JP2006026602A - Method for forming thin film conductor layer of metallic particulate sintered compact type, and methods for forming metallic wiring and metallic thin film by applying the method - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、微細な金属配線パターン、あるいは金属薄膜の形成に利用可能な、金属微粒子焼結体型の薄膜導電体層を形成する方法に関する。具体的には、微細な金属微粒子、特には、ナノサイズの粒子径を有する金属ナノ粒子の分散液を利用して、超ファインなパターン描画、あるいは薄膜塗布層を形成後、低温処理によって、微細な金属微粒子相互を焼結させて、焼結体型の薄膜導電体を形成する方法、ならびに該方法を応用して作製される金属配線ならびに金属薄膜に関する。 The present invention relates to a method for forming a metal fine particle sintered body type thin film conductor layer that can be used for forming a fine metal wiring pattern or a metal thin film. Specifically, fine metal fine particles, in particular, a metal nanoparticle dispersion having a nano-sized particle diameter is used to form an ultrafine pattern or form a thin film coating layer, followed by low-temperature treatment. The present invention relates to a method of forming a sintered compact thin film conductor by sintering various metal fine particles, and a metal wiring and a metal thin film produced by applying the method.
極めて粒子径の小さな金属微粒子、少なくとも、平均粒子径が100nm以下である金属微粒子の製造方法の一つとして、ガス中蒸発法を用いて調製される10nm以下の金属超微粒子を、分散溶媒中にコロイド状に分散した分散液とその製造方法が報告されている(特許文献1参照)。また、還元にアミン化合物を用いる還元析出法を利用して、平均粒子径が数nm〜数10nm程度の金属微粒子を湿式で作製し、コロイド状に分散したものとその製造方法も報告されている(特許文献2参照)。 As one of methods for producing metal fine particles having an extremely small particle diameter, at least an average particle diameter of 100 nm or less, ultrafine metal particles of 10 nm or less prepared by using a gas evaporation method are dispersed in a dispersion solvent. A colloidally dispersed dispersion and a method for producing the same have been reported (see Patent Document 1). Also reported is a method in which metal fine particles having an average particle size of several nanometers to several tens of nanometers are prepared wet by using a reduction precipitation method using an amine compound for reduction, and a method for producing the same is colloidally dispersed. (See Patent Document 2).
平均粒子径数nm〜数10nm程度の金属微粒子は、金属ナノ粒子と呼ばれ、一般に、その金属材料の融点よりも格段に低い温度(例えば、銀であれば、清浄な表面を有するナノ粒子では200℃以下においても)で焼結することが知られている。これは、金属の微粒子においては、十分にその粒子径を小さくすると、粒子表面に存在するエネルギー状態の高い原子の全体に占める割合が大きくなり、金属原子の表面拡散が無視し得ないほど大きくなる結果、この表面拡散に起因して、粒子相互の界面の延伸がなされ焼結が行われるためである。 Metal fine particles having an average particle diameter of about several nanometers to several tens of nanometers are called metal nanoparticles, and in general, a temperature much lower than the melting point of the metal material (for example, nanoparticles having a clean surface if silver is used). It is known to sinter at 200 ° C. or lower. This is because in metal fine particles, if the particle diameter is sufficiently reduced, the proportion of the atoms in the high energy state existing on the particle surface will increase, and the surface diffusion of metal atoms will become so large that it cannot be ignored. As a result, due to this surface diffusion, the interface between the particles is stretched and sintered.
平均粒子径数nm〜数10nm程度の金属ナノ粒子は直接表面を接触させると、相互に融着を生じて、ナノ粒子が集塊して、分散溶媒中における均一な分散性を失う。そのため、金属ナノ粒子表面をアルキルアミンなどで均一に被覆し、表面被覆分子層を備えた状態として、高い分散性を示す金属ナノ粒子としている。この表面被覆分子層を備えた金属ナノ粒子を含む分散液を基板表面に塗布し、所望の厚さを有する塗布層を形成した後、金属ナノ粒子の表面を被覆保護しているアルキルアミンなど表面被覆分子を除去すると、清浄な表面を露呈した金属ナノ粒子相互が接触して、低温焼成処理によって、金属ナノ粒子相互の緻密な焼結体層が形成される。従来、250℃程度の温度に加熱することで、金属ナノ粒子の表面を被覆保護しているアルキルアミンなど表面被覆分子の除去を進め、引き続き、清浄な表面を露呈した金属ナノ粒子相互が接触する結果、低温焼成が開始する、加熱処理条件が利用されている。 When the metal nanoparticles having an average particle diameter of about several nanometers to several tens of nanometers are brought into direct contact with each other, they are fused to each other to aggregate the nanoparticles and lose uniform dispersibility in the dispersion solvent. Therefore, the surface of the metal nanoparticles is uniformly coated with alkylamine or the like, and the surface is provided with a surface-coated molecular layer, so that the metal nanoparticles exhibit high dispersibility. After coating the dispersion containing metal nanoparticles with the surface coating molecular layer on the substrate surface to form a coating layer having a desired thickness, the surface of the alkylamine or the like that covers and protects the surface of the metal nanoparticles When the coating molecules are removed, the metal nanoparticles exposed to a clean surface come into contact with each other, and a dense sintered body layer between the metal nanoparticles is formed by a low-temperature firing process. Conventionally, by heating to a temperature of about 250 ° C., removal of surface coating molecules such as alkylamine that coats and protects the surface of metal nanoparticles is promoted, and then metal nanoparticles exposed to a clean surface come into contact with each other. As a result, heat treatment conditions are used in which low-temperature firing starts.
あるいは、導電性媒体として、表面被覆分子層を備えた金属ナノ粒子をバインダー樹脂組成物中に配合し、ペースト状の分散液とした、金属ナノ粒子型の導電性金属ペーストも提案されている。この金属ナノ粒子型の導電性金属ペーストは、粒子径がμmサイズの金属微粒子を導電性媒体に利用する、従前の導電性金属ペーストよりも、その描画精度の限界は、格段の向上が図られている。また、導電体層の形成は、表面被覆分子層を備えた金属ナノ粒子から、金属ナノ粒子相互の緻密な焼結体層を作製し、同時に、バインダー樹脂を固化させて、焼結体型導電体層として、基板面上への固着がなされる。その際、表面被覆分子を金属ナノ粒子表面より除去する処理、ならびにバインダー樹脂の固化処理は、250℃程度の温度に加熱することで、連続的に行っている。 Alternatively, as a conductive medium, a metal nanoparticle type conductive metal paste in which metal nanoparticles having a surface coating molecular layer are blended in a binder resin composition to form a paste-like dispersion liquid has also been proposed. This metal nanoparticle-type conductive metal paste uses a metal fine particle with a particle size of μm as a conductive medium, and its drawing accuracy limit is significantly improved compared to conventional conductive metal pastes. ing. In addition, the conductive layer is formed by forming a dense sintered body layer of metal nanoparticles from metal nanoparticles having a surface-coated molecular layer, and simultaneously solidifying a binder resin to form a sintered body type conductor. As a layer, it is fixed on the substrate surface. In that case, the process which removes a surface coating molecule | numerator from the metal nanoparticle surface, and the solidification process of binder resin are performed continuously by heating to the temperature of about 250 degreeC.
また、250℃程度の温度で加熱処理することで得られる、金属ナノ粒子相互の焼結体層によって、体積固有抵抗率として、3×10-6 Ω・cm〜10×10-5 Ω・cm程度を有する導電体層の作製が可能となっている。従って、250℃程度の温度で加熱処理が可能な場合、形成される焼結体型導電体層においては、実用上、特に問題の無い程度の良好な導電性が達成されている。
現在、各種電子機器、電子部品の小型化に付随して、配線基板上に形成される回路配線パターンもより一層の微細化が要望されている。さらには、配線パターンの形成に、従前のメッキ法で作製される導電体層に代えて、直接、所望の配線パターンの描画が可能な導電性金属ペーストを用いて、導電体層を形成する手法の利用が進められている。例えば、導電性媒体として、表面被覆分子層を備えた金属ナノ粒子を利用する導電性金属ペーストを用いて、最小線幅/配線間隔が、20μm/20μmに達する微細な配線パターンの導電体層を作製する際、安定した通電特性を達成でき、また、再現性よく、微細な配線パターンを作製する手法の開発が進められている。 At present, with the miniaturization of various electronic devices and electronic components, there is a demand for further miniaturization of circuit wiring patterns formed on a wiring board. Furthermore, a method of forming a conductor layer by using a conductive metal paste capable of directly drawing a desired wiring pattern instead of a conductor layer produced by a conventional plating method for forming a wiring pattern. Is being used. For example, using a conductive metal paste using metal nanoparticles with a surface-coated molecular layer as a conductive medium, a conductor layer having a fine wiring pattern in which the minimum line width / wiring interval reaches 20 μm / 20 μm Development of a technique for producing a fine wiring pattern that can achieve stable current-carrying characteristics and has high reproducibility during production is in progress.
例えば、表面被覆分子層を備えた金属ナノ粒子を含む分散液を利用すると、微細な配線パターンの描画は、高い描画精度と、再現性で行うことが可能である。その後、この塗布膜層に含まれる、表面被覆分子層を備えた金属ナノ粒子から、金属ナノ粒子相互の緻密な焼結体層を作製する手法を利用することで、再現性よく、微細な配線パターンの導電体層の形成を行うことができることが確認されている(国際公開 WO 02/35554 A1パンフレット参照)。その際、表面被覆分子層を備えた金属ナノ粒子から、その表面の被覆分子層を除去した上で、金属ナノ粒子相互の焼結を進める必要があり、少なくとも、200℃以上、通常、250℃程度の温度における加熱処理が必要である。 For example, when a dispersion liquid containing metal nanoparticles provided with a surface coating molecular layer is used, a fine wiring pattern can be drawn with high drawing accuracy and reproducibility. Then, by using a technique for producing a dense sintered body layer between metal nanoparticles from metal nanoparticles with a surface coating molecular layer contained in this coating film layer, fine wiring with good reproducibility It has been confirmed that a patterned conductor layer can be formed (see International Publication WO 02/35554 A1 pamphlet). At that time, it is necessary to remove the coating molecular layer on the surface from the metal nanoparticles provided with the surface coating molecular layer, and then proceed with the sintering of the metal nanoparticles, and at least 200 ° C., usually 250 ° C. Heat treatment at a certain temperature is necessary.
配線基板に利用されている、基板材料に関しては、例えば、ハンダ接合に、所謂、Pbフリーハンダ材料の利用が図られることに伴い、250℃程度の耐熱性を有する材料の利用も進んではいる。これら耐熱性を有する基板材料に対して、ハンダ接合工程における加熱工程以外に、さらに、前記金属ナノ粒子相互の焼結を図るため、250℃程度の加熱処理に曝すと、基板材料の熱的な劣化を引き起こす頻度を高める要因となる。従って、表面被覆分子層を備えた金属ナノ粒子を含む分散液を利用する、焼結体型導電体層の形成工程において、加熱処理温度を、少なくとも200℃以下に選択して、その表面の被覆分子層の除去と、その後の金属ナノ粒子相互の焼結を進めることが可能な手法の開発が望まれている。 With regard to the substrate material used for the wiring board, for example, a so-called Pb-free solder material is used for solder bonding, and the use of a material having a heat resistance of about 250 ° C. is also progressing. In addition to the heating step in the solder bonding step, when the substrate material having heat resistance is further subjected to heat treatment at about 250 ° C. in order to sinter the metal nanoparticles, the thermal properties of the substrate material are increased. It becomes a factor which raises the frequency which causes deterioration. Therefore, in the step of forming a sintered body-type conductor layer using a dispersion containing metal nanoparticles provided with a surface-coated molecular layer, the heat treatment temperature is selected to be at least 200 ° C. Development of a technique capable of proceeding with the removal of the layer and the subsequent sintering of the metal nanoparticles is desired.
仮に、加熱処理温度を200℃以下に抑えて、表面被覆分子層を備えた金属ナノ粒子から、焼結体型導電体層の形成が可能となると、利用可能な基板材料の種類は格段に広がる。従来、耐熱性の問題から、メッキ法などを利用して、導電性薄膜層の作製を行っていた種々の分野に対しても、焼結体型導電体層利用への道が開かれることになる。 If the sintered body type conductor layer can be formed from the metal nanoparticles having the surface-coated molecular layer while the heat treatment temperature is suppressed to 200 ° C. or lower, the types of substrate materials that can be used are greatly expanded. Conventionally, due to the problem of heat resistance, a variety of fields that have been used to produce conductive thin film layers using a plating method or the like will open the way to the use of sintered-type conductor layers. .
本発明は前記の課題を解決するものであり、本発明の目的は、表面被覆分子層を備えた金属微粒子の分散液を利用して、焼結体型導電体層を形成する際、基板上に塗布された、表面被覆分子層を備えた金属微粒子から、表面被覆分子層を除去した後、金属微粒子の焼結を行う工程において、利用される加熱処理温度を少なくとも200℃を超えない範囲、好ましくは、150℃以下の範囲として、良好な導電性を示す金属微粒子焼結体を簡便に、高い再現性で作製することを可能とする方法を提供することにある。 The present invention solves the above-mentioned problems, and an object of the present invention is to form a sintered body-type conductor layer on a substrate using a dispersion of fine metal particles having a surface-coated molecular layer. In the step of removing the surface coating molecular layer from the coated metal fine particles having the surface coating molecular layer and then sintering the metal fine particles, the heat treatment temperature used is preferably within a range not exceeding 200 ° C., preferably The object of the present invention is to provide a method that makes it possible to easily and highly reproducibly produce a sintered metal fine particle exhibiting good conductivity in a range of 150 ° C. or lower.
本発明者らは、上記の課題を解決すべく、基板上に塗布された、表面被覆分子層を備えた金属微粒子から、表面被覆分子層を除去した後、金属微粒子の焼結を行う工程において、従来の方法における加熱処理温度を決定していた要因に関して、さらに検討を行った。その検討の結果、仮に、清浄な表面を持つ、平均粒子径100nm以下の金属微粒子を緻密に接触させ、不活性ガス雰囲気下において加熱処理を行った場合、200℃以下、例えば150℃の加熱温度でも、十分に金属微粒子相互の焼結が進行することが確認された。一方、表面被覆分子層を備えた金属微粒子から、その被覆分子層を除去し、本来の清浄な表面を再度表出させる過程は、被覆分子と表面の金属原子との間の、配位結合に類する分子間結合力の強弱に依存して、必要な加熱温度が変動することが確認された。分散液中において安定した表面被覆分子層を維持するため、微粒子表面の金属原子に対して配位結合に類する、高い分子間結合力を有する被覆分子を利用するため、表面の金属原子から遊離・除去する上では、より高い熱的な励起を施す必要がある。さらに、表面の金属原子から熱的に遊離された、被覆分子の再吸着を抑制するため、被覆分子の蒸散が進む加熱温度を採用していた。 In order to solve the above problems, the present inventors removed the surface coating molecular layer from the metal fine particles provided with the surface coating molecular layer applied on the substrate and then sintered the metal fine particles. Further examination was made on the factors that determined the heat treatment temperature in the conventional method. As a result of the examination, if metal particles having a clean surface and an average particle diameter of 100 nm or less are brought into close contact and subjected to heat treatment in an inert gas atmosphere, a heating temperature of 200 ° C. or less, for example, 150 ° C. However, it was confirmed that the sintering of the metal fine particles proceeded sufficiently. On the other hand, the process of removing the coating molecular layer from the metal fine particle having the surface coating molecular layer and re-exposing the original clean surface is due to the coordination bond between the coating molecule and the surface metal atom. It was confirmed that the required heating temperature fluctuated depending on the strength of similar intermolecular bonding forces. In order to maintain a stable surface-coated molecular layer in the dispersion, a coating molecule having a high intermolecular bonding force similar to the coordinate bond to the metal atom on the surface of the fine particle is used. For removal, it is necessary to apply higher thermal excitation. Furthermore, in order to suppress the re-adsorption of the coating molecules thermally released from the metal atoms on the surface, a heating temperature at which the transpiration of the coating molecules proceeds has been adopted.
本発明者らは、これらの知見に基づき、さらなる検討を行い、分散液中においては、微粒子表面の金属原子に対して配位結合に類する、高い分子間結合力を示すが、基板上に塗布した後、被覆分子の除去を図る際には、被覆分子と表面の金属原子との間の、配位結合に類する分子間結合力を大幅に低下させることが可能となれば、250℃以上の従前の加熱処理温度よりも格段に低い温度でも、被覆分子の除去が可能となることに想到した。そして、基板上に表面被覆分子層を備えた金属微粒子の塗布層を形成した後、この塗布層表面から、電子線や紫外線などのエネルギー線の照射によって、金属微粒子に負の電荷を注入することで、被覆分子と表面の金属原子との間の、配位結合に類する分子間結合力を大幅に低下することが可能となることを見出した。同時に、照射されたエネルギー線が有するエネルギーの一部を、被覆分子の分子内振動エネルギー、金属微粒子の格子振動エネルギーへと局所的に変換することもなされ、僅かな加熱を加えるのみで、被覆分子の遊離・除去が進行することも確認された。電子線や紫外線などのエネルギー線の侵入深さは、金属微粒子塗布層の膜厚と比較すると有意に浅いが、塗布層膜厚が相対的に薄いならば、表面において、金属微粒子に負の電荷を注入すると、段階的に、下層の金属微粒子へと注入された電荷が拡散・伝播され、この効果は、塗布層膜厚の全体に及ぶことになる。従って、表面部だけでなく、薄い塗布層の深部でも、程度の差はあるものの、金属微粒子の表面を保護していた、被覆分子層の相当部分が除去される。 Based on these findings, the present inventors have conducted further studies. In the dispersion liquid, the present invention shows a high intermolecular bonding force similar to the coordinate bond to the metal atom on the surface of the fine particle, but it is applied on the substrate. After that, when removing the covering molecules, if it becomes possible to greatly reduce the intermolecular bonding force similar to the coordination bond between the covering molecules and the surface metal atoms, the temperature exceeds 250 ° C. It was conceived that the covering molecules could be removed even at a temperature much lower than the conventional heat treatment temperature. Then, after forming a coating layer of metal fine particles having a surface coating molecular layer on the substrate, a negative charge is injected into the metal fine particles from the surface of the coating layer by irradiation of energy rays such as electron beams and ultraviolet rays. Thus, it has been found that the intermolecular bonding force similar to the coordination bond between the coating molecule and the surface metal atom can be greatly reduced. At the same time, a part of the energy of the irradiated energy beam is locally converted into the intramolecular vibrational energy of the coating molecule and the lattice vibrational energy of the metal fine particles. It was also confirmed that the release / removal of water progressed. The penetration depth of energy beams such as electron beams and ultraviolet rays is significantly shallower than the coating thickness of the metal fine particle coating layer. However, if the coating layer thickness is relatively thin, the surface of the metal fine particles has a negative charge. Is injected stepwise, the injected charge is diffused and propagated to the lower metal fine particles, and this effect extends to the entire coating layer thickness. Accordingly, not only the surface portion but also the deep portion of the thin coating layer, although there is a difference in degree, a substantial portion of the covering molecular layer that has protected the surface of the metal fine particles is removed.
表面を保護していた、被覆分子層の相当部分が除去されると、200℃未満、例えば、150℃以下の温度に加熱することで、残余する被覆分子の除去を行いつつ、清浄な表面となった金属微粒子相互が直接接触した部位から低温焼結が進行する。最終的に、薄い塗布層の深部を含め、塗布層膜厚の全体において金属微粒子相互の低温焼結が拡大・伸長して、緻密な金属微粒子焼結体層の形成が完了する。また、得られる金属微粒子焼結体は、従来、250℃以上の加熱処理によって形成されていた金属微粒子焼結体の示す導電性と遜色のない、良好な導電性を有する金属微粒子焼結体層となることも確認した。本発明は、これらの知見に基づき、完成されたものである。 When a considerable portion of the covering molecular layer that has protected the surface is removed, the remaining surface is removed by heating to a temperature of less than 200 ° C., for example, 150 ° C. Low temperature sintering proceeds from the part where the formed metal fine particles are in direct contact with each other. Finally, the low-temperature sintering of the metal fine particles expands and expands over the entire thickness of the coating layer, including the deep portion of the thin coating layer, and the formation of the dense metal fine particle sintered body layer is completed. In addition, the obtained metal fine particle sintered body is a metal fine particle sintered body layer having good conductivity comparable to that of the metal fine particle sintered body conventionally formed by heat treatment at 250 ° C. or higher. It was also confirmed that The present invention has been completed based on these findings.
すなわち、本発明にかかる金属微粒子焼結体型の薄膜導電体層の形成方法は、
基板上に金属微粒子焼結体型の薄膜導電体層を形成する方法であって、
前記金属微粒子焼結体の作製に利用される、該金属微粒子は、少なくとも200℃を超える融点を示す金属材料で構成される、平均粒子径が1〜100nmの範囲の金属微粒子であり、
該金属微粒子の表面に、金属微粒子相互の凝集を防止する機能を有する、分散剤の被覆分子層を設けて、該被覆分子層を有する金属微粒子を分散質として、有機溶剤を含む液相分散媒中に分散してなる金属微粒子分散液を用いて、
前記基板上の所定位置に該金属微粒子分散液を所定膜厚で塗布して、金属微粒子分散液塗布膜層を形成する工程と、
該金属微粒子分散液塗布膜層中に含まれる、前記有機溶剤を蒸散させて、乾燥処理済み金属微粒子塗布層とする工程と、
該乾燥処理済み金属微粒子塗布層に対して、その塗布層表面から所定線量のエネルギー線を照射する処理を施す工程と、
前記エネルギー線照射処理を施した金属微粒子塗布層に、50℃以上、少なくとも200℃を超えない温度範囲に選択される加熱温度、非酸化性ガス雰囲気下において、低温加熱処理を施す工程を具え、
前記エネルギー線照射処理と低温加熱処理とを施すとことで、前記金属微粒子塗布層中に含まれる金属微粒子相互の焼結がなされ、金属微粒子焼結体型の薄膜導電体層の形成がなされる
ことを特徴とする、金属微粒子焼結体型の薄膜導電体層の形成方法である。
That is, the method for forming a metal fine particle sintered body type thin film conductor layer according to the present invention is
A method of forming a metal fine particle sintered body type thin film conductor layer on a substrate,
The metal fine particles used for the production of the metal fine particle sintered body are metal fine particles having an average particle diameter of 1 to 100 nm composed of a metal material having a melting point of at least 200 ° C.,
A liquid phase dispersion medium comprising an organic solvent, wherein a coating molecular layer of a dispersant having a function of preventing aggregation between metal fine particles is provided on the surface of the metal fine particles, and the metal fine particles having the coating molecular layer are used as a dispersoid. Using metal fine particle dispersion liquid dispersed in,
Applying the metal fine particle dispersion at a predetermined thickness on the substrate to form a metal fine particle dispersion coating film layer; and
A step of evaporating the organic solvent contained in the metal fine particle dispersion coating film layer to obtain a dried metal fine particle coating layer;
A process of irradiating the dried metal fine particle coating layer with a predetermined dose of energy rays from the coating layer surface;
The metal fine particle coating layer that has been subjected to the energy beam irradiation treatment comprises a step of performing a low temperature heat treatment at a heating temperature selected in a temperature range not exceeding 50 ° C. and at least not exceeding 200 ° C. in a non-oxidizing gas atmosphere,
By performing the energy beam irradiation treatment and the low-temperature heat treatment, the metal fine particles contained in the metal fine particle coating layer are sintered with each other, and a metal fine particle sintered body type thin film conductor layer is formed. This is a method for forming a metal fine particle sintered body type thin film conductor layer.
その際、
前記金属微粒子を構成する、少なくとも200℃を超える融点を示す金属材料は、
金、銀、銅、白金、パラジウム、ロジウム、ルテニウム、ニッケル、アルミニウムからなる金属元素の群から選択される、単体金属種、または、二種以上の金属種からなる合金であることが好ましい。また、前記金属微粒子の平均粒子径は、5〜20nmの範囲に選択されることがより好ましい。
that time,
The metal material constituting the metal fine particles and having a melting point exceeding 200 ° C. is at least
A single metal species selected from the group of metal elements consisting of gold, silver, copper, platinum, palladium, rhodium, ruthenium, nickel, and aluminum, or an alloy composed of two or more metal species is preferable. The average particle size of the metal fine particles is more preferably selected in the range of 5 to 20 nm.
加えて、該金属微粒子の表面に設ける、金属微粒子相互の凝集を防止する機能を有する、分散剤の被覆分子層は、
該分散剤として、
その沸点は、150℃以上、350℃以下の範囲であって、
アミン類、アルコール類、フェノール類、チオール類からなる群より選択される、一種類の分散剤分子、または、二種類以上の分散剤分子を利用して、形成されていることが好ましい。
In addition, the coating molecular layer of the dispersant, which is provided on the surface of the metal fine particles and has a function of preventing aggregation between the metal fine particles,
As the dispersant,
The boiling point is in the range of 150 ° C. or higher and 350 ° C. or lower,
It is preferably formed using one type of dispersant molecule or two or more types of dispersant molecules selected from the group consisting of amines, alcohols, phenols, and thiols.
一方、
前記エネルギー線照射処理に利用されるエネルギー線として、
加速電圧が50kV〜200kVの範囲に選択される電子線、または波長域180nm〜400nmの範囲から選択される紫外線を用いることが好ましい。
on the other hand,
As energy rays used for the energy ray irradiation treatment,
It is preferable to use an electron beam whose acceleration voltage is selected in the range of 50 kV to 200 kV, or an ultraviolet ray selected from the wavelength range of 180 nm to 400 nm.
また、前記低温加熱処理に用いる加熱温度を、
50℃〜150℃の温度範囲に選択することが望ましい。
Moreover, the heating temperature used for the low-temperature heat treatment is
It is desirable to select a temperature range of 50 ° C to 150 ° C.
なお、本発明にかかる金属微粒子焼結体型の薄膜導電体層の形成方法では、
前記有機溶剤を含む液相分散媒中に、
前記エネルギー線照射処理に利用されるエネルギー線の照射に伴って、酸成分を発生する機能を有する酸発生剤化合物を添加し、
前記乾燥処理済み金属微粒子塗布層中に、該酸発生剤化合物を含有させることができる。その際、前記エネルギー線の照射に伴って、酸成分を発生する機能を有する酸発生剤化合物として、
酸発生能を有するオニウム化合物、スルホン化合物、ハロゲン化物、鉄アレン錯体からなる酸発生剤化合物の群から選択される、一種類の化合物、または、二種類以上の化合物を用いることが好ましい。
In the method of forming a metal fine particle sintered body type thin film conductor layer according to the present invention,
In the liquid phase dispersion medium containing the organic solvent,
Along with the irradiation of energy rays used for the energy ray irradiation treatment, an acid generator compound having a function of generating an acid component is added,
The acid generator compound can be contained in the dried metal fine particle coating layer. At that time, as an acid generator compound having a function of generating an acid component with the irradiation of the energy beam,
It is preferable to use one type of compound or two or more types of compounds selected from the group of acid generator compounds consisting of an onium compound, a sulfone compound, a halide, and an iron allene complex having acid generating ability.
さらには、前記有機溶剤を含む液相分散媒中に、
前記エネルギー線照射処理に利用されるエネルギー線の照射に伴って、ラジカル種を生成する機能を有するラジカル発生剤化合物を添加し、
前記乾燥処理済み金属微粒子塗布層中に、該ラジカル発生剤化合物を含有させることができる。
Furthermore, in the liquid phase dispersion medium containing the organic solvent,
Along with irradiation of energy rays used for the energy ray irradiation treatment, a radical generator compound having a function of generating radical species is added,
The radical generator compound can be contained in the dried metal fine particle coating layer.
場合によっては、前記有機溶剤を含む液相分散媒中に、
前記エネルギー線照射処理に利用されるエネルギー線の照射に伴って、ラジカル種を生成する機能を有するラジカル発生剤化合物、または、酸成分を発生する機能を有する酸発生剤化合物を添加し、
前記乾燥処理済み金属微粒子塗布層中に、該ラジカル発生剤化合物、または該酸発生剤化合物を含有させ、
さらに、前記エネルギー線照射処理に利用されるエネルギー線の照射に伴って、照射されるエネルギー線のエネルギーを受容し、該受容したエネルギーを該ラジカル発生剤化合物、または該酸発生剤化合物へと伝達し、該ラジカル発生剤化合物、または該酸発生剤化合物の機能発揮を可能とする、増感剤化合物を添加し、
前記乾燥処理済み金属微粒子塗布層中に、該増感剤化合物を含有させることもできる。
In some cases, in the liquid phase dispersion medium containing the organic solvent,
Along with the irradiation of energy rays used for the energy ray irradiation treatment, a radical generator compound having a function of generating radical species, or an acid generator compound having a function of generating an acid component is added,
In the dried metal fine particle coating layer, the radical generator compound or the acid generator compound is contained,
Further, in response to the irradiation of the energy beam used for the energy beam irradiation treatment, the energy of the irradiated energy beam is received, and the received energy is transmitted to the radical generator compound or the acid generator compound. And adding a sensitizer compound that enables the radical generator compound or the acid generator compound to function,
The sensitizer compound may be contained in the dried metal fine particle coating layer.
その他に、前記有機溶剤を含む液相分散媒中に、
前記エネルギー線照射処理、または低温加熱処理を施した際、重合硬化することが可能なバインダー樹脂成分を添加し、
前記乾燥処理済み金属微粒子塗布層中に、該バインダー樹脂成分を含有させることができる。その際、前記エネルギー線照射処理、または低温加熱処理を施した際、重合硬化することが可能なバインダー樹脂成分として、
前記エネルギー線照射処理に利用する、エネルギー線の照射を起因として、重合硬化活性の発揮がなされる、エネルギー線硬化性バインダー樹脂成分を用いることもできる。
In addition, in the liquid phase dispersion medium containing the organic solvent,
When the energy ray irradiation treatment or the low-temperature heat treatment is performed, a binder resin component that can be polymerized and cured is added,
The binder resin component can be contained in the dried metal fine particle coating layer. At that time, when the energy ray irradiation treatment or the low temperature heat treatment is performed, as a binder resin component capable of being polymerized and cured,
It is also possible to use an energy ray curable binder resin component that exhibits polymerization curing activity due to the energy ray irradiation used for the energy ray irradiation treatment.
また、バインダー樹脂成分を添加すると、
前記エネルギー線照射処理と低温加熱処理とを施すとことで、前記金属微粒子塗布層中に含まれるバインダー樹脂成分の重合硬化と、前記金属微粒子塗布層中に含まれる金属微粒子相互の焼結がなされ、
前記重合硬化されたバインダー樹脂と金属微粒子焼結体とからなる、金属微粒子焼結体型の薄膜導電体層の形成がなされる方法となる。
Moreover, when a binder resin component is added,
By performing the energy beam irradiation treatment and the low-temperature heat treatment, polymerization hardening of the binder resin component contained in the metal fine particle coating layer and sintering of the metal fine particles contained in the metal fine particle coating layer are performed. ,
This is a method for forming a metal fine particle sintered body type thin film conductor layer comprising the polymerized and cured binder resin and the metal fine particle sintered body.
加えて、前記有機溶剤を含む液相分散媒中に、
基板の表面に対する、金属微粒子焼結体層の接着性を向上する機能を有する、接着性向上剤を添加し、
前記乾燥処理済み金属微粒子塗布層中に、該接着性向上剤を含有させることもできる。
In addition, in the liquid phase dispersion medium containing the organic solvent,
Add an adhesion improver, which has the function of improving the adhesion of the metal fine particle sintered body layer to the surface of the substrate,
The adhesion improver may be contained in the dried metal fine particle coating layer.
さらに、本発明は、上述する本発明にかかる金属微粒子焼結体型の薄膜導電体層の形成方法を利用する、導電性金属薄膜または金属配線の形成方法の発明、あるいは、配線回路基板の発明をも提供しており、
すなわち、本発明にかかる導電性金属薄膜または金属配線の形成方法は、
基板上に導電性金属薄膜または金属配線を形成する方法であって、
前記導電性金属薄膜または金属配線は、金属微粒子焼結体型の薄膜導電体層を利用して形成され、
基板上に該金属微粒子焼結体型の薄膜導電体層を形成する工程は、
上述する構成のいずれかを有する、本発明にかかる金属微粒子焼結体型の薄膜導電体層の形成方法を用いて実施される
ことを特徴とする、導電性金属薄膜または金属配線の形成方法である。
Further, the present invention provides an invention of a method for forming a conductive metal thin film or metal wiring, or an invention of a wiring circuit board, which utilizes the method for forming a metal fine particle sintered thin film conductor layer according to the present invention described above. Also offers
That is, the method for forming a conductive metal thin film or metal wiring according to the present invention is as follows.
A method of forming a conductive metal thin film or metal wiring on a substrate,
The conductive metal thin film or metal wiring is formed using a metal fine particle sintered body type thin film conductor layer,
The step of forming the metal fine particle sintered body type thin film conductor layer on the substrate includes:
A method for forming a conductive metal thin film or metal wiring, characterized in that it is carried out using the method for forming a metal fine particle sintered compact type thin film conductor layer according to the present invention having any one of the above-described configurations. .
また、本発明にかかる配線回路基板の発明は、
基板表面に、導電性金属薄膜または金属配線からなる配線回路パターンが形成されている配線回路基板であって、
基板表面に形成されている、前記導電性金属薄膜または金属配線からなる配線回路パターンは、
金属微粒子焼結体型の薄膜導電体層を利用して形成されており、
基板上の該金属微粒子焼結体型の薄膜導電体層は、
上述する構成のいずれかを有する、本発明にかかる金属微粒子焼結体型の薄膜導電体層の形成方法を用いて形成される、金属微粒子焼結体型の薄膜導電体層である
ことを特徴とする、配線回路基板である。
The invention of the printed circuit board according to the present invention is as follows:
A wiring circuit board in which a wiring circuit pattern made of a conductive metal thin film or metal wiring is formed on the substrate surface,
The wiring circuit pattern formed of the conductive metal thin film or metal wiring formed on the substrate surface is
It is formed using a metal fine particle sintered body type thin film conductor layer,
The metal fine particle sintered body type thin film conductor layer on the substrate is:
A metal fine particle sintered body type thin film conductor layer formed by using the method of forming a metal fine particle sintered body type thin film conductor layer according to the present invention having any one of the above-described configurations. , A printed circuit board.
なお、本発明の実施形態において形成される、金属微粒子焼結体型の薄膜導電体層の膜厚は、0.1μm〜30μmの範囲、より好ましくは、0.5μm〜20μmの範囲、さらに好ましくは0.5μm〜5μmの範囲に選定することが望ましい。 The film thickness of the metal fine particle sintered body type thin film conductor layer formed in the embodiment of the present invention is in the range of 0.1 μm to 30 μm, more preferably in the range of 0.5 μm to 20 μm, and still more preferably. It is desirable to select in the range of 0.5 μm to 5 μm.
本発明にかかる金属微粒子焼結体型の薄膜導電体層の形成方法では、金、銀、銅などの単体金属または合金の金属ナノ粒子を利用する金属微粒子分散液に依る、高い描画精度を生かし、微細なパターンを有する金属微粒子の塗布層を形成する。その上で、分散液中における金属微粒子相互の凝集を防止する目的で金属微粒子の表面に設けられている、分散剤の被覆分子層を除去し、金属微粒子相互の焼結を行う工程を、塗布層表面から電子線、紫外線などのエネルギー線の照射後、または、照射と同時に、加熱処理を施すことで、加熱処理温度を200℃以下に選択しても、従前の250℃以上の加熱処理と遜色のない、良好な導電性を示す金属微粒子焼結体層を形成することが可能となる。この電子線、紫外線などのエネルギー線の照射に因る、加熱処理温度の低減効果は、金属微粒子焼結体型の薄膜導電体層を作製する際、その基材として利用する基板材料における、耐熱性の制限を格段に緩和している。 In the method of forming a metal fine particle sintered body type thin film conductor layer according to the present invention, taking advantage of high drawing accuracy based on a metal fine particle dispersion using metal nanoparticles of a single metal or an alloy such as gold, silver, and copper, A coating layer of fine metal particles having a fine pattern is formed. In addition, the step of removing the coating molecular layer of the dispersant provided on the surface of the metal fine particles for the purpose of preventing the mutual aggregation of the metal fine particles in the dispersion and performing the sintering of the metal fine particles is applied. Even if the heat treatment temperature is selected to be 200 ° C. or less by performing heat treatment from the surface of the layer after irradiation of energy rays such as electron beams and ultraviolet rays, or simultaneously with the irradiation, It is possible to form a metal fine particle sintered body layer having good conductivity and no inferiority. The effect of reducing the heat treatment temperature due to the irradiation of energy beams such as electron beams and ultraviolet rays is due to the heat resistance of the substrate material used as the base material when the metal fine particle sintered body type thin film conductor layer is produced. The restrictions are greatly relaxed.
従来、金属微粒子を用いた導電性金属薄膜または金属配線の形成方法において塗布膜の導通を行うには一般的には加熱による方法が広く行われていた。しかしながら金属微粒子を互いに融着させ、低抵抗の導電性金属薄膜または金属配線を作製するには、200℃以上の加熱温度が必要であった。それゆえ耐熱性に乏しいプラスチック、紙などの基材に対して金属微粒子を用いた導電性金属薄膜または金属配線の作製は困難であり、金属微粒子分散液を用いた導電性金属薄膜または金属配線の形成方法は幅広い用途展開ができなかった。従って、本発明にかかる金属微粒子焼結体型の薄膜導電体層の形成方法は、耐熱性に乏しい基材に対しても十分適応できる温度範囲において、金属微粒子分散液を用いた導電性金属薄膜または金属配線の作製方法を提供している。例えば、本発明の方法を適用すると、金、銀、銅などの金属または合金の金属微粒子を分散媒中に安定に分散した金属微粒子分散液を利用して、基材面に目的とする描画パターンを直接、塗布・描画した上で、エネルギー線照射を利用することによって、電子部品に影響を及ぼさない50℃〜150℃の温度で焼結を行い良好な金属薄膜が得られる。この利点は、多層配線板、ICカード等のアンテナの回路について一層の微細化を与えると共に、高い生産性の向上を図ることができる。また、従来の金属薄膜を形成した後、目的とする微細パターンにエッチング加工する方法、あるいは、目的とする微細パターンのメッキマスクを利用して、メッキ法で金属薄膜を形成する方法等に比べ、それらの工程で発生する廃液処理等の観点においても、環境負荷を減らすことに貢献することができる。 Conventionally, in order to conduct a coating film in a method of forming a conductive metal thin film or metal wiring using metal fine particles, a method by heating has been widely performed. However, a heating temperature of 200 ° C. or higher is required to fuse metal fine particles to each other to produce a low-resistance conductive metal thin film or metal wiring. Therefore, it is difficult to produce a conductive metal thin film or metal wiring using metal fine particles on a substrate such as plastic or paper having poor heat resistance, and the conductive metal thin film or metal wiring using a metal fine particle dispersion is difficult. The forming method could not be used in a wide range of applications. Therefore, the method for forming a metal fine particle sintered body type thin film conductor layer according to the present invention is a conductive metal thin film using a metal fine particle dispersion in a temperature range that can be sufficiently applied to a substrate having poor heat resistance. A method for manufacturing metal wiring is provided. For example, when the method of the present invention is applied, a target drawing pattern is formed on a substrate surface using a metal fine particle dispersion in which metal fine particles of a metal or alloy such as gold, silver, copper, etc. are stably dispersed in a dispersion medium. After applying and drawing directly, by using energy ray irradiation, sintering is performed at a temperature of 50 ° C. to 150 ° C. which does not affect the electronic component, and a good metal thin film is obtained. This advantage can provide further miniaturization of an antenna circuit such as a multilayer wiring board or an IC card, and can improve productivity. In addition, after forming a conventional metal thin film, etching to a desired fine pattern, or using a plating mask of the desired fine pattern, compared to a method of forming a metal thin film by plating, etc. Also from the viewpoint of treatment of waste liquid generated in these processes, it can contribute to reducing the environmental load.
本発明にかかる金属微粒子焼結体型の薄膜導電体層の形成方法では、薄膜導電体層を形成する基板に利用される基材、あるいは、基板に既に実装されている電子部品に対して、可能な限り加熱処理に伴う材料劣化の進行、電子部品性能への影響を抑制するために、金属微粒子焼結体の形成に要する加熱処理を、好ましくは、50℃〜150℃の温度範囲で行っている。そのため、従来の、250℃以上の加熱を必要とする、金属微粒子の表面被覆分子層を除去し、その後、金属微粒子自体の焼結を行う工程では、150℃以下の低温加熱処理で焼結を進行させるため、下記する手段を利用している。 In the method of forming a metal fine particle sintered body type thin film conductor layer according to the present invention, it is possible for a base material used for a substrate on which the thin film conductor layer is formed or an electronic component already mounted on the substrate. In order to suppress the progress of the material deterioration accompanying the heat treatment and the influence on the performance of electronic components as much as possible, the heat treatment required for forming the metal fine particle sintered body is preferably performed in a temperature range of 50 ° C. to 150 ° C. Yes. Therefore, in the conventional process of removing the surface coating molecular layer of metal fine particles that requires heating at 250 ° C. or higher, and thereafter sintering the metal fine particles themselves, sintering is performed by low-temperature heat treatment at 150 ° C. or lower. In order to proceed, the following means are used.
まず、本発明にかかる金属微粒子焼結体型の薄膜導電体層の形成方法では、
(1)基板上に金属微粒子分散液を塗布する工程、
基板上に塗布されている金属微粒子の層に、エネルギー線を照射する工程、
および、低温加熱処理によって、塗布されている金属微粒子の層を焼成する工程を経て、導電性金属薄膜または金属配線に利用可能な金属微粒子焼結体型の薄膜導電体層を作製する。
(2)導電性金属薄膜または金属配線に利用するため、焼結体の構成に用いる金属微粒子の金属種には、金、銀、銅、白金、パラジウム、ロジウム、ルテニウム、ニッケル、アルミニウムから選ばれる一種またはこれらの二種以上の合金を用いて、これら導電性に優れた金属材料からなる、金属微粒子焼結体型の薄膜導電体層を作製する。
(3)150℃以下の低温加熱処理によって、塗布されている金属微粒子の層を焼成するので、平均粒子径が1〜100nmである上記金属微粒子を用いる。
(4)基板上に塗布されている金属微粒子の層に照射されるエネルギー線として、電子線または紫外線照射を利用する。従って、基板上に塗布されている金属微粒子の層に対して、その表面に選択的にエネルギー線照射を施し、それ以外の基板面に対しては、エネルギー線照射を行わないという、高い照射位置の選択性が得られる。
(5)基板上に塗布されている金属微粒子の層に、エネルギー線、例えば、電子線または紫外線を照射し、50〜150℃に加熱することで、エネルギー線照射が施された金属微粒子の層では金属微粒子の焼結が進行して、目的とする微細パターンの導電性金属薄膜または金属配線の作製が可能となる。
(6)金属微粒子分散液中に、エネルギー線照射により酸成分を発生する化合物を添加し、基板上に塗布されている金属微粒子の層表面にエネルギー線照射を施した際、酸成分を発生させることで、金属微粒子表面を被覆する分散剤除去の促進を図る。
First, in the method for forming a metal fine particle sintered body type thin film conductor layer according to the present invention,
(1) A step of applying a metal fine particle dispersion on a substrate,
Irradiating energy rays to a layer of fine metal particles applied on a substrate;
Then, through a step of firing the applied metal fine particle layer by low-temperature heat treatment, a metal fine particle sintered body type thin film conductor layer that can be used for a conductive metal thin film or metal wiring is produced.
(2) Since it is used for a conductive metal thin film or a metal wiring, the metal species of the metal fine particles used for the structure of the sintered body is selected from gold, silver, copper, platinum, palladium, rhodium, ruthenium, nickel, and aluminum. By using one kind or two or more kinds of these alloys, a metal fine particle sintered body type thin film conductor layer made of a metal material having excellent conductivity is prepared.
(3) Since the applied metal fine particle layer is fired by a low-temperature heat treatment at 150 ° C. or lower, the metal fine particles having an average particle diameter of 1 to 100 nm are used.
(4) An electron beam or ultraviolet irradiation is used as an energy beam applied to the metal fine particle layer applied on the substrate. Therefore, a high irradiation position where energy beam irradiation is selectively performed on the surface of the metal fine particle layer applied on the substrate and energy beam irradiation is not performed on the other substrate surface. Selectivity is obtained.
(5) A layer of metal fine particles that has been irradiated with energy rays by irradiating a layer of metal fine particles applied on the substrate with energy rays, for example, electron beams or ultraviolet rays, and heating to 50 to 150 ° C. Then, the sintering of the metal fine particles proceeds, and it becomes possible to produce a conductive metal thin film or metal wiring having a desired fine pattern.
(6) A compound that generates an acid component by energy ray irradiation is added to the metal fine particle dispersion, and the acid component is generated when the surface of the metal fine particle layer coated on the substrate is irradiated with energy beam. Thus, the removal of the dispersant covering the surface of the metal fine particles is promoted.
以上のように、金属微粒子の分散液中における分散性を維持する目的で利用されている、金属微粒子表面を被覆している分散剤を除去する手段として、従来は、250℃以上の温度の加熱を要する、熱的な活性化、離脱過程を利用していた。一方、本発明にかかる金属微粒子焼結体型の薄膜導電体層の形成方法では、塗布されている金属微粒子の層に、電子線または紫外線などのエネルギー線を照射することにより、金属微粒子表面を被覆している分散剤を直接、振動励起がなされた「活性化」状態とする上、金属原子との間での結合力の低減もなされ、脱離が起こり易くなるという現象を利用している。この分散剤分子と金属原子との間での結合力の低減が進む現象は、金属原子と分散剤分子との結合は、金属元素と配位的な結合を形成する際、窒素、酸素、またはイオウ原子上の孤立電子対を有する基を利用することに由来している。 As described above, as a means for removing the dispersant covering the surface of the metal fine particles, which has been used for the purpose of maintaining the dispersibility of the metal fine particles in the dispersion, heating at a temperature of 250 ° C. or higher has been conventionally performed. It took advantage of the thermal activation and withdrawal process. On the other hand, in the method for forming a metal fine particle sintered body type thin film conductor layer according to the present invention, the surface of the metal fine particles is coated by irradiating the applied metal fine particle layer with an energy beam such as an electron beam or an ultraviolet ray. In addition to directly bringing the dispersing agent into an “activated” state in which vibrational excitation has been performed, the bonding force with the metal atom is also reduced, and the phenomenon that desorption is likely to occur is utilized. The phenomenon in which the bond strength between the dispersant molecule and the metal atom is further reduced is that the bond between the metal atom and the dispersant molecule forms a coordinate bond with the metal element, such as nitrogen, oxygen, or This is derived from the use of a group having a lone pair of electrons on a sulfur atom.
例えば、分散剤分子に正の電荷を有する分子種が接近すると、分散剤分子が有する、窒素、酸素、またはイオウ原子上の孤立電子対を利用して、この正の電荷を有する分子種と、複合体形成を起こし易い。その際、分散剤分子と金属原子との間での結合力は、低減されることになる。また、金属微粒子に負の電荷が付与されると、分散剤分子が有する、窒素、酸素、またはイオウ原子上の孤立電子対を利用している、金属原子と分散剤分子との配位的な結合力は、大幅に低減される。 For example, when a molecular species having a positive charge approaches the dispersant molecule, the lone electron pair on the nitrogen, oxygen, or sulfur atom of the dispersant molecule is utilized to Complex formation is likely to occur. At that time, the binding force between the dispersant molecule and the metal atom is reduced. In addition, when a negative charge is imparted to the metal fine particles, the coordination between the metal atom and the dispersant molecule using the lone electron pair on the nitrogen, oxygen, or sulfur atom that the dispersant molecule has. The binding force is greatly reduced.
加えて、金属微粒子表面を被覆している分散剤を直接、振動励起がなされた「活性化」状態とすると、熱的な「活性化」によって、振動励起がなされた場合と同様に、離脱過程の促進化が図られる。さらに、被覆されている分散剤の除去がなされると、金属微粒子自体の表面に対して、エネルギー線照射を行うと、活性化がなされ、金属微粒子同士の融着が起こりやすくなる現象をも、本発明者らは併せて見出した。 In addition, when the dispersant covering the surface of the metal fine particles is directly in the “activated” state in which vibration excitation is performed, the dissociation process is performed in the same manner as in the case where vibration excitation is performed by thermal “activation”. Is promoted. In addition, when the coated dispersant is removed, the surface of the metal fine particles themselves is activated when irradiated with energy rays, and the phenomenon that the metal fine particles are likely to be fused with each other, The inventors have also found out.
その他、金属微粒子表面は、被覆している分散剤によって、保護されており、通常、表面に酸化被膜の存在は抑制されている。仮に、金属微粒子表面の一部に酸化被膜が存在していても、例えば、銀ナノ粒子表面に酸化銀(AgO)の酸化被膜が存在しても、減圧状態下、100℃程度に加熱すると、酸化銀(AgO)は、金属銀と酸素分子へと分解する。あるいは、系内に、アルコール性ヒドコキシ基を有する化合物が存在すると、−CH2(OH)、−CH(OH)−から、酸化銀(AgO)の酸化剤として機能を利用して、アルデヒド型−CHO、ケトン型の−CO−へと変換される。一方、表面も酸化銀(AgO)型の酸化被膜は、還元され、金属Agとなる。この反応も、金属酸化被膜、例えば、酸化銀(AgO)は半導体として機能し、紫外線励起に伴い、光キャリアが生成する、あるいは、金属酸化被膜へ電子の注入がなされると、一般に促進がなされる。 In addition, the surface of the metal fine particle is protected by a coating dispersant, and the presence of an oxide film is usually suppressed on the surface. Even if an oxide film is present on a part of the surface of the metal fine particle, for example, even if an oxide film of silver oxide (AgO) is present on the surface of the silver nanoparticle, when heated to about 100 ° C. under reduced pressure, Silver oxide (AgO) decomposes into metallic silver and oxygen molecules. Alternatively, when a compound having an alcoholic hydroxyl group is present in the system, aldehyde-type -CH 2 (OH), -CH (OH)-is utilized as a oxidant for silver oxide (AgO). Converted to CHO, ketone type -CO-. On the other hand, a silver oxide (AgO) type oxide film on the surface is reduced to metal Ag. This reaction is also generally promoted when a metal oxide film, for example, silver oxide (AgO), functions as a semiconductor and photocarriers are generated or electrons are injected into the metal oxide film upon excitation with ultraviolet light. The
これらの各過程は、何れも、基板上に塗布されている金属微粒子の層に、エネルギー線、例えば、電子線または紫外線を照射することで促進され、50〜150℃に加熱することで、金属微粒子(ナノ粒子)の焼結体の形成が可能となる。 Each of these processes is promoted by irradiating the metal fine particle layer coated on the substrate with an energy ray, for example, an electron beam or an ultraviolet ray, and heated to 50 to 150 ° C. A sintered body of fine particles (nanoparticles) can be formed.
以下に、本発明に関してより詳しく説明する。その際、説明の便宜上、「平均粒子径が8nmの銀ナノ粒子」を金属微粒子として用いる実施形態を利用して、具体的な説明を行った記載を含むが、本発明は、勿論、この銀ナノ粒子を利用する形態に限定されるものではない。 Hereinafter, the present invention will be described in more detail. At that time, for convenience of explanation, the description using the embodiment using “silver nanoparticles having an average particle diameter of 8 nm” as the metal fine particles is included, but the present invention naturally includes the silver. It is not limited to the form using nanoparticles.
[金属微粒子分散液]
本発明においては、低温加熱処理によって、金属微粒子相互の焼結がなされ、金属微粒子焼結体型の薄膜導電体層の形成を行う。
[Metal fine particle dispersion]
In the present invention, the metal fine particles are sintered with each other by the low-temperature heat treatment, and the metal fine particle sintered body type thin film conductor layer is formed.
従って、利用する金属微粒子は、低温加熱処理によって、金属微粒子相互の焼結がなされる、平均粒子径が1〜100nmの範囲の金属微粒子を利用する。また、形成される金属微粒子焼結体型の薄膜導電体層は、配線回路基板において、その基板表面の導電性金属薄膜または金属配線からなる配線回路パターンの形成に利用するため、金属微粒子を構成する金属材料自体は、ハンダ接合を行う温度では、融解しないものが望ましい。従って、少なくとも200℃を超える融点を示す金属材料で構成される金属微粒子を用いることが望ましい。例えば、金、銀、銅、白金、パラジウム、ロジウム、ルテニウム、ニッケル、アルミニウムからなる金属元素の群から選択される、単体金属種、または、二種以上の金属種からなる合金であることが好ましい。 Therefore, the metal fine particles to be used are metal fine particles having an average particle diameter in the range of 1 to 100 nm, which are sintered with each other by low-temperature heat treatment. In addition, the metal fine particle sintered body type thin film conductor layer to be formed constitutes metal fine particles for use in forming a wiring circuit pattern made of a conductive metal thin film or metal wiring on the surface of the wiring circuit board. It is desirable that the metal material itself does not melt at the temperature at which solder bonding is performed. Therefore, it is desirable to use metal fine particles composed of a metal material having a melting point exceeding 200 ° C. For example, a single metal species selected from the group of metal elements consisting of gold, silver, copper, platinum, palladium, rhodium, ruthenium, nickel, and aluminum, or an alloy consisting of two or more metal species is preferable. .
この金属微粒子相互の焼結を行う条件は、50℃以上、少なくとも200℃を超えない温度範囲に選択される加熱温度、非酸化性ガス雰囲気下における、低温加熱処理が利用される。その際、加熱温度は、50℃〜150℃の範囲とすることがより望ましい。なお、ナノサイズの平均粒子径を有する、金属微粒子相互の焼結を、加熱温度は、50℃〜150℃の範囲とした上で、実用的な時間内で完了させるためには、前記金属微粒子の平均粒子径は、20nm以下に選択することが望ましい。 As the conditions for performing the sintering between the metal fine particles, a heating temperature selected in a temperature range of 50 ° C. or higher and at least not exceeding 200 ° C., and a low-temperature heat treatment in a non-oxidizing gas atmosphere are used. At that time, the heating temperature is more preferably in the range of 50 ° C to 150 ° C. In order to complete the sintering between metal fine particles having an average particle size of nano size within a practical time after the heating temperature is in the range of 50 ° C. to 150 ° C., the metal fine particles It is desirable to select an average particle size of 20 nm or less.
前記の低温加熱処理に際して利用される非酸化性ガスとしては、金属微粒子を構成する金属の酸化を引き起こさない限り、そのガスの種類は問わない。なお、好適に利用可能な非酸化性ガスとして、アルゴンガス、ヘリウムガス、ネオンガス、窒素ガス、窒素・水素混合ガス、炭酸ガスなどを挙げることができる。なお、エネルギー線照射処理を施した金属微粒子塗布層は、表面活性が高くなっており、酸素分子のような酸化性ガスの存在下で、50℃以上の加熱処理を施すと、かかる表面が酸化等による変質が生起されるので、低温加熱処理時の雰囲気中における酸化性ガスの存在は不適当である。 The non-oxidizing gas used in the low-temperature heat treatment is not limited as long as it does not cause oxidation of the metal constituting the metal fine particles. Examples of the non-oxidizing gas that can be suitably used include argon gas, helium gas, neon gas, nitrogen gas, nitrogen / hydrogen mixed gas, and carbon dioxide gas. The metal fine particle coating layer that has been subjected to the energy beam irradiation treatment has a high surface activity, and when subjected to a heat treatment at 50 ° C. or higher in the presence of an oxidizing gas such as oxygen molecules, the surface is oxidized. Therefore, the presence of an oxidizing gas in the atmosphere during the low-temperature heat treatment is inappropriate.
一方、作製する金属微粒子焼結体型の薄膜導電体層の膜厚に対して、用いる金属微粒子の平均粒子径が過度に小さくなると、得られる焼結体型の薄膜導電体層の導電率を高める上で、一般に好ましくない。例えば、作製する金属微粒子焼結体型の薄膜導電体層の膜厚を0.5μm〜2μmの範囲とする際には、用いる金属微粒子の平均粒子径は、少なくとも、薄膜導電体層の膜厚の1/100〜1/500程度以上の範囲に選択することが望ましい。換言するならば、用いる金属微粒子の平均粒子径は、5nm以上の範囲に選択することが好ましい。従って、実用上の観点から、利用する金属微粒子の平均粒子径は、5〜20nmの範囲に選択されることがより好ましい。 On the other hand, if the average particle diameter of the metal fine particles used is excessively small relative to the thickness of the metal fine particle sintered thin film conductor layer to be produced, the conductivity of the resulting sintered thin film conductor layer is increased. In general, it is not preferable. For example, when the film thickness of the metal fine particle sintered body type thin film conductor layer to be produced is in the range of 0.5 μm to 2 μm, the average particle diameter of the metal fine particles used is at least the film thickness of the thin film conductor layer. It is desirable to select in the range of about 1/100 to 1/500 or more. In other words, the average particle diameter of the metal fine particles to be used is preferably selected in the range of 5 nm or more. Therefore, from a practical viewpoint, the average particle diameter of the metal fine particles to be used is more preferably selected in the range of 5 to 20 nm.
この金属微粒子は、該金属微粒子の表面に、金属微粒子相互の凝集を防止する機能を有する、分散剤の被覆分子層を設けて、該被覆分子層を有する金属微粒子の形態で、有機溶剤を含む液相分散媒中に分散されている。形成する薄膜導電体層の膜厚、その形状パターンに応じて、かかる金属微粒子分散液を基板表面に塗布して、金属微粒子分散液塗布膜層を形成する。この金属微粒子分散液の塗布・パターン描画・印刷手段としては、インクジェットやスクリーン印刷,ディスペンサー,含浸,スピンコートなどの各種手法が用いられる。 The metal fine particles include an organic solvent in the form of a metal fine particle having a coating molecular layer provided with a coating molecular layer of a dispersant having a function of preventing aggregation between the metal fine particles on the surface of the metal fine particle. It is dispersed in a liquid phase dispersion medium. According to the film thickness of the thin film conductor layer to be formed and its shape pattern, the metal fine particle dispersion is applied to the substrate surface to form a metal fine particle dispersion coating film layer. Various means such as ink jet, screen printing, dispenser, impregnation, and spin coating are used as means for applying, pattern drawing, and printing of the metal fine particle dispersion.
利用する塗布・パターン描画・印刷手段に応じて、金属微粒子分散液の液粘度を適宜調節することが必要となる。例えば、微細な塗布パターンの描画にスクリーン印刷を利用する際には、金属微粒子分散液は、その液粘度を、30〜300 Pa・s(25℃)の範囲に選択することが望ましい。 It is necessary to appropriately adjust the liquid viscosity of the metal fine particle dispersion in accordance with the application / pattern drawing / printing means to be used. For example, when screen printing is used for drawing a fine coating pattern, it is desirable to select the liquid viscosity of the metal fine particle dispersion in the range of 30 to 300 Pa · s (25 ° C.).
また、オフセット、樹脂凸版印刷を利用する際には、液粘度を、10〜500 Pa・s(25℃)の範囲に選択することが望ましい。フレキソ印刷を利用する際には、液粘度を、100〜5000 mPa・s(25℃)の範囲に選択することが望ましい。グラビア印刷を利用する際には、液粘度を、1〜100 mPa・s(25℃)の範囲に選択することが望ましい。 Moreover, when using offset and resin letterpress printing, it is desirable to select the liquid viscosity in the range of 10 to 500 Pa · s (25 ° C.). When using flexographic printing, it is desirable to select the liquid viscosity in the range of 100 to 5000 mPa · s (25 ° C.). When using gravure printing, it is desirable to select the liquid viscosity in the range of 1 to 100 mPa · s (25 ° C.).
インクジェット印刷を利用する際には、液粘度を、1〜100 mPa・s(25℃)の範囲に選択することが望ましい。金属微粒子分散液の液粘度は、用いる金属微粒子の平均粒子径、分散濃度、用いている分散媒、例えば、含まれる有機溶剤(希釈溶媒)の種類に依存して決まり、前記の三種の因子を適宜選択して、目的とする液粘度に調節することができる。 When using inkjet printing, it is desirable to select the liquid viscosity in the range of 1 to 100 mPa · s (25 ° C.). The liquid viscosity of the metal fine particle dispersion is determined depending on the average particle diameter of the metal fine particles to be used, the dispersion concentration, the dispersion medium being used, for example, the type of the organic solvent (dilution solvent) contained, and the above three types of factors are determined. It can be appropriately selected and adjusted to the target liquid viscosity.
[分散剤の被覆分子層]
本発明において利用する、金属微粒子分散液において分散質の金属微粒子は、該金属微粒子の表面に、金属微粒子相互の凝集を防止する機能を有する、分散剤の被覆分子層を設けて、該被覆分子層を有する金属微粒子の形態で、有機溶剤を含む液相分散媒中に分散されている。
[Dispersant coating molecular layer]
In the metal fine particle dispersion used in the present invention, the dispersoid metal fine particles are provided with a coating molecular layer of a dispersant having a function of preventing aggregation of metal fine particles on the surface of the metal fine particles. It is dispersed in a liquid phase dispersion medium containing an organic solvent in the form of metal fine particles having a layer.
この金属微粒子相互の凝集を防止する機能を有する、分散剤の被覆分子層には、金属微粒子を構成している金属材料において、その表面に露呈している金属原子に対して、配位可能な有機化合物が利用されている。 The coating molecular layer of the dispersant having a function of preventing mutual aggregation of the metal fine particles can be coordinated to the metal atoms exposed on the surface of the metal material constituting the metal fine particles. Organic compounds are used.
この金属微粒子表面の緻密な被覆分子層に利用される有機化合物は、金属元素と配位的な結合を形成する際、窒素、酸素、またはイオウ原子上の孤立電子対を有する基を利用するもので、例えば、窒素原子を含む基として、アミノ基が挙げられる。また、イオウ原子を含む基としては、スルファニル基(−SH)、スルフィド型のスルファンジイル基(−S−)が挙げられる。また、酸素原子を含む基としては、ヒドロキシ基、エーテル型のオキシ基(−O−)が挙げられる。 The organic compound used for the dense coating molecular layer on the surface of the metal fine particle uses a group having a lone electron pair on a nitrogen, oxygen, or sulfur atom when forming a coordinate bond with the metal element. For example, an amino group is mentioned as a group containing a nitrogen atom. Examples of the group containing a sulfur atom include a sulfanyl group (—SH) and a sulfide type sulfanediyl group (—S—). Examples of the group containing an oxygen atom include a hydroxy group and an ether type oxy group (—O—).
利用可能なアミノ基を有する化合物の代表として、アルキルアミン、ジアミンなどのアミン化合物を挙げることができる。なお、かかるアミン化合物は、金属元素と配位的な結合を形成した状態で、通常の保管環境、具体的には、40℃に達しない範囲では、脱離しないものが好適である。また、利用可能なスルファニル基(−SH)を有する化合物の代表として、アルカンチオール、アルカンジチオールなどを挙げることができる。なお、かかるアルカンチオール、アルカンジチオールも、金属元素と配位的な結合を形成した状態で、通常の保管環境、具体的には、40℃に達しない範囲では、脱離しないものが好適である。さらに、利用可能なヒドロキシ基を有する化合物の代表として、アルカンジオールを挙げることができる。なお、かかるアルカンジオールも、金属元素と配位的な結合を形成した状態で、通常の保管環境、具体的には、40℃に達しない範囲では、脱離しないものが好適である。 Typical examples of the compound having an amino group that can be used include amine compounds such as alkylamines and diamines. In addition, it is preferable that the amine compound does not desorb in a normal storage environment, specifically, in a range not reaching 40 ° C. in a state in which a coordinate bond is formed with the metal element. Moreover, alkanethiol, alkanedithiol, etc. can be mentioned as a representative of the compound which has sulfanyl group (-SH) which can be utilized. In addition, such alkanethiol and alkanedithiol are preferably those that do not desorb in a normal storage environment, specifically in a range not reaching 40 ° C., in a state in which a coordinate bond is formed with the metal element. . Furthermore, alkanediol can be mentioned as a representative of the compound which has a hydroxyl group which can be utilized. In addition, it is preferable that the alkanediol is not desorbed in a state in which a coordinate bond is formed with the metal element and in a normal storage environment, specifically, in a range not reaching 40 ° C.
なお、金属微粒子の焼結が進む低温加熱過程に先立ち、エネルギー線照射を施すことで、分散剤として利用する有機化合物は、金属微粒子の表面から、離脱する、あるいは、僅かに加熱を加えることで、離脱可能とされている。その後、低温加熱過程において、金属微粒子の表面から離脱した後、分散剤として利用する有機化合物は、蒸散・除去可能なものがより好適に利用できる。従って、金属微粒子表面の被覆分子層は、該分散剤として、その沸点は、150℃以上、350℃以下の範囲であって、アミン類、アルコール類、フェノール類、チオール類からなる群より選択される、一種類の分散剤分子、または、二種類以上の分散剤分子を利用して、形成することが好ましい。 Prior to the low-temperature heating process in which the sintering of the metal fine particles proceeds, the organic compound used as the dispersant is released from the surface of the metal fine particles or is slightly heated by applying energy beam irradiation. It is possible to leave. Thereafter, in the low-temperature heating process, an organic compound that can be transpired and removed after being detached from the surface of the metal fine particles can be suitably used. Accordingly, the coating molecular layer on the surface of the metal fine particles has a boiling point in the range of 150 ° C. or higher and 350 ° C. or lower as the dispersant, and is selected from the group consisting of amines, alcohols, phenols, and thiols. It is preferable to form using one type of dispersant molecule or two or more types of dispersant molecules.
金属微粒子として、例えば、銀ナノ粒子を利用する場合、2−メチルアミノエタノール,ジエタノールアミン、ブトキシプロピルアミン、ジエチルメチルアミン、2−ジメチルアミノエタノール、メチルジエタノールアミンなどのアミン化合物や、アルキルアミン類、エチレンジアミンなど、
アルキルアルコール類、エチレングリコール、プロピレングリコール、
アルキルチオール類、シクロヘキシルチオール等の脂環式チオール類、エタンジチオールなどが好適に利用可能である。
For example, when silver nanoparticles are used as the metal fine particles, amine compounds such as 2-methylaminoethanol, diethanolamine, butoxypropylamine, diethylmethylamine, 2-dimethylaminoethanol, methyldiethanolamine, alkylamines, ethylenediamine, etc. ,
Alkyl alcohols, ethylene glycol, propylene glycol,
Alkyl thiols, alicyclic thiols such as cyclohexyl thiol, ethanedithiol and the like can be suitably used.
これら金属微粒子表面を被覆する分子層は、金属微粒子相互が直接金属表面を接触させ、金属微粒子相互の凝集を引き起こすことを防止する機能を有している。また、有機溶剤を含む液相分散媒中に均一に分散する上で、そのアルキル鎖などを利用して、有機溶剤中において、その分散性を保持する分散剤としての機能も発揮している。 These molecular layers covering the surfaces of the metal fine particles have a function of preventing the metal fine particles from directly contacting the metal surfaces to cause aggregation of the metal fine particles. In addition, when uniformly dispersed in a liquid phase dispersion medium containing an organic solvent, the function as a dispersant for maintaining the dispersibility in the organic solvent is exhibited by utilizing the alkyl chain and the like.
一方、金属微粒子の表面を被覆している、配位結合可能な化合物は、例えば、エネルギー線照射による励起に伴い、酸成分を発生する化合物の存在下、その励起エネルギー源として、エネルギー線、例えば、電子線や紫外線を照射し、更に、50℃〜150℃程度に加熱すると、発生した酸を利用して化学反応を起こし、その除去を行うことが可能である。 On the other hand, the compound capable of coordinating and bonding, which covers the surface of the metal fine particles, is, for example, an energy beam, for example, as an excitation energy source in the presence of a compound that generates an acid component upon excitation by energy beam irradiation. When irradiated with an electron beam or ultraviolet light and further heated to about 50 ° C. to 150 ° C., it is possible to cause a chemical reaction using the generated acid and to remove it.
[エネルギー線照射源]
本発明において、エネルギー線照射処理工程では、電子線または紫外線を主に利用する。
[Energy beam irradiation source]
In the present invention, an electron beam or ultraviolet rays are mainly used in the energy beam irradiation treatment step.
電子線を利用する際には、その加速電圧は、50kV〜200kVの範囲に選択することが好ましい。 When using an electron beam, the acceleration voltage is preferably selected in the range of 50 kV to 200 kV.
一般に、電子線源としては、加速電圧100kV以下の超低加速電圧電子線照射装置、加速電圧100〜300kVの低加速電圧電子線照射装置、300〜800kVの中加速電圧電子線照射装置、および1000kV以上の高加速電圧電子線照射装置が知られているが、これらのうち、選択された加速電圧に適する電子線源を選択する。従って、加速電圧が50kV〜200kVの範囲で使用可能な電子線源は、加速電圧100kV以下の超低加速電圧電子線照射装置、あるいは、加速電圧100〜300kVの低加速電圧電子線照射装置のいずれかである。 In general, as an electron beam source, an ultra-low acceleration voltage electron beam irradiation apparatus having an acceleration voltage of 100 kV or less, a low acceleration voltage electron beam irradiation apparatus having an acceleration voltage of 100 to 300 kV, a medium acceleration voltage electron beam irradiation apparatus of 300 to 800 kV, and 1000 kV The high acceleration voltage electron beam irradiation apparatus described above is known, and among these, an electron beam source suitable for the selected acceleration voltage is selected. Therefore, an electron beam source that can be used in an acceleration voltage range of 50 kV to 200 kV is either an ultra-low acceleration voltage electron beam irradiation apparatus with an acceleration voltage of 100 kV or less, or a low acceleration voltage electron beam irradiation apparatus with an acceleration voltage of 100 to 300 kV. It is.
エネルギー線照射処理工程において、紫外線照射を利用する場合、光源としては、波長180〜400nmの近紫外線領域を利用することが、一般に好ましい。場合によっては、近紫外線領域に加えて、青色、紫色領域の近接する可視光(波長400〜500nm)をも併用することも可能である。 When using ultraviolet irradiation in the energy ray irradiation treatment step, it is generally preferable to use a near ultraviolet region having a wavelength of 180 to 400 nm as the light source. In some cases, in addition to the near-ultraviolet region, visible light (wavelength 400 to 500 nm) in the blue and violet regions can be used in combination.
前記波長180〜400nmの近紫外線領域の紫外線、ならびに、青色、紫色領域の近接する可視光(波長400〜500nm)の光源としては、例えば、低圧水銀ランプ、高圧水銀ランプ、超高圧水銀ランプ、メタルハライドランプ、ケミカルランプ、ブラックライトランプ、水銀−キセノンランプ、エキシマランプ、ショートアーク灯、ヘリウム−カドニウムレーザー、アルゴンレーザー、エキシマレーザー、UV無電極ランプなどが挙げられる。例えば、水銀の原子線は、184.9nm、253.7nm、365.0nm、435.8nmに輝線を示す。 Examples of the light source of near ultraviolet light having a wavelength of 180 to 400 nm and visible light (wavelength 400 to 500 nm) in the blue and violet regions are low pressure mercury lamps, high pressure mercury lamps, ultrahigh pressure mercury lamps, metal halides. Examples include lamps, chemical lamps, black light lamps, mercury-xenon lamps, excimer lamps, short arc lamps, helium-cadmium lasers, argon lasers, excimer lasers, and UV electrodeless lamps. For example, the atomic beam of mercury shows emission lines at 184.9 nm, 253.7 nm, 365.0 nm, and 435.8 nm.
以下に例示する、酸発生剤化合物、ラジカル発生剤化合物、増感剤化合物は、芳香族環を有しており、これらを添加すると、照射された近紫外線領域の紫外線は、一旦、これらの化合物に吸収される。その後、例えば、分散剤の被覆分子に対して、エネルギー移動を起こし、その分子内振動の励起を引き起こすことができる。また、金属微粒子の表面の格子振動へ、エネルギー移動を起こすことも可能となる。 The acid generator compound, radical generator compound, and sensitizer compound exemplified below have an aromatic ring, and when these are added, the irradiated ultraviolet rays in the near ultraviolet region are temporarily irradiated with these compounds. To be absorbed. Thereafter, for example, energy transfer can be caused to the coating molecule of the dispersant, and excitation of the intramolecular vibration can be caused. It is also possible to cause energy transfer to the lattice vibration on the surface of the metal fine particles.
加えて、酸発生剤化合物、ラジカル発生剤化合物に対して、近紫外線領域の紫外線の吸収が生じると、間接的に電子移動によって、金属微粒子に負電荷の注入が引き起こされる効果もある。あるいは、分散剤の被覆分子に対して、プロトン(H+)が間接的に供与されて、プロトン(H+)の供与を受けた被覆分子は、全体として、正電荷を有するものとなる。いずれの場合も、金属微粒子表面の金属原子に対する、被覆分子の配位結合に類する分子間結合力を大幅に低下することが可能となる。その結果、酸発生剤化合物、ラジカル発生剤化合物から、分散剤の被覆分子に対して、エネルギー移動を起こし、その分子内振動の励起を引き起こす効果をも利用して、金属微粒子表面から被覆分子の離脱が促進される。 In addition, when absorption of ultraviolet rays in the near ultraviolet region occurs with respect to the acid generator compound and radical generator compound, there is an effect that negative charges are injected into the metal fine particles indirectly by electron transfer. Alternatively, protons (H + ) are indirectly donated to the coating molecules of the dispersant, and the coating molecules that receive the donation of protons (H + ) have a positive charge as a whole. In any case, the intermolecular bonding force similar to the coordinate bond of the covering molecule to the metal atom on the surface of the metal fine particle can be greatly reduced. As a result, by utilizing the effect of causing energy transfer from the acid generator compound and radical generator compound to the coating molecules of the dispersant and causing excitation of the intramolecular vibration, The withdrawal is promoted.
電子線や紫外線などのエネルギー線の侵入深さは、金属微粒子塗布層の膜厚と比較すると有意に浅いが、塗布層膜厚が相対的に薄いならば、表面において、金属微粒子に負の電荷を注入すると、段階的に、下層の金属微粒子へと注入された電荷が拡散・伝播され、この効果は、塗布層膜厚の全体に及ぶことになる。従って、表面部だけでなく、薄い塗布層の深部でも、程度の差はあるものの、金属微粒子の表面を保護していた、被覆分子層の相当部分が除去される効果が得られる。 The penetration depth of energy beams such as electron beams and ultraviolet rays is significantly shallower than the coating thickness of the metal fine particle coating layer. However, if the coating layer thickness is relatively thin, the surface of the metal fine particles has a negative charge. Is injected stepwise, the injected charge is diffused and propagated to the lower metal fine particles, and this effect extends to the entire coating layer thickness. Therefore, not only the surface portion but also the deep portion of the thin coating layer, although there is a difference in degree, an effect of removing a substantial portion of the covering molecular layer that protects the surface of the metal fine particles can be obtained.
従って、本発明において、エネルギー線照射処理工程において、紫外線照射を利用する場合、照射される紫外線を有効に吸収し、その後、エネルギー移動過程に伴い、分散剤の被覆分子に対して、その分子内振動の励起を引き起こすことができる、酸発生剤化合物、ラジカル発生剤化合物、さらには、増感剤化合物を添加することが好ましい。この酸発生剤化合物、ラジカル発生剤化合物、さらには、増感剤化合物は、金属微粒子分散液中に添加して、乾燥処理済み金属微粒子塗布層において、表面被覆分子層を具えている金属微粒子に対して、その周囲に均一に分布する形態とする。 Therefore, in the present invention, when ultraviolet irradiation is used in the energy beam irradiation treatment step, the irradiated ultraviolet rays are effectively absorbed, and then, in the energy transfer process, with respect to the coating molecules of the dispersant, It is preferable to add an acid generator compound, a radical generator compound, and further a sensitizer compound capable of causing excitation of vibration. The acid generator compound, radical generator compound, and further sensitizer compound are added to the metal fine particle dispersion to form metal fine particles having a surface coating molecular layer in the dried metal fine particle coating layer. On the other hand, it is a form distributed uniformly around it.
なお、エネルギー線照射処理工程において、紫外線照射を利用する場合、かかる紫外線を直接吸収し、酸を発生することが可能な酸発生剤化合物の利用が望ましい。但し、酸発生剤化合物の添加量は、例えば、分散媒中への溶解度などの制約が存在する。酸発生剤化合物自体の添加量は抑える代わりに、この酸発生剤化合物に対して、吸収したエネルギーを供与可能な増感剤化合物を併せて添加して、紫外線の吸収量を実質的に向上させることもできる。また、光ラジカル発生剤化合物も、この種の光増感作用を発揮するものもあり、酸発生剤化合物に対して、光ラジカル発生剤化合物を併せて添加して、紫外線の吸収量を実質的に向上させることもできる。 In addition, when using ultraviolet irradiation in an energy-beam irradiation process process, utilization of the acid generator compound which can absorb this ultraviolet rays directly and can generate | occur | produce an acid is desirable. However, the amount of the acid generator compound added is limited, for example, the solubility in the dispersion medium. Instead of suppressing the addition amount of the acid generator compound itself, a sensitizer compound capable of donating absorbed energy is added to the acid generator compound to substantially improve the amount of absorption of ultraviolet rays. You can also In addition, some photoradical generator compounds also exhibit this kind of photosensitization effect, and the photoradical generator compound is added to the acid generator compound to substantially reduce the amount of absorption of ultraviolet rays. It can also be improved.
[酸発生剤化合物]
本発明において、エネルギー線照射によって、酸を発生する化合物としては、例えば、化学増幅型フォトレジストや光カチオン重合に利用される、酸発生剤化合物が用いられる(有機エレクトロニクス材料研究会編、「イメージング用有機材料」、ぶんしん出版(1993年)、187〜192頁参照)。特には、紫外線照射を利用する際、その紫外線を直接吸収し、酸を発生する化合物の利用が好適である。
[Acid generator compound]
In the present invention, as a compound that generates an acid upon irradiation with an energy beam, for example, an acid generator compound used in a chemically amplified photoresist or photocationic polymerization is used (edited by Organic Electronics Materials Research Group, “Imaging”). Organic Materials ", Bunshin Publishing (1993), pages 187-192). In particular, when ultraviolet rays are used, it is preferable to use a compound that directly absorbs the ultraviolet rays and generates an acid.
本発明において、好適に利用可能な酸発生剤化合物の例を以下に示す。 Examples of the acid generator compound that can be suitably used in the present invention are shown below.
第1に、ジアゾニウム、アンモニウム、ヨードニウム、スルホニウム、ホスホニウムなどの芳香族オニウム化合物のB(C6F5)4 -、PF6 -、AsF6 -、SbF6 -、CF3SO3 -塩を挙げることができる。対アニオンとして、ボレート化合物を持つものが酸発生能力が高く好ましい。一方、オニウム化合物としては、ビス(アルキル(C=10〜14)フェニル)ヨードニウム ヘキサフルオロフォスフェイト、4−メチルフェニル[4−(1メチルエチル)フェニル]ヨードニウム テトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレートの他、下記に例示するオニウム化合物が好適に利用可能である。 First, B (C 6 F 5 ) 4 − , PF 6 − , AsF 6 − , SbF 6 − and CF 3 SO 3 − salts of aromatic onium compounds such as diazonium, ammonium, iodonium, sulfonium and phosphonium are listed. be able to. Those having a borate compound as the counter anion are preferred because of their high acid generation ability. On the other hand, as an onium compound, in addition to bis (alkyl (C = 10-14) phenyl) iodonium hexafluorophosphate, 4-methylphenyl [4- (1methylethyl) phenyl] iodonium tetrakis (pentafluorophenyl) borate, The onium compounds exemplified below can be suitably used.
第2に、スルホン酸を発生するスルホン化物を挙げることができる。具体的な化合物の一例を以下に例示する。 Secondly, sulfonated products that generate sulfonic acid can be mentioned. An example of a specific compound is illustrated below.
第3に、ハロゲン化水素を光発生するハロゲン化物も用いることができる。以下に具体的な化合物の一例を例示する。 Thirdly, a halide that generates hydrogen halide can also be used. Examples of specific compounds are shown below.
第4に、下記に例示するような鉄アレン錯体を挙げることができる。 Fourthly, iron allene complexes as exemplified below can be mentioned.
利用される酸発生剤化合物は、乾燥処理済み金属微粒子塗布層の表面に照射される、エネルギー線、特に、紫外線に対して、その利用効率を高める添加量で使用することが望ましい。従って、金属微粒子分散液を調製する際、金属微粒子の原料として、例えば、銀ナノ粒子分散液100質量部中に、銀ナノ粒子を30〜80質量部含有している、原料銀ナノ粒子分散液を利用し、この原料銀ナノ粒子分散液中に、以下に例示する添加比率で酸発生剤化合物を添加することが好ましい。例えば、原料銀ナノ粒子分散液100質量部当たり、酸発生剤化合物の添加量を0.1〜100質量部の範囲、好ましくは、0.5〜30質量部の範囲、より好ましくは、0.5〜10質量部の範囲、さらに好ましくは、1〜10質量部の範囲に選択することが望ましい。なお、金属微粒子原料として利用する、例えば、原料銀ナノ粒子分散液100質量部当たり、酸発生剤化合物の添加量を、0.1質量部以下に選択すると、多くの場合、エネルギー線、特に、紫外線に対して、それを利用して、系内に酸を供給する効果(機能)は乏しい。一方、金属微粒子原料として利用する、例えば、原料銀ナノ粒子分散液100質量部当たり、酸発生剤化合物の添加量を、100質量部以上に選択すると、金属微粒子相互の焼結を阻害する要因ともなる。例えば、金属微粒子相互の焼結に伴う、嵩体積の減少(収縮)を阻害する結果、緻密な金属微粒子焼結体に至らず、良好な導電性の達成の妨げともなる。 The acid generator compound to be used is desirably used in an added amount that increases the utilization efficiency with respect to energy rays, particularly ultraviolet rays, which are irradiated onto the surface of the dried metal fine particle coating layer. Therefore, when preparing the metal fine particle dispersion, as a raw material for the metal fine particles, for example, a raw material silver nanoparticle dispersion containing 30 to 80 parts by mass of silver nanoparticles in 100 parts by mass of the silver nanoparticle dispersion It is preferable to add an acid generator compound to this raw material silver nanoparticle dispersion at an addition ratio exemplified below. For example, the addition amount of the acid generator compound is in the range of 0.1 to 100 parts by weight, preferably in the range of 0.5 to 30 parts by weight, more preferably in the range of 0.1 to 100 parts by weight per 100 parts by weight of the raw silver nanoparticle dispersion. It is desirable to select in the range of 5 to 10 parts by mass, more preferably in the range of 1 to 10 parts by mass. In addition, when used as a metal fine particle raw material, for example, when the addition amount of the acid generator compound is selected to be 0.1 parts by mass or less per 100 parts by mass of the raw material silver nanoparticle dispersion, energy rays, The effect (function) of supplying an acid into the system using ultraviolet rays is poor. On the other hand, when used as a metal fine particle raw material, for example, when the addition amount of the acid generator compound per 100 parts by mass of the raw silver nanoparticle dispersion is selected to be 100 parts by mass or more, it is a factor that inhibits the sintering of the metal fine particles. Become. For example, as a result of hindering the reduction (shrinkage) of the bulk volume associated with the sintering of metal fine particles, a dense metal fine particle sintered body is not achieved, which hinders achievement of good conductivity.
[光ラジカル発生剤(光ラジカル重合開始剤)]
本発明において、利用可能な光ラジカル発生剤化合物の一例を以下に示す。ここで、光ラジカル発生剤は、光開裂型と水素引き抜き型に大別して例示することができる。
[Photoradical generator (photoradical polymerization initiator)]
Examples of usable photoradical generator compounds in the present invention are shown below. Here, the photoradical generator can be roughly classified into a photocleavage type and a hydrogen abstraction type.
光開裂型のラジカル発生剤の例として、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、α−アクリルベンゾイン等のベンゾイン系、
ベンジル、2−メチル−2−モルホリノ(4−チオメチルフェニル)プロパン−1−オン(イルガキュア907:チバスペシャルティケミカルズ社製)、2−ベンジル−2−ジメチルアミノ−1−(4−モルホリノフェニル)−1−ブタノン(イルガキュア369:チバスペシャルティケミカルズ社製)、ベンジルメチルケタール(イルガキュア651:チバスペシャルティケミカルズ社製)、1−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン(イルガキュア184:チバスペシャルティケミカルズ社製)、2−ヒドロキシ−2−メチル−1−フェニルプロパン−1−オン(ダロキュア1173:メルク社製)、1−(4−イソプロピルフェニル)−2−ヒドロキシ−2−メチルプロパン−1−オン(ダロキュア1116:メルク社製)、4−(2−ヒドロキシエトキシ)フェニル−(2−ヒドロキシ−2−プロピル)ケトン、4−(2−アクリロイル−オキシエトキシ)フェニル−2−ヒドロキシ−2−プロピルケトン、ジエトキシアセトフェノン(ZLI3331:チバスペシャルティケミカルズ社製)、エサキュアーKIP100(ラムベルティ社製)、ルシリンTPO(BASF社製)、ビス(2,6−ジメトキシベンゾイル)−2,4,4−トリメチル−ペンチルフォスフィンオキサイド(BAPO1:チバスペシャルティケミカルズ社製)、ビス(2,4,6−トリメチルベンゾイル)−フェニルフォスフィンオキサイド(BAPO2:チバスペシャルティケミカルズ社製)、BTTB(日本油脂(株)製)、CGI1700(チバスペシャルティケミカルズ社製等が例示される。
Examples of photocleavable radical generators include benzoins such as benzoin, benzoin methyl ether, benzoin isopropyl ether, α-acryl benzoin,
Benzyl, 2-methyl-2-morpholino (4-thiomethylphenyl) propan-1-one (Irgacure 907: manufactured by Ciba Specialty Chemicals), 2-benzyl-2-dimethylamino-1- (4-morpholinophenyl)- 1-butanone (Irgacure 369: Ciba Specialty Chemicals), benzylmethyl ketal (Irgacure 651: Ciba Specialty Chemicals), 1-hydroxycyclohexyl phenyl ketone (Irgacure 184: Ciba Specialty Chemicals), 2-hydroxy-2 -Methyl-1-phenylpropan-1-one (Darocur 1173: manufactured by Merck), 1- (4-Isopropylphenyl) -2-hydroxy-2-methylpropan-1-one (Darocur 1116: manufactured by Merck), 4- 2-hydroxyethoxy) phenyl- (2-hydroxy-2-propyl) ketone, 4- (2-acryloyl-oxyethoxy) phenyl-2-hydroxy-2-propylketone, diethoxyacetophenone (ZLI3331: manufactured by Ciba Specialty Chemicals) ), Esacure KIP100 (manufactured by Ramberty), Lucillin TPO (manufactured by BASF), bis (2,6-dimethoxybenzoyl) -2,4,4-trimethyl-pentylphosphine oxide (BAPO1: manufactured by Ciba Specialty Chemicals), Examples include bis (2,4,6-trimethylbenzoyl) -phenylphosphine oxide (BAPO2: manufactured by Ciba Specialty Chemicals), BTTB (manufactured by NOF Corporation), CGI1700 (manufactured by Ciba Specialty Chemicals) It is.
水素引き抜き型光ラジカル発生剤の例として、ベンゾフェノン、p−メチルベンゾフェノン、p−クロルベンゾフェノン、テトラクロロベンゾフェノン、ベンゾイル安息香酸メチル、4−フェニルベンゾフェノン、ヒドロキシベンゾフェノン、4−ベンゾイル−4’−メチル−ジフェニルサルファイド、2−イソプロピルチオキサントン、2,4−ジメチルチオキサントン、2,4−ジエチルチオキサントン、2,4−ジクロロチオキサントン、アセトフェノン等のアリールケトン系開始剤、
4,4’−ビス(ジエチルアミノ)ベンゾフェノン、4,4’−ビス(ジメチルアミノ)ベンゾフェノン、p−ジメチルアミノ安息香酸イソアミル、p−ジメチルアミノアセトフェノン等のジアルキルアミノアリールケトン系開始剤、
チオキサントン、キサントン系、ならびにそのハロゲン置換系の多環カルボニル系開始剤等が例示される。
Examples of hydrogen abstraction type photo radical generators include benzophenone, p-methylbenzophenone, p-chlorobenzophenone, tetrachlorobenzophenone, methyl benzoylbenzoate, 4-phenylbenzophenone, hydroxybenzophenone, 4-benzoyl-4'-methyl-diphenyl Aryl ketone initiators such as sulfide, 2-isopropylthioxanthone, 2,4-dimethylthioxanthone, 2,4-diethylthioxanthone, 2,4-dichlorothioxanthone, acetophenone,
Dialkylaminoaryl ketone initiators such as 4,4′-bis (diethylamino) benzophenone, 4,4′-bis (dimethylamino) benzophenone, isoamyl p-dimethylaminobenzoate, p-dimethylaminoacetophenone,
Examples thereof include thioxanthone, xanthone-based, and halogen-substituted polycyclic carbonyl-based initiators.
なお、光開裂型と水素引き抜き型に大別される光ラジカル発生剤化合物は、それぞれの種類に属する化合物から、一種を利用することも、場合によっては、相互に干渉を引き起こすことのないものを、適宣組み合わせて、利用することもできる。 It should be noted that the photo radical generator compounds roughly divided into photo-cleavage type and hydrogen abstraction type are compounds that belong to each type, and those that do not cause interference with each other can be used. , Can be used in combination.
[増感剤化合物]
また、酸発生剤化合物、ラジカル発生剤化合物と共に、利用される増感剤化合物として、アントラセン等の化合物が挙げられる。利用する増感剤化合物は、照射される光の波長において、有効な光吸収を可能な化合物が利用され、ここに例示するアントラセンに限定されるものではない。
[Sensitizer compounds]
Further, examples of the sensitizer compound used together with the acid generator compound and the radical generator compound include compounds such as anthracene. As the sensitizer compound to be used, a compound capable of effectively absorbing light at the wavelength of irradiated light is used, and is not limited to the anthracene exemplified here.
利用される増感剤化合物の第一の機能は、乾燥処理済み金属微粒子塗布層の表面に照射される、エネルギー線、特に、紫外線に対して、その利用効率を高めることである。従って、金属微粒子分散液を調製する際、金属微粒子の原料として、例えば、銀ナノ粒子分散液100質量部中に、銀ナノ粒子を30〜80質量部含有している、原料銀ナノ粒子分散液を利用し、この原料銀ナノ粒子分散液中に、以下に例示する添加比率で増感剤化合物を添加することが好ましい。例えば、原料銀ナノ粒子分散液100質量部当たり、増感剤化合物の添加量を0.1〜100質量部の範囲、好ましくは、0.5〜30質量部の範囲、より好ましくは、0.5〜10質量部の範囲、さらに好ましくは、1〜10質量部の範囲に選択することが望ましい。なお、金属微粒子として利用する、例えば、原料銀ナノ粒子分散液100質量部当たり、増感剤化合物の添加量を、0.1質量部以下に選択すると、多くの場合、エネルギー線、特に、紫外線に対して、その利用効率を高める効果(機能)は乏しい。一方、金属微粒子として利用する、例えば、原料銀ナノ粒子分散液100質量部当たり、増感剤化合物の添加量を、100質量部以上に選択すると、金属微粒子相互の焼結を阻害する要因ともなる。例えば、金属微粒子相互の焼結に伴う、嵩体積の減少(収縮)を阻害する結果、緻密な金属微粒子焼結体に至らず、良好な導電性の達成の妨げともなる。 The first function of the sensitizer compound to be used is to increase its utilization efficiency with respect to energy rays, particularly ultraviolet rays, which are irradiated onto the surface of the dried metal fine particle coating layer. Therefore, when preparing the metal fine particle dispersion, as a raw material for the metal fine particles, for example, a raw material silver nanoparticle dispersion containing 30 to 80 parts by mass of silver nanoparticles in 100 parts by mass of the silver nanoparticle dispersion It is preferable to add a sensitizer compound in the raw material silver nanoparticle dispersion at an addition ratio exemplified below. For example, the addition amount of the sensitizer compound per 100 parts by mass of the raw silver nanoparticle dispersion is in the range of 0.1 to 100 parts by mass, preferably in the range of 0.5 to 30 parts by mass, and more preferably in the range of 0.0. It is desirable to select in the range of 5 to 10 parts by mass, more preferably in the range of 1 to 10 parts by mass. In addition, when used as metal fine particles, for example, when the addition amount of the sensitizer compound is selected to be 0.1 parts by mass or less per 100 parts by mass of the raw silver nanoparticle dispersion liquid, in many cases, energy rays, particularly ultraviolet rays On the other hand, the effect (function) of increasing the utilization efficiency is poor. On the other hand, for example, when the addition amount of the sensitizer compound is selected to be 100 parts by mass or more per 100 parts by mass of the raw material silver nanoparticle dispersion used as the metal fine particles, it also becomes a factor that inhibits the sintering of the metal fine particles. . For example, as a result of hindering the reduction (shrinkage) of the bulk volume associated with the sintering of metal fine particles, a dense metal fine particle sintered body is not achieved, which hinders achievement of good conductivity.
[バインダー樹脂成分]
本発明にかかる金属微粒子焼結体型の薄膜導電体層の形成方法では、必要に応じて、金属微粒子焼結体層と基板表面との間におけるバインダー樹脂、あるいは、金属微粒子焼結体層内部の隙間を満たし、金属微粒子焼結体層全体を連結するバインダー樹脂としても、利用されるバインダー樹脂成分を金属微粒子分散液中に添加することができる。このバインダー樹脂成分は、金属微粒子分散液中において、分散媒を構成する液相成分に添加される。従って、バインダー樹脂成分自体、室温(20℃)において、流動性を示すとともに、分散媒中に含まれる有機溶剤(分散溶媒)中に均一に混合、溶解可能なものを利用する。
[Binder resin component]
In the method for forming a metal fine particle sintered body type thin film conductor layer according to the present invention, a binder resin between the metal fine particle sintered body layer and the substrate surface, or the inside of the metal fine particle sintered body layer, if necessary. As a binder resin that fills the gap and connects the entire sintered metal fine particle layer, the binder resin component to be used can be added to the fine metal particle dispersion. This binder resin component is added to the liquid phase component constituting the dispersion medium in the metal fine particle dispersion. Accordingly, a binder resin component itself that exhibits fluidity at room temperature (20 ° C.) and that can be uniformly mixed and dissolved in an organic solvent (dispersion solvent) contained in the dispersion medium is used.
従って、本発明において、必要に応じて、金属微粒子分散液、例えば、銀ナノ粒子を含むペースト状の分散液中に、エネルギー線照射処理ならびに低温加熱処理を施すことで、硬化して、バインダー樹脂として機能する、バインダー樹脂成分を添加することができる。この目的で添加される、バインダー樹脂成分としては、以下に例示するような活性エネルギー線硬化性バインダー、ないしは、公知の光カチオン重合を発現させる化合物が好適に利用できる。一方、バインダー樹脂成分として、活性エネルギー線硬化性バインダー、ないしは、公知の光カチオン重合を発現させる化合物を添加する際には、同時に、酸発生剤化合物、ラジカル発生剤化合物、さらには、増感剤化合物を添加することで、エネルギー線照射処理によって、これらバインダー樹脂成分の重合反応を誘起することも可能である。 Accordingly, in the present invention, if necessary, the binder resin is cured by applying an energy ray irradiation treatment and a low-temperature heat treatment to a metal fine particle dispersion, for example, a paste-like dispersion containing silver nanoparticles. A binder resin component that functions as: As the binder resin component added for this purpose, an active energy ray-curable binder as exemplified below, or a compound that develops known photocationic polymerization can be suitably used. On the other hand, when an active energy ray-curable binder or a compound that develops a known photocationic polymerization is added as a binder resin component, at the same time, an acid generator compound, a radical generator compound, and further a sensitizer. By adding a compound, it is also possible to induce a polymerization reaction of these binder resin components by energy beam irradiation treatment.
活性エネルギー線硬化性バインダーとは、ジアリルフタレート樹脂に代表される軟化点50〜180℃の非反応性樹脂(インナート樹脂)、もしくは反応性(ラジカル重合性)オリゴマー、ラジカル重合性モノマー、必要に応じて、ラジカル重合開始剤や光増感剤、必要に応じ顔料、さらに諸種の添加剤からなる。 The active energy ray-curable binder is a non-reactive resin (innert resin) having a softening point of 50 to 180 ° C. represented by diallyl phthalate resin, or a reactive (radical polymerizable) oligomer, a radical polymerizable monomer, as required. Accordingly, it comprises a radical polymerization initiator, a photosensitizer, a pigment as necessary, and various additives.
非反応性樹脂(インナート樹脂)としては、オルソないしイソタイプのジアリルフタレート樹脂等が挙げられる。また、反応性(ラジカル重合性)オリゴマーとして、アルキッドアクリレート、ポリエステルアクリレート、エポキシアクリレート、ウレタン変性アクリレート等が挙げられる。 Examples of the non-reactive resin (innert resin) include ortho to isotype diallyl phthalate resins. Examples of the reactive (radical polymerizable) oligomer include alkyd acrylate, polyester acrylate, epoxy acrylate, and urethane-modified acrylate.
ラジカル重合性モノマーとして、エチレン性不飽和二重結合を持つ、各種の(メタ)アクリルモノマーまたはアクリルオリゴマーが利用できる。エチレン性不飽和二重結合を有する、各種の(メタ)アクリルモノマー、オリゴマーのうち、代表的な1官能モノマーとして、下記のものを例示できる。先ず、アルキル(炭素数1〜18の範囲に選択される)(メタ)アクリレート、例えば、メチル(メタ)アクリレート、エチル(メタ)アクリレート、ブチル(メタ)アクリレート、ヘキシル(メタ)アクリレート、オクチル(メタ)アクリレート、ドデシル(メタ)アクリレート、ステアリル(メタ)アクリレートを例示できる。さらに、ベンジル(メタ)アクリレート、ブチルフェノール、オクチルフェノールまたはノニルフェノールまたはドデシルフェノールのようなアルキルフェノールエチレンオキサイド付加物の(メタ)アクリレート、イソボルニル(メタ)アクリレート、シクロヘキシル(メタ)アクリレート、トリシクロデカンモノメチロール(メタ)アクリレート等も例示される。 As the radical polymerizable monomer, various (meth) acrylic monomers or acrylic oligomers having an ethylenically unsaturated double bond can be used. Among various (meth) acrylic monomers and oligomers having an ethylenically unsaturated double bond, the following can be exemplified as typical monofunctional monomers. First, alkyl (selected in the range of 1 to 18 carbon atoms) (meth) acrylate, such as methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, butyl (meth) acrylate, hexyl (meth) acrylate, octyl (meth) ) Acrylate, dodecyl (meth) acrylate, stearyl (meth) acrylate. In addition, alkylphenol ethylene oxide adducts such as benzyl (meth) acrylate, butylphenol, octylphenol or nonylphenol or dodecylphenol (meth) acrylate, isobornyl (meth) acrylate, cyclohexyl (meth) acrylate, tricyclodecane monomethylol (meth) An acrylate etc. are also illustrated.
さらに、代表的な2官能モノマーとして、下記のものを例示できる。先ず、エチレングリコールジ(メタ)アクリレート、ジエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、トリエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、ポリエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、プロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、ジプロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、トリプロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、ポリプロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、ブチレングリコールジ(メタ)アクリレート、ペンチルグリコールジ(メタ)アクリレート、ネオペンチルグリコールジ(メタ)アクリレート、ヒドロキシピバリルヒドロキシピバレートジ(メタ)アクリレート(通称マンダ)、ヒドロキシピバリルヒドロキシピバレートジカプロラクトネートジ(メタ)アクリレート、1,6−ヘキサンジオールジ(メタ)アクリレート、1,2−ヘキサンジオールジ(メタ)アクリレート、1,5−ヘキサンジオールジ(メタ)アクリレート、2,5−ヘキサンジオールジ(メタ)アクリレート、1,7−ヘプタンジオールジ(メタ)アクリレート、1,8−オクタンジオールジ(メタ)アクリレート、1,2−オクタンジオールジ(メタ)アクリレートジ(メタ)アクリレート、1,9−ノナンジオールジ(メタ)アクリレート、1,2−デカンジオールジ(メタ)アクリレート、1,10−デカンジオールジ(メタ)アクリレート、1,2−デカンジオールジ(メタ)アクリレート、1,12−ドデカンジオールジ(メタ)アクリレート、1,2−ドデカンジオールジ(メタ)アクリレート、1,14−テトラデカンジオールジ(メタ)アクリレート、1,2−テトラデカンジオールジ(メタ)アクリレート、1,16−ヘキサデカンジオールジ(メタ)アクリレート、1,2−ヘキサデカンジオールジ(メタ)アクリレート、2−メチル−2,4−ペンタンジオールジ(メタ)アクリレート、3−メチル−1,5−ペンタンジオールジ(メタ)アクリレート、2−メチル−2−プロピル−1,3−プロパンジオールジ(メタ)アクリレート、2,4−ジメチル−2,4−ペンタンジオールジ(メタ)アクリレート、2,2−ジエチル−1,3−プロパンジオ−ルジ(メタ)アクリレート、2,2,4−トリメチル−1,3−ペンタンジオールジ(メタ)アクリレート、ジメチロールオクタンジ(メタ)アクリレート、2−エチル−1,3−ヘキサンジオールジ(メタ)アクリレート、2,5−ジメチル−2,5−ヘキサンジオールジ(メタ)アクリレート、2−メチル−1,8−オクタンジオールジ(メタ)アクリレート、2−ブチル−2−エチル−1,3−プロパンジオールジ(メタ)アクリレート、2,4−ジエチル−1,5−ペンタンジオールジ(メタ)アクリレート、
トリシクロデカンジメチロールジ(メタ)アクリレート、トリシクロデカンジメチロールジカプロラクトネートジ(メタ)アクリレート、
ビスフェノールA テトラエチレンオキサイド付加体ジ(メタ)アクリレート、ビスフェノールF テトラエチレンオキサイド付加体ジ(メタ)アクリレート、ビスフェノールS テトラエチレンオキサイド付加体ジ(メタ)アクリレート、水素添加ビスフェノールA テトラエチレンオキサイド付加体ジ(メタ)アクリレート、水素添加ビスフェノールF テトラエチレンオキサイド付加体ジ(メタ)アクリレート、水素添加ビスフェノールA ジ(メタ)アクリレート、水素添加ビスフェノールF ジ(メタ)アクリレート、ビスフェノールA テトラエチレンオキサイド付加体ジカプロラクトネートジ(メタ)アクリレート、ビスフェノールF テトラエチレンオキサイド付加体ジカプロラクトネートジ(メタ)アクリレート等が例示される。
Furthermore, the following can be illustrated as a typical bifunctional monomer. First, ethylene glycol di (meth) acrylate, diethylene glycol di (meth) acrylate, triethylene glycol di (meth) acrylate, polyethylene glycol di (meth) acrylate, propylene glycol di (meth) acrylate, dipropylene glycol di (meth) acrylate , Tripropylene glycol di (meth) acrylate, polypropylene glycol di (meth) acrylate, butylene glycol di (meth) acrylate, pentyl glycol di (meth) acrylate, neopentyl glycol di (meth) acrylate, hydroxypivalyl hydroxypivalate di (Meth) acrylate (commonly called Manda), hydroxypivalyl hydroxypivalate dicaprolactonate di (meth) acrylate, 1,6- Hexanediol di (meth) acrylate over preparative, 1,2-hexanediol di (meth) acrylate, 1,5-hexanediol di (meth) acrylate, 2,5-hexanediol di (meth) acrylate, 1,7 Heptanediol di (meth) acrylate, 1,8-octanediol di (meth) acrylate, 1,2-octanediol di (meth) acrylate di (meth) acrylate, 1,9-nonanediol di (meth) acrylate, 1 , 2-decanediol di (meth) acrylate, 1,10-decanediol di (meth) acrylate, 1,2-decanediol di (meth) acrylate, 1,12-dodecanediol di (meth) acrylate, 1,2 -Dodecanediol di (meth) acrylate, 1,14-tetradecanediol di (Meth) acrylate, 1,2-tetradecanediol di (meth) acrylate, 1,16-hexadecanediol di (meth) acrylate, 1,2-hexadecanediol di (meth) acrylate, 2-methyl-2,4-pentanediol Di (meth) acrylate, 3-methyl-1,5-pentanediol di (meth) acrylate, 2-methyl-2-propyl-1,3-propanediol di (meth) acrylate, 2,4-dimethyl-2, 4-pentanediol di (meth) acrylate, 2,2-diethyl-1,3-propanediol di (meth) acrylate, 2,2,4-trimethyl-1,3-pentanediol di (meth) acrylate, di Methyloloctane di (meth) acrylate, 2-ethyl-1,3-hexanediol di (meth) Acrylate, 2,5-dimethyl-2,5-hexanediol di (meth) acrylate, 2-methyl-1,8-octanediol di (meth) acrylate, 2-butyl-2-ethyl-1,3-propanediol Di (meth) acrylate, 2,4-diethyl-1,5-pentanediol di (meth) acrylate,
Tricyclodecane dimethylol di (meth) acrylate, tricyclodecane dimethylol dicaprolactonate di (meth) acrylate,
Bisphenol A tetraethylene oxide adduct di (meth) acrylate, bisphenol F tetraethylene oxide adduct di (meth) acrylate, bisphenol S tetraethylene oxide adduct di (meth) acrylate, hydrogenated bisphenol A tetraethylene oxide adduct di ( (Meth) acrylate, hydrogenated bisphenol F tetraethylene oxide adduct di (meth) acrylate, hydrogenated bisphenol A di (meth) acrylate, hydrogenated bisphenol F di (meth) acrylate, bisphenol A tetraethylene oxide adduct dicaprolactonate Examples include di (meth) acrylate, bisphenol F tetraethylene oxide adduct dicaprolactonate di (meth) acrylate, and the like.
利用可能な3官能モノマーの例として、
グリセリントリ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリカプロラクトネートトリ(メタ)アクリレート、トリメチロールエタントリ(メタ)アクリレート、トリメチロールヘキサントリ(メタ)アクリレート、トリメチロールオクタントリ(メタ)アクリレート、ペンタエリトリトールトリ(メタ)アクリレート等が例示される。
Examples of available trifunctional monomers include
Glycerin tri (meth) acrylate, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, trimethylolpropane tricaprolactonate tri (meth) acrylate, trimethylolethane tri (meth) acrylate, trimethylolhexane tri (meth) acrylate, trimethyloloctane Examples include tri (meth) acrylate and pentaerythritol tri (meth) acrylate.
利用可能な4官能以上のモノマーの例として、
ペンタエリトリトールテトラ(メタ)アクリレート、ペンタエリトリトールテトラカプロラクトネートテトラ(メタ)アクリレート、ジグリセリンテトラ(メタ)アクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラ(メタ)アクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラカプロラクトネートテトラ(メタ)アクリレート、ジトリメチロールエタンテトラ(メタ)アクリレート、ジトリメチロールブタンテトラ(メタ)アクリレート、ジトリメチロールヘキサンテトラ(メタ)アクリレート、ジトリメチロールオクタンテトラ(メタ)アクリレート、ジペンタエリトリトールペンタ(メタ)アクリレート、ジペンタエリトリトールヘキサ(メタ)アクリレート、トリペンタエリトリトールヘキサ(メタ)アクリレート、トリペンタエリトリトールヘプタ(メタ)アクリレート、トリペンタエリトリトールオクタ(メタ)アクリレート、ジペンタエリトリトールポリアルキレンオキサイドヘプタ(メタ)アクリレート等が例示される。
Examples of available tetra- or higher functional monomers include
Pentaerythritol tetra (meth) acrylate, pentaerythritol tetracaprolactonate tetra (meth) acrylate, diglycerin tetra (meth) acrylate, ditrimethylolpropane tetra (meth) acrylate, ditrimethylolpropane tetracaprolactonate tetra (meth) Acrylate, ditrimethylolethane tetra (meth) acrylate, ditrimethylolbutanetetra (meth) acrylate, ditrimethylolhexanetetra (meth) acrylate, ditrimethyloloctanetetra (meth) acrylate, dipentaerythritol penta (meth) acrylate, dipentaerythritol Hexa (meth) acrylate, tripentaerythritol hexa (meth) acrylate, tripentaerythritol Hepta (meth) acrylate, tripentaerythritol octa (meth) acrylate, dipentaerythritol polyalkylene oxide hepta (meth) acrylate and the like.
さらに、脂肪族アルコール化合物のアルキレンオキサイド付加体(メタ)アクリレートモノマー、特に、C3〜C20のアルキレンオキサイドを持つ脂肪族アルコール化合物のアルキレンオキサイド付加体(メタ)アクリレートモノマー等が例示される。 Furthermore, an alkylene oxide adduct (meth) acrylate monomer of an aliphatic alcohol compound, in particular, an alkylene oxide adduct (meth) acrylate monomer of an aliphatic alcohol compound having a C 3 to C 20 alkylene oxide is exemplified.
以上に例示する各種の(メタ)アクリレート型モノマー化合物は、目的とする樹脂特性に応じて、単独、若しくは2種以上組み合わせることができる。なお、以上に例示する(メタ)アクリレート型モノマー化合物に限定されるものではない。 The various (meth) acrylate type monomer compounds exemplified above can be used alone or in combination of two or more kinds depending on the intended resin properties. In addition, it is not limited to the (meth) acrylate type monomer compound illustrated above.
一方、光カチオン重合を発現させる化合物の一例として、光カチオン重合性モノマーが挙げられる。光カチオン重合開始用励起光として、紫外線照射が利用可能な、各種公知のカチオン重合性のモノマーが使用できる。例えば、特開平6−9714号公報、特開2001−31892号公報、特開2001−40068号公報、特開2001−55507号公報、特開2001−310938号公報、特開2001−310937号公報、特開2001−220526号公報に例示されているエポキシ化合物(芳香族系、脂環式系、脂肪族系等)、ビニルエーテル化合物、オキセタン化合物などが挙げられる。 On the other hand, as an example of a compound that causes photocationic polymerization, a photocationically polymerizable monomer can be mentioned. As the excitation light for initiating photocationic polymerization, various known cationically polymerizable monomers that can be used for ultraviolet irradiation can be used. For example, JP-A-6-9714, JP-A-2001-31892, JP-A-2001-40068, JP-A-2001-55507, JP-A-2001-310938, JP-A-2001-310937, Examples thereof include epoxy compounds (aromatic, alicyclic, aliphatic, etc.), vinyl ether compounds, oxetane compounds and the like exemplified in JP-A-2001-220526.
光カチオン重合性モノマー用の好適なエポキシ化合物の例を、一部以下に示す。 Some examples of suitable epoxy compounds for the cationic photopolymerizable monomer are shown below.
芳香族エポキシドとして、好ましいものは、少なくとも、1個の芳香族核を有する多価フェノール、あるい、そのアルキレンオキサイド付加体と、エピクロルヒドリンとの反応によって製造される、ジ又はポリグリシジルエーテルである。例えば、ビスフェノール A、あるいは、そのアルキレンオキサイド付加体のジ又はポリグリシジルエーテル、水素添加ビスフェノール A、あるいは、そのアルキレンオキサイド付加体のジ又はポリグリシジルエーテル、ならびに、ノボラック型エポキシ樹脂等が挙げられる。なお、前記アルキレンオキサイド付加体中に利用される、アルキレンオキサイドとして、エチレンオキサイド及びプロピレンオキサイド等が挙げられる。 Preferred aromatic epoxides are di- or polyglycidyl ethers prepared by reaction of at least one polyhydric phenol having an aromatic nucleus or an alkylene oxide adduct thereof with epichlorohydrin. Examples thereof include di- or polyglycidyl ether of bisphenol A or its alkylene oxide adduct, di- or polyglycidyl ether of hydrogenated bisphenol A or its alkylene oxide adduct, and a novolac type epoxy resin. In addition, ethylene oxide, propylene oxide, etc. are mentioned as alkylene oxide utilized in the said alkylene oxide adduct.
脂環式エポキシドとしては、少なくとも、1個のシクロへキセン又はシクロペンテン環等のシクロアルケン環を有する化合物を、過酸化水素、過酸等の適当な酸化剤でエポキシ化することにより得られる、シクロヘキセンオキサイド又はシクロペンテンオキサイド含有化合物が挙げられる。 As the alicyclic epoxide, cyclohexene obtained by epoxidizing at least one compound having a cycloalkene ring such as cyclohexene or cyclopentene ring with an appropriate oxidizing agent such as hydrogen peroxide or peracid. An oxide or a cyclopentene oxide containing compound is mentioned.
脂肪族エポキシドのうち、好ましい化合物の一例には、脂肪族多価アルコール、あるいは、そのアルキレンオキサイド付加体のジ又はポリグリシジルエーテル等が含まれる。その代表例として、
エチレングリコールのジグリシジルエーテル、プロピレングリコールのジグリシジルエーテル又は1,6−ヘキサンジオールのジグリシジルエーテル等のアルキレングリコールのジグリシジルエーテル、
グリセリン、あるいは、そのアルキレンオキサイド付加体のジ又はトリグリシジルエーテル等の多価アルコールのポリグリシジルエーテル、
ポリエチレングリコール、あるいは。そのアルキレンオキサイド付加体のジグリシジルエーテル、ポリプロピレングリコール、あるいは、そのアルキレンオキサイド付加体のジグリシジルエーテル等のポリアルキレングリコールのジグリシジルエーテル等が挙げられる。なお、前記アルキレンオキサイド付加体中に利用される、アルキレンオキサイドとして、エチレンオキサイド及びプロピレンオキサイド等が挙げられる。
Among the aliphatic epoxides, examples of preferable compounds include aliphatic polyhydric alcohols or di- or polyglycidyl ethers of alkylene oxide adducts thereof. As a representative example,
Diglycidyl ether of alkylene glycol such as diglycidyl ether of ethylene glycol, diglycidyl ether of propylene glycol or diglycidyl ether of 1,6-hexanediol,
Glycerin or polyglycidyl ethers of polyhydric alcohols such as di- or triglycidyl ethers of alkylene oxide adducts thereof,
Polyethylene glycol, or. Examples thereof include diglycidyl ether and polypropylene glycol of the alkylene oxide adduct, and diglycidyl ether of polyalkylene glycol such as diglycidyl ether of the alkylene oxide adduct. In addition, ethylene oxide, propylene oxide, etc. are mentioned as alkylene oxide utilized in the said alkylene oxide adduct.
以上に例示する、各種のエポキシドのうち、速硬化性を考慮すると、芳香族エポキシド及び脂環式エポキシドを利用することが好ましい。特に、脂環式エポキシドを利用することがより好ましい。本発明における、バインダー樹脂成分として、上述の光カチオン重合可能なエポキシドの1種を単独で使用してもよいし、また、2種以上を適宜組み合わせて使用してもよい。 Of the various epoxides exemplified above, it is preferable to use aromatic epoxides and alicyclic epoxides in consideration of fast curability. In particular, it is more preferable to use an alicyclic epoxide. As the binder resin component in the present invention, one of the above-mentioned photocation polymerizable epoxides may be used alone, or two or more may be used in appropriate combination.
また、ビニルエーテル化合物としては、例えば、
エチレングリコールジビニルエーテル、ジエチレングリコールジビニルエーテル、トリエチレングリコールジビニルエーテル、プロピレングリコールジビニルエーテル、ジプロピレングリコールジビニルエーテル、ブタンジオールジビニルエーテル、ヘキサンジオールジビニルエーテル、シクロヘキサンジメタノールジビニルエーテル、トリメチロールプロパントリビニルエーテル等のジ又はトリビニルエーテル化合物、
エチルビニルエーテル、ブチルビニルエーテル、イソブチルビニルエーテル、オクタデシルビニルエーテル、シクロヘキシルビニルエーテル、ヒドロキシブチルビニルエーテル、2−エチルヘキシルビニルエーテル、シクロヘキサンジメタノールモノビニルエーテル、プロピルビニルエーテル、イソプロピルビニルエーテル、イソプロペニルエーテル−O−プロピレンカーボネート、ドデシルビニルエーテル、ジエチレングリコールモノビニルエーテル、オクタデシルビニルエーテル等のモノビニルエーテル化合物等が挙げられる。
Moreover, as a vinyl ether compound, for example,
Diethylene glycol divinyl ether, diethylene glycol divinyl ether, triethylene glycol divinyl ether, propylene glycol divinyl ether, dipropylene glycol divinyl ether, butanediol divinyl ether, hexanediol divinyl ether, cyclohexanedimethanol divinyl ether, trimethylolpropane trivinyl ether, etc. Or a trivinyl ether compound,
Ethyl vinyl ether, butyl vinyl ether, isobutyl vinyl ether, octadecyl vinyl ether, cyclohexyl vinyl ether, hydroxybutyl vinyl ether, 2-ethylhexyl vinyl ether, cyclohexanedimethanol monovinyl ether, propyl vinyl ether, isopropyl vinyl ether, isopropenyl ether-O-propylene carbonate, dodecyl vinyl ether, diethylene glycol mono Examples thereof include monovinyl ether compounds such as vinyl ether and octadecyl vinyl ether.
本発明における、バインダー樹脂成分として、上述の光カチオン重合可能なビニルエーテル化合物の1種を単独で使用してもよいし、また、2種以上を適宜組み合わせて使用してもよい。 As the binder resin component in the present invention, one of the above-mentioned vinyl ether compounds capable of photocation polymerization may be used alone, or two or more may be used in appropriate combination.
オキセタン化合物は、オキセタン(トリメチレンオキシド)環を有する化合物のことであり、特開2001−220526号公報、特開2001−310937号公報に紹介されているような公知のあらゆるオキセタン化合物が、本発明における、バインダー樹脂成分として使用できる。 The oxetane compound is a compound having an oxetane (trimethylene oxide) ring, and any known oxetane compound as disclosed in JP-A Nos. 2001-220526 and 2001-310937 can be used in the present invention. Can be used as a binder resin component.
本発明においては、バインダー成分として、以上説明した各種の重合性モノマー化合物を、1種類若しくは2種類以上組み合わせて、重合させたバインダー樹脂を、金属微粒子焼結体型の薄膜導電体層中に含有させてもよい。なお、金属微粒子分散液を調製する際、金属微粒子の原料として、例えば、銀ナノ粒子分散液100質量部中に、銀ナノ粒子を30〜80質量部含有している、原料銀ナノ粒子分散液を利用し、この原料銀ナノ粒子分散液中に、以下に例示する添加比率でバインダー樹脂成分を添加することが好ましい。例えば、原料銀ナノ粒子分散液100質量部当たり、バインダー樹脂成分の添加量を1〜50質量部の範囲、好ましくは、1〜40質量部の範囲、さらに好ましくは5〜20質量部の範囲に選択することができる。なお、金属微粒子原料として利用する、例えば、原料銀ナノ粒子分散液100質量部当たり、バインダー樹脂成分の添加量を、5質量部以下に選択すると、多くの場合、金属微粒子焼結体全体に対するバインダー樹脂としての効果(機能)は乏しい。一方、金属微粒子原料として利用する、例えば、原料銀ナノ粒子分散液100質量部当たり、バインダー樹脂成分の添加量を、40質量部以上に選択すると、バインダー樹脂の重合速度によっては、金属微粒子相互の焼結を阻害する要因ともなる。例えば、金属微粒子相互の焼結に伴う、嵩体積の減少(収縮)を阻害する結果、緻密な金属微粒子焼結体に至らず、良好な導電性の達成の妨げともなる。 In the present invention, a binder resin obtained by polymerizing one or two or more of the various polymerizable monomer compounds described above as a binder component and including the polymerized binder resin is contained in the thin film conductor layer of the metal fine particle sintered body type. May be. In preparing the metal fine particle dispersion, as a raw material for the metal fine particles, for example, a raw material silver nanoparticle dispersion containing 30 to 80 parts by mass of silver nanoparticles in 100 parts by mass of the silver nanoparticle dispersion It is preferable to add a binder resin component to the raw material silver nanoparticle dispersion at an addition ratio exemplified below. For example, the amount of the binder resin component added is in the range of 1-50 parts by weight, preferably in the range of 1-40 parts by weight, more preferably in the range of 5-20 parts by weight per 100 parts by weight of the raw silver nanoparticle dispersion. You can choose. In addition, when used as a metal fine particle raw material, for example, when the addition amount of the binder resin component is selected to be 5 parts by mass or less per 100 parts by mass of the raw material silver nanoparticle dispersion, it is often a binder for the entire metal fine particle sintered body. The effect (function) as a resin is poor. On the other hand, when the additive amount of the binder resin component is selected to be 40 parts by mass or more per 100 parts by mass of the raw material silver nanoparticle dispersion, for example, depending on the polymerization rate of the binder resin, It becomes a factor which inhibits sintering. For example, as a result of hindering the reduction (shrinkage) of the bulk volume associated with the sintering of metal fine particles, a dense metal fine particle sintered body is not achieved, which hinders achievement of good conductivity.
すなわち、得られた金属微粒子焼結体において、金属微粒子の緻密な焼結体形成がなされると、かかる金属微粒子が示す嵩体積の減少が進む。その間、金属微粒子が緻密に沈積されている乾燥処理済み金属微粒子塗布層に含まれる、バインダー樹脂成分も重合硬化し、形成される金属微粒子焼結体の内部に残る隙間を占めるとともに、基板表面と金属微粒子焼結体層との界面における接着樹脂成分としても利用される。 That is, in the obtained metal fine particle sintered body, when a dense sintered body of the metal fine particles is formed, the bulk volume exhibited by the metal fine particles proceeds. Meanwhile, the binder resin component contained in the dried metal fine particle coating layer in which the metal fine particles are densely deposited is also polymerized and cured, and occupies a gap remaining inside the formed metal fine particle sintered body, and the substrate surface. It is also used as an adhesive resin component at the interface with the metal fine particle sintered body layer.
以上に説明したように、エネルギー線として紫外線を利用する際には、原料銀ナノ粒子分散液100質量部に対し、酸発生剤化合物0.5〜10質量部、増感剤化合物0〜10質量部、バインダー樹脂成分0〜20質量部の範囲に、配合比率を選択することが望ましい。 As described above, when ultraviolet rays are used as energy rays, the acid generator compound is 0.5 to 10 parts by mass and the sensitizer compound is 0 to 10 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the raw silver nanoparticle dispersion. It is desirable to select the blending ratio in the range of 0 to 20 parts by mass of the binder resin component.
[接着性向上剤]
本発明にかかる金属微粒子焼結体型の薄膜導電体層の形成方法では、利用する金属微粒子分散液中に、シリコン、窒化シリコン、酸化シリコン、およびリンシリケートガラス基板に対する金属微粒子焼結体層の接着性をさらに高めるため、接着性向上剤を添加することもできる。この接着性向上剤としては、汎用のカップリング剤、例えば、アミノ基、およびアミノ残基を有しないシランカップリング剤、チタンキレート剤などが利用できる。その際、基板材質、ならびに、用いている金属微粒子を構成する金属材料に応じて、両者間の接着性向上に利用される、汎用のカップリング剤を選択することが望ましい。
[Adhesion improver]
In the method for forming a metal fine particle sintered body type thin film conductor layer according to the present invention, the metal fine particle sintered body is bonded to silicon, silicon nitride, silicon oxide, and a phosphorus silicate glass substrate in the metal fine particle dispersion to be used. In order to further improve the properties, an adhesion improver can be added. As this adhesion improver, a general-purpose coupling agent, for example, an amino group and a silane coupling agent having no amino residue, a titanium chelating agent, and the like can be used. At that time, it is desirable to select a general-purpose coupling agent that is used to improve the adhesion between the two depending on the substrate material and the metal material constituting the fine metal particles used.
[有機溶剤(希釈溶媒)]
さらに、利用する金属微粒子分散液は、基板上に所望のパターンを、所定膜厚で塗布して、金属微粒子分散液塗布膜層を形成する。その際、利用される塗布手段に応じて、金属微粒子分散液の液粘度を調製する必要がある。また、上記のバインダー樹脂成分や接着性向上剤、あるいは、酸発生剤化合物、ラジカル発生剤化合物、増感剤化合物を添加する際、それらの添加成分を均一に溶解している分散液に調製する必要がある。
[Organic solvent (diluted solvent)]
Further, the metal fine particle dispersion to be used is formed by applying a desired pattern on the substrate with a predetermined film thickness to form a metal fine particle dispersion coating film layer. At that time, it is necessary to adjust the viscosity of the metal fine particle dispersion according to the coating means used. In addition, when the above binder resin component, adhesion improver, or acid generator compound, radical generator compound, and sensitizer compound are added, they are prepared into a dispersion in which these additive components are uniformly dissolved. There is a need.
この目的のため、通常、金属微粒子分散液中には、適宜、有機溶剤(希釈溶媒)を添加する。利用される有機溶剤(希釈溶媒)は、上記のバインダー樹脂成分や接着性向上剤、あるいは、酸発生剤化合物、ラジカル発生剤化合物、増感剤化合物などの添加成分を溶解可能な各種有機溶剤から選択される。利用可能な有機溶剤としては、例えば、ヘキサン、シクロヘキサン、ヘプタン等の脂肪族炭化水素、アルコール類、N−メチル−2−ピロリドン、γ−ブチロラクトン、N,N−ジメチルフォルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシドなどの極性の非プロトン性溶媒、テトラヒドロフラン、ジオキサンなどのエーテル類、アセトン、メチルエチルケトン、ジイソブチルケトンなどのケトン類、酢酸エチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、乳酸エチルなどのエステル類、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素類などが挙げられる。 For this purpose, an organic solvent (diluting solvent) is usually appropriately added to the metal fine particle dispersion. The organic solvent (dilution solvent) used is from various organic solvents that can dissolve the binder resin component and the adhesion improver, or additive components such as an acid generator compound, a radical generator compound, and a sensitizer compound. Selected. Examples of usable organic solvents include aliphatic hydrocarbons such as hexane, cyclohexane, heptane, alcohols, N-methyl-2-pyrrolidone, γ-butyrolactone, N, N-dimethylformamide, N, N-dimethyl. Polar aprotic solvents such as acetamide and dimethyl sulfoxide, ethers such as tetrahydrofuran and dioxane, ketones such as acetone, methyl ethyl ketone and diisobutyl ketone, esters such as ethyl acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate and ethyl lactate, toluene, And aromatic hydrocarbons such as xylene.
金属微粒子分散液中に添加される、各種添加成分の種類、添加量、また、目標とする液粘度を考慮した上で、例示する有機溶剤中の一種、または、二種以上を混合したものを、使用することができる。 In consideration of the type and amount of each additive component added to the metal fine particle dispersion and the target liquid viscosity, one of the organic solvents exemplified, or a mixture of two or more Can be used.
一方、金属微粒子分散液を塗布した後、エネルギー線照射処理と低温加熱処理とを施すに先立ち、金属微粒子分散液塗布膜層中に含まれる、前記有機溶剤を蒸散させて、乾燥処理済み金属微粒子塗布層とする。すなわち、余剰な希釈溶媒を蒸散させ、金属微粒子は、緻密な沈積層を形成する形態とする。この有機溶剤(希釈溶媒)を蒸散する段階では、加熱を行わないので、室温(20℃)に放置することで、蒸散が可能な程度の揮発特性を示す有機溶剤(希釈溶媒)を利用すると望ましい。 On the other hand, after applying the metal fine particle dispersion, prior to performing the energy ray irradiation treatment and the low temperature heat treatment, the organic solvent contained in the metal fine particle dispersion coating film layer is evaporated to dry the metal fine particles. Let it be a coating layer. That is, the excessive dilution solvent is evaporated, and the fine metal particles form a dense deposited layer. In the stage of evaporating the organic solvent (diluted solvent), since heating is not performed, it is desirable to use an organic solvent (diluted solvent) exhibiting volatile characteristics that can evaporate by leaving it at room temperature (20 ° C.). .
以下に、実施例を挙げて、本発明を更に詳細に説明する。下記の実施例は、本発明にかかる最良の実施形態の一例であるが、本発明は、これらの実施例に示す態様に限定されるものではない。 Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to examples. The following examples are examples of the best mode according to the present invention, but the present invention is not limited to the modes shown in these examples.
(銀ナノ粒子分散液1の調製)
市販されている銀の超微粒子分散液(商品名:独立分散超微粒子パーフェクトシルバー、真空冶金(株))、具体的には、平均粒径8nmの銀ナノ粒子100質量部、アルキルアミンとして、ドデシルアミン(分子量185.36;沸点248℃)15質量部、有機溶剤として、トルエン75質量部を含む銀ナノ粒子の分散液を原料として、下記の手順で銀ナノ粒子分散液1を調製した。
(Preparation of silver nanoparticle dispersion 1)
Commercially available silver ultrafine particle dispersion (trade name: Independently dispersed ultrafine particle Perfect Silver, Vacuum Metallurgical Co., Ltd.), specifically, 100 parts by mass of silver nanoparticles having an average particle diameter of 8 nm, alkylamine as dodecyl Silver nanoparticle dispersion liquid 1 was prepared by the following procedure using a dispersion of silver nanoparticles containing 15 parts by mass of amine (molecular weight: 185.36; boiling point: 248 ° C.) and 75 parts by mass of toluene as an organic solvent.
この銀ナノ粒子分散液180質量部当たり、1−デカノール(分子量158.28;融点6.88℃、沸点232℃)12質量部を添加した後、減圧濃縮によりトルエンを脱溶剤して、ペースト状の銀ナノ粒子分散液1を調製した。従って、得られた銀ナノ粒子分散液1は、平均粒径8nmの銀ナノ粒子100質量部当たり、アルキルアミンとして、ドデシルアミン15質量部、分散溶媒として、1−デカノール12質量部が含有されている。 After adding 12 parts by mass of 1-decanol (molecular weight: 158.28; melting point: 6.88 ° C., boiling point: 232 ° C.) per 180 parts by mass of the silver nanoparticle dispersion, toluene was removed by concentration under reduced pressure to obtain a paste. A silver nanoparticle dispersion 1 was prepared. Therefore, the obtained silver nanoparticle dispersion 1 contains 15 parts by mass of dodecylamine as alkylamine and 12 parts by mass of 1-decanol as a dispersion solvent per 100 parts by mass of silver nanoparticles having an average particle diameter of 8 nm. Yes.
(銀ナノ粒子分散液2の調製)
市販されている銀の超微粒子分散液(商品名:独立分散超微粒子パーフェクトシルバー、真空冶金(株))、具体的には、平均粒径8nmの銀ナノ粒子100質量部、アルキルアミンとして、ドデシルアミン15質量部、有機溶剤として、トルエン75質量部を含む銀ナノ粒子の分散液を原料として、下記の手順で銀ナノ粒子分散液2を調製した。
(Preparation of silver nanoparticle dispersion 2)
Commercially available silver ultrafine particle dispersion (trade name: Independently dispersed ultrafine particle Perfect Silver, Vacuum Metallurgical Co., Ltd.), specifically, 100 parts by mass of silver nanoparticles having an average particle diameter of 8 nm, alkylamine as dodecyl Silver nanoparticle dispersion 2 was prepared by the following procedure using a dispersion of silver nanoparticles containing 15 parts by mass of amine and 75 parts by mass of toluene as an organic solvent.
先ず、原料の銀超微粒子分散液500質量部に対して、ブトキシプロピルアミン(分子量131、沸点176℃)87.5質量部(対Ag固形分50wt%:広栄化学製)を混合し、80℃で1時間加熱攪拌した。攪拌終了後、減圧濃縮によりトルエンを脱溶剤し、ペースト状の銀ナノ粒子分散液298質量部を調製した。前述の処理に伴い、ペースト状銀ナノ粒子分散液298質量部中には、銀ナノ粒子175質量部、ドデシルアミン35質量部、ブトキシプロピルアミン87.5質量部が含まれ、銀ナノ粒子表面の被覆分子層は、ブトキシプロピルアミンへと変換されていると推定される。 First, 87.5 parts by mass of butoxypropylamine (molecular weight: 131, boiling point: 176 ° C.) (based on Ag solid content: 50 wt%: manufactured by Guangei Chemical Co., Ltd.) is mixed with 500 parts by mass of the raw silver ultrafine particle dispersion. And stirred for 1 hour. After the stirring, toluene was removed by concentration under reduced pressure to prepare 298 parts by mass of a paste-like silver nanoparticle dispersion. As a result of the above-mentioned treatment, 298 parts by mass of the paste-like silver nanoparticle dispersion contains 175 parts by mass of silver nanoparticles, 35 parts by mass of dodecylamine, and 87.5 parts by mass of butoxypropylamine. The coated molecular layer is presumed to be converted to butoxypropylamine.
脱溶剤後、ペースト状の銀ナノ粒子分散液298質量部を2Lのビーカーに移し、メタノール1,000質量部を添加して、常温で3分間攪拌後、静置した。Agナノ粒子は、極性溶剤メタノールを添加することで、ビーカー底部に沈降した。一方、上澄みには、混合物中に含有される、不要な有機成分が溶解し、茶褐色のメタノール溶液が得られた。この上澄み層を除去した後、再度、沈降物にメタノール、800質量部を添加、攪拌、静置して、Agナノ粒子を沈降させた後、上澄みのメタノール溶液層を除去した。以上のメタノール洗浄工程後、ビーカー底部のAgナノ粒子沈降層中に残存するメタノールを揮発させ、乾燥を行った。この乾燥処理を終えた時点で、沈降層のAgナノ粒子は、青色の微粉末状であった。 After removing the solvent, 298 parts by mass of the paste-like silver nanoparticle dispersion was transferred to a 2 L beaker, 1,000 parts by mass of methanol was added, and the mixture was stirred at room temperature for 3 minutes and allowed to stand. Ag nanoparticles settled to the bottom of the beaker by adding the polar solvent methanol. On the other hand, unnecessary organic components contained in the mixture were dissolved in the supernatant, and a brown methanol solution was obtained. After removing the supernatant layer, 800 parts by mass of methanol was again added to the sediment, and the mixture was stirred and allowed to stand to precipitate Ag nanoparticles, and then the supernatant methanol solution layer was removed. After the above methanol washing step, methanol remaining in the Ag nanoparticle sedimentation layer at the bottom of the beaker was volatilized and dried. When this drying process was completed, the Ag nanoparticles in the sedimentation layer were in the form of blue fine powder.
前記メタノール洗浄処理済みの青色微粉末状のAg粒子205質量部に、トルエン330質量部と1−デカノール22質量部とを添加し、70℃で30分間加熱攪拌することで、Agナノ粒子を再分散させた。攪拌終了後、Agナノ粒子の再分散液557質量部を、0.2μmメンブランフィルターで濾過すると、均一な濃紺色の分散液が得られた。更に、得られた濃紺色の分散液から、減圧濃縮によりトルエンを脱溶剤し、ペースト状の銀ナノ粒子分散液2を調製した。従って、得られた銀ナノ粒子分散液2は、平均粒径8nmの銀ナノ粒子100質量部当たり、銀ナノ粒子表面に被覆分子層を構成する、ブトキシプロピルアミン14.6質量部、分散溶媒として、1−デカノール10.7質量部が含有されている。 By adding 330 parts by mass of toluene and 22 parts by mass of 1-decanol to 205 parts by mass of the blue fine powdered Ag particles that have been subjected to the methanol washing treatment, the Ag nanoparticles are re-applied by heating and stirring at 70 ° C. for 30 minutes. Dispersed. After the completion of stirring, 557 parts by mass of the Ag nanoparticle redispersion liquid was filtered with a 0.2 μm membrane filter to obtain a uniform dark blue dispersion liquid. Furthermore, toluene was removed from the resulting dark blue dispersion by concentration under reduced pressure to prepare paste-like silver nanoparticle dispersion 2. Therefore, the obtained silver nanoparticle dispersion liquid 2 is 14.6 parts by weight of butoxypropylamine constituting a coating molecular layer on the surface of the silver nanoparticles per 100 parts by weight of silver nanoparticles having an average particle diameter of 8 nm. , 10.7 parts by mass of 1-decanol.
(導電性インキ1〜14の調製)
上記の銀ナノ粒子分散液1、銀ナノ粒子分散液2を利用して、導電性インキ1〜14を作製した。表1ならびに表2に、導電性インキ1〜14の組成を示す。
(Preparation of conductive inks 1 to 14)
Conductive inks 1 to 14 were prepared using the above silver nanoparticle dispersion 1 and silver nanoparticle dispersion 2. Tables 1 and 2 show the compositions of the conductive inks 1 to 14.
なお、上記の導電性インキの調製に利用する、酸発生剤、増感剤、バインダー成分、接着性向上剤の各成分は、以下の通りである。
酸発生剤(1):和光純薬工業株式会社製 光カチオン重合開始剤 WPI−113(ビス(アルキル(C=10〜14)フェニル)ヨードニウム ヘキサフルオロフォスフェイト)
酸発生剤(2):和光純薬工業株式会社製 光酸発生剤 WPAG199(ビス(p−トルエンスルフォニル)ジアゾメタン)
酸発生剤(3):株式会社三和ケミカル製 光酸発生剤 TME−トリアジン
増感剤(1):チバスペシャルティケミカルズ社製イルガキュア184(1−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン)
増感剤(2):和光純薬工業株式会社製 試薬特級 アントラセン
バインダー成分(1):東亜合成株式会社製 アロニックスM−220(TPGDA:トリプロピレングリコールジアクリレート)
バインダー成分(2):ダイセル化学工業株式会社製 セロキサイド2021(3,4−エポキシシクロヘキセニルメチル−3’,4’−エポキシシクロヘキセンカルボキシレート)
接着性向上剤:信越化学工業株式会社製 KBM−602(N−(2−アミノエチル)−3−アミノプロピルメチルメトキシシラン)
(実施例1〜14、実施例14−1)
導電性インキ1〜14を利用して、下記する手順で導電性金属薄膜を作製した。
In addition, each component of an acid generator, a sensitizer, a binder component, and an adhesive improvement agent used for preparation of said electroconductive ink is as follows.
Acid generator (1): Photocationic polymerization initiator WPI-113 (bis (alkyl (C = 10-14) phenyl) iodonium hexafluorophosphate) manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.
Acid generator (2): Photoacid generator WPAG199 (bis (p-toluenesulfonyl) diazomethane) manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.
Acid generator (3): Sanwa Chemical Co., Ltd. Photoacid generator TME-triazine sensitizer (1): Ciba Specialty Chemicals Irgacure 184 (1-hydroxycyclohexyl phenyl ketone)
Sensitizer (2): Wako Pure Chemical Industries, Ltd. Reagent special grade Anthracene binder component (1): Toa Gosei Co., Ltd. Aronix M-220 (TPGDA: tripropylene glycol diacrylate)
Binder component (2): Daicel Chemical Industries, Ltd. Celoxide 2021 (3,4-epoxycyclohexenylmethyl-3 ′, 4′-epoxycyclohexene carboxylate)
Adhesion improver: Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. KBM-602 (N- (2-aminoethyl) -3-aminopropylmethylmethoxysilane)
(Examples 1-14, Example 14-1)
Using the conductive inks 1 to 14, conductive metal thin films were prepared according to the following procedure.
フレキシブル配線基板用のポリイミドフィルム上に、バーコーターNo.2を用いて、導電性インキ1〜14を塗布し、均一な膜厚の塗布膜を形成した。この塗布膜中に含まれる希釈溶媒キシレンを、常温(20℃)で蒸散させ、乾燥済の導電性インキ被覆膜を作製した。実施例14−1においては、バーコーターNo.9を用いて、導電性インキ14を塗布している。 On the polyimide film for flexible wiring board, the bar coater No. 2 was used to apply conductive inks 1 to 14 to form a coating film having a uniform thickness. The diluted solvent xylene contained in this coating film was evaporated at room temperature (20 ° C.) to produce a dried conductive ink coating film. In Example 14-1, the bar coater No. 9 is used to apply the conductive ink 14.
基板ポリイミドフィルムの温度を常温(20℃)に保って、この乾燥済の導電性インキ被覆膜の表面に、東洋インキ製造株式会社製 電子線照射装置「MinEB」を用いて、加速電圧50kV、電子線量:1000kGyの条件で電子線照射を行った。次いで、基板のポリイミドフィルムごと、電子線照射処理済みの導電性インキ被覆膜を150℃のオーブン中に移し、30分間、窒素雰囲気下で加熱処理を施した。 Using the electron beam irradiation device “MinEB” manufactured by Toyo Ink Manufacturing Co., Ltd. on the surface of the dried conductive ink coating film while maintaining the temperature of the substrate polyimide film at room temperature (20 ° C.), an acceleration voltage of 50 kV, Electron dose: Electron beam irradiation was performed under the condition of 1000 kGy. Next, the conductive ink coating film that had been subjected to the electron beam irradiation treatment together with the polyimide film of the substrate was transferred into an oven at 150 ° C. and subjected to heat treatment for 30 minutes in a nitrogen atmosphere.
この電子線照射処理、150℃、30分間の加熱処理を連続して施した結果、導電性インキ被覆膜に含まれている銀ナノ粒子の焼結が進み、膜全体に均一な焼結体層の形成が起こっていた。得られた焼結体型金属薄膜を基板のポリイミドフィルムとともに、3mm×30mmの大きさに切断したサンプルを用いて、金属薄膜の平均膜厚、比抵抗値(体積固有抵抗率)を測定した。予め、サンプル表面の金属薄膜の膜厚を針触型表面形状測定器(サーフコム)を用いて測定し、平均膜厚を算定した。この平均膜厚を有する均一な導電体層と仮定して、4点測定法にて比抵抗の測定を行った。 As a result of continuously performing this electron beam irradiation treatment, heat treatment at 150 ° C. for 30 minutes, sintering of the silver nanoparticles contained in the conductive ink coating film proceeds, and a uniform sintered body over the entire film Layer formation was taking place. Using the sample obtained by cutting the obtained sintered metal thin film together with the polyimide film of the substrate into a size of 3 mm × 30 mm, the average film thickness and specific resistance value (volume resistivity) of the metal thin film were measured. The film thickness of the metal thin film on the surface of the sample was measured in advance using a needle touch surface shape measuring device (Surfcom), and the average film thickness was calculated. Assuming a uniform conductor layer having this average film thickness, the specific resistance was measured by a four-point measurement method.
表3に、測定された焼結体型金属薄膜の平均膜厚、比抵抗の結果をまとめて示す。測定された比抵抗値(体積固有抵抗率)は、次の評価スコアで示す。 Table 3 summarizes the results of the measured average film thickness and specific resistance of the sintered metal thin film. The measured specific resistance value (volume specific resistivity) is indicated by the following evaluation score.
比抵抗値(体積固有抵抗率)評価スコア(20℃)
◎:10-5 Ω・cm 未満
○:10-5 Ω・cm 以上、10-4 Ω・cm 未満
△:10-4 Ω・cm 以上、10-3 Ω・cm 未満
×:10-3 Ω・cm 以上、または、比抵抗値は測定可能範囲を超えている場合
表3に示すように、実施例1〜14において作製された焼結体型金属薄膜の比抵抗値(体積固有抵抗率)評価スコアは「◎」または「○」であり、いずれも良好な導電性金属薄膜と判定される。
Specific resistance value (volume resistivity) evaluation score (20 ° C)
◎: Less than 10 -5 Ω · cm ○: 10 -5 Ω · cm or more, less than 10 -4 Ω · cm △: 10 -4 Ω · cm or more, less than 10 -3 Ω · cm ×: 10 -3 Ω · cm cm 2 or more, or the specific resistance value exceeds the measurable range As shown in Table 3, the specific resistance value (volume specific resistivity) evaluation score of the sintered metal thin film produced in Examples 1 to 14 Is “◎” or “◯”, and both are judged to be good conductive metal thin films.
(実施例15〜23)
酸発生剤を配合している導電性インキ3〜11を利用して、下記する手順で導電性金属薄膜を作製した。
(Examples 15 to 23)
Using conductive inks 3 to 11 containing an acid generator, a conductive metal thin film was prepared according to the following procedure.
フレキシブル配線基板用のポリイミドフィルム上に、バーコーターNo.2を用いて、導電性インキ3〜11を塗布し、均一な膜厚の塗布膜を形成した。この塗布膜中に含まれる希釈溶媒キシレンを、常温(20℃)で蒸散させ、乾燥済の導電性インキ被覆膜を作製した。 On the polyimide film for flexible wiring board, the bar coater No. 2 was used to apply conductive inks 3 to 11 to form a coating film having a uniform film thickness. The diluted solvent xylene contained in this coating film was evaporated at room temperature (20 ° C.) to produce a dried conductive ink coating film.
基板ポリイミドフィルムの温度を常温(20℃)に保って、この乾燥済の導電性インキ被覆膜の表面に、アイグラフィックス株式会社製紫外線照射装置により、空冷高圧水銀ランプ光 照射光強度 160W/cmを、コンベアスピード10m/分で移動させつつ、照射した。この操作を、計5回繰り返した。従って、単位面積当たりの合計照射光強度は、5×160×(60/1000) W・s/cm2に相当している。また、高圧水銀ランプから照射される紫外線領域の主なピーク波長は、365nm(i線)、436nm(g線)などである。次いで、基板のポリイミドフィルムごと、紫外線照射処理済みの導電性インキ被覆膜を150℃のオーブン中に移し、30分間、窒素雰囲気下で加熱処理を施した。 The temperature of the substrate polyimide film is kept at room temperature (20 ° C.), and the surface of this dried conductive ink coating film is irradiated with air-cooled high-pressure mercury lamp light with an ultraviolet ray irradiation device manufactured by Eye Graphics Co., Ltd. cm was irradiated while moving at a conveyor speed of 10 m / min. This operation was repeated a total of 5 times. Accordingly, the total irradiation light intensity per unit area corresponds to 5 × 160 × (60/1000) W · s / cm 2 . The main peak wavelength in the ultraviolet region irradiated from the high pressure mercury lamp is 365 nm (i-line), 436 nm (g-line), or the like. Next, the conductive ink coating film that had been subjected to the ultraviolet irradiation treatment together with the polyimide film of the substrate was transferred into an oven at 150 ° C. and subjected to a heat treatment in a nitrogen atmosphere for 30 minutes.
この紫外線照射処理、150℃、30分間の加熱処理を連続して施した結果、導電性インキ被覆膜に含まれている銀ナノ粒子の焼結が進み、膜全体に均一な焼結体層の形成が起こっていた。得られた焼結体型金属薄膜を基板のポリイミドフィルムとともに、3mm×30mmの大きさに切断したサンプルを用いて、金属薄膜の平均膜厚、比抵抗値(体積固有抵抗率)を測定した。予め、サンプル表面の金属薄膜の膜厚を針触型表面形状測定器(株式会社東京精密製 サーフコム2800DX)を用いて測定し、平均膜厚を算定した。この平均膜厚を有する均一な導電体層と仮定して、4点測定法にて比抵抗の測定を行った。 As a result of continuously performing this ultraviolet irradiation treatment and heat treatment at 150 ° C. for 30 minutes, sintering of the silver nanoparticles contained in the conductive ink coating film advances, and a uniform sintered body layer is formed on the entire film. The formation of was happening. Using the sample obtained by cutting the obtained sintered metal thin film together with the polyimide film of the substrate into a size of 3 mm × 30 mm, the average film thickness and specific resistance value (volume resistivity) of the metal thin film were measured. In advance, the film thickness of the metal thin film on the sample surface was measured using a needle touch surface shape measuring instrument (Surfcom 2800DX, manufactured by Tokyo Seimitsu Co., Ltd.), and the average film thickness was calculated. Assuming a uniform conductor layer having this average film thickness, the specific resistance was measured by a four-point measurement method.
表4に、測定された焼結体型金属薄膜の平均膜厚、比抵抗の結果をまとめて示す。測定された比抵抗値(体積固有抵抗率)は、上述の評価スコアで示す。 Table 4 summarizes the results of the measured average film thickness and specific resistance of the sintered metal thin film. The measured specific resistance value (volume specific resistivity) is indicated by the above-described evaluation score.
表4に示すように、実施例15〜25において作製された焼結体型金属薄膜の比抵抗値(体積固有抵抗率)評価スコアは「◎」または「○」であり、いずれも良好な導電性金属薄膜と判定される。 As shown in Table 4, the specific resistance value (volume specific resistivity) evaluation score of the sintered metal thin films produced in Examples 15 to 25 is “◎” or “「 ”, and both have good conductivity. It is determined as a metal thin film.
(比較例1〜5)
導電性インキ1、2、3、11、14を用いて、下記する手順で焼結体型金属薄膜の作製を試みた。
(Comparative Examples 1-5)
Using conductive inks 1, 2, 3, 11, and 14, an attempt was made to produce a sintered metal thin film by the following procedure.
フレキシブル配線基板用のポリイミドフィルム上に、バーコーターNo.2を用いて、導電性インキ1、2、3、11、14を塗布し、均一な膜厚の塗布膜を形成した。この塗布膜中に含まれる希釈溶媒キシレンを、常温(20℃)で蒸散させ、乾燥済の導電性インキ被覆膜を作製した。次いで、基板のポリイミドフィルムごと、導電性インキ被覆膜を150℃のオーブン中に入れ、30分間、窒素雰囲気下で加熱処理を施した。 On the polyimide film for flexible wiring board, the bar coater No. 2 was used to apply conductive inks 1, 2, 3, 11, and 14 to form a coating film having a uniform thickness. The diluted solvent xylene contained in this coating film was evaporated at room temperature (20 ° C.) to produce a dried conductive ink coating film. Next, together with the polyimide film of the substrate, the conductive ink coating film was placed in an oven at 150 ° C. and heat-treated for 30 minutes in a nitrogen atmosphere.
この150℃、30分間の加熱処理を施した結果、導電性インキ被覆膜に含まれている銀ナノ粒子の焼結が進み、一見した範囲では、膜全体に均一な焼結体層の形成が起こっていた。得られた焼結体型薄膜を基板のポリイミドフィルムとともに、3mm×30mmの大きさに切断したサンプルを用いて、焼結体型薄膜の平均膜厚、比抵抗値(体積固有抵抗率)の評価を行った。予め、サンプル表面の焼結体型薄膜の膜厚を針触型表面形状測定器(株式会社東京精密製 サーフコム2800DX)を用いて測定し、平均膜厚を算定した。この平均膜厚を有する均一な導電体層と仮定して、4点測定法にて比抵抗の測定を試みた。 As a result of the heat treatment at 150 ° C. for 30 minutes, the sintering of the silver nanoparticles contained in the conductive ink coating film proceeds, and within a seeming range, a uniform sintered body layer is formed on the entire film. Was happening. Using the sample obtained by cutting the obtained sintered thin film together with the polyimide film of the substrate into a size of 3 mm × 30 mm, the average film thickness and specific resistance value (volume specific resistivity) of the sintered thin film were evaluated. It was. The film thickness of the sintered compact thin film on the surface of the sample was measured in advance using a needle touch surface shape measuring instrument (Surfcom 2800DX, manufactured by Tokyo Seimitsu Co., Ltd.), and the average film thickness was calculated. Assuming a uniform conductor layer having this average film thickness, an attempt was made to measure specific resistance by a four-point measurement method.
4点測定法において、前記矩形サンプルの抵抗値の測定を試みたところ、測定可能範囲を超えており、比抵抗値(体積固有抵抗率)は、少なくとも、10×103 μΩ・cmを超えていると判断される。 In the four-point measurement method, when the resistance value of the rectangular sample was measured, it exceeded the measurable range, and the specific resistance value (volume resistivity) exceeded at least 10 × 10 3 μΩ · cm. It is judged that
表5に、測定された焼結体型薄膜の平均膜厚、比抵抗の評価結果をまとめて示す。測定された比抵抗値(体積固有抵抗率)は、上述の評価スコアで示す。 Table 5 summarizes the measured average film thickness and specific resistance evaluation results of the sintered compact thin film. The measured specific resistance value (volume specific resistivity) is indicated by the above-described evaluation score.
表5に示すように、比較例1〜5において作製された焼結体型薄膜は、その抵抗値は、評価スコアは「×」となっており、いずれも、導電性を示さないと判定される。 As shown in Table 5, the sintered compact thin films prepared in Comparative Examples 1 to 5 have a resistance value of “x” and are determined not to exhibit conductivity. .
(参考例1、2)
導電性インキ1、2を用いて、下記する手順で焼結体型金属薄膜の作製を試みた。
(Reference Examples 1 and 2)
Using conductive inks 1 and 2, an attempt was made to produce a sintered metal thin film by the following procedure.
フレキシブル配線基板用のポリイミドフィルム上に、バーコーターNo.2を用いて、導電性インキ1、2を塗布し、均一な塗布膜を形成した。この塗布膜中に含まれる希釈溶媒キシレンを、常温(20℃)で蒸散させ、乾燥済の導電性インキ被覆膜を作製した。次いで、基板のポリイミドフィルムごと、導電性インキ被覆膜を250℃のオーブン中に入れ、60分間加熱処理を施した。 On the polyimide film for flexible wiring board, the bar coater No. 2 was used to apply conductive inks 1 and 2 to form a uniform coating film. The diluted solvent xylene contained in this coating film was evaporated at room temperature (20 ° C.) to produce a dried conductive ink coating film. Next, together with the polyimide film of the substrate, the conductive ink coating film was placed in an oven at 250 ° C. and subjected to heat treatment for 60 minutes.
この250℃、60分間の加熱処理を施した結果、導電性インキ被覆膜に含まれている銀ナノ粒子の焼結が進み、膜全体に均一な焼結体層の形成が起こっていた。 As a result of performing the heat treatment at 250 ° C. for 60 minutes, the sintering of the silver nanoparticles contained in the conductive ink coating film progressed, and a uniform sintered body layer was formed on the entire film.
上記実施例と同様にして、4点方測定において、前記矩形サンプルの抵抗値の測定を行った。 In the same manner as in the above example, the resistance value of the rectangular sample was measured in the four-point measurement.
表6に、測定された焼結体型金属薄膜の平均膜厚、比抵抗の結果を示す。測定された比抵抗値(体積固有抵抗率)は、上述の評価スコアで示す。 Table 6 shows the measured average film thickness and specific resistance of the sintered metal thin film. The measured specific resistance value (volume specific resistivity) is indicated by the above-described evaluation score.
表6に示す通り、参考例1、2において作製された焼結体型金属薄膜の比抵抗値(体積固有抵抗率)は、評価スコアは「◎」であり、いずれも良好な導電性金属薄膜であると判定される。 As shown in Table 6, the specific resistance value (volume specific resistivity) of the sintered compact metal thin films prepared in Reference Examples 1 and 2 has an evaluation score of “◎”, both of which are good conductive metal thin films. It is determined that there is.
本発明にかかる金属微粒子焼結体型の薄膜導電体層の形成方法では、金、銀、銅などの単体金属または合金の金属ナノ粒子を利用する金属微粒子分散液に依る、高い描画精度を生かし、微細なパターンを有する金属微粒子の塗布層を形成した上で、良好な導電性を示す金属微粒子の焼結体型導電体層を、少なくとも200℃を超えない温度の加熱処理で作製することを可能とする。従って、利用できる基板材料に対する、耐熱性の制限が大幅に緩和され、金属微粒子の焼結体型導電体層の利用可能範囲は、より広範なものとなる。本発明にかかる金属微粒子焼結体型の薄膜導電体層の形成方法を応用することで、例えば、多層配線板、ICカード等のアンテナの回路について、一層の微細化を達成するとともに、生産性の向上を図ることができる。 In the method of forming a metal fine particle sintered body type thin film conductor layer according to the present invention, taking advantage of high drawing accuracy based on a metal fine particle dispersion using metal nanoparticles of a single metal or an alloy such as gold, silver, and copper, After forming a coating layer of fine metal particles having a fine pattern, it is possible to produce a sintered compact conductor layer of fine metal particles exhibiting good conductivity by heat treatment at a temperature not exceeding 200 ° C. To do. Therefore, the limitation of heat resistance for the substrate material that can be used is greatly relaxed, and the usable range of the sintered compact conductor layer of metal fine particles becomes wider. By applying the method for forming a metal fine particle sintered body type thin film conductor layer according to the present invention, for example, for antenna circuits such as multilayer wiring boards and IC cards, further miniaturization and productivity can be achieved. Improvements can be made.
Claims (16)
前記金属微粒子焼結体の作製に利用される、該金属微粒子は、少なくとも200℃を超える融点を示す金属材料で構成される、平均粒子径が1〜100nmの範囲の金属微粒子であり、
該金属微粒子の表面に、金属微粒子相互の凝集を防止する機能を有する、分散剤の被覆分子層を設けて、該被覆分子層を有する金属微粒子を分散質として、有機溶剤を含む液相分散媒中に分散してなる金属微粒子分散液を用いて、
前記基板上の所定位置に該金属微粒子分散液を所定膜厚で塗布して、金属微粒子分散液塗布膜層を形成する工程と、
該金属微粒子分散液塗布膜層中に含まれる、前記有機溶剤を蒸散させて、乾燥処理済み金属微粒子塗布層とする工程と、
該乾燥処理済み金属微粒子塗布層に対して、その塗布層表面から所定線量のエネルギー線を照射する処理を施す工程と、
前記エネルギー線照射処理を施した金属微粒子塗布層に、50℃以上、少なくとも200℃を超えない温度範囲に選択される加熱温度、非酸化性ガス雰囲気下において、低温加熱処理を施す工程を具え、
前記エネルギー線照射処理と低温加熱処理とを施すとことで、前記金属微粒子塗布層中に含まれる金属微粒子相互の焼結がなされ、金属微粒子焼結体型の薄膜導電体層の形成がなされる
ことを特徴とする、金属微粒子焼結体型の薄膜導電体層の形成方法。 A method of forming a metal fine particle sintered body type thin film conductor layer on a substrate,
The metal fine particles used for the production of the metal fine particle sintered body are metal fine particles having an average particle diameter of 1 to 100 nm composed of a metal material having a melting point of at least 200 ° C.,
A liquid phase dispersion medium comprising an organic solvent, wherein a coating molecular layer of a dispersant having a function of preventing aggregation between metal fine particles is provided on the surface of the metal fine particles, and the metal fine particles having the coating molecular layer are used as a dispersoid. Using metal fine particle dispersion liquid dispersed in,
Applying the metal fine particle dispersion at a predetermined thickness on the substrate to form a metal fine particle dispersion coating film layer; and
A step of evaporating the organic solvent contained in the metal fine particle dispersion coating film layer to obtain a dried metal fine particle coating layer;
A process of irradiating the dried metal fine particle coating layer with a predetermined dose of energy rays from the coating layer surface;
The metal fine particle coating layer that has been subjected to the energy beam irradiation treatment comprises a step of performing a low temperature heat treatment at a heating temperature selected in a temperature range not exceeding 50 ° C. and at least not exceeding 200 ° C. in a non-oxidizing gas atmosphere,
By performing the energy beam irradiation treatment and the low-temperature heat treatment, the metal fine particles contained in the metal fine particle coating layer are sintered with each other, and a metal fine particle sintered body type thin film conductor layer is formed. A method of forming a metal fine particle sintered body type thin film conductor layer, characterized in that:
金、銀、銅、白金、パラジウム、ロジウム、ルテニウム、ニッケル、アルミニウムからなる金属元素の群から選択される、単体金属種、または、二種以上の金属種からなる合金である
ことを特徴とする、請求項1に記載の方法。 The metal material constituting the metal fine particles and having a melting point exceeding 200 ° C. is at least
It is a single metal species selected from the group of metal elements consisting of gold, silver, copper, platinum, palladium, rhodium, ruthenium, nickel, and aluminum, or an alloy composed of two or more metal species. The method of claim 1.
ことを特徴とする、請求項1に記載の方法。 The method according to claim 1, wherein an average particle size of the metal fine particles is selected in a range of 5 to 20 nm.
加速電圧が50kV〜200kVの範囲に選択される電子線、または波長域180nm〜400nmの範囲から選択される紫外線を用いる
ことを特徴とする、請求項1に記載の方法。 As energy rays used for the energy ray irradiation treatment,
2. The method according to claim 1, wherein an accelerating voltage is selected from an electron beam selected in a range of 50 kV to 200 kV or an ultraviolet ray selected from a wavelength range of 180 nm to 400 nm.
50℃〜150℃の温度範囲に選択する
ことを特徴とする、請求項1に記載の方法。 The heating temperature used for the low-temperature heat treatment is
The process according to claim 1, characterized in that it is selected in the temperature range from 50C to 150C.
前記エネルギー線照射処理に利用されるエネルギー線の照射に伴って、酸成分を発生する機能を有する酸発生剤化合物を添加し、
前記乾燥処理済み金属微粒子塗布層中に、該酸発生剤化合物を含有させる
ことを特徴とする、請求項1に記載の方法。 In the liquid phase dispersion medium containing the organic solvent,
Along with the irradiation of energy rays used for the energy ray irradiation treatment, an acid generator compound having a function of generating an acid component is added,
The method according to claim 1, wherein the acid generator compound is contained in the dried metal fine particle coating layer.
酸発生能を有するオニウム化合物、スルホン化合物、ハロゲン化物、鉄アレン錯体からなる酸発生剤化合物の群から選択される、一種類の化合物、または、二種類以上の化合物を用いる
ことを特徴とする、請求項6に記載の方法。 As an acid generator compound having a function of generating an acid component with irradiation of the energy beam,
One type of compound selected from the group of acid generator compounds consisting of an onium compound having an acid generating ability, a sulfone compound, a halide, and an iron allene complex, or using two or more types of compounds, The method of claim 6.
該分散剤として、
その沸点は、150℃以上、350℃以下の範囲であって、
アミン類、アルコール類、フェノール類、チオール類からなる群より選択される、一種類の分散剤分子、または、二種類以上の分散剤分子を利用して、形成されている
ことを特徴とする、請求項1に記載の方法。 The coating molecular layer of the dispersant, which is provided on the surface of the metal fine particles and has a function of preventing aggregation between the metal fine particles,
As the dispersant,
The boiling point is in the range of 150 ° C. or higher and 350 ° C. or lower,
It is formed using one type of dispersant molecule selected from the group consisting of amines, alcohols, phenols, and thiols, or two or more types of dispersant molecules. The method of claim 1.
前記エネルギー線照射処理に利用されるエネルギー線の照射に伴って、ラジカル種を生成する機能を有するラジカル発生剤化合物を添加し、
前記乾燥処理済み金属微粒子塗布層中に、該ラジカル発生剤化合物を含有させる
ことを特徴とする、請求項1に記載の方法。 In the liquid phase dispersion medium containing the organic solvent,
Along with irradiation of energy rays used for the energy ray irradiation treatment, a radical generator compound having a function of generating radical species is added,
2. The method according to claim 1, wherein the radical generator compound is contained in the dried metal fine particle coating layer.
前記エネルギー線照射処理に利用されるエネルギー線の照射に伴って、ラジカル種を生成する機能を有するラジカル発生剤化合物、または、酸成分を発生する機能を有する酸発生剤化合物を添加し、
前記乾燥処理済み金属微粒子塗布層中に、該ラジカル発生剤化合物、または該酸発生剤化合物を含有させ、
さらに、前記エネルギー線照射処理に利用されるエネルギー線の照射に伴って、照射されるエネルギー線のエネルギーを受容し、該受容したエネルギーを該ラジカル発生剤化合物、または該酸発生剤化合物へと伝達し、該ラジカル発生剤化合物、または該酸発生剤化合物の機能発揮を可能とする、増感剤化合物を添加し、
前記乾燥処理済み金属微粒子塗布層中に、該増感剤化合物を含有させる
ことを特徴とする、請求項1に記載の方法。 In the liquid phase dispersion medium containing the organic solvent,
Along with the irradiation of energy rays used for the energy ray irradiation treatment, a radical generator compound having a function of generating radical species, or an acid generator compound having a function of generating an acid component is added,
In the dried metal fine particle coating layer, the radical generator compound or the acid generator compound is contained,
Further, in response to the irradiation of the energy beam used for the energy beam irradiation treatment, the energy of the irradiated energy beam is received, and the received energy is transmitted to the radical generator compound or the acid generator compound. And adding a sensitizer compound that enables the radical generator compound or the acid generator compound to function,
The method according to claim 1, wherein the sensitizer compound is contained in the dried metal fine particle coating layer.
前記エネルギー線照射処理、または低温加熱処理を施した際、重合硬化することが可能なバインダー樹脂成分を添加し、
前記乾燥処理済み金属微粒子塗布層中に、該バインダー樹脂成分を含有させる
ことを特徴とする、請求項1に記載の方法。 In the liquid phase dispersion medium containing the organic solvent,
When the energy ray irradiation treatment or the low-temperature heat treatment is performed, a binder resin component that can be polymerized and cured is added,
The method according to claim 1, wherein the binder resin component is contained in the dried metal fine particle coating layer.
前記エネルギー線照射処理に利用する、エネルギー線の照射を起因として、重合硬化活性の発揮がなされる、エネルギー線硬化性バインダー樹脂成分を用いる
ことを特徴とする、請求項11に記載の方法。 As the binder resin component that can be polymerized and cured when the energy ray irradiation treatment or the low temperature heat treatment is performed,
The method according to claim 11, wherein an energy ray-curable binder resin component that exhibits polymerization curing activity is used due to energy ray irradiation used for the energy ray irradiation treatment.
前記重合硬化されたバインダー樹脂と金属微粒子焼結体とからなる、金属微粒子焼結体型の薄膜導電体層の形成がなされる
ことを特徴とする、請求項11に記載の方法。 By performing the energy beam irradiation treatment and the low-temperature heat treatment, polymerization hardening of the binder resin component contained in the metal fine particle coating layer and sintering of the metal fine particles contained in the metal fine particle coating layer are performed. ,
The method according to claim 11, wherein a thin film conductor layer of a metal fine particle sintered body type comprising the polymerized and cured binder resin and a metal fine particle sintered body is formed.
基板の表面に対する、金属微粒子焼結体層の接着性を向上する機能を有する、接着性向上剤を添加し、
前記乾燥処理済み金属微粒子塗布層中に、該接着性向上剤を含有させる
ことを特徴とする、請求項1に記載の方法。 In the liquid phase dispersion medium containing the organic solvent,
Add an adhesion improver, which has the function of improving the adhesion of the metal fine particle sintered body layer to the surface of the substrate,
The method according to claim 1, wherein the adhesion improver is contained in the dried metal fine particle coating layer.
前記導電性金属薄膜または金属配線は、金属微粒子焼結体型の薄膜導電体層を利用して形成され、
基板上に該金属微粒子焼結体型の薄膜導電体層を形成する工程は、
請求項1〜14のいずれか一項に記載される方法を用いて実施される
ことを特徴とする、導電性金属薄膜または金属配線の形成方法。 A method of forming a conductive metal thin film or metal wiring on a substrate,
The conductive metal thin film or metal wiring is formed using a metal fine particle sintered body type thin film conductor layer,
The step of forming the metal fine particle sintered body type thin film conductor layer on the substrate includes:
It implements using the method as described in any one of Claims 1-14, The formation method of a conductive metal thin film or metal wiring characterized by the above-mentioned.
基板表面に形成されている、前記導電性金属薄膜または金属配線からなる配線回路パターンは、金属微粒子焼結体型の薄膜導電体層を利用して形成されており、
基板上の該金属微粒子焼結体型の薄膜導電体層は、
請求項1〜14のいずれか一項に記載される方法を用いて形成される、金属微粒子焼結体型の薄膜導電体層である
ことを特徴とする、配線回路基板。 A wiring circuit board in which a wiring circuit pattern made of a conductive metal thin film or metal wiring is formed on the substrate surface,
The wiring circuit pattern formed of the conductive metal thin film or metal wiring formed on the substrate surface is formed using a metal fine particle sintered body type thin film conductor layer,
The metal fine particle sintered body type thin film conductor layer on the substrate is:
A printed circuit board comprising a metal fine particle sintered body type thin film conductor layer formed by using the method according to any one of claims 1 to 14.
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Cited By (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007317367A (en) * | 2006-05-23 | 2007-12-06 | Dainippon Ink & Chem Inc | Manufacturing method of conductive film |
JP2009048959A (en) * | 2007-08-23 | 2009-03-05 | Ulvac Japan Ltd | Method for forming conductive film and electrode |
JP2009088340A (en) * | 2007-10-01 | 2009-04-23 | Harima Chem Inc | Method of manufacturing metal nanoparticle sintered compact |
JP2009283783A (en) * | 2008-05-23 | 2009-12-03 | Katsuhiro Maekawa | Formation method of high adhesiveness metal nanoparticle sintered compact film |
JP2010015770A (en) * | 2008-07-02 | 2010-01-21 | Seiko Epson Corp | Method for manufacturing transparent conductive film |
JP2010528428A (en) * | 2007-05-18 | 2010-08-19 | アプライド・ナノテック・ホールディングス・インコーポレーテッド | Metal ink |
JP2010199285A (en) * | 2009-02-25 | 2010-09-09 | Ricoh Co Ltd | Manufacturing method of wiring board, electronic element, and display |
JP2011521055A (en) * | 2008-05-15 | 2011-07-21 | アプライド・ナノテック・ホールディングス・インコーポレーテッド | Photocuring process for metal ink |
JP2011527089A (en) * | 2008-07-02 | 2011-10-20 | アプライド・ナノテック・ホールディングス・インコーポレーテッド | Metal paste and ink |
DE112010004973T5 (en) | 2009-12-22 | 2013-02-28 | Dic Corp. | Conductive paste for screen printing |
JP2014185358A (en) * | 2013-03-22 | 2014-10-02 | M&M Research Inst | Method and apparatus for forming sintered body film using laser |
WO2015000932A1 (en) * | 2013-07-04 | 2015-01-08 | Agfa-Gevaert | A method of preparing a conductive metallic layer or pattern |
US9011762B2 (en) | 2006-07-21 | 2015-04-21 | Valtion Teknillinen Tutkimuskeskus | Method for manufacturing conductors and semiconductors |
CN104704930A (en) * | 2012-10-05 | 2015-06-10 | 泰科电子公司 | Electrical components and methods and systems of manufacturing electrical components |
US9131610B2 (en) | 2009-03-27 | 2015-09-08 | Pen Inc. | Buffer layer for sintering |
US9598776B2 (en) | 2012-07-09 | 2017-03-21 | Pen Inc. | Photosintering of micron-sized copper particles |
JP2018080233A (en) * | 2016-11-15 | 2018-05-24 | 株式会社ダイセル | Metal plating layer-forming composition |
JP2018080232A (en) * | 2016-11-15 | 2018-05-24 | 株式会社ダイセル | Conductive ink |
CN108067615A (en) * | 2016-11-11 | 2018-05-25 | 北京梦之墨科技有限公司 | A kind of skin circuit printing equipment and system |
JP2020043008A (en) * | 2018-09-12 | 2020-03-19 | バンドー化学株式会社 | Silver fine particle dispersion |
CN114210993A (en) * | 2021-12-18 | 2022-03-22 | 兰州大学 | Method for preparing hollow gold nanospheres by rapid sintering |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002299833A (en) * | 2001-03-30 | 2002-10-11 | Harima Chem Inc | Multilayered wiring board and its forming method |
JP2002334618A (en) * | 2001-05-07 | 2002-11-22 | Harima Chem Inc | Forming method of plating-substitute conductive metal film using metal fine particle dispersed liquid |
JP2003080694A (en) * | 2001-06-26 | 2003-03-19 | Seiko Epson Corp | Method for forming membrane pattern, apparatus for forming membrane pattern, electrically conductive membrane wiring, electrooptic apparatus, electronic instrument and non-contact type card medium |
JP2003217349A (en) * | 2002-01-24 | 2003-07-31 | Nippon Paint Co Ltd | Composition for forming conductive film and manufacturing method therefor |
-
2004
- 2004-07-21 JP JP2004212899A patent/JP4535797B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002299833A (en) * | 2001-03-30 | 2002-10-11 | Harima Chem Inc | Multilayered wiring board and its forming method |
JP2002334618A (en) * | 2001-05-07 | 2002-11-22 | Harima Chem Inc | Forming method of plating-substitute conductive metal film using metal fine particle dispersed liquid |
JP2003080694A (en) * | 2001-06-26 | 2003-03-19 | Seiko Epson Corp | Method for forming membrane pattern, apparatus for forming membrane pattern, electrically conductive membrane wiring, electrooptic apparatus, electronic instrument and non-contact type card medium |
JP2003217349A (en) * | 2002-01-24 | 2003-07-31 | Nippon Paint Co Ltd | Composition for forming conductive film and manufacturing method therefor |
Cited By (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007317367A (en) * | 2006-05-23 | 2007-12-06 | Dainippon Ink & Chem Inc | Manufacturing method of conductive film |
US9011762B2 (en) | 2006-07-21 | 2015-04-21 | Valtion Teknillinen Tutkimuskeskus | Method for manufacturing conductors and semiconductors |
US10231344B2 (en) | 2007-05-18 | 2019-03-12 | Applied Nanotech Holdings, Inc. | Metallic ink |
JP2010528428A (en) * | 2007-05-18 | 2010-08-19 | アプライド・ナノテック・ホールディングス・インコーポレーテッド | Metal ink |
JP2009048959A (en) * | 2007-08-23 | 2009-03-05 | Ulvac Japan Ltd | Method for forming conductive film and electrode |
JP2009088340A (en) * | 2007-10-01 | 2009-04-23 | Harima Chem Inc | Method of manufacturing metal nanoparticle sintered compact |
KR101542522B1 (en) | 2008-05-15 | 2015-08-06 | 어플라이드 나노테크 홀딩스, 인크. | Photo-curing process for metallic inks |
US9730333B2 (en) | 2008-05-15 | 2017-08-08 | Applied Nanotech Holdings, Inc. | Photo-curing process for metallic inks |
JP2011521055A (en) * | 2008-05-15 | 2011-07-21 | アプライド・ナノテック・ホールディングス・インコーポレーテッド | Photocuring process for metal ink |
JP2009283783A (en) * | 2008-05-23 | 2009-12-03 | Katsuhiro Maekawa | Formation method of high adhesiveness metal nanoparticle sintered compact film |
JP2010015770A (en) * | 2008-07-02 | 2010-01-21 | Seiko Epson Corp | Method for manufacturing transparent conductive film |
JP2011527089A (en) * | 2008-07-02 | 2011-10-20 | アプライド・ナノテック・ホールディングス・インコーポレーテッド | Metal paste and ink |
JP2010199285A (en) * | 2009-02-25 | 2010-09-09 | Ricoh Co Ltd | Manufacturing method of wiring board, electronic element, and display |
US9131610B2 (en) | 2009-03-27 | 2015-09-08 | Pen Inc. | Buffer layer for sintering |
US9390830B2 (en) | 2009-12-22 | 2016-07-12 | Dic Corporation | Conductive paste for screen printing |
DE112010004973T5 (en) | 2009-12-22 | 2013-02-28 | Dic Corp. | Conductive paste for screen printing |
US9598776B2 (en) | 2012-07-09 | 2017-03-21 | Pen Inc. | Photosintering of micron-sized copper particles |
CN104704930A (en) * | 2012-10-05 | 2015-06-10 | 泰科电子公司 | Electrical components and methods and systems of manufacturing electrical components |
US10154595B2 (en) | 2012-10-05 | 2018-12-11 | Te Connectivity Corporation | Electrical components and methods and systems of manufacturing electrical components |
JP2015530760A (en) * | 2012-10-05 | 2015-10-15 | タイコ・エレクトロニクス・コーポレイションTyco Electronics Corporation | Electrical component and method and system for manufacturing electrical component |
JP2014185358A (en) * | 2013-03-22 | 2014-10-02 | M&M Research Inst | Method and apparatus for forming sintered body film using laser |
WO2015000932A1 (en) * | 2013-07-04 | 2015-01-08 | Agfa-Gevaert | A method of preparing a conductive metallic layer or pattern |
CN108067615A (en) * | 2016-11-11 | 2018-05-25 | 北京梦之墨科技有限公司 | A kind of skin circuit printing equipment and system |
JP2018080233A (en) * | 2016-11-15 | 2018-05-24 | 株式会社ダイセル | Metal plating layer-forming composition |
JP2018080232A (en) * | 2016-11-15 | 2018-05-24 | 株式会社ダイセル | Conductive ink |
JP2020043008A (en) * | 2018-09-12 | 2020-03-19 | バンドー化学株式会社 | Silver fine particle dispersion |
CN114210993A (en) * | 2021-12-18 | 2022-03-22 | 兰州大学 | Method for preparing hollow gold nanospheres by rapid sintering |
CN114210993B (en) * | 2021-12-18 | 2023-04-11 | 兰州大学 | Method for preparing hollow gold nanospheres through rapid sintering |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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