JP2006068985A - 非接触データキャリア及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】非接触データキャリアのアンテナのチューニングを電気的な接続信頼性を確保しつつ、しかも効率良く行う。
【解決手段】非接触データキャリア１１の構成部品である電気絶縁性を持つ基材フィルム２上に、アンテナコイル３と、アンテナコイル３に各々接続され基材フィルム２の表裏をそれぞれ延びる一対の接続パターン８ａ、８ｂと、基材フィルム２の表裏で一対の接続パターン８ａ、８ｂに各々接続されるとともに基材フィルム２を挟んで対向する静電容量調整用の一対のチューニングパターン５ａ、５ｂとを形成する。さらに、保護フィルム７ａ、７ｂのラミネート加工前に、チューニングパターン５ａ、５ｂの全体を、貫通孔１４により基材フィルム２上から抜き落とすか否かを選択しアンテナのチューニングを行う。
【選択図】図１

Description

本発明は、情報のやり取りを非接触で行う非接触データキャリア及びその製造方法に関する。

非接触式のデータキャリアでは、外部のリーダ装置側との間での所定の交信性能を確保するために、データキャリアが備えるアンテナの共振周波数をチューニングする技術が知られている。

チューニングの具体的手法としては、例えば非接触データキャリアのアンテナコイルに対し並列接続される各々面積の異なる複数の種類のコンデンサパターンを予め配線しておき、この中から選択した所定のコンデンサパターンへ通じる接続パターンを切断して静電容量を変えることで、共振周波数のチューニングを可能とした非接触データキャリアが公知である（例えば、特許文献１参照）。

また、絶縁基材を挟んで対向する比較的に広い面積を有する一対のコンデンサパターンをアンテナコイルに接続したかたちで予め配線しておき、このコンデンサパターンの全領域に対しパターンの一部を取り去るための貫通孔をあけて、共振周波数のチューニングを行うようにした非接触データキャリアなども提案されている（例えば、特許文献２参照）。
特開２００１−２５１１１６号公報 特開２００１−２５００９５号公報

しかしながら、上記特許文献１のチューニング方法は、コンデンサパターンへ通じる接続パターンをカッターナイフなどで人為的に切断する工程や、またレーザなどで焼き切るといった工程が必要になり、生産性の面で課題を抱えている。一方、特許文献２の手法は、絶縁基材を挟んで対向する一対のコンデンサパターンを部分的に取り去る貫通孔の形成時に、この貫通孔の周縁部に生じ得るパターンのバリなどが要因となって、対向するパターンどうしが貫通孔越しに短絡してしまうおそれなどがあり、電気的な接続信頼性の面で課題を残している。

そこで本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、アンテナのチューニングを電気的な接続信頼性を確保しつつ、しかも効率良く行える非接触データキャリア及びその製造方法の提供を目的とする。

上記目的を達成するために、本発明に係る非接触データキャリアは、電気絶縁性を有し、第１の主面とこの第１の主面と相対する側に位置する第２の主面とを備える絶縁基材と、この絶縁基材上の前記第１及び第２の主面の少なくとも一方の面に形成されたアンテナコイルと、前記絶縁基材上の前記アンテナコイルに各々接続されて前記第１及び第２の主面上をそれぞれ延びる一対の接続パターンと、前記絶縁基材の前記第１及び第２の主面上で前記一対の接続パターンにそれぞれ接続され且つ該絶縁基材を挟んで対向していた一対の静電容量調整パターンの全体又は前記一対の接続パターンの一部を、該絶縁基材から抜き落とした貫通孔を有するチューニング部とを具備することを特徴とする。

また、本発明に係る非接触データキャリアは、電気絶縁性を有し、第１の主面とこの第１の主面と相対する側に位置する第２の主面とを備える絶縁基材と、この絶縁基材上の前記第１及び第２の主面の少なくとも一方の面に形成されたアンテナコイルと、前記絶縁基材上の前記アンテナコイルに各々接続されて前記第１及び第２の主面上をそれぞれ延びる一対の接続パターンと、前記絶縁基材の前記第１及び第２の主面上で前記一対の接続パターンにそれぞれ接続されるとともに該絶縁基材を挟んで対向する一対の静電容量調整パターンと、前記一対の静電容量調整パターンの全体又は前記一対の接続パターンの一部を、前記絶縁基材上から抜き落とすための貫通孔を穿孔可能な領域として確保されたチューニング実施可能領域とを具備することを特徴とする。

すなわち、これらの発明よれば、絶縁基材を挟んで対向する一対の静電容量調整パターンの全体、又はこれら一対の静電容量調整パターンとアンテナコイルとを接続する一対の接続パターンの一部を、この絶縁基材上から抜き落とすことの可能な貫通孔を形成するか否かで、アンテナ部分の共振周波数を設定することができる。これにより、型による打ち抜き加工などを利用して共振周波数のチューニングを容易に行うことができる。また、これらの発明では、貫通孔が形成される場合でも、一対の静電容量調整パターンの全体が絶縁基材上から抜き落とされるので、静電容量調整パターンどうしが例えば貫通孔越しに短絡してしまうことなどが防止され、パターン配線における電気的な接続信頼性を確保することができる。

また、本発明に係る非接触データキャリアは、電気絶縁性を有し、第１の主面とこの第１の主面と相対する側に位置する第２の主面とを備える絶縁基材と、この絶縁基材上の前記第１及び第２の主面の少なくとも一方の面に形成されたアンテナコイルと、前記絶縁基材上の前記アンテナコイルに各々接続されて前記第１及び第２の主面上をそれぞれ延びる一対の接続パターンと、前記一対の接続パターンに沿って各々間隔をおいて配置されるとともに前記絶縁基材の前記第１及び第２の主面上で該一対の接続パターンに各々接続され且つ該絶縁基材を挟んで各々対向する複数組の静電容量調整パターンのうち、いずれか一組の静電容量調整パターンの全体又は前記一対の接続パターンの一部を、該絶縁基材上から選択的に抜き落とした貫通孔を有するチューニング部とを具備することを特徴とする。

すなわち、この発明によれば、上記した貫通孔の穿孔により、複数組の静電容量調整パターンのうち、アンテナコイルとの電気的な接続が切り離されたパターンの組が、アンテナコイルに近接するパターンの組（つまり、一対の接続パターンの基端側に位置するパターンの組）か、若しくは、アンテナコイルから比較的遠くに離れたパターンの組（つまり、一対の接続パターンの先端部側に位置するパターンの組）かで、アンテナ全体の静電容量を調整することができる。これにより、型による打ち抜き加工などを利用して共振周波数の比較的細かいチューニングを容易に実現することができる。また、この発明においても、選択された一組の静電容量調整パターンの全体又は前記一対の接続パターンの一部を、絶縁基材上から抜き落とすようにして貫通孔が穿孔されるので、互いに対向する静電容量調整パターンの組どうしが、この貫通孔越しに短絡してしまうことなどが阻止され、これによりパターン配線に関しての電気的な接続信頼性が確保される。

さらに、本発明に係る非接触データキャリアは、少なくとも前記チューニング部の前記貫通孔の周縁部、若しくは前記チューニング実施可能領域の周縁部における前記一対の接続パターンの各配線位置は、前記絶縁基材上の前記第１及び第２の主面に沿った方向において互いに離間した位置に配線されていることを特徴とする。
つまり、この発明では、アンテナコイルと対の静電容量調整パターンとを接続する一対の接続パターンにおいて、貫通孔形成時にその周縁部に生じ得る接続パターンのバリなどが貫通孔越しに短絡してしまうことなどが阻止され、これにより、パターン配線部分の電気的な接続信頼性を向上させることができる。

また、本発明に係る非接触データキャリアは、前記貫通孔が形成されている絶縁基材を、前記第１及び第２の主面の外側から挟み込む位置に各々配置され且つ少なくとも前記貫通孔越しに互いが熱融着された一対の保護部材をさらに具備することを特徴とする。
すなわち、この発明によれば、共振周波数をチューニングするための貫通孔を共用（兼用）して、アンテナコイルやチップ部品などを外部から保護する各保護部材どうしの密着強度を向上させることができる。

また、本発明に係る非接触データキャリアの製造方法は、電気絶縁性を有する絶縁基材上の第１の主面及びこの第１の主面と相対する側に位置する第２の主面のうちの少なくとも一方の面に配置されるアンテナコイルと、このアンテナコイルに各々接続されて該第１及び第２の主面上をそれぞれ延びる一対の接続パターンと、この一対の接続パターンにそれぞれ接続され且つ該絶縁基材を挟んで対向する一対の静電容量調整パターンとを形成する工程と、前記一対の静電容量調整パターンの全体若しくは前記一対の接続パターンの一部を、前記絶縁基材上から抜き落とすための貫通孔の穿孔又は非穿孔のいずれかを選択する工程とを有することを特徴とする。

さらに、本発明に係る非接触データキャリアの製造方法は、非接触データキャリアの製造方法は、電気絶縁性を有する絶縁基材上の第１の主面及びこの第１の主面と相対する側に位置する第２の主面のうちの少なくとも一方の面に配置されるアンテナコイルと、このアンテナコイルに各々接続されて該第１及び第２の主面上をそれぞれ延びる一対の接続パターンと、この一対の接続パターンに沿って各々間隔をおいて配置されるとともに該絶縁基材の該第１及び第２の主面上で該一対の接続パターンに各々接続され且つ該絶縁基材を挟んで各々対向する複数組の静電容量調整パターンとを形成する工程と、前記絶縁基材上の前記複数組の静電容量調整パターンのうち、この中から選択したいずれか一組の静電容量調整パターンの全体又は前記一対の接続パターンの一部を、該絶縁基材上から抜き落とすための貫通孔を穿孔する工程とを有することを特徴とする。

また、本発明に係る非接触データキャリアの製造方法は、前記絶縁基材上に穿孔された前記貫通孔の周縁部、若しくは該貫通孔が穿孔されるべき該絶縁基材上の領域の周縁部における前記一対の接続パターンの各配線位置が、該絶縁基材上の前記第１及び第２の主面に沿った方向において互いに離間した位置に配線されることを特徴とする。

さらに、本発明に係る非接触データキャリアの製造方法は、前記貫通孔が穿孔されている絶縁基材を、前記第１及び第２の主面の外側から挟み込む位置に一対の保護部材を配置し、少なくとも前記貫通孔越しに該一対の保護部材どうしを互いに熱融着することを特徴とする。

このように本発明によれば、アンテナのチューニングを電気的な接続信頼性を確保しつつ、しかも効率良く行うことの可能な非接触データキャリア及びその製造方法を提供することができる。

以下、本発明を実施するための最良の形態を図面に基づき説明する。
（第１の実施形態）
図１は、本発明の第１の実施形態に係る非接触データキャリアを一方の主面（表面）側からみた図、図２は、この非接触データキャリアを側面からみた断面図、図３は、この非接触データキャリアを他方の主面（裏面）側からみた図である。また、図４は、本実施形態において、基材フィルム上のチューニングパターンを抜き落とした貫通孔が形成されている非接触データキャリアを一方の主面（表面）側からみた図、図５は、図４に示す非接触データキャリアを側面からみた断面図、図６は、図４に示す非接触データキャリアを他方の主面（裏面）側からみた図である。さらに、図７は、図１ないし図６の非接触データキャリアの構成を示す機能ブロック図、図８は、図４に示す非接触データキャリアの製造方法を説明するための図である。

まず、図１〜図３及び図７に示す非接触データキャリア（無線ＩＣタグなどとも称する）１について説明する。この非接触データキャリア１は、矩形の基材フィルム２と、基材フィルム２上に形成されたアンテナコイル３と、基材フィルム２上でアンテナコイル３に並列に接続された一対の接続パターン８ａ、８ｂと、基材フィルム２上に実装されたＩＣチップ９ａと、一対の接続パターンにそれぞれ接続された静電容量調整パターンとしての一対のチューニングパターン５ａ、５ｂと、チューニング実施可能領域としての貫通孔形成可能領域１２と、基材フィルム２を挟み込むようにしてラミネート加工された矩形の一対の保護フィルム７ａ、７ｂとから主に構成される。

基材フィルム２は、電気絶縁性を有し、一方の主面（表面）２ａと、この一方の主面２ａと相対する側に位置する他方の主面（裏面）２ｂとを備える。また、アンテナコイル３は、この基材フィルム２の一方の主面２ａ上を複数回周回するように形成されている。さらに、一対の接続パターン８ａ、８ｂは、基材フィルム２上のアンテナコイル３に各々接続されて、基材フィルム２の一方の主面２ａ及び他方の主面２ｂ上をそれぞれ延びるように配線されている。詳細には、アンテナコイル３の一端部３ａは、一方の接続パターン８ａの基端部分に接続されており、この部位にさらにＩＣチップ９ａの接続バンプ９ｃの一方が接続されている。一方、アンテナコイル３の他端部３ｂは、基材フィルム２の他方の主面（裏面）２ｂ上に配線される配線パターン６の一端部にカシメ部６ａを介して接続され、さらに配線パターン６の他端部は、カシメ部６ｂを介し、基材フィルム２の一方の主面（表面）２ａ上に配線される配線パターン６ｃの基端部に接続されている。配線パターン６ｃの先端部には、ＩＣチップ９ａの接続バンプ９ｃの他方が接続されている。さらに、上記した配線パターン６の他端部は、基材フィルム２の他方の主面（裏面）２ｂ上で接続パターン８ｂの基端部に接続されている。

また、一対のチューニングパターン５ａ、５ｂは、基材フィルム２の一方及び他方の主面２ａ、２ｂ上で一対の接続パターン８ａ、８ｂの各先端部にそれぞれ接続されるとともに電気絶縁性の基材フィルム２を挟んで対向する位置に配置されている。これらの一対のチューニングパターン５ａ、５ｂは、各々が略円形状に拡がるかたちで形成されており、コンデンサパターンとして機能する。また、上記ＩＣチップ９ａには、電源バックアップ不要で且つ書き換え可能な不揮発性メモリや無線交信のためのＲＦ回路の他、コンデンサ５ｃなども搭載されている（図７参照）。このように基材フィルム２上で各々接続されるアンテナコイル３、ＩＣチップ９ａ内のコンデンサ５ｃ、及びチューニングパターン５ａ、５ｂによって、図７に示すようにアンテナ全体の共振回路が構成される。ここで、アンテナ全体の共振周波数の調整用に設けられた基材フィルム２上の貫通孔形成可能領域１２は、一対のチューニングパターン５ａ、５ｂの全体を、基材フィルム２上から抜き落とすための貫通孔１４を穿孔可能な領域として確保されている。この貫通孔形成可能領域１２は、チューニングパターン５ａの外形よりも、その外形が僅かに大きく形成されたチューニングパターン５ｂの外周縁を、やや外側にオフセットした外周縁に包囲された円形状の領域である。

次に、図４〜図７、及び図８に示す非接触データキャリア１１について説明する。この非接触データキャリア１１は、ＩＣチップ９ａに代えてＩＣチップ９ｂが基材フィルム２上に実装されている点と、基材フィルム２上の貫通孔形成可能領域１２に貫通孔１４が穿孔されている点とが、上述した非接触データキャリア１の構成との相違点である。すなわち、ＩＣチップ９ｂは、自身に搭載されているコンデンサ５ｃの容量が、ＩＣチップ９ａのコンデンサ容量よりも、例えば大きい値になっている。そこで、図４〜図６や、図８に示すように、非接触データキャリア１１には、基材フィルム２ａを挟んで対向していた一対のチューニングパターン５ａ、５ｂの全体を、基材フィルム２ａから抜き落としたチューニング部たる貫通孔１４が穿孔されている。

ここで、互いに特性の異なるＩＣチップＡ、ＩＣチップＢを複数個ずつ用意し、それぞれに対して、基材フィルム２上に貫通孔１４を穿孔した場合と、穿孔しなかった場合とにおいて、基材フィルム２に対し保護フィルム７ａ、７ｂをラミネートする前のモジュールの状態で、共振周波数の値と、例えば周波数の選択度や尖鋭度などを示すアンテナのＱの値を測定したデータを図９に示す。この結果から明らかなように、ＩＣチップＡ、Ｂのいずれにおいても、貫通孔１４（チューニングパターン５ａ、５ｂ）の有／無で、共振周波数の値が、０．４５〜０．４７ＭＨｚ程度（ａｖｅの値参照）、変化することがわかる。なお、完成品としての非接触データキャリア１、１１の共振周波数の目標値は、１３、５６ＭＨｚであるが、例えば保護フィルム７ａ、７ｂのラミネート前後でも共振周波数が変化してしまうことなども考慮して、貫通孔１４の穿孔／非穿孔を選択することが重要である。

次に、このように構成された、特に非接触データキャリア１１の製造方法を主に図８に基づき説明する。
同図８に示すように、例えばその材質がＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ポリエチレン、紙などで構成された基材フィルム２上に、フォトエッチングや、またレジスト印刷によるエッチングなどを用いアンテナコイル３、チューニングパターン５ａ、５ｂ、接続パターン８ａ、８ｂなどを形成する。これらの配線パターンの材料としは、アルミニウムや銅などを選択できる。ここで、貫通孔形成可能領域１２の周縁部における一対の接続パターン８ａ、８ｂの各配線位置は、図１、図３などに示すように、基材フィルム２上の各主面２ａ、２ｂに沿った方向において間隔（例えば接続パターンの幅の２倍以上間隔）Ｐを空けて互いに離間する位置に配線される。

次に、図４、図８などに示すように、接続バンプ９ｃを介してＩＣチップ９ｂを基材フィルム２のパターン上に実装する。さらに、専用の型や打ち抜き治具などを用いて、貫通孔形成可能領域１２内のチューニングパターン５ａ、５ｂの全体を、基材フィルム２上から抜き落とすようにして貫通孔１４を穿孔する。この際、図４、図６などに示すように、貫通孔形成可能領域１２の周縁部における接続パターン８ａ、８ｂの各配線位置は、間隔Ｐを空けて各々配線されているので、貫通孔１４の穿孔時にその周縁部に生じ得る接続パターンのバリなどが貫通孔１４越しに短絡（ショート）してしまうことなどが阻止され、これにより、パターン配線部分の電気的な接続信頼性を向上させることができる。

この後、図７に示すように、基材フィルム２の両側から、この基材フィルム２よりも外形を大きく構成した一対の保護フィルム７ａ、７ｂで挟み込むようにしてラミネート加工を施す。この際、保護フィルム７ａ、７ｂどうしの内側面の外周縁どうしが互いに熱融着されることに加え、貫通孔１４越しにも保護フィルム７ａ、７ｂどうしが熱融着される。したがって、共振周波数をチューニングするための貫通孔１４を共用して、保護フィルム７ａ、７ｂどうしの機械的な密着強度を容易に向上させることができる。又、前記基材フィルム２を一体で樹脂成形して非接触データキャリアを作製した場合、前記貫通孔１４を通して表裏の成形樹脂が一体となるため、同様に機械的な強度を向上させることができる。

このようにして製造される本実施形態の非接触データキャリア１、１１によれば、基材フィルム２を挟んで対向する一対のチューニングパターン５ａ、５ｂの全体を、この基材フィルム２上から抜き落とすことの可能な貫通孔１４を形成するか否かで、アンテナ部分の共振周波数を設定することができ、これにより、型による打ち抜き加工などを利用して共振周波数のチューニングを容易に行うことができる。また、本実施形態の非接触データキャリア１、１１によれば、貫通孔１４が形成される場合でも、チューニングパターン５ａ、５ｂの全体が基材フィルム２上から抜き落とされるので、チューニングパターン５ａ、５ｂどうしが例えば貫通孔１４越しに短絡してしまうことなどが防止され、パターン配線における電気的な接続信頼性を確保することができる。

（第２の実施形態）
次に、本発明の第２の実施形態を図１０〜図１２に基づき説明する。ここで、図１０は、本発明の第２の実施形態に係る非接触データキャリアに内蔵されるパターン形成された基材フィルムを一方の主面（表面）側からみた図、図１１は、この非接触データキャリアを一方の面（表面）側からみた図、図１２は、この非接触データキャリアを側面からみた断面図である。なお、第１の実施形態で説明した部材やその部位と同様の機能を有するものについては、同一の符号を付与しその説明を省略する。

すなわち、この実施形態に係る非接触データキャリア２１は、複数組のチューニングパターン２５ａ、２５ｂ、２６ａ、２６ｂ、２７ａ、２７ｂ、２８ａ、２８ｂのうち、いずれか一組のチューニングパターンの全体を、基材フィルム２上から選択的に抜き落とした貫通孔３４をチューニング部として備える点に特徴を有する。これらのチューニングパターンは、一対の接続パターン３８ａ、３８ｂに沿って各々間隔をおいて配置されるとともに、基材フィルム２の各主面２ａ、２ｂ上で接続パターン３８ａ、３８ｂに各々接続され且つ基材フィルム２を挟んで各々対向するように配置されている。複数組のチューニングパターンは、静電容量の計数などを容易にするために、基材フィルム２上の同一面に配置されるパターンどうしの面積がほぼ同一面積で形成されている。なお、静電容量の微調整を行えるように個々のパターンどうしの面積が各々異なるようにパターンニングを行ってもよい。ここで、複数組のチューニングパターンのうち、いずれか一組のチューニングパターンの全体を、基材フィルム２上から抜き落とすための貫通孔を個別に穿孔可能な領域として、貫通孔形成可能領域３５、３６、３７、３９が確保されている。この実施形態の非接触データキャリア２１では、図１１及び図１２に示すように、貫通孔形成可能領域３６にあるチューニングパターン２６ａ、２６ｂが貫通孔３４によって選択的に抜き落とされた形態が例示されている。

つまり、この実施形態の非接触データキャリア２１によれば、複数組のチューニングパターンのうち、選択して抜き落としたパターンの組が、アンテナコイル３との接続部分の基端部側に位置するパターンの組か、先端部側に位置するパターンの組かで、アンテナ全体の静電容量を調整することができ、これにより、型による打ち抜き加工などを利用して共振周波数の比較的細かいチューニングを容易に実現することができる。なお、勿論、貫通孔形成可能領域３５、３６、３７、３９における、いずれのチューニングパターンも抜き落とさないことで、静電容量の調整（設定）を行ってもよい。また、この実施形態の非接触データキャリア２１によれば、選択された一組の静電容量調整パターンの全体を、絶縁基材上から抜き落とすようにして貫通孔が穿孔されるので、互いに対向する静電容量調整パターンの組どうしが、この貫通孔越しに短絡してしまうことなどが阻止され、これによりパターン配線に関しての電気的な接続信頼性が確保される。さらに、非接触データキャリア２１では、貫通孔形成可能領域３５、３６、３７、３９の周縁部における接続パターン３８ａ、３８ｂの各配線位置は、間隔Ｐを空けて各々配線されているので、接続パターン３８ａ、３８ｂのバリなどが貫通孔越しにショートすることなども阻止される。

（第３の実施形態）
次に、本発明の第３の実施形態を図１３〜図１５に基づき説明する。ここで、図１３は、本発明の第３の実施形態に係る非接触データキャリアに内蔵されるパターン形成された基材フィルムを一方の主面（表面）側からみた図、図１４は、この非接触データキャリアを一方の面（表面）側からみた図、図１５は、この非接触データキャリアを側面からみた断面図である。なお、第１、第２の実施形態で説明した部材やその部位と同様の機能を有するものについては、同一の符号を付与しその説明を省略する。

すなわち、この実施形態に係る非接触データキャリア５１は、上記した第２の実施形態の非接触データキャリア２１の構成に加え、アンテナコイル３と、チューニングパターン２５ａ、２５ｂと、チューニングパターン２６ａ、２６ｂと、チューニングパターン２７ａ、２７ｂと、チューニングパターン２８ａ、２８ｂとの間をそれぞれ接続する一対の接続パターン３８ａ、３８ｂの一部を、基材フィルム２上から抜き落とし電気的な接続を切り離すための貫通孔を穿孔可能な領域として、貫通孔形成可能領域（チューニング実施可能領域）５２、５３、５６、５５が確保されている。

詳細には、貫通孔形成可能領域５２、５３、５６、５５は、一対の接続パターン３８ａ、３８ｂにおけるアンテナコイル３とチューニングパターン２５ａ、２５ｂとの間を接続する部位、若しくは、一対の接続パターン３８ａ、３８ｂにおける、隣接するチューニングパターンどうしが接続される部位を、基材フィルム２上から抜き落とすための貫通孔を形成可能な領域である。この実施形態の非接触データキャリア５１では、図１４及び図１５に示すように、チューニングパターン２６ａ、２６ｂとチューニングパターン２７ａ、２７ｂとの間の貫通孔形成可能領域５６にある接続パターン３８ａ、３８ｂが、チューニング部となる貫通孔５４によって選択的に抜き落とされた形態が例示されている。

したがって、この実施形態の非接触データキャリア５１では、チューニングパターン２５ａ、２５ｂ、２６ａ、２６ｂ、２７ａ、２７ｂ、２８ａ、２８ｂとアンテナコイル３とを各々接続する一対の接続パターン３８ａ、３８ｂの一部を、貫通孔により基材フィルム２上から抜き落とすことで、アンテナ全体の静電容量を調整することができる。すなわち、非接触データキャリア５１によれば、上記した貫通孔の穿孔により、複数組のチューニングパターンのうち、アンテナコイル３との電気的な接続が切り離されたパターンの組が、アンテナコイル３に近接するパターンの組（つまり、一対の接続パターン３８ａ、３８ｂの基端側に位置するパターンの組）か、若しくは、アンテナコイル３から比較的遠くに離れたパターンの組（つまり、一対の接続パターン３８ａ、３８ｂの先端部側に位置するパターンの組）かで、アンテナの共振周波数をチューニングすることができる。

なお、この第３の実施形態と同様に、図１、図４などに示した第１の実施形態の非接触データキャリア１においても、チューニングパターン５ａ、５ｂの全体を貫通孔１２により基材フィルム２上から抜き落とすことに代えて、チューニングパターン５ａ、５ｂとアンテナコイル３とを接続する一対の接続パターン８ａ、８ｂの一部を、貫通孔により基材フィルム２上から抜き落とし、チューニングパターン５ａ、５ｂとアンテナコイル３との電気的な接続を切り離すようにしてもよい。

以上、本発明を各実施の形態により具体的に説明したが、本発明はこれらの実施形態にのみ限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。例えば、上述した実施形態では、共振周波数をチューニングするための貫通孔を共用して、保護フィルム７ａ、７ｂどうしの機械的な密着強度を向上させるものであったが、これに加えて、基材フィルム上におけるチューニングを目的としない（配線パターンのない）領域に、密着強度の向上のみを目的とした他の貫通孔を、上記チューニング用の貫通孔の穿孔工程と同一工程で穿孔するようにしてもよい。これにより、効率良く、保護フィルム７ａ、７ｂどうしのさらなる密着強度の向上を図ることができる。また、これらの保護フィルム７ａ、７ｂに代えて、ある程度の強度を持ったカード状の保護部材を適用することでＩＣカード型の非接触データキャリアを容易に作製することもできる。

本発明の第１の実施形態に係る非接触データキャリアを一方の主面（表面）側からみた図。 図１に示す非接触データキャリアを側面からみた断面図。 図１に示す非接触データキャリアを他方の主面（裏面）側からみた図。 図１の非接触データキャリアにおいて、基材フィルム上のチューニングパターンを抜き落とす貫通孔が形成されたものを一方の主面（表面）側からみた図。 図４に示す非接触データキャリアを側面からみた断面図。 図４に示す非接触データキャリアを他方の主面（裏面）側からみた図。 図１ないし図６の非接触データキャリアの構成を示す機能ブロック図。 図４に示す非接触データキャリアの製造方法を説明するための図。 図１ないし図８に示した非接触データキャリアにおいて、チューニングパターンを抜き落とす貫通孔の穿孔／非穿孔に応じた共振周波数のチューニング状況を示す図。 本発明の第２の実施形態に係る非接触データキャリアに内蔵されるパターン形成された基材フィルムを一方の主面（表面）側からみた図。 第２の実施形態に係る非接触データキャリアを一方の主面（表面）側からみた図。 図１１に示す非接触データキャリアを側面からみた断面図。 本発明の第３の実施形態に係る非接触データキャリアに内蔵されるパターン形成された基材フィルムを一方の主面（表面）側からみた図。 第３の実施形態に係る非接触データキャリアを一方の主面（表面）側からみた図。 図１４に示す非接触データキャリアを側面からみた断面図。

符号の説明

１，１１，２１，５１…非接触データキャリア、２…基材フィルム、２ａ…基材フィルムの一方の面（表面）、２ｂ…基材フィルムの他方の面（裏面）、３…アンテナコイル、５ａ，５ｂ，２５ａ，２５ｂ，２６ａ，２６ｂ，２７ａ，２７ｂ，２８ａ，２８ｂ…チューニングパターン、５ｃ…コンデンサ、７ａ，７ｂ…保護フィルム、８ａ，８ｂ，３８ａ，３８ｂ…接続パターン、９ａ，９ｂ…ＩＣチップ、１２，３５，３６，３７，３９，５２，５３，５５，５６…貫通孔形成可能領域、１４，３４，５４…貫通孔。

Claims (9)

1. 電気絶縁性を有し、第１の主面とこの第１の主面と相対する側に位置する第２の主面とを備える絶縁基材と、
   この絶縁基材上の前記第１及び第２の主面の少なくとも一方の面に形成されたアンテナコイルと、
   前記絶縁基材上の前記アンテナコイルに各々接続されて前記第１及び第２の主面上をそれぞれ延びる一対の接続パターンと、
   前記絶縁基材の前記第１及び第２の主面上で前記一対の接続パターンにそれぞれ接続され且つ該絶縁基材を挟んで対向していた一対の静電容量調整パターンの全体又は前記一対の接続パターンの一部を、該絶縁基材から抜き落とした貫通孔を有するチューニング部と
   を具備することを特徴とする非接触データキャリア。
2. 電気絶縁性を有し、第１の主面とこの第１の主面と相対する側に位置する第２の主面とを備える絶縁基材と、
   この絶縁基材上の前記第１及び第２の主面の少なくとも一方の面に形成されたアンテナコイルと、
   前記絶縁基材上の前記アンテナコイルに各々接続されて前記第１及び第２の主面上をそれぞれ延びる一対の接続パターンと、
   前記絶縁基材の前記第１及び第２の主面上で前記一対の接続パターンにそれぞれ接続されるとともに該絶縁基材を挟んで対向する一対の静電容量調整パターンと、
   前記一対の静電容量調整パターンの全体又は前記一対の接続パターンの一部を、前記絶縁基材上から抜き落とすための貫通孔を穿孔可能な領域として確保されたチューニング実施可能領域と
   を具備することを特徴とする非接触データキャリア。
3. 電気絶縁性を有し、第１の主面とこの第１の主面と相対する側に位置する第２の主面とを備える絶縁基材と、
   この絶縁基材上の前記第１及び第２の主面の少なくとも一方の面に形成されたアンテナコイルと、
   前記絶縁基材上の前記アンテナコイルに各々接続されて前記第１及び第２の主面上をそれぞれ延びる一対の接続パターンと、
   前記一対の接続パターンに沿って各々間隔をおいて配置されるとともに前記絶縁基材の前記第１及び第２の主面上で該一対の接続パターンに各々接続され且つ該絶縁基材を挟んで各々対向する複数組の静電容量調整パターンのうち、いずれか一組の静電容量調整パターンの全体又は前記一対の接続パターンの一部を、該絶縁基材上から選択的に抜き落とした貫通孔を有するチューニング部と
   を具備することを特徴とする非接触データキャリア。
4. 少なくとも前記チューニング部の前記貫通孔の周縁部、若しくは前記チューニング実施可能領域の周縁部における前記一対の接続パターンの各配線位置は、前記絶縁基材上の前記第１及び第２の主面に沿った方向において互いに離間した位置に配線されていることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の非接触データキャリア。
5. 前記貫通孔が形成されている絶縁基材を、前記第１及び第２の主面の外側から挟み込む位置に各々配置され且つ少なくとも前記貫通孔越しに互いが熱融着された一対の保護部材をさらに具備することを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の非接触データキャリア。
6. 電気絶縁性を有する絶縁基材上の第１の主面及びこの第１の主面と相対する側に位置する第２の主面のうちの少なくとも一方の面に配置されるアンテナコイルと、このアンテナコイルに各々接続されて該第１及び第２の主面上をそれぞれ延びる一対の接続パターンと、この一対の接続パターンにそれぞれ接続され且つ該絶縁基材を挟んで対向する一対の静電容量調整パターンとを形成する工程と、
   前記一対の静電容量調整パターンの全体若しくは前記一対の接続パターンの一部を、前記絶縁基材上から抜き落とすための貫通孔の穿孔又は非穿孔のいずれかを選択する工程と
   を有することを特徴とする非接触データキャリアの製造方法。
7. 電気絶縁性を有する絶縁基材上の第１の主面及びこの第１の主面と相対する側に位置する第２の主面のうちの少なくとも一方の面に配置されるアンテナコイルと、このアンテナコイルに各々接続されて該第１及び第２の主面上をそれぞれ延びる一対の接続パターンと、この一対の接続パターンに沿って各々間隔をおいて配置されるとともに該絶縁基材の該第１及び第２の主面上で該一対の接続パターンに各々接続され且つ該絶縁基材を挟んで各々対向する複数組の静電容量調整パターンとを形成する工程と、
   前記絶縁基材上の前記複数組の静電容量調整パターンのうち、この中から選択したいずれか一組の静電容量調整パターンの全体又は前記一対の接続パターンの一部を、該絶縁基材上から抜き落とすための貫通孔を穿孔する工程と
   を有することを特徴とする非接触データキャリアの製造方法。
8. 前記絶縁基材上に穿孔された前記貫通孔の周縁部、若しくは該貫通孔が穿孔されるべき該絶縁基材上の領域の周縁部における前記一対の接続パターンの各配線位置は、該絶縁基材上の前記第１及び第２の主面に沿った方向において互いに離間した位置に配線されることを特徴とする請求項６又は７記載の非接触データキャリアの製造方法。
9. 前記貫通孔が穿孔されている絶縁基材を、前記第１及び第２の主面の外側から挟み込む位置に一対の保護部材を配置し、少なくとも前記貫通孔越しに該一対の保護部材どうしを互いに熱融着することを特徴とする請求項６ないし８のいずれか１項に記載の非接触データキャリアの製造方法。

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