JP2006024421A - Electro-optical device and manufacturing method of electro-optical device, and electronic apparatus - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an electro-optic device restraining infiltration of moisture caused by exfoliation or crack on a gas barrier layer, and its manufacturing method as well as an electronic apparatus.
SOLUTION: Stress concentration on the gas barrier layer is alleviated by flattening a foundation of the gas barrier layer. The electro-optical device 1 having a plurality of first electrodes 23; barrier ribs 221 with a plurality of openings 221a corresponding to formation positions of the first electrodes 23; an electro-optical layer 60 arranged for each opening 221a; and second electrodes 50 covering the barrier ribs 221 and the electro-optical layers 60 is also provided with an organic buffer layer 210a covering the second electrodes 50 and with a flat top face formed; an inorganic buffer layer 210b covering the organic buffer layer 210a and formed with a wider area than the organic buffer layer 210a; and the gas barrier layer 30 covering the inorganic buffer layer 210b.
COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、電気光学装置及びその製造方法と、この電気光学装置を備えた電子機器に関するものである。 The present invention includes an electro-optical device and a manufacturing method thereof, an electronic apparatus having the electro-optical device.

近年、電気光学装置においては、発光機能層を備えた有機EL装置が知られている。 In recent years, electro-optical device, an organic EL device is known in which a light-emitting functional layer. このような電気光学装置は、無機陽極と無機陰極との間に有機発光層を備えた構成が一般的である。 Such electro-optical device, configured to include an organic emission layer between an inorganic anode and inorganic cathode is common. 更に、正孔注入性や電子注入性を向上させるために、無機陽極と有機発光層の間に有機正孔注入層を配置した構成や、有機発光層と無機陰極の間に電子注入層を配置した構成が提案されている。 Furthermore, the arrangement in order to improve the hole injecting property and electron injection property, a configuration of arranging an organic hole injection layer between the inorganic anode and the organic light-emitting layer, an electron injection layer between the organic light-emitting layer and the inorganic cathode configuration has been proposed in which the.

ここで、電子を放出しやすい材料特性を有する電子注入層は、大気中の存在する水分と反応しやすく、水と反応することによって電子注入効果が低下し、ダークスポットと呼ばれる非発光領域が形成されてしまい、発光素子としての寿命が短くなってしまう。 The electron injection layer having a material easy properties that emits electrons easily react with moisture present in the atmosphere, the electron injection effect reduced by reaction with water, the non-luminous region called a dark spot formation will be the lifetime of the light-emitting element becomes short. 従って、このような電気光学装置の分野においては、水分や酸素等に対する耐久性向上が課題となっている。 Therefore, in the field of electro-optical devices, durability against moisture and oxygen or the like has become an issue.
このような課題を解決するために、表示装置の基板にガラスや金属の蓋を取り付けて水分等を封止する方法が一般的に採用されてきた。 To solve such problems, a method of sealing the moisture or the like attached to the lid of the glass or metal substrate of the display device has been generally employed. しかし、ディスプレイの大型化及び薄型化/軽量化に伴い、外部応力に耐えるパネル強度を保持するため、中空構造からソリッド構造に切り替える必要が出てきている。 However, increase in size and thinner / lighter display, for holding the panel strength to withstand external stress, and it becomes necessary to switch from the hollow structure a solid structure. また、大型化に伴ってTFTや配線回路の面積を十分に確保するため、回路基板の反対側から発光させるトップエミッション構造を用いる必要も提案されている。 Further, in order to sufficiently ensure the area of ​​the TFT and the wiring circuit with the size, it has been proposed necessary to use a top-emission structure in which light is emitted from the opposite side of the circuit board. このような要求を達成するために、封止構造においては、透明でかつ軽量、耐強度性に優れた薄い構造を採用する必要があり、また、乾燥剤を除いても防湿性能が得られる構造が求められている。 To achieve this requirement, in the sealing structure, transparent and lightweight, it is necessary to employ an excellent thin structure Resistant degree property and moisture-proof performance can be obtained with the exception of the desiccant structure there is a demand.

そこで、近年では、表示装置の大型化及び軽薄化に対応するために、発光素子上に透明でガスバリア性に優れた珪素窒化物、珪素酸化物、セラミックス等の薄膜を高密度プラズマ成膜法(例えば、イオンプレーティング、ECRプラズマスパッタ、ECRプラズマCVD、表面波プラズマCVD、ICP−CVD等)により成膜させる薄膜封止と呼ばれる技術が用いられている(例えば、特許文献1〜4)。 Therefore, in recent years, in order to cope with large and lighter and thinner display devices, silicon nitride having excellent transparency and gas barrier property on the light emitting element, silicon oxide, thin film high-density plasma deposition method such as ceramics ( for example, ion plating, ECR plasma sputtering, ECR plasma CVD, surface wave plasma CVD, a technique called thin film encapsulation to be formed by ICP-CVD, etc.) is used (for example, Patent documents 1 to 4). このような技術によれば、水分を完全に遮断して薄膜形成することが可能となっている。 According to such a technique, it is possible to moisture completely blocked form a thin film.
特開平9−185994号公報 JP-9-185994 discloses 特開2001−284041号公報 JP 2001-284041 JP 特開2000−223264号公報 JP 2000-223264 JP 特開2003−17244号公報 JP 2003-17244 JP

しかしながら、このような技術を採用した場合でも、外部から水分が侵入してしまい、十分な発光特性や発光寿命が得られないことが本発明者によって確認された。 However, even when employing such a technique, will be water from the outside from entering, sufficient emission characteristics and luminescent lifetime can not be obtained has been confirmed by the present inventors.
本発明は、上述した事情に鑑みてなされたもので、ガスバリア層の剥離やクラックに金する水分の侵入を抑制した電気光学装置及びその製造方法、及び電子機器を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object thereof is to provide an electro-optical device and a manufacturing method thereof with suppressed water that gold enters the peeling or cracking of the gas barrier layer, and an electronic apparatus.

本発明者らは、上述した技術により成膜される薄層(ガスバリア層)は、緻密で非常に硬い膜であるため、薄層が被膜する表面上に凸凹や急峻な段差が存在すると、成膜された薄層に外部応力が集中してクラックや剥離が生じ、かえって遮断性が低下するということを見出した。 The present inventors have found that a thin layer formed by the above-described techniques (gas barrier layer) are the dense and very hard film, the thin layer is present uneven and steep steps on the surface to be coated, formed cracks and peeling occur concentrates external stress to the membrane lamina, rather barrier property was found to be decreased. 特に、バンクと呼ばれる隔壁を設けて、複数の発光層を区分けしている場合には、ガスバリア層が被膜する表面がバンクの存在により凸凹状に形成されてしまうため、外部応力が集中してクラックや剥離等が生じることを見出した。 In particular, by providing a partition wall, called a bank, if you partition the plurality of light-emitting layer, since the surface of the gas barrier layer is coated will be formed on the concavo-convex shape due to the presence of the bank, the external stress is concentrated cracks It found that and peeling or the like is generated.

更に、本発明者らは、ガスバリア層のエッジ部分から水分が侵入することを見出した。 Furthermore, the present inventors have found that moisture from entering from the edge portion of the gas barrier layer.
具体的に説明すると、ガスバリア層のエッジ部分においては、ガスバリア層が緩やかな傾斜を有しながら基体に接触している。 Specifically, in the edge portion of the gas barrier layer, the gas barrier layer is in contact with the substrate while having a gentle slope. このような接触部分にガスバリア層が緻密に形成されると、ガスバリア層にクラックが生じ、そこから水分が浸入してしまう。 When the gas barrier layer to such contact portions are densely formed, a crack occurs in the gas barrier layer, the water from which will be entering. ここで、クラックが生じるのは、ガスバリア層自体が水蒸気等のガス遮断性を得るため緻密な膜質を有しているために、ガスバリア層において基体を押さえつける力が生じてしまい、換言すればガスバリア層に圧縮応力が生じてしまい、基体からガスバリア層が剥離してしまうことに起因している。 Here, occurrence of cracks, since the gas barrier layer itself has a dense film quality for obtaining the gas barrier properties such as water vapor, the force pressing the substrate will occur in the gas barrier layer, the gas barrier layer in other words compressive stress would occur on, due to the fact that the gas barrier layer is peeled off from the substrate. このようなクラックは、特に段差のある周辺エッジ部分において生じやすい。 Such cracks are likely to occur in the peripheral edge portion of particular step. また、このようなクラックを抑制するには、ガスバリア層を薄くして、圧縮応力の発生を低減することが考えられるが、ガスバリア層を薄くすると、表面の微細な凹凸の影響を受けやすく、ピンホール欠陥も生じやすくなってしまう。 Further, in order to suppress such a crack, by reducing the gas barrier layer, it is conceivable to reduce the occurrence of compressive stresses, when thinning the barrier layer, sensitive to fine unevenness of the surface, the pin it becomes hole defect is also likely to occur. 即ち、ガスバリア層の下地の凹凸を埋めるためにも、ガスバリア層を所定の膜厚で形成する必要がある。 That is, in order to fill the unevenness of the underlying barrier layer, it is necessary to form a gas barrier layer with a predetermined thickness.
このように、本発明者らは、ガスバリア層を厚膜化した場合の問題点と、薄膜化した場合の問題点を見出し、単に緻密で高い応力のガスバリア層を形成しただけでは、水分の浸入を抑制することができないことを見出した。 Thus, the present inventors have found that a problem when the gas barrier layer was thickened, found problems in the case of thinning the merely to form a gas barrier layer of dense and high stress, penetration of water found that can not be suppressed.
そこで、本発明者らは、上記に基づいて以下の手段を有する本発明を想到した。 Accordingly, the present inventors have conceived the present invention having the following means based on the above.

即ち、本発明の電気光学装置は、基体上に、複数の第1電極と、前記第1電極の形成位置に対応した複数の開口部を有する隔壁と、前記開口部のそれぞれに配置される電気光学層と、前記隔壁及び前記電気光学層を覆う第2電極と、を有する電気光学装置において、前記第2電極を覆うと共に略平坦な上面が形成された有機緩衝層と、当該有機緩衝層を覆うと共に当該有機緩衝層よりも広い面積で形成された無機緩衝層と、当該無機緩衝層を覆うガスバリア層と、を備えることを特徴としている。 An electrical electro-optical device of the present invention, on a substrate, which are respectively located in the partition wall and the opening having a plurality of first electrodes, a plurality of openings corresponding to formation positions of the first electrode an optical layer, in the electro-optical device having a second electrode that covers the partition wall and the electro-optic layer, and the organic buffer layer approximately flat upper surface is formed which covers the second electrode, the organic buffer layer It is characterized in that it comprises an inorganic buffer layer formed in an area larger than the organic buffer layer, and a gas barrier layer covering the inorganic buffer layer covers.

ここで、ガスバリア層は無機材料からなり、特に珪素化合物であることが好ましい。 Here, the gas barrier layer is made of an inorganic material, it is preferable in particular silicon compounds.
また、無機緩衝層は、ガスバリア層よりも膜密度が小さいことが好ましい。 The inorganic buffer layer is preferably film density is smaller than the gas barrier layer. なお、無機緩衝層はガスバリア層と同じ珪素化合物からなることがさらに好ましい。 Incidentally, the inorganic buffer layer more preferably made of the same silicon compound gas barrier layer.
また、本発明におけるガスバリア層と無機緩衝層の各々は、ガスバリア機能を有する部分(層膜)と、応力に対する緩衝機能を有する部分(層膜)を意味しており、界面を介して配置された部分でもよいし、ガスバリア層及び無機緩衝層の構成原子の濃度勾配を有して配置された部分でもよい。 Also, each of the gas barrier layer and the inorganic buffer layer in the present invention, the portion (layer film) having a gas barrier function, means a portion (layer film) having a buffering function to stress, which is arranged via the interface it may be a portion, or a portion disposed with a concentration gradient of the constituent atoms of the gas barrier layer and an inorganic buffer layer. ここで、後者の濃度勾配を有する場合においては、構成原子の濃度の大小によってガスバリア層と無機緩衝層が規定される。 Here, in a case with the latter concentration gradient, the gas barrier layer and the inorganic buffer layer is defined by the magnitude of the concentration of the constituent atoms.

一般に、ガスバリア層は上述のように基板中央を持ち上げるような力が働く圧縮応力を有しており、有機緩衝層は有機材料からなるため基板周辺を引っ張り上げるような力が働く引張応力を有している。 In general, the gas barrier layer has a compressive stress such force lift the substrate center as described above works, the organic buffer layer has a tensile stress acts force of pulling the surrounding substrate for an organic material ing. したがって、有機緩衝層側の無機緩衝層は有機緩衝層より引張応力の小さい膜であり、ガスバリア層側の無機緩衝層はガスバリア層より圧縮応力が小さい膜であることが好ましい。 Thus, the organic buffer layer side of the inorganic buffer layer is smaller film stress tensile than the organic buffer layer, gas barrier layer side of the inorganic buffer layer is preferably a film compressive stress is less than the gas barrier layer. また、有機緩衝層側の無機緩衝層と有機緩衝層と、もしくは、ガスバリア層側の無機緩衝層とガスバリア層との間の応力の差を少なくすることにより、これらの層の密着性を向上させることができる。 Further, an inorganic buffer layer and the organic buffer layer of the organic buffer layer side or, by reducing the difference in stress between the gas barrier layer side of the inorganic buffer layer and gas barrier layer, improve the adhesion of these layers be able to. したがって、無機緩衝層は有機緩衝層側からガスバリア層側に向け、引張応力から圧縮応力に段階的もしくは連続的に形成されていることが好ましい。 Accordingly, the inorganic buffer layer toward the gas barrier layer side from the organic buffer layer side, it is preferable that the stepwise or continuously formed on the compressive stress from the tensile stress.

このように、無機材料からなるガスバリア層と無機緩衝層とが接触し、また、無機緩衝層はガスバリア層よりも小さい膜密度を有しているので、ガスバリア層を形成した際の圧縮応力が緩和される。 Thus, the contact between the gas barrier layer made of an inorganic material and an inorganic buffer layer, and since the inorganic buffer layer has a smaller film density than the gas barrier layer, compressive stress relaxation at the time of forming the gas barrier layer It is. これにより、ガスバリア層の剥離やクラックを抑制できる。 This can suppress the peeling or cracking of the gas barrier layer. 従って、水分の浸入を抑制することができ、電気光学層の劣化を防止できる。 Therefore, it is possible to inhibit the penetration of moisture, can prevent degradation of the electro-optical layer.
また、ガスバリア層と無機緩衝層は、共に無機材料からなるので、両者の密着性は高く、互いに剥離することがない。 Further, the gas barrier layer and the inorganic buffer layer, since both of an inorganic material, adhesion between them is high, it is not possible to peel from each other. ガスバリア層と無機緩衝層は、共に珪素化合物から形成することにより、さらに両者の密着性を向上させることができる。 Gas barrier layer and the inorganic buffer layer, by forming the both silicon compound, it is possible to further improve the adhesion therebetween. また、このような無機緩衝層を設けたことにより、ガスバリア層の膜厚を従来よりも薄くできる。 Further, by providing such an inorganic buffer layer, the thickness of the gas barrier layer can be made thinner than the conventional. これにより、ガスバリア層を厚膜に形成した場合の基体の反りを抑制できる。 Thus, a gas barrier layer can suppress warpage of the substrate in the case of forming a thick film. また、ガスバリア層の薄膜化を単に施しただけでは、ピンホールなどの膜欠陥が生じて一般的に水分に対する遮断性が低下してしまうが、上記のように無機緩衝層が形成されることによって、無機緩衝層が水分に対する遮蔽性を補完するので、ガスバリア層が薄膜となっても、十分に水分を遮蔽できる。 Also, just simply subjected to thinning of the gas barrier layer, although barrier properties against generally water generated film defects such as pinholes is decreased by an inorganic buffer layer is formed as described above since inorganic buffer layer complements the shielding property against moisture, even when the gas barrier layer is a thin film, it can be sufficiently shielded moisture.

また、無機緩衝層は有機緩衝層よりも広い面積で形成されるので、有機緩衝層は無機緩衝層によって被覆された状態となる。 The inorganic buffer layer because it is formed in an area larger than that of the organic buffer layer, the organic buffer layer is in a state of being covered by the inorganic buffer layer. これによって、ガスバリア層と有機緩衝層が直接的に接触することがない。 Thus, never gas barrier layer and the organic buffer layer is in direct contact. これにより、ガスバリア層と有機緩衝層との間で生じる応力が緩和され、ガスバリア層の剥離やクラックを抑制できる。 Accordingly, stress generated between the gas barrier layer and the organic buffer layer is reduced, it can suppress the peeling or cracking of the gas barrier layer.
また、有機緩衝層を設けたことにより、隔壁の平坦化と共に、基体側から発生する反りや体積変化により発生する応力が分散され、無機緩衝層及びガスバリア層に発生するクラックや剥離を防止する。 Further, by providing the organic buffer layer, along with flattening of the partition wall, the stress caused by warpage and volume change generated from the substrate side is dispersed to prevent cracking and peeling that occurs in the inorganic buffer layer and gas barrier layer. また、有機緩衝層を設けたことにより、不安定な隔壁からの第2電極の剥離を防止できる。 Further, by providing the organic buffer layer can prevent peeling of the second electrode from unstable septum. また、有機緩衝層の上面が略平坦化されるので、有機緩衝層上に形成される無機緩衝層やガスバリア層が平坦化され、ガスバリア層における応力集中が生じる部位がなくなり、ガスバリア層のクラック発生を防止できる。 Further, since the upper surface of the organic buffer layer is substantially flattened, is an inorganic buffer layer and gas barrier layer is planarized is formed on the organic buffer layer, there is no site where the stress concentration in the gas barrier layer occurs, cracking of the gas barrier layer It can be prevented.
また、有機緩衝層は、第2電極を形成した後に付着する微細なパーティクルを埋めるので、当該パーティクルがあったとしても、無機緩衝層やガスバリア層の平坦化を実現できる。 The organic buffer layer, so fill the fine particles adhering after forming the second electrode, even if the particles can be realized flattened inorganic buffer layer and gas barrier layer.

また、前記電気光学装置においては、前記無機緩衝層は、酸素原子を含むことを特徴としている。 Further, in the electro-optical device, wherein the inorganic buffer layer is characterized in that it comprises an oxygen atom.
このように、無機緩衝層の内部に酸素原子が入り込むことで、無機緩衝層の緻密さが低下するので、ガスバリア層の圧縮応力を効果的に緩和できる。 In this manner, the oxygen atoms entering the inside of the inorganic buffer layer, because denseness of the inorganic buffer layer is decreased, the compressive stress of the gas barrier layer can be effectively alleviated.
特に無機緩衝層とガスバリア層を珪素化合物で形成する場合には、無機緩衝層の酸素含有量がガスバリア層の酸素含有量より多くすることにより、無機緩衝層の圧縮応力をガスバリア層の圧縮応力よりも小さく抑えることができる。 Particularly in the case of forming the inorganic buffer layer and the gas barrier layer of a silicon compound, by the oxygen content of the inorganic buffer layer is more than the oxygen content of the gas barrier layer, than the compressive stress of the compressive stress of the inorganic buffer layer gas barrier layer it can be suppressed to be small.
また、無機緩衝層が酸素原子を含むことにより、当該酸素原子を含んでいない場合と比較して、無機緩衝層の屈折率が変化する。 Further, by inorganic buffer layer containing oxygen atoms, as compared with those that do not contain the oxygen atom, the refractive index of the inorganic buffer layer is changed. 従って、酸素原子の含有量を調整することで、無機緩衝層が所望の屈折率、即ち、所望の膜密度を有するように調整できる。 Therefore, by adjusting the content of oxygen atoms, inorganic buffer layer desired refractive index, that can be adjusted to have a desired film density.

また、前記電気光学装置においては、前記無機緩衝層は、水素原子を含むことを特徴としている。 Further, in the electro-optical device, wherein the inorganic buffer layer is characterized in that it comprises a hydrogen atom.
このように、無機緩衝層の内部に水素原子が入り込むことで、無機緩衝層の緻密さが低下するので、ガスバリア層の圧縮応力を効果的に緩和できる。 In this manner, the hydrogen atoms enter the interior of the inorganic buffer layer, because denseness of the inorganic buffer layer is decreased, the compressive stress of the gas barrier layer can be effectively alleviated. 特に無機緩衝層とガスバリア層を珪素化合物で形成する場合には、無機緩衝層の水素含有量がガスバリア層の水素含有量より多くすることにより、無機緩衝層の圧縮応力をガスバリア層の圧縮応力よりも小さく抑えることができるとともに、無機緩衝層の水素含有量を制御することにより圧縮応力から引張応力の範囲にて制御することができる。 Particularly in the case of forming the inorganic buffer layer and the gas barrier layer of a silicon compound, by hydrogen content of the inorganic buffer layer is more than the hydrogen content of the gas barrier layer, than the compressive stress of the compressive stress of the inorganic buffer layer gas barrier layer it can also together can be suppressed to a small, controlled in the range of tensile from the compression stress stress by controlling the hydrogen content of the inorganic buffer layer. 無機緩衝層の水素含有量を有機緩衝層側からガスバリア層側に向け連続的、もしくは、段階的に少なくすることにより、無機緩衝層の応力を有機緩衝層側からガスバリア層側に向け、引張応力から圧縮応力に段階的もしくは連続的に変えて形成することができる。 Continuously directing the hydrogen content of the inorganic buffer layer from the organic buffer layer side gas barrier layer side or, by stepwise less, toward the gas barrier layer side stress of inorganic buffer layer from the organic buffer layer side, the tensile stress it can be formed by changing stepwise or continuously to the compression stress from.
また、無機緩衝層が水素原子を含んだとしても、無機緩衝層の屈折率が変わらないので、屈折率を変えずに膜質の緻密さを調整できる。 Also, the inorganic buffer layer as containing hydrogen atoms, the refractive index of the inorganic buffer layer does not change, can be adjusted denseness of film quality without changing the refractive index.

また、前記電気光学装置においては、前記無機緩衝層は、前記有機緩衝層を被覆すると共に基体上の無機材料と接触して形成されていることを特徴としている。 Further, in the electro-optical device, wherein the inorganic buffer layer is characterized in that it is formed in contact with the inorganic material on the substrate while covering the organic buffer layer.
このようにすれば、ガスバリア層が基体上の無機材料と直接接触することなく、無機緩衝層を介してガスバリア層が無機材料上に形成されることとなる。 Thus, without gas barrier layer is in direct contact with the inorganic material on the substrate, so that the gas barrier layer via an inorganic buffer layer is formed on the inorganic material. 従って、ガスバリア層の圧縮応力が無機緩衝層によって緩和されるので、基体上の無機材料の形成部分におけるガスバリア層の剥離やクラックを抑制できる。 Thus, since the compressive stress of the gas barrier layer is relaxed by inorganic buffer layer, it can suppress separation or cracking of the gas barrier layer in the forming portion of the inorganic material on the substrate. 従って、当該剥離やクラックに起因する水分の浸入を抑制できる。 Therefore, it is possible to suppress the entry of moisture due to the peeling or cracking.

また、前記電気光学装置においては、前記ガスバリア層を覆う樹脂接着層と、当該樹脂接着層を覆う保護基体とが設けられていることを特徴としている。 Further, in the electro-optical device includes a resin adhesive layer covering the gas barrier layer, it is characterized in that the protective body covering the resin adhesive layer is provided.
このようにすれば、ガスバリア層が保護されるので、ガスバリア層の破壊や損傷を抑制できる。 Thus, because the gas barrier layer is protected, it can be suppressed destruction or damage to the gas barrier layer.

また、前記電気光学装置においては、第2電極と有機緩衝層との間に、電極保護層が設けられていることを特徴としている。 Further, in the electro-optical device, between the second electrode and the organic buffer layer is characterized in that the electrode protection layer is provided.
このようにすれば、電極保護層によって第2電極が保護されるので、有機緩衝層を形成する際の有機溶剤や残留水分によるダメージを抑制できる。 Thus, since the second electrode is protected by the electrode protective layer can be suppressed damage by organic solvents and residual moisture in forming the organic buffer layer.

また、前記電気光学装置においては、前記無機緩衝層は、前記有機緩衝層を被覆すると共に前記電極保護層と接触して形成されていることを特徴としている。 Further, in the electro-optical device, wherein the inorganic buffer layer is characterized in that it is formed in contact with the electrode protective layer while covering the organic buffer layer.
このようにすれば、ガスバリア層が電極保護層と直接接触することなく、無機緩衝層を介してガスバリア層が電極保護層上に形成されることとなる。 Thus, without gas barrier layer is in direct contact with the electrode protective layer, a gas barrier layer via an inorganic buffer layer is to be formed on the electrode protective layer. 従って、ガスバリア層の圧縮応力が無機緩衝層によって緩和されるので、電極保護層上に形成されるガスバリア層の剥離やクラックを抑制できる。 Thus, since the compressive stress of the gas barrier layer is relaxed by inorganic buffer layer, it can suppress separation or cracking of the gas barrier layer formed on the electrode protective layer. 従って、当該剥離やクラックに起因する水分の浸入を抑制できる。 Therefore, it is possible to suppress the entry of moisture due to the peeling or cracking.

また、前記電気光学装置においては、有機緩衝層の側面端部の角度が45°以下で形成されていることを特徴としている。 Further, in the electro-optical device is characterized in that the angle of the side edge of the organic buffer layer is formed by 45 ° or less.
ここで、無機緩衝層やガスバリア層は、このような有機緩衝層の形状に倣って形成される。 Here, an inorganic buffer layer and gas barrier layer is formed along the shape of such organic buffer layer. このようにすれば、無機緩衝層やガスバリア層は、急峻な形状ではなく、緩やかな形状を有するので、当該無機緩衝層やガスバリア層における応力を低減できる。 In this way, an inorganic buffer layer and gas barrier layer is not a steep shape, because it has a gentle shape, it can reduce stress in the inorganic buffer layer and gas barrier layer. 従って、無機緩衝層やガスバリア層に荷重が付与されたとしても、剥離やクラックが生じることがなく、水分の侵入を抑制できる。 Therefore, even if a load in the inorganic buffer layer and gas barrier layer is applied, peeling and without cracks can be suppressed moisture penetration.

また、本発明の電気光学装置の製造方法は、基体上に、複数の第1電極と、前記第1電極の形成位置に対応した複数の開口部を有する隔壁と、前記開口部のそれぞれに配置される電気光学層と、前記隔壁及び前記電気光学層を覆う第2電極と、を有する電気光学装置の製造方法において、前記第2電極を覆うと共に略平坦な有機緩衝層を形成する工程と、当該有機緩衝層を覆うと共に当該有機緩衝層よりも広い面積を有する無機緩衝層を形成する工程と、当該無機緩衝層を覆うガスバリア層を形成する工程と、を含むことを特徴としている。 Further, a method of manufacturing an electro-optical device of the present invention, on a substrate, a partition wall having a plurality of first electrodes, a plurality of openings corresponding to formation positions of the first electrode, disposed in each of said apertures an electro-optical layer which is a second electrode which covers the partition wall and the electro-optical layer, in the manufacturing method of an electro-optical device and a step of forming a substantially flat organic buffer layer covers the second electrode, forming an inorganic buffer layer having a larger area than the organic buffer layer covers the organic buffer layer is characterized in that it comprises a step of forming a gas barrier layer covering the inorganic buffer layer.

このように、無機緩衝層が形成されることにより、ガスバリア層の圧縮応力が緩和され、ガスバリア層の剥離やクラックを抑制できる。 Thus, by inorganic buffer layer is formed, compressive stress of the gas barrier layer is relaxed, it is possible to suppress the peeling or cracking of the gas barrier layer. 従って、水分の浸入を抑制することができ、電気光学層の劣化を防止できる。 Therefore, it is possible to inhibit the penetration of moisture, can prevent degradation of the electro-optical layer. また、無機緩衝層を形成することにより、ガスバリア層の膜厚を従来よりも薄くできる。 Further, by forming an inorganic buffer layer, the thickness of the gas barrier layer can be made thinner than the conventional. これにより、ガスバリア層を厚膜に形成した場合の基体の反りを抑制できる。 Thus, a gas barrier layer can suppress warpage of the substrate in the case of forming a thick film. また、無機緩衝層が水分に対する遮蔽性を補完するので、ガスバリア層が薄膜となっても十分に水分を遮蔽できる。 Further, since the inorganic buffer layer complements the shielding property against moisture, the gas barrier layer can shield sufficiently water also becomes thin.

また、有機緩衝層よりも広い面積で無機緩衝層を形成するので、ガスバリア層と有機緩衝層が直接的に接触することがない。 Moreover, since forming an inorganic buffer layer in an area larger than that of the organic buffer layer, never gas barrier layer and the organic buffer layer is in direct contact. これにより、ガスバリア層と有機緩衝層との間で生じる応力が緩和され、ガスバリア層の剥離やクラックを抑制できる。 Accordingly, stress generated between the gas barrier layer and the organic buffer layer is reduced, it can suppress the peeling or cracking of the gas barrier layer.
また、有機緩衝層を形成することにより、基体側から発生する反りや体積変化により発生する応力を緩和できる。 Further, by forming the organic buffer layer, it can reduce the stress generated by the warp and the volume change generated from the substrate side. 従って、不安定な隔壁からの第2電極の剥離を防止できる。 Accordingly, it is possible to prevent the peeling of the second electrode from unstable septum. また、有機緩衝層の上面が略平坦化されるので、有機緩衝層上に形成される無機緩衝層やガスバリア層が平坦化され、ガスバリア層における応力集中が生じる部位がなくなり、ガスバリア層のクラック発生を防止できる。 Further, since the upper surface of the organic buffer layer is substantially flattened, is an inorganic buffer layer and gas barrier layer is planarized is formed on the organic buffer layer, there is no site where the stress concentration in the gas barrier layer occurs, cracking of the gas barrier layer It can be prevented.
また、有機緩衝層は、第2電極を形成した後に付着する微細なパーティクルを埋めるので、当該パーティクルがあったとしても、無機緩衝層やガスバリア層の平坦化を実現できる。 The organic buffer layer, so fill the fine particles adhering after forming the second electrode, even if the particles can be realized flattened inorganic buffer layer and gas barrier layer.

また、前記電気光学装置の製造方法においては、前記有機緩衝層を形成する工程は、大気圧雰囲気下における液相法を利用することを特徴としている。 Further, in the method of manufacturing the electro-optical device, the step of forming the organic buffer layer is characterized to utilize a liquid phase method under atmospheric pressure.
このようにすれば、真空雰囲気で形成する場合と比較して、安価かつ容易に平坦性に優れた有機緩衝層を形成できる。 Thus, as compared with the case of forming in a vacuum atmosphere to form a good organic buffer layer inexpensively and easily flatness.

また、前記電気光学装置の製造方法においては、前記無機緩衝層及び前記ガスバリア層を形成する工程は、真空雰囲気において連続して行うことを特徴としている。 Further, in the method of manufacturing the electro-optical device, the step of forming the inorganic buffer layer and the gas barrier layer is characterized to be performed consecutively in a vacuum atmosphere.
このようにすれば、大気圧雰囲気に戻すことなく無機緩衝層とガスバリア層が形成されるので、生産性を向上させることができる。 Thus, since the inorganic buffer layer and gas barrier layer is formed without returning to the atmospheric pressure, thereby improving the productivity. また、大気雰囲気に戻す場合には、大気中に含まれる水分が無機緩衝層とガスバリア層の間に入り込んでしまうが、同一の真空雰囲気において一括して成膜することにより、水分を抑制できる。 Further, when the return to the atmosphere is the moisture contained in the atmosphere may enter between the inorganic buffer layer and gas barrier layer, by forming collectively in the same vacuum atmosphere, the moisture can be suppressed.

また、本発明の電子機器は、先に記載の電気光学装置を備えたことを特徴としている。 The electronic device of the present invention is characterized by comprising an electro-optical device described above.
このような電子機器としては、例えば、携帯電話機、移動体情報端末、時計、ワープロ、パソコンなどの情報処理装置、プリンタ等を例示できる。 Examples of such electronic devices, e.g., cellular phone, mobile information terminal can be exemplified watches, word processors, an information processing apparatus such as a personal computer, a printer or the like. また、大型の表示画面を有するテレビや、大型モニタ等を例示できる。 The television or having a large display screen can be exemplified by the large monitor. このように電子機器の表示部に、本発明の電気光学装置を採用することによって、長寿命で表示特性が良好な表示部を備える電子機器を提供できる。 Thus in the display unit of the electronic apparatus, by employing an electro-optical device of the present invention can provide an electronic apparatus including the display characteristics favorable display unit a long life. また、プリンタなどの光源に適用してもよい。 It may also be applied to a light source such as a printer.

以下、本発明の電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器の実施形態について図を参照して説明する。 Hereinafter, the electro-optical device of the present invention, a method of manufacturing an electro-optical device, and will be described with reference to the drawings an embodiment of an electronic device.
電気光学装置として、電気光学物質の一例である電界発光型物質、中でも有機エレクトロルミネッセンス(EL)材料を用いたEL表示装置について説明する。 As an electro-optical device, electroluminescence type substance which is an example of electro-optical material, for an EL display device using an inter alia organic electroluminescence (EL) materials are described.
図1は、EL表示装置1の配線構造を示す図である。 Figure 1 is a diagram showing a wiring structure of an EL display device 1. EL表示装置1は、スイッチング素子として薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor、以下TFTと略記する)を用いたアクティブマトリクス型のEL表示装置である。 EL display device 1 is an active matrix type EL display device using a thin film transistor (Thin Film Transistor, for TFT abbreviated hereinafter) as a switching element.
なお、以下の説明では、EL表示装置1を構成する各部位や各層膜を認識可能とするために、各々の縮尺を異ならせている。 In the following description, in order to allow recognition of each part and each film constituting the EL display device 1, it is made different each scale.

EL表示装置(電気光学装置)1は、図1に示すように、複数の走査線101と、各走査線101に対して直角に交差する方向に延びる複数の信号線102と、各信号線102に並列に延びる複数の電源線103とがそれぞれ配線された構成を有するとともに、走査線101と信号線102の各交点付近に画素領域Xが設けられる。 EL display (electro-optical apparatus) 1, as shown in FIG. 1, a plurality of scanning lines 101, a plurality of signal lines 102 extending in a direction crossing at right angles to the scanning lines 101, signal lines 102 a plurality of power lines 103 extending in parallel and having a structure that is wired respectively, the pixel region X is provided in the vicinity of each intersection of the scanning lines 101 and signal lines 102 to.
信号線102には、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン及びアナログスイッチを備えるデータ線駆動回路100が接続される。 The signal line 102, a shift register, a level shifter, a data line driving circuit 100 comprises a video line and an analog switch is connected. また、走査線101には、シフトレジスタ及びレベルシフタを備える走査線駆動回路80が接続される。 The scanning lines 101, the scanning line driving circuit 80 including a shift register and a level shifter is connected.

さらに、画素領域Xの各々には、走査線101を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用TFT112と、このスイッチング用TFT112を介して信号線102から供給される画素信号を保持する保持容量113と、該保持容量113によって保持された画素信号がゲート電極に供給される駆動用TFT123と、この駆動用TFT123を介して電源線103に電気的に接続したときに該電源線103から駆動電流が流れ込む画素電極(第1電極)23と、この画素電極23と陰極(第2電極)50との間に挟み込まれた機能層110とが設けられる。 Further, each of the pixel regions X, holding a scanning signal through the scanning line 101 is a switching TFT TFT112 supplied to the gate electrode holds a pixel signal supplied from the signal line 102 through the switching TFT TFT112 driving a capacitor 113, a driving TFT123 the pixel signal held is supplied to the gate electrode by the storage capacitor 113, from the power line 103 when electrically connected to the power supply line 103 via the driving TFT TFT123 a pixel electrode (first electrode) 23 which current flows, is provided with the functional layer 110 sandwiched between the pixel electrode 23 and the cathode (second electrode) 50. 画素電極23と陰極50と機能層110により、発光素子(有機EL素子)が構成される。 The pixel electrode 23 and the cathode 50 and the functional layer 110, the light emitting element (organic EL element) is configured.

このEL表示装置1によれば、走査線101が駆動されてスイッチング用TFT112がオン状態になると、そのときの信号線102の電位が保持容量113に保持され、該保持容量113の状態に応じて、駆動用TFT123のオン・オフ状態が決まる。 According to the EL display device 1, the switching TFT TFT112 turns on the scanning line 101 is driven, the potential of the signal line 102 at that time is stored in the storage capacitor 113, in accordance with the state of the storage capacitor 113 , on-off state of the driving TFT123 is determined. そして、駆動用TFT123のチャネルを介して、電源線103から画素電極23に電流が流れ、さらに機能層110を介して陰極50に電流が流れる。 Then, through the channel of the driving TFT 123, a current flows into the pixel electrode 23 from the power supply line 103, a current flows to the cathode 50 further through the functional layer 110. 機能層110は、これを流れる電流量に応じて発光する。 Functional layer 110 emits light in accordance with the amount of current flowing therethrough.

次に、EL表示装置1の具体的な構成について図2〜図6を参照して説明する。 It will now be described with reference to FIGS. 2-6 specific structure of the EL display device 1.
EL表示装置1は、図2に示すように電気絶縁性を備えた基板20と、スイッチング用TFT(図示せず)に接続された画素電極が基板20上にマトリックス状に配置されてなる画素電極域(図示せず)と、画素電極域の周囲に配置されるとともに各画素電極に接続される電源線(図示せず)と、少なくとも画素電極域上に位置する平面視ほぼ矩形の画素部3(図2中一点鎖線枠内)とを具備して構成されたアクティブマトリクス型のものである。 EL display device 1 includes a substrate 20 having an electrical insulating property as shown in FIG. 2, a pixel electrode connected to the pixel electrode in the switching TFT (not shown) are arranged in a matrix on the substrate 20 band (not shown), a power supply line connected to each pixel electrode while being disposed around the pixel electrode regions (not shown), planar view substantially rectangular pixel unit 3 positioned on at least the pixel electrode region it is of the active matrix type, which is configured by including a (FIG. 2 in the dashed line frame).
なお、本発明においては、基板20と後述するようにこれの上に形成されるスイッチング用TFTや各種回路、及び層間絶縁膜などを含めて、基体と称している。 In the present invention, a switching TFT, various circuits are formed on top of this, as will be described later with the substrate 20, and including an interlayer insulating film, is called a base. (図3、4中では符号200で示している。) (In FIGS. 3 and 4 are indicated by reference numeral 200.)

画素部3は、中央部分の実表示領域4(図2中二点鎖線枠内)と、実表示領域4の周囲に配置されたダミー領域5(一点鎖線および二点鎖線の間の領域)とに区画される。 Pixel unit 3, the actual display area of ​​the central portion 4 (FIG. 2 in the two-dot chain line frame), and a dummy area 5 disposed around the actual display area 4 (the region between the one-dot chain line and two-dot chain line) It is divided into.
実表示領域4には、それぞれ画素電極を有する表示領域R、G、BがA−B方向およびC−D方向にそれぞれ離間してマトリックス状に配置される。 The actual display area 4, display areas R, each having a pixel electrode, G, B are arranged in a matrix spaced respectively A-B direction and C-D direction.
また、実表示領域4の図2中両側には、走査線駆動回路80、80が配置される。 Further, in the figure 2 on both sides of the actual display area 4, the scanning line driving circuit 80, 80 is arranged. これら走査線駆動回路80、80は、ダミー領域5の下側に配置されたものである。 These scanning line driving circuit 80 and 80 are those which are disposed below the dummy region 5.

さらに、実表示領域4の図2中上側には、検査回路90が配置される。 Further, in the figure 2 the upper of the actual display area 4, it is arranged inspection circuit 90. この検査回路90は、EL表示装置1の作動状況を検査するための回路であって、例えば検査結果を外部に出力する検査情報出力手段(図示せず)を備え、製造途中や出荷時の表示装置の品質、欠陥の検査を行うことができるように構成されたものである。 The test circuit 90 is a circuit for checking the operation status of the EL display device 1, for example, inspection results with the inspection information output means for outputting to an external (not shown) to display the time during manufacturing and shipping quality of the apparatus, but configured to be able to inspect the defect. なお、この検査回路90も、ダミー領域5の下側に配置されたものである。 Incidentally, the test circuit 90 is also one which is located below the dummy region 5.

走査線駆動回路80および検査回路90は、その駆動電圧が、所定の電源部から駆動電圧導通部310(図3参照)および駆動電圧導通部340(図4参照)を介して、印加されるよう構成される。 Scanning line drive circuit 80 and the inspection circuit 90, the driving voltage, via a drive from a predetermined power supply unit voltage conducting section 310 (see FIG. 3) and the driving voltage conducting section 340 (see FIG. 4), as the applied constructed. また、これら走査線駆動回路80および検査回路90への駆動制御信号および駆動電圧は、このEL表示装置1の作動制御を行う所定のメインドライバなどから駆動制御信号導通部320(図3参照)および駆動電圧導通部350(図4参照)を介して、送信および印加される。 These driving control signal and the drive voltage to the scanning line driving circuit 80 and the inspection circuit 90, predetermined like from the drive control main driver signal conducting unit 320 for controlling the operation of the EL display device 1 (see FIG. 3) and via a drive voltage conducting section 350 (see FIG. 4), it is transmitted and applied. なお、この場合の駆動制御信号とは、走査線駆動回路80および検査回路90が信号を出力する際の制御に関連するメインドライバなどからの指令信号である。 Note that the drive control signal in this case, a command signal from such main driver associated with the control when the scanning line driving circuit 80 and test circuit 90 outputs a signal.

また、EL表示装置1は、図3、図4に示すように基体200上に画素電極23と発光層60と陰極50とを備えた発光素子(有機EL素子)を多数形成し、さらにこれらを覆って有機緩衝層210a、無機緩衝層210b、ガスバリア層30等を形成させたものである。 Further, EL display device 1, FIG. 3, to form a large number of light emitting element (organic EL element) and a pixel electrode 23 and the light emitting layer 60 and the cathode 50 on the substrate 200 as shown in FIG. 4, further these it is obtained by forming the organic buffer layer 210a, an inorganic buffer layer 210 b, a gas barrier layer 30 or the like covers.
なお、発光層60としては、代表的には発光層(エレクトロルミネッセンス層)であり、正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層などのキャリア注入層またはキャリア輸送層を備えるもの。 Note that the light-emitting layer 60, typically a light emitting layer (electroluminescence layer) comprises a hole injection layer, a hole transport layer, an electron injection layer, a carrier injection layer or carrier transporting layer and an electron transport layer thing. さらには、正孔阻止層(ホールブロッキング層)、電子阻止層(エレクトロン阻止層)を備えるものであってもよい。 Furthermore, a hole blocking layer (hole blocking layer), may be provided with an electron blocking layer (electron blocking layer).

基体200を構成する基板20としては、いわゆるトップエミッション型のEL表示装置の場合、この基板20の対向側であるガスバリア層30側から発光光を取り出す構成であるので、透明基板及び不透明基板のいずれも用いることができる。 The substrate 20 constituting the substrate 200, in the case of so-called top emission type EL display device, since the configuration of the emitted light from the gas barrier layer 30 side which is the opposite side of the substrate 20, either a transparent substrate and an opaque substrate it can be also used. 不透明基板としては、例えばアルミナ等のセラミックス、ステンレススチール等の金属シートに表面酸化などの絶縁処理を施したもの、また熱硬化性樹脂や熱可塑性樹脂、さらにはそのフィルム(プラスチックフィルム)などが挙げられる。 Opaque substrates, for example ceramics such as alumina, those subjected to insulation treatment such as surface oxidation on the metal sheet such as stainless steel, also a thermosetting resin and a thermoplastic resin, more like the film (plastic film) It is.

また、いわゆるボトムエミッション型のEL表示装置の場合には、基板20側から発光光を取り出す構成であるので、基板20としては、透明あるいは半透明のものが採用される。 In the case of a so-called bottom emission type EL display device, since the configuration of the emitted light from the substrate 20 side, the substrate 20, those of the transparent or semi-transparent is adopted. 例えば、ガラス、石英、樹脂(プラスチック、プラスチックフィルム)等が挙げられ、特にガラス基板が好適に用いられる。 For example, glass, quartz, resin (plastic, plastic film) and the like, is especially preferred glass substrate. なお、本実施形態では、ガスバリア層30側から発光光を取り出すトップエミッション型とし、よって基板20としては上述した不透明基板、例えば不透明のプラスチックフィルムなどが用いられる。 In the present embodiment, the gas barrier layer 30 side and a top emission type in which emitted light, thus opaque substrates described above, for example, an opaque plastic film is used as the substrate 20.

また、基板20上には、画素電極23を駆動するための駆動用TFT123などを含む回路部11が形成されており、その上に発光素子(有機EL素子)が多数設けられる。 Further, on the substrate 20 is formed the circuit portion 11 including the driving TFT123 for driving the pixel electrodes 23, the light emitting element (organic EL element) is provided a number thereon. 発光素子は、図6に示すように、陽極として機能する画素電極23と、この画素電極23からの正孔を注入/輸送する正孔輸送層70と、電気光学物質の一つである有機EL物質を備える発光層60と、陰極50とが順に形成されたことによって構成されたものである。 Light emitting device, as shown in FIG. 6, the pixel electrode 23 serving as an anode, a hole transport layer 70 for injecting / transporting holes from the pixel electrode 23, an organic EL, which is one of the electro-optical material a light-emitting layer 60 comprises a material, in which the cathode 50 is configured by being formed in this order.
このような構成のもとに、発光素子はその発光層60において、正孔輸送層70から注入された正孔と陰極50からの電子とが結合することにより発光する。 Under this arrangement, the light-emitting element in the light emitting layer 60 emits light by the electrons from the holes and the cathode 50, which is injected from the hole transporting layer 70 are bonded.

画素電極23は、本実施形態ではトップエミッション型であることから透明である必要がなく、したがって適宜な導電材料によって形成される。 Pixel electrodes 23 need not be transparent because it is a top emission type in this embodiment, thus formed by appropriate conductive material.
正孔輸送層70の形成材料としては、例えばポリチオフェン誘導体、ポリピロール誘導体など、またはそれらのドーピング体などが用いられる。 As the material for forming the hole transport layer 70, for example polythiophene derivatives, polypyrrole derivatives, or the like thereof doping body used. 具体的には、3,4−ポリエチレンジオシチオフェン/ポリスチレンスルフォン酸(PEDOT/PSS)の分散液、すなわち、分散媒としてのポリスチレンスルフォン酸に3,4−ポリエチレンジオシチオフェンを分散させ、さらにこれを水に分散させた分散液などを用いて正孔輸送層70を形成することができる。 Specifically, 3,4-dispersion of polyethylene dioxythiophene / polystyrene sulfonic acid (PEDOT / PSS), that is, a 3,4-polyethylene dioxythiophene polystyrene sulfonate as a dispersion medium is dispersed, further this it is possible to form the hole transport layer 70 by using a dispersion prepared by dispersing in water.

発光層60を形成するための材料としては、蛍光あるいは燐光を発光することが可能な公知の発光材料を用いることができる。 As a material for forming the light-emitting layer 60, it may be a known luminescent material capable of emitting fluorescence or phosphorescence. 具体的には、(ポリ)フルオレン誘導体(PF)、(ポリ)パラフェニレンビニレン誘導体(PPV)、ポリフェニレン誘導体(PP)、ポリパラフェニレン誘導体(PPP)、ポリビニルカルバゾール(PVK)、ポリチオフェン誘導体、ポリメチルフェニルシラン(PMPS)などのポリシラン系などが好適に用いられる。 Specifically, (poly) fluorene derivative (PF), (poly) paraphenylene vinylene derivative (PPV), polyphenylene derivative (PP), polyparaphenylene derivative (PPP), polyvinyl carbazole (PVK), polythiophene derivatives, polymethyl polysilanes such as phenylsilane (PMPS) is preferably used.
また、これらの高分子材料に、ペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素などの高分子系材料や、ルブレン、ペリレン、9,10−ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン6、キナクリドン等の低分子材料をドープして用いることもできる。 Moreover, these polymer materials, perylene dyes, coumarin dyes, and polymeric materials such as rhodamine dyes, rubrene, perylene, 9,10-diphenyl anthracene, tetraphenyl butadiene, nile red, coumarin 6, quinacridone low molecular material such as may be used in the dope.
なお、上述した高分子材料に代えて、従来公知の低分子材料を用いることもできる。 Note that it instead of the above-described polymeric materials, also possible to use conventionally known low-molecular material.
また、必要に応じて、このような発光層60の上に電子注入層を形成してもよい。 If necessary, it may be formed electron injection layer on top of such a light-emitting layer 60.

また、本実施形態において正孔輸送層70と発光層60とは、図3〜図6に示すように基体200上にて格子状に形成された親液性制御層25と有機隔壁層(隔壁)221とによって囲まれて配置され、これにより囲まれた正孔輸送層70および発光層60は単一の発光素子(有機EL素子)を構成する素子層となる。 Further, in this embodiment the hole transport layer 70 and the light emitting layer 60, FIG. 3 lyophilic is formed in a lattice shape at upper substrate 200 as shown in Figure 6 control layer 25 and the organic partition wall layer (partition wall ) 221 and is arranged to be surrounded by, the hole transport layer 70 and the light emitting layer 60 surrounded by this is a device layer constituting a single light emitting element (organic EL element).
なお、有機隔壁層221の開口部221aの各壁面の基体200表面に対する角度θが、110度以上から170度以下となっている(図6参照)。 The angle θ to the substrate 200 surface of the wall surface of the opening 221a of the organic partition wall layer 221, is equal to or less than 170 degrees to 110 degrees (see FIG. 6). このような角度としたのは、発光層60をウエットプロセスにより形成する際に、開口部221a内に配置されやすくするためである。 To that with such an angle, when forming the light-emitting layer 60 by a wet process, in order to easily positioned in the opening 221a.

陰極50は、図3〜図6に示すように、実表示領域4およびダミー領域5の総面積より広い面積を備え、それぞれを覆うように形成されたもので、発光層60と有機隔壁層221の上面、さらには有機隔壁層221の外側部を形成する壁面を覆った状態で基体200上に形成されたものである。 Cathode 50, as shown in FIGS. 3 to 6, a wide area than the total area of ​​the actual display area 4 and the dummy region 5, which was formed to cover the respective light-emitting layers 60 and the organic partition wall layer 221 the top surface, or even one formed on the substrate 200 while covering the wall surface forming the outer portion of the organic partition wall layer 221. なお、この陰極50は、図4に示すように有機隔壁層221の外側で基体200の外周部に形成された陰極用配線202に接続される。 Incidentally, the cathode 50 is connected to the cathode line 202 formed in the outer peripheral portion of the substrate 200 outside of the organic partition wall layer 221 as shown in FIG. この陰極用配線202にはフレキシブル基板203が接続されており、これによって陰極50は、陰極用配線202を介してフレキシブル基板203上の図示しない駆動IC(駆動回路)に接続される。 This cathode line 202 is connected to the flexible substrate 203, whereby the cathode 50 is connected to a driving IC (driving circuit) (not shown) on the flexible substrate 203 through the cathode line 202.

陰極50を形成するための材料としては、本実施形態はトップエミッション型であることから光透過性である必要があり、したがって透明導電材料が用いられる。 As a material for forming the cathode 50, the present embodiment should be optically transparent since it is a top emission type, and thus a transparent conductive material is used. 透明導電材料としてはITO(Indium Tin Oxide:インジウム錫酸化物)が好適とされるが、これ以外にも、例えば酸化インジウム・酸化亜鉛系アモルファス透明導電膜(Indium Zinc Oxide:IZO/アイ・ゼット・オー)(登録商標)等を用いることができる。 Transparent conductive material as the ITO (Indium Tin Oxide: indium tin oxide), but is to be preferred, other than this, for example, indium oxide-zinc oxide-based amorphous transparent conductive film (Indium Zinc Oxide: IZO / Eye NZ- O) (can be used registered trademark). なお、本実施形態ではITOを用いるものとする。 In the present embodiment, it is assumed to use ITO.

また、陰極50は、電子注入効果の大きい材料が好適に用いられる。 The cathode 50, a material having a large electron injection effect is preferably used. 例えば、カルシウムやマグネシウム、ナトリウム、リチウム金属、又はこれらの金属化合物である。 For example, calcium and magnesium, sodium, lithium metal, or any of these metal compounds. 金属化合物としては、フッ化カルシウム等の金属フッ化物や酸化リチウム等の金属酸化物、アセチルアセトナトカルシウム等の有機金属錯体が該当する。 As metal compounds, metal oxides such as metal fluorides and lithium oxide or calcium fluoride, and organic metal complexes such as calcium acetylacetonate. また、これらの材料だけでは、電気抵抗が大きく電極として機能しないため、アルミニウムや金、銀、銅などの金属層やITO、酸化錫などの金属酸化物導電層との積層体と組み合わせて用いてもよい。 Also, just these materials, the electric resistance does not function as a large electrode, aluminum, gold, silver, metal layers and ITO, such as copper, used in combination with laminate of a metal oxide conductive layer such as tin oxide it may be. なお、本実施形態では、フッ化リチウムとマグネシウム金属、ITOの積層体を、透明性が得られる膜厚に調整して用いるものとする。 In the present embodiment, it is assumed to be used to adjust the thickness of lithium fluoride and magnesium metal, a laminate of ITO, transparency is obtained.

陰極50の上層部には、陰極保護層(電極保護層)55が形成されている。 At the top of the cathode 50, the cathode protection layer (the electrode protective layer) 55 is formed. 当該陰極保護層55は、有機緩衝層210aの形成時の有機溶剤や残留水分等が起因する、製造プロセス時における陰極50の腐食やダメージを防止するために設けられるものである。 The cathode protection layer 55 is provided in order to organic solvents and residual moisture at the time of forming the organic buffer layer 210a is caused, to prevent corrosion and damage of the cathode 50 during the manufacturing process. また、このような陰極保護層55は、形成後の圧縮応力が生じにくい材料が好ましく、珪素化合物や、酸化チタン等の金属化合物などの無機化合物により形成されたものが好ましい。 Moreover, such a cathode protection layer 55, compressive stress is hardly material preferably occurs after formation, silicon compounds and, is preferably formed of an inorganic compound such as a metal compound such as titanium oxide. また、より好ましくは、無機緩衝層210bと同じ材料であることが好ましい。 More preferably, it is preferably the same material as the inorganic buffer layer 210b. また、陰極保護層55の形成方法としては、高密度プラズマ成膜法や、真空蒸着法等が用いられる。 Further, as a method for forming the cathode protection layer 55, and high-density plasma deposition method, a vacuum deposition method or the like. また、その膜厚は30〜100nmが好ましい。 The thickness ranges 30~100nm is preferred.
なお、陰極保護層55は、基板200の外周部の絶縁層284上まで、10nmから300nm程度の厚みに形成される。 Incidentally, the cathode protection layer 55 until the outer peripheral portion of the insulating layer 284 of the substrate 200, is formed from a 10nm thickness of about 300 nm.

陰極保護層55の上層部には、有機隔壁層221よりも広い範囲で、かつ陰極50を覆った状態で有機緩衝層210aが設けられる。 At the top of the cathode protection layer 55, a wider range than the organic partition wall layer 221, and the organic buffer layer 210a is provided in a state of covering the cathode 50. 有機緩衝層210aは、有機隔壁層221の形状の影響により、凸凹状に形成された陰極50の凸凹部分を埋めるように配置され、更に、その上面は略平坦に形成される。 Organic buffer layer 210a is under the influence of the shape of the organic partition wall layer 221 is disposed so as to fill the unevenness part of the cathode 50 formed on the uneven, further, the upper surface is substantially flat.

有機緩衝層210aは、基板200側から発生する反りや体積膨張により発生する応力を緩和し、不安定な有機隔壁層221からの陰極50の剥離を防止する機能を有する。 Organic buffer layer 210a has a function of relaxing the stress produced by warpage or volume expansion generated from the substrate 200 side, to prevent peeling of the cathode 50 from labile organic partition wall layer 221. また、有機緩衝層210aの上面が略平坦化されるので、有機緩衝層210a上に形成される硬い被膜からなるガスバリア層30も平坦化されるので、応力が集中する部位がなくなり、これにより、ガスバリア層30へのクラックの発生を防止する。 Further, since the upper surface of the organic buffer layer 210a is substantially flattened, so is the gas barrier layer 30 is also planarized consisting rigid coating formed on the organic buffer layer 210a, there is no site where stress is concentrated, thereby, to prevent the occurrence of cracks in the gas barrier layer 30.
有機緩衝層210aとしては、親油性で低吸水性を有する高分子材料、例えば、ポリオレフィン系またはポリエーテル系が好ましい。 The organic buffer layer 210a, a polymeric material having a low water absorption lipophilic, for example, polyolefin or polyether is preferable. また、メチルトリメトキシシランやテトラエトキシシランなどのアルコキシシランを加水分解させて縮合させた有機珪素ポリマーでもよい。 Further, it may be an organic silicon polymer in which condensation by hydrolyzing an alkoxysilane such as methyltrimethoxysilane or tetraethoxysilane. また、アクリルポリオールやメタクリポリオール、ポリエステルポリオール、ポリエーテルポリオール、ポリウレタンポリオール、を主成分とし、トリレンジイソシアネートやキシリレンジイソシアネート等のイソシアネート化合物を重合した高分子誘導体やビスフェノール系エポキシとアミン化合物を重合した高分子誘導体等を採用してもよい。 Further, an acrylic polyol or methacrylonitrile polyols, polyester polyols, polyether polyols, polyurethane polyols, a main component was polymerized polymer derivative and bisphenol-based epoxy and amine compounds obtained by polymerizing an isocyanate compound such as tolylene diisocyanate or xylylene diisocyanate it may be employed polymer derivatives, and the like.
更に、3−アミノプロピルトリメトキシシランや3−グリシドキシプロピルトリメトキシシランなどのシランカップリング剤等の珪素化合物を含んだ高分子を用いることにより、陰極50やガスバリア層30等の無機材料との界面の接着性を向上させることができる。 Further, by using a polymer containing 3-aminopropyltrimethoxysilane and 3-glycidoxypropyltrimethoxysilane silicon compounds such as silane coupling agents such as trimethoxysilane, and inorganic materials such as the cathode 50 and the gas barrier layer 30 it is possible to improve the adhesion of the interface.
また、有機緩衝層210aとしては、低温で硬化する材料が好ましく、メタクリレート樹脂やエポキシ樹脂などを主成分とする紫外線硬化型樹脂を用いることもできる。 The organic buffer layer 210a, may be used preferably a material that cures at low temperatures, ultraviolet curable resin composed mainly of such methacrylate or epoxy resin. 紫外線硬化型樹脂を用いることにより、加熱処理を行うことなく有機緩衝層210aが成膜されるので、加熱による発光層60への悪影響を抑えることができる。 By using an ultraviolet curable resin, since the organic buffer layer 210a is formed without performing heat treatment, it is possible to suppress an adverse effect on the light emitting layer 60 by heating. この場合には、陰極保護層55が紫外線吸収材料により形成されるようにすることが望ましく、例えば酸化チタンや酸化亜鉛、インジウム錫酸化物(ITO)などのエネルギーバンドギャップが2〜4eVの酸化物半導体材料が陰極保護層の少なくとも一部に使われることで、有機緩衝層210aを透過した紫外線を陰極保護層55で吸収させることにより、有機緩衝層210aに照射した紫外線が発光層60に悪影響を与えることを防止する。 In this case, it is desirable to make the cathode protection layer 55 is formed by the UV-absorbing material, for example titanium oxide or zinc oxide, indium tin oxide (ITO) oxides of the energy band gap 2~4eV such by semiconductor material is used for at least part of the cathode protection layer, by absorbing ultraviolet rays having passed through the organic buffer layer 210a in the cathode protection layer 55, ultraviolet light was irradiated to the organic buffer layer 210a is an adverse effect on the light emitting layer 60 to prevent the giving. また、硬化収縮を防止する微粒子等の添加剤が混入されていてもよい。 Further, additives such as fine particles may be mixed to prevent cure shrinkage.
これらの有機緩衝層材料は、親油性の有機溶媒等で希釈することで平坦塗布しやすい粘度範囲に調整されて塗布形成する。 These organic buffer layer material is adjusted to a flat coating easily viscosity range by dilution with an organic solvent such as lipophilic coating formed. これらの有機溶媒は、塗布後に減圧乾燥等で除去される。 These organic solvents are removed by vacuum drying or the like after coating.

ここで、図5を参照し、有機緩衝層210aの端部の構造について説明する。 Here, with reference to FIG. 5, a description will be given of the structure of the end portion of the organic buffer layer 210a.
図5は、図3における有機緩衝層210aの端部を示す拡大図である。 Figure 5 is an enlarged view showing an end portion of the organic buffer layer 210a in FIG. 図5に示すように、有機緩衝層210aは、陰極保護層55上に形成されるようになっており、その端部においては陰極保護層55の表面と接触角αで接触している。 As shown in FIG. 5, the organic buffer layer 210a is adapted to be formed on the cathode protection layer 55, at its end in contact at the contact angle α with the surface of the cathode protective layer 55. ここで、接触角αは45°以下であり、より好ましくは、10°〜20°程度であることが好ましい。 Here, the contact angle α is 45 ° or less, more preferably, is preferably 10 ° to 20 ° approximately. このように有機緩衝層210aが形成されることにより、当該有機緩衝層210aの上層に形成される無機緩衝層210bやバリア層30は有機緩衝層210aの形状に倣って、形成される。 By thus organic buffer layer 210a is formed, an inorganic buffer layer 210b and a barrier layer 30 formed on the upper layer of the organic buffer layer 210a is along the shape of the organic buffer layer 210a, is formed.

更に、有機緩衝層210aの上層部には、無機緩衝層210bが形成されている。 Furthermore, the upper layer portion of the organic buffer layer 210a, an inorganic buffer layer 210b is formed.
無機緩衝層210bは、ガスバリア層30よりも膜密度が低く圧縮応力の小さい、即ち、緻密さが低い材料からなるものである。 Inorganic buffer layer 210b, the film density is smaller compressive stress lower than the gas barrier layer 30, i.e., is made of a low compactness material. 例えば、珪素窒素酸化物やアルミニウム酸化物等の化学的に安定で、有機材料との密着性に優れた材料を主成分にすることが好ましい。 For example, such a chemically stable silicon nitrogen oxides and aluminum oxide, it is preferable to mainly of a material excellent in adhesion to the organic material. また、その材料は、有機緩衝層210aとガスバリア層30に対して、密着性が良好に得られるものが適宜採用される。 Further, the material for the organic buffer layer 210a and the gas barrier layer 30, which adhesion can be obtained satisfactorily is suitably employed.
一般に、ガスバリア層30はガスバリア性を付与するため緻密性が必要であり、圧縮応力を有している。 In general, the gas barrier layer 30 is required denseness for imparting gas barrier properties, and has a compressive stress. また、有機緩衝層は有機材料を重合させて形成するため小さい引張応力を有している。 The organic buffer layer has a smaller tensile stress to form by polymerizing the organic material. したがって、無機緩衝層210bは有機緩衝層210a側からガスバリア層30側に向け、引張応力から圧縮応力に段階的もしくは連続的に形成されていることにより、無機緩衝層210bと有機緩衝層210a、もしくは、無機緩衝層210bとガスバリア層30との密着性を向上させることができる。 Accordingly, the inorganic buffer layer 210b is directed to the gas barrier layer 30 side from the organic buffer layer 210a side, by being stepwise or continuously formed from the tensile stress and compressive stress, the inorganic buffer layer 210b and the organic buffer layer 210a or, , it is possible to improve the adhesion between the inorganic buffer layer 210b and gas barrier layer 30. また、ガスバリア層30との密着性が向上させるために、ガスバリア層30と同じ珪素系の材料を採用することが好ましい。 Further, in the adhesion between the gas barrier layer 30 improves, it is preferable to employ a material of the same silicon-based gas barrier layer 30. 具体的には、珪素酸化物や珪素酸窒化物が採用される。 Specifically, silicon oxide or silicon oxynitride is employed. ここで、酸素や窒素の含有量をガスバリア層30と比較して異ならせて、膜形成時の圧縮応力を調整しながら形成されたものが好ましい。 Here, the content of oxygen and nitrogen varied as compared with the gas barrier layer 30, those formed while adjusting the compressive stress at the time of film formation preferably. また、ガスバリア層30と無機緩衝層210bは共に、珪素酸化物や珪素酸窒化物により形成され、無機緩衝層210bの酸素含有量がガスバリア層30の酸素含有量より多くすることにより圧縮応力を低減させることができる。 Further, the gas barrier layer 30 and the inorganic buffer layer 210b are both formed of silicon oxide or silicon oxynitride, reduced compressive stress by the oxygen content of the inorganic buffer layer 210b is more than the oxygen content of the gas barrier layer 30 it can be.
また、無機緩衝層210bは、圧縮応力を発生させないように、比較的非晶質な膜もしくは多孔質な膜であることが好ましく、水素原子を膜中に導入して、共有結合を分断するような構造を用いてもよい。 The inorganic buffer layer 210b, as not to cause compressive stress is preferably a relatively amorphous film or a porous film, by introducing hydrogen atoms in the film, so as to disrupt covalent bond structure may be used such. また、水素原子と共に酸素原子を膜中に導入してもよい。 Further, oxygen may be introduced atoms into the film along with a hydrogen atom. また、ガスバリア層30と無機緩衝層210bは共に、珪素酸化物や珪素酸窒化物により形成され、無機緩衝層210bの水素含有量がガスバリア層30の水素含有量より多くすることにより圧縮応力を低減させることができる。 Further, the gas barrier layer 30 and the inorganic buffer layer 210b are both formed of silicon oxide or silicon oxynitride, reduced compressive stress by the hydrogen content of the inorganic buffer layer 210b is more than the hydrogen content of the gas barrier layer 30 it can be.
また、有機緩衝層210a側の無機緩衝層210bはシリコーン樹脂もしくはシラザンなどの有機シランにより形成することにより、無機緩衝層210bとガスバリア層30との密着性をより向上させることができる。 The inorganic buffer layer 210b of the organic buffer layer 210a side by forming an organic silane such as silicone resin or silazane, it is possible to further improve the adhesion between the inorganic buffer layer 210b and gas barrier layer 30.
また、無機緩衝層210bは有機緩衝層210aよりも広い面積で形成されることが好ましい。 The inorganic buffer layer 210b is preferably formed in an area larger than that of the organic buffer layer 210a. これにより、有機緩衝層210aは無機緩衝層210bによって被覆された状態となる。 Thus, the organic buffer layer 210a is in a state of being covered by the inorganic buffer layer 210b.

更に、無機緩衝層210bの上層部には、ガスバリア層30が形成されている。 Furthermore, the upper layer portion of the inorganic buffer layer 210 b, the gas barrier layer 30 is formed.
ガスバリア層30は、絶縁層284に接触することなく、無機緩衝層210b上に形成されるものである。 The gas barrier layer 30 without contacting the insulating layer 284, and is formed on the inorganic buffer layer 210b. ガスバリア層30は、その内側に酸素や水分が浸入するのを防止するためのもので、これにより陰極50や発光層60への酸素や水分の浸入を防止し、酸素や水分による陰極50や発光層60の劣化等を抑えるようにしたものである。 The gas barrier layer 30 serves to prevent oxygen and moisture from entering the inside, thereby preventing the entry of oxygen and moisture into the cathode 50 and the light emitting layer 60, a cathode 50 and light emission by oxygen or moisture it is obtained so as to suppress the deterioration of the layer 60.
また、ガスバリア層30は、例えば無機化合物からなるもので、好ましくは珪素化合物、すなわち珪素窒化物や珪素酸窒化物、珪素酸化物などによって形成される。 Further, the gas barrier layer 30, for example made of inorganic compounds, preferably silicon compounds, i.e. silicon nitride or silicon oxynitride, is formed by a silicon oxide. 更に、水蒸気などのガスを遮断するため緻密で欠陥の無い被膜にする必要があり、好適には低温で緻密な膜を形成できる高密度プラズマ成膜法を用いて形成する。 Furthermore, it is necessary to coat no dense defective for blocking gas such as water vapor, preferably formed using a high-density plasma deposition method capable of forming a dense film at low temperatures. このようにガスバリア層30が無機緩衝層と同じ珪素化合物から形成されることで、ガスバリア層30と無機緩衝層210bの密着性がよくなり、したがってガスバリア層30が欠陥のない緻密な層となって酸素や水分に対するバリア性がより良好になる。 By thus gas barrier layer 30 is formed from the same silicon compound and inorganic buffer layer, the better the adhesion of the gas barrier layer 30 and the inorganic buffer layer 210 b, thus become a gas barrier layer 30 is free from defects dense layer barrier property against oxygen and water becomes better. ただし、珪素化合物以外でも、例えばアルミナや酸化タンタル、酸化チタン、さらには他のセラミックスなどからなっていてもよい。 However, other than the silicon compound, such as alumina and tantalum oxide, titanium oxide, and further may comprise a like other ceramics.

更に、ガスバリア層30としては、積層構造としてもよいし、その組成を不均一にして特にその酸素濃度が連続的に、あるいは非連続的に変化するような構成としてもよく、例えば、無機緩衝層210bが酸化珪素の場合、接合する界面側の酸素濃度を上げることが、上述した理由により好ましい。 Furthermore, as the gas barrier layer 30, may be used as the laminated structure may be configured as especially its oxygen concentration and the composition uneven continuously or changes discontinuously, for example, inorganic buffer layer for 210b is silicon oxide, to increase the oxygen concentration in the interface side to be joined is preferred for the reasons described above.
また、このようなガスバリア層30の厚さとしては、10nm以上、200nm以下であるのが好ましい。 The thickness of such a gas barrier layer 30, 10 nm or more, and preferably 200nm or less. 10nm未満であると、膜の欠陥や膜厚のバラツキなどによって部分的に貫通孔が形成されてしまい、ガスバリア性が損なわれてしまうおそれがあるからであり、200nmを越えると、応力による割れが生じてしまうおそれがあるからである。 If it is less than 10 nm, will be formed partially through hole, such as by variations in the defect and the film thickness of the film, because there is a fear that the gas barrier property is impaired, it exceeds 200 nm, cracking due to stress occur would fear it is because there is. また、同様の問題から、無機緩衝層とガスバリア層の合計膜厚は500nm以下にすることが好ましい。 For the same problem, the total thickness of the inorganic buffer layer and the gas barrier layer is preferably set to 500nm or less.
また、本実施形態ではトップエミッション型としていることから、ガスバリア層30は透光性を有する必要があり、したがってその材質や膜厚を適宜に調整することにより、本実施形態では可視光領域における光線透過率を例えば80%以上にしている。 Further, since the present embodiment is a top emission type, the gas barrier layer 30 needs to have a light-transmitting property, thus by adjusting the material and thickness as appropriate, light in the visible light region in the present embodiment It has a transmittance example 80% or more.

なお、上記の無機緩衝層210bとガスバリア層30の各々は、必ずしも界面によって接合していなくてもよい。 Incidentally, each of the above inorganic buffer layer 210b and gas barrier layer 30 may not necessarily be joined by interface. 例えば、無機緩衝層210bとガスバリア層30は、界面を有していない同一層膜から形成されてもよい。 For example, inorganic buffer layer 210b and gas barrier layer 30 may be formed from the same layer film having no interface. この場合においては、当該同一層膜内の有機緩衝層210a側から保護層204側に向けて徐々に構成分子の濃度を異ならせた構造、即ち、濃度勾配を有する層膜が好ましい。 In this case, the structure gradually with different concentrations of the molecules toward the organic buffer layer 210a side to the protective layer 204 side of the same layer film, i.e., the layer film having a concentration gradient is preferred. 具体的には、有機緩衝層210aの上層に珪素化合物を形成し、有機緩衝層210aの側において酸素原子濃度が高く、窒素濃度が低い状態とし、保護層204に向けて酸素原子濃度が低く、窒素濃度が高い状態とする構成が挙げられる。 Specifically, to form a silicon compound on the upper layer of the organic buffer layer 210a, high oxygen atom concentration on the side of the organic buffer layer 210a, the nitrogen concentration is set to a low state, low oxygen concentration toward the protective layer 204, nitrogen concentration include structural to high. このように、酸素原子が窒素原子の濃度勾配を同一層膜内に形成することで、無機緩衝層210bとガスバリア層30の機能を当該同一層膜に含ませてもよい。 In this manner, the oxygen atoms form a concentration gradient of the nitrogen atoms in the same layer film, the function of the inorganic buffer layer 210b and gas barrier layer 30 may be included in the same layer film.

更に、ガスバリア層30の上層部には、ガスバリア層30を覆う保護層204が設けられる。 Furthermore, the upper layer portion of the gas barrier layer 30, a protective layer 204 covering the gas barrier layer 30 is provided. この保護層204は、ガスバリア層30側に設けられた接着層(樹脂接着層)205と表面保護基板(保護基体)206とからなる。 The protective layer 204 is composed of an adhesive layer (resin adhesive layer) 205 and the surface protection substrate (protection substrate) 206. provided in the gas barrier layer 30 side.
接着層205は、ガスバリア層30上に表面保護基板206を固定させ、かつ外部からの機械的衝撃に対して緩衝機能を有し、発光層60やガスバリア層30の保護をするものである。 Adhesive layer 205, barrier layer 30 is fixed to the surface protection substrate 206 on, and has a cushioning function against mechanical impact from the outside to protect the light-emitting layer 60 and the gas barrier layer 30. 当該接着層205に表面保護基板206が貼り合わされることで、保護層204が形成されている。 By surface protection substrate 206 to the bonding layer 205 is bonded, a protective layer 204 is formed. 接着層205は、例えばウレタン系、アクリル系、エポキシ系、ポリオレフィン系などの樹脂で、表面保護基板206より柔軟でガラス転移点の低い材料からなる接着剤によって形成されたものである。 Adhesive layer 205, for example, urethane-based, acrylic, epoxy, a resin such as a polyolefin, and is formed by an adhesive comprising a flexible low glass transition point material than a surface protection substrate 206. また、透明樹脂材料が好ましい。 The transparent resin material is preferable. また、低温で硬化させるため硬化剤を添加する2液混合型の材料によって形成されたものでもよい。 It is also one which is formed by a two-liquid mixing type of material to be added a curing agent for curing at low temperatures.
なお、このような接着層205には、シランカップリング剤またはアルコキシシランを添加しておくのが好ましく、このようにすれば、形成される接着層205とガスバリア層30との密着性がより良好になり、したがって機械的衝撃に対する緩衝機能が高くなる。 Note that such an adhesive layer 205 is preferably previously added a silane coupling agent or alkoxysilane, In this way, adhesion between the adhesive layer 205 and the gas barrier layer 30 to be formed is better becomes, thus buffering function is higher to mechanical shocks.
また、特にガスバリア層30が珪素化合物で形成されている場合などでは、シランカップリング剤やアルコキシシランによってこのガスバリア層30との密着性を向上させることができ、したがってガスバリア層30のガスバリア性を高めることができる。 Moreover, especially in a case where the gas barrier layer 30 is formed of silicon compound, a silane coupling agent or alkoxysilane can improve the adhesion between the gas barrier layer 30, thus improving the gas barrier properties of the gas barrier layer 30 be able to.

表面保護基板206は、接着層205上に設けられて、保護層204の表面側を構成するものであり、耐圧性や耐摩耗性、外部光反射防止性、ガスバリア性、紫外線遮断性などの機能の少なくとも一つを有してなる層である。 Surface protection substrate 206 is provided on the adhesive layer 205, which constitute the surface side of the protective layer 204, pressure resistance and abrasion resistance, the external light anti-reflection properties, gas barrier properties, functions such as ultraviolet blocking properties of a layer including at least one.
表面保護基板206の材質は、ガラス、DLC(ダイアモンドライクカーボン)層、透明プラスチック、透明プラスチックフィルムが採用される。 The material of the surface protection substrate 206, glass, DLC (diamond-like carbon) layer, a transparent plastic, a transparent plastic film is employed. ここで、プラスチック材料としては、例えば、PET、アクリル、ポリカーボネート、ポリオレフィン等が採用される。 Examples of the plastic material, for example, PET, acrylic, polycarbonate, polyolefin or the like is employed. 更に、当該表面保護基板206には、紫外線遮断/吸収層や光反射防止層、放熱層、レンズやミラー等の光学構造が設けられていてもよい。 Further, on the surface protection substrate 206, ultraviolet blocking / absorbing layer and a light reflection preventing layer, the heat dissipation layer may have an optical structure such as a lens or a mirror is provided.
なお、この例のEL表示装置においては、トップエミッション型にする場合に表面保護基板206、接着層205を共に透光性のものにする必要があるが、ボトムエミッション型とする場合にはその必要はない。 Note that in the EL display device of this example, the surface protection substrate 206 when the top emission type, it is necessary to that of the adhesive layer 205 both translucent, necessary that when a bottom emission type no.

また、上述の発光素子の下方には、図6に示したように回路部11が設けられる。 Below the above light-emitting element, the circuit portion 11 is provided as shown in FIG. この回路部11は、基板20上に形成されて基体200を構成するものである。 The circuit unit 11 is formed on the substrate 20 constituting the substrate 200. すなわち、基板20の表面には下地としてSiO2を主体とする下地保護層281が形成され、その上にはシリコン層241が形成される。 That is, the surface of the substrate 20 underlying protective layer 281 mainly composed of SiO2 as a base is formed on top thereof a silicon layer 241 is formed. このシリコン層241の表面には、SiO2および/またはSiNを主体とするゲート絶縁層282が形成される。 On the surface of the silicon layer 241, the gate insulating layer 282 mainly composed of SiO2 and / or SiN is formed.

また、シリコン層241のうち、ゲート絶縁層282を挟んでゲート電極242と重なる領域がチャネル領域241aとされる。 Further, in the silicon layer 241, a region overlapping with the gate electrode 242 through the gate insulating layer 282 is a channel region 241a. なお、このゲート電極242は、図示しない走査線101の一部である。 Incidentally, the gate electrode 242 is a part of the scanning line 101 (not shown). 一方、シリコン層241を覆い、ゲート電極242を形成したゲート絶縁層282の表面には、SiO2を主体とする第1層間絶縁層283が形成される。 On the other hand, cover the silicon layer 241, the surface of the gate insulating layer 282 forming the gate electrode 242, first interlayer insulating layer 283 mainly composed of SiO2 is formed.

また、シリコン層241のうち、チャネル領域241aのソース側には、低濃度ソース領域241bおよび高濃度ソース領域241Sが設けられる一方、チャネル領域241aのドレイン側には低濃度ドレイン領域241cおよび高濃度ドレイン領域241Dが設けられて、いわゆるLDD(Light Doped Drain)構造を形成する。 Further, in the silicon layer 241, the source side of the channel region 241a is low while the concentration source region 241b and a heavily doped source region 241S are provided, on the drain side of the channel region 241a is lightly doped drain region 241c and a high concentration drain It is provided region 241 D, to form a so-called LDD (Light Doped Drain) structure. これらのうち、高濃度ソース領域241Sは、ゲート絶縁層282と第1層間絶縁層283とにわたって開孔するコンタクトホール243aを介して、ソース電極243に接続される。 Of these, the high concentration source region 241S is connected via a contact hole 243a for opening over the gate insulating layer 282 and the first interlayer insulating layer 283 is connected to the source electrode 243. このソース電極243は、上述した電源線103(図1参照、図6においてはソース電極243の位置に紙面垂直方向に延在する)の一部として構成される。 The source electrode 243 is configured as part of the power line 103 as described above (see FIG. 1, extending in the direction perpendicular to the paper surface at the position of the source electrode 243 in FIG. 6). 一方、高濃度ドレイン領域241Dは、ゲート絶縁層282と第1層間絶縁層283とにわたって開孔するコンタクトホール244aを介して、ソース電極243と同一層からなるドレイン電極244に接続される。 On the other hand, the high concentration drain region 241D through the contact hole 244a to opening over the gate insulating layer 282 and the first interlayer insulating layer 283 is connected to a drain electrode 244 made of the same layer as the source electrode 243.

ソース電極243およびドレイン電極244が形成された第1層間絶縁層283の上層は、例えばアクリル系の樹脂成分を主体とする第2層間絶縁層284によって覆われている。 Upper layer of the first interlayer insulating layer 283 where the source electrode 243 and drain electrode 244 are formed, for example, is covered with a second interlayer insulating layer 284 mainly made of resin component of the acrylic. この第2層間絶縁層284は、アクリル系の絶縁膜以外の材料、例えば、SiN、SiO2などを用いることもできる。 The second interlayer insulating layer 284, a material other than the insulating film of the acrylic, for example, can also be used such as SiN, SiO2. そして、ITOからなる画素電極23が、この第2層間絶縁層284の表面上に形成されるとともに、第2層間絶縁層284に設けられたコンタクトホール23aを介してドレイン電極244に接続される。 The pixel electrode 23 made of ITO is formed in a surface of the second interlayer insulating layer 284 is connected to the drain electrode 244 through the contact holes 23a provided in the second interlayer insulating layer 284. すなわち、画素電極23は、ドレイン電極244を介して、シリコン層241の高濃度ドレイン領域241Dに接続される。 That is, the pixel electrode 23 through the drain electrode 244 is connected to the high concentration drain region 241D of the silicon layer 241.

なお、走査線駆動回路80および検査回路90に含まれるTFT(駆動回路用TFT)、すなわち、例えばこれらの駆動回路のうち、シフトレジスタに含まれるインバータを構成するNチャネル型又はPチャネル型のTFTは、画素電極23と接続されていない点を除いて駆動用TFT123と同様の構造とされる。 Incidentally, TFT included in the scan line driver circuit 80 and the inspection circuit 90 (driving circuit TFT), that is, for example, of these drive circuits, N-channel or P-channel type TFT constituting the inverter included in the shift register is the same structure as the driving TFT123 except that is not connected to the pixel electrode 23.

画素電極23が形成された第2層間絶縁層284の表面には、画素電極23と、上述した親液性制御層25及び有機隔壁層221とが設けられる。 On the surface of the second interlayer insulating layer 284 in which the pixel electrode 23 is formed is the pixel electrode 23, it is provided with lyophilic control layer 25 and the organic partition wall layer 221 as described above. 親液性制御層25は、例えばSiO2などの親液性材料を主体とするものであり、有機隔壁層221は、アクリルやポリイミドなどからなるものである。 Lyophilic control layer 25 is, for example, mainly formed of a lyophilic material, such as SiO2, an organic partition wall layer 221 is made of acrylic or polyimide. そして、画素電極23の上には、親液性制御層25に設けられた開口部25a、および有機隔壁層221に囲まれてなる開口部221aの内部に、正孔輸送層70と発光層60とがこの順に積層される。 Then, on the pixel electrode 23 has an opening 25a provided in the lyophilic control layer 25, and the interior of the opening 221a made surrounded by organic partition wall layer 221, a hole transport layer 70 emitting layer 60 bets are stacked in this order. なお、本実施形態における親液性制御層25の「親液性」とは、少なくとも有機隔壁層221を構成するアクリル、ポリイミドなどの材料と比べて親液性が高いことを意味するものとする。 Note that the "lyophilic" of the lyophilic control layer 25 in this embodiment, is intended to mean that there is a high lyophilic than acrylic, and materials such as polyimide which constitutes at least an organic partition wall layer 221 .
以上に説明した基板20上の第2層間絶縁層284までの層が、回路部11を構成する。 Layer up to the second interlayer insulating layer 284 on the substrate 20 described above constitute a circuit portion 11.

ここで、本実施形態のEL表示装置1は、カラー表示を行うべく、各発光層60が、その発光波長帯域が光の三原色にそれぞれ対応して形成される。 Here, EL display devices 1 of the present embodiment, in order to perform color display, each of the light emitting layer 60, the emission wavelength band is formed in correspondence to the three primary colors of light. 例えば、発光層60として、発光波長帯域が赤色に対応した赤色用発光層60R、緑色に対応した緑色用発光層60G、青色に対応した青色用有機EL層60Bとをそれぞれに対応する表示領域R、G、Bに設け、これら表示領域R、G、Bをもってカラー表示を行う1画素が構成される。 For example, as the light emitting layer 60, display light emission wavelength band corresponding red light emitting layer 60R corresponding to red, green green-emitting layer corresponding to 60G, corresponding to blue and the blue organic EL layer 60B, each region R , G, provided B, these display areas R, G, 1 pixel for performing constitute a color display with B. また、各色表示領域の境界には、金属クロムをスパッタリングなどにて成膜した図示略のBM(ブラックマトリクス)が、例えば有機隔壁層221と親液性制御層25との間に形成される。 Further, at the boundary of each color display area of ​​the not shown depositing the chromium metal sputtering at such BM (black matrix) is formed between the example organic partition wall layer 221 and the lyophilic control layer 25.

次に、本実施形態に係るEL表示装置1の製造方法の一例を、図7及び図8を参照して説明する。 Next, an example of a manufacturing method of an EL display device 1 according to the present embodiment will be described with reference to FIGS. 図7及び図8に示す各断面図は、図2中のA−B線の断面図に対応した図である。 Each cross-sectional view shown in FIG. 7 and FIG. 8 is a view corresponding to a cross-sectional view of line A-B in FIG.
なお、本実施形態においては、電気光学装置としてのEL表示装置1がトップエミッション型である場合であり、また、基板20の表面に回路部11を形成させる工程については、従来技術と変わらないので説明を省略する。 In the present embodiment, a case EL display device 1 as an electro-optical device is a top emission type, also the step of forming the circuit portion 11 on the surface of the substrate 20, since the prior art does not change description thereof will be omitted.

まず、図7(a)に示すように、表面に回路部11が形成された基板20の全面を覆うように、画素電極23となる導電膜を形成され、更に、この透明導電膜をパターニングすることにより、第2層間絶縁層284のコンタクトホール23aを介してドレイン電極244と導通する画素電極23を形成すると同時に、ダミー領域のダミーパターン26も形成する。 First, as shown in FIG. 7 (a), so as to cover the entire surface of the circuit portion 11 substrate 20 formed to the surface, it is formed a conductive film to be the pixel electrode 23, furthermore, patterning the transparent conductive film it allows simultaneously forming the pixel electrodes 23 electrically connected to the drain electrode 244 through the contact hole 23a of the second interlayer insulating layer 284, the dummy patterns 26 in the dummy region is formed.
なお、図3及び図4では、これら画素電極23、ダミーパターン26を総称して画素電極23としている。 In FIG. 3 and FIG. 4, and the pixel electrode 23 are collectively the pixel electrodes 23, the dummy patterns 26. ダミーパターン26は、第2層間絶縁層284を介して下層のメタル配線へ接続しない構成とされる。 The dummy pattern 26 is configured not to connect to the underlying metal wiring through the second interlayer insulating layer 284. すなわち、ダミーパターン26は、島状に配置され、実表示領域に形成されている画素電極23の形状とほぼ同一の形状を有する。 That is, the dummy pattern 26 is disposed in an island shape, having substantially the same shape as the shape of the pixel electrode 23 formed on the effective display area. もちろん、表示領域に形成されている画素電極23の形状と異なる構造であってもよい。 Of course, it may be a shape different from the structure of the pixel electrode 23 formed in the display region. なお、この場合、ダミーパターン26は少なくとも駆動電圧導通部310(340)の上方に位置するものも含むものとする。 In this case, the dummy pattern 26 is also intended to include those located above at least the drive voltage conducting section 310 (340).

次いで、図7(b)に示すように、画素電極23、ダミーパターン26上、および第2層間絶縁膜上に絶縁層である親液性制御層25を形成する。 Then, as shown in FIG. 7 (b), the pixel electrode 23, on the dummy pattern 26, and on the second interlayer insulating film to form a lyophilic control layer 25 is an insulating layer. なお、画素電極23においては一部が開口する態様にて親液性制御層25を形成し、開口部25a(図3も参照)において画素電極23からの正孔移動が可能とされている。 Note that it is effective to form the lyophilic control layer 25 in a manner partly to openings in the pixel electrode 23, and is capable holes move from the pixel electrode 23 in the opening 25a (see also FIG. 3). 逆に、開口部25aを設けないダミーパターン26においては、絶縁層(親液性制御層)25が正孔移動遮蔽層となって正孔移動が生じないものとされている。 Conversely, in the dummy pattern 26 without the opening 25a is assumed to insulating layer (lyophilic control layer) 25 is not generated holes move as a hole transport blocking layer. 続いて、親液性制御層25において、異なる2つの画素電極23の間に位置して形成された凹状部に不図示のBM(ブラックマトリックス)を形成する。 Subsequently, in the lyophilic control layer 25, to form the not shown BM (black matrix) in a recessed portion formed in a position between the two different pixel electrodes 23. 具体的には、親液性制御層25の凹状部に対して、金属クロムを用いスパッタリング法にて成膜する。 Specifically, with respect to the concave portion of the lyophilic control layer 25 is deposited by a sputtering method using a metal chromium.

そして、図7(c)に示すように、親液性制御層25の所定位置、詳しくは上述したBMを覆うように有機隔壁層221を形成する。 Then, as shown in FIG. 7 (c), the predetermined position of the lyophilic control layer 25, more specifically to form the organic partition wall layer 221 so as to cover the BM mentioned above. 具体的な有機隔壁層の形成方法としては、例えばアクリル樹脂、ポリイミド樹脂などのレジストを溶媒に溶解したものを、スピンコート法、ディップコート法などの各種塗布法により塗布して有機質層を形成する。 As a method for forming the specific organic partition wall layer, such as acrylic resins, those resist such as polyimide resin is dissolved in a solvent, spin coating, it is applied by various application methods such as a dip coating method to form an organic layer . なお、有機質層の構成材料は、後述するインクの溶媒に溶解せず、しかもエッチングなどによってパターニングし易いものであればどのようなものでもよい。 Incidentally, the constituent material of the organic layer is not dissolved in a solvent of the ink to be described later, moreover may be any as long as easily patterned by etching.

更に、有機質層をフォトリソグラフィ技術、エッチング技術を用いてパターニングし、有機質層に開口部221aを形成することにより、開口部221aに壁面を有した有機隔壁層221を形成する。 Further, photolithography technology The organic layer was patterned using an etching technique, by forming an opening 221a in the organic layer, forming an organic barrier layer 221 having a wall surface in the opening 221a. ここで、開口部221を形成する壁面について、基体200表面に対する角度θを110度以上から170度以下となるように形成する。 Here, the wall forming the opening 221, forms an angle θ with respect to the substrate 200 surface such that the following 170 degrees above 110 degrees.
なお、この場合、有機隔壁層221は、少なくとも駆動制御信号導通部320の上方に位置するものを含むものとする。 In this case, the organic partition wall layer 221 is intended to include one located above at least the drive control signal conducting portion 320.

次いで、有機隔壁層221の表面に、親液性を示す領域と、撥液性を示す領域とを形成する。 Then formed on the surface of the organic partition wall layer 221, a region showing a lyophilic property and a region having a lyophobic property. 本実施形態においては、プラズマ処理によって各領域を形成する。 In the present embodiment, to form the respective regions by the plasma treatment. 具体的には、プラズマ処理を、予備加熱工程と、有機隔壁層221の上面および開口部221aの壁面ならびに画素電極23の電極面23c、親液性制御層25の上面をそれぞれ親液性にする親インク化工程と、有機隔壁層211の上面および開口部221aの壁面を撥液性にする撥インク化工程と、冷却工程とで構成する。 Specifically, a plasma treatment, a preheating step, to the electrode surface 23c of the wall as well as the pixel electrode 23 of the upper surface and the opening 221a of the organic partition wall layer 221, the upper surface of the lyophilic control layer 25 respectively lyophilic and ink-philic step, the ink repellent step of the wall surface of the upper surface and the opening 221a of the organic partition wall layer 211 is liquid-repellent, is composed of a cooling step.

すなわち、基材(隔壁などを含む基板20)を所定温度、例えば70〜80℃程度に加熱し、次いで親インク化工程として大気雰囲気中で酸素を反応ガスとするプラズマ処理(O2プラズマ処理)を行う。 That is, a predetermined temperature (substrate 20, including septum) substrate, for example, heated to about 70 to 80 ° C., and then plasma treatment using oxygen as a reaction gas in the atmosphere as ink-philic step a (O2 plasma treatment) do. 次いで、撥インク化工程として大気雰囲気中で4フッ化メタンを反応ガスとするプラズマ処理(CF4プラズマ処理)を行い、その後、プラズマ処理のために加熱された基材を室温まで冷却することで、親液性および撥液性が所定箇所に付与されることとなる。 Next, by plasma treatment as a reaction gas tetrafluoromethane in the atmosphere as ink repellent step of (CF4 plasma treatment), then, cooling the substrate, which is heated for the plasma treatment to room temperature, lyophilic and lyophobic property is to be imparted to a predetermined position.

なお、このCF4プラズマ処理においては、画素電極23の電極面23cおよび親液性制御層25についても多少の影響を受けるが、画素電極23の材料であるITOおよび親液性制御層25の構成材料であるSiO2、TiO2などはフッ素に対する親和性に乏しいため、親インク化工程で付与された水酸基がフッ素基で置換されることがなく、親液性が保たれる。 Incidentally, in this CF4 plasma treatment, undergo some influence on the electrode surface 23c and the lyophilic control layer 25 of the pixel electrode 23, the ITO and the lyophilic control layer 25 is a material of the pixel electrodes 23 constituting material because SiO2, poor affinity such as TiO2 is to fluorine at, without hydroxyl granted by ink-philic step is replaced by a fluorine group, lyophilic property is maintained.

次いで、正孔輸送層形成工程によって正孔輸送層70の形成を行う。 Then, perform the formation of the hole transport layer 70 by a hole transport layer formation step. この正孔輸送層形成工程では、例えばインクジェット法等の液滴吐出法や、スピンコート法などにより、正孔輸送層材料を電極面23c上に塗布し、その後、乾燥処理および熱処理を行い、電極23上に正孔輸送層70を形成する。 This hole transport layer formation process, and for example, an ink jet method, the droplet discharging method, a spin coating method, coating a hole transport layer material on the electrode surface 23c, thereafter, subjected to a drying and heat treatment, the electrode forming a hole transport layer 70 on 23. 正孔輸送層材料を例えばインクジェット法で選択的に塗布する場合には、まず、インクジェットヘッド(図示略)に正孔輸送層材料を充填し、インクジェットヘッドの吐出ノズルを親液性制御層25に形成された開口部25a内に位置する電極面23cに対向させ、インクジェットヘッドと基材(基板20)とを相対移動させながら、吐出ノズルから1滴当たりの液量が制御された液滴を電極面23cに吐出する。 When selectively applying the hole transport layer material for example an ink jet method, first, filling the hole transport layer material to the ink jet head (not shown), discharge nozzles of the inkjet head in the lyophilic control layer 25 to face the electrode surface 23c located opening formed portion 25a, while relatively moving the ink jet head and the substrate (substrate 20), the liquid amount per one droplet from the discharge nozzle is controlled droplet electrode It is discharged to the surface 23c. 次に、吐出後の液滴を乾燥処理し、正孔輸送層材料に含まれる分散媒や溶媒を蒸発させることにより、正孔輸送層70を形成する。 Next, the droplet after ejection and drying, by evaporating the dispersion medium or solvent contained in the hole transport layer material to form a hole transport layer 70.

ここで、吐出ノズルから吐出された液滴は、親液性処理がなされた電極面23c上にて広がり、親液性制御層25の開口部25a内に満たされる。 Here, the liquid droplets ejected from the ejection nozzle is larger at the lyophilic process is performed electrode surface 23c on is filled into the opening 25a of the lyophilic control layer 25. その一方で、撥インク処理された有機隔壁層221の上面では、液滴がはじかれて付着しない。 On the other hand, the upper surface of the ink repellent treated organic partition wall layer 221, it does not adhere droplets repelled by. したがって、液滴が所定の吐出位置からはずれて有機隔壁層221の上面に吐出されたとしても、該上面が液滴で濡れることがなく、弾かれた液滴が親液性制御層25の開口部25a内に転がり込む。 Therefore, even if the liquid droplets are ejected on the upper surface of the organic partition wall layer 221 deviates from the predetermined ejection position, without the upper surface is wetted with liquid droplets, it repelled the droplets opening of the lyophilic control layer 25 It rolls into in the part 25a.
なお、この正孔輸送層形成工程以降は、正孔輸送層70および発光層60の酸化を防止すべく、窒素雰囲気、アルゴン雰囲気などの不活性ガス雰囲気で行うのが好ましい。 Incidentally, the hole transport layer formation step and later, to prevent oxidation of the hole transport layer 70 and the light emitting layer 60, a nitrogen atmosphere, is carried out in an inert gas atmosphere such as argon preferred.

次いで、発光層形成工程によって発光層60の形成を行う。 Then, perform the formation of the light-emitting layer 60 by the light-emitting layer forming step. この発光層形成工程では、例えばインクジェット法により、発光層形成材料を正孔輸送層70上に吐出し、その後、乾燥処理および熱処理を行うことにより、有機隔壁層221に形成された開口部221a内に発光層60を形成する。 In the light-emitting layer forming step, for example by the ink jet method ejects emitting layer forming material on the hole transport layer 70, then drying and heat treatment is performed, is formed in the organic partition wall layer 221 has openings 221a forming a light emitting layer 60. この発光層形成工程では、正孔輸送層70の再溶解を防止するため、発光層形成材料に用いる溶媒として、正孔輸送層70に対して不溶な無極性溶媒を用いる。 In the light-emitting layer forming step, in order to prevent re-dissolution of the hole transport layer 70, as a solvent used for the light-emitting layer forming material, using a nonpolar solvent insoluble to the hole transport layer 70.
なお、この発光層形成工程では、インクジェット法によって例えば青色(B)の発光層形成材料を青色の表示領域に選択的に塗布し、乾燥処理した後、同様にして緑色(G)、赤色(R)についてもそれぞれその表示領域に選択的に塗布し、乾燥処理する。 In this light-emitting layer forming step, the light-emitting layer forming material, for example blue by an ink jet method (B) is selectively applied to the blue display area, after the drying process, the green in the same manner as (G), and red (R ) for even each selectively applied to the display area, a drying treatment.
また、必要に応じて、上述したようにこのような発光層60の上に電子注入層を形成してもよい。 If necessary, it may be formed electron injection layer to the top of such a light-emitting layer 60 as described above.

次いで、図8(a)に示すように、陰極層形成工程によって陰極50の形成を行う。 Then, as shown in FIG. 8 (a), performing the formation of the cathode 50 by the cathode layer forming step. この陰極層形成工程では、例えばイオンプレーティング法等の物理気相成長法によりITOを成膜して、陰極50とする。 In the cathode layer forming step, for example, ITO was deposited by physical vapor deposition such as ion plating, a cathode 50. このとき、この陰極50については、発光層60と有機隔壁層221の上面を覆うのはもちろん、有機隔壁層221の外側部を形成する壁面についてもこれを覆った状態となるように形成する。 At this time, the cathode 50 is, cover the upper surface of the light emitting layer 60 and the organic partition wall layer 221 is, of course, be formed such that the state of covering this also wall surface forming the outer portion of the organic partition wall layer 221.
次に、陰極50上に陰極保護層55を形成する。 Next, a cathode protection layer 55 on the cathode 50. 当該陰極保護層55を形成する方法としては、イオンプレーティング法等の物理気相成長法を用いることが好ましい。 As a method for forming the cathode protection layer 55, it is preferable to use a physical vapor deposition method such as ion plating.

次いで、図8(b)に示すように、有機緩衝層210aは、液相法、すなわちウエットプロセスにより形成する。 Then, as shown in FIG. 8 (b), the organic buffer layer 210a is liquid-phase method, that is, formed by a wet process. 例えばインクジェット法で形成する場合には、まず、インクジェットヘッド(図示略)に有機溶媒で希釈された有機緩衝層材料を充填し、インクジェットヘッドの吐出ノズルを陰極50に対向させ、インクジェットヘッドと基材(基板20)とを相対移動させながら、吐出ノズルから1滴当たりの液量が制御された液滴を陰極50に吐出する。 For example, when formed by an inkjet method, first, filling the organic buffer layer material is diluted with an organic solvent to the ink jet head (not shown), it is opposed to the ejection nozzle of the inkjet head to the cathode 50, the ink jet head and the substrate while (substrate 20) and the relative movement, ejects the liquid amount per drop from the discharge nozzle is controlled droplets on the cathode 50. 次に、吐出後の液滴を減圧乾燥処理し、緩衝層材料に含まれる分散媒や溶媒を蒸発させることにより、有機緩衝層210aを形成する。 Next, the droplet after ejection and dried under reduced pressure treatment, by evaporating the dispersion medium or solvent contained in the buffer layer material, an organic buffer layer 210a.
また、有機緩衝層210aを形成する方法としては、インクジェット法だけでなく、大面積に均一塗布が可能なスリットコート法、カーテンコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法等の方法を採用することもできる。 Further, as a method of forming the organic buffer layer 210a, not only the ink jet method, a slit coating method capable of uniformly coating a large area, a curtain coating method, a screen printing method, also be adopted methods such as flexographic printing it can.
また、有機緩衝層210aが平坦性を有するために、塗布時の粘度は、低粘度であることが好ましく、例えば100mPa・s以下が好ましい。 Further, in order to have a flatness organic buffer layer 210a, the viscosity during coating is preferably a low viscosity, for example, 100 mPa · s or less. また、粘度を下げるために有機溶剤等で希釈することが好ましく、例えば、陰極や有機発光層は水分を嫌うため、トルエンやキシレン、シクロヘキサン、メチルエチルケトン、酢酸エチル等の親油性有機溶剤で希釈されたものが好ましい。 Further preferably be diluted with organic solvents in order to lower the viscosity, for example, a cathode and an organic emission layer for dislike moisture, diluted with toluene, xylene, cyclohexane, methyl ethyl ketone, lipophilic organic solvents such as ethyl acetate It is preferred.
有機緩衝層の膜厚は、平坦化と凹凸によって生じる応力緩和を目的にしているため、隔壁層や画素隔壁の高さよりも厚くする必要があり、例えば、5〜20μm程度が好ましい。 The film thickness of the organic buffer layer, because it for the purpose of stress relaxation caused by flattening and irregularities, must be thicker than the height of the partition wall layer and the pixel partition wall, for example, about 5~20μm are preferred. 応力はないことが好ましいが、わずかに引張応力が生じてもよい。 It is preferably not a stress may be slightly tensile stress is generated. 膜密度は、極力応力を少なくするために比較的多孔質な膜であることが好ましく、0.8〜1.8g/cm が好適である。 Film density, it is preferred, suitable 0.8~1.8g / cm 3 is relatively porous membrane in order to reduce as much as possible stress.
有機緩衝層210aの塗布後の乾燥は、膜中の残存水分を完全に除去するため、減圧雰囲気下または乾燥窒素雰囲気下で50〜80℃の硬化温度で乾燥する。 Drying after coating of the organic buffer layer 210a, in order to completely remove the residual moisture in the film is dried at a curing temperature of 50 to 80 ° C. under or under a dry nitrogen atmosphere under reduced pressure atmosphere. その後の吸湿を防ぐため、大気圧に戻すことなく、次の、無機緩衝層210bの形成プロセスへ移ることが好ましい。 To prevent subsequent moisture absorption, without returning to the atmospheric pressure, the following, it is preferable that moves to the process of forming the inorganic buffer layer 210b.

更に、無機緩衝層210bを形成する。 Moreover, forming an inorganic buffer layer 210b.
当該無機緩衝層210bを形成する方法としては、高密度プラズマ成膜法が用いられる。 As a method for forming the inorganic buffer layer 210b is a high-density plasma deposition method is used. 当該無機緩衝層210bの材料としては、酸素を有する透明な無機酸化物を主成分とするものが好ましい。 As the material of the inorganic buffer layer 210 b, as a main component a transparent inorganic oxide having an oxygen are preferred. ここで、膜密度は1.8〜2.3g/cm が好ましい。 Here, the film density is preferably 1.8~2.3g / cm 3. 応力はないことが好ましいが、200MPa以下の引張応力または圧縮応力でもよい。 It is preferably not a stress may be below the tensile stress or compressive stress 200 MPa. 膜厚は、有機緩衝層の表面粗さや付着したパーティクル径によって変わるが、50〜400nmが好適である。 The film thickness will vary depending on the surface roughness and adhered particles size of the organic buffer layer, 50 to 400 nm are preferred.

次いで、図8(c)に示すように、無機緩衝層210bを覆って、ガスバリア層30を形成する。 Then, as shown in FIG. 8 (c), to cover the inorganic buffer layer 210 b, to form the gas barrier layer 30.
ガスバリア層は、減圧下の高密度プラズマ成膜法等により形成される窒素を有する窒素化合物であり、主に珪素化合物又は珪素酸窒化物からなる透明な薄膜が好ましい。 Gas barrier layer, a nitrogen compound having a nitrogen which is formed by a high-density plasma deposition method and the like under reduced pressure, a transparent thin film is preferably composed mainly of a silicon compound or silicon oxynitride. また、小さな分子の水蒸気を完全に遮断するため緻密性を持たせており、200〜1000MPaの圧縮応力を持つことが好ましい。 Moreover, by providing the denseness to completely block the water vapor small molecule, it preferably has a compressive stress of 200~1000MPa. 好ましい膜密度は、2.3/cm 以上、膜厚は無機緩衝層と合わせて500nm以下にすることが好ましく、50〜100nmが好適である。 Preferred film density, 2.3 / cm 3 or more, the film thickness is preferably set to 500nm or less in conjunction with an inorganic buffer layer, 50 to 100 nm are preferred.

無機緩衝層210b及びガスバリア層30の具体的な形成方法としては、先にスパッタリング法やイオンプレーティング法等の物理気相成長法で成膜を行い、次いで、プラズマCVD法等の化学気相成長法で成膜を行ってもよい。 A specific method for forming the inorganic buffer layer 210b and gas barrier layer 30 performs film formation by physical vapor deposition such as previously sputtering method or an ion plating method, and then, a chemical vapor deposition such as plasma CVD method deposition may be performed by law. スパッタリング法やイオンプレーティング法等の物理気相成長法は、一般に異質な基板表面に対しても比較的密着性の良い膜が得られるため、無機緩衝層210bの形成に向いており、一方、化学気相成長法では、応力が少なくステップカバーレッジ性に優れた欠陥が少なく緻密で良好な膜質のものが得られるので、ガスバリア層30に向いている。 Sputtering method or ion plating method physical vapor deposition method or the like, since the general relatively good adhesion film even for heterogeneous substrate surface is obtained is oriented to the formation of inorganic buffer layer 210 b, on the other hand, the chemical vapor deposition method, so that stress is superior defect less step coverage of less dense and good film quality is obtained, facing the gas barrier layer 30. これらの方法は、量産性を考慮して適時選択できる。 These methods can appropriately selected in consideration of mass productivity.

また、ガスバリア層30は、先述の無機緩衝層210bを形成した後に、大気雰囲気に戻すことなく、真空雰囲気において連続的に形成される。 Further, the gas barrier layer 30, after forming an inorganic buffer layer 210b of the foregoing, without returning to the atmosphere, are continuously formed in a vacuum atmosphere. また、当該ガスバリア層30及び無機緩衝層210bは、同一のプロセスチャンバ内において、成膜ガス種や混合比を連続的に変化させて成膜してもよい。 Further, the gas barrier layer 30 and the inorganic buffer layer 210b, in the same process chamber, may be formed by continuously changing the deposition gas species and mixing ratio. このようにすれば、ガスバリア層30及び無機緩衝層210bは界面を有することなく、構成原子の濃度勾配を連続的に異ならせた膜質を形成することができる。 In this way, the gas barrier layer 30 and the inorganic buffer layer 210b without having a surface, it is possible to form a film quality having different concentration gradient of the constituent atoms continuously. これにより、ガスバリア層30の機能と、無機緩衝層210bの機能を兼ね備えた膜を形成することが可能となる。 Thus, it is possible to form the function of the gas barrier layer 30, a film having both the function of the inorganic buffer layer 210b.

また、ガスバリア層30の形成については、上述したように同一の材料によって単層で形成してもよく、また異なる材料で複数の層に積層して形成してもよく、さらには、単層で形成するものの、その組成を膜厚方向で連続的あるいは非連続的に変化させるようにして形成してもよい。 Further, the formation of the gas barrier layer 30 may be formed of a single layer of the same material as described above, or may be formed by stacking a plurality of layers of different materials. In addition, a single layer although formed, it may be formed so as to continuously or non-continuously changing the composition in the film thickness direction.

そして、図3に示すように、ガスバリア層30上に接着層205と表面保護基板206からなる保護層204を設ける。 Then, as shown in FIG. 3, a protective layer 204 comprising an adhesive layer 205 and the surface protection substrate 206 on the gas barrier layer 30. 接着層205は、スリットコート法などによりガスバリア層30上に略均一に塗布され、その上に表面保護基板206が貼り合わされる。 The adhesive layer 205 is substantially uniformly applied on the gas barrier layer 30 by a slit coating method, the surface protection substrate 206 is bonded thereon.
このようにガスバリア層30上に保護層204を設ければ、表面保護基板206が耐圧性や耐摩耗性、光反射防止性、ガスバリア性、紫外線遮断性などの機能を有していることにより、発光層60や陰極50、さらにはガスバリア層もこの表面保護基板206によって保護することができ、したがって発光素子の長寿命化を図ることができる。 By thus providing the protective layer 204 on the gas barrier layer 30, the surface protection substrate 206 is pressure resistance and abrasion resistance, antireflection properties, gas barrier properties, by having functions such as ultraviolet blocking properties, emitting layer 60 and the cathode 50, and further the gas barrier layer can also be protected by the surface protection plate 206, thus it is possible to extend the life of the light emitting element.
また、接着層205が機械的衝撃に対して緩衝機能を発揮するので、外部から機械的衝撃が加わった場合に、ガスバリア層30やこの内側の発光素子への機械的衝撃を緩和し、この機械的衝撃による発光素子の機能劣化を防止することができる。 Further, since the adhesive layer 205 exerts a buffering function with respect to mechanical shock, if the mechanical shock is applied from outside, to alleviate the mechanical impact to the gas barrier layer 30 and the inside of the light emitting element, the machine it is possible to prevent the function deterioration of the light emitting device by impact.

以上のようにして、EL表示装置1が形成される。 As described above, EL display devices 1 are formed.
このようなEL表示装置1にあっては、陰極50とガスバリア層30との間に、陰極50を覆うとともに略平坦な上面が形成された有機緩衝層210aが配置されるので、有機緩衝層210aが基板200側から発生する反りや体積膨張により発生する応力を緩和し、不安定な有機隔壁層221からの陰極50の剥離を防止することができる。 Is a such an EL display device 1, between the cathode 50 and the gas barrier layer 30, the organic buffer layer 210a which flat upper surface is formed substantially is arranged to cover the cathode 50, the organic buffer layer 210a There it is possible to prevent the peeling of the cathode 50 from the warp or volume expansion by alleviate stress generated, labile organic partition wall layer 221 generated from the substrate 200 side.
更に、有機緩衝層210aの上面が略平坦化されているので、有機緩衝層210a上に形成される硬い被膜からなるガスバリア層30が平坦化されるので、ガスバリア層30に応力が集中する部位がなくなり、これにより、ガスバリア層30へのクラックの発生を防止できる。 Furthermore, since the upper surface of the organic buffer layer 210a is substantially flattened, since the gas barrier layer 30 made of a hard coating formed on the organic buffer layer 210a is planarized, the site where the stress is concentrated on the gas barrier layer 30 Whilst this can prevent occurrence of cracks in the gas barrier layer 30.

なお、上述した実施形態では、トップエミッション型のEL表示装置1を例にして説明したが、本発明はこれに限定されることなく、ボトムエミッション型にも、また、両側に発光光を出射するタイプのものにも適用可能である。 In the embodiment described above has been described with the EL display device 1 of the top emission type as an example, the present invention is not limited thereto, in the bottom emission type, also emits emission light on both sides on the type of thing it can be applied.

また、ボトムエミッション型、あるいは両側に発光光を出射するタイプのものとした場合、基体200に形成するスイッチング用TFT112や駆動用TFT123については、発光素子の直下ではなく、親液性制御層25および有機隔壁層221の直下に形成するようにし、開口率を高めるのが好ましい。 In addition, when of a type that emits emission light bottom emission type, or both sides, for the switching TFT TFT112 and driving TFT123 forming the substrate 200, rather than directly under the light-emitting element, the lyophilic control layer 25 and so as to form directly under the organic partition wall layer 221, preferably increase the aperture ratio.
また、EL表示装置1では本発明における第1の電極を陽極として機能させ、第2の電極を陰極として機能させたが、これらを逆にして第1の電極を陰極、第2の電極を陽極としてそれぞれ機能させるよう構成してもよい。 Further, the first electrode of the EL display device 1 in the present invention to function as an anode, the anode is the second electrode is made to function as a cathode, the cathode of the first electrode by them conversely, the second electrode it may be configured to function respectively as. ただし、その場合には、発光層60と正孔輸送層70との形成位置を入れ替えるようにする必要がある。 However, in that case, it is necessary to replace the forming position of the light-emitting layer 60 and the hole transport layer 70.

また、本実施形態では、電気光学装置にEL表示装置1を適用した例を示したが、本発明はこれに限定されることなく、基本的に第2電極が基体の外側に設けられるものであれば、どのような形態の電気光学装置にも適用可能である。 Further, in the present embodiment, but an example is shown of applying the EL display device 1 to the electro-optical device, the present invention is not limited thereto, the basic second electrode provided on the outside of the base if any, it is also applicable to an electro-optical device of any form.

上述したように、本実施形態によれば、ガスバリア層30と無機緩衝層210bとが接触し、また、無機緩衝層210bはガスバリア層30よりも小さい膜密度を有しているので、ガスバリア層30を形成した際の圧縮応力が緩和される。 As described above, according to this embodiment, contacts the gas barrier layer 30 and the inorganic buffer layer 210b is, and since the inorganic buffer layer 210b has a smaller film density than the gas barrier layer 30, barrier layer 30 compressive stress at the time of forming the can be relaxed. これにより、ガスバリア層30の剥離やクラックを抑制できる。 This can suppress the peeling or cracking of the gas barrier layer 30. 従って、水分の浸入を抑制することができ、電気光学層の劣化を防止できる。 Therefore, it is possible to inhibit the penetration of moisture, can prevent degradation of the electro-optical layer.
また、ガスバリア層30と無機緩衝層210bは、共に無機材料からなるので、両者の密着性は高く、互いに剥離することがない。 Further, the gas barrier layer 30 and the inorganic buffer layer 210b, since both of an inorganic material, adhesion between them is high, it is not possible to peel from each other. また、このような無機緩衝層210bを設けたことにより、ガスバリア層30の膜厚を従来よりも薄くできる。 Further, by providing such an inorganic buffer layer 210 b, it can be made thinner than the conventional thickness of the gas barrier layer 30. これにより、ガスバリア層30を厚膜に形成した場合の基板20の反りを抑制できる。 Thus, a gas barrier layer 30 can suppress warpage of the substrate 20 in the case of forming a thick film. また、ガスバリア層30の薄膜化を単に施しただけでは、一般的に水分に対する遮断性が低下してしまうが、上記のように無機緩衝層210bが形成されることによって、無機緩衝層210bが水分に対する遮蔽性を補完するので、ガスバリア層30が薄膜となっても、十分に水分を遮蔽できる。 Also, just simply subjected to thinning of the gas barrier layer 30, but typically barrier properties against moisture decreases by inorganic buffer layer 210b is formed as described above, inorganic buffer layer 210b is water since complement the shield against, even when the gas barrier layer 30 is a thin film, it can be sufficiently shielded moisture.

また、無機緩衝層210bは有機緩衝層210aよりも広い面積で形成されるので、有機緩衝層210aは無機緩衝層210bによって被覆された状態となる。 The inorganic buffer layer 210b is so formed in an area larger than that of the organic buffer layer 210a, the organic buffer layer 210a is in a state of being covered by the inorganic buffer layer 210b. これによって、ガスバリア層30と有機緩衝層210aが直接的に接触することがない。 Thus, never gas barrier layer 30 and the organic buffer layer 210a is in direct contact. これにより、ガスバリア層30と有機緩衝層210aとの間で生じる応力が緩和され、ガスバリア層30の剥離やクラックを抑制できる。 Accordingly, stress generated between the gas barrier layer 30 and the organic buffer layer 210a is reduced, it can suppress the peeling or cracking of the gas barrier layer 30.
また、有機緩衝層210aを設けたことにより、基板20側の有機隔壁層221等から発生する反りや体積変化により発生する応力が分散され、無機緩衝層210b及びガスバリア層30に発生するクラックや剥離を防止する。 Further, by providing the organic buffer layer 210a, stress caused by the warp or volume change is dispersed generated from the organic partition wall layer 221 like the substrate 20, a crack occurs in the inorganic buffer layer 210b and gas barrier layer 30 and peeling the to prevent. また、有機緩衝層210aを設けたことにより、不安定な隔壁からの陰極50の剥離を防止できる。 Further, by providing the organic buffer layer 210a, thereby preventing the peeling of the cathode 50 from unstable septum. また、有機緩衝層210aの上面が略平坦化されるので、有機緩衝層210a上に形成される無機緩衝層210bやガスバリア層30が平坦化され、ガスバリア層30における応力集中が生じる部位がなくなり、ガスバリア層30のクラック発生を防止できる。 Further, since the upper surface of the organic buffer layer 210a is substantially flattened, inorganic buffer layer 210b and gas barrier layer 30 formed on the organic buffer layer 210a is planarized, there is no site where stress concentration in the gas barrier layer 30 occurs, cracking of the gas barrier layer 30 can be prevented.
また、有機緩衝層210aは、陰極50を形成した後に付着する微細なパーティクルを埋めるので、当該パーティクルがあったとしても、無機緩衝層210bやガスバリア層30の平坦化を実現できる。 Further, the organic buffer layer 210a, so fill the fine particles adhering after forming the cathode 50, even if the particles can be realized flattened inorganic buffer layer 210b and gas barrier layer 30.

また、無機緩衝層210bに、酸素原子や水素原子が含まれることにより、無機緩衝層210bの緻密さが低下するので、ガスバリア層30の圧縮応力を効果的に緩和できる。 Further, the inorganic buffer layer 210b, The inclusion of oxygen atoms and hydrogen atoms, since the denseness of the inorganic buffer layer 210b is lowered, the compressive stress of the gas barrier layer 30 can be effectively alleviated. また、無機緩衝層210bにおいては、酸素原子を含んでいない場合と比較して、無機緩衝層210bの屈折率が変化する。 In the inorganic buffer layer 210b, as compared with the case containing no oxygen atom, the refractive index of the inorganic buffer layer 210b is changed. 従って、酸素原子の含有量を調整することで、無機緩衝層210bが所望の屈折率を有するように調整できる。 Therefore, by adjusting the content of oxygen atoms, inorganic buffer layer 210b can be adjusted to have a desired refractive index. また、無機緩衝層210bに水素原子が含まれた場合には、無機緩衝層210bの屈折率が変わらないので、屈折率を変えずに膜質の緻密さを調整できる。 Further, in the case that contains hydrogen atoms in the inorganic buffer layer 210b, since the refractive index of the inorganic buffer layer 210b is not changed, it is possible to adjust the compactness of the film quality without changing the refractive index.

また、陰極50と有機緩衝層210aとの間に、陰極保護層55が設けられているので、当該陰極保護層55によって陰極50が保護され、有機緩衝層210aを形成する際の有機溶剤や残留水分によるダメージを抑制できる。 Further, between the cathode 50 and the organic buffer layer 210a, since the cathode-protecting layer 55 is provided, the cathode 50 is protected by the cathodic protection layer 55, an organic solvent and residual time of forming the organic buffer layer 210a the damage caused by moisture can be suppressed.
また、無機緩衝層210bは、有機緩衝層210aを被覆すると共に、陰極保護層55を始めとする基板20上の無機材料と接触して形成されているので、ガスバリア層30が陰極保護層55等と直接接触することなく、無機緩衝層210bを介してガスバリア層30が陰極保護層55等の上方に形成されることとなる。 The inorganic buffer layer 210b, as well as to cover the organic buffer layer 210a, since they are formed in contact with the inorganic material on the substrate 20 including the cathode protection layer 55, the gas barrier layer 30 is a cathode protective layer 55 or the like When directly without contact, so that the gas barrier layer 30 through the inorganic buffer layer 210b is formed over such a cathode protective layer 55. 従って、ガスバリア層30の圧縮応力が無機緩衝層210bによって緩和されるので、陰極保護層55を始めとする基板20上の無機材料におけるガスバリア層30の剥離やクラックを抑制できる。 Thus, since the compressive stress of the gas barrier layer 30 is relaxed by the inorganic buffer layer 210 b, it can suppress separation or cracking of the gas barrier layer 30 in the inorganic material on the substrate 20 including the cathode protection layer 55. 従って、当該剥離やクラックに起因する水分の浸入を抑制できる。 Therefore, it is possible to suppress the entry of moisture due to the peeling or cracking.
また、ガスバリア層30を覆う接着層205と、表面保護基板206とが設けられているので、ガスバリア層30が保護され、破壊や損傷を抑制できる。 Further, an adhesive layer 205 covering the gas barrier layer 30, since the surface protection substrate 206 is provided, the gas barrier layer 30 is protected, can be suppressed destruction or damage.

また、無機緩衝層210bは、有機緩衝層210aを被覆すると共に陰極保護層55と接触して形成されているので、ガスバリア層30が陰極保護層55と直接接触することなく、無機緩衝層210bを介してガスバリア層30が陰極保護層55上に形成されることとなる。 The inorganic buffer layer 210b is so formed in contact with the cathode protection layer 55 while covering the organic buffer layer 210a, without gas barrier layer 30 is in direct contact with the cathode protection layer 55, an inorganic buffer layer 210b the gas barrier layer 30 is to be formed on the cathode protection layer 55 through. 従って、ガスバリア層30の圧縮応力が無機緩衝層210bによって緩和されるので、陰極保護層55におけるガスバリア層30の剥離やクラックを抑制できる。 Thus, since the compressive stress of the gas barrier layer 30 is relaxed by the inorganic buffer layer 210 b, it can suppress separation or cracking of the gas barrier layer 30 in the cathode protection layer 55. 従って、当該剥離やクラックに起因する水分の浸入を抑制できる。 Therefore, it is possible to suppress the entry of moisture due to the peeling or cracking.

また、有機緩衝層210aの側面端部の角度が45°以下で形成されているので、無機緩衝層210bやガスバリア層30は、このような有機緩衝層210aの形状に倣って形成される。 Further, since the angle of the side edge portions of the organic buffer layer 210a is formed at 45 ° or less, an inorganic buffer layer 210b and gas barrier layer 30 is formed along the shape of the organic buffer layer 210a. これにより、無機緩衝層210bやガスバリア層30は、急峻な形状ではなく、緩やかな形状を有するので、当該無機緩衝層210bやガスバリア層30における応力を低減できる。 Accordingly, the inorganic buffer layer 210b and gas barrier layer 30 is not a sharp shape, because it has a gentle shape, it can reduce stress in the inorganic buffer layer 210b and gas barrier layer 30. 従って、無機緩衝層210bやガスバリア層30に荷重が付与されたとしても、剥離やクラックが生じることがなく、水分の侵入を抑制できる。 Therefore, even inorganic buffer layer 210b and gas barrier layer 30 as a load is applied, peeling and without cracks can be suppressed moisture penetration.

また、無機緩衝層210b及びガスバリア層30を形成する工程は、真空雰囲気において連続して行うことにより、大気圧雰囲気に戻すことなく無機緩衝層210bとガスバリア層30が形成されるので、生産性を向上させることができる。 The step of forming an inorganic buffer layer 210b and gas barrier layer 30 by performing in succession in a vacuum atmosphere, since inorganic buffer layer 210b and gas barrier layer 30 is formed without returning to the atmospheric pressure, the productivity it is possible to improve. また、大気雰囲気に戻す場合には、大気中に含まれる水分が無機緩衝層210bとガスバリア層30の間に入り込んでしまうが、同一の真空雰囲気において一括して成膜することにより、水分を抑制できる。 Further, when the return to the atmosphere is the moisture contained in the atmosphere may enter between the inorganic buffer layer 210b and gas barrier layer 30, by forming collectively in the same vacuum atmosphere, suppressing moisture it can.

次に、本発明の電子機器について説明する。 Next, a description will be given of an electronic apparatus of the present invention.
電子機器は、上述したEL表示装置(電気光学装置)1を表示部として有したものであり、具体的には図9に示すものが挙げられる。 Electronic device, which has had as a display unit of the EL display device (electro-optical device) 1 described above, and specific examples thereof include those shown in FIG.
図9(a)は、携帯電話の一例を示した斜視図である。 9 (a) is a perspective view showing an example of a cellular phone. 図9(a)において、携帯電話1000は、上述したEL表示装置1を用いた表示部1001を備える。 9 (a), the cellular phone 1000 includes a display 1001 using the EL display device 1 described above.
図9(b)は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。 9 (b) is a perspective view showing an example of a wristwatch type electronic apparatus. 図9(b)において、時計1100は、上述したEL表示装置1を用いた表示部1101を備える。 In FIG. 9 (b), watch 1100 includes a display 1101 using the EL display device 1 described above.
図9(c)は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。 FIG. 9 (c), a word processor, a perspective view showing an example of a portable information processing apparatus such as a personal computer. 図9(c)において、情報処理装置1200は、キーボードなどの入力部1201、上述したEL表示装置1を用いた表示部1202、情報処理装置本体(筐体)1203を備える。 In FIG. 9 (c), the information processing apparatus 1200 includes an input unit 1201, a display portion 1202 using the EL display device 1 described above, the information processing apparatus main body (housing) 1203 such as a keyboard.
図9(a)〜(c)に示すそれぞれの電子機器は、上述したEL表示装置(電気光学装置)1を有した表示部1001,1101,1202を備えているので、表示部を構成するEL表示装置の発光素子の長寿命化が図られたものとなる。 Each of the electronic apparatus shown in FIG. 9 (a) ~ (c) is provided with the display unit 1001,1101,1202 having an EL display device (electro-optical device) 1 described above, EL constituting a display unit becomes the lifetime of the light emitting element of the display device is achieved.

EL表示装置の配線構造を示す図。 It illustrates a wiring structure of an EL display device. EL表示装置の構成を示す模式図。 Schematic diagram showing the structure of an EL display device. 図2のA−B線に沿う断面図。 Sectional view taken along the line A-B in FIG. 図2のC−D線に沿う断面図。 Sectional view taken along line C-D in FIG. 図3の要部を示す断面拡大図。 Enlarged cross-sectional view showing a main portion of FIG. 図3の要部を示す断面拡大図。 Enlarged cross-sectional view showing a main portion of FIG. EL表示装置の製造方法を工程順に示す図。 Diagram illustrating the method of manufacturing the EL display device in the order of steps. 図7に続く工程を示す図。 It shows a step subsequent to the step of FIG. 電子機器を示す図。 Figure showing an electronic device.

符号の説明 DESCRIPTION OF SYMBOLS

1 表示装置(電気光学装置)、 23 画素電極(第1電極)、 30 ガスバリア層、 50 陰極(第2電極)、 55 陰極保護層(電極保護層)、 60 発光層(電気光学層)、 200 基体、 210a 有機緩衝層、 210b 無機緩衝層、 221 有機隔壁層(隔壁)、 221a 開口部、 1000 携帯電話(電子機器)、1100 時計(電子機器)、 1200 情報処理装置(電子機器)、 1001,1101,1202 表示部(電気光学装置) 1 display (electro-optical device), 23 pixel electrode (first electrode), 30 a gas barrier layer, 50 a cathode (second electrode) 55 cathode protection layer (the electrode protective layer), 60 light-emitting layer (electro-optical layer), 200 substrate, 210a organic buffer layer, 210 b inorganic buffer layer 221 organic partition wall layer (partition wall), 221a opening 1000 mobile phone (electronic device), 1100 clock (electronic apparatus), 1200 the information processing apparatus (electronic apparatus), 1001, 1101,1202 display unit (electro-optical device)

Claims (14)

  1. 基体上に、複数の第1電極と、前記第1電極の形成位置に対応した複数の開口部を有する隔壁と、前記開口部のそれぞれに配置される電気光学層と、前記隔壁及び前記電気光学層を覆う第2電極と、を有する電気光学装置において、 On a substrate, a plurality of first electrodes, and a partition wall having a plurality of openings corresponding to formation positions of the first electrode, an electro-optical layer which are respectively located in the opening, the partition wall and the electro-optical in the electro-optical device having a second electrode which covers the layer, and
    前記第2電極を覆うと共に平坦な上面が形成された有機緩衝層と、 An organic buffer layer flat upper surface is formed which covers the second electrode,
    当該有機緩衝層を覆うと共に当該有機緩衝層よりも広い面積で形成された無機緩衝層と、 An inorganic buffer layer formed in an area larger than the organic buffer layer covers the organic buffer layer,
    当該無機緩衝層を覆うガスバリア層と、を備えることを特徴とする電気光学装置。 Electro-optical device characterized by comprising a gas barrier layer covering the inorganic buffer layer.
  2. 前記無機緩衝層は、前記ガスバリア層よりも膜密度が小さいことを特徴とする請求項1に記載の電気光学装置。 The inorganic buffer layer, an electro-optical device according to claim 1, wherein the film density is smaller than the gas barrier layer.
  3. 前記無機緩衝層及び前記ガスバリア層は、共に珪素化合物からなることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の電気光学装置。 The inorganic buffer layer and the gas barrier layer, an electro-optical device according to claim 1 or claim 2, characterized in that it consists of both silicon compound.
  4. 前記無機緩衝層は、酸素原子を含むことを特徴とする請求項1から請求項3のいずれかに記載の電気光学装置。 The inorganic buffer layer, an electro-optical device according to any one of claims 1 to 3, characterized in that it comprises an oxygen atom.
  5. 前記無機緩衝層は、水素原子を含むことを特徴とする請求項1から請求項3のいずれかに記載の電気光学装置。 The inorganic buffer layer, an electro-optical device according to any one of claims 1 to 3, characterized in that it comprises a hydrogen atom.
  6. 前記無機緩衝層は、前記有機緩衝層を被覆すると共に前記基体上の無機材料と接触して形成されていることを特徴とする請求項1から請求項5のいずれかに記載の電気光学装置。 The inorganic buffer layer, an electro-optical device according to any one of claims 1 to 5, characterized in that it is formed in contact with the inorganic material on the substrate while covering the organic buffer layer.
  7. 前記ガスバリア層を覆う樹脂接着層と、当該樹脂接着層を覆う保護基体と、が設けられていることを特徴とする請求項1から請求項6のいずれかに記載の電気光学装置。 Wherein the gas barrier layer covering the resin adhesive layer, the electro-optical device according to any one of claims 1 to 6, characterized in that the protective body covering the resin adhesive layer, is provided.
  8. 前記第2電極と前記有機緩衝層との間に、電極保護層が設けられていることを特徴とする請求項1から請求項7のいずれかに記載の電気光学装置。 Wherein between the second electrode and the organic buffer layer, an electro-optical device according to any one of claims 1 to 7, characterized in that the electrode protection layer is provided.
  9. 前記無機緩衝層は、前記有機緩衝層を被覆すると共に前記電極保護層と接触して形成されていることを特徴とする請求項1から請求項8のいずれかに記載の電気光学装置。 The inorganic buffer layer, an electro-optical device according to any one of claims 1 to 8, characterized in that it is formed in contact with the electrode protective layer while covering the organic buffer layer.
  10. 前記有機緩衝層の側面端部の角度は、45°以下で形成されていることを特徴とする請求項1から請求項9のいずれかに記載の電気光学装置。 Angle of the end face portion of the organic buffer layer, an electro-optical device according to any one of claims 1 to 9, characterized in that it is formed by 45 ° or less.
  11. 基体上に、複数の第1電極と、前記第1電極の形成位置に対応した複数の開口部を有する隔壁と、前記開口部のそれぞれに配置される電気光学層と、前記隔壁及び前記電気光学層を覆う第2電極と、を有する電気光学装置の製造方法において、 On a substrate, a plurality of first electrodes, and a partition wall having a plurality of openings corresponding to formation positions of the first electrode, an electro-optical layer which are respectively located in the opening, the partition wall and the electro-optical in the manufacturing method for an electro-optical device having a second electrode which covers the layer, and
    前記第2電極を覆うと共に平坦な有機緩衝層を形成する工程と、 Forming a flat organic buffer layer covers the second electrode,
    当該有機緩衝層を覆うと共に当該有機緩衝層よりも広い面積を有する無機緩衝層を形成する工程と、 Forming an inorganic buffer layer having a larger area than the organic buffer layer covers the organic buffer layer,
    当該無機緩衝層を覆うガスバリア層を形成する工程と、を含むことを特徴とする電気光学装置の製造方法。 Method of manufacturing an electro-optical device which comprises a step of forming a gas barrier layer covering the inorganic buffer layer.
  12. 前記有機緩衝層を形成する工程は、大気圧雰囲気下における液相法を利用することを特徴とする請求項11に記載の電気光学装置の製造方法。 The step of forming the organic buffer layer, the manufacturing method of the electro-optical device according to claim 11, characterized by use of a liquid phase method under atmospheric pressure.
  13. 前記無機緩衝層及び前記ガスバリア層を形成する工程は、真空雰囲気において連続して行うことを特徴とする請求項11又は請求項12に記載の電気光学装置の製造方法。 The step of forming the inorganic buffer layer and the gas barrier layer, the method of manufacturing an electro-optical device according to claim 11 or claim 12, characterized in that continuously carried out in a vacuum atmosphere.
  14. 請求項1から請求項10のいずれかに記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機器。 An electronic apparatus comprising the electro-optical device according to any one of claims 1 to 10.



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