JP2006035218A - 土壌の処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 本発明の処理装置は、土壌を収容する第一の加熱室と、第一の加熱室を間接加熱する加熱手段と、第1の加熱室から生成する気体成分を収容する第二の加熱室と、第二の加熱室を間接加熱する加熱手段を備えており、有機ハロゲン化合物で汚染された土壌を間接的に加熱することにより有機ハロゲン化合物を揮発させ、間接的に加熱された系内で水蒸気と反応させることによりハロゲン化水素と二酸化炭素に分解する。同時に、水蒸気量を生成するガス中の一酸化炭素濃度により制御しながら間接的に加熱することにより土壌中に含まれる有機ハロゲン化合物を確実に分解処理する。
【選択図】 図1
Description
この予備加熱部2は、以下において説明する反応部本体31で、被処理ガスを急速昇温によって所要の温度に昇温することが可能であれば、省略することも可能である。
PCB類やダイオキシン類で汚染された土壌を、処理装置の土壌投入部12に投入し、土壌加熱部本体11に送り込む。土壌投入部12には、加熱により揮発するPCB類、ダイオキシン類が系外に放出することを防止するために、図示しない二重ダンパーなどのような気体拡散防止手段を設けることが好ましい。さらに、より効果的にPCB類、ダイオキシン類の放出を防ぐには二重ダンパー間をマイナス5mmAQ程度に減圧することが好ましい。ポンプを用いて減圧排気した空気には、有機ハロゲン化合物が含有されると考えられることから、この空気を第二の工程に送り、含有される有機ハロゲン化合物の分解処理を行うことが好ましい。
汚染土壌からPCB類やダイオキシン類を間接的に加熱し揮発する第一の工程において、前記回転式スクリューフィーダーや回転式キルン中の汚染土壌の滞留時間は、汚染土壌に含まれているPCB類やダイオキシン類の含有量や含水率により、また回転式キルンを用いるか、回転式スクリューフィーダーを用いるかにより異なるが、一般的には30〜60分くらいの間で処理が行われるのが好ましい。
また、加熱部本体11として回転式キルンを用いた場合、このキルン内の汚染土壌の充填率としては、30体積%前後程度が望ましい。充填率が低い場合には、土壌の昇温を短時間で行うことが可能であるが、処理の容積効率が低下して好ましくない。一方、充填率が高い場合には、汚染土壌全体を均一に加熱することが困難になり、加熱時間がかかることや、また土壌が昇温してもPCB類やダイオキシン類などの有機ハロゲン化合物汚染土壌から揮発することなく、これらの有機ハロゲン化合物が土壌中に残留してしまう恐れがあり好ましくない。
(実施例1)
PCB濃度が8000mg/kgで含水率が20%である土壌を対象とし、土壌加熱部本体11として回転式キルンを採用した処理容量が400kg/hrである図1に示す処理装置を用いて処理を行った例を示す。
図1の土壌加熱部1において土壌温度として500℃となるよう温度制御装置15により土壌加熱部本体11の温度をコントロールし、土壌加熱部本体11における土壌の滞留時間が40分程度となるよう土壌を熱処理した。第一の工程の加熱温度を500℃とした場合、第一の工程から発生するガス量は120Nm3/hr程度で水蒸気が主な組成あった。
浄化済みの土壌は、土壌搬出部16を介して系外に排出した。処理した土壌について、含有するPCBの濃度を測定した結果、PCB濃度は0.05mg/kgとなり、99.99%以上のPCBを土壌から抽出することができた。
前記第一の工程から発生するガス温度を500℃、第二の工程の反応部本体31の温度を1100℃とし、予備加熱部本体21において第一の工程から発生するガスを600℃分昇温した。昇温に要する投入熱量は本来約55kwhであるが、余力を持たせるため2倍の外部加熱ヒーターを使用した。予備加熱部本体21は、内径60mm、長さ2.5mの配管を6本使用し、外形12mm、長さ450mmの炭化ケイ素(SiC)質の発熱体を間接加熱装置23として約120本、配管周辺に鉛直方向に配置した。予備加熱部本体21のガス線速度は8m/secであるが、投入熱量を約110kwhとすることにより、予備加熱部本体21の後段部分では1100℃まで達した。
また、本実施例では、大気へ放出する排ガス中のPCB濃度は0.013mg/Nm3、ダイオキシン濃度は0.03ng−TEQ/Nm3、塩化水素濃度は0.2mg/Nm3で何れも大気汚染防止法の排ガス基準を満たしていた。
実施例1と同様の装置を用い、表1記載する処理条件に従って、汚染物質を含んだ各種土質の土壌に対して浄化処理(実験番号1〜20)を行い、第一の工程から排出される加熱後の土壌の汚染物質濃度、第二の工程の入口ガス中の汚染物質濃度、および第二の工程の出口ガス中の汚染物質濃度の測定によって評価を行った。その結果を表1示す。処理手順および結果の評価については、以下の通りである。
試験装置は、実施例1と同様に土壌加熱部本体11として処理容量400kg/hの回転式キルンを用いた。第二の工程の予備加熱部本体21と反応部本体31も実施例1と同様の装置を用いた。
試験条件は、土壌の処理量は1時間あたり400kg(湿重量)とし、汚染土壌の土質、汚染物質濃度、含水率、有機物量、第一の工程の加熱温度、第二の工程の反応部本体31の加熱温度、第二の工程への水蒸気添加量をパラメータとした。各種パラメータの設定値を表1に示す。
尚、表1において、土質は土の工学的分類方法(JGS M111)に準じた。土壌の汚染物質の単位は、PCBについてはmg/kg単位、ダイオキシンについてはng−TEQ/gである。また第二の工程の入口および出口ガス中の濃度の単位は、PCBについてはmg/m3、ダイオキシンについてはng−TEQ/m3である。有機物量は熱しゃく減量として湿重量あたりの含有量に換算している。
実施例1の処理装置の土壌加熱部本体11に設けられた生成ガス排出口17に、白金を10質量%担持した平均粒径3mmのアルミナペレット100gを収容する触媒層を接続した。この装置を用いて、実施例1と同じ汚染土壌を400kg/hrで処理した。その結果、触媒層から排出された気体中にPCBは7800mg/Nm3残留していた。これは、PCB分解率70%に相当するものであり、前記実施例1と比較して、格段に劣るものであった。さらにPCB分解率は経時的に著しく低下して30時間後には分解率3%まで下がった。分解率低減の原因を調査したところ、汚染土壌に含まれる腐敗土などの有機物の熱分解生成物が触媒表面を被覆し、触媒の活性をなくしていることが判明した。
2…予備加熱部
3…加熱分解部
11…土壌加熱部本体
12…土壌投入部
13,23,33…間接加熱装置
14,24,34…温度測定装置
15,25,35…温度制御装置
16…土壌排出部
17…生成ガス排出口
18…配管
21…予備加熱部本体
22…生成ガス導入口
31…反応部本体
32…生成ガス導入口
36…処理ガス排出口
37…排ガス処理装置
38…排ガス排出口
41…ガス検出装置
42…ガス分析装置
43…水蒸気量制御装置
44…水蒸気生成装置
45…水蒸気供給配管
Claims (3)
- 被処理物である土壌を収容する第1の加熱室と、この第1の加熱室の周囲に配置され、第1の加熱室を間接加熱する加熱手段と、第1の加熱室から発生する気体成分を導入し収容する第2の加熱室と、この第2の加熱室の周囲に配置され第2の加熱室を間接加熱する第2の加熱手段とを少なくとも備えたことを特徴とする土壌の処理装置。
- 前記第1の加熱室から発生する気体成分を予備加熱するための予備加熱室が、前記第1の加熱室と前記第2の加熱室との間に設けられていることを特徴とする請求項1に記載の土壌の処理装置。
- 前記第2の加熱室に水蒸気を供給する水蒸気供給手段をさらに設けたことを特徴とする請求項1に記載の土壌の処理装置。
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JP2008246390A (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-16 | Kobelco Eco-Solutions Co Ltd | 高含水率pcb汚染物の加熱処理方法 |
KR101547235B1 (ko) | 2014-02-17 | 2015-08-25 | 에이치플러스에코 주식회사 | 고농도 원유로 오염된 토양의 가스화 정화 방법 |
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- 2005-08-18 JP JP2005237609A patent/JP4160065B2/ja not_active Expired - Lifetime
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