JP2006032953A - リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】リソグラフィ装置は放射線ビームのその断面にパターンを与えてパターン化放射線ビームを形成することの可能なパターニングデバイスを支持するように構成された支持を備える。投影システムは基板の目標部分にパターン化放射線ビームを投影するように構成されている。第一真空環境には該投影システムを、第二真空環境には該パターニングデバイス支持を含み、セパレータが第一真空環境と第二真空環境とを分ける。該セパレータは第一真空環境からパターニングデバイスに、かつ/またはこれと逆に投影ビームを通過させる開口を有する。パターニングデバイスはセパレータの開口をほぼシールするシールの少なくとも部分を形成する。
【選択図】図3
Description
の範囲である。この範囲はもっと小さい場合もあり、例えば第一真空環境1の圧力の約プラスマイナス10%である。
Claims (27)
- 放射線ビームのその断面にパターンを与えてパターン化放射線ビームを形成することの可能なパターニングデバイスを支持するように構成された支持と、基板の目標部分にパターン化放射線ビームを投影するように構成された投影システムと、該投影システムを含んだ第一真空環境と、該パターニングデバイス支持を含んだ第二真空環境と、第一真空環境と第二真空環境とを分けるセパレータとから成るリソグラフィ装置であって、該セパレータは第一真空環境からパターニングデバイスに、かつ/またはこれと逆に投影ビームを通過させる開口を有しており、ここで該パターニングデバイスはセパレータの開口をほぼシールするシールの少なくとも部分を形成することを特徴とするリソグラフィ装置。
- 支持はセパレータから特定の少しの距離をあけてパターニングデバイスを支持し、セパレータの上記の開口をシールするように構成されていることを特徴とする請求項1に記載の装置。
- 支持はシールの少なくとも部分を形成し、セパレータの開口をシールすることを特徴とする請求項1に記載の装置。
- 支持は、セパレータのシーリング部分から特定の少しの距離をあけて配置されるシーリング部分を有することを特徴とする請求項3に記載の装置。
- 上記の投影ビームの寸法をコントロールするブレードが、上記のパターニングデバイスとセパレータの開口間に少なくとも部分的に伸長しており、該ブレードは、シーリングの少なくとも部分を提供して、セパレータの開口をほぼシールすることを特徴とする請求項1に記載の装置。
- 上記の少なくとも1つのブレードは、セパレータのシーリング部分から少しの距離をあけて配置され、セパレータの開口を少なくとも部分的にシールすることを特徴とする請求項5に記載の装置。
- 少なくとも1つの上記のブレードは、パターニングデバイスおよび/または支持から少しの距離をあけて配置されて、セパレータの開口を少なくとも部分的にシールすることを特徴とする請求項6に記載の装置。
- 少なくとも1つの小さなギャップが上記のパターニングデバイスと上記のセパレータ間にまたがり、該ギャップのサイズはギャップの外側からの水および/または炭化水素のガスコンダクタンスを制限し得るほど小さいものであり、また、セパレータの開口につながるギャップ内側方向に、該ギャップの該外側は第二真空環境につながることを特徴とする請求項1に記載の装置。
- 上記のパターニングデバイスおよび上記のセパレータは協働して上記セパレータの上記開口をほぼシールするように配置されていることを特徴とする請求項1に記載の装置。
- 上記の支持と上記のセパレータは協働して上記セパレータの上記開口をほぼシールするように配置されていることを特徴とする請求項1に記載の装置。
- パターニングデバイスを特定方向に比較的長い距離を移動させるように配置されたレチクルステージアクチュエーションモジュールはほぼ上記の第二真空環境に配置されることを特徴とする請求項1に記載の装置。
- 上記のシールは、第二真空環境から第一真空環境へのコンダクタンスが約100L/sよりも低くなるように配置され、ここで該コンダクタンスは水および/または炭化水素のコンダクタンスであることを特徴とする請求項1に記載の装置。
- 上記のシールは、第二真空環境から第一真空環境へのコンダクタンスが約20L/sよりも低くなるように配置され、ここで該コンダクタンスは水および/または炭化水素のコンダクタンスであることを特徴とする請求項1に記載の装置。
- 使用中、上記シールの少なくとも部分はセパレータに対し移動することを特徴とする請求項1に記載の装置。
- 少しの距離は1mm未満であることを特徴とする請求項2、4、6、または7,に記載の装置。
- 第二真空環境における水蒸気の部分圧は約10−5mbar、もしくはこれ以下であり、かつ/または第二真空環境における炭化水素の部分圧が約10−7mbar、もしくはこれ以下であることを特徴とする請求項1に記載の装置。
- 第二真空環境の総圧力は約10−2mbar、もしくはこれ以下であることを特徴とする請求項16に記載の装置。
- 第一真空環境の総圧力は第二真空環境の総圧力とほぼ同じであり、該総圧力は好ましくは約10−2mbar、もしくはこれ以下であることを特徴とする請求項1に記載の装置。
- 第一真空環境1における水蒸気の部分圧は約10−7mbar、もしくはこれ以下であって、かつ/または第一真空環境における炭化水素の部分圧は約10−9mbar、もしくはこれ以下であることを特徴とする請求項1に記載の装置。
- 第一真空チャンバと、セパレータにより第一真空チャンバと分離した第二真空チャンバとを配備するリソグラフィ装置において、第一真空チャンバは基板の目標部分に放射線のパターン化ビームを投影する投影システムを含み、第二真空チャンバは投影システムの視野内でパターニングデバイスを支持および移動させる支持を含むことを特徴とするリソグラフィ装置。
- 第一真空チャンバと第二真空チャンバに伸長した、放射線の投影ビームを伝達するための開口をさらに有し、ここで該開口はパターニングデバイスと平行に伸長した1つ以上の小さなギャップによって第二真空チャンバからシールされることを特徴とする請求項20に記載の装置。
- 第一真空チャンバと、第二真空チャンバと、そして、第一真空チャンバと第二真空チャンバ間にてパターニングデバイスの視野内に伸長した開口をほぼシールする移動シールとを備えた、パターニングデバイスからのパターンを基板に投影するように配置されたリソグラフィ投影装置。
- 投影システムを含んだ第一真空環境は特定の第一圧力に保持され、パターニングデバイスの支持を行う支持を含んだ第二真空環境は特定の第二圧力に保持され、ここで該パターニングデバイスは第一真空環境と第二真空環境に伸長する開口の近くで少なくとも部分的に保持され、その開口をシールすることを特徴とする、基板に放射線のパターン化ビームを投影することを含むデバイス製造方法。
- パターニングデバイスにより放射線のビームをパターン化し、そして、放射線のパターン化されたビームを投影システムにより基板に投影することから成るデバイス製造方法において、投影システムを含んだ第一真空チャンバはパターニングデバイスの支持を含んだ第二真空チャンバとは離されており、また、放射線ビームは少なくとも1つの開口を通って第一真空チャンバからパターニングデバイスに、そしてパターニングデバイスから第一真空チャンバに送られ、また、少なくとも1つの開口がシールによってほぼシールされることを特徴とするデバイス製造方法。
- パターニングデバイスにより放射線ビームをパターン化し、そして投影システムにより基板の目標部分に放射線のパターン化ビームを投影することから成る、リソグラフィ装置を用いるデバイス製造方法において、該投影システムの少なくとも部分を含む該装置の第一部分は第一真空環境に配置され、また、該装置の第二部分は第二真空環境に配置され、そしてパターニングデバイス表面の少なくとも部分は、第一真空環境と第二真空環境間に伸長する開口をシールするのに用いられることを特徴とする、リソグラフィ装置を用いるデバイス製造方法。
- 請求項27の方法に従って製造されるデバイス。
- 上記投影システムの少なくとも部分を含む該装置の第一部分は第一真空環境に配置され、該装置の第二部分は第二真空環境に配置され、また、パターニングデバイス表面の少なくとも部分は、第一真空環境と第二真空環境間に伸長する開口をシールするのに用いられ、この時、プロセッサによる実行時に、パターニングデバイスによる放射線ビームのパターン形成と、投影システムによる基板の目標部分へのパターン化ビームの投影とを可能にするプログラムインストラクションのシーケンスにより符号化されるコンピュータ読取り可能媒体。
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