JP2006057148A - 加工方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 加工対象物に供与する液体の性状に関わらず、特別な装置又は器具等を用いずに、加工対象物を加工し得る方法の提供。
【解決手段】 本発明は、加工対象物上に、液体を配置する第１工程と、前記液体に気体を溶解させ、当該液体を変質させて、前記加工対象物を当該変質後の液体により加工する第２工程とを含む加工方法により、上記課題を解決する。また、前記第１工程が、インクジェット法により前記液体を配置する工程であることが好ましい。
【選択図】 図１

Description

本発明は、液体を用いて加工対象物を加工する方法に関する。

薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）、ＬＳＩ等の集積回路、又はプリント配線基板等の電子デバイスは、一般に、フォトリソグラフィ工程とエッチング工程とを繰り返し、機能性薄膜のパターニングを行うことにより作成される。具体的には、フォトレジストを所望のパターンに形成し、これをマスクとして機能性薄膜のエッチングを行い、その後、フォトレジストを除去することにより機能性薄膜上に所望のパターンを得る方法である。

これに対し、特許文献１には、インクジェット印刷技術を利用してエッチング液を所望のパターン形状に塗布することにより、薄膜のエッチングを行う方法が開示されている。この方法によれば、フォトリソグラフィ工程が不要となるので、製造工程を簡略化し得る。
特表２００３−５１８７５５号公報

しかしながら、上記方法では、エッチング液をインクジェットヘッドなどの塗布装置を用いて塗布するため、塗布装置の内部がエッチング液により劣化し易いという不具合が生じる。特に、強酸や強アルカリなどの腐食性の高いエッチング液を通常の装置を用いて吐付することは困難であり、エッチング処理し得る薄膜の種類が大幅に制限されることになる。また、塗布装置をこのような腐食性の高いエッチング液にも利用し得るよう耐腐食性処理を施すと、装置が高価なものとなる。

そこで、本発明は、加工対象物に供与する液体の性状に関わらず、特別な装置又は器具等を用いずに、加工対象物を加工し得る方法を提供することを目的としている。

上記課題を解決するために、本発明は、加工対象物上に、液体を配置する第１工程と、前記液体に気体を溶解させ、当該液体を変質させて、前記加工対象物を当該変質後の液体により加工する第２工程と、を含む加工方法を提供するものである。

これによれば、液体を加工対象物上に配置した後、液体を気体で変質することによりこの液体を加工対象物に対して反応性を有するものとすることが可能となる。したがって、最初に使用する液体として反応性の低いものを選択すれば、液体を供与する装置又は器具として特別な処理を施したものを準備する必要がなく、加工コストを削減し得る。また、直接所望のパターンに液体を配置することで加工対象物上に所望のパターンを形成し得るので、フォトリソグラフィ工程等のパターン形成のための工程を必要とせず、加工工程を単純化し得る。ここで、「液体を変質させ」とは、液体の性質及び／又は液体を構成する成分（溶質、溶媒、分散質及び分散媒等を含む）を変化させることをいう。具体的には、例えば、加工対象物に対し、実質的に反応性を有しない液体に気体を溶解させることで、加工対象物に対して反応性を有する液体にする場合等が挙げられる。この際、気体は液体に単に保持（溶解）させただけでもよく、また、液体を構成する成分と化学反応させて異なる物質に変化させてもよい。また、「液体」には、溶媒、溶液、分散液のいずれも含まれる。また、「加工」には、例えば加工対象物の少なくとも一部を食刻（エッチング）する場合や加工対象物の少なくとも一部を化学変化（例：酸化反応、還元反応等）させる場合等も含む。

好ましくは、前記第２工程が、前記液体に前記気体を溶解させ、前記液体を前記加工対象物に対する腐食性をもたせるように変質させて、前記加工対象物の一部を当該変質後の液体によりエッチングする工程である。これによれば、液体を加工対象物に配置した後、液体を加工対象物に対する腐食性をもたせるように変質させるので、液体を配置するための装置又は器具の劣化を低減することが可能となる。

好ましくは、前記第１工程が、インクジェット法により前記液体を配置する工程である。これによれば、容易に、しかも精度よく液体を所望の位置又はパターンに配置することが可能となる。特に、微細パターンの形成に好適である。

好ましくは、前記液体に溶解させる前記気体の量（供給する気体の全量）により、前記加工対象物のエッチング深さを制御する。これによれば、容易にエッチング深さを制御することが可能となる。

好ましくは、少なくとも前記第２工程がチャンバ内で行われ、前記気体が当該チャンバ内に供給する前記気体の量により前記加工対象物のエッチング深さを制御する。これによれば、単純な方法でエッチング深さを容易に制御することが可能となる。

好ましくは、前記第２工程において、前記液体に複数の異なる気体を同時に又は別々に溶解させる。このように、複数の異なる気体を同時又は別々に溶解させることにより、液体を変質してもよい。塩化水素ガスとフッ化水素ガスとの混合ガスを溶解させる場合等が挙げられる。また、複数の異なる気体を別々に溶解させる場合には、最初に溶解させた気体が消費される前に次の気体を溶解させる場合と、最初に溶解させた気体がほぼ消費された頃に次の気体を溶解させる場合の両方を含む。例えばエッチング加工の場合には、最初に溶解させた気体がほぼ消費された後に、異なる性質の気体を溶解させることで、エッチング速度又は深さ、形成される溝の制御等を行うことが可能となる。また、異なる材料から構成される薄膜層が積層された構造体をエッチングする場合に、供給するガスを薄膜層の材料に応じて変更することで、連続したエッチングが可能となる。具体的には、ＳｉＯ₂膜とＡｕ薄膜が積層した構造において、最初にフッ化水素ガスを溶解させてＳｉＯ₂膜をエッチングした後に、この液体に塩素ガスと二酸化窒素ガスを溶解させ、王水を作り、金を溶解するといった工程が可能となる。

好ましくは、前記第２工程において、前記気体の分圧を調節することにより、前記気体の前記液体に対する溶解量を調整する。前記気体の前記液体に対する溶解量を制御することによって、前記液体の加工対象物に対するエッチングの速度を任意に制御することが可能となる。また、常圧で液体に溶け難い気体であっても、分圧を増すことで溶解量を増加させることが可能となる。

好ましくは、前記第２工程において、前記加工対象物の温度を調節することにより、前記気体の前記液体に対する溶解量を調整する。また、第２工程において、前記気体の温度又は前記液体の温度を調節することにより、前記気体の前記液体に対する溶解量を調整してもよい。気体の液体に対する溶解度は、一般的に温度が高くなるほど減少するため、例えば基板やチャンバの温度を高くすることで前記液体に対する気体の溶解量を減少させることができる。また、逆に基板やチャンバの温度を低くすることで前記液体に対する気体の溶解量を増加させることができる。したがって、このように加工対象物等の温度を調節することで、気体の溶解量を容易に調整し得る。具体例を挙げると、温度は例えば気体（チャンバ）の温度を変化させることによってもよく、また、加工対象物（例：基材）の温度を変化させることによってもよい。また、このような場合には、エッチング反応等の反応が十分進行する前に液体が揮発しないようにするために、沸点の高い液体を用いることが好ましい。このような液体の沸点としては、温度条件等により変化するものであり特に限定するものではないが、例えば１００℃以上、好ましくは２００℃以上である。

好ましくは、前記第１工程と前記第２工程とを繰り返すことにより、エッチング深さを制御する。これにより、蒸発し易い液体を用いた場合においても、所望の深さのエッチングを行うことが可能となる。

本発明の他の態様は、予め気体を充満させたチャンバ内で、加工対象物上に前記気体を溶解し得る液体を配置し、前記液体を前記気体により変質させることで、前記加工対象物を当該変質後の液体により加工する加工方法である。

このように予め気体を充満させたチャンバ内で行うことにより、気体が液体に溶解するのに要する時間を短縮することが可能となる。

本発明の他の態様は、配線層と層間絶縁膜とを交互に含んで成る多層配線膜の製造方法であって、上記加工方法を用いて、前記層間絶縁膜に前記配線層間を接続するためのホールを形成する多層配線膜の製造方法である。

これによれば、上記加工方法を用いているので、用いる液体の性状に関わらず、特別な装置又は器具等を用いずに、比較的単純な方法で多層配線膜を製造することが可能となる。

本発明の他の態様は、ソース領域及びドレイン領域を含む半導体膜と当該半導体膜上に絶縁膜とを備える半導体装置の製造方法であって、上記加工方法を用いて、前記絶縁膜に前記ソース領域及び前記ドレイン領域に至るホールを各々形成し、当該ホール内に各々ソース電極及びドレイン電極を形成する半導体装置の製造方法である。

これによれば、上記加工方法を用いているので、用いる液体の性状に関わらず、特別な装置又は器具等を用いずに、比較的単純な方法で半導体装置（例：薄膜トランジスタ）を製造することが可能となる。

本発明の他の態様は、上記製造方法により多層配線膜を形成する工程又は上記製造方法により半導体装置を形成する工程を含む電気光学装置の製造方法である。また、本発明の別な態様は、上記製造方法により多層配線膜を形成する工程又は上記製造方法により半導体装置を形成する工程を含む電子機器の製造方法である。本発明の電気光学装置及び電子機器の製造方法は、上記多層配線膜の製造方法又は半導体装置の製造方法を利用するので、比較的単純な方法で電気光学装置及び電子機器を製造することができる。よって、製造コストを低減することが可能となる。

ここで、電気光学装置とは、電気光学効果を利用した装置である液晶表示装置に限られず、例えば、有機エレクトロルミネッセンス（有機ＥＬ）装置、電気泳動装置等も含まれる。また、電子機器としては、上記電気光学装置を備えたものが挙げられる。

以下、本発明について図面を参照しながら、本発明の加工方法について説明する。

図１は、本発明の加工方法を説明するための図である。ここでは、液体により加工対象物をエッチングする場合を例に採り説明する。

図１（ａ）に示すように、加工対象物としての基材１０上に液体１２ａを配置する。ここで、基材１０の材質は、後に生成するエッチング液によりエッチングし得るものであれば特に限定するものではない。したがって、シリコン（Ｓｉ）、シリコン化合物（例：酸化シリコン、窒化シリコン等）、金属等の無機材料であっても、樹脂等の有機材料であってもよい。また、液体１２ａとしては、後の工程で供与される気体を溶解することで、エッチング液（腐食性を有する液）となり得るものであればよい。このような液体１２ａは、特に限定されるものではなく、水、イオン性液体（常温付近で液体状態にある電解質；常温溶融塩であって、例えば、脂肪族アンモニウム塩、メチルイミダゾリウム塩等が挙げられる）、有機溶剤（例：アルコール、エーテル、ベンゼン、トルエン、キシレン等）等のいずれであってもよい。また、液体１２ａには本発明の効果を達成し得る限り、種々の添加剤が含まれていてもよい。具体的には、例えば、表面張力や粘度を制御するために界面活性剤を加えてもよい。これにより、塗布性やパターニング精度を向上させることができる。

次に、図１（ｂ）に示すように、気体１４を液体１２ａに溶解することにより腐食性のある液体（エッチング液）１２ｂに変質させる。これにより、図１（ｃ）に示すように、基材１０のエッチングが進行する。具体的には、例えば液体１２ａを配置した基材１０を所定の気体１４の雰囲気下に配置することによりエッチングしてもよい。その後、エッチング液１２ｂを除去することにより孔（凹部）１６が得られる。

ここで使用し得る気体１４としては、液体１２ａに溶解することで液体１２ａに腐食性を持たせ得るものであれば特に限定されるものではない。例えば、気体１４自体には基材１０に対する反応性はないが、液体１２ａに溶解することによって基材１０に対する反応性が生じるものであってもよい。また、気体１４自体に反応性があるものであっても、例えば液体１２ａへの溶解度が相対的に高いために、気相よりも液相における濃度が高くなるため、気相よりも液相における反応性が高くなるといった特性を有するものであってもよい。このような気体１４を用いることにより、液体１２ａ（例：水）と接触している部分ではエッチングが進行するが、液体１２ａと接触していない部分ではエッチングが進行しないか又はほとんど進行しないため、液体１２ａと接触している部分のみを選択的にエッチングすることが可能となる。このような気体１４としては、具体的には、ＨＦ、ＨＣｌ、ＨＢｒ、ＮＨ₃、ＮＯ₂等が挙げられる。

液体の供与方法としては、特に限定するものではなく、ディスペンサ方式又はインクジェット印刷方式のいずれによってもよい。但し、液体を容易に、かつ精度よく所望の位置又はパターンに配置し得るという観点からはインクジェット印刷方式が好ましい。

エッチングは、基材１０が、図２（ａ）に示すように、エッチング液１２ｂに対するエッチング選択比の異なる材料（エッチング液１２ｂに対する反応性の高い部材２４と反応性の低い部材２２）から構成されている場合には、反応性の低い部材２２に到ったところで停止する。具体的には、エッチング液１２ｂとして、図２（ａ）に示すように、上記部材２４及び部材２２から構成される基材１０を用いた場合、図１（ａ）及び（ｂ）と同様の工程により基材１０上に液体１２ａを配置して気体１４を溶解させると、部材２２に到達したところでエッチングが停止する。その後、エッチング液１２ｂを除去することにより、部材２２に凹部１６を形成し得る。

また、本発明によれば、エッチング深さを液体１２ａに供給する気体１４の量で制御することが可能である。以下、気体１４としてＨＦを用い、基材１０としてＳｉＯ₂を用いた場合を例に採り説明する。

ＨＦとＳｉＯ₂の反応は、下記式のように進行する。
ＳｉＯ₂ ＋ ６ＨＦ → ２Ｈ₂Ｏ ＋ Ｈ₂ＳｉＦ₆

この式に示されるように、エッチングはＨＦがＳｉＯ₂との反応により消費されることにより進行するため、エッチング深さは、ＨＦの消費量、すなわち、液体１２ａ（例：水）に供給するＨＦの量により主に定まると考えられる。具体的には、例えば、一定量の気体１４（ＨＦ）を充満させたチャンバ内に、液体１２ａが配置された基材１０を載置すると、特定量の気体１４が液体１２ａに溶解し、上記反応によりエッチングが進行する。液体１２ａに溶解した気体１４は消費され、減少するため、再び特定量となるまで気体１４は液体１２ａに溶解していく。チャンバ内の気体１４は反応と共に減少し、エッチング液１２ｂの濃度が基材１０とほぼ反応し得ない濃度となるとエッチングは停止する。したがって、液体１２ａに供給する気体１４の量を調整することでエッチング深さを任意の深さに制御することが可能となる。

液体１２ａに対する気体１４の溶解量は、例えば、供給する気体１４の分圧や温度、基材１０の温度等により制御することが可能である。気体１４の分圧の制御は、例えば、気体１４を封入する容器（チャンバ）の容積を可動とすることによって調節してもよく、また、窒素又は希ガス等の不活性ガスで希釈することにより調節してもよく、さらに、配管からチャンバ内に流入するガス量の調節によって行っていてもよい。また、特にエッチング液の濃度制御が必要でない場合には、気体が液体に溶解した後にも気体の分圧が変わらないように、常に新たな気体１４が随時補充されるよう制御されていてもよい。なお、温度を変化させることで気体１４の溶解量を制御する場合等のように液体（１２ａ、１２ｂ）が乾燥し易い条件を適用する場合には、エッチング反応が十分進行する前に液体が揮発しないようにするために、沸点の高い液体を用いることが好ましい。このような液体（１２ａ、１２ｂ）の沸点としては、温度条件等により変化するものであり特に限定するものではないが、例えば１００℃以上、好ましくは２００℃以上である。

本実施形態によれば、液体１２ａを基材１０上に配置した後、液体１２ａを気体１４で腐食性を有するものに変質する。すなわち、液体１２ａとして腐食性を有しないもの又は腐食性が低いものを用いることができるので、液体供給装置又は器具の劣化を低減することが可能となる。また、液体供給装置又は器具として耐腐食処理等の特別な処理を施したものを準備する必要がなく、加工コストを削減し得る。また、直接所望のパターンに液体を配置することで基材１０上に所望のパターンを形成し得るので、フォトリソグラフィ工程等のパターン形成のための工程を必要とせず、加工工程を単純化し得る。

このような加工方法は、微細な回路パターンを形成する場合に好適に使用しうる他、例えば多層配線膜の製造方法や半導体装置の製造方法のように微細なホールを形成する必要のある構造体の製造方法にも好適に使用し得る。

具体的には、例えば、ビアホール等の孔（ホール）を利用して配線層間の電気的接続を図る多層配線膜において、配線層間に介在する層間絶縁膜にホールを形成する際に上記加工方法を好適に利用し得る。図３に、多層配線膜の一例を示す。この多層配線膜では、基板６０上に形成された複数の配線層６２間をビアホール６４が接続している。この層間絶縁膜６６に設けられたビアホール６４の形成に上記エッチング方法を適用することができる。

また、ソース領域及びドレイン領域を含む半導体膜とこの半導体膜上に絶縁膜とを備える半導体装置において、絶縁膜にソース領域及びドレイン領域に至るホール（例：コンタクトホール）を各々形成する際にも上記加工方法を好適に利用し得る。

また、例えばフレキシブルプリント基板のような可撓性を有する基材１０を加工する際には、巻取装置等で基材１０を巻き取りながら順次移動させることで、連続的に作業することができる。例えば図４に示すように、インクジェット装置３０のような供給装置により液体１２ａを基材１０上に配置し、ガス吹き付け機３２等の気体供給装置にて液体１２ａに気体１４を供給し変質させ、基材１０加工し、その後、洗浄槽３６によりエッチング液（変質後の液）を除去するという一連の作業を巻取装置３８を利用して連続的に行うことができる。

本発明の加工方法（エッチング方法）は、多層配線膜及び／又は半導体装置（薄膜トランジスタ）を備えた電気光学装置（例：有機ＥＬ装置、液晶表示装置）の製造方法に好適に利用し得る。また、本発明の加工方法（エッチング方法）は、多層配線膜及び／又は半導体装置（薄膜トランジスタ）を備えた電子機器の製造方法に好適に利用し得る。図５は、電気光学装置６００（例：有機ＥＬ装置）を含んで構成される各種電子機器の例を示す図である。

図５（Ａ）は携帯電話への適用例であり、当該携帯電話８３０はアンテナ部８３１、音声出力部８３２、音声入力部８３３、操作部８３４、および本発明の電気光学装置６００を備えている。図５（Ｂ）はビデオカメラへの適用例であり、当該ビデオカメラ８４０は受像部８４１、操作部８４２、音声入力部８４３、および電気光学装置６００を備えている。図５（Ｃ）はテレビジョンへの適用例であり、当該テレビジョン９００は電気光学装置６００を備えている。なお、パーソナルコンピュータ等に用いられるモニタ装置に対しても同様に電気光学装置６００を適用し得る。図５（Ｄ）はロールアップ式テレビジョンへの適用例であり、当該ロールアップ式テレビジョン９１０は電気光学装置６００を備えている。

なお、電子機器としてはこれに限定されず、本発明の加工方法（エッチング方法）は、表示機能付きファックス装置、デジタルカメラのファインダ、携帯型ＴＶ、電子手帳、電光掲示盤、宣伝広告用ディスプレイ、ＩＣカード、ＰＤＡ等のあらゆる電子機器の製造方法に適用することが可能である。

（実施例１）
図６（ａ）及び（ｂ）に示す厚さ２００ｎｍの銅薄膜１０２を成膜したポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）基板１０４に対し、銅薄膜１０２が所望の回路パターン１０６（例：線幅５０ミクロン）となるように純水をインクジェット法を用いて塗布する（図６（ｃ）及び（ｄ）参照）。

この基板１０４を、例えば窒素ガス中にＮＯ₂ガスが適量（例えば１０％）含まれている混合気体を充満させたチャンバ内に搬送し、適当な時間（例えば２０分程度）放置する。これにより、気相中のＮＯ₂ガスが、所望のパターン状に配置した水中に溶け込んで硝酸に変化するので、この硝酸によって銅薄膜を所望のパターン状にエッチングすることができる。この基板１０４を純水で洗浄することにより、精細に銅配線をパターニングした基板１０４を簡易なプロセスで作成することができる（図６（ｅ）及び（ｆ）参照）。なお、図６（ａ）、（ｃ）及び（ｅ）は、基板１０４の一部を上面から見た図であり、図６（ｂ）、（ｄ）及び（ｆ）は、基板１０４の一部を断面から見た図である。また、同図中の符号１０８は純水の層を示す。
（実施例２）

まず、図７（ａ）に示すようなガラス基板２０２上にソース−ドレイン領域２０４，２０６及びチャネル領域２０８が形成され、さらにその上にゲート絶縁層２１０、ゲート電極２１２、及び絶縁層２１４が順次積層された積層体を準備する。

次に、図７（ｂ）に示すように、純水２１６を所望の直径（例えば３０ミクロン）となるようディスペンス法により塗布する。この積層体を例えば窒素中にフッ化水素ガスが適量（例：１％）含まれている混合気体２２０を充満させたチャンバ内に搬送する。すると、図７（ｃ）に示すように、純水２１６にフッ化水素ガスが溶け込み、純水がフッ酸２１８へと変化（変質）する。大気中に積層体を戻し、さらに適当な時間（例：１０分程度）放置する。これによりエッチングが進行し（図７（ｄ）参照）、最終的に図８（ａ）に示すようなコンタクトホール２２２が得られる。なお、エッチング終了後、必要に応じて洗浄処理を行ってもよい。また、必要に応じて、図７（ｂ）〜（ｄ）に示す工程を繰り返し行ってもよい。

その後、積層体全面にアルミニウムをスパッタ法等で形成し、フォトリソグラフィとドライエッチングによりパターニングすることでソース−ドレイン電極２２４，２２６を得ることができる（図８（ｂ）参照）。このような方法で製造した場合、良好な伝導特性（例えば：移動度１２０）を持つ高性能な薄膜トランジスタ素子が得られる。

図１は、本発明の加工方法の概略を説明するための図である。 図２は、本発明の加工方法を説明するための工程図である。 図３は、多層配線膜の一例を示す図である。 図４は、本発明の加工方法の変形例を説明するための図である。 図５は、電気光学装置（例：有機ＥＬ装置）を含んで構成される各種電子機器の例を示す図である。 図６は、本発明の実施例を説明するための図である。 図７は、本発明の他の実施例を説明するための図である。 図８は、本発明の他の実施例を説明するための図である。

符号の説明

１０・・・基材、１２ａ・・・液体、１２ｂ・・・エッチング液、１４・・・気体、１６・・・凹部、２２・・・部材、２４・・・部材、３０・・・インクジェット装置、３２・・・ガス吹き付け機、３６・・・洗浄槽、３８・・・巻取装置、６０・・・基板、６２・・・配線層、６４・・・ビアホール、６６・・・層間絶縁膜、１０２・・・銅薄膜、１０４・・・基板、１０６・・・回路パターン、１０８・・・純水の層、２０２・・・ガラス基板、２０４，２０６・・・ソース−ドレイン領域、２０８・・・チャネル領域、２１０・・・ゲート絶縁層、２１２・・・ゲート電極、２１４・・・絶縁層、２１６・・・純水、２１８・・・フッ酸、２２０・・・混合気体、２２２・・・コンタクトホール、２２４，２２６・・・ソース−ドレイン電極、６００・・・電気光学装置、８３０・・・携帯電話、８３１・・・アンテナ部、８３２・・・音声出力部、８３３・・・音声入力部、８３４・・・操作部、８４０・・・ビデオカメラ、８４１・・・受像部、８４２・・・操作部、８４３・・・音声入力部、９００・・・テレビジョン、９１０・・・ロールアップ式テレビジョン

Claims (14)

1. 加工対象物上に、液体を配置する第１工程と、
   前記液体に気体を溶解させ、当該液体を変質させて、前記加工対象物を当該変質後の液体により加工する第２工程と、
   を含むことを特徴とする加工方法。
2. 前記第２工程が、前記液体に前記気体を溶解させ、前記液体を前記加工対象物に対する腐食性をもたせるように変質させて、前記加工対象物の一部を当該変質後の液体によりエッチングする工程である、請求項１に記載の加工方法。
3. 前記第１工程が、インクジェット法により前記液体を配置する工程である、請求項１又は請求項２に記載の加工方法。
4. 前記液体に溶解させる前記気体の量により、前記加工対象物のエッチング深さを制御する、請求項２又は請求項３に記載の加工方法。
5. 少なくとも前記第２工程がチャンバ内で行われ、前記気体が当該チャンバ内に供給する前記気体の量により前記加工対象物のエッチング深さを制御する、請求項１〜４のいずれか１項に記載の加工方法。
6. 前記第２工程において、前記液体に複数の異なる気体を同時に又は別々に溶解させる、請求項１〜５のいずれか１項に記載の加工方法。
7. 前記第２工程において、前記気体の分圧を調節することにより、前記気体の前記液体に対する溶解量を調整する、請求項１〜６のいずれか１項に記載の加工方法。
8. 前記第２工程において、前記加工対象物の温度を調節することにより、前記気体の前記液体に対する溶解量を調整する、請求項１〜７のいずれか１項に記載の加工方法。
9. 前記第１工程と前記第２工程とを繰り返すことにより、エッチング深さを制御する、請求項２〜８のいずれか１項に記載の加工方法。
10. 予め気体を充満させたチャンバ内で、加工対象物上に前記気体を溶解し得る液体を配置し、前記液体を前記気体により変質させることで、前記加工対象物を当該変質後の液体により加工することを特徴とする加工方法。
11. 配線層と層間絶縁膜とを交互に含んで成る多層配線膜の製造方法であって、請求項２〜１０のいずれか１項に記載の加工方法を用いて、前記層間絶縁膜に前記配線層間を接続するためのホールを形成することを特徴とする多層配線膜の製造方法。
12. ソース領域及びドレイン領域を含む半導体膜と当該半導体膜上に絶縁膜とを備える半導体装置の製造方法であって、請求項２〜１０のいずれか１項に記載の加工方法を用いて、前記絶縁膜に前記ソース領域及び前記ドレイン領域に至るホールを各々形成し、当該ホール内に各々ソース電極及びドレイン電極を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
13. 請求項１１に記載の製造方法により多層配線膜を形成する工程又は請求項１２に記載の製造方法により半導体装置を形成する工程を含む電気光学装置の製造方法。
14. 請求項１１に記載の製造方法により多層配線膜を形成する工程又は請求項１２に記載の製造方法により半導体装置を形成する工程を含む電子機器の製造方法。
    
    
    

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