JP2006040873A - イオン発生装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 陽イオン発生電極および/または陰イオン発生電極を含み、高電圧を受けてイオンを発生するイオン発生部10と;前記イオン発生部10に高電圧を印加するための高電圧発生装置20と;前記イオン発生部10に印加された高電圧を変化する制御部24と;を含んでイオン発生装置を構成する。
【選択図】図1
Description
制御部24は、正弦波の周波数を設定する周波数設定部25および正弦波のオン時間デューティーを設定するデューティー設定部26を含んでいる。
一方、陽イオン発生部11の電極に印加するプラス高電圧として矩形波を使用する場合、図6に示すように、所定の直流電源(直流12V)を供給する直流電源供給部31とイオン発生部10との間には、高電圧発生装置30が連結される。ここで、高電圧発生装置30は、矩形波発生部32および増幅部33を含んでいる。
矩形波の周波数またはオン時間デューティーを設定するために、矩形波発生部32に制御部34を連結する。
制御部34は、入力部37を通して設定する使用者の入力命令に応じて、高電圧発生装置30に矩形波周波数設定信号および/またはオン時間デューティー設定信号を出力する。このとき、制御部34は、使用者の入力命令に対応する矩形波の周波数またはオン時間デューティーに対する設定情報を貯蔵している貯蔵部38を検索し、この貯蔵部38から矩形波周波数設定情報またはオン時間デューティー設定情報を受け、矩形波の周波数およびオン時間デューティーを設定する。貯蔵部38には、水素イオンの発生量、矩形波の周波数またはオン時間デューティーに対する情報などを貯蔵する。
11 陽イオン発生部
12 陰イオン発生部
13 放電電極
14 誘導電極
100 支持台
Claims (11)
- 陽イオン発生電極および/または陰イオン発生電極を含み、高電圧を受けてイオンを発生するイオン発生部と;
前記イオン発生部に高電圧を印加するための高電圧発生装置と;
前記イオン発生部に印加された高電圧を変化させる制御部と;
を含むことを特徴とするイオン発生装置。 - 前記高電圧発生装置は、正弦波を発生する正弦波発生部を含み、前記制御部は、前記正弦波の周波数を設定するための周波数設定部、および前記正弦波のオン時間デューティーを設定するためのデューティー設定部のうち少なくともいずれか一つを含むことを特徴とする請求項1記載のイオン発生装置。
- 前記高電圧の正弦波に対する周波数またはオン時間デューティーを使用者が設定するための入力部をさらに含み、前記制御部は、前記入力部を通した設定により高電圧の正弦波を変化することを特徴とする請求項2記載のイオン発生装置。
- 前記高電圧発生装置は、矩形波を発生する矩形波発生部を含み、前記制御部は、前記矩形波の周波数を設定するための周波数設定部、および前記矩形波のオン時間デューティーを設定するためのデューティー設定部のうち少なくともいずれか一つを含むことを特徴とする請求項1記載のイオン発生装置。
- 前記高電圧の矩形波に対する周波数またはオン時間デューティーを使用者が設定するための入力部をさらに含み、前記制御部は、前記入力部を通した設定により高電圧の矩形波を変化することを特徴とする請求項4記載のイオン発生装置。
- 前記高電圧の正弦波に対応する情報およびイオン発生量に対応する情報を貯蔵するための貯蔵部をさらに含むことを特徴とする請求項2記載のイオン発生装置。
- 前記高電圧の矩形波に対応する情報およびイオン発生量に対応する情報を貯蔵するための貯蔵部をさらに含むことを特徴とする請求項4記載のイオン発生装置。
- 前記高電圧の正弦波に対する周波数またはオン時間デューティーを変化する場合、イオン発生量が調整されることを特徴とする請求項3記載のイオン発生装置。
- 前記高電圧の矩形波に対する周波数またはオン時間デューティーを変化する場合、イオン発生量が調整されることを特徴とする請求項5記載のイオン発生装置。
- 前記高電圧発生装置は、正弦波を増幅するための増幅部を含むことを特徴とする請求項2記載のイオン発生装置。
- 前記高電圧発生装置は、矩形波を増幅するための増幅部を含むことを特徴とする請求項4記載のイオン発生装置。
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