JP2006041116A - 複合トランジスタモジュール - Google Patents
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Abstract
【課題】本発明は、生産性の向上を図るとともに、低オン抵抗でかつコネクターからの放熱が得られる複合トランジスタモジュールを得ることを課題とする。
【解決手段】3個以上のトランジスタのペレット12を1つの外囲器11内に有する複合トランジスタモジュールにおいて、前記ペレット12はフレーム13上に搭載され、前記ペレット12と外部リード端子14とがCu製コネクター15を介して接合されていることを特徴とする複合トランジスタモジュール。
【選択図】 図1
【解決手段】3個以上のトランジスタのペレット12を1つの外囲器11内に有する複合トランジスタモジュールにおいて、前記ペレット12はフレーム13上に搭載され、前記ペレット12と外部リード端子14とがCu製コネクター15を介して接合されていることを特徴とする複合トランジスタモジュール。
【選択図】 図1
Description
本発明は、3個以上のトランジスタのペレットを1つの外囲器内に有する複合トランジスタモジュールに関する。
周知の如く、半導体を構成する外囲器として、その集積率を上げるために複数のトランジスタペレットを1つの外囲器内に搭載した複合トランジスタモジュールが作られている。図2は、一般的な三相インバータの回路図を示す。このインバータはPW−MOS FET 6素子で構成され、これらの素子を搭載した複合トランジスタモジュールは図3に示すような外観を有している。なお、図中の符番1は外囲器、符番2はリード端子を示す。
前記PW−MOS FET 6素子のペレットは、通常、図4に示すように表面にソースボンディングパッド3及びゲートボンディングパッド4が位置し、裏面にドレインボンディングパッド(図示せず)が位置している。
図5(A),(B)は従来の複合トランジスタモジュールの説明図であり、図5(A)は同モジュールの内部構造を示す平面図、図5(B)は図5(A)の部分拡大図を示す。
外囲器1内には、6個のペレット5がフレーム6に搭載されている。ソースボンディングパッド3と外部リード端子2、ゲートボンディングパッド4と外部リード端子2とは、夫々Al又はAu製のボンディングワイヤー7により電気的に接続されている。従来、絶縁基板上に形成された回路パターン上の短絡片と回路パターン上の半導体チップをボンディングワイヤーにより接続する技術としては、下記特許文献1が知られている。
特開2003−31767号公報
外囲器1内には、6個のペレット5がフレーム6に搭載されている。ソースボンディングパッド3と外部リード端子2、ゲートボンディングパッド4と外部リード端子2とは、夫々Al又はAu製のボンディングワイヤー7により電気的に接続されている。従来、絶縁基板上に形成された回路パターン上の短絡片と回路パターン上の半導体チップをボンディングワイヤーにより接続する技術としては、下記特許文献1が知られている。
しかしながら、従来の複合トランジスタモジュールによれば、ソースボンディングパッド3と外部リード端子2、ゲートボンディングパッド4と外部リード端子2とを、ペレット毎にボンディングワイヤー7で結線するために、製造インデックスが遅く、生産性を上げることができない。また、高電流を流した時のワイヤー自体の電圧ドロップ分が大きくなり、無視できないという問題があった。
本発明はこうした事情を考慮してなされたもので、ペレットと外部リード端子とを金属製コネクターを介して接合された構成にすることにより、生産性の向上を図るとともに、低オン抵抗でかつコネクターからの放熱が得られる複合トランジスタモジュールを提供することを目的とする。
本発明は、3個以上のトランジスタのペレットを1つの外囲器内に有する複合トランジスタモジュールにおいて、前記ペレットはフレーム上に搭載され、前記ペレットと外部リード端子とが金属製コネクターを介して接合されていることを特徴とする複合トランジスタモジュールである。
本発明によれば、生産性の向上を図るとともに、低オン抵抗でかつコネクターからの放熱が得られる複合トランジスタモジュールを提供できる。
以下、本発明についてさらに詳しく説明する。
本発明において、前記ペレットの裏面にはドレイン用パッドが位置し、前記ペレットの表面にはソース用パッド、ゲート用パッドが夫々位置している。こうした場合、前記ソース用パッドと前記外部リード端子、前記ゲート用パッドと前記外部リード端子とが金属製コネクターを介して接合することが好ましい。こうした接合状態にすれば、複数のペレットと外部リード端子との接続を1回のリフロー工程で接続することができるので、従来のボンディングワイヤ−による結線方式に比べて、飛躍的に生産性を向上することができる。
また、従来のモジュールの場合、特に高電流を流した時のワイヤー自体の電圧ドロップ分が大きくなり無視できないが、本発明の場合、コネクターによる接続の為その電気抵抗の違いからこの電圧ドロップを小さくすることができる。従って、PW−MOS FETの重要な特性であるオン抵抗を低減することができ、なおかつコネクターを通してペレット上部からの放熱も可能になるので、熱的に有利な製品とすることができる。
本発明において、前記ペレットの裏面にはドレイン用パッドが位置し、前記ペレットの表面にはソース用パッド、ゲート用パッドが夫々位置している。こうした場合、前記ソース用パッドと前記外部リード端子、前記ゲート用パッドと前記外部リード端子とが金属製コネクターを介して接合することが好ましい。こうした接合状態にすれば、複数のペレットと外部リード端子との接続を1回のリフロー工程で接続することができるので、従来のボンディングワイヤ−による結線方式に比べて、飛躍的に生産性を向上することができる。
また、従来のモジュールの場合、特に高電流を流した時のワイヤー自体の電圧ドロップ分が大きくなり無視できないが、本発明の場合、コネクターによる接続の為その電気抵抗の違いからこの電圧ドロップを小さくすることができる。従って、PW−MOS FETの重要な特性であるオン抵抗を低減することができ、なおかつコネクターを通してペレット上部からの放熱も可能になるので、熱的に有利な製品とすることができる。
また、本発明において、前記ペレットの裏面にドレイン用パッドが位置し、前記ペレットの表面にソース用パッド、ゲート用パッドが夫々位置する場合、前記ソース用パッドと前記外部リード端子のみを金属製コネクターを介して接合させてもよい。この場合、オン抵抗の低減については、ソース用パッドと外部リード端子、ゲート用パッドと外部リード端子とを金属製コネクターを介して接合した場合と同様な効果が得られる。
本発明において、例えば、コネクターはペレット及び外部リード端子とはんだ付けで接続される。ここで、リフロー工程で熱を加えられるまではフレーム上のペレットとコネクターは夫々固定はされてなく載せただけの状態であるが、リフロー工程で熱を加えることによりはんだ付けされて固定される。その際、夫々の位置関係は、はんだの表面張力によるセルフアライメント効果でソース/ゲートパッドの最適な位置で安定する。
(実施例1)
本実施例1に係る複合トランジスタモジュールを図1(A),(B)を参照して説明する。ここで、図1(A)は同モジュールの内部構造を示す平面図であり、図1(B)は図1(A)の部分拡大図を示す。
図中の符番11は、外囲器を示す。この外囲器11内には、PW−MOS FET 6素子の6個のペレット12が夫々フレーム13に搭載されている。各ペレット12においては、図示しないが、表面にソース用パッドとゲート用パッドとが形成され、裏面にドレイン用パッドが夫々形成されている。前記ソース用パッドと外部リード端子14とはCu製のコネクター15により電気的に接続されている。前記ゲート用パッドと外部リード端子14もCu製のコネクター15により電気的に接続されている。ここで、前記コネクター15は、前記ペレット12及び外部リード端子14とはんだ付けにより接続されている。
本実施例1に係る複合トランジスタモジュールを図1(A),(B)を参照して説明する。ここで、図1(A)は同モジュールの内部構造を示す平面図であり、図1(B)は図1(A)の部分拡大図を示す。
図中の符番11は、外囲器を示す。この外囲器11内には、PW−MOS FET 6素子の6個のペレット12が夫々フレーム13に搭載されている。各ペレット12においては、図示しないが、表面にソース用パッドとゲート用パッドとが形成され、裏面にドレイン用パッドが夫々形成されている。前記ソース用パッドと外部リード端子14とはCu製のコネクター15により電気的に接続されている。前記ゲート用パッドと外部リード端子14もCu製のコネクター15により電気的に接続されている。ここで、前記コネクター15は、前記ペレット12及び外部リード端子14とはんだ付けにより接続されている。
このように、実施例1の複合トランジスタモジュールは、ソース用パッドと外部リード端子14、ゲート用パッドと外部リード端子14を夫々Cu製のコネクター15により電気的に接続した構成となっている。従って、複数のペレット12と外部リード端子14との接続を1回のリフロー工程で接続することができるので、従来のボンディングワイヤ−による結線方式に比べて、飛躍的に生産性を向上することができる。
また、従来のモジュールの場合、特に高電流を流した時のワイヤー自体の電圧ドロップ分が大きくなり無視できないが、本実施例1の場合コネクターによる接続の為その電気抵抗の違いからこの電圧ドロップを小さくすることができる。従って、PW−MOS FETの重要な特性であるオン抵抗を低減することができ、なおかつコネクターを通してペレット上部からの放熱も可能になるので、熱的に有利な製品とすることができる。
また、従来のモジュールの場合、特に高電流を流した時のワイヤー自体の電圧ドロップ分が大きくなり無視できないが、本実施例1の場合コネクターによる接続の為その電気抵抗の違いからこの電圧ドロップを小さくすることができる。従って、PW−MOS FETの重要な特性であるオン抵抗を低減することができ、なおかつコネクターを通してペレット上部からの放熱も可能になるので、熱的に有利な製品とすることができる。
(実施例2)
図6を参照する。本実施例2は、実施例1のモジュールと比べ、ソース用パッドと外部リード端子14のみをCu製のコネクター15により電気的に接続した構成としたことが異なる。但し、ゲート用パッド16と外部リード端子14とは、ボンディングワイヤー17により結線されている。
実施例2のモジュールにおいても、オン抵抗の低減については実施例1と同様な効果が得られる。
図6を参照する。本実施例2は、実施例1のモジュールと比べ、ソース用パッドと外部リード端子14のみをCu製のコネクター15により電気的に接続した構成としたことが異なる。但し、ゲート用パッド16と外部リード端子14とは、ボンディングワイヤー17により結線されている。
実施例2のモジュールにおいても、オン抵抗の低減については実施例1と同様な効果が得られる。
なお、この発明は、上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具現化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。更に、異なる実施形態に亘る構成要素を適宜組み合せてもよい。
11…外囲器、12…ペレット、13…フレーム、14…外部リード端子、15…コネクター、16…ゲート用パッド、17…ボンディングワイヤー。
Claims (3)
- 3個以上のトランジスタのペレットを1つの外囲器内に有する複合トランジスタモジュールにおいて、
前記ペレットはフレーム上に搭載され、前記ペレットと外部リード端子とが金属製コネクターを介して接合されていることを特徴とする複合トランジスタモジュール。 - 前記ペレットの裏面にドレイン用パッドが位置するとともに、前記ペレットの表面にソース用パッド、ゲート用パッドが位置し、前記ソース用パッドと前記外部リード端子、前記ゲート用パッドと前記外部リード端子とが金属製コネクターを介して接合されていることを特徴とする請求項1記載の複合トランジスタモジュール。
- 前記ペレットの裏面にドレイン用パッドが位置するとともに、前記ペレットの表面にソース用パッド、ゲート用パッドが位置し、前記ソース用パッドと前記外部リード端子とが金属製コネクターを介して接合されていることを特徴とする請求項1記載の複合トランジスタモジュール。
Priority Applications (1)
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JP2004217482A JP2006041116A (ja) | 2004-07-26 | 2004-07-26 | 複合トランジスタモジュール |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP3396685A1 (en) | 2017-04-28 | 2018-10-31 | Nichia Corporation | Composite component comprising ring-shaped bonded magnet and method of manufacturing the same |
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2004
- 2004-07-26 JP JP2004217482A patent/JP2006041116A/ja active Pending
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EP3690901A1 (en) | 2017-04-28 | 2020-08-05 | Nichia Corporation | Composite component comprising ring-shaped bonded magnet and method of manufacturing the same |
US11056255B2 (en) | 2017-04-28 | 2021-07-06 | Nichia Corporation | Composite component comprising ring-shaped bonded magnet and method of manufacturing the same |
US11646154B2 (en) | 2017-04-28 | 2023-05-09 | Nichia Corporation | Composite component comprising ring-shaped bonded magnet and method of manufacturing the same |
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