JP2006033458A - Package, piezoelectric device, and manufacturing method thereof - Google Patents

Package, piezoelectric device, and manufacturing method thereof Download PDF

Info

Publication number
JP2006033458A
JP2006033458A JP2004209949A JP2004209949A JP2006033458A JP 2006033458 A JP2006033458 A JP 2006033458A JP 2004209949 A JP2004209949 A JP 2004209949A JP 2004209949 A JP2004209949 A JP 2004209949A JP 2006033458 A JP2006033458 A JP 2006033458A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
package
substrate
sealing
hole
piezoelectric vibrating
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2004209949A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Takao Kuwabara
卓男 桑原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP2004209949A priority Critical patent/JP2006033458A/en
Publication of JP2006033458A publication Critical patent/JP2006033458A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a package capable of effectively preventing electronic components such as a piezoelectric vibration chip from being damaged even when a heating light beam intrudes in the package when sealing a degassing sealing hole, and to provide a piezoelectric device and a manufacturing method of the piezoelectric device. <P>SOLUTION: The piezoelectric device is configured such that the piezoelectric vibration chip 32 is contained in the package 37 and a cover 40 air-tightly seals the package, wherein the package is formed by laminating a plurality of insulation base layers, the lamination base includes: a flat lower base plate 55 for forming the bottom; and an upper base 56 laminated on the lower base plate and forming an inner space to contain the piezoelectric vibration chip by removing the interior materials, the lower base is formed with a sealing hole 61 for communicatively connecting the internal space to an external part and an edge 57 inside the upper base is located on the way of the hole diameter of the sealing hole. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、パッケージと、パッケージ内に圧電振動片を収容した圧電デバイスおよびその製造方法に関する。   The present invention relates to a package, a piezoelectric device in which a piezoelectric vibrating piece is accommodated in the package, and a manufacturing method thereof.

HDD(ハード・ディスク・ドライブ)、モバイルコンピュータ、あるいはICカード等の小型の情報機器や、携帯電話、自動車電話、またはページングシステム等の移動体通信機器やジャイロセンサなどにおいて、圧電振動子や圧電発振器等の圧電デバイスが広く使用されている。
従来の圧電デバイスは、例えば、図6の概略断面図に示すように構成されている(特許文献1参照)。
Piezoelectric vibrators and oscillators in small information devices such as HDDs (hard disk drives), mobile computers, IC cards, mobile communication devices such as mobile phones, car phones, and paging systems, and gyro sensors Such piezoelectric devices are widely used.
A conventional piezoelectric device is configured, for example, as shown in a schematic sectional view of FIG. 6 (see Patent Document 1).

図において、圧電デバイス1は、セラミック製の浅い箱状のパッケージ2内に電極部4を形成し、この電極部4に導電性接着剤4aを用いて、圧電振動片3を固定している。このパッケージ2は、蓋体5により気密に封止されている。
パッケージ2の底部には、外側の第1の孔6aと、これに連通した第2の孔6bでなる貫通孔6が形成されている。これによって、蓋体5の封止に際して、真空雰囲気下において、封止材5aが加熱されると、例えば、導電性接着剤4a等から生成されるガス成分がこの貫通孔6からパッケージ2の外部に排出される。このようにすることで、有害なガス成分が圧電振動片3に付着して、周波数をシフトさせることなどが、防止されている。
In the figure, the piezoelectric device 1 has an electrode portion 4 formed in a shallow box-shaped package 2 made of ceramic, and the piezoelectric vibrating piece 3 is fixed to the electrode portion 4 using a conductive adhesive 4a. The package 2 is hermetically sealed by a lid 5.
A through-hole 6 is formed in the bottom of the package 2. The through-hole 6 includes an outer first hole 6 a and a second hole 6 b communicating with the first hole 6 a. Thus, when sealing the lid 5, when the sealing material 5 a is heated in a vacuum atmosphere, for example, gas components generated from the conductive adhesive 4 a and the like are discharged from the through holes 6 to the outside of the package 2. To be discharged. By doing so, harmful gas components are prevented from adhering to the piezoelectric vibrating piece 3 and shifting the frequency.

ここで、貫通孔6を利用した上記脱ガス工程の後で、貫通孔6の段部8には、金属ボールが配置され、レーザ光LB等のような加熱用光ビームを用いて、この金属ボールを溶融することによる充填材7で貫通孔6を塞ぎ、孔封止を行うようにしている。   Here, after the degassing step using the through hole 6, a metal ball is disposed on the step portion 8 of the through hole 6, and this metal is used by using a heating light beam such as a laser beam LB. The through-hole 6 is closed with a filler 7 obtained by melting a ball so as to seal the hole.

特開2000−106515JP 2000-106515 A

ところが、パッケージ2に形成された貫通孔6は、パッケージ2のほぼ中心付近に形成されている。
このため、金属ボールにレーザ光LBを照射して、充填材7とする際に、レーザ光LBが短時間でも金属ボールを溶かしながらパッケージ2内部に点線で示すように透過してしまうと、圧電振動片3自体の下面に照射されてしまう。
このパッケージ2内に侵入したレーザ光LBは、圧電振動片3の電極などの金属膜を部分的に蒸散させてしまうおそれがあり、その場合には、圧電振動片3の周波数がシフトするおそれがある。
However, the through hole 6 formed in the package 2 is formed near the center of the package 2.
For this reason, when the metal ball is irradiated with the laser beam LB to form the filler 7, if the laser beam LB penetrates into the package 2 as indicated by the dotted line while melting the metal ball even for a short time, the piezoelectric material is The lower surface of the vibrating piece 3 itself is irradiated.
The laser beam LB that has entered the package 2 may partially evaporate a metal film such as an electrode of the piezoelectric vibrating piece 3. In this case, the frequency of the piezoelectric vibrating piece 3 may shift. is there.

本発明は、以上の課題を解決するためになされたもので、脱ガス用の封止孔を封止する際に、加熱用光ビームがパッケージ内に侵入しても圧電振動片などの電子部品を損傷させることを有効に防止できるパッケージと、圧電デバイス、および圧電デバイスの製造方法を提供することを目的とする。   The present invention has been made to solve the above problems, and when sealing a degassing sealing hole, an electronic component such as a piezoelectric vibrating piece even if a heating light beam enters the package. It is an object of the present invention to provide a package, a piezoelectric device, and a method for manufacturing the piezoelectric device that can effectively prevent damage to the substrate.

上述の目的は、第1の発明にあっては、パッケージ内に圧電振動片を収容して、蓋体により、前記パッケージを気密に封止した圧電デバイスであって、前記パッケージが、複数層の絶縁基板を積層して形成されており、前記積層基板が、底部を形成する平板状の下部基板と、この下部基板の上に積層され、内側の材料が除去されることにより、前記圧電振動片を収容するための内部空間を形成するための上部基板とを有していて、前記下部基板には、前記内部空間と外部とを連通する封止孔が形成されており、前記封止孔の孔径の途中に前記上部基板の内側の縁部が位置する構成とした圧電デバイスにより、達成される。
第1の発明の構成によれば、前記封止孔に、充填用の金属材料を配置すると、この孔内には前記上部基板の縁部が位置しているので、この縁部に当接して前記金属材料はパッケージ内に落下せずに保持される。このため、レーザ光などの加熱用光ビームを前記金属材料に照射して溶融充填する作業の際に、金属材料は適切に封止孔内に保持されることができる。
しかも、光ビームを前記金属材料に照射した時には、光ビームは前記上部基板の縁部に近い位置に照射されることから、万一、パッケージ内に侵入しても圧電振動片に照射されることはほとんどなく、これにより圧電振動片の電極などが損傷するおそれはない。
かくして、本発明によれば、脱ガス用の孔を封止する際に、加熱用光ビームがパッケージ内に侵入しても圧電振動片などの電子部品を損傷させることを有効に防止できる圧電デバイスを提供することができる。
According to the first aspect of the present invention, there is provided a piezoelectric device in which a piezoelectric vibrating piece is accommodated in a package and the package is hermetically sealed by a lid, wherein the package has a plurality of layers. The piezoelectric vibrating piece is formed by laminating an insulating substrate, and the laminated substrate is laminated on the flat lower substrate forming the bottom and the lower substrate, and the inner material is removed. And an upper substrate for forming an internal space for accommodating the internal space, and the lower substrate is formed with a sealing hole that communicates the internal space with the outside. This is achieved by a piezoelectric device in which the inner edge of the upper substrate is located in the middle of the hole diameter.
According to the configuration of the first aspect of the invention, when a filling metal material is disposed in the sealing hole, the edge of the upper substrate is located in the hole. The metal material is held in the package without dropping. For this reason, the metal material can be appropriately held in the sealing hole in the operation of irradiating the metal material with a heating light beam such as a laser beam to melt and fill the metal material.
In addition, when the metal material is irradiated with a light beam, the light beam is irradiated to a position near the edge of the upper substrate, so that the piezoelectric vibrating piece is irradiated even if it enters the package. There is almost no risk of damaging the electrodes of the piezoelectric vibrating piece.
Thus, according to the present invention, when sealing the degassing hole, even if the heating light beam enters the package, the piezoelectric device can be effectively prevented from damaging the electronic components such as the piezoelectric vibrating piece. Can be provided.

第2の発明は、第1の発明の構成において、前記下部基板が一枚の絶縁基板で形成されていることを特徴とする。
第2の発明の構成によれば次のような作用を発揮できる。すなわち、従来の技術においては、パッケージの底部に設ける封止孔を、段付きとするために、底部を構成するための基板を二枚以上積層しなければならず、そのため、パッケージの厚み方向の大きさがその分大きくなる不都合があった。これに対して、本願発明では、前記した封止孔の内部に露出する上部基板の縁部を、従来の段付き孔の段部と同等に利用することができるので、封止材を溶融前に配置するための段部を形成するために底部を構成する基板を複数枚重ねる必要がない。これにより前記下部基板を一枚の絶縁基板で形成することが可能で、このことにより、パッケージを小型化する上で有利となる。
According to a second invention, in the configuration of the first invention, the lower substrate is formed of a single insulating substrate.
According to the configuration of the second invention, the following effects can be exhibited. That is, in the prior art, in order to make the sealing hole provided in the bottom of the package stepped, two or more substrates for constituting the bottom must be stacked, and therefore, in the thickness direction of the package. There was an inconvenience that the size was increased accordingly. On the other hand, in this invention, since the edge part of the upper board | substrate exposed inside the above-mentioned sealing hole can be utilized equivalent to the step part of the conventional stepped hole, sealing material is not melted. Therefore, it is not necessary to stack a plurality of substrates constituting the bottom portion in order to form a step portion for disposing the substrate. As a result, the lower substrate can be formed of a single insulating substrate, which is advantageous in reducing the size of the package.

第3の発明は、第2の発明の構成において、前記上部基板が一枚の絶縁基板で形成されていることを特徴とする。
第3の発明の構成によれば、下部基板を一枚の絶縁基板で形成することに加えて、上部基板も一枚の絶縁基板で形成すれば、パッケージの厚み方向の大きさを最も小さくすることができる。
According to a third invention, in the structure of the second invention, the upper substrate is formed of a single insulating substrate.
According to the configuration of the third invention, in addition to forming the lower substrate with a single insulating substrate, the size in the thickness direction of the package is minimized when the upper substrate is also formed with a single insulating substrate. be able to.

第4の発明は、第1ないし第3の発明のいずれかの構成において、前記封止孔の内周と、前記封止孔内に露出する前記上部基板の一部が形成する段部とに金属被覆部を設けたことを特徴とする。
第4の発明の構成によれば、前記封止孔の内周と前記段部とに前記金属被覆部を設けることで、充填される封止材の金属が前記封止孔内に適切に付着される。
According to a fourth aspect of the present invention, in any one of the first to third aspects, the inner periphery of the sealing hole and a step formed by a part of the upper substrate exposed in the sealing hole. A metal coating portion is provided.
According to the structure of 4th invention, the metal of the sealing material with which it fills appropriately adheres in the said sealing hole by providing the said metal coating | coated part in the inner periphery and the said step part of the said sealing hole. Is done.

第5の発明は、第1ないし第4の発明のいずれかの構成において、前記封止孔が、前記パッケージの側縁に隣接して形成されていることを特徴とする。
第5の発明の構成によれば、前記封止孔をパッケージの幅方向の一端寄りの位置である前記側縁に隣接もしくは近接して設けるようにすることで、孔封止に際して、万一、加熱用の光ビームがパッケージ内に侵入した場合であっても、内部の圧電振動片に照射されることがほぼ確実に回避できる。
According to a fifth invention, in any one of the first to fourth inventions, the sealing hole is formed adjacent to a side edge of the package.
According to the configuration of the fifth invention, in the event of sealing the hole, the sealing hole is provided adjacent to or close to the side edge that is near the one end in the width direction of the package. Even when a heating light beam enters the package, it is possible to almost certainly avoid irradiating the internal piezoelectric vibrating piece.

また、上記目的は、第6の発明にあっては、複数層の絶縁基板を積層して形成され、電子部品を収容するための内部空間を有する絶縁性のパッケージであって、前記積層基板が、底部を形成する平板状の下部基板と、この下部基板の上に積層され、内側の材料が除去されることにより、前記圧電振動片を収容するための内部空間を形成するための上部基板とを有していて、前記下部基板には、前記内部空間と外部とを連通する封止孔が形成されており、前記封止孔の孔径の途中に前記上部基板の内側の縁部が位置する構成としたパッケージにより、達成される。
第6の発明の構成によれば、第1の発明の発明において、説明したのと同じ理由により、内部に電子部品を収容した後で、脱ガス用の孔を封止する際に、加熱用光ビームがパッケージ内に侵入しても圧電振動片などの電子部品を損傷させることを有効に防止できるパッケージを提供することができる。
According to a sixth aspect of the present invention, there is provided an insulating package formed by laminating a plurality of layers of insulating substrates and having an internal space for accommodating electronic components, wherein the laminated substrate is A flat lower substrate that forms the bottom, and an upper substrate that is laminated on the lower substrate and forms an internal space for accommodating the piezoelectric vibrating piece by removing the inner material; The lower substrate is formed with a sealing hole that communicates the internal space with the outside, and the inner edge of the upper substrate is located in the middle of the hole diameter of the sealing hole. This is achieved by the structured package.
According to the configuration of the sixth invention, for the same reason as described in the invention of the first invention, after the electronic component is accommodated in the inside, when sealing the degassing hole, it is for heating. It is possible to provide a package that can effectively prevent an electronic component such as a piezoelectric vibrating piece from being damaged even if a light beam enters the package.

また、上記目的は、第7の発明にあっては、パッケージ内に圧電振動片を収容し、蓋体により気密に封止した圧電デバイスの製造方法であって、複数の絶縁基板を積層して形成する前記パッケージと、前記圧電振動片と、前記蓋体とを別々に形成するための個別の形成工程と、前記パッケージを構成する複数の絶縁基板のうち、前記パッケージの底部を形成する下部基板に対して、前記圧電振動片を接合する工程と、前記パッケージを前記蓋体により気密に封止する蓋封止工程と、前記パッケージの外部から前記圧電振動片に形成されている金属膜に加熱用光ビームを照射する周波数調整工程と前記パッケージの前記下部基板に設けた封止孔を利用して、加熱下で脱ガスした後で、この封止孔を封止する孔封止工程とを含んでおり、前記パッケージの形成工程では、平板状の絶縁基板による前記下部基板と、内側の材料を除去して前記圧電振動片を収容するための内部空間を形成した上部基板をそれぞれ成形した後で、積層し焼結するようにされ、前記下部基板には、前記成形の際に、積層状態で前記上部基板の内側の縁部が孔径の途中に位置するように封止孔を形成するようにした圧電デバイスの製造方法により、達成される。
第7の発明の構成によれば、この製造方法における孔封止工程では、前記パッケージの前記封止孔の途中に位置する前記上部基板の内側の縁部を利用して、その上に封止用の金属材料を載せて一時保持し、これに加熱用の光ビームを当てて溶融させることができる。この場合、光ビームは前記上部基板の縁部に近い位置に照射されることから、万一、パッケージ内に侵入しても圧電振動片に照射されることはほとんどなく、これによりパッケージ内部の圧電振動片の電極などが損傷する恐れはない。
かくして、本発明によれば、脱ガス用の孔を封止する際に、加熱用光ビームがパッケージ内に侵入しても圧電振動片などの電子部品を損傷させることを有効に防止できる圧電デバイスの製造方法を提供することができる。
According to a seventh aspect of the present invention, there is provided a piezoelectric device manufacturing method in which a piezoelectric vibrating piece is accommodated in a package and hermetically sealed by a lid, wherein a plurality of insulating substrates are laminated. An individual forming step for separately forming the package to be formed, the piezoelectric vibrating piece, and the lid, and a lower substrate for forming a bottom portion of the package among a plurality of insulating substrates constituting the package In contrast, the step of bonding the piezoelectric vibrating piece, the lid sealing step of hermetically sealing the package with the lid, and heating the metal film formed on the piezoelectric vibrating piece from the outside of the package A frequency adjusting step of irradiating a light beam for use and a hole sealing step of sealing the sealing hole after degassing under heating using a sealing hole provided in the lower substrate of the package Including In the process of forming the edge, the lower substrate made of a flat insulating substrate and the upper substrate formed by removing the inner material and forming the internal space for accommodating the piezoelectric vibrating reed are respectively formed and laminated. The piezoelectric device is configured to be sintered and to form a sealing hole in the lower substrate so that the inner edge of the upper substrate is positioned in the middle of the hole diameter in the laminated state during the molding. This is achieved by the manufacturing method.
According to the structure of 7th invention, in the hole sealing process in this manufacturing method, the edge part inside the said upper board | substrate located in the middle of the said sealing hole of the said package is utilized, and it seals on it It is possible to temporarily hold a metal material for use and to melt it by applying a heating light beam thereto. In this case, since the light beam is irradiated to a position near the edge of the upper substrate, even if it enters the package, the piezoelectric vibrating piece is hardly irradiated. There is no risk of damage to the electrodes of the resonator element.
Thus, according to the present invention, when sealing the degassing hole, even if the heating light beam enters the package, the piezoelectric device can be effectively prevented from damaging the electronic components such as the piezoelectric vibrating piece. The manufacturing method of can be provided.

図1ないし図3は、本発明の圧電デバイスの実施形態を示しており、図1はその概略平面図、図2はその概略底面図、図3は図1のA−A線概略断面図である。
これらの図において、圧電デバイス30は、圧電振動子を構成した例を示しており、圧電デバイス30は、パッケージ37内に圧電振動片32を収容している。パッケージ37は、例えば、後述するように、絶縁材料として、酸化アルミニウム質のセラミックグリーンシートを成形して形成される複数の基板を積層した後、焼結して形成されている。
1 to 3 show an embodiment of a piezoelectric device of the present invention, FIG. 1 is a schematic plan view thereof, FIG. 2 is a schematic bottom view thereof, and FIG. 3 is a schematic cross-sectional view taken along line AA of FIG. is there.
In these drawings, the piezoelectric device 30 shows an example in which a piezoelectric vibrator is configured, and the piezoelectric device 30 houses a piezoelectric vibrating piece 32 in a package 37. As will be described later, the package 37 is formed by, for example, laminating a plurality of substrates formed by molding an aluminum oxide ceramic green sheet as an insulating material, followed by sintering.

すなわち、この実施形態では、パッケージ37は、図3に示すような、下部基板としての第1の積層基板(以下、「基板」という)55と、上部基板としての第2の基板56とを積層して形成されている。この実施形態では、一枚の下部基板としての第1の基板55だけで、パッケージ37の底部を形成している。
そして、パッケージ37は、図2および図3に示すように、第2の基板56の内側の材料を除去することで、内部空間Sのスペースを形成している。この内部空間Sが圧電振動片32を収容するための収容空間である。そして、底部を構成する一枚だけの基板である第1の基板55に圧電振動片32が接合されている。
That is, in this embodiment, the package 37 includes a first laminated substrate (hereinafter referred to as “substrate”) 55 as a lower substrate and a second substrate 56 as an upper substrate as shown in FIG. Is formed. In this embodiment, the bottom of the package 37 is formed by only the first substrate 55 as a single lower substrate.
As shown in FIGS. 2 and 3, the package 37 forms a space of the internal space S by removing the material inside the second substrate 56. This internal space S is a housing space for housing the piezoelectric vibrating piece 32. The piezoelectric vibrating piece 32 is bonded to the first substrate 55 which is only one substrate constituting the bottom portion.

パッケージ37の内部空間S内の図において左端部付近において、内部空間Sに露出して内側底部を構成する第1の基板55の表面側には、例えば、タングステンメタライズ上にニッケルメッキ及び金メッキで形成した電極部31,31が設けられている。
この電極部31,31は、図2に示す実装端子41,42と接続されており、外部から印加される駆動電圧を、圧電振動片32に供給するものである。具体的には、この実装端子41,42と電極部31,31は、パッケージ37外部をメタライズにより引き回した導電部で接続されたり、あるいは第1の基板55の焼成前にタングステンメタライズ等を利用して形成した導電スルーホール等で接続することで形成できる。
In the inner space S of the package 37, in the vicinity of the left end portion, on the surface side of the first substrate 55 that is exposed to the inner space S and forms the inner bottom portion, for example, nickel plating and gold plating are formed on tungsten metallization. The electrode parts 31, 31 are provided.
The electrode portions 31, 31 are connected to the mounting terminals 41, 42 shown in FIG. 2 and supply a driving voltage applied from the outside to the piezoelectric vibrating piece 32. Specifically, the mounting terminals 41 and 42 and the electrode portions 31 and 31 are connected to each other by a conductive portion that is routed outside the package 37 by metallization, or tungsten metallization or the like is used before firing the first substrate 55. It can be formed by connecting with a conductive through hole or the like formed in this way.

各電極部31,31の上には、導電性接着剤47が塗布されて、圧電振動片32の基端部が接合されている。この導電性接着剤47としては、例えば、合成樹脂などを利用したバインダー成分に、銀粒子などの導電粒子を混入したもので、機械的接合と電気的接続とを同時に行うことができるものである。
パッケージ37は、図示の場合、内部空間Sを有する浅い箱状に形成され、平板状の蓋体40により気密に封止される構成である。
圧電振動片32は、例えば水晶で形成されており、水晶以外にもタンタル酸リチウム,ニオブ酸リチウム等の圧電材料を利用することができる。本実施形態の場合、圧電振動片32は、例えば、水晶ウエハを所定の結晶軸方位に基づいて矩形にカットしたATカット振動片である。圧電振動片はATカット振動片に限られるものではなく、例えば音叉型の振動片やコンベックスタイプの振動片等の種々の圧電振動片を使用することができる。
A conductive adhesive 47 is applied on each electrode part 31, 31, and the base end part of the piezoelectric vibrating piece 32 is joined. As the conductive adhesive 47, for example, a binder component using a synthetic resin or the like is mixed with conductive particles such as silver particles, and can perform mechanical joining and electrical connection at the same time. .
In the illustrated case, the package 37 is formed in a shallow box shape having an internal space S and is hermetically sealed by a flat lid 40.
The piezoelectric vibrating piece 32 is formed of, for example, quartz, and a piezoelectric material such as lithium tantalate or lithium niobate can be used in addition to quartz. In the case of this embodiment, the piezoelectric vibrating piece 32 is, for example, an AT cut vibrating piece obtained by cutting a quartz wafer into a rectangle based on a predetermined crystal axis orientation. The piezoelectric vibrating piece is not limited to the AT-cut vibrating piece, and various piezoelectric vibrating pieces such as a tuning fork type vibrating piece and a convex type vibrating piece can be used.

ここで、圧電振動片32の長さ方向の端部で、幅方向の両端の隅の部分には、表裏に回り込む引出し電極が形成されている。また、圧電振動片32の表裏の主面には、前記引出し電極と接続された駆動用の電極としての励振電極が形成されている。なお、これらの電極は図示されていない。そして、圧電振動片32の先端付近の前記励振電極に対して、後述するように、透明な蓋体40を透過させて、レーザ光のような加熱用の光ビームが照射され、これにより質量削減方式による周波数調整ができるようにされている。   Here, at the end portions in the length direction of the piezoelectric vibrating piece 32, extraction electrodes that wrap around the front and back are formed at the corner portions at both ends in the width direction. In addition, excitation electrodes serving as driving electrodes connected to the extraction electrodes are formed on the front and back main surfaces of the piezoelectric vibrating piece 32. These electrodes are not shown. Then, as will be described later, the excitation electrode near the tip of the piezoelectric vibrating piece 32 is transmitted through a transparent lid 40 and irradiated with a heating light beam such as laser light, thereby reducing mass. The frequency can be adjusted by the method.

パッケージ37の開放された上端には、蓋体40が接合されることにより、封止されている。
蓋体40は、好ましくは、上述した周波数調整を可能とするために、透明な材料で形成されており、例えば、パッケージ37側との熱膨張係数を近似させるために、硼珪酸ガラスなどにより形成されている。
A lid 40 is bonded to the opened upper end of the package 37 so as to be sealed.
The lid 40 is preferably formed of a transparent material so as to enable the above-described frequency adjustment, and is formed of, for example, borosilicate glass to approximate the thermal expansion coefficient with the package 37 side. Has been.

さらに、この実施形態の圧電デバイス30では、パッケージ37の底部に、封止孔61を備えている。この封止孔61は、後述する脱ガス工程において、パッケージ37内の脱ガスを行うための孔である。
具体的には、封止孔61は、図2および図3に示されているように、下部基板である第1の基板55に貫通孔を設けることにより形成されている。この封止孔61の位置は、パッケージ37の幅方向(X方向)の一端寄りの位置である第1の基板55の内側側縁に隣接もしくは近接して設けている。この場合、第1の基板55の側縁57は、封止孔61の孔径の途中まで張り出すように位置取りされている。
Further, in the piezoelectric device 30 of this embodiment, a sealing hole 61 is provided at the bottom of the package 37. The sealing hole 61 is a hole for degassing the package 37 in a degassing step described later.
Specifically, as shown in FIGS. 2 and 3, the sealing hole 61 is formed by providing a through hole in the first substrate 55 that is the lower substrate. The position of the sealing hole 61 is provided adjacent to or close to the inner side edge of the first substrate 55, which is a position near one end in the width direction (X direction) of the package 37. In this case, the side edge 57 of the first substrate 55 is positioned so as to project to the middle of the hole diameter of the sealing hole 61.

この封止孔61は、図示されているように、パッケージ37の外部と内部空間Sとを連通しており、後述するようにして、脱ガス工程におけるパッケージ37内の脱ガス後に、例えば、Au−Ge等の金属封止材を充填して、気密に封止されるものである。このため、封止孔61内には、前記側縁57の一部が段部57aとして露出しており、溶融前の金属封止材を配置しやすいようになっている。そして、封止孔61の内周と、段部57aには、封止材と接合性のよい金属被覆部63が形成されている。
この封止孔61は、脱ガス後の孔封止工程において、例えば、Au−Ge等の金属材料を封止材として充填することで気密に封止されるものである。
As shown in the drawing, the sealing hole 61 communicates the outside of the package 37 and the internal space S. As described later, after the degassing in the package 37 in the degassing step, for example, Au Filled with a metal sealing material such as -Ge and hermetically sealed. For this reason, a part of the side edge 57 is exposed as a stepped portion 57a in the sealing hole 61 so that the metal sealing material before melting can be easily disposed. And the metal coating | coated part 63 with favorable joining property with a sealing material is formed in the inner periphery of the sealing hole 61, and the step part 57a.
The sealing hole 61 is hermetically sealed by, for example, filling a metal material such as Au—Ge as a sealing material in the hole sealing step after degassing.

本実施形態の圧電デバイス30は以上のように形成されており、次にその製造方法の実施形態を説明する。
(圧電デバイスの製造方法)
圧電デバイス30の製造方法の実施形態は、図4のフローチャートを参照しながら説明する。
先ず、図1ないし図3で説明した圧電振動片32と蓋体40、パッケージ37は、それぞれ別々に形成しておく。
(圧電振動片および蓋体の形成工程)
圧電振動片32については、例えば、水晶ウエハをエッチングして、既に説明した形状を形成するとともに、必要な励振電極を形成することで、従来と同様に製造することができるので、詳しい説明は省略する。必要により、電極形成後に、駆動電圧を印加して周波数を粗調整する。
蓋体40は、圧電振動片32とは別に形成される。この場合、蓋体40は光を透過させる材料、例えば、ガラスにより所定の形状と大きさに形成する。
The piezoelectric device 30 of the present embodiment is formed as described above. Next, an embodiment of the manufacturing method will be described.
(Piezoelectric device manufacturing method)
An embodiment of a method for manufacturing the piezoelectric device 30 will be described with reference to the flowchart of FIG.
First, the piezoelectric vibrating piece 32, the lid 40, and the package 37 described with reference to FIGS. 1 to 3 are formed separately.
(Formation process of piezoelectric vibrating piece and lid)
The piezoelectric vibrating piece 32 can be manufactured in the same manner as before by, for example, etching the quartz wafer to form the shape already described and forming the necessary excitation electrodes, and detailed description thereof is omitted. To do. If necessary, after the electrode is formed, a drive voltage is applied to roughly adjust the frequency.
The lid 40 is formed separately from the piezoelectric vibrating piece 32. In this case, the lid 40 is formed in a predetermined shape and size using a material that transmits light, for example, glass.

(パッケージの形成工程)
図3の第1の基板55、第2の基板56は、既に説明した形状となるようにそれぞれ別々に成形した後で、積層される。
具体的には、先ず、例えば、所定の溶液中にセラミックパウダを分散させ、バインダを添加して生成される混練物をシート状の長いテープ形状に成形し、これを所定の長さにカットして得た、所謂グリーンシート(図示せず)にする。
グリーンシートは、シート基板として上述した第1および第2の各基板55,56を形成するために共通して使用することができる。
(Package formation process)
The first substrate 55 and the second substrate 56 of FIG. 3 are laminated after being separately molded so as to have the shape described above.
Specifically, first, for example, a ceramic powder is dispersed in a predetermined solution, and a kneaded product formed by adding a binder is formed into a sheet-like long tape shape, which is cut into a predetermined length. A so-called green sheet (not shown) is obtained.
The green sheet can be used in common to form the first and second substrates 55 and 56 described above as sheet substrates.

次に、各基板の成形と、電極パターン印刷、封止孔となる貫通孔の形成の工程を実行する。
すなわち、第1の基板(下部基板)55は、上記したグリーンシートを所定の大きさにカットし、後で積層される第2の基板56との関係で決まる上記した位置に貫通孔を形成することで封止孔61が形成される。
第2の基板(上部基板)56は、グリーンシートの内側を矩形に打ち抜き、内部空間Sとなるキャビティを形成する。
続いて、これらの基板の必要な位置に、すなわち、電極部31,31や封止孔61の金属被覆部63等と、所定の引き回し部に、導電ペーストとして、例えばタングステンメタライズなどを施し、導電部(図示せず)を形成する。
Next, the process of shaping | molding each board | substrate, electrode pattern printing, and the formation of the through-hole used as a sealing hole is performed.
That is, the first substrate (lower substrate) 55 cuts the above-described green sheet into a predetermined size, and forms a through hole at the above-described position determined by the relationship with the second substrate 56 to be stacked later. Thereby, the sealing hole 61 is formed.
The second substrate (upper substrate) 56 is formed by punching the inside of the green sheet into a rectangle to form a cavity that becomes the internal space S.
Subsequently, for example, tungsten metallization as a conductive paste is applied to the necessary positions of these substrates, that is, the electrode portions 31 and 31, the metal covering portion 63 of the sealing hole 61, and the predetermined routing portion as a conductive material. Part (not shown) is formed.

次いで、成形後の第1の基板55の上に成形後の第2の基板56を重ねることで積層するが、この際には、必要により重合面に結合剤を塗布しておく。
次に、各基板を積層した状態のグリーンシートの縦横の切断線に沿って切断し、その後、1200度ないし1500度(摂氏)で焼結する。焼結後には、タングステンメタライズの上にニッケルメッキおよび金メッキを順次施して、電極や端子および導電パターンなどを形成して、図1ないし図3に示すようなパッケージ37を完成する。なお、パッケージ37の上端には、低融点ガラスなどの封止材45(図3参照)を塗布しておく。
なお、このように製造されるパッケージ37は、圧電振動片を内部収容する場合だけでなく、他の電子部品を収容するための絶縁性容器としても使用することができる。
Next, the second substrate 56 after molding is laminated on the first substrate 55 after molding, and in this case, a binder is applied to the polymerization surface as necessary.
Next, the substrates are cut along the vertical and horizontal cutting lines of the green sheets in a stacked state, and then sintered at 1200 to 1500 degrees (Celsius). After sintering, nickel plating and gold plating are sequentially performed on the tungsten metallization to form electrodes, terminals, conductive patterns, and the like, thereby completing a package 37 as shown in FIGS. A sealing material 45 (see FIG. 3) such as low melting point glass is applied to the upper end of the package 37.
The package 37 manufactured in this way can be used not only when the piezoelectric vibrating piece is housed inside, but also as an insulating container for housing other electronic components.

(圧電振動片の接合工程)
図5は、以後の工程を簡単に示す工程図である。
パッケージ37の形成後は、図5(a)に示すように、圧電振動片32をパッケージ37の電極部31(図1参照)の上に接合する(ST11)。すなわち、図1および図2で説明したように、パッケージ37の電極部31上に導電性接着剤47を塗布して、その上に圧電振動片32の基部の引き出し電極の個所を載置し、導電性接着剤47,47を硬化させることにより、電極部31と圧電振動片32とが電気的、機械的に接合される。このようにして、圧電振動片32は、絶縁基体である第1の基板55に対して、片持ち式に接合される。
(Piezoelectric vibrating piece joining process)
FIG. 5 is a process diagram briefly showing the subsequent processes.
After the formation of the package 37, as shown in FIG. 5A, the piezoelectric vibrating piece 32 is bonded onto the electrode portion 31 (see FIG. 1) of the package 37 (ST11). That is, as described with reference to FIGS. 1 and 2, the conductive adhesive 47 is applied on the electrode portion 31 of the package 37, and the portion of the extraction electrode at the base of the piezoelectric vibrating piece 32 is placed thereon, By curing the conductive adhesives 47, 47, the electrode portion 31 and the piezoelectric vibrating piece 32 are electrically and mechanically joined. In this way, the piezoelectric vibrating piece 32 is joined in a cantilever manner to the first substrate 55 that is an insulating base.

(蓋封止工程)
さらに、パッケージ37と蓋体40とを真空雰囲気中で、接合することで、蓋封止を行う(ST12)。
ここで、重要なのは、この段階では、封止孔61がパッケージ37の内部空間Sとパッケージ37の外部とを連通させており、パッケージ37の内部空間Sは、封止孔61を介して外部と通気できるようにされている点である。
(Lid sealing process)
Further, the package 37 and the lid 40 are bonded in a vacuum atmosphere to perform lid sealing (ST12).
Here, it is important that the sealing hole 61 communicates the internal space S of the package 37 and the outside of the package 37 at this stage, and the internal space S of the package 37 is connected to the outside through the sealing hole 61. It is a point that can be ventilated.

(脱ガス工程)
この状態で、図5(b)に示すように、所定の治具65内に、蓋体40を接合したパッケージ37の上下を逆にして、段部57aを上に向けるようにして保持し、これを真空チャンバー(図示せず)などに収容し、加熱することでアニール処理を行う(ST13)。この処理すなわち、脱ガスの工程では、パッケージ37内部のガスは封止孔61を通過して、パッケージ37の外部に排出される。
(Degassing process)
In this state, as shown in FIG. 5B, in a predetermined jig 65, the package 37 to which the lid 40 is joined is turned upside down and held so that the stepped portion 57a faces upward. This is accommodated in a vacuum chamber (not shown) or the like, and is annealed by heating (ST13). In this process, that is, the degassing step, the gas inside the package 37 passes through the sealing hole 61 and is discharged to the outside of the package 37.

(孔封止工程)
次に、図3の封止孔61を孔封止する(ST14)。
具体的には、図5(c)に示すように、第1の基板55の外部に開いた封止孔61の段部57aに、例えば、球形のAu−Ge等でなる金属封止材、すなわち、リジットな状態の金属封止材62を載せ、この金属封止材62にレーザ等の加熱用光ビームLB1を照射して溶融させる。これにより、図5(d)に示すように、封止孔61内に封止材62aとして充填する。この場合に、加熱用光ビームは金属封止材の溶融の際に、段部57aを含む第2の基板56の側縁57に当たる確立が高く、貫通することができないから、加熱ビームLB2がパッケージ37内部に侵入することがなく、圧電振動片32に照射されるおそれがない。このため、圧電振動片32の周波数をシフトさせることがない。
すなわち、段部57aはリジットな金属封止材62を載せることができるため、作業性を向上させるだけでなく、封止孔61の孔径に対して、段部57aが塞ぐ面積をできるだけ大きくし、上述のガスの通気に最低必要とされる隙間だけを確保するようにすれば、このような加熱用光ビームLB1がパッケージ37内に侵入することを有効に防止することができる。なお、加熱用光ビームとしては、レーザ光に限らず、例えばハロゲンライトによる光ビームなどを用いることができる。
(Hole sealing process)
Next, the sealing hole 61 of FIG. 3 is sealed (ST14).
Specifically, as shown in FIG. 5C, a metal sealing material made of, for example, spherical Au—Ge or the like is formed on the stepped portion 57a of the sealing hole 61 opened to the outside of the first substrate 55. That is, a rigid metal sealing material 62 is placed, and the metal sealing material 62 is irradiated with a heating light beam LB1 such as a laser to be melted. Thus, as shown in FIG. 5D, the sealing hole 61 is filled as the sealing material 62a. In this case, since the heating light beam is highly likely to hit the side edge 57 of the second substrate 56 including the stepped portion 57a when the metal sealing material is melted and cannot be penetrated, the heating beam LB2 is not packaged. 37 does not enter the inside, and there is no possibility that the piezoelectric vibrating piece 32 is irradiated. For this reason, the frequency of the piezoelectric vibrating piece 32 is not shifted.
That is, since the stepped portion 57a can be loaded with a rigid metal sealing material 62, not only the workability is improved, but the area covered by the stepped portion 57a with respect to the hole diameter of the sealing hole 61 is made as large as possible. If only the gap necessary for the above-mentioned gas ventilation is ensured, it is possible to effectively prevent the heating light beam LB1 from entering the package 37. The heating light beam is not limited to laser light, and for example, a light beam using a halogen light can be used.

ここで、封止孔61の孔径に対して、段部57aが塞ぐ面積を比較的大きく設定した場合には、その分だけ金属封止材62に照射されるレーザ等の加熱ビームLB1が、パッケージ37内に侵入する確率を低くすることができて好ましい。
しかしながら、封止孔61の孔径に対して、段部57aが塞ぐ面積を比較的小さく設定することにより、金属封止材62に照射されるレーザ等の加熱ビームLB1が、パッケージ37内に侵入しやすい場合であっても、封止孔61は、第2の基板56の側縁に沿う位置に形成されているので、内部の圧電振動片32に対して、侵入した加熱ビームLB1が、照射されてしまう危険はきわめて低いものである。
特に、本実施形態では、封止孔61は、第2の基板56の側縁に沿う位置で、しかも図1に示されているようにパッケージ37のX方向の端部付近に設けられているので、封止孔61を通過してパッケージ37内に侵入した加熱ビームLB1が、圧電振動片32に照射されることはほとんど皆無であり、孔封止工程において、圧電振動片32の電極等を損傷するおそれはなく、これにより、安全かつ確実に封止孔61を気密封止することができる。
Here, when the area covered by the stepped portion 57a is set to be relatively large with respect to the hole diameter of the sealing hole 61, a heating beam LB1 such as a laser irradiated on the metal sealing material 62 correspondingly is provided in the package. It is preferable that the probability of entering the space 37 can be lowered.
However, by setting the area covered by the stepped portion 57a to be relatively small with respect to the hole diameter of the sealing hole 61, the heating beam LB1 such as a laser irradiated to the metal sealing material 62 enters the package 37. Even if it is easy, since the sealing hole 61 is formed at a position along the side edge of the second substrate 56, the intruding heating beam LB1 is irradiated to the internal piezoelectric vibrating piece 32. The risk of getting lost is very low.
In particular, in the present embodiment, the sealing hole 61 is provided at a position along the side edge of the second substrate 56 and in the vicinity of the end portion in the X direction of the package 37 as shown in FIG. Therefore, the heating beam LB1 that has passed through the sealing hole 61 and has entered the package 37 is hardly irradiated to the piezoelectric vibrating piece 32. In the hole sealing step, the electrode of the piezoelectric vibrating piece 32 and the like are used. There is no risk of damage, and the sealing hole 61 can be hermetically sealed safely and reliably.

(周波数調整)
次に、図5(d)に示されているように、透明な蓋体40を介して、外部から加熱用の光ビーム、例えば、レーザ光LB2を、圧電振動片32の先端付近の電極もしくは金属被覆部に照射して、質量削減方式による周波数調整を行う(ST15)。そして、パッケージ37の外部に必要なマーキングを行い(ST16)、続いて、最後に、必要な検査を行い(ST17)、圧電デバイス30が完成する。
(Frequency adjustment)
Next, as shown in FIG. 5D, a heating light beam, for example, a laser beam LB2 is applied from the outside via a transparent lid 40, or an electrode near the tip of the piezoelectric vibrating piece 32 or Irradiate the metal coating portion to adjust the frequency by the mass reduction method (ST15). Then, necessary marking is performed on the outside of the package 37 (ST16), and finally, necessary inspection is performed (ST17), and the piezoelectric device 30 is completed.

以上述べたように、この実施形態によれば、脱ガス用の孔を封止する際に、加熱用光ビームがパッケージ内に侵入しても圧電振動片などの電子部品を損傷させることを有効に防止できる圧電デバイスとその製造方法を提供することができる。   As described above, according to this embodiment, when sealing the degassing hole, it is effective to damage electronic parts such as the piezoelectric vibrating reed even if the heating light beam enters the package. It is possible to provide a piezoelectric device and a method for manufacturing the same.

本発明は上述の実施形態に限定されない。実施形態の各構成はこれらを適宜省略し、図示しない他の構成と組み合わせることができる。
また、この発明は、パッケージや箱状の蓋体に被われるようにして、内部に圧電振動片もしくは圧電振動片とICなどの電子部品を収容するものであれば、圧電振動子、圧電発振器等の名称にかかわらず、全ての圧電デバイスと、パッケージに適用することができる。
The present invention is not limited to the above-described embodiment. Each configuration of the embodiment may be omitted as appropriate and combined with other configurations not shown.
In addition, the present invention provides a piezoelectric vibrator, a piezoelectric oscillator, or the like as long as it is covered with a package or a box-shaped lid and accommodates a piezoelectric vibrating piece or a piezoelectric vibrating piece and an electronic component such as an IC. Regardless of the name, it can be applied to all piezoelectric devices and packages.

本発明の圧電デバイスの実施形態を示す概略平面図。The schematic plan view which shows embodiment of the piezoelectric device of this invention. 図1の圧電デバイスの概略底面図。The schematic bottom view of the piezoelectric device of FIG. 図1のA−A線概略断面図。The AA line schematic sectional drawing of FIG. 図1の圧電デバイスの製造方法の実施形態を示すフローチャート。The flowchart which shows embodiment of the manufacturing method of the piezoelectric device of FIG. 図1の圧電デバイスの製造方法の実施形態に係る概略工程図。The schematic process drawing which concerns on embodiment of the manufacturing method of the piezoelectric device of FIG. 従来の圧電デバイスを示す概略断面図。The schematic sectional drawing which shows the conventional piezoelectric device.

符号の説明Explanation of symbols

30・・・圧電デバイス、32・・・圧電振動片、31・・・電極部、37・・・パッケージ、47・・・導電性接着剤、55・・・第1の基板、56・・・第2の基板、61・・・封止孔。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 30 ... Piezoelectric device, 32 ... Piezoelectric vibration piece, 31 ... Electrode part, 37 ... Package, 47 ... Conductive adhesive, 55 ... 1st board | substrate, 56 ... 2nd board | substrate, 61 ... sealing hole.

Claims (7)

パッケージ内に圧電振動片を収容して、蓋体により、前記パッケージを気密に封止した圧電デバイスであって、
前記パッケージが、複数層の絶縁基板を積層して形成されており、
前記積層基板が、底部を形成する平板状の下部基板と、この下部基板の上に積層され、内側の材料が除去されることにより、前記圧電振動片を収容するための内部空間を形成するための上部基板とを有していて、
前記下部基板には、前記内部空間と外部とを連通する封止孔が形成されており、
前記封止孔の孔径の途中に前記上部基板の内側の縁部が位置する構成とした
ことを特徴とする圧電デバイス。
A piezoelectric device that houses a piezoelectric vibrating piece in a package and hermetically seals the package with a lid,
The package is formed by laminating a plurality of insulating substrates,
In order to form an internal space for accommodating the piezoelectric vibrating reed by laminating the laminated substrate on the flat substrate forming the bottom and the material on the inner side by removing the inner material. And having an upper substrate of
The lower substrate is formed with a sealing hole that communicates the internal space with the outside,
A piezoelectric device characterized in that an inner edge of the upper substrate is located in the middle of the hole diameter of the sealing hole.
前記下部基板が一枚の絶縁基板で形成されていることを特徴とする請求項1に記載の圧電デバイス。   The piezoelectric device according to claim 1, wherein the lower substrate is formed of a single insulating substrate. 前記上部基板が一枚の絶縁基板で形成されていることを特徴とする請求項2に記載の圧電デバイス。   The piezoelectric device according to claim 2, wherein the upper substrate is formed of a single insulating substrate. 前記封止孔の内周と、前記封止孔内に露出する前記上部基板の一部が形成する段部とに金属被覆部を設けたことを特徴とする請求項1ないし3のいずれかに記載の圧電デバイス。   The metal covering part is provided in the inner periphery of the said sealing hole, and the step part which a part of said upper board | substrate exposed in the said sealing hole forms in any one of Claim 1 thru | or 3 characterized by the above-mentioned. The piezoelectric device described. 前記封止孔が、前記パッケージの側縁に隣接して形成されていることを特徴とする請求項1ないし4のいずれかに記載の圧電デバイス。   The piezoelectric device according to claim 1, wherein the sealing hole is formed adjacent to a side edge of the package. 複数層の絶縁基板を積層して形成され、電子部品を収容するための内部空間を有する絶縁性のパッケージであって、
前記積層基板が、底部を形成する平板状の下部基板と、この下部基板の上に積層され、内側の材料が除去されることにより、前記圧電振動片を収容するための内部空間を形成するための上部基板とを有していて、
前記下部基板には、前記内部空間と外部とを連通する封止孔が形成されており、
前記封止孔の孔径の途中に前記上部基板の内側の縁部が位置する構成とした
ことを特徴とするパッケージ。
An insulating package formed by laminating a plurality of layers of insulating substrates and having an internal space for accommodating electronic components,
In order to form an internal space for accommodating the piezoelectric vibrating reed by laminating the laminated substrate on the flat substrate forming the bottom and the material on the inner side by removing the inner material. And having an upper substrate of
The lower substrate is formed with a sealing hole that communicates the internal space with the outside,
A package characterized in that an inner edge of the upper substrate is located in the middle of the hole diameter of the sealing hole.
パッケージ内に圧電振動片を収容し、蓋体により気密に封止した圧電デバイスの製造方法であって、
複数の絶縁基板を積層して形成する前記パッケージと、前記圧電振動片と、前記蓋体とを別々に形成するための個別の形成工程と、
前記パッケージを構成する複数の絶縁基板のうち、前記パッケージの底部を形成する下部基板に対して、前記圧電振動片を接合する工程と、
前記パッケージを前記蓋体により気密に封止する蓋封止工程と、
前記パッケージの外部から前記圧電振動片に形成されている金属膜に加熱用光ビームを照射する周波数調整工程と
前記パッケージの前記下部基板に設けた封止孔を利用して、加熱下で脱ガスした後で、この封止孔を封止する孔封止工程と
を含んでおり、
前記パッケージの形成工程では、平板状の絶縁基板による前記下部基板と、内側の材料を除去して前記圧電振動片を収容するための内部空間を形成した上部基板をそれぞれ成形した後で、積層し焼結するようにされ、
前記下部基板には、前記成形の際に、積層状態で前記上部基板の内側の縁部が孔径の途中に位置するように封止孔を形成するようにした
ことを特徴とする、圧電デバイスの製造方法。
A method for manufacturing a piezoelectric device in which a piezoelectric vibrating piece is accommodated in a package and hermetically sealed by a lid,
A separate forming step for separately forming the package formed by laminating a plurality of insulating substrates, the piezoelectric vibrating piece, and the lid;
Bonding the piezoelectric vibrating piece to a lower substrate forming a bottom of the package among a plurality of insulating substrates constituting the package;
A lid sealing step for hermetically sealing the package with the lid;
Degassing under heating using a frequency adjustment step of irradiating a metal film formed on the piezoelectric vibrating piece from the outside of the package with a heating light beam and a sealing hole provided in the lower substrate of the package And a hole sealing step for sealing the sealing hole,
In the package forming step, the lower substrate made of a flat insulating substrate and the upper substrate formed by removing the inner material and forming the internal space for accommodating the piezoelectric vibrating reed are formed and then laminated. Made to sinter,
A sealing hole is formed in the lower substrate so that the inner edge of the upper substrate is positioned in the middle of the hole diameter in the laminated state during the molding. Production method.
JP2004209949A 2004-07-16 2004-07-16 Package, piezoelectric device, and manufacturing method thereof Withdrawn JP2006033458A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004209949A JP2006033458A (en) 2004-07-16 2004-07-16 Package, piezoelectric device, and manufacturing method thereof

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004209949A JP2006033458A (en) 2004-07-16 2004-07-16 Package, piezoelectric device, and manufacturing method thereof

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2006033458A true JP2006033458A (en) 2006-02-02

Family

ID=35899267

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004209949A Withdrawn JP2006033458A (en) 2004-07-16 2004-07-16 Package, piezoelectric device, and manufacturing method thereof

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2006033458A (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009135826A (en) * 2007-11-30 2009-06-18 Daishinku Corp Piezoelectric vibration device and manufacturing method of piezoelectric vibration device
JP2011129735A (en) * 2009-12-18 2011-06-30 Seiko Epson Corp Method of manufacturing piezoelectric device
JP2018201185A (en) * 2017-05-30 2018-12-20 セイコーエプソン株式会社 Mems device, electronic device, and mobile body

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009135826A (en) * 2007-11-30 2009-06-18 Daishinku Corp Piezoelectric vibration device and manufacturing method of piezoelectric vibration device
JP2011129735A (en) * 2009-12-18 2011-06-30 Seiko Epson Corp Method of manufacturing piezoelectric device
JP2018201185A (en) * 2017-05-30 2018-12-20 セイコーエプソン株式会社 Mems device, electronic device, and mobile body

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4341268B2 (en) Package for piezoelectric device, piezoelectric device, mobile phone device using piezoelectric device, and electronic equipment using piezoelectric device
JP2005278069A (en) Piezoelectric vibrating piece and piezoelectric device using it
JP4038819B2 (en) Surface-mount type piezoelectric device and its container, mobile phone device using surface-mount type piezoelectric device, and electronic equipment using surface-mount type piezoelectric device
JP2009260845A (en) Method of manufacturing piezoelectric vibration device, and piezoelectric vibration device
JP2006229283A (en) Piezoelectric device
JP3922570B2 (en) Piezoelectric device and package for piezoelectric device, method for manufacturing piezoelectric device, mobile phone device using piezoelectric device, and electronic equipment using piezoelectric device
JP2006033458A (en) Package, piezoelectric device, and manufacturing method thereof
JP2013098594A (en) Piezoelectric vibration device and method for manufacturing the same
JP2005109886A (en) Piezoelectric device, manufacturing method thereof, cellular telephone apparatus using the same, and electronic apparatus using the same
JP4292575B2 (en) Piezoelectric device and method of manufacturing lid
JP4585908B2 (en) Method for manufacturing piezoelectric device
JP2004007198A (en) Piezoelectric device, package for piezoelectric device, manufacturing method of piezoelectric device, and mobile phone utilizing piezoelectric device, and electronic apparatus utilizing piezoelectric device
JP2013110492A (en) Package for electronic device, electronic device, electronic apparatus, and manufacturing method of electronic device
JP3879923B2 (en) Manufacturing method of lid for electronic parts
JP2007180701A (en) Piezoelectric oscillator and its manufacturing method
JP2009284125A (en) Package for crystal oscillator, and crystal oscillator
JP2005241380A (en) Piezo-electric device, cellular phone unit using piezo-electric device and electronic device using piezo-electric device
JP2005065189A (en) Piezo-electric device and its manufacturing method, mobile telephone using piezo-electric device, and electronic apparatus using piezo-electric device
JP2005051408A (en) Piezoelectric device and its manufacturing method, mobile telephone device using piezoelectric device, and electronic equipment using piezoelectric device
JP2005051370A (en) Manufacturing method for piezoelectric oscillator
JP2005295322A (en) Package, piezoelectric device and manufacturing method of the device
JP2006074567A (en) Piezoelectric device
JP3800127B2 (en) Piezoelectric device and package for piezoelectric device, method for manufacturing piezoelectric device, mobile phone device using piezoelectric device, and electronic equipment using piezoelectric device
JP2001308213A (en) Method and structure for sealing ceramic package
JP2013098609A (en) Container, electronic device and method for manufacturing electronic device

Legal Events

Date Code Title Description
RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20070403

A300 Withdrawal of application because of no request for examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20071002