JP2006041452A5 - - Google Patents
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- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 37
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 37
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 37
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 17
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 15
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 14
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 10
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 6
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 2
- 229910052904 quartz Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000006117 anti-reflective coating Substances 0.000 claims 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims 1
- -1 crystal Substances 0.000 claims 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 claims 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 claims 1
- 235000013399 edible fruits Nutrition 0.000 claims 1
- 230000002452 interceptive Effects 0.000 claims 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 claims 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 claims 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims 1
- 239000011859 microparticle Substances 0.000 description 24
- 239000010408 film Substances 0.000 description 9
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 6
- 230000001681 protective Effects 0.000 description 5
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical Effects 0.000 description 2
- 210000004279 Orbit Anatomy 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated Effects 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 230000001795 light effect Effects 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 230000001012 protector Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000004642 transportation engineering Methods 0.000 description 1
Description
本発明は、シリコン等による太陽電池のpn接合をpnマイクロ接合としたこと及びその
部分を厚くしたり積み上げる等によってpnマイクロ接合層としたことにより単位面積当
たりのpn接合面積を増加させて高効率化を図っただけでなく、光拡散材や採光板を併せ
て使用する等によっても高効率化を図ったことを特徴とする太陽電池に関する。
従来の太陽電池は光電効果によってなされるもので、これはpn接合面を持つn型シリコンに光を照射すると、バンド遷移等によって電子と正孔の対がpn接合面の付近で発生し、空乏層のドリフト効果等によって正負の電極ができる現象を利用している。
しかし、太陽光の持つエネルギー密度が低いため、従来の太陽電池は大きく分けて太陽光をそのままの状態で利用する平板型と、光学系などを使って高密度化してから太陽電池に入射させる集光型の二つになっている。
通常では、前者の太陽光をそのままの状態でシリコン等で形成されたpn接合の構造によって電力を得る平板型が最も一般的な太陽電池であり、そのほとんどがインゴットにしたシリコン固体から、結晶板(ウエハ)を製作する方法となっている。
その中で、「球状マイクロソーラセル」という名称で、京セミ株式会社が球状のpn接合を持つ商品を開発したものがある(例えば、非特許文献1参照)。
その内容は、「直径が1〜2mm程度の小さなシリコン単結晶を用いて、シリコンの表面から1ミクロンメートル程度の深さまで不純物を拡散して、球状面のpn接合を形成し、そのPとnの表面に対向した1対の電極を設けてセルを作る〜」というものである。
つまり、直径1〜2mmのシリコンボールを作り、それらの1個ずつに、中身をP型シリコンとして外側をn型シリコンとすることで、中身と外側の境目にpn接合面を作り、さらにその1個ずつの球状の端と端に正負の電極を取り付けるというものである。
一方、単に球状半導体を用いて太陽電池としたものもある。球状にした第1型半導体の表面に、pn接合を形成するように第2型の半導体層と透明の電導膜を一緒に張り、個々の球状半導体同士を細い導体で繋ぐ方法のものである(例えば、特許文献1参照)
さらに、球状太陽電池をp型及びn型領域と接触する糸状の導体を横糸として、不良導体を縦糸とした構成でモジュール化したものがある(例えば、特許文献2参照。)。
「京セミ株式会社インターネットHP球状マイクロソーラセル」 特開2001−156315 公報
特開平09−162434 公報
「京セミ株式会社インターネットHP球状マイクロソーラセル」
従来の太陽電池では、太陽光の持つエネルギー密度が低いため、変換効率が結晶系シリコン太陽電池のpn接合であっても15〜19%程度と低く、太陽光を十分に電力変換しているとは言えなかった、例えば1KWの電力を得るためには、約7m2もの受光面積(Pn接合面)が必要であり、モジュール等も大規模となって製造コスト等が割高となっていた。また、太陽の軌道に沿った受光が難しく、安定的な強度の光も得られにくかった。
これは、従来の太陽電池の原理が光電効果によってなされるからであり、電子と正孔の対を発生するpn接合面の広さが最も影響しているのである。
そのため、太陽光によって光電効果を起こすpn接合において、その単位面積当たりのpn接合面積を増加させることが、より現実的に小型化を可能とし、かつ高い変換効率となる太陽電池を実現させるのである。
本発明は、このような問題を解決しようとするものであり、p型及びn型シリコンの全部
あるいは一部を粒子状態としてそれらに大小の差を設けて接合する「pnマイクロ接合」
及びそれを層状とした「pnマイクロ接合層」により単位面積当たりのpn接合面積を大
幅に増加向上させ、小型化が可能となる高い変換効率の太陽電池の実現とコストの低減化
を図るだけでなく、フレキシブルで高効率な太陽電池の実現をも目的とするものである(
これらをまとめて「マイクロ粒子層型の太陽電池」という。)。
また、パッケージ化にかかる採光板の改善による光の干渉効果と集光作用、さらには本発明の太陽電池を帯状にして渦巻き状の太陽電池モジュール(又は太陽電池パネル)とすることを併せ用いて、さらなる高効率化を図ることをも目的とするものである。
上記目的を達成するために太陽電池のpn接合において、例えばp型及びn型シリコンの
一部を大小の差を設けた粒子状態(ここでは、大きい方を「n型マイクロ粒子」、小さい
方を「p型マイクロ微粒子」とする。)として、まず大きい方のn型マイクロ粒子を、段
ボール箱に野球ボールを積み込むような感じで積み上げる。
次に、その段ボール箱の中で数段に積み上がったn型マイクロ粒子の層の隙間に、小さい
方のp型マイクロ微粒子を充填させるように一体的に組み合わせることで、「pnマイク
ロ接合層」ができあがる。
この状態では、大きい方のn型マイクロ粒子の球状面部分に、それより小さいp型マイク
ロ微粒子が密接に接合することで、pn接合面積は平面に比して球状面分がおよそ増加す
ることとなる。
そして、このpnマイクロ接合層をp型及びn型シリコンで両側から夾み込み、電極等を
備えることで基本的なマイクロ粒子層型の高効率太陽電地ができあがる。
また、上記p型及びn型シリコンのそれぞれにおいても、例えばn型シリコンの全部ある
いは一部を粒子状態として、大きい方をn型マイクロ粒子、小さい方に球状の光拡散材を
用いて一体的に組み合わせると、pnマイクロ接合層への入射光の強度が従前より改善さ
れることが期待できる。
一方、採光板は、まず波長0.3〜1.0マイクロメータ程の太陽光が概ね干渉して強め
合う間隔(概ね0.1〜数ミリ程度)のスリットを設けて、次に受光面から一定の距離を
開けて取り付ける。なお、干渉効果によって強め合うには、当該波長の半波長の整数倍の
距離のうち、技術可能な距離を採用する。
これは、太陽光の強度を高めるために、太陽光から取り込める基本的な波長帯を対象とし
て干渉効果を得ようとするものである。ただし、この採光板は入射光を阻害しないよう十
分な配慮が必要となるが、このスリット効果については、透明な採光板の光の損失率が通
常4〜5%程度あることを考えると、十分に有効となるものと思われる。
また、採光板の表面に反射防止薄膜を設ける場合、上記スリット部分にのみ厚みを僅か加えることで、十分レンズ効果が発揮されることとなる。しかしこの厚みが強すぎては、入射光自が減衰してしまう。
さらに、本発明の太陽電池を直列配置となるように、例えば幅数センチから数十センチメートル、長さ数十センチメートルから数十メートルの薄い帯状に成形し、又はこれを両面から太陽光が入射するように抱き合わせた帯状にし、粒子状の光拡散材を充填するための隙間を残しつつ、方形(又は円形)の中心に向けて渦巻き状に巻き込んでいく。
その隙間部分には粒子状の光拡散材で充填する。そして、それらの上下及び側面の防護体
には主に硬質樹脂材等を用い、上部の反射防止薄膜と下部の反射薄膜及び電極等を備える
。
これらの解決手段による作用は、次の通りである。まず太陽電池の原理は、半導体の陰極に光を照射すると、バンド間遷移等によってpn接合面付近から生成キャリアの電子と正孔の対が発生する。ただし、pn接合面から離れた場所では、電子と正孔の再結合化によって発生した電子と正孔は消滅するが、pn接合面付近では空乏層という内蔵電界域ができあがり、ドリフト効果等が発生して電子と正孔が再結合化せずに分極され、電位差が生じて起電力が発生するものである。
つまり、変換効率を向上させようとするためには、pn接合面付近で生成する電子と正孔の対を、より多く発生させて分極させることが必要となる。
そのために、pn接合をpnマイクロ接合あるいはpnマイクロ接合層とすることで、単
位面積当たりのpn接合面積が従来の平面に比して球状面の部分(球状の粒子状態とした
場合)がおよそ増加し、その結果より多くの電子と正孔の対が発生して分極させることが
できるのである。
また、受光面となるn型シリコンの層においても、全部あるいは一部を粒子状態として、
その隙間に光拡散材を一体的に組み合わせることで、直射光でけでなく散乱光に対しても
有効に作用することとなる。
これらのように、pn接合をpnマイクロ接合やpnマイクロ接合層としたり、受光面を
工夫したりした太陽電池では、変換効率のより高効率化が期待できるだけでなく、採光板
の活用によっても改善効果が期待できることから、結果として小型化も十分可能となり製
造コスト等の低減も図られることとなる。
上述したように、本発明のマイクロ粒子層型の高効率太陽電池は、変換効率の高効率化が
期待できることで多くのメリットが期待される。
例えば製造面では小型化等により製造コストの低減が図られ、原材料の少量化等が期待で
きる。また流通・販売面でも小型化等により輸送コストの低減や迅速な対応だけでなく、
販売単価や工事費等が低減されることとなる。
さらに顧客としては、本発明の太陽電池によって従来の太陽電池に比して発電電力量が増
加することで、一般電気事業者への販売増加による収益も期待できる。
以下、本発明の実施例の形態を図1〜図6に基づいて説明する。ただし、本発明はこれら
に限定されるものではない。
図1〜図3において、1aはマイクロ粒子層型の高効率太陽電池(基本型)、1bはマイクロ粒子層型の高効率太陽電池(光拡散型)、1cはマイクロ粒子層型の高効率太陽電池(フレキシブル型)の構成内容である。
まず図1では、n型マイクロ粒子5を、単位面積当たりのpn接合面積を増大させるために数層〜数十層程度に積み上げ、その際に生じる隙間にp型マイクロ粒子6を充填させて形成したpnマイクロ接合層4を、受光面側のn型シリコン2aと裏面側のp型シリコン3aで夾むように接合することで、生成キャリアである電子と正孔の対を発生させる機能を有することとなる。
そして、n型シリコン2aの外側に反射防止膜9を置き、当該太陽電池の両端となるn型
シリコン2a及びp型シリコン3aにそれぞれ電極7を配置することで上記1aの太陽電
池(基本型)が構成される。
図2では、pnマイクロ接合層4とp型シリコン3aは変えずに、受光面側のn型シリコ
ン(光拡散型)2bの層を、垂直入射光だけでなく散乱光や弱い光をより多くpnマイク
ロ接合層4に誘導させるために、n型マイクロ粒子5と光拡散材8(クリスタル、ガラス
及び石英等)によって一体的に組み合せる。
そして、n型シリコン(光拡散型)2bの外側に反射防止膜9を置き、上記同様に電極7
を両端に配置することで、上記1bの太陽電池(光拡散型)が構成される。
図3では、pnマイクロ接合層4は変えずに、受光面側のn型シリコン2aと裏面側のp
型シリコン3aを、それぞれ粒子状態としたものである。
具体的には、まず受光面側のn型シリコン2aをn型マイクロ粒子5とし、その際に生じ
る隙間にそれより小さいn型マイクロ微粒子10を充填させて一体的に組み合わせる。こ
れにより、n型シリコン2aを粒子状態としたn型シリコン(粒子型)2cが形成される
。
上記同様にして裏面側のp型シリコン3aがp型シリコン(粒子型)3bに形成される。
すなわち、受光面側のn型シリコン(粒子型)2cと裏面側のp型シリコン(粒子型)3
bで、pnマイクロ接合層4を挟み込み、電極7を両端に配置すること等で上記1cの太
陽電池(フレキシブル型)が構成される。
一方、図4の採光板本体12では、透明な耐熱性樹脂などの採光板14に細いスリット15を設けるものであるが、そのスリット15の設定間隔は、光の干渉効果によって強め合うような距離16にすることが必要である。
なお、必要に応じて、採光板14の表面に設ける反射防止膜(採光板用)13のスリット15位置にかかる部分の厚み17を僅かに厚くすることで、一定程度のレンズ効果が期待できる。厚すぎては透過光のエネルギーが損失し過ぎることとなる。
図5及び図6では、まず幅数センチメートルから数十センチメーメートル程度で、長さ数十センチメートルから数十メートルとした帯状の上記太陽電池1bを2つ、絶縁膜19を間にして抱き合わせ状にし、粒子状の光拡散材8を充填するための隙間を残しつつ、方形(又は円形)の中心に向けて渦巻状に巻き込んでいく。
そして、それらの上下部分(上部防護体20は透明で太陽光反射防止膜9を付加したガ ラス材あるいは硬質樹脂材(以下「硬質樹脂材」という。)とし、下部防護体21は反射薄膜22を付した硬質樹脂材とする。)及び側面を硬質樹脂材(側面防護体18)で覆い、パネル用電極23を通して一体的な方形(又は円形)の渦巻き状の太陽電池モジュール (又は太陽電池パネル)24とする。
1a マイクロ粒子層型の高効率太陽電池(基本型)
1b 同 (光拡散型)
1c 同 (フレキシブル型)
2a n型シリコン
2b 同 (光拡散型)
2c 同 (粒子型)
3a p型シリコン
3b 同 (粒子型)
4 pnマイクロ接合層
5 n型マイクロ粒子
6 p型マイクロ微粒子
7 電極
8 光拡散材(クリスタル、石英ガラス等)
9 反射防止膜
10 n型マイクロ微粒子
11 p型マイクロ粒子
12 採光板本体
13 反射防止膜(採光板用)
14 採光板
15 スリット
16 光が干渉して強め合う距離
17 厚み
18 側面防護体
19 絶縁膜
20 上部防護体
21 下部防護体
22 反射薄膜
23 パネル用電極
24 太陽電池モジュール(太陽電池パネル)
1b 同 (光拡散型)
1c 同 (フレキシブル型)
2a n型シリコン
2b 同 (光拡散型)
2c 同 (粒子型)
3a p型シリコン
3b 同 (粒子型)
4 pnマイクロ接合層
5 n型マイクロ粒子
6 p型マイクロ微粒子
7 電極
8 光拡散材(クリスタル、石英ガラス等)
9 反射防止膜
10 n型マイクロ微粒子
11 p型マイクロ粒子
12 採光板本体
13 反射防止膜(採光板用)
14 採光板
15 スリット
16 光が干渉して強め合う距離
17 厚み
18 側面防護体
19 絶縁膜
20 上部防護体
21 下部防護体
22 反射薄膜
23 パネル用電極
24 太陽電池モジュール(太陽電池パネル)
Claims (8)
- シリコン等による太陽電池のpn接合(pin接合、多接合、ショットキー接合、ヘテロ 接合及び積層等を含む。以下略。)において、p型及びn型シリコン(結晶系、非結晶系 及び化合物半導体系等。以下略。)の全部あるいは一部を粒子状態(主に球状で格子状等 も含む。大きさはミリ、マイクロ、ナノメーター及び液相レベル等。以下略。)とし、そ れらに大小の差を設けて接合させることでpn接合面積を増加させたことを特徴とする太 陽電池。
- 請求項1に記載された粒子状態として、それらに大小の差を設けたp型及びn型シリコン によるpn接合の部分を、厚くしたり積み上げる等によって従来平面であったpn接合を 立体的なpn接合(以下「pnマイクロ接合層」という。)としたことを特徴とする太陽 電池。
- 請求項1及び請求項2に記載されたp型及びn型シリコンの全部あるいは一部を粒子状態 として、それらに大小の差を設けたpn接合(以下「pnマイクロ接合」という。)した ことを特徴とする接合方法。
- 請求項3に記載されたpnマイクロ接合の部分を、厚くしたり積み上げる等によってpn マイクロ接合層としたことを特徴とする接合方法。
- 請求項1及び請求項2に記載されたp型及びn型シリコンの全部あるいは一部を粒子状態 として大小の差を設ける時に、球状等の光拡散材(ダイヤモンド、クリスタル、ガラス、 石英及び透明樹脂等。以下略。)となるものを一体的に組み合わせたことを特徴とする太 陽電池。
- 入射光の波長の一部又は複数を干渉効果によって強い光とするために、その光が強め合うように干渉し合う間隔距離を持つスリットを設けた採光板を有することを特徴とする請求項1あるいは請求項2記載の太陽電池。
- 請求項6に記載された、光が強め合うように干渉し合う間隔距離を持つスリットを設けた こと、あるいはこのスリットの位置に合致する部分の反射防止膜を僅かに厚くしレンズ効 果を持たせたことを特徴とする採光板。
- 請求項1あるいは請求項2記載の太陽電池を、直列配置となるように薄い帯状のモジュー ル等(片面あるいは抱き合わせの両面型とする。)に成形し、それらを渦巻き状としたこ とを特徴とする太陽電池モジュールあるいは太陽電池パネル(隙間部分に粒子状の光拡散 材を充填した場合も含む。以下略)。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004244445A JP4131474B2 (ja) | 2004-07-29 | 2004-07-29 | マイクロ粒子層型の高効率太陽電池 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004244445A JP4131474B2 (ja) | 2004-07-29 | 2004-07-29 | マイクロ粒子層型の高効率太陽電池 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006041452A JP2006041452A (ja) | 2006-02-09 |
JP2006041452A5 true JP2006041452A5 (ja) | 2007-08-16 |
JP4131474B2 JP4131474B2 (ja) | 2008-08-13 |
Family
ID=35906081
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004244445A Expired - Fee Related JP4131474B2 (ja) | 2004-07-29 | 2004-07-29 | マイクロ粒子層型の高効率太陽電池 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4131474B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20100258189A1 (en) * | 2007-07-18 | 2010-10-14 | Seamus Curran | Wrapped solar cel |
JP5069163B2 (ja) * | 2008-03-28 | 2012-11-07 | 三菱電機株式会社 | 太陽電池およびその製造方法 |
KR101294770B1 (ko) | 2008-11-25 | 2013-08-08 | 현대중공업 주식회사 | 양자점 태양전지 |
-
2004
- 2004-07-29 JP JP2004244445A patent/JP4131474B2/ja not_active Expired - Fee Related
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