し、スイッチ素子とそれに対応する発光素子のゲートを結線する。そしてスイッチ素子にクロックを供給することにより、順次隣接する発光素子を光らせる、つまり、自己走査発光機能を持たせることができる。したがって、シフトレジスタ等の特別な回路が不要となり、ヘッドを小型、軽量化でき、ひいては画像形成装置の小型化にも寄与することができる。
例えば、特許文献1の技術では、3端子スイッチ素子を複数個配列させて制御電極(ゲート)同士を、ダイオードを介して接続すると共に、それらスイッチ素子と対応して3端子発光素子を多数個配列して、対応する2つの素子のゲート同士を結線する。スイッチ素子にクロックを供給することにより自己走査発光機能を持たせることができるとしている。
また、特許文献2の技術では、発光素子アレイチップのウェハー状態で光量測定をし、光量が大きい場合は短絡線をレーザで焼き切ることによりチップの全体光量を調整するとしている。また、特許文献3の技術では、複数の発光素子の点灯の有/無に関係なく、該発光素子に点灯信号(ストローブ信号)が入力されることにより、常に一定の電流が光書き込みヘッドに流れることになり、電源ユニット(VCC)の供給電圧が発光素子の発光個数により変動するということがなくなるとしている。
ここで、図6に自己走査型発光素子アレイの等価回路図を示す。図6においてT1,T2,T3・・・は3端子スイッチ素子であり、そのゲートは抵抗RLを介して電圧源VGK(ここでは5Vとする)に接続され、同時にダイオードD1,D2,D3・・・を介して隣接するスイッチ素子T1,T2,T3・・・に接続されている。また、3端子発光素子L1,L2,L3・・・のゲートとスイッチ素子T1,T2,T3・・・のゲートはそれぞれゲート端子G1,G2,G3・・・で結線されている。
各スイッチ素子と発光素子のカソードはグランドに接続されている。奇数番目のスイッチ素子のアノードには抵抗R1を介して転送クロックφ1が供給され、偶数番目のスイッチ素子のアノードには抵抗R2を介して転送クロックφ2が供給される。また、スイッチ素子T1のゲート端子にはスタートパルスφSが加えられる。発光素子のアノードには電流制限抵抗RIを介して発光パルスφIが供給される。
ここで、図6に自己走査型発光素子アレイの等価回路図を示す。図6においてT1,T2,T3・・・は3端子スイッチ素子であり、そのゲートは抵抗RLを介して電圧源VGK(ここでは5Vとする)に接続され、同時にダイオードD1,D2,D3・・・を介して隣接するスイッチ素子T1,T2,T3・・・に接続されている。また、3端子発光素子L1,L2,L3・・・のゲートとスイッチ素子T1,T2,T3・・・のゲートはそれぞれゲート端子G1,G2,G3・・・で結線されている。
各スイッチ素子と発光素子のカソードはグランドに接続されている。奇数番目のスイッチ素子のアノードには抵抗R1を介して転送クロックφ1が供給され、偶数番目のスイッチ素子のアノードには抵抗R2を介して転送クロックφ2が供給される。また、スイッチ素子T1のゲート端子にはスタートパルスφSが加えられる。発光素子のアノードには電流制限抵抗RIを介して発光パルスφIが供給される。
次に、動作について図7をもとに説明する。スタートパルスφSがLowレベルになり、φ1がHighレベルになったときスイッチ素子T1がオン状態にある。このとき、ゲート端子G1は電位が約0レベルに低下する。この電圧降下はダイオードD1を通じてT3のゲート端子G3に伝播し、G3の電位をD1の順方向電圧(約1V)にまで低下させる。この状態はφSをHレベルにしても維持される。次に、転送クロックφ2をHレベルにする。
この時のHレベル電圧をT2がオン状態であり、かつT4をオン状態にしないレベル(約2V以上4V以下)とすると、T2のみをオンとすることができる。したがって、2本の転送用クロックでスイッチ素子のオン状態を転送することができる。T2がオン状態でG2が約0Vのとき、G3は約1Vとなるが、G1はD1のカソード側が逆電圧となるため5Vに保たれる。
T2がオン状態にあるときゲート端子G2の電位は約0Vとなる。したがって、発光パルスφIの電圧が拡散電位(約1V)以上であれば、発光素子L2は発光状態となる。一方、G1電圧は約5Vであり、G3電圧は約2Vである。したがって、発光開始電圧はL1では約6V、L3では約2Vとなる。
このことから、L2のみ発光させるにはφIの電圧は約1〜2Vである必要がある。発光素子L2の発光強度は発光パルスφIの供給する電流値で決められる。また、発光状態を次の発光素子に転送するためには、発光パルスφIの電圧を一旦0Vまで落として発光している発光素子を消灯させる必要がある。
特許第2577089号
特開2003−136778公報
特開2002−029087公報
この時のHレベル電圧をT2がオン状態であり、かつT4をオン状態にしないレベル(約2V以上4V以下)とすると、T2のみをオンとすることができる。したがって、2本の転送用クロックでスイッチ素子のオン状態を転送することができる。T2がオン状態でG2が約0Vのとき、G3は約1Vとなるが、G1はD1のカソード側が逆電圧となるため5Vに保たれる。
T2がオン状態にあるときゲート端子G2の電位は約0Vとなる。したがって、発光パルスφIの電圧が拡散電位(約1V)以上であれば、発光素子L2は発光状態となる。一方、G1電圧は約5Vであり、G3電圧は約2Vである。したがって、発光開始電圧はL1では約6V、L3では約2Vとなる。
このことから、L2のみ発光させるにはφIの電圧は約1〜2Vである必要がある。発光素子L2の発光強度は発光パルスφIの供給する電流値で決められる。また、発光状態を次の発光素子に転送するためには、発光パルスφIの電圧を一旦0Vまで落として発光している発光素子を消灯させる必要がある。
しかしながら、以上説明した発光素子アレイをチップとして形成した場合、製造上の原因により、チップの平均光量がばらつく。また、初期にチップの光量を調整しても経時的変化に対応することはできない。さらに、発光素子アレイチップを複数個直線状に配列し、LEDプリントヘッドとして、プリンタ等の装置に組み込んだ場合、場所により温度が異なるので発光光量にばらつきが生じる。このことは、画像形成装置の出力画像の濃度むらの発生原因となり、画像品質を悪化させる。
そこで、本発明は、上述した実情を考慮してなされたもので、各発光素子アレイチップにおける発光特性にばらつきがあっても、発光光量を一定にし、画像の濃度むらの少ない出力画像を得ることができる光書込ユニット、画像形成装置及びプロセスカートリッジを提供することを目的とする。
そこで、本発明は、上述した実情を考慮してなされたもので、各発光素子アレイチップにおける発光特性にばらつきがあっても、発光光量を一定にし、画像の濃度むらの少ない出力画像を得ることができる光書込ユニット、画像形成装置及びプロセスカートリッジを提供することを目的とする。
上記の課題を解決するために、請求項1に記載の発明は、自己走査型発光素子アレイのチップを複数配置したプリントヘッドから成る光書込ユニットにおいて、発光素子の発光光量を制御する電流制限抵抗の抵抗値を設定する設定手段を備える光書込ユニットを最も主要な特徴とする。
また、請求項2に記載の発明では、前記設定手段は外部から与えたデジタル値によって抵抗値を設定する光書込ユニットを主要な特徴とする。
また、請求項3に記載の発明では、前記設定手段は設定値を記憶する記憶手段を備えた光書込ユニットを主要な特徴とする。
また、請求項4に記載の発明では、前記記憶手段は不揮発性メモリである光書込ユニットを主要な特徴とする。
また、請求項5に記載の発明では、前記自己走査型発光素子アレイの複数箇所についてそれぞれ温度を計測する温度計測素子を備えている光書込ユニットを主要な特徴とする。
また、請求項6に記載の発明では、前記温度計測素子は計測温度をデジタル値にて外部に出力する光書込ユニットを主要な特徴とする。
また、請求項7に記載の発明では、請求項1乃至請求項6の何れか一項に記載の光書込ユニットを使った画像形成装置を主要な特徴とする。
また、請求項8に記載の発明では、光書込ユニットと、像担持体、帯電ユニット、現像ユニット、クリーニングユニットより選ばれる少なくとも1つのユニットとを一体に支持し、画像形成装置本体に着脱可能なプロセスカートリッジにおいて、
また、請求項9に記載の発明では、前記光書込ユニットは請求項1乃至請求項6の何れか一項に記載の光書込ユニットであるプロセスカートリッジを主要な特徴とする。
また、請求項2に記載の発明では、前記設定手段は外部から与えたデジタル値によって抵抗値を設定する光書込ユニットを主要な特徴とする。
また、請求項3に記載の発明では、前記設定手段は設定値を記憶する記憶手段を備えた光書込ユニットを主要な特徴とする。
また、請求項4に記載の発明では、前記記憶手段は不揮発性メモリである光書込ユニットを主要な特徴とする。
また、請求項5に記載の発明では、前記自己走査型発光素子アレイの複数箇所についてそれぞれ温度を計測する温度計測素子を備えている光書込ユニットを主要な特徴とする。
また、請求項6に記載の発明では、前記温度計測素子は計測温度をデジタル値にて外部に出力する光書込ユニットを主要な特徴とする。
また、請求項7に記載の発明では、請求項1乃至請求項6の何れか一項に記載の光書込ユニットを使った画像形成装置を主要な特徴とする。
また、請求項8に記載の発明では、光書込ユニットと、像担持体、帯電ユニット、現像ユニット、クリーニングユニットより選ばれる少なくとも1つのユニットとを一体に支持し、画像形成装置本体に着脱可能なプロセスカートリッジにおいて、
また、請求項9に記載の発明では、前記光書込ユニットは請求項1乃至請求項6の何れか一項に記載の光書込ユニットであるプロセスカートリッジを主要な特徴とする。
本発明によれば、自己走査型発光素子アレイのチップを複数配置したLEDプリントヘッドから成る光書込ユニットにおいて、発光素子の発光光量を制御する電流制限抵抗の抵抗値を外部から設定する設定手段を備えることにより、チップ間で発光光量のバラツキがあっても電流制限抵抗の抵抗値を最適な値に設定してチップ間のバラツキを少なくすることができる。
また、設定手段を外部から与えたデジタル値によって抵抗値を設定することにより環境変動等による抵抗値の変動を少なくすることができる。
また、設定手段に設定値を記憶する記憶手段を設けることにより、設定値の初期化等を迅速に行うことができる。
また、記憶手段が不揮発性の記憶装置であることにより、電源投入時の抵抗値の再設定を迅速に行うことができる。
また、自己走査型発光素子アレイの複数箇所についてそれぞれ温度を計測する温度計測素子を配備することにより、チップ周辺の温度を計測することができる。
また、温度計測素子は計測温度をデジタル値にて外部に出力することより、安定した温度計測値を得ることができる。
また、本発明の画像形成装置によれば、安定してチップ毎の濃度むらのない高画質な画像出力を得ることができる。
また、本発明のプロセスカートリッジによれば、安定してチップ毎の濃度むらのない高画質な画像出力を得ることができる。
また、設定手段を外部から与えたデジタル値によって抵抗値を設定することにより環境変動等による抵抗値の変動を少なくすることができる。
また、設定手段に設定値を記憶する記憶手段を設けることにより、設定値の初期化等を迅速に行うことができる。
また、記憶手段が不揮発性の記憶装置であることにより、電源投入時の抵抗値の再設定を迅速に行うことができる。
また、自己走査型発光素子アレイの複数箇所についてそれぞれ温度を計測する温度計測素子を配備することにより、チップ周辺の温度を計測することができる。
また、温度計測素子は計測温度をデジタル値にて外部に出力することより、安定した温度計測値を得ることができる。
また、本発明の画像形成装置によれば、安定してチップ毎の濃度むらのない高画質な画像出力を得ることができる。
また、本発明のプロセスカートリッジによれば、安定してチップ毎の濃度むらのない高画質な画像出力を得ることができる。
以下、図面を参照して、本発明を実施するための最良の形態を詳細に説明する。なお、従来技術(図6、図7)で説明した部分と同様の部分については同一符号を付し、その説明は省略する。
[実施例1]
図1は本発明を実施するための最良の形態である光書込ユニットの構成を示す回路図である。自己走査型発光素子アレイ1は転送用3端子サイリスタ(スイッチ素子)T1,T2,T3・・・と結合用ダイオードD1,D2,D3・・・、及び発光用サイリスタL1,L2,L3・・・からなる(図6参照)。奇数番目のスイッチ素子のアノードには抵抗R1を介して転送クロックφ1が供給され、偶数番目のスイッチ素子のアノードには抵抗R2を介して転送クロックφ2が供給される。
また、スイッチ素子T1のゲート端子にはスタートパルスφSが加えられる。発光素子のアノードには電流制限抵抗4を介して発光パルスφIが供給される。転送クロックφ1、φ2、スタートパルスφS、および、書き込み用の発光パルスφIは駆動部2内の駆動回路3にて生成される(生成波形の一例は図7参照)。
発光素子に供給する電流は発光パルスφIの電流制限抵抗4の抵抗値により決められる。発光素子をオンにするアノード電圧が1〜2Vなので、仮にアノード電圧を1.5Vとすれば、発光パルスφIの電流値iIは電流制限抵抗4をRIとしてiI=3.5/RIで求めることができる。電流制限抵抗4の抵抗値の設定は設定手段5で行う。
このように、実施例1では、自己走査型発光素子アレイ1のチップを複数配置した、いわゆるLEDプリントヘッドから成る光書込ユニットにおいて、発光素子の発光光量を制御する電流制限抵抗4の抵抗値を設定する設定手段5を備えているので、チップ間で発光光量のバラツキがあっても電流制限抵抗4の抵抗値を最適な値に設定してチップ間のバラツキを少なくすることができる。
[実施例1]
図1は本発明を実施するための最良の形態である光書込ユニットの構成を示す回路図である。自己走査型発光素子アレイ1は転送用3端子サイリスタ(スイッチ素子)T1,T2,T3・・・と結合用ダイオードD1,D2,D3・・・、及び発光用サイリスタL1,L2,L3・・・からなる(図6参照)。奇数番目のスイッチ素子のアノードには抵抗R1を介して転送クロックφ1が供給され、偶数番目のスイッチ素子のアノードには抵抗R2を介して転送クロックφ2が供給される。
また、スイッチ素子T1のゲート端子にはスタートパルスφSが加えられる。発光素子のアノードには電流制限抵抗4を介して発光パルスφIが供給される。転送クロックφ1、φ2、スタートパルスφS、および、書き込み用の発光パルスφIは駆動部2内の駆動回路3にて生成される(生成波形の一例は図7参照)。
発光素子に供給する電流は発光パルスφIの電流制限抵抗4の抵抗値により決められる。発光素子をオンにするアノード電圧が1〜2Vなので、仮にアノード電圧を1.5Vとすれば、発光パルスφIの電流値iIは電流制限抵抗4をRIとしてiI=3.5/RIで求めることができる。電流制限抵抗4の抵抗値の設定は設定手段5で行う。
このように、実施例1では、自己走査型発光素子アレイ1のチップを複数配置した、いわゆるLEDプリントヘッドから成る光書込ユニットにおいて、発光素子の発光光量を制御する電流制限抵抗4の抵抗値を設定する設定手段5を備えているので、チップ間で発光光量のバラツキがあっても電流制限抵抗4の抵抗値を最適な値に設定してチップ間のバラツキを少なくすることができる。
[実施例2]
実施例2の光書込ユニットは、実施例1の光書込ユニットにおいて、設定手段5が外部から与えたデジタル値によって抵抗値を設定するようにした場合である。図2に電流制限抵抗4と設定手段5の一例を示す。電流制限抵抗4において抵抗値Rの抵抗が直列に接続されている。抵抗の各端子はリレー42の一端に接続され、リレー42の他方は互いに結線され、この抵抗の外部端子と接続される。
各リレー42の制御線は、マルチプレクサ43の出力により制御される。マルチプレクサ43へのデータは設定手段5より供給される。設定手段5はシリアルのデジタル抵抗値データをシフトレジスタ52へ格納すると共に、パラレル変換してレジスタ51に格納してマルチプレクサ43に供給する。
したがって、実施例2の光書込ユニットでは、設定手段を外部から与えたデジタル値によって抵抗値を設定することにより環境変動等による抵抗値の変動を少なくすることができる。
[実施例3]
実施例3の光書込ユニットは、実施例1又は実施例2の光書込ユニットにおいて、設定手段5が設定値を記憶する記憶手段(不揮発性の記憶装置)であるメモリ53を備えた場合である。図3に電流制限抵抗4と設定手段5の別の一例を示す。設定手段5は図2に示すような実施例2の構成にメモリ53を加えた構成となっている。抵抗値データはシフトレジスタ52に入力されると共に、メモリ53に格納される。
メモリ53は幾通りかの抵抗値データを格納することが可能であり、アドレス指定することにより、メモリ53に格納してある所望の抵抗値を短時間で設定することが可能である。また、メモリ53を書き換え可能な不揮発性のメモリ、例えば、EEPROM等で構成することにより、電源投入直後の電流制限抵抗4への抵抗値データの再設定を短時間で行うことができ、初期起動時間を短縮できる。
このように、実施例3の光書込ユニットでは、設定手段5に設定値を記憶する記憶手段である記憶装置53を設けることにより、設定値の初期化等を迅速に行うことができる。また、記憶手段が不揮発性の記憶装置であることにより、電源投入時の抵抗値の再設定を迅速に行うことができる。
実施例2の光書込ユニットは、実施例1の光書込ユニットにおいて、設定手段5が外部から与えたデジタル値によって抵抗値を設定するようにした場合である。図2に電流制限抵抗4と設定手段5の一例を示す。電流制限抵抗4において抵抗値Rの抵抗が直列に接続されている。抵抗の各端子はリレー42の一端に接続され、リレー42の他方は互いに結線され、この抵抗の外部端子と接続される。
各リレー42の制御線は、マルチプレクサ43の出力により制御される。マルチプレクサ43へのデータは設定手段5より供給される。設定手段5はシリアルのデジタル抵抗値データをシフトレジスタ52へ格納すると共に、パラレル変換してレジスタ51に格納してマルチプレクサ43に供給する。
したがって、実施例2の光書込ユニットでは、設定手段を外部から与えたデジタル値によって抵抗値を設定することにより環境変動等による抵抗値の変動を少なくすることができる。
[実施例3]
実施例3の光書込ユニットは、実施例1又は実施例2の光書込ユニットにおいて、設定手段5が設定値を記憶する記憶手段(不揮発性の記憶装置)であるメモリ53を備えた場合である。図3に電流制限抵抗4と設定手段5の別の一例を示す。設定手段5は図2に示すような実施例2の構成にメモリ53を加えた構成となっている。抵抗値データはシフトレジスタ52に入力されると共に、メモリ53に格納される。
メモリ53は幾通りかの抵抗値データを格納することが可能であり、アドレス指定することにより、メモリ53に格納してある所望の抵抗値を短時間で設定することが可能である。また、メモリ53を書き換え可能な不揮発性のメモリ、例えば、EEPROM等で構成することにより、電源投入直後の電流制限抵抗4への抵抗値データの再設定を短時間で行うことができ、初期起動時間を短縮できる。
このように、実施例3の光書込ユニットでは、設定手段5に設定値を記憶する記憶手段である記憶装置53を設けることにより、設定値の初期化等を迅速に行うことができる。また、記憶手段が不揮発性の記憶装置であることにより、電源投入時の抵抗値の再設定を迅速に行うことができる。
[実施例4]
実施例4の光書込ユニットは、実施例1〜3のいずれかの光書込ユニットにおいて、自己走査型発光素子アレイの複数箇所、例えば各々のチップについてそれぞれ温度を計測し、計測温度をデジタル値にて外部に出力する温度計測素子を配備した場合である。図4は自己走査型発光素子アレイ1のチップ周辺の構成を示す概略図である。図4に示すように、自己走査型発光素子アレイ1の複数のチップを直線状に配置し、この配置に対応して駆動部2を配設すると共に、各チップの付近に温度計測素子としての温度計測チップ6を配置し、チップ付近の温度を計測するようになっている。
温度計測チップ6はトランジスタのベース、エミッタ間の電圧が温度特性を持つことを利用した温度計測用センサであり、ADC機能を備えており、計測値をデジタル値で出力する。また、温度計測チップ6にはアドレスが付けられており、これら温度計測チップをカスケードに接続することにより、温度計測に要する配線を大幅に減らすことができる。この温度計測の結果に基づいてチップに対応する発光パルスφIの電流制限抵抗4の抵抗値を設定しなおす。
このように、実施例4の光書込ユニットでは、自己走査型発光素子アレイ1の各々のチップについてそれぞれ温度を計測する温度計測チップ6を備えているので、チップ周辺の温度を計測することができる。また、温度計測チップ6は計測温度をデジタル値にて外部に出力するので、安定した温度計測値を得ることができる。
実施例4の光書込ユニットは、実施例1〜3のいずれかの光書込ユニットにおいて、自己走査型発光素子アレイの複数箇所、例えば各々のチップについてそれぞれ温度を計測し、計測温度をデジタル値にて外部に出力する温度計測素子を配備した場合である。図4は自己走査型発光素子アレイ1のチップ周辺の構成を示す概略図である。図4に示すように、自己走査型発光素子アレイ1の複数のチップを直線状に配置し、この配置に対応して駆動部2を配設すると共に、各チップの付近に温度計測素子としての温度計測チップ6を配置し、チップ付近の温度を計測するようになっている。
温度計測チップ6はトランジスタのベース、エミッタ間の電圧が温度特性を持つことを利用した温度計測用センサであり、ADC機能を備えており、計測値をデジタル値で出力する。また、温度計測チップ6にはアドレスが付けられており、これら温度計測チップをカスケードに接続することにより、温度計測に要する配線を大幅に減らすことができる。この温度計測の結果に基づいてチップに対応する発光パルスφIの電流制限抵抗4の抵抗値を設定しなおす。
このように、実施例4の光書込ユニットでは、自己走査型発光素子アレイ1の各々のチップについてそれぞれ温度を計測する温度計測チップ6を備えているので、チップ周辺の温度を計測することができる。また、温度計測チップ6は計測温度をデジタル値にて外部に出力するので、安定した温度計測値を得ることができる。
[実施例5]
実施例5は、実施例1〜4のいずれかに記載の光書込ユニットを画像形成装置に搭載した場合である。図5に示すように、実施例5の画像形成装置は、光書込ユニットとしての露光ユニット9、感光体(像担持体)15、帯電ユニット8、現像ユニット10、クリーニングユニット13、除電ユニット14、定着ユニット12、転写ユニット11を備えている。したがって、実施例5の画像形成装置によれば、安定してチップ毎の濃度むらのない高画質な画像出力を得ることができる。
[実施例6]
実施例6は、光書込ユニットと、像担持体15、帯電ユニット8、現像ユニット10、クリーニングユニット13より選ばれる少なくとも1つのユニットとを一体に支持し、画像形成装置本体に着脱可能なプロセスカートリッジにおいて、光書込ユニットが実施例1〜4のいずれかの光書込ユニットの場合である。このように構成したプロセスカートリッジでは、安定してチップ毎の濃度むらのない高画質な画像出力を得ることができる。
実施例5は、実施例1〜4のいずれかに記載の光書込ユニットを画像形成装置に搭載した場合である。図5に示すように、実施例5の画像形成装置は、光書込ユニットとしての露光ユニット9、感光体(像担持体)15、帯電ユニット8、現像ユニット10、クリーニングユニット13、除電ユニット14、定着ユニット12、転写ユニット11を備えている。したがって、実施例5の画像形成装置によれば、安定してチップ毎の濃度むらのない高画質な画像出力を得ることができる。
[実施例6]
実施例6は、光書込ユニットと、像担持体15、帯電ユニット8、現像ユニット10、クリーニングユニット13より選ばれる少なくとも1つのユニットとを一体に支持し、画像形成装置本体に着脱可能なプロセスカートリッジにおいて、光書込ユニットが実施例1〜4のいずれかの光書込ユニットの場合である。このように構成したプロセスカートリッジでは、安定してチップ毎の濃度むらのない高画質な画像出力を得ることができる。
1 自己走査型発光素子アレイ、2 駆動部、3 駆動回路、4 電流制限抵抗、5 設定手段、6 温度計測チップ、8 帯電ユニット、9 露光ユニット、10 現像ユニット、11 転写ユニット、12 定着ユニット、13 クリーニングユニット、14 除電ユニット、15 感光体、42 リレー、43 マルチプレクサ、51 レジスタ、52 シフトレジスタ、53 メモリ、D1、D2、D3 ダイオード、G1、G2、G3 ゲート端子、L1、L2、L3 3端子発光素子、R1、R2、RI、RL、RS 抵抗、T1、T2、T3 3端子スイッチ素子、VGK 電源、φ1、φ2、φS、φI 転送クロック
Claims (8)
- 自己走査型発光素子アレイのチップを複数配置したプリントヘッドから成る光書込ユニットにおいて、発光素子の発光光量を制御する電流制限抵抗の抵抗値を設定する設定手段を備えることを特徴とする光書込ユニット。
- 請求項1記載の光書込ユニットにおいて、前記設定手段は外部から与えたデジタル値によって抵抗値を設定することを特徴とする光書込ユニット。
- 請求項1又は請求項2に記載の光書込ユニットにおいて、前記設定手段は設定値を記憶する記憶手段を備えたことを特徴とする光書込ユニット。
- 請求項3記載の光書込ユニットにおいて、前記記憶手段は不揮発性メモリであることを特徴とする光書込ユニット。
- 請求項1乃至請求項4の何れか一項に記載の光書込ユニットにおいて、前記自己走査型発光素子アレイの複数箇所についてそれぞれ温度を計測する温度計測素子を備えることを特徴とする光書込ユニット。
- 請求項5記載の光書込ユニットにおいて、前記温度計測素子は計測温度をデジタル値にて外部に出力することを特徴とする光書込ユニット。
- 請求項1乃至請求項6の何れか一項に記載の光書込ユニットを備えていることを特徴とする画像形成装置。
- 光書込ユニットと、像担持体、帯電ユニット、現像ユニット、クリーニングユニットより選ばれる少なくとも1つのユニットとを一体に支持し、画像形成装置本体に着脱可能なプロセスカートリッジにおいて、前記光書込ユニットは請求項1乃至請求項6の何れか一項に記載の光書込ユニットであることを特徴とするプロセスカートリッジ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004256194A JP2006069075A (ja) | 2004-09-02 | 2004-09-02 | 光書込ユニット、画像形成装置及びプロセスカートリッジ |
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JP2004256194A JP2006069075A (ja) | 2004-09-02 | 2004-09-02 | 光書込ユニット、画像形成装置及びプロセスカートリッジ |
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JP2006069075A true JP2006069075A (ja) | 2006-03-16 |
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Family Applications (1)
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2014173842A (ja) * | 2013-03-05 | 2014-09-22 | Canon Inc | 発光素子駆動装置、その制御方法、光学式エンコーダ、およびカメラ |
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2004
- 2004-09-02 JP JP2004256194A patent/JP2006069075A/ja active Pending
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