JP2006019750A - 基板処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 基板処理装置は、基板を移送する移送手段と、基板の移送方向に対して直交する方向に形成されている第1ノズル部を有する第1高圧スプレーと、第1ノズル部と平行した第2ノズル部を有する第2高圧スプレーが形成されている高圧スプレーユニットを含む。
【選択図】図1
Description
カラーフィルター基板と薄膜トランジスター基板の製造時に、基板表面上にパターン形成のために食刻(etching)及び現像の工程が遂行される。また食刻、現像前・後には洗浄と乾燥が行われる。
しかし、基板の大きさが大きくなりつつ、洗浄と乾燥が均一に行われない問題が発生する。
一実施形態により、前記第1ノズル部と前記第2ノズル部の中で、少なくとも1つは吐出方向が前記基板板面の垂直方向と所定の角度をなすように形成される。
一実施形態により、前記第1高圧スプレーから供給される処理流体は、前記第2高圧スプレーから供給される処理流体より先に前記基板に供給される。前記第1高圧スプレーから供給される処理流体は、常温の空気であり、前記第2高圧スプレーから供給される処理流体は加熱された空気である。
本発明による基板処理装置は、基板を移送する移送手段と、前記基板の移送方向に沿って形成された横ノズル部を有する横高圧スプレーを含む。
一実施形態により、基板処理装置は、基板の移送方向に対して直交する方向に形成された縦ノズル部を有する縦高圧スプレーをさらに含む。
一実施形態により、前記横高圧スプレーは、前記基板の一側辺に沿って配置されて、前記移送手段は前記基板の一側辺が上部に位置するように前記基板を傾けて移送する。
多様な実施形態で繰り返される構成要素については、同じ番号を与え、代表として第1実施形態で説明して他の実施形態では省略する。
第1実施形態による基板処理装置1を図1と図2を参照して説明する。
図1は、本発明の第1実施形態による基板処理装置1の断面図で、図2は本発明の第1実施形態による洗浄部300の斜視図である。
食刻部200に供給される基板100は、食刻される部分を露出している。即ち、食刻される金属層、電極層、絶縁層などが露出しており、食刻されない部分は感光膜で覆われている。
食刻液211は、食刻対象によってその成分が変わる。ゲート配線またはデータ配線で使われるアルミ(Al)やモリブデン(Mo)を食刻する場合、食刻液211は燐酸、硝酸、酢酸を含む。タンタルを食刻する場合、食刻液211はフッ酸と硝酸を含む。クロム(Cr)を食刻する場合、食刻液211は硝酸アンモニウムセシウムと硝酸を含む。また画素電極で使われるITO(indium tin oxide)を食刻する場合、食刻液211は塩酸、硝酸、塩化鉄を含む。
移送手段500は、コンベアベルトタイプになっており、食刻部200から洗浄部300を経て、乾燥部400に基板100を移送する。基板100は通常直方体形状になっているため、移送手段500は基板100の長辺と平行方向に基板100を移送する。
洗浄部300には高圧スプレーユニット310(fluid knife unit)とスプレー部320が形成されている。
処理流体をスプレーして基板100に供給するスプレー部320は、複数個形成されており、処理流体は洗浄水321である。
第1実施形態による基板処理装置1を利用して、基板100を処理する過程を説明すると、次の通りである。基板100上にゲート配線を形成する過程を例として説明する。
その後、移送手段500は、ゲート金属層が食刻された基板100を洗浄部300に移送する。移送手段500は基板100を移送方向に対して直交する方向に傾けて移送することが好ましい。
高圧スプレーユニット310を通りながら、食刻液211と食刻されたゲート金属層が迅速に除去される。その後、基板100はスプレー部320から洗浄水321が供給され完全に洗浄される。
乾燥部400で基板100は、第1高圧スプレー411を通して、常温の空気413が供給され、直ちに第2高圧スプレー415を通して加熱空気417の供給を受ける。第1高圧スプレー411と第2高圧スプレー415が一体になっているため、常温の空気413の供給と加熱空気417の供給の時間間隔が非常に短い。これにより、基板100の乾燥が迅速かつ均一に形成されて、基板100にしみの発生が減少する。また常温の空気413と加熱空気417を供給するための高圧スプレーユニット410の設置空間も節約できる。
第2実施形態による基板処理装置1を図3と図4を参照して説明する。
洗浄部300はスプレー部320、横高圧スプレー330、縦高圧スプレー340を含む。横高圧スプレー330と縦高圧スプレー340は互いに直角を成す。
横高圧スプレー330には基板100の移送方向にノズル部331が形成されている。横高圧スプレー330から供給する処理流体は洗浄水332である。基板100は傾けて移送されるため、横高圧スプレー330は上部に位置する基板100の一側辺に沿って配置される。横ノズル部331の長さ(L1)は基板100の長側辺の長さ(L2)の50%前後が好ましい。
第2実施形態とは異なって、横ノズル部331は複数の噴射孔が一列に配列されている形態でありうる。洗浄効果を高めるために、横高圧スプレー330と縦高圧スプレー340の中で、少なくとも1つを複数で形成することも可能である。また横高圧スプレー330と縦高圧スプレー340を一体に形成することもできる。
食刻部200で食刻された基板100が、洗浄部300に入ると、横高圧スプレー330の横ノズル部331と縦高圧スプレー340の縦ノズル部341から洗浄水332、342が供給される。洗浄水332、342は食刻液211と食刻液211によって食刻分離されたゲート金属層を基板100から除去する。
縦高圧スプレー340と一緒に横高圧スプレー330からも洗浄水332、342が噴射されるため、基板100上の食刻液211が速い速度で除去されて、基板100上の位置による食刻液211の残留時間差も大幅に減少する。
図5は本発明の第3実施形態による基板処理装置1の断面図である。
基板100の移送方向に沿って高圧スプレーユニット310、横高圧スプレー330、そしてスプレー部320が順次配置されている。第3実施形態によると、洗浄部300の洗浄水が食刻部200に逆流することを防止しながら、横高圧スプレー330を通して、基板100上の食刻液211を速い速度で除去する。
また、前述の実施形態では液晶表示装置用基板に対して説明したが、本発明の基板は有機電気発光装置(organic light emitting diode)のような平板表示装置に使われる基板と半導体ウェハーを全て含む。
100 基板
200 食刻部
210 スプレー部
211 食刻液
300 洗浄部
310 高圧スプレーユニット
311 第1高圧スプレー
312 第1ノズル部
313 空気
315 第2高圧スプレー
316 第2ノズル部
317 洗浄水
320 スプレー部
321 洗浄水
400 乾燥部
410 高圧スプレーユニット
411 第1高圧スプレー
412 第1ノズル部
415 第2高圧スプレー
416 第2ノズル部
417 加熱空気
500 移送手段
Claims (9)
- 基板を移送する移送手段と;
前記基板の移送方向に対して直交する方向に形成される第1ノズル部を有する第1高圧スプレーと、前記第1ノズル部と平行する第2ノズル部を有する第2高圧スプレーが形成された高圧スプレーユニットと、
を含むことを特徴とする基板処理装置。 - 前記第1ノズル部と前記第2ノズル部の中で、少なくとも1つは吐出方向が前記基板板面の垂直方向と所定の角度をなすように形成されることを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。
- 前記第1高圧スプレーから供給される処理流体は、前記第2高圧スプレーから供給される処理流体より先に前記基板に供給され、
前記第1高圧スプレーから供給される処理流体は空気であり、前記第2高圧スプレーから供給される処理流体は洗浄水であることを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。 - 前記第1高圧スプレーから供給される処理流体は、前記第2高圧スプレーから供給される処理流体より先に前記基板に供給され、
前記第1高圧スプレーから供給される処理流体は常温の空気であり、前記第2高圧スプレーから供給される処理流体は加熱された空気であることを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。 - 前記基板の移送方向に沿って形成された横ノズル部を有する横高圧スプレーをさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。
- 基板を移送する移送手段と;
前記基板の移送方向に沿って形成される横ノズル部を有する横高圧スプレーと、
を含むことを特徴とする基板処理装置。 - 前記基板の移送方向に対して直交する方向に形成される縦ノズル部を有する縦高圧スプレーをさらに含むことを特徴とする請求項6に記載の基板処理装置。
- 前記横高圧スプレーと前記縦高圧スプレーから供給される処理流体は洗浄水であることを特徴とする請求項7に記載の基板処理装置。
- 前記横高圧スプレーは前記基板の一側辺に沿って配置され、
前記移送手段は前記基板の一側辺が上部に位置するように前記基板を傾けて移送することを特徴とする請求項6に記載の基板処理装置。
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