JP7391217B2 - レーザ源に用いられるガスパージシステム - Google Patents

Description

関連出願の相互参照
[0001] 本願は、２０１９年１２月２０日に出願され、LOW PRESSURE GAS PURGE SYSTEM FOR A LASER SOURCEと題された米国出願第６２／９５１，８４０号、及び、２０２０年５月８日に出願され、GAS PURGE SYSTEMS FOR A LASER SOURCEと題された米国出願第６３／０２２，０２３号の優先権を主張し、いずれも参照によりその全体が本明細書に組み込まれる。

[0001] 本開示は、例えば、リソグラフィ装置やシステムに使用するための、レーザ源にガスパージシステムを提供するシステム及び方法に関する。

[0002] リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板に、通常は基板のターゲット部分に適用する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に使用可能である。このような場合、代替的にマスク又はレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを使用して、形成されるＩＣの個々の層上に形成すべき回路パターンを生成することができる。このパターンを、基板（例えばシリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば１つ又はいくつかのダイの一部を含む）に転写することができる。パターンの転写は通常、基板に設けた放射感応性材料（フォトレジスト、又は簡潔にレジスト）の層への結像により行われる。一般的に、１枚の基板は、順次パターンが付与される隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。従来のリソグラフィ装置は、パターン全体をターゲット部分に１回で露光することによって各ターゲット部分が照射される、いわゆるステッパと、基板を所与の方向（「スキャン」方向）と平行あるいは逆平行に同期的にスキャンしながら、パターンを所与の方向（「スキャン」方向）に放射ビームでスキャンすることにより、各ターゲット部分が照射される、いわゆるスキャナとを含む。パターンを基板にインプリントすることによっても、パターニングデバイスから基板へとパターンを転写することが可能である。

[0003] レーザ源は、例えば、パターニングデバイスに照明するための照明放射線を生成するためにリソグラフィ装置と共に使用することができる。酸素（О_２）は、レーザ源におけるレーザビームの光路に存在し得る。ただし、レーザビームの存在下で酸素（О_２）から生成されたオゾン（О_３）は、レーザ源の光学コンポーネントに悪影響を与える可能性がある。

[0004] 従って、レーザ源用のガスパージシステム及びガスパージ方法が必要である。

[0005] 低圧ガスパージシステム及びその他のガスパージシステム、並びに低圧ガスパージ方法及びその他のガスパージ方法の実施形態が本開示に記載されている。

[0006] 本開示の一態様は、第１のレーザビームを生成するように構成されたレーザチャンバを含むレーザ源を提供する。レーザ源は更に、レーザチャンバに結合され、第１のレーザビームを受け取り、出力レーザビームを出力するように構成された光学システムを含む。レーザ源は更に、大気圧より低い圧力で光学システムにガスを供給するように構成されたガスパージシステムを含む。

[0007] 一部の実施例では、ガスパージシステムは、大気圧より低い圧力で光学システムにガスを供給するように構成されたガス供給ポンプを含む。一部の実施例では、ガスパージシステムはまた、光学システムから第２のガスを実質的に除去するように構成された第２のポンプを含む。

[0008] 一部の実施例では、ガスは窒素を含み、第２のガスは酸素を含む。一部の実施例では、圧力は約５０Ｔｏｒｒ～約７００Ｔｏｒｒの範囲である。

[0009] 一部の実施例では、光学システムは、第１の光学モジュール及び第２の光学モジュールを含む。ガスパージシステムは、第１の光学モジュールに結合され、大気圧より低い圧力で第１の光学モジュールにガスを供給する第１のガス供給ポンプと、第２の光学モジュールに結合され、大気圧より低い圧力で第２の光学モジュールにガスを供給する第２のガス供給ポンプと、を含む。

[0010] 本開示の別の態様は、第１のレーザビームを生成するように構成されたレーザチャンバを含むレーザ源を提供する。レーザ源は更に、レーザチャンバに結合され、第１のレーザビームを受け取り、出力レーザビームを出力するように構成された光学システムを含む。光学システムは、大気圧より低い圧力のガスを含む。

[0011] 本開示の別の態様は、第１のレーザビームを生成するように構成された第１のレーザチャンバと、第１のレーザビームを受け取り、第１のレーザビームを増幅して第２のレーザビームを生成するように構成された第２のレーザチャンバと、を含むレーザ源を提供する。レーザ源は更に、第１のレーザビームを第２のレーザチャンバに誘導するように構成された第１の光学システムを含む。レーザ源は更に、第２のレーザビームを受け取り、レーザ源の出力レーザビームとして第２のレーザビームを誘導するように構成された第２の光学システムを含む。レーザ源は更に、大気圧より低い圧力で第１及び第２の光学システムにガスを送り込むように構成されたガスパージシステムを含む。

[0012] 一部の実施例では、ガスパージシステムは、大気圧より低い圧力で第１及び第２の光学システムにガスを供給するように構成されたガス供給ポンプと、第１及び第２の光学システムから第２のガスを実質的に除去するように構成された第２のポンプと、を含む。

[0013] 一部の実施例では、ガスは窒素を含み、圧力は約５０Ｔｏｒｒ～約７００Ｔｏｒｒの範囲であり、第２のガスは酸素中である。

[0014] 一部の実施例では、レーザ源は、第１のレーザチャンバに結合された光学モジュールを更に含む。光学モジュールは、略大気圧の圧力を有する第２のガスを含む。一部の実施例では、第２のガスは酸素である。

[0015] 本開示の別の態様は、放射ビームを調整するように構成された照明システムと、放射ビームに付与されたパターンを基板上に投影するように構成された投影システムと、を含むリソグラフィ装置を提供する。照明システムは、レーザ源を含む。レーザ源は、第１のレーザビームを生成するように構成されたレーザチャンバと、レーザチャンバに結合され、第１のレーザビームを受け取り、出力レーザビームを出力するように構成された光学システムと、を含む。光学システムは、大気圧より低い圧力を有する窒素ガスを含んでもよい。

[0016] 本開示の別の態様は、第１のレーザビームを生成するように構成されたレーザチャンバと、レーザチャンバに結合され、第１のレーザビームを受け取り、出力レーザビームを出力するように構成された光学システムと、を含む、装置を提供する。レーザ源は更に、大気圧より低い圧力で光学システムにガスを供給するように構成されたガスパージシステムを含む。

[0017] 追加又は代替として、ヘリウムガスパージシステムの実施形態が本開示で提供される。

[0018] 本開示の一態様は、第１のレーザビームを生成するように構成されたレーザチャンバを含むレーザ源を提供する。レーザ源は更に、レーザチャンバに結合され、第１のレーザビームを受け取り、出力レーザビームを出力するように構成された光学システムを含む。レーザ源は更に、光学システムにヘリウムガスを供給するように構成されたガスパージシステムを含む。

[0019] 一部の実施例では、ガスパージシステムは、光学システムにヘリウムガスを供給するように構成されたガス供給ポンプを含む。一部の実施例では、ガスパージシステムは、光学システムから第２のガスを実質的に除去するように構成された第２のポンプを更に含み、ガスは酸素である。

[0020] 一部の実施例では、ガスパージシステムは、大気圧より低い圧力で光学システムにヘリウムガスを供給するように構成されたガス供給ポンプを含む。

[0021] 一部の実施例では、光学システムは、第１の光学モジュール及び第２の光学モジュールを含む。ガスパージシステムは、第１の光学モジュールに結合され、第１の光学モジュールにヘリウムガスを供給する第１のガス供給ポンプと、第２の光学モジュールに結合され、第２の光学モジュールにヘリウムガスを供給する第２のガス供給ポンプと、を含む。

[0022] 本開示の別の態様は、第１のレーザビームを生成するように構成されたレーザチャンバを含むレーザ源を提供する。レーザ源は更に、レーザチャンバに結合され、第１のレーザビームを受け取り、出力レーザビームを出力するように構成された光学システムを含む。光学システムはヘリウムガスを含む。

[0023] 本開示の別の態様は、第１のレーザビームを生成するように構成された第１のレーザチャンバと、第１のレーザビームを受け取り、第１のレーザビームを増幅して第２のレーザビームを生成するように構成された第２のレーザチャンバと、を含むレーザ源を提供する。レーザ源は更に、第１のレーザビームを第２のレーザチャンバに誘導するように構成された第１の光学システムを含む。レーザ源は更に、第２のレーザビームを受け取り、レーザ源の出力レーザビームとして第２のレーザビームを誘導するように構成された第２の光学システムを含む。レーザ源は更に、第１及び第２の光学システムにヘリウムガスを送り込むように構成されたガスパージシステムを含む。

[0024] 本開示の別の態様は、放射ビームを調整するように構成された照明システムと、放射ビームに付与されたパターンを基板上に投影するように構成された投影システムと、を含むリソグラフィ装置を提供する。照明システムは、レーザ源を含む。レーザ源は、第１のレーザビームを生成するように構成されたレーザチャンバと、レーザチャンバに結合され、第１のレーザビームを受け取り、出力レーザビームを出力するように構成された光学システムと、を含む。光学システムはヘリウムガスを含んでもよい。

[0025] 更なる特徴、並びに様々な実施形態の構造及び動作を、添付図面を参照し、以下において詳細に説明する。なお本開示は、本明細書に記載される具体的な実施形態に限定されない。そのような実施形態は、例示のみを目的として本明細書中に提示される。当業者には、本明細書に含まれる教示に基づいて、追加的な実施形態が明らかであろう。

[0026] 本明細書に組み込まれ、その一部を形成する添付の図面は、本発明を図示し説明とともに、更に実施形態の原理を説明し、当業者が本発明を作成して使用できるようにする働きをする。

[0027] 例示的な実施形態に係る、反射型リソグラフィ装置の概略図である。 [0028] 例示的な実施形態に係る、透過型リソグラフィ装置の概略図である。 [0029] 例示的な実施形態に係る、リソグラフィセルの概略図である。 [0030] 本開示の一部の実施形態に係る、パージシステムを備えたレーザ源の概略図を示す。 [0031] 本開示の一部の実施形態に係る、低圧ガスパージシステムを備えたレーザ源の別の概略図を示す。 [0032] 本開示の一部の実施形態に係る、ヘリウムガスパージシステムを備えたレーザ源の別の概略図を示す。

[0033] 本開示の特徴は、同様の参照符号は全体を通して対応する要素を識別する図面を参照しながら以下の詳細な説明を読むことで更に明白になるであろう。図面では、他に示されない限り、一般に、同様の参照番号が同一の、機能が類似した、及び／又は構造が類似する要素を示す。更に、一般に、参照番号の左端の桁は、参照番号が最初に表示される図面を識別する。他に示されない限り、本開示を通じて提供される図面は縮尺通りの図面として解釈されるべきではない。

[0034] 本明細書は、本発明の特徴を組み込んだ１つ以上の実施形態を開示する。開示される１つ又は複数の実施形態は本発明を例示するにすぎない。本開示の範囲は開示される１つ又は複数の実施形態に限定されない。本開示の幅及び範囲は、本明細書に添付された特許請求の範囲及びそれらの均等物によって定義される。

[0035] 記載された実施形態、及び本明細書で「一実施形態」、「ある実施形態」、「例示的実施形態」などに言及した場合、それは記載された実施形態が特定の特徴、構造、又は特性を含むことができるが、それぞれの実施形態が必ずしも特定の特徴、構造、又は特性を含まないことがあることを示す。更に、このようなフレーズは、必ずしも同じ実施形態に言及するものではない。更に、ある実施形態に関連して特定の特徴、構造、又は特性について記載している場合、明示的に記載されているか、記載されていないかにかかわらず、このような特徴、構造、又は特性を他の実施形態との関連で実行することが当業者の知識の範囲内にあることが理解される。

[0036] 「下（beneath）」、「下（below）」、「下（lower）」、「上（above）」、「上（on）」、「上（upper）」などのような空間的に相対的な用語は、図に示すように、ある要素又は機能と別の１つ又は複数の要素又は１つ又は複数の機能との関係を説明するのを容易にするために、本明細書で使用され得る。空間的に相対的な用語は、図に示されている方向に加えて、使用中又は動作中のデバイスの様々な方向を包含することを意図している。装置は、他の方法で方向付けられてもよく（９０度又は他の方向に回転されてもよい）、本明細書で使用される空間的に相対的な記述語は、同様にそれに応じて解釈され得る。

[0037] 本明細書で使用される「約」という語は、特定の技術に基づいて変化し得る所与の量の値を示す。特定の技術に基づいて、「約」という語は、例えばその値の１０～３０％（例えば、その値の±１０％、±２０％、又は±３０％）の範囲内で変化する所与の量の値を示す可能性がある。

[0038] このような実施形態を詳述する前に、本開示の実施形態を実装することができる例示の環境を提示することが有用であろう。

[0039] 例示的なリソグラフィシステム
[0040] 図１及び図２は、それぞれ本開示の実施形態が実装され得るリソグラフィ装置１００及びリソグラフィ装置１００’の概略図である。リソグラフィ装置１００及びリソグラフィ装置１００’はそれぞれ以下の、放射ビームＢ（例えば深紫外（ＤＵＶ）放射）を調節するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、パターニングデバイス（例えばマスク、レチクル、又は動的パターニングデバイス）ＭＡを支持するように構成されるとともに、パターニングデバイスＭＡを正確に位置決めするように構成された第１のポジショナＰＭに接続された支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴと、基板（例えば、レジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成されるとともに、基板Ｗを正確に位置決めするように構成された第２のポジショナＰＷに接続された基板テーブル（例えばウェーハテーブル）ＷＴと、を備える。リソグラフィ装置１００及び１００’は、パターニングデバイスＭＡにより放射ビームＢに付与されたパターンを基板Ｗの（例えば１つ以上のダイを含む）ターゲット部分Ｃに投影するように構成された投影システムＰＳも有する。リソグラフィ装置１００では、パターニングデバイスＭＡ及び投影システムＰＳは反射型である。リソグラフィ装置１００’では、パターニングデバイスＭＡ及び投影システムＰＳは透過型である。

[0041] 照明システムＩＬは、放射ビームＢを誘導し、整形し、又は制御するための、屈折型、反射型、反射屈折型、磁気型、電磁型、静電型、又はその他のタイプの光学コンポーネント、あるいはそれらの任意の組み合わせなどの様々なタイプの光学コンポーネントを含むことができる。

[0042] 支持構造ＭＴは、基準フレームに対するパターニングデバイスＭＡの方向、リソグラフィ装置１００及び１００’のうちの少なくとも１つの設計等の条件、及びパターニングデバイスが真空環境で保持されているか否かに応じた方法で、パターニングデバイスＭＡを保持する。支持構造ＭＴは、機械的、真空、静電、又は他のクランプ技術を使用して、パターニングデバイスＭＡを保持することができる。支持構造ＭＴは、例えば、フレーム又はテーブルでもよく、必要に応じて固定式又は可動式でよい。センサを使用することにより、支持構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡが、例えば、投影システムＰＳに対して確実に所望の位置に来るようにできる。

[0043] 「パターニングデバイス」ＭＡという用語は、基板Ｗのターゲット部分Ｃにパターンを生成する等のために放射ビームＢの断面にパターンを付与するのに使用され得る何らかのデバイスを指すものと広義に解釈されるべきである。放射ビームＢに付与されたパターンは、集積回路を形成するためにターゲット部分Ｃに生成されるデバイスにおける特定の機能層に対応する可能性がある。

[0044] パターニングデバイスＭＡは、（図２のリソグラフィ装置１００’におけるように）透過型であっても、（図１のリソグラフィ装置１００におけるように）反射型であってもよい。パターニングデバイスＭＡの例には、レチクル、マスク、プログラマブルミラーアレイ、又はプログラマブルＬＣＤパネルが含まれる。マスクはリソグラフィにおいて周知であり、バイナリマスク、レベンソン型位相シフトマスク、又はハーフトーン型位相シフトマスク、更には多様なハイブリッドマスクタイプなどのマスクタイプを含む。プログラマブルミラーアレイの一例は、それぞれが入射する放射ビームを異なる方向に反射するように個別に傾斜され得る小さいミラーのマトリクス配列を採用する。傾斜されたミラーは、小さいミラーのマトリクスにより反射される放射ビームＢにパターンを付与する。

[0045] 「投影システム」ＰＳという用語は、用いられる露光放射線に、又は、液浸液の使用もしくは真空の使用などの他の要素に適切な屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、又はそれらのあらゆる組み合わせを含むあらゆるタイプの投影システムを含むことができる。したがって、真空環境は、真空壁及び真空ポンプを用いてビーム経路全体に提供することができる。

[0046] リソグラフィ装置１００及び／又はリソグラフィ装置１００’は、２つ（デュアルステージ）又はそれ以上の基板テーブルＷＴ（及び／又は２つ以上のマスクテーブル）を有するタイプであってよい。このような「マルチステージ」機械においては、追加の基板テーブルＷＴが並行して使用されるか、あるいは１つ以上の基板テーブルＷＴが露光に使用されている間に、１つ以上の他のテーブルで準備工程が実行されてよい。ある状況では、追加のテーブルは基板テーブルＷＴでなくてもよい。

[0047] リソグラフィ装置は、投影システムと基板との間の空間を充填するように、基板の少なくとも一部を水などの比較的高い屈折率を有する液体で覆えるタイプでもよい。液浸液は、例えばマスクと投影システムの間など、リソグラフィ装置の他の空間に適用することもできる。液浸技術は、投影システムの開口数を増加させるために当技術分野でよく知られている。本明細書で使用する「液浸」という用語は、基板などの構造を液体に沈めなければならないという意味ではなく、露光中に投影システムと基板の間に液体が存在するというほどの意味である。

[0048] 図１及び図２を参照すると、イルミネータＩＬは放射源ＳＯから放射ビームを受ける。例えば放射源ＳＯがエキシマレーザである場合には、放射源ＳＯとリソグラフィ装置１００、１００’とは別個の物理的実体であってよい。この場合、放射源ＳＯはリソグラフィ装置１００又は１００’の一部を構成するとは見なされず、放射ビームＢは放射源ＳＯから、例えば適切な誘導ミラー及び／又はビームエキスパンダを備えたビームデリバリシステムＢＤ（図２）を介してイルミネータＩＬへ通過する。他の場合、例えば放射源ＳＯが水銀ランプである場合には、放射源ＳＯはリソグラフィ装置１００、１００’の一体部分であってよい。放射源ＳＯとイルミネータＩＬとは、ビームデリバリシステムＢＤが必要とされる場合にはこれも合わせて、放射システムと呼ばれることがある。

[0049] イルミネータＩＬは放射ビームの角強度分布を調整するためのアジャスタＡＤ（図２）を備えてよい。一般に、イルミネータの瞳面における強度分布の少なくとも外側及び／又は内側半径範囲（一般にそれぞれ「σ-outer」及び「σ-inner」と呼ばれる）を調整することができる。加えてイルミネータＩＬは、インテグレータＩＮ及びコンデンサＣＯなどの他の様々なコンポーネント（図２）を備えてもよい。イルミネータＩＬは、ビーム断面における所望の均一性及び強度分布を得るべく放射ビームＢを調節するのに使用することができる。

[0050] 図１を参照すると、放射ビームＢは、支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴに保持されたパターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡに入射し、パターニングデバイスによってパターン付与される。リソグラフィ装置１００では、放射ビームＢはパターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡから反射される。パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡから反射された後、放射ビームＢは投影システムＰＳを通過する。投影システムＰＳは放射ビームＢを基板Ｗのターゲット部分Ｃに合焦させる。第２のポジショナＰＷと位置センサＩＦ２（例えば、干渉デバイス、リニアエンコーダ、又は静電容量センサ）の助けによって、基板テーブルＷＴを（例えば、放射ビームＢの経路に異なるターゲット部分Ｃを位置決めするように）正確に移動させることができる。同様に、第１のポジショナＰＭ及び別の位置センサＩＦ１を使用して、放射ビームＢの経路に対してパターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを正確に位置決めすることができる。マスクアライメントマークＭ１、Ｍ２及び基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使用して、パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡ及び基板Ｗを位置合わせすることができる。

[0051] 図２を参照すると、放射ビームＢは、支持構造（例えばマスクテーブルＭＴ）に保持されたパターニングデバイス（例えばマスクＭＡ）に入射し、パターニングデバイスによってパターン付与される。マスクＭＡを横断した後、放射ビームＢは投影システムＰＳを通過する。投影システムＰＳはビームを基板Ｗのターゲット部分Ｃに合焦させる。投影システムは、照明システム瞳ＩＰＵと共役な瞳ＰＰＵを有する。放射の一部は、照明システム瞳ＩＰＵにおける強度分布から生じ、マスクパターンにおいて回折の影響を受けることなくマスクパターンを横切り、照明システム瞳ＩＰＵにおいて強度分布の像を作り出す。

[0052] 投影システムＰＳは、マスクパターンＭＰの像ＭＰ’を投影する。像ＭＰ’は、強度分布からの放射によりマークパターンＭＰから生成された回折ビームによって、基板Ｗ上に被覆されたフォトレジスト層上に形成される。例えば、マスクパターンＭＰには、ラインとスペースのアレイが含まれてよい。アレイでの放射回折でゼロ次回折でないものからは、ラインと垂直な方向に方向が変わった誘導回折ビームが生成される。非回折ビーム（すなわち、いわゆるゼロ次回折ビーム）は、伝搬方向が変化することなくパターンを横断する。ゼロ次回折ビームは、投影システムＰＳの共役な瞳ＰＰＵの上流にある投影システムＰＳの上部レンズ又は上部レンズグループを横断して、共役な瞳ＰＰＵに到達する。ゼロ次回折ビームに関連する共役な瞳ＰＰＵの面における強度分布の部分が、照明システムＩＬの照明システム瞳ＩＰＵの強度分布の像である。開口デバイスＰＤは、例えば投影システムＰＳの共役な瞳ＰＰＵを含む平面に又は概ね平面に配置される。

[0053] 投影システムＰＳは、レンズ又はレンズ群Ｌによって、０次の回折ビームだけでなく、１次又はそれより高次の回折ビームも捕捉するように構成されている（図示せず）。一部の実施形態では、線に対して垂直な方向に延びる線パターンを画像化するダイポール照明を用いて、ダイポール照明の解像度向上効果を利用することができる。例えば、１次回折ビームはウェーハＷのレベルで対応する０次回折ビームと干渉し、可能な限り最高の解像度とプロセスウィンドウでラインパターンＭＰの画像を作成する（つまり、許容可能な露光ドーズ偏差と組み合わせた使用可能な焦点深度）。

[0054] 第２のポジショナＰＷ及び位置センサＩＦ（例えば、干渉デバイス、リニアエンコーダ、又は静電容量センサ）の助けにより、（例えば放射ビームＢの経路に異なるターゲット部分Ｃを位置決めするように）基板テーブルＷＴを正確に移動させることができる。同様に、（例えばマスクライブラリの機械的な取り出し後又はスキャン中に）第１のポジショナＰＭと別の位置センサ（図１Ｂに図示せず）とを使用して、放射ビームＢの経路に対してマスクＭＡを正確に位置決めすることができる。

[0055] 一般に、マスクテーブルＭＴの移動は、第１のポジショナＰＭの一部を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）及びショートストロークモジュール（微動位置決め）の助けを借りて実現することができる。同様に、基板テーブルＷＴの移動は、第２のポジショナＰＷの一部を形成するロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールを使用して実現することができる。ステッパの場合（スキャナとは対照的に）、マスクテーブルＭＴをショートストロークアクチュエータのみに接続するか、又は固定してもよい。マスクＭＡ及び基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１、Ｍ２及び基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使用して位置合わせすることができる。図示のような基板アライメントマークは、専用のターゲット部分を占有するが、ターゲット部分の間の空間に位置してもよい（スクライブラインアライメントマークとして周知である）。同様に、マスクＭＡ上に複数のダイを設ける状況では、マスクアライメントマークをダイ間に配置してもよい。

[0056] マスクテーブルＭＴ及びパターニングデバイスＭＡは、真空チャンバＶ内にあってよい。真空内ロボットＩＶＲを用いて、マスクなどのパターニングデバイスを真空チャンバ内及び外に移動させることができる。代替的に、マスクテーブルＭＴ及びパターニングデバイスＭＡが真空チャンバの外側にある場合、真空内ロボットＩＶＲと同様に、様々な輸送作業のために真空外ロボットを用いることができる。真空内及び真空外ロボットは、共に中継ステーションの固定されたキネマティックマウントへの任意のペイロード（例えばマスク）のスムーズな移動のために較正される必要がある。

[0057] 図示のリソグラフィ装置１００及び１００’は、以下のモードのうち少なくとも１つにて使用可能である。
[0058] １．ステップモードでは、支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴ及び基板テーブルＷＴは、基本的に静止状態に維持される一方、放射ビームＢに付与されたパターン全体が１回でターゲット部分Ｃに投影される（すなわち単一静的露光）。次に、別のターゲット部分Ｃを露光できるように、基板テーブルＷＴがＸ方向及び／又はＹ方向に移動される。
[0059] ２．スキャンモードでは、支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴ及び基板テーブルＷＴは、同期的にスキャンされる一方、放射ビームＢに付与されたパターンがターゲット部分Ｃに投影される（すなわち単一動的露光）。支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度及び方向は、投影システムＰＳの拡大（縮小）及び像反転特性によって求めることができる。
[0060] ３．別のモードでは、支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴはプログラマブルパターニングデバイスを保持して基本的に静止状態に維持され、基板テーブルＷＴを移動又はスキャンさせながら、放射ビームＢに付与されたパターンをターゲット部分Ｃに投影する。パルス放射源ＳＯを使用することができ、プログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルＷＴを移動させる毎に、又はスキャン中に連続する放射パルスの間で、必要に応じて更新される。この動作モードは、プログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに容易に利用できる。

[0061] 上述した使用モードの組み合わせ及び／又は変形、又は全く異なる使用モードも利用できる。

[0062] 例示的なリソグラフィセル
[0063] 図３は、リソセル又はクラスタと呼ばれることもあるリソグラフィセル３００を示している。リソグラフィ装置１００又は１００’はリソグラフィセル３００の一部を構成することがある。また、リソグラフィセル３００は、基板に露光前プロセス及び露光後プロセスを実行する１つ以上の装置を含んでよい。従来から、これらにはフォトレジスト、すなわち「レジスト」層を堆積させるためのスピンコータＳＣ、露光したレジストを現像するためのデベロッパＤＥ、冷却プレートＣＨ、及びベークプレートＢＫが含まれる。基板ハンドラ、すなわちロボットＲＯが、入出力ポートＩ／Ｏ１、Ｉ／Ｏ２から基板を取り出し、それらを様々なプロセス装置間で移動させ、リソグラフィ装置１００又は１００’のローディングベイＬＢに引き渡す。これらのデバイスは、まとめてトラックと呼ばれることも多く、トラック制御ユニットＴＣＵの制御下にある。ＴＣＵ自体は監視制御システムＳＣＳによって制御され、ＳＣＳはリソグラフィ制御ユニットＬＡＣＵを介してリソグラフィ装置も制御する。したがって、これらの様々な装置はスループット及び処理効率を最大化するように動作させることができる。

[0064] 例示的なガスパージシステム及び方法
[0065] 図４は、本開示の一部の実施形態に係る、ガスパージシステムを備えたレーザ源４００の概略図を示す。一部の態様では、レーザ源４００は、リソグラフィ装置１００又は１００’の放射源ＳＯの一部として、あるいはそれに加えて使用することができる。例えば、レーザ源４００は、リソグラフィ装置１００’又はその他のＤＵＶリソグラフィ装置で使用されるＤＵＶ放射の生成に使用することができる。図４に示されるように、レーザ源４００は、リソグラフィ装置に用いられるレーザビーム４０７を生成することができる。

[0066] 一部の態様によれば、レーザ源４００は、レーザビームを生成するための１つ以上のレーザチャンバを含むことができる。例えば、レーザ源４００は、レーザビーム４０５を生成するレーザチャンバ４０１を含むことができる。１つのレーザチャンバ４０１が図４に示されているが、本開示の態様はこの例に限定されず、レーザ源４００は複数のレーザチャンバを含んでもよい。デュアルチャンバレーザ源の例については、図５及び図６を参照しながら下記に説明する。

[0067] 図４に示されるように、レーザ源４００はまた、光学システム４０３を含むことができる。一部の実施例によれば、光学システム４０３は、レーザビーム４０５を受け取り、レーザ源４００からレーザビーム４０７を生成又は誘導するように構成される。以下でより詳しく説明するように、光学システム４０３は、１つ以上の光学モジュールを含むことができる。非限定的な例として、光学システム４０３は、１つ以上のベローズ、１つ以上の管、１つ以上のビームリバーサ、１つ以上の帯域幅分析モジュール、１つ以上の光パルスストレッチャ、１つ以上のシャッタモジュールなどを含むことができる。本開示の態様はこれらの例に限定されず、光学システム４０３は、より多くの、より少ない、又は異なるモジュール及び構成要素を含むこともできることに留意されたい。光学システム４０３は、レンズ、ミラー、プリズム、光ファイバ、検出器、ビームスプリッタ、分散デバイスなどを含むがこれらに限定されない任意の数の構成要素を含むことができる。

[0068] 一部の態様によれば、レーザ源４００は、ガスパージシステム４０８を含むことができる。ガスパージシステム４０８は、光学システム４０３に動作可能に結合することができ、光学システム４０３にガスを供給するように構成することができる。光学システム４０３では、オゾン（Ｏ_３）は、高エネルギＵＶ光子の存在下で酸素（Ｏ_２）から望ましくなく生成され得る。オゾンは、光学システム４０３の光学コンポーネントに有害である可能性がある。一部の実施例によれば、ガスパージシステム４０８は、光学システム４０３にガスを供給して、光学システム４０３から酸素を実質的に除去するように構成される。一部の態様によれば、ガスパージシステム４０８によって使用されるガスは、窒素（Ｎ_２）を含むことができる。言い換えれば、ガスパージシステム４０８は、光学システム４０３に窒素を供給して、光学システム４０３から酸素を実質的に除去することができる。本開示の一部の態様では、１つの例示的なパージガスとして窒素が使用されているが、その他の適切なガスをガスパージシステム４０８で使用することができる。

[0069] 一部の実施例によれば、ガスパージシステム４０８は、略大気圧の圧力で光学システム４０３にパージガス（例えば窒素）を提供することができる。例えば、ガスパージシステム４０８によって提供されるガス圧は、略標準大気圧であってもよい。例えば、ガスパージシステム４０８によって提供されるガス圧は、約１０１，０００Ｐａ～１０２，０００Ｐａ（例えば、７５８～７６５ｍｍＨｇに相当）であってもよい。非限定的な例として、ガスパージシステム４０８によって提供されるガス圧は、約１０１，３２５Ｐａ（例えば、７６０ｍｍＨｇに相当）であってもよい。他の実施形態では、様々な他の圧力を使用することができる。

[0070] しかしながら、一部の実施例では、光学システム４０３でのパージガスに略大気圧のガス圧を使用することによって、光学システム４０３（及び／又はレーザ源４００）の光学仕様を満たすことができない。例えば、高出力レーザ源４００（例えば、これらに限定されないが６０Ｗ、９０Ｗ、１２０Ｗなど）の場合、大気圧以外のガス圧は、より望ましい光学性能を生み出すことができる。一部の実施例では、光学システム４０３における略大気圧のガス圧は、高い熱過渡をもたらし得る。高熱過渡現象は、モジュールの故障につながり得る。熱過渡現象は、高出力レーザ及び／又はモジュールの経年変化とともに増加し得る。更に、光学システム４０３における略大気圧のガス圧は、レーザ空間ビーム特性に高い不安定性をもたらし得る。例えば、垂直方向の発散は、含め難い１つの例示的なパラメータであるが、他のパラメータも熱レンズ効果の増加によって影響を受け得る。影響を受けるパラメータの例としては、ビームの対称性、ビーム輪郭の不一致、及びある程度のビームのポインティングがある。各パラメータは独自の由来を持ってもよく、相互関連性を有してもよい。

[0071] 一部の例では、熱過渡現象は、例えばレーザビームによって光学システム４０３内で加熱されるパージガス（例えば窒素）から生じる。例えば、窒素の屈折率には大きな温度勾配がある。屈折率の大きな温度勾配は、レーザビームに対して大きな熱レンズを形成する。

[0072] 本開示の一部の態様によれば、ガスパージシステム４０８は、大気圧より低い圧力でパージガス（例えば窒素）を光学システム４０３に供給するように構成された低圧ガスパージシステムである。パージガスの圧力を下げることにより、光学システム４０３でのパージガスの密度が低下し、熱レンズ効果の程度も低下する。パージガスの密度はその圧力に比例する。圧力を下げることにより、パージガスの密度が低下し、それによって屈折率が低下する。温度勾配又は屈折率の変化はパージガスの密度に比例するため、理論的には熱過渡を減らすことができる。

[0073] 一部の実施例によれば、ガスパージシステム４０８は、大気圧より低い圧力でパージガスを光学システム４０３に供給するように構成される。例えば、パージガスの圧力は標準大気圧より低くなる。例えば、パージガスの圧力は、約７６０Ｔｏｒｒ（例えば、約７６０ｍｍＨｇ）未満であってもよい。一部の実施形態では、パージガスの圧力は、約７００Ｔｏｒｒ～約７６０Ｔｏｒｒの範囲であってもよい。一部の実施形態では、パージガスの圧力は、約６００Ｔｏｒｒ～約７００Ｔｏｒｒの範囲である。一部の実施形態では、パージガスの圧力は、約５００Ｔｏｒｒ～約６００Ｔｏｒｒの範囲である。一部の実施形態では、パージガスの圧力は、約４００Ｔｏｒｒ～約５００Ｔｏｒｒの範囲である。一部の実施形態では、パージガスの圧力は、約３００Ｔｏｒｒ～約４００Ｔｏｒｒの範囲である。一部の実施形態では、パージガスの圧力は、約２００Ｔｏｒｒ～約３００Ｔｏｒｒの範囲である。一部の実施形態では、パージガスの圧力は、約１００Ｔｏｒｒ～約２００Ｔｏｒｒの範囲である。一部の実施形態では、パージガスの圧力は、約１０Ｔｏｒｒ～約１００Ｔｏｒｒの範囲である。一部の実施形態では、パージガスの圧力は、約５０Ｔｏｒｒ～約９０Ｔｏｒｒの範囲である。一部の実施形態では、パージガスの圧力は、約１Ｔｏｒｒ～約１０Ｔｏｒｒの範囲である。これらの圧力値は例として提供されており、大気圧より低い圧力値をパージガスに使用できることに留意されたい。

[0074] 図４に示されるように、ガスパージシステム４０８は、ガス供給ポンプ４０９、ポンプ４１１、及びガス供給源４１７を含むことができる。一部の態様では、ガスパージシステム４０８は、１つ以上のガス供給導管４１３及び１つ以上のガス導管４１５を用いて、光学システム４０３に動作可能に結合することができる。

[0075] 例えば、１つ以上のガス供給導管４１３は、ガス供給ポンプ４０９に動作可能に結合され、例えば、ガス供給源４１７から光学システム４０３にパージガス（例えば窒素）を供給することができる。ガス供給導管４１３は、一部の実施例によれば、光学システム４０３の１つ以上のガスインレット（図示せず）で区切られてもよい。一部の実施例によれば、ガス供給導管４１３は、１つ以上のガスアウトレット（図示せず）を介してガス供給ポンプ４０９に結合することができる。一部の態様では、ガス供給ポンプ４０９は、大気圧より低い圧力で光学システム４０３にパージガスを供給するように構成される。

[0076] １つ以上のガス導管４１５をポンプ４１５に動作可能に結合して、光学システム４０３からガス（例えば酸素）を除去することができる。ガス導管４１５は、一部の実施例によれば、ポンプ４１１の１つ以上のガスインレット（図示せず）で区切られてもよい。ガス導管４１５は、一部の実施例によれば、１つ以上のガスアウトレット（図示せず）を介して光学システム４０３に結合することができる。一部の態様では、ポンプ４１１は、負圧差（例えば、吸引ポンプなど）を作り出すように構成することができ、光学システム４０３に動作可能に結合して、光学システム４０３からガス（例えば酸素）を除去することができる。

[0077] 一部の実施例では、ガスパージシステム４０８は、例えば、ガス圧を測定及び／又は制御するために、１つ以上のセンサ及びコントローラ４１２を含むことができる。例えば、コントローラ／センサ４１２は、ガスパージシステム４０８によって光学システム４０３に供給されるパージガスの圧力を測定するように構成することができる。例えば、コントローラ／センサ４１２は、ガス供給ポンプ４０９、光学システム４０３、ガス供給源４１７、ポンプ４１１、導管４１３及び／又は４１５、及び／又は、導管４１３及び／又は４１５に係るインレット及び／又はアウトレットでのパージガスの圧力を測定するように構成することができる。追加又は代替として、コントローラ／センサ４１２は、例えば、測定された圧力及び１つ以上の圧力設定点に基づいて、ガス供給ポンプ４０９、ガス供給源４１７、及び／又はポンプ４１１を制御するように構成することができる。また、コントローラ／センサ４１２は、光学システム４０３から除去されるガス（例えば酸素）の圧力を測定するように構成することができる。例えば、コントローラ／センサ４１２は、ポンプ４１１、導管４１５、及び／又は、導管４１５に係るインレット又はアウトレットで光学システム４０３から除去されるガス（例えば酸素）の圧力を測定するように構成することができる。

[0078] 一部の実施例では、制御システム４１０は、ガス供給ポンプ４０９及び／又はポンプ４１１を単独で、あるいはコントローラセンサ４１２と組み合わせて制御するように構成することができる。一部の実施形態によれば、制御システム４１０は、レーザ源４００において他の動作を実行するように構成することができる。例えば、制御システム４１０は、レーザチャンバ４０１にガスを供給する１つ以上のガス源（図示せず）を制御することができる。別の実施例として、制御システム４１０は、レーザチャンバ４０１内のガス温度を検出及び／又は制御するために、レーザチャンバ４０１内の１つ以上の温度センサに接続することができる。

[0079] 非限定的な例では、大気圧より低い圧力でパージガス（例えば窒素）を光学システム４０３に供給するように構成された低圧ガスパージシステムとしてガスパージシステム４０８を使用することにより、光学システム４０３における垂直ビーム発散の末端不安定性を例えば５倍まで低減することができる。非限定的な例として、光学システム４０３へのパージガス（例えば窒素）の圧力が約７６０Ｔｏｒｒから約１００Ｔｏｒｒに減少する場合、垂直発散不安定範囲は、約０．６ｍｒａｄ（ミリラド又はミリラジアン）から約０．１３ｍｒａｄに減少することができる。一部の実施例では、１ｍｒａｄは、レーザビームの直径がビーム経路１ｍあたり１ｍｍ増加する場合の、レーザビームの発散（例えば、膨張又は拡大）であり得る。別の非限定的な例では、低圧ガスパージシステムとしてガスパージシステム４０８を使用する高出力レーザ源４００（例えば、これに限定されないが９０Ｗ）の場合、デューティサイクル性能は、例えば約２０％から約７５％に変化することができる。これらは非限定的な例として提供されており、低圧ガスパージシステムとしてガスパージシステム４０８を使用することで他の改善が観察され得ることに留意されたい。直接ビーム発散の改善に加えて、本開示の実施形態は、ビームの対称性、ビーム輪郭の不一致、及び／又はレーザ線幅の安定性を改善してもよい。

[0080] 追加又は代替として、ガスパージシステム４０８は、本開示の一部の態様によれば、パージガス（例えばヘリウム）を光学システム４０３に供給するように構成されたヘリウムガスパージシステムであり得る。この例示的な実施形態では。本実施例では、ガスパージシステム４０８は、光学システム４０３にパージガスとしてヘリウムガスを供給するように構成される。言い換えれば、窒素ガスパージをヘリウムガスに置き換えて、窒素に寄与する上記の熱レンズ効果を低減及び／又は排除することができる。一部の実施例によれば、パージガスとしてヘリウムを使用すると、ヘリウムに対する屈折率の低い（又は超低の）温度勾配など、ヘリウムガスの光学特性（これに限定されるものではない）のために、熱レンズ効果を低減及び／又は排除することができる。一部の実施例では、少量のヘリウムを使用することができる。非限定的な例では、１標準リットル／分（ｓｌｐｍ）未満の最小量などの少量のヘリウムを使用して、例えば、光学システム４０３の酸素量を２０パーツパーミリオン（ｐｐｍ）未満に維持することができる。これは窒素の約１０ｓｌｐｍと比較できる。この量のヘリウム量は非限定的な例として提供されており、他の量のヘリウム量を使用できることに留意されたい。

[0081] 本開示の一部の態様によれば、１つ以上のガス供給導管４１３は、ガス供給ポンプ４０９に動作可能に結合されて、例えば、ガス供給源４１７から光学システム４０３にパージガス（例えばヘリウム）を供給することができる。ガス供給源４１７は、パージガス（例えばヘリウム）を含んでもよい。ガス供給導管４１３は、一部の実施例によれば、光学システム４０３の１つ以上のガスインレット（図示せず）で区切られてもよい。一部の実施例によれば、ガス供給導管４１３は、１つ以上のガスアウトレット（図示せず）を介してガス供給ポンプ４０９に結合することができる。一部の態様では、ガス供給ポンプ４０９は、パージガス（例えばヘリウム）を光学システム４０３に供給するように構成される。本開示の一部の態様によれば、ガスパージシステム４０８は、パージガス（例えばヘリウム）を略大気圧で光学システム４０３に供給するように構成される。あるいは、ガスパージシステム４０８は、大気圧より低い又は高い圧力で光学システム４０３にパージガス（例えばヘリウム）を供給するように構成される。

[0082] １つ以上のガス導管４１５をポンプ４１５に動作可能に結合して、光学システム４０３からガス（例えば酸素）を除去することができる。ガス導管４１５は、一部の実施例によれば、ポンプ４１１の１つ以上のガスインレット（図示せず）で区切られてもよい。ガス導管４１５は、一部の実施例によれば、１つ以上のガスアウトレット（図示せず）を介して光学システム４０３に結合することができる。一部の態様では、ポンプ４１１は、負圧差（例えば、吸引ポンプなど）を作り出すように構成することができ、光学システム４０３に動作可能に結合して、光学システム４０３からガス（例えば酸素）を除去することができる。

[0083] 一部の実施例では、ガスパージシステム４０８は、例えば、ガス圧を測定及び／又は制御するために、１つ以上のセンサ及びコントローラ４１２を含むことができる。例えば、コントローラ／センサ４１２は、ガスパージシステム４０８によって光学システム４０３に供給されるパージガス（例えばヘリウム）の圧力を測定するように構成することができる。例えば、コントローラ／センサ４１２は、ガス供給ポンプ４０９、光学システム４０３、ガス供給源４１７、ポンプ４１１、導管４１３及び／又は４１５、及び／又は、導管４１３及び／又は４１５に係るインレット及び／又はアウトレットでのパージガス（例えばヘリウム）の圧力を測定するように構成することができる。追加又は代替として、コントローラ／センサ４１２は、例えば、測定された圧力、又は１つ以上の圧力設定点に基づいて、ガス供給ポンプ４０９、ガス供給源４１７、及び／又はポンプ４１１を制御するように構成することができる。また、コントローラ／センサ４１２は、光学システム４０３から除去されるガス（例えば酸素）の圧力を測定するように構成することができる。例えば、コントローラ／センサ４１２は、ポンプ４１１、導管４１５、及び／又は導管４１５に係るインレット又はアウトレットで光学システム４０３から除去されるガス（例えば酸素）の圧力を測定するように構成することができる。

[0084] 一部の実施例では、制御システム４１０は、ガス供給ポンプ４０９及び／又はポンプ４１１を単独で、あるいはコントローラセンサ４１２と組み合わせて制御するように構成することができる。一部の実施形態によれば、制御システム４１０は、レーザ源４００において他の動作を実行するように構成することができる。例えば、制御システム４１０は、レーザチャンバ４０１にガスを供給する１つ以上のガス源（図示せず）を制御することができる。別の実施例として、制御システム４１０は、レーザチャンバ４０１内のガス温度を検出及び／又は制御するために、レーザチャンバ４０１内の１つ以上の温度センサに接続することができる。

[0085] 非限定的な例では、パージガス（例えばヘリウム）を光学システム４０３に供給するように構成されたヘリウムガスパージシステムとしてガスパージシステム４０８を使用することにより、光学システム４０３における垂直ビーム発散の末端不安定性を例えば５倍まで低減することができる。非限定的な例として、パージガスがヘリウムである場合、垂直発散不安定範囲は、約０．６ｍｒａｄから約０．１３ｍｒａｄまで減少させることができる。別の非限定的な例では、ヘリウムパージシステムとしてガスパージシステム４０８を使用する高出力レーザ源４００（例えば、これに限定されないが９０Ｗ）の場合、デューティサイクル性能は、例えば約２０％から約７５％に変化することができる。これらは非限定的な例として提供されており、ヘリウムパージシステムとしてガスパージシステム４０８を使用することで他の改善が見られ得ることに留意されたい。直接ビーム発散に加えて、本開示の実施形態は、熱レンズ効果、シードレーザと増幅器利得媒体（ｄｔＭＯＰＡ）範囲との間の差動発射時間のマージン、水平発散、ポインティング安定性、超低ビーム安定性、及び／又はレーザ帯域幅の安定性を改善することができる。

[0086] １つのガス供給ポンプ４０９、１つのポンプ４１１、１つのガス供給源４１７、及び２つのガス導管４１３及び４１５が図４に示されているが、本開示の態様はこれらの例に限定されず、ガスパージシステム４０８は、任意の数のガス供給、ポンプ、及びガス導管を含むことができる。また、ガスパージシステム４０８は、レーザ源４００の内側、又はレーザ源４００の外側、又は部分的にレーザ源４００の外側に配置してもよい。

[0087] 図５は、本開示の一部の実施形態に係る、低圧ガスパージシステムを備えたレーザ源５００の概略図を示す。一部の態様では、レーザ源５００は、リソグラフィ装置１００又は１００’の放射源ＳＯの一部として、あるいはそれに加えて使用することができる。追加又は代替として、レーザ源５００を用いて、リソグラフィ装置１００又は１００’、あるいは他のＤＵＶリソグラフィ装置で使用されるＤＵＶ放射を生成することができる。

[0088] 一部の態様によれば、レーザ源５００は、図４に示されるレーザ源４００の一例である。図５に示されるように、レーザ源５００は、デュアルチャンバレーザ源を含むことができる。例えば、レーザ源５００は、第１のレーザチャンバ５０３ａ及び第２のレーザチャンバ５０３ｂを含むことができる。１つの例示的な実施形態では、第１のレーザチャンバ５０３ａは、マスタ発振器を含むか、又はその一部であり得る。例えば、レーザ源５００は、メーザ発振器が第１のレーザチャンバ５０３ａを含むマスタ発振器を含むことができる。本実施例では、第２のレーザチャンバ５０３ｂは、パワーアンプを含むか、又はその一部であり得る。例えばレーザ源は、パワーアンプが第２のレーザチャンバ５０３ｂを含むパワーアンプを含むことができる。本開示の一部の態様は、デュアルチャンバレーザ源に関して説明されているが、本開示の実施形態はこれらの例に限定されない。本開示の実施形態は、１つのチャンバを備えたレーザ源、又は複数のレーザチャンバを備えたレーザ源に適用することができる。

[0089] 一部の実施形態によれば、第１のチャンバ５０３ａは、第１のレーザビーム５０９を生成し、これを第２のレーザチャンバ５０３ｂに誘導する。ここで第１のレーザビーム５０９は増幅され、第２のレーザビーム５１１が生成される。第２のレーザビーム５１１は、任意の光パルスストレッチャ５１０、任意のベローズ５２０ｅ、及び任意のシャッタモジュール５１３に誘導される。第３のレーザビーム５１５は、シャッタモジュール５１３からリソグラフィ装置（例えば、リソグラフィ装置１００及び／又は１１０’）に出力される。

[0090] 一部の態様によれば、各レーザチャンバ５０３ａ及び５０３ｂは、ガスの混合物を含む。例えば、エキシマレーザ源において、第１のレーザチャンバ５０３ａ及び第２のレーザチャンバ５０３ｂは、ハロゲン、例えば、フッ素、並びにアルゴン、ネオン、場合によっては、全圧に加えられる異なる分圧の他のガスを含むことができる。レーザチャンバ５０３ａ及び５０３ｂは、レーザビームの生成や増幅に使用される他のガスを含むことができる。レーザチャンバ５０３ａ及び５０３ｂは、同じ又は異なるガスの混合物を含むことができる。

[0091] 本開示の一部の態様では、レーザ源５００は、レーザチャンバ５０３ａ及び５０３ｂにガスを提供するために、様々な適切なガス源（図示せず）を含むことができる（あるいは、結合することができる）。例えば、ガス源（図示せず）を第１のレーザチャンバ５０３ａに結合して、第１のレーザビーム５０９を生成するために使用されるガス混合物を提供することができる。更に、ガス源（図示せず）を第２のレーザチャンバ５０３ｂに結合して、第２のレーザビーム５１１を生成するために使用されるガス混合物を提供することができる。一部の実施例では、ガス源は、バルブ（図示せず）を介してそれぞれレーザチャンバ５０３ａ及び５０３ｂに結合することができる。制御システム（例えば制御システム５４０）を使用して、ガス源からレーザチャンバ５０３ａ及び５０３ｂにガスを送るためのバルブを制御することができる。本開示の一部の態様では、第１のレーザチャンバ５０３ａのガス源は、フッ素、アルゴン、及びネオンを含むがこれらに限定されないガスの混合物を含むことができる。一部の態様によれば、第２のレーザチャンバ５０３ｂのガス源は、アルゴン、ネオン、及び／又は他のガスの混合物を含むことができるが、フッ素は含まない。ただし、クリプトンを含む他のガス混合物をこれらのガス源で使用することができる。

[0092] 前述したように、第１のレーザチャンバ５０３ａは、第１のレーザビーム５０９を生成するように構成される。一部の実施例では、第１のレーザビーム５０９は、第１のレーザチャンバ５０３ａを離れる前に、線絞り込みモジュール５０１を通過するように構成される。本開示の一部の態様によれば、線絞り込みモジュール５０１は、波長の狭帯域の周りの１つ以上の中心波長を選択するように配置及び構成されている。一部の実施例では、狭帯域の帯域幅は、例えば可能な限り狭い帯域幅になるように選択することもできる。一部の実施例では、線絞り込みモジュール５０１は、線絞り込みモジュール５０１の物理的パラメータ、並びに使用される波長選択性光学素子（例えば分散型光学素子）の光学的パラメータや処理能力に応じて、例えば、選択された中心波長と狭帯域幅のレーザ振動共鳴チャンバ光の光路に反射して戻すことができる、様々な中心波長選択光学要素（例えば分散型のもの）を使用することができる。一部の実施例では、線絞り込みモジュール５０１は反射格子を含むことができる。第１のレーザチャンバ５０３ａ、線絞り込みモジュール５０１、及び出力カプラモジュール（図示せず）は、シードレーザが振動してレーザビーム５０９を形成するための発振器キャビティとして構成することができる。

[0093] 第１のレーザチャンバ５０３ａによって生成され、線絞り込みモジュール５０１を通過した（且つその中で反射された）後、第１のレーザビーム５０９は、第１のレーザチャンバ５０３ａから出力され、第２のレーザチャンバ５０３ｂに誘導される。

[0094] 一部の実施例によれば、レーザ源５００は、レーザ源５００の１つ以上のモジュールを接続する１つ以上のベローズ５２０ａ～５２０ｄを含むことができる。例えば、ベローズ５２０ａは、線絞り込みモジュール５０１と第１のレーザチャンバ５０３ａとの間に結合される。一部の実施例では、線絞り込みモジュール５０１及びベローズ５２０ａは、線絞り込みモジュール５０１内のガス圧がベローズ５２０ａのガス圧と同じ又は類似するように結合される。あるいは、線絞り込みモジュール５０１及びベローズ５２０ａは、線絞り込みモジュール５０１内のガス圧がベローズ５２０ａのガス圧とは異なるように結合される。一部の実施例では、線絞り込みモジュール５０１及び／又はベローズ５２０ａは、略大気圧の圧力で線絞り込みモジュール５０１及び／又はベローズ５２０ａにパージガス（例えば窒素）を供給するように構成されたガスパージシステム（図示せず）に結合される。言い換えれば、ガスパージシステム（図示せず）は、低圧ガスパージシステムとして使用される場合、パージガスを線絞り込みモジュール５０１に供給するように構成され、及び／又は、ベローズ５２０ａは、図４のガスパージシステム４０８でのガス圧とは異なるガス圧で動作する。

[0095] 図５に示されるように、本開示の一部の態様によれば、第１のレーザビーム５０９は、光学システム５０５によって第２のレーザチャンバ５０３ｂに誘導される。一部の実施例によれば、光学システム５０５は、ベローズ５２０ｂを使用して第１のレーザチャンバ５０３ａに結合され、ベローズ５２０ｃを使用して第２のレーザチャンバ５０３ｂに結合される。光学システム５０５は、１つ以上の光学モジュールを含むことができる。例えば、光学システム５０５は、波長計測モジュール（図示せず）を含むことができる。一部の非限定的な例では、波長計測モジュールは、微細波長測定用の分光計及び粗い分解能の回折格子分光計を含むことができる。波長計測モジュールは、他の構成要素を含むことができる。

[0096] 光学システム５０５はまた、レーザビーム５０９を第２のレーザチャンバ５０３ｂに誘導するための１つ以上の光学コンポーネントを含むことができる。一部の実施例では、これらの１つ以上の光学コンポーネントは、第１の波面エンジニアリングボックス及び第２の波面エンジニアリングボックス（図示せず）を含むことができる。一部の実施例では、第１の波面エンジニアリングボックスは、第１のレーザチャンバ５０３ａから第１のレーザビーム５０９を受け取り、それを第２の波面エンジニアリングボックスに誘導する。第２の波面エンジニアリングボックスは、第１のレーザビーム５０９を第２のレーザチャンバ５０３ｂに誘導する。一部の実施例では、第１の波面エンジニアリングボックスは、ビーム拡張（例えばマルチプリズムビームエキスパンダ）やコヒーレンスバスティング（例えば光遅延経路）のための構成要素を含んでもよいが、これに限定されない。一部の実施例では、第２の波面エンジニアリングボックスは、部分的に反射する入力／出力カプラと、公称動作波長用の最大に反射するミラーと、１つ以上のプリズムと、を含むことができる。一部の実施例では、第１のレーザビーム５０９を再誘導するこれらの１つ以上の光学コンポーネントはまた、第１のレーザビーム５０９を誘導するチューブを含むことができる。

[0097] 一部の実施例では、光学システム５０５はまた、以下で説明されるように、帯域幅分析モジュール（図示せず）を含むことができる。光学システム５０５について、一部の例示的な様々なモジュール／構成要素が説明されているが、本開示の態様はこれらに限定されるものではないことに留意されたい。光学システム５０５は、より多くの、より少ない、又は異なるモジュール／構成要素を含むことができる。

[0098] 第１のレーザビーム５０９が第２のレーザチャンバ５０３ｂに誘導された後、第１のレーザビーム５０９は第２のレーザチャンバ５０３ｂに入る。一部の態様では、第２のレーザチャンバ５０３ｂは、パワーアンプを含むか、又はその一部であってもよく、第１のレーザビーム５０９を増幅するように構成される。ビームリバーサ５０７は、一部の態様によれば、増幅されたレーザビームを受け取り、それを第２のレーザチャンバ５０３ｂに再誘導するように構成される。ビームリバーサ５０７及び第２のレーザチャンバ５０３ｂは、例えばベローズ５２０ｄを使用して互いに動作可能に結合することができる。

[0099] 一部の実施形態によれば、増幅されたレーザビーム５１１は、第２のレーザチャンバ５０３ｂから出力され、光学システム５０５の帯域幅分析モジュール（図示せず）を通過することができる。帯域幅分析モジュールは、第２の（増幅された）レーザビーム５１１を受け取り、例えば、出力帯域幅やパルスエネルギを測定するなど計測目的のために一部を拾い上げることができる。

[0100] 第２のレーザビーム５１１は、任意の光パルスストレッチャ５１０に入力することができ、ここで第２のレーザビーム５１１のコピーは、例えば、スペックルを低減するために遅延及び再結合することができる。第３のレーザビーム５１５は、光パルスストレッチャ５１０及び任意のシャッタモジュール５１３（例えば自動シャッタ）からリソグラフィ装置に出力される。一部の実施例では、光パルスストレッチャ５１０は、チューブ５２１を介して光学システム５０５に動作可能に結合され、光パルスストレッチャ５１０は、ベローズ５２０ｅを使用してシャッタモジュール５１３に動作可能に結合される。

[0101] 本開示の一部の態様によれば、図４のレーザ源４００の光学システム４０３は、光学システム５０５、ビームリバーサ５０７、光パルスストレッチャ５１０、シャッタモジュール５１３、チューブ５２１、及び／又はベローズ５２０ｂ～５２０ｅのうちの１つ以上に対応することができる。一部の実施例では、光学システム５０５、ビームリバーサ５０７、光パルスストレッチャ５１０、シャッタモジュール５１３、チューブ５２１、及び／又はベローズ５２０ｂ～５２０ｅのうちの１つ以上は、低圧ガスパージシステム（例えば、低圧ガスパージシステムとして使用される場合の図４のガスパージシステム４０８）に結合される。低圧ガスパージシステムは、パージガス（例えば窒素）を、光学システム５０５、ビームリバーサ５０７、光パルスストレッチャ５１０、シャッタモジュール５１３、チューブ５２１、及び／又はベローズ５２０ｂ～５２０ｅのうちの１つ以上に大気圧より低いガス圧で供給するように構成される。

[0102] 本開示の一部の態様によれば、低圧ガスパージシステム（例えば、低圧ガスパージシステムとして使用される場合の図４のガスパージシステム４０８）は、１つ以上のガス供給ポンプ（例えば、ガス供給ポンプ５３１ａ及び５３１ｂ）、１つ以上のポンプ（例えば、ポンプ５３３ａ及び５３３ｂ）、１つ以上のガス導管（例えば、ガス導管５３２ａ～ｄ、５３４ａ、５３４ｂ）、及び１つ以上のガス供給源（例えば、ガス供給源５３５）を含む。

[0103] 図５は、低圧ガスパージシステムに結合された複数の光学モジュール／システムを示しており、本開示の態様は、低圧ガスパージシステムに結合された、より多くの、より少ない、又は他の光学モジュール／システムを含んでもよいことに留意されたい。また、図５の低圧ガスパージシステムは、おおよそのポンプ、ガス供給源、及び／又は導管を含むことができる。

[0104] 一部の態様によれば、線絞り込みモジュール５０１、ベローズ５２０ａ、第１のレーザチャンバ５０３ａ、及び第２のレーザチャンバ５０３ｂは、低圧ガスパージシステムに結合されていない。例えば、上記のように、線絞り込みモジュール５０１及びベローズ５２０ａに使用されるガスパージシステム（図示せず）は、光学システム５０５、ビームリバーサ５０７、光パルスストレッチャ５１０、シャッタモジュール５１３、チューブ５２１、及び／又はベローズ５２０ｂ～５２０ｅのうちの１つ以上に対して低圧ガスパージシステムが動作するガス圧とは異なるガス圧で線絞り込みモジュール５０１及び／又はベローズ５２０ａにパージガスを供給するように構成される。

[0105] 一部の実施例では、ビームリバーサ５０７及びベローズ５２０ｄは、ビームリバーサ５０７内のガス圧がベローズ５２０ｄのガス圧と同じ又は類似するように結合される。あるいは、ビームリバーサ５０７及びベローズ５２０ｄは、ビームリバーサ５０７内のガス圧がベローズ５２０ｄ内のガス圧と異なるように結合される。一部の態様によれば、ビームリバーサ５０７及びベローズ５２０ｄは、ガス供給ポンプ５３１（ガス供給導管５３２ａを介して）及びポンプ５３３ａ（ガス導管５３４ａを介して）に動作可能に結合することができる。ガス供給ポンプ５３１ａ（図４のガス供給ポンプ４０９に類似する）は、例えば、ガス供給源５３５からビームリバーサ５０７及びベローズ５２０ｄにパージガス（例えば窒素）を大気圧より低い圧力で供給することができる（前述しているように、図４のガスパージシステム４０８が低圧ガスパージシステムとして使用される場合）。ポンプ５３３ａ（図４のポンプ４１１に類似する）は、ビームリバーサ５０７及びベローズ５２０ｄからガス（例えば酸素）を実質的に除去するように構成される（前述しているように、図４のガスパージシステム４０８が低圧ガスパージシステムとして使用される場合）。

[0106] ガス供給ポンプ５３１ａはビームリバーサ５０７に結合され、ポンプ５３３ａはベローズ５２０ｄに結合されるが、本開示の態様は、ビームリバーサ５０７及び／又はベローズ５２０ｄと、ガス供給ポンプ５３１ａ及びポンプ５３３ａとの間の接続の任意の組み合わせを含むことができる。

[0107] 一部の実施例では、光学システム５０５、光パルスストレッチャ５１０、シャッタモジュール５１３、ベローズ５２０ｂ、５２０ｃ、５２０ｅ、及びチューブ５２１は、内部のガス圧が同じ又は類似するように結合される。あるいは、光学システム５０５、光パルスストレッチャ５１０、シャッタモジュール５１３、ベローズ５２０ｂ、５２０ｃ、５２０ｅ、及びチューブ５２１は、内部のガス圧が異なるように結合される。本開示の一部の態様によれば、１つ以上のガス供給ポンプ５３１ｂは、光学システム５０５、光パルスストレッチャ５１０、シャッタモジュール５１３、ベローズ５２０ｂ、５２０ｃ、５２０ｅ、及びチューブ５２１のうちの１つ以上に動作可能に結合することができる。ガス供給ポンプ５３１ｂ（図４のガス供給ポンプ４０９に類似する）は、例えば、ガス供給源５３５から光学システム５０５、光パルスストレッチャ５１０、シャッタモジュール５１３、ベローズ５２０ｂ、５２０ｃ、５２０ｅ、及びチューブ５２１のうちの１つ以上にパージガス（例えば窒素）を大気圧より低い圧力で供給することができる（前述しているように、図４のガスパージシステム４０８が低圧ガスパージシステムとして使用される場合）。

[0108] 一部の実施例では、ガス供給ポンプ５３１ｂは、ガス供給導管５３２ｂを使用してベローズ５２０ｃに結合することができる。ガス供給ポンプ５３１ｂは、ガス供給導管５３２ｂを使用してベローズ５２０ｄに結合することができる。ガス供給ポンプ５３１ｂは、ガス供給導管５３２ｄを使用して光学システム５０５に結合することができる。ガス供給ポンプ５３１ｂは、ガス供給導管５３２ｅを使用して光パルスストレッチャ５１０に結合することができる。ガス供給ポンプ５３１ｂはまた、１つ以上の導管（図示せず）を使用して、チューブ５２１、ベローズ５２０ｅ、及び／又はシャッタモジュール５１３に結合することができる。

[0109] ポンプ５３３ｂ（図４のポンプ４１１に類似する）は、例えば、光学システム５０５、光パルスストレッチャ５１０、シャッタモジュール５１３、ベローズ５２０ｂ、５２０ｃ、５２０ｅ、及びチューブ５２１のうちの１つ以上からガス（例えば酸素）を実質的に除去するように構成される（前述しているように、図４のガスパージシステム４０８が低圧ガスパージシステムとして使用される場合）。一部の実施例では、ポンプ５３３ｂは、ガス導管５３４ｂを使用して光パルスストレッチャ５１０に結合することができる。

[0110] 上記のように、任意の数のガス供給ポンプ５３１、ポンプ５３３、ガス供給源５３５、及び／又は、導管５３２及び５３４を低圧ガスパージシステムに使用することができる。また、低圧ガスパージシステムと、光学システム５０５、ビームリバーサ５０７、光パルスストレッチャ５１０、シャッタモジュール５１３、ベローズ５０２ｂ～ｅ、及びチューブ５２１のうちの１つ以上の間に用いられる接続の種類と数は、特に限定されない。

[0111] 一部の実施例では、図５の低圧ガスパージシステムは、例えば、ガス圧を測定／制御するために、１つ以上のセンサ及びコントローラ（例えば、図４のコントローラ／センサ４１２と同様）を含むことができる。１つ以上のセンサ及びコントローラは、制御システム５４０の一部であり、及び／又は制御システム５４０に結合することができる。例えば、制御システム５４０は、光学システム５０５、ビームリバーサ５０７、光パルスストレッチャ５１０、シャッタモジュール５１３、ベローズ５０２ｂ～ｅ、及びチューブ５２１のうちの１つ以上に供給されるパージガス（例えば窒素）の圧力を測定するように構成されてもよい。追加又は代替として、制御システム５４０は、光学システム５０５、ビームリバーサ５０７、光パルスストレッチャ５１０、シャッタモジュール５１３、ベローズ５０２ｂ～ｅ、及びチューブ５２１のうちの１つ以上から除去されるガス（例えば酸素）の圧力を測定するように構成されてもよい。

[0112] 例えば、制御システム５４０は、光学システム５０５、ビームリバーサ５０７、光パルスストレッチャ５１０、シャッタモジュール５１３、ベローズ５０２ｂ～ｅ、及びチューブ５２１のうちの１つ以上、ガス供給ポンプ５３１ａ及び／又は５３１ｂ、ポンプ５３３ａ及び／又は５３３ｂ、ガス供給源５３５、及び／又は、導管５３２及び／又は５３４で、圧力を測定するように構成することができる。追加又は代替として、制御システム５４０は、例えば、測定された圧力及び１つ以上の圧力設定点に基づいて、ガス供給ポンプ５３１ａ及び／又は５３１ｂ、及び／又は、ポンプ５３３ａ及び／又は５３３ｂを制御するように構成することができる。

[0113] 一部の実施形態によれば、制御システム５４０は、レーザ源５００において他の動作を実行するように構成することができる。例えば、制御システム５４０は、レーザチャンバ５０３ａ及び５０３ｂにガスを供給する１つ以上のガス源（図示せず）を制御することができる。別の実施例として、制御システム５４０は、レーザチャンバ５０３ａ及び５０３ｂ内のガス温度を検出及び／又は制御するために、レーザチャンバ５０３ａ及び５０３ｂ内の１つ以上の温度センサに接続することができる。

[0114] 図６は、本開示の一部の実施形態に係る、ガスパージシステムを備えたレーザ源６００の概略図を示す。一部の態様では、レーザ源６００は、リソグラフィ装置１００又は１００’の放射源ＳＯの一部として、あるいはそれに加えて使用することができる。追加又は代替として、レーザ源６００は、リソグラフィ装置１００又は１００’、あるいは他のＤＵＶリソグラフィ装置で使用されるＤＵＶ放射の生成に使用することができる。

[0115] 一部の態様によれば、レーザ源６００は、図４に示されるレーザ源４００の一例である。図６に示されるように、レーザ源６００は、デュアルチャンバレーザ源を含むことができる。例えば、レーザ源６００は、第１のレーザチャンバ６０３ａ及び第２のレーザチャンバ６０３ｂを含むことができる。１つの例示的な実施形態では、第１のレーザチャンバ６０３ａは、マスタ発振器を含むか、又はその一部であり得る。例えば、レーザ源６００は、メーザ発振器が第１のレーザチャンバ６０３ａを含むマスタ発振器を含むことができる。本実施例では、第２のレーザチャンバ６０３ｂは、パワーアンプを含むか、又はその一部であることができる。例えば、レーザ源は、パワーアンプが第２のレーザチャンバ６０３ｂを含むパワーアンプを含むことができる。本開示の一部の態様は、デュアルチャンバレーザ源に関して説明されているが、本開示の実施形態は、これらの例に限定されない。本開示の実施形態は、１つのチャンバを備えたレーザ源、又は複数のレーザチャンバを備えたレーザ源に適用することができる。

[0116] 一部の実施形態によれば、第１のチャンバ６０３ａは、第１のレーザビーム６０９を生成し、これを第２のレーザチャンバ６０３ｂに誘導する。ここで第１のレーザビーム６０９は増幅され、第２のレーザビーム６１１が生成される。第２のレーザビーム６１１は、任意の光パルスストレッチャ６１０、任意のベローズ６２０ｅ、及び任意のシャッタモジュール６１３に誘導される。第３のレーザビーム６１５は、シャッタモジュール６１３からリソグラフィ装置（例えば、リソグラフィ装置１００及び／又は１１０’）に出力される。

[0117] 一部の態様によれば、レーザチャンバ６０３ａ及び６０３ｂは、図５に関して前述しているように、それぞれ、レーザチャンバ５０３ａ及び５０３ｂに類似している。本開示の一部の態様では、レーザ源６００は、レーザチャンバ６０３ａ及び６０３ｂにガスを提供するために、様々な適切なガス源（図示せず）を含むことができる（あるいは、結合することができる）。例えば、ガス源（図示せず）を第１のレーザチャンバ６０３ａに結合して、第１のレーザビーム６０９を生成するために使用されるガス混合物を提供することができる。更に、ガス源（図示せず）を第２のレーザチャンバ６０３ｂに結合して、第２のレーザビーム６１１を生成するために使用されるガス混合物を提供することができる。一部の実施例では、ガス源は、バルブ（図示せず）を介して、それぞれ、レーザチャンバ６０３ａ及び６０３ｂに結合することができる。制御システム（例えば、制御システム６４０）を使用して、ガス源からレーザチャンバ６０３ａ及び６０３ｂにガスを送るためのバルブを制御することができる。本開示の一部の態様では、第１のレーザチャンバ６０３ａのガス源は、フッ素、アルゴン、及びネオンを含むがこれらに限定されないガスの混合物を含むことができる。一部の態様によれば、第２のレーザチャンバ６０３ｂのガス源は、アルゴン、ネオン、及び／又は他のガスの混合物を含むことができるが、フッ素は含まない。ただし、クリプトンを含む他のガス混合物を、ガス源で使用することができる。

[0118] 前述したように、第１のレーザチャンバ６０３ａは、第１のレーザビーム６０９を生成するように構成される。一部の実施例では、第１のレーザビーム６０９は、第１のレーザチャンバ６０３ａを離れる前に、線絞り込みモジュール６０１を通過するように構成される。本開示の一部の態様によれば、線絞り込みモジュール６０１は、図５の線絞り込みモジュール５０１と類似している。一部の実施例では、第１のレーザチャンバ６０３ａ、線絞り込みモジュール６０１、及び出力カプラモジュール（図示せず）は、シードレーザが振動してレーザビーム６０９を形成するための発振器キャビティとして構成することができる。

[0119] 第１のレーザチャンバ６０３ａによって生成され、線絞り込みモジュール６０１を通過した（且つその中で反射された）後、第１のレーザビーム６０９は、第１のレーザチャンバ６０３ａから出力され、第２のレーザチャンバ６０３ｂに誘導される。

[0120] 一部の実施例によれば、レーザ源６００は、レーザ源６００の１つ以上のモジュールを接続する１つ以上のベローズ６２０を含むことができる。例えば、ベローズ６２０ａは、線絞り込みモジュール６０１と第１のレーザチャンバ６０３ａとの間に結合される。一部の実施例では、線絞り込みモジュール６０１及びベローズ６２０ａは、線絞り込みモジュール６０１内のガス圧がベローズ６２０ａのガス圧と同じ又は類似するように結合される。あるいは、線絞り込みモジュール６０１及びベローズ６２０ａは、線絞り込みモジュール６０１内のガス圧がベローズ６２０ａのガス圧とは異なるように結合される。一部の実施例では、線絞り込みモジュール６０１及び／又はベローズ６２０ａは、略大気圧の圧力で線絞り込みモジュール６０１及び／又はベローズ６２０ａにパージガス（例えば窒素）を供給するように構成されたガスパージシステム（図示せず）に結合される。言い換えれば、ガスパージシステム（図示せず）は、ヘリウムガスパージシステムとして使用される場合、パージガスを線絞り込みモジュール６０１に供給するように構成され、及び／又は、ベローズ６２０ａは、図４のガスパージシステム４０８で用いられるガス（例えばヘリウム）とは異なるガス（例えば窒素）で動作する。

[0121] 図６に示されるように、本開示の一部の態様によれば、第１のレーザビーム６０９は、光学システム６０５によって第２のレーザチャンバ６０３ｂに誘導される。一部の実施例によれば、光学システム６０５は、ベローズ６２０ｂを使用して第１のレーザチャンバ６０３ａに結合され、ベローズ６２０ｃを使用して第２のレーザチャンバ６０３ｂに結合される。光学システム６０５は、図５の光学システム５０５と類似してもよく、図５を参照として説明しているように、１つ以上の光学モジュールを含むことができる。

[0122] 光学システム６０５はまた、レーザビーム６０９を第２のレーザチャンバ６０３ｂに誘導するための１つ以上の光学コンポーネントを含むことができる。一部の実施例では、これらの１つ以上の光学コンポーネントは、第１の波面エンジニアリングボックス及び第２の波面エンジニアリングボックス（図示せず）を含むことができる。一部の実施例では、第１の波面エンジニアリングボックスは、第１のレーザチャンバ６０３ａから第１のレーザビーム６０９を受け取り、それを第２の波面エンジニアリングボックスに誘導する。第２の波面エンジニアリングボックスは、第１のレーザビーム６０９を第２のレーザチャンバ６０３ｂに誘導する。一部の実施例では、第１の波面エンジニアリングボックスは、ビーム拡張（例えばマルチプリズムビームエキスパンダ）やコヒーレンスバスティング（例えば光遅延経路）のための構成要素を含むことができるが、これらに限定されない。一部の実施例では、第２の波面エンジニアリングボックスは、部分的に反射する入力／出力カプラと、公称動作波長用の最大に反射するミラーと、１つ以上のプリズムと、を含むことができる。一部の実施例では、第１のレーザビーム６０９を再誘導するこれらの１つ以上の光学コンポーネントはまた、第１のレーザビーム６０９を誘導するチューブを含むことができる。

[0123] 一部の実施例では、光学システム６０５はまた、図５に示されているように、帯域幅分析モジュール（図示せず）を含むことができる。光学システム６０５について、一部の例示的な様々なモジュール／構成要素が説明されているが、本開示の態様はこれらに限定されるものではないことに留意されたい。光学システム６０５は、より多くの、より少ない、又は異なるモジュール／構成要素を含むことができる。

[0124] 第１のレーザビーム６０９が第２のレーザチャンバ６０３ｂに誘導された後、第１のレーザビーム６０９は第２のレーザチャンバ６０３ｂに入る。一部の態様では、第２のレーザチャンバ６０３ｂは、パワーアンプを含むか、又はその一部であってもよく、第１のレーザビーム６０９を増幅するように構成される。ビームリバーサ６０７は、一部の態様によれば、増幅されたレーザビームを受け取り、それを第２のレーザチャンバ６０３ｂに再誘導するように構成される。ビームリバーサ６０７と第２のレーザチャンバ５０３ｂは、例えば、ベローズ６２０ｄを使用して互いに動作可能に結合することができる。

[0125] 一部の実施形態によれば、増幅されたレーザビーム６１１は、第２のレーザチャンバ６０３ｂから出力され、光学システム６０５の帯域幅分析モジュール（図示せず）を通過することができる。帯域幅分析モジュールは、第２の（増幅された）レーザビーム６１１を受け取り、例えば、出力帯域幅やパルスエネルギを測定するなど計測目的のために一部を拾い上げることができる。

[0126] 第２のレーザビーム６１１は、任意の光パルスストレッチャ６１０に入力することができ、ここで第２のレーザビーム６１１のコピーは、例えば、スペックルを低減するために遅延及び再結合することができる。第３のレーザビーム６１５は、光パルスストレッチャ６１０及び任意のシャッタモジュール６１３（例えば自動シャッタ）からリソグラフィ装置に出力される。一部の実施例では、光パルスストレッチャ６１０は、チューブ６２１を介して光学システム６０５に動作可能に結合され、光パルスストレッチャ６１０は、ベローズ６２０ｅを使用してシャッタモジュール６１３に動作可能に結合される。

[0127] 本開示の一部の態様によれば、図４のレーザ源４００の光学システム４０３は、光学システム６０５、ビームリバーサ６０７、光パルスストレッチャ６１０、シャッタモジュール６１３、チューブ６２１、及び／又はベローズ６２０ｂ～６２０ｅのうちの１つ以上に対応することができる。一部の実施例では、光学システム６０５、ビームリバーサ６０７、光パルスストレッチャ６１０、シャッタモジュール６１３、チューブ６２１、及び／又はベローズ６２０ｂ～６２０ｅのうちの１つ以上は、ヘリウムパージシステム（例えば、ヘリウムガスパージシステムとして使用される場合の図４のガスパージシステム４０８）に結合される。ヘリウムパージシステムは、パージガス（例えばヘリウム）を、光学システム６０５、ビームリバーサ６０７、光パルスストレッチャ６１０、シャッタモジュール６１３、チューブ６２１、及び／又はベローズ６２０ｂ～６２０ｅのうちの１つ以上に供給するように構成される。

[0128] 本開示の一部の態様によれば、ヘリウムパージシステム（例えば、ヘリウムガスパージシステムとして使用される場合の図４のガスパージシステム４０８）は、１つ以上のガス供給ポンプ（例えば、ガス供給ポンプ６３１ａ及び６３１ｂ）、１つ以上のポンプ（例えば、ポンプ６３３ａ及び６３３ｂ）、１つ以上のガス導管（例えば、ガス導管６３２ａ～ｄ、６３４ａ、６３４ｂ）、１つ以上のガス供給源（例えば、ガス供給源５３５）を含む。

[0129] 図６は、低圧ガスパージシステムに結合された複数の光学モジュール／システムを示しており、本開示の態様は、低圧ガスパージシステムに結合された、より多くの、より少ない、又は他の光学モジュール／システムを含んでもよいことに留意されたい。また、図６のヘリウムパージシステムは、おおよそのポンプ、ガス供給源、及び／又は導管を含むことができる。

[0130] 一部の態様によれば、線絞り込みモジュール６０１、ベローズ６２０ａ、第１のレーザチャンバ６０３ａ、及び第２のレーザチャンバ６０３ｂは、ヘリウムガスパージシステムに結合されていない。例えば、上記のように、絞り込みモジュール６０１及びベローズ６２０ａに使用されるガスパージシステム（例えば窒素パージシステム、図示せず）は、光学システム６０５、ビームリバーサ６０７、光パルスストレッチャ６１０、シャッタモジュール６１３、チューブ６２１、及び／又はベローズ６２０ｂ～６２０ｅのうちの１つ以上に対してヘリウムパージシステムが使用するヘリウムパージガスとは異なる窒素パージガスを、線絞り込みモジュール６０１及び／又はベローズ６２０ａに供給するように構成される。

[0131] 一部の実施例では、ビームリバーサ６０７及びベローズ６２０ｄは、ビームリバーサ６０７内のガス圧がベローズ６２０ｄのガス圧と同じ又は類似するように結合される。あるいは、ビームリバーサ６０７及びベローズ６２０ｄは、ビームリバーサ６０７内のガス圧がベローズ６２０ｄ内のガス圧と異なるように結合される。一部の態様によれば、ビームリバーサ６０７及びベローズ６２０ｄは、ポンプ６３３ａ（ガス導管６３４ａを介して）及びガス供給ポンプ６３１（ガス供給導管６３２ａを介して）に動作可能に結合することができる。ガス供給ポンプ６３１ａ（図４のガス供給ポンプ４０９に類似する）は、例えば、ガス供給源６３５からベローズ６２０ｄ及びビームリバーサ６０７にパージガス（例えばヘリウム）を供給することができる。ポンプ６３３ａ（図４のポンプ４１１に類似する）は、ビームリバーサ６０７及びベローズ６２０ｄからガス（例えば酸素）を実質的に除去するように構成される（前述しているように、図４のガスパージシステム４０８がヘリウムガスパージシステムとして使用される場合）。

[0132] ガス供給ポンプ６３１ａはベローズ６２０ｄに結合され、ポンプ６３３ａはビームリバーサ６０７に結合されるが、本開示の態様は、ビームリバーサ６０７及び／又はベローズ６２０ｄと、ガス供給ポンプ６３１ａ及びポンプ６３３ａとの間の接続の任意の組み合わせを含むことができる。

[0133] 一部の実施例では、光学システム６０５、光パルスストレッチャ６１０、シャッタモジュール６１３、ベローズ６２０ｂ、６２０ｃ、６２０ｅ、及びチューブ６２１は、内部のガス圧が同じ又は類似するように結合される。あるいは、光学システム６０５、光パルスストレッチャ６１０、シャッタモジュール６１３、ベローズ６２０ｂ、６２０ｃ、６２０ｅ、及びチューブ６２１は、内部のガス圧が異なるように結合される。本開示の一部の態様によれば、１つ以上のガス供給ポンプ６３１ｂは、光学システム６０５、光パルスストレッチャ６１０、シャッタモジュール６１３、ベローズ６２０ｂ、６２０ｃ、６２０ｅ、及びチューブ６２１のうちの１つ以上に動作可能に結合することができる。ガス供給ポンプ６３１ｂ（図４のガス供給ポンプ４０９に類似する）は、例えば、ガス供給源６３５から光学システム６０５、光パルスストレッチャ６１０、シャッタモジュール６１３、ベローズ６２０ｂ、６２０ｃ、６２０ｅ、チューブ６２１のうちの１つ以上にパージガス（例えばヘリウム）を供給することができる（前述しているように、図４のガスパージシステム４０８がヘリウムガスパージシステムとして使用される場合）。

[0134] 一部の実施例では、ガス供給ポンプ６３１ｂは、ガス供給導管６３２ｂを使用してベローズ６２０ｃに結合することができる。ガス供給ポンプ６３１ｂは、ガス供給導管６３２ｂを使用してベローズ６２０ｄに結合することができる。ガス供給ポンプ６３１ｂは、ガス供給導管６３２ｄを使用して光学システム６０５に結合することができる。ガス供給ポンプ６３１ｂは、ガス供給導管６３２ｅを使用して光パルスストレッチャ６１０に結合することができる。ガス供給ポンプ６３１ｂはまた、１つ以上の導管（図示せず）を使用して、チューブ６２１、ベローズ６２０ｅ、及び／又はシャッタモジュール６１３に結合することができる。

[0135] ポンプ６３３ｂ（図４のポンプ４１１に類似する）は、例えば、光学システム６０５、光パルスストレッチャ６１０、シャッタモジュール６１３、ベローズ６２０ｂ、６２０ｃ、６２０ｅ、及びチューブ６２１のうちの１つ以上からガス（例えば酸素）を実質的に除去するように構成される（前述しているように、図４のガスパージシステム４０８がヘリウムガスパージシステムとして使用される場合）。一部の実施例では、ポンプ６３３ｂは、ガス導管６３４ｂを使用して光パルスストレッチャ６１０に結合することができる。

[0136] 上記のように、任意の数のガス供給ポンプ６３１、ポンプ６３３、ガス供給源６３５、及び／又は、導管６３２及び５６３４をヘリウムパージシステムに使用することができる。また、ヘリウムパージシステムと、光学システム６０５、ビームリバーサ６０７、光パルスストレッチャ６１０、シャッタモジュール６１３、ベローズ６０２ｂ～ｅ、及びチューブ６２１のうちの１つ以上の間に用いられる接続の種類と数は、特に限定されない。

[0137] 一部の実施例では、図６のヘリウムパージシステムは、例えば、ガス圧を測定／制御するために、１つ以上のセンサ及びコントローラ（例えば、図４のコントローラ／センサ４１２と同様）を含むことができる。１つ以上のセンサ及びコントローラは、制御システム６４０の一部であり、及び／又は制御システム６４０に結合することができる。例えば、制御システム６４０は、光学システム６０５、ビームリバーサ６０７、光パルスストレッチャ６１０、シャッタモジュール６１３、ベローズ６０２ｂ～ｅ、及びチューブ６２１のうちの１つ以上に供給されるパージガス（例えばヘリウム）の圧力を測定するように構成されてもよい。追加又は代替として、制御システム６４０は、光学システム６０５、ビームリバーサ６０７、光パルスストレッチャ６１０、シャッタモジュール６１３、ベローズ６０２ｂ～ｅ、及びチューブ６２１のうちの１つ以上から除去されるガス（例えば酸素）の圧力を測定するように構成されてもよい。

[0138] 例えば、制御システム６４０は、光学システム６０５、ビームリバーサ６０７、光パルスストレッチャ６１０、シャッタモジュール６１３、ベローズ６０２ｂ～ｅ、及びチューブ６２１のうちの１つ以上、ガス供給ポンプ６３１ａ及び／又は６３１ｂ、ポンプ６３３ａ及び／又は６３３ｂ、ガス供給源６３５、及び／又は、導管６３２及び／又は６３４で、圧力を測定するように構成することができる。追加又は代替として、制御システム６４０は、例えば、測定された圧力、又は１つ以上の圧力設定点に基づいて、ガス供給ポンプ６３１ａ及び／又は６３１ｂ、及び／又は、ポンプ６３３ａ及び／又は６３３ｂを制御するように構成することができる。

[0139] 一部の実施形態によれば、制御システム６４０は、レーザ源６００において他の動作を実行するように構成することができる。例えば、制御システム６４０は、レーザチャンバ６０３ａ及び６０３ｂにガスを供給する１つ以上のガス源（図示せず）を制御することができる。別の実施例として、制御システム６４０は、レーザチャンバ６０３ａ及び６０３ｂ内のガス温度を検出及び／又は制御するために、レーザチャンバ６０３ａ及び６０３ｂ内の１つ以上の温度センサに接続することができる。

[0140] 本開示の一部の態様（例えば、制御システムＳＣＳ、４１０、４１２、５４０及び／又は６４０）は、ハードウェア、ファームウェア、ソフトウェア、又はそれらの任意の組み合わせで実装可能である。本開示の実施形態はまた、１つ以上のプロセッサによって読み取り及び実行され得る機械読み取り可能媒体上に記憶された命令としても実施することができる。機械読み取り可能媒体は、機械（例えばコンピューティングデバイス）によって読み取り可能な形態の情報を記憶又は送信するためのいずれかの機構を含み得る。例えば、機械読み取り可能媒体は、読み取り専用メモリ（ＲＯＭ）、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、磁気ディスク記憶媒体、光記憶媒体、フラッシュメモリデバイス、電気、光、音響、又は他の形態の伝搬信号（例えば搬送波、赤外線信号、デジタル信号等）、及び他のものを含むことができる。更に、一定の動作を実行するものとして本明細書ではファームウェア、ソフトウェア、ルーチン、命令を記載することができる。しかしながらそのような記載は単に便宜上のものであり、そういった動作は実際には、コンピューティングデバイス、プロセッサ、コントローラ、又はファームウェア、ソフトウェア、ルーチン、命令等を実行する他のデバイスから得られることは認められよう。

[0141] 本文ではＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用に特に言及しているが、本明細書で説明するリソグラフィ装置には他の用途もあることを理解されたい。例えば、これは、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用ガイダンス及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、ＬＣＤ、薄膜磁気ヘッドなどの製造である。こうした代替的な用途に照らして、本明細書で「ウェーハ」又は「ダイ」という用語を使用している場合、それぞれ「基板」又は「ターゲット部分」という、より一般的な用語と同義と見なしてよいことが当業者には認識される。本明細書に述べている基板は、露光前又は露光後に、例えばトラックユニット（通常はレジストの層を基板に塗布し、露光したレジストを現像するツール）、メトロロジユニット及び／又はインスペクションユニットで処理することができる。適宜、本明細書の開示は、以上及びその他の基板プロセスツールに適用することができる。更に基板は、例えば多層ＩＣを生成するために、複数回処理することができ、したがって本明細書で使用する基板という用語は、既に複数の処理済み層を含む基板も指すことができる。

[0142] 本明細書中の言い回し又は専門用語は説明を目的とするものであって限定を目的とするものではないことが理解されるべきであり、従って、本明細書の専門用語又は言い回しは、本明細書中の教示に照らして当業者によって解釈されるべきである。

[0143] 本明細書で使用される「基板」という用語は、その上に材料層が追加される材料を記述する。一部の実施形態では、基板自体にパターンが付与されると共に、その上に追加された材料にもパターンが付与されるか、又はパターン付与されないままである場合がある。

[0144] 以下の例はこの開示の実施形態を説明するものであるが限定的ではない。本技術分野で通常見られ、当業者に自明と思われる各種の条件及びパラメータのその他の適切な変更形態及び適応形態も本開示の趣旨及び範囲内にある。

[0145] 本文では、ＩＣの製造における実施形態による装置及び／又はシステムの使用について特に言及しているが、そのような装置及び／又はシステムは他の多くの可能な用途を有することを明確に理解されるべきである。例えば、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用ガイダンス及び検出パターン、ＬＣＤパネル、薄膜磁気ヘッドなどに使用できる。

[0146] 本開示の特定の実施形態が上に記載されているが、本実施形態は、記載されている以外の方法で実施され得ることが理解されるであろう。この説明は、本実施形態を限定することを意図するものではない。

[0147] 特許請求の範囲を解釈するには、「発明の概要」及び「要約書」の項ではなく、「発明を実施するための形態」の項を使用するよう意図されていることを理解されたい。「発明の概要」及び「要約書」の項は、本発明者が想定するような１つ以上の例示的実施形態について述べることができるが、全部の例示的実施形態を述べることはできず、したがって本実施形態及び添付の特許請求の範囲をいかなる意味でも限定しないものとする。

[0148] 以上では、特定の機能の実施態様を例示する機能的構成要素及びその関係を用いて、いくつかの実施形態について説明してきた。これらの機能的構成要素の境界は、本明細書では説明の便宜を図って任意に画定されている。特定の機能及びその関係が適切に実行される限り、代替的境界を画定することができる。

[0149] 特定の実施形態の前述の説明は、本実施形態の全体的性質を十分に明らかにしているので、当技術分野の知識を適用することにより、過度の実験をせず、本開示の全体的な概念から逸脱することなく、このような特定の実施形態を容易に変更及び／又はこれを様々な用途に適応させることができる。したがって、このような適応及び変更は、本明細書に提示された教示及び案内に基づき、開示された実施形態の均等物の意味及び範囲に入るものとする。

[0150] 本発明の他の態様は、以下の番号が付けられた条項に記載されている。
１．第１のレーザビームを生成するように構成されたレーザチャンバと、
レーザチャンバに結合され、第１のレーザビームを受け取り、出力レーザビームを出力するように構成された光学システムと、
大気圧より低い圧力で光学システムにガスを供給するように構成されたガスパージシステムと、を含む、レーザ源。
２．ガスパージシステムは、
大気圧より低い圧力で光学システムにガスを供給するように構成されたガス供給ポンプを含む、条項１に記載のレーザ源。
３．ガスパージシステムは、
光学システムから第２のガスを実質的に除去するように構成された第２のポンプを更に含む、条項２に記載のレーザ源。
４．ガスは窒素を含み、第２のガスは酸素を含む、条項３に記載のレーザ源。
５．ガスは窒素を含み、圧力は約５０Ｔｏｒｒ～約７００Ｔｏｒｒの範囲である、条項１に記載のレーザ源。
６．光学システムは、
第１の光学モジュール及び第２の光学モジュールを含み、
ガスパージシステムは、
第１の光学モジュールに結合され、大気圧より低い圧力で第１の光学モジュールにガスを供給する第１のガス供給ポンプと、
第２の光学モジュールに結合され、大気圧より低い圧力で第２の光学モジュールにガスを供給する第２のガス供給ポンプと、を含む、条項１に記載のレーザ源。
７．第１のレーザビームを生成するように構成されたレーザチャンバと、
レーザチャンバに結合され、第１のレーザビームを受け取り、出力レーザビームを出力するように構成された光学システムと、を含み、
光学システムは、大気圧より低い圧力のガスを含む、レーザ源。
８．大気圧より低い圧力で光学システムにガスを供給するように構成されたガスパージシステムを更に含む、条項７に記載のレーザ源。
９．ガスパージシステムは、
大気圧より低い圧力で光学システムにガスを供給するように構成されたガス供給ポンプと、
光学システムから第２のガスを実質的に除去するように構成された第２のポンプと、を含む、条項８に記載のレーザ源。
１０．ガスは窒素を含み、第２のガスは酸素を含む、条項９に記載のレーザ源。
１１．ガスは窒素を含み、圧力は約５０Ｔｏｒｒ～約７００Ｔｏｒｒの範囲である、条項７に記載のレーザ源。
１２．第１のレーザビームを少なくとも間接的に受け取り、第１のレーザビームを増幅して第２のレーザビームを生成するように構成された第２のレーザチャンバを更に含み、
光学システムは、第２のレーザビームを受け取り、出力レーザビームを出力するように構成される、条項７に記載のレーザ源。
１３．レーザチャンバに結合され、略大気圧である圧力を有する第２のガスを含む光学モジュールを更に含む、条項７に記載のレーザ源。
１４．第１のレーザビームを生成するように構成された第１のレーザチャンバと、
第１のレーザビームを少なくとも間接的に受け取り、第１のレーザビームを増幅して第２のレーザビームを生成するように構成された第２のレーザチャンバと、
第１のレーザビームを第２のレーザチャンバに誘導するように構成された第１の光学システムと、
第２のレーザビームを受け取り、レーザ源の出力レーザビームとして第２のレーザビームを誘導するように構成された第２の光学システムと、
大気圧より低い圧力で第１及び第２の光学システムにガスを送り込むように構成されたガスパージシステムと、を含む、レーザ源。
１５．ガスパージシステムは、
大気圧より低い圧力で第１及び第２の光学システムにガスを供給するように構成されたガス供給ポンプと、
第１及び第２の光学システムから第２のガスを実質的に除去するように構成された第２のポンプと、を含む、条項１４に記載のレーザ源。
１６．ガスは窒素を含み、圧力は約５０Ｔｏｒｒ～約７００Ｔｏｒｒの範囲である、条項１４に記載のレーザ源。
１７．第１のレーザチャンバに結合され、略大気圧である圧力を有する第２のガスを含む光学モジュールを更に含む、条項１４に記載のレーザ源。
１８．第２のレーザチャンバに結合された光学モジュールを更に含み、
ガスパージシステムは、大気圧より低い圧力でガスを光学モジュールに送り込むように構成される、条項１４に記載のレーザ源。
１９．放射ビームを調整するように構成された照明システムと、
放射ビームに付与されたパターンを基板上に投影するように構成された投影システムと、を含み、
照明システムは、レーザ源を含み、レーザ源は、
第１のレーザビームを生成するように構成されたレーザチャンバと、
レーザチャンバに結合され、第１のレーザビームを受け取り、出力レーザビームを出力するように構成された光学システムと、を含み、
光学システムは、大気圧より低い圧力を有する窒素ガスを含む、リソグラフィ装置。
２０．第１のレーザビームを生成するように構成されたレーザチャンバと、
レーザチャンバに結合され、第１のレーザビームを受け取り、出力レーザビームを出力するように構成された光学システムと、
大気圧より低い圧力で光学システムにガスを供給するように構成されたガスパージシステムと、を含む、装置。
２１．第１のレーザビームを生成するように構成されたレーザチャンバと、
レーザチャンバに結合され、第１のレーザビームを受け取り、出力レーザビームを出力するように構成された光学システムと、
光学システムにヘリウムガスを供給するように構成されたガスパージシステムと、を含む、レーザ源。
２２．ガスパージシステムは、
ヘリウムガスを光学システムに供給するように構成されたガス供給ポンプを含む、条項２１に記載のレーザ源。
２３．ガスパージシステムは、
光学システムから第２のガスを実質的に除去するように構成された第２のポンプを更に含む、条項２２に記載のレーザ源。
２４．第２のガスは酸素を含む、条項２３に記載のレーザ源。
２５．ガスパージシステムは、
大気圧より低い圧力でヘリウムガスを光学システムに供給するように構成されたガス供給ポンプを含む、条項２１に記載のレーザ源。
２６．光学システムは、第１の光学モジュール及び第２の光学モジュールを含み、
ガスパージシステムは、
第１の光学モジュールに結合され、第１の光学モジュールにヘリウムガスを供給する第１のガス供給ポンプと、
第２の光学モジュールに結合され、第２の光学モジュールにヘリウムガスを供給する第２のガス供給ポンプと、を含む、条項２１に記載のレーザ源。
２７．第１のレーザビームを生成するように構成されたレーザチャンバと、
レーザチャンバに結合され、第１のレーザビームを受け取り、出力レーザビームを出力するように構成された光学システムと、を含み、
光学システムはヘリウムガスを含む、レーザ源。
２８．ヘリウムガスを光学システムに供給するように構成されたガスパージシステムを更に含む、条項２７に記載のレーザ源。
２９．ガスパージシステムは、
ヘリウムガスを光学システムに供給するように構成されたガス供給ポンプと、
光学システムから第２のガスを実質的に除去するように構成された第２のポンプと、を含む、条項２８に記載のレーザ源。
３０．第２のガスは酸素を含む、条項２９に記載のレーザ源。
３１．第１のレーザビームを少なくとも間接的に受け取り、第１のレーザビームを増幅して第２のレーザビームを生成するように構成された第２のレーザチャンバを更に含み、
光学システムは、第２のレーザビームを受け取り、出力レーザビームを出力するように構成される、条項２７に記載のレーザ源。
３２．レーザチャンバに結合され、略大気圧である圧力を有する第２のガスを含む光学モジュールを更に含む、条項２７に記載のレーザ源。
３３．第１のレーザビームを生成するように構成された第１のレーザチャンバと、
第１のレーザビームを少なくとも間接的に受け取り、第１のレーザビームを増幅して第２のレーザビームを生成するように構成された第２のレーザチャンバと、
第１のレーザビームを第２のレーザチャンバに誘導するように構成された第１の光学システムと、
第２のレーザビームを受け取り、レーザ源の出力レーザビームとして第２のレーザビームを誘導するように構成された第２の光学システムと、
第１及び第２の光学システムにヘリウムガスを送り込むように構成されたガスパージシステムと、を含む、レーザ源。
３４．ガスパージシステムは、
ヘリウムガスを第１及び第２の光学システムに供給するように構成されたガス供給ポンプと、
第１及び第２の光学システムから第２のガスを実質的に除去するように構成された第２のポンプと、を更に含む、条項３３に記載のレーザ源。
３５．第２のレーザチャンバに結合された光学モジュールを更に含み、
ガスパージシステムは、ヘリウムガスを光学モジュールに送り込むように構成される、条項３３に記載のレーザ源。
３６．放射ビームを調整するように構成された照明システムと、
放射ビームに付与されたパターンを基板上に投影するように構成された投影システムと、を含み、
照明システムは、レーザ源を含み、レーザ源は、
第１のレーザビームを生成するように構成されたレーザチャンバと、
レーザチャンバに結合され、第１のレーザビームを受け取り、出力レーザビームを出力するように構成された光学システムと、を含み、
光学システムはヘリウムガスを含む、リソグラフィ装置。
３７．第１のレーザビームを生成するように構成されたレーザチャンバと、
レーザチャンバに結合され、第１のレーザビームを受け取り、出力レーザビームを出力するように構成された光学システムと、
光学システムにヘリウムガスを供給するように構成されたガスパージシステムと、を含む、装置。

[0151] 本開示の幅及び範囲は、上述した例示的実施形態のいずれによっても限定されず、特許請求の範囲及びその均等物によってのみ規定されるものである。

Claims (4)

1. 第１のレーザビームを生成するように構成されたレーザチャンバと、
   前記レーザチャンバに結合され、前記第１のレーザビームを受け取り、出力レーザビームを出力するように構成された光学システムと、
   ガスパージシステムと、を含み、
   前記ガスパージシステムは、
   大気圧より低い圧力で前記光学システムに窒素ガス又はヘリウムガスを供給するように構成されたガス供給ポンプと、
   及び前記光学システムから酸素ガスを実質的に除去するように構成された第２のポンプと、を含む、
   レーザ源。
2. 前記光学システムは、
   第１の光学モジュール及び第２の光学モジュールを含み、
   前記ガスパージシステムは、
   前記第１の光学モジュールに結合され、大気圧より低い圧力で前記第１の光学モジュールに窒素ガス又はヘリウムガを供給する第１のガス供給ポンプと、
   前記第２の光学モジュールに結合され、大気圧より低い圧力で前記第２の光学モジュールに窒素ガス又はヘリウムガスを供給する第２のガス供給ポンプと、を含む、請求項１に記載のレーザ源。
3. 第１のレーザビームを生成するように構成された第１のレーザチャンバと、
   前記第１のレーザビームを少なくとも間接的に受け取り、前記第１のレーザビームを増幅して第２のレーザビームを生成するように構成された第２のレーザチャンバと、
   前記第１のレーザビームを前記第２のレーザチャンバに誘導するように構成された第１の光学システムと、
   前記第２のレーザビームを受け取り、前記レーザ源の出力レーザビームとして前記第２のレーザビームを誘導するように構成された第２の光学システムと、
   ガスパージシステムと、を含み、
   前記ガスパージシステムは、
   大気圧より低い圧力で前記第１及び第２の光学システムに窒素ガス又はヘリウムガスを送り込むように構成されたガス供給ポンプと、
   前記第１及び第２の光学システムから酸素ガスを実質的に除去するように構成された第２のポンプと、を含む、
   レーザ源。
4. 放射ビームを調整するように構成された照明システムと、
   前記放射ビームに付与されたパターンを基板上に投影するように構成された投影システムと、を含み、
   前記照明システムは、レーザ源を含み、前記レーザ源は、
   第１のレーザビームを生成するように構成されたレーザチャンバと、
   前記レーザチャンバに結合され、前記第１のレーザビームを受け取り、出力レーザビームを出力するように構成された光学システムと、
   ガスパージシステムと、を含み、
   前記ガスパージシステムは、
   大気圧より低い圧力で前記光学システムに窒素ガス又はヘリウムガスを供給するように構成されたガス供給ポンプと、
   前記光学システムから酸素ガスを実質的に除去するように構成された第２のポンプと、を含む、リソグラフィ装置。

Images