JP2006066548A - 発光素子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】透明結晶基板1上に半導体層を積層した発光部2及び電極から成る発光素子パターン20が複数形成されている発光素子ウエハ10を発光素子パターン20毎に切断して発光素子チップを得る発光素子の製造方法において、発光素子パターン20部分に樹脂6を配置して樹脂6により発光素子ウエハ10を透明な保持基板5上に接着する第1の工程と、樹脂6部分にレーザ光LBが照射されない状態で保持基板5に接着された発光素子ウエハ10にレーザ光LBを照射することによりウエハ10を発光素子パターン20毎に切断する第2の工程と、を備える。
【選択図】図4
Description
図4は実施形態1を示す。実施形態1は、第1の工程における固定方法として上述の樹脂による方法1を用いている。すなわち、透明結晶基板1上に形成された複数の発光素子パターン20の表面を透明な保持基板5の表面に対向させ、発光素子パターン20の表面に介在させた樹脂6により発光素子パターン20の表面を保持基板5の表面に接着して、発光素子ウエハ10を保持基板5上に固定している。第2の工程における切断は、発光素子ウエハ10の保持基板5に対向していない面、すなわち発光部2が形成されていない発光素子ウエハの面(裏面)側からレーザ光LBを照射して行う。レーザ光LBの照射は、切断領域9を通る切断面11に沿って行う。
図5は実施形態2を示す。実施形態2は、第1の工程における固定方法として上述の真空吸着による方法2を用いている。すなわち、透明結晶基板1上に形成された発光素子パターン20の表面を透明な保持基板5の表面に接触させて発光素子ウエハ10を保持基板5上に配置し、保持基板5に設けた発光素子パターン20の表面に対向した開口を有する排気用流路50の内部を矢印Pで示すように排気することにより発光素子パターン20の表面を保持基板5に真空吸着して、発光素子ウエハ10を保持基板5上に固定している。第2の工程における切断は、実施形態1と同様に、発光素子ウエハ10の裏面側から切断面11に沿ってレーザ光LBを照射して行う。
図6は実施形態3を示す。実施形態3は、第1の工程における固定方法として上述の圧接板による方法3を用いている。すなわち、透明結晶基板1上に形成された複数の発光素子パターン20の表面を透明な保持基板5の表面に接触させて発光素子ウエハ10を保持基板5上に配置し、発光部2周辺に設けられた切断領域9を臨むスリット状開口71を有する圧接板7を用いて発光素子ウエハ10を保持基板5に押さえつけることにより発光素子ウエハ10を保持基板5上に固定している。第2の工程における切断は、実施形態1と同様に、発光素子ウエハ10の裏面側から切断面11に沿ってレーザ光LBを照射して行う。ただし、本実施形態3においては、スリット状開口71を通過するレーザ光LBを用いる。
図7(a)〜(d)は実施形態4を示し、各図は、発光素子ウエハ10の切断における主要段階を示している。本実施形態4は前述の実施形態1と同様に固定方法として樹脂6による方法1を用いている。図7(a)は接着用の樹脂6を透明な保持基板5の表面であって発光素子パターン20の接着予定位置に対応する表面位置に配置し、発光素子ウエハ10を保持基板5に対向させた状態を示す。なお、樹脂6は、保持基板5上ではなく、発光素子パターン20の表面に配置してもよい。発光素子ウエハ10を固定する相手方として透明な保持基板5を用いるのは次の理由による。透明な保持基板5の代わりにシリコンウエハのダイシング時に用いられるUVシートなどを用いて高出力のレーザ光で切断した場合、切断完了後に発光素子ウエハ10を透過したレーザ光によりUVシートが加工される結果、発光素子チップ4に異物汚染などのダメージを与えてしまう。透明な保持基板5を用いることにより、レーザ光LBによる保持基板5の損傷を抑制でき、保持基板5の損傷による発光素子チップ4へのダメージ発生を抑制できる。
図8(a)〜(e)は実施形態5を示す。実施形態5は、上述の実施形態4におけるレーザ光LBの照射方向(ビーム方向)が発光素子ウエハ10の裏面に対し垂直であるのに対し、斜め方向からレーザ光LBを照射するものである。従って、図8(c)(d)に示すように、隣接する発光素子パターン20の間には2つの切断溝12が形成されて切断片13が形成される。また、図8(e)に示すように、切断片13を取り除いて、保持基板5から分離した発光素子チップ4は、台形状となる。このような形状の発光素子チップ4は、台形状の透明結晶基板1の斜面を集光や光分散に用いることができる。この斜面を光反射面として用いる場合、発光素子パターン20からの光取り出し効率を上げることができる。
図9は実施形態6を示す。実施形態6は、前述の実施形態3と同様に固定方法として圧接板7による方法3を用いている。図9において、保持基板5に固定された発光素子ウエハ10の切断における主要段階が、図の上方から下方に向けて時系列的に、状態S1〜S5により示されている。状態S1は、発光素子ウエハ10を裏面を上にして保持基板5上に配置した状態である。碁盤目状に配列して形成された発光素子パターン20が、透明結晶基板1を透過して見える。碁盤目状に並んだ発光素子パターン20の隙間は、直交する2方向(X方向、Y方向)に連続しており、この連続した隙間領域が切断領域を構成する。圧接板7は、切断領域に対応するスリット状開口71を備えている。
図10は実施形態7を示す。上述のように、スリット状開口71を有する圧接板7を用いて切断加工する場合、発光素子ウエハ10の外周部分を切断加工せずに切断溝12の端部に未加工部分Qとして残しておく。これにより、圧接板7を90゜回転させる際に、発光素子ウエハ10がばらばらになることを防ぐことができる。従って、圧接板7を90゛回転させた後に、圧接板7と発光素子ウエハ10の位置合わせが容易となり、精度良く切断加工できる。
図11は実施形態8を示す。実施形態8は、実施形態3や実施形態6におけるように圧接板7を用いて発光素子ウエハ10を保持基板5に固定する場合に、圧接板7の裏面側(発光素子ウエハ側)に接合用の樹脂73を配置するものである。樹脂73として、例えば粘着テープ用いることができる。X方向のレーザ加工の間は圧接板7と発光素子ウエハ10とは樹脂73により接合して固定された状態としておく。X方向の加工後、樹脂73の接合強度を低下させて、圧接板7と発光素子ウエハ10を分離し、圧接板7を90゜回転させる。その後、X方向と同様にY方向の切断加工を行い、発光素子パターン20毎に発光素子ウエハ10をチップ化する。
図12は実施形態9を示す。実施形態9は、上述の実施形態8における圧接板7を発光素子ウエハ10に固定するための接合用の樹脂73として、温度により接合強度が制御できる樹脂73を用いるものである。樹脂73の具体例として、米国Landec社製インテリマーテープなどが挙げられる。樹脂73の温度制御は、圧接板7を加熱して行う。例えば、圧接板7に電気抵抗体74を備え、この電気抵抗体74に通電したときの発熱により樹脂73の接合強度を変化させる。このため、圧接板7を、ガラスなどの絶縁物質で作製し、樹脂73に接する側に発熱用の金属薄膜からなる電気抵抗体74を形成する。金属薄膜材料としては、ニクロムなどが適している。
図13は実施形態10を示す。実施形態10は、保持基板5における発光素子ウエハ10に対向する面であってレーザ光LBが照射される部分に逃げ溝51を形成したものである。発光素子ウエハ10を裏面(図の上方)から切断中に透明結晶基板1を透過したレーザ光LB、又は切断後に直接飛来するレーザ光LBによって照射される保持基板5の表面部分に逃げ溝51を形成して凹形状にしておく。その結果、保持基板5上におけるレーザ光LBによる被照射位置が集光点から遠ざかった逃げ溝51の底部となり、被照射位置におけるレーザ光LBの強度(エネルギ密度)を低減できるので、保持基板5の表面が損傷されにくくなる。従って、保持基板5からの異物等による発光素子ウエハ10へのダメージを抑制することが可能となる。
図14は実施形態11を示す。実施形態11は、発光素子ウエハ10に対向する保持基板5の表面、すなわちレーザ光LBによって照射される面に酸化シリコン系材料8を配置するものである。この場合、酸化シリコン系材料8は、保持基板5の表面の全面に配置してよい。酸化シリコン系材料8は一般にレーザ光による損傷を受けにくく、切断中に透明結晶基板1を透過したレーザ光LB、又は切断後に直接飛来するレーザ光LBによる保持基板5の損傷を抑制して発光素子ウエハ10へのダメージ発生を低減できる。酸化シリコン系材料8として、HSQレジン(具体的にはDOW CORNING社製FoxFlowableOxiide)などが挙げられる。これらの材料は、Si、O、Hのみから構成されており、炭化物を含まないため、レーザ加工による熱的ダメージや汚染が少ない。なお、酸化シリコン系材料8は、接着用樹脂として機能する。
2 発光部
3 電極
4 発光素子チップ
5 保持基板
6 樹脂
7 圧接板
8 酸化シリコン系材料
9 切断領域
10 発光素子ウエハ
20 発光素子パターン
21,22 半導体層
50 排気用流路
51 逃げ溝
71 スリット状開口
73 樹脂
74 電気抵抗体
LB レーザ光
Q 未加工部
Claims (8)
- 透明結晶基板上に半導体層を積層した発光部及び電極から成る発光素子パターンが複数形成されている発光素子ウエハを前記発光素子パターン毎に切断して発光素子チップを得る発光素子の製造方法において、
前記発光素子パターン部分に樹脂を配置して該樹脂により前記発光素子ウエハを透明な保持基板上に接着する第1の工程と、
前記樹脂部分にレーザ光が照射されない状態で前記保持基板に接着された発光素子ウエハにレーザ光を照射することにより該ウエハを発光素子パターン毎に切断する第2の工程と、を備えたことを特徴とする発光素子の製造方法。 - 透明結晶基板上に半導体層を積層した発光部及び電極から成る発光素子パターンが複数形成されている発光素子ウエハを前記発光素子パターン毎に切断して発光素子チップを得る発光素子の製造方法において、
前記発光素子パターン表面を透明な保持基板表面に接触させて前記発光素子ウエハを前記保持基板上に配置し、前記保持基板に設けた前記発光素子パターン表面に対向した開口を有する排気用流路の内部を排気することにより前記発光素子パターン表面を前記保持基板に真空吸着して前記発光素子ウエハを前記保持基板上に固定する第1の工程と、
前記保持基板に固定された発光素子ウエハにレーザ光を照射することにより該ウエハを発光素子パターン毎に切断する第2の工程と、を備えたことを特徴とする発光素子の製造方法。 - 透明結晶基板上に半導体層を積層した発光部及び電極から成る発光素子パターンが複数形成されている発光素子ウエハを前記発光素子パターン毎に切断して発光素子チップを得る発光素子の製造方法において、
前記発光素子パターン表面を透明な保持基板表面に接触させて前記発光素子ウエハを前記保持基板上に配置し、前記発光部周辺に設けられた切断領域を臨むスリット状開口を有する圧接板を用いて前記発光素子ウエハを前記保持基板に押さえつけることにより前記発光素子ウエハを前記保持基板上に固定する第1の工程と、
前記スリット状開口の方向を第1の切断の方向に合わせた状態でスリット状開口を通過するレーザ光を前記保持基板に固定された発光素子ウエハに照射することにより該ウエハを第1の切断の方向に沿って切断し、その後、前記圧接板を90゜回転させて前記スリット状開口の方向を第2の切断の方向に合わせた状態でスリット状開口を通過するレーザ光を前記保持基板に固定された発光素子ウエハに照射することにより該ウエハを第2の切断の方向に沿って切断して前記発光素子ウエハを発光素子パターン毎に切断する第2の工程と、を備えたことを特徴とする発光素子の製造方法。 - 前記第1の工程では、前記圧接板と前記発光素子ウエハとを樹脂により接合することを特徴とする請求項3に記載の発光素子の製造方法。
- 前記接合に用いる樹脂として温度により接合強度を制御可能な樹脂を用い、前記圧接板に電気抵抗体を備え、この電気抵抗体に通電したときの発熱により前記樹脂の接合強度を変化させることにより前記発光素子ウエハと圧接板との接合強度を制御することを特徴とする請求項4に記載の発光素子の製造方法。
- 前記第2の工程では、前記発光素子パターンの外周部分のみを切断し、前記発光素子ウエハの周囲に未加工部を残すことを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の発光素子の製造方法。
- 前記保持基板は、前記発光素子ウエハに対向する面であって前記レーザ光が照射される部分に逃げ溝を有していることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の発光素子の製造方法。
- 前記発光素子ウエハに対向する前記保持基板の表面に酸化シリコン系材料を配置したことを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の発光素子の製造方法。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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