JP2006015276A - Substrate treatment apparatus - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent adhesion of particles to a substrate or precipitation of a crystal even if a liquid recovery type nozzle apparatus is employed for treating a substrate. <P>SOLUTION: The substrate treatment apparatus 10 is for carrying out a prescribed treatment (washing treatment in this embodiment) for a substrate B which is being transported in an approximately horizontal posture along a transportation path 171 by supplying a treatment liquid to the substrate B and comprises a liquid recovery type nozzle apparatus 20 (a liquid recovery type nozzle apparatus 20 installed in a third washing chamber 14 in this embodiment) so composed as to recover the treatment liquid (washing water in this embodiment) supplied to the substrate B upstream of the transportation path 171; an air knife 30 for blowing out the washing water on the substrate B toward the downstream; and a liquid-holding nozzle apparatus 40 for supplying washing water for preventing the substrate B from drying between the liquid recovery type nozzle apparatus 20 and the air knife 30. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、液晶や各種の電子部品等がマウントされるガラス基板を含む各種の基板を製造するに際し、これら基板に所定の処理を施す基板処理装置に関するものである。   The present invention relates to a substrate processing apparatus that performs predetermined processing on a substrate including a glass substrate on which a liquid crystal, various electronic components, and the like are mounted.

液晶ディスプレイ等に用いられる基板は、その製造に際し処理液の種類毎に複数設けられた処理槽内に当該基板を順番に装入していき、各処理槽内で所定の処理液が供給されることによりそれぞれ独自の処理が施されるのが一般的である。基板に対してかかる処理を施すべく、各処理槽を貫通した搬送路が設けられるとともに、この搬送路に沿って複数の搬送ローラ等の搬送手段が配設され、基板はこの搬送手段に搬送されつつ各処理槽内に順番に送り込まれることになる。   Substrates used for liquid crystal displays or the like are manufactured by sequentially loading the substrates into a plurality of processing tanks provided for each type of processing liquid, and a predetermined processing liquid is supplied in each processing tank. In general, each of them has its own processing. In order to perform such a process on the substrate, a conveyance path that passes through each processing tank is provided, and conveyance means such as a plurality of conveyance rollers are arranged along the conveyance path, and the substrate is conveyed to the conveyance means. However, it will be sent in order into each processing tank.

各処理槽で基板に供給された処理液は、一旦処理槽の底部に貯留され、所定の無害化処理が施されたのち系外に排出されたり、あるいは再生処理が施されて循環使用されたりする。   The processing liquid supplied to the substrate in each processing tank is temporarily stored at the bottom of the processing tank, and after being subjected to a predetermined detoxification process, it is discharged out of the system, or is recycled after being recycled. To do.

かかる基板の処理方式にあっては、各処理槽内に導入された基盤に対して処理液を供給する液供給ノズルが重要な役割を果たすことになるが、近年、特許文献1に記載されたような、搬送方向の下流側で基板に供給した処理液を上流側で基板上から回収するようにした液回収型ノズル装置が提案されている。
特開2002−280340号公報
In such a substrate processing method, a liquid supply nozzle that supplies a processing liquid to a substrate introduced into each processing tank plays an important role. There has been proposed a liquid recovery type nozzle device that recovers the processing liquid supplied to the substrate on the downstream side in the transport direction from the substrate on the upstream side.
JP 2002-280340 A

ところで、特許文献1に記載されたような液回収型ノズル装置を採用した場合であっても、その下流側には液切りを確実に行うべく空気流を吹き付けて基板を乾燥させるエアナイフが配置された構成が採用されているが、基板上における液回収型ノズル装置の範囲内で処理液が略回収されてしまうため、基板は、液回収型ノズル装置の下流側に設けられたエアナイフに到達するまでの間に部分的に乾燥してしまうことがあり、乾燥むらが生じて基板表面にパーティクルが部分的に固着したり、処理液の成分が結晶となって部分的に析出してしまうなどして、いわゆるウォーターマークが付いてた状態になることがあるという問題点を有している。   By the way, even when the liquid recovery type nozzle device as described in Patent Document 1 is adopted, an air knife for blowing the air flow and drying the substrate is disposed on the downstream side in order to surely drain the liquid. However, since the processing liquid is substantially recovered within the range of the liquid recovery nozzle device on the substrate, the substrate reaches an air knife provided on the downstream side of the liquid recovery nozzle device. In some cases, drying may occur partially, resulting in uneven drying, and particles may partially adhere to the substrate surface, or components of the processing solution may be partially precipitated as crystals. Thus, there is a problem that a so-called watermark may occur.

このような不都合を解消するためにエアナイフを可能な限り液回収型ノズル装置の液吐出口に近づけることが考えられるが、基板搬送方向と直交する幅方向に長尺のエアナイフは、通常、液切り効率を上げるために基板搬送方向に対して斜めに設けられるため、その一端を液回収型ノズル装置に近接させても他端が離間した状態になるのを避けることができない。また、液回収型ノズル装置およびエアナイフを設置する際の両者の設置空間の取り合いのために各吐出口を近接させることは困難である。さらに、エアナイフを基板の乾燥用として採用した場合、基板に処理液を供給する空間内の雰囲気が基板を乾燥させる空間に移らないように、両空間の境界位置には仕切り壁が設けられるが一般的であるが、かかる仕切り壁が設けられると、エアナイフを液回収型ノズル装置の液吐出口に近づけることが著しく困難になる。   In order to eliminate such an inconvenience, it is conceivable to bring the air knife as close as possible to the liquid discharge port of the liquid recovery type nozzle device. However, an air knife that is long in the width direction perpendicular to the substrate transport direction is usually used for liquid cutting. Since it is provided obliquely with respect to the substrate transport direction in order to increase the efficiency, it is inevitable that the other end will be in a separated state even if one end thereof is brought close to the liquid recovery type nozzle device. In addition, it is difficult to bring the discharge ports close to each other because of the installation space between the liquid recovery type nozzle device and the air knife. Furthermore, when an air knife is used for drying a substrate, a partition wall is provided at the boundary between both spaces so that the atmosphere in the space for supplying the processing liquid to the substrate does not move to the space for drying the substrate. However, when such a partition wall is provided, it becomes extremely difficult to bring the air knife close to the liquid discharge port of the liquid recovery type nozzle device.

従来、これらの理由で液回収型ノズル装置からエアナイフに到達するまでの間に基板が乾燥してその表面にパーティクルが部分的に固着したり、処理液の成分が結晶となって部分的に析出してしまうという問題点を解消することができないというのが実情であった。   Conventionally, for these reasons, the substrate dries before reaching the air knife from the liquid recovery type nozzle device, and particles partially adhere to the surface, or components of the processing liquid are partially precipitated as crystals. The actual situation is that the problem of the problem cannot be solved.

本発明は、かかる状況に鑑みなされたものであって、処理後の基板にパーティクルの固着や結晶の析出やウォーターマークの付着を生じさせることがなく、基板処理用としての液回収型ノズル装置の特性を最大限に引き出すことができる基板処理装置を提供することを目的としている。   The present invention has been made in view of such a situation, and does not cause sticking of particles, precipitation of crystals, and adhesion of watermarks to a substrate after processing, and a liquid recovery type nozzle device for substrate processing is provided. An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of extracting the characteristics to the maximum.

請求項1記載の発明は、搬送路に沿って略水平姿勢で搬送中の基板に処理液を供給することにより、前記基板に所定の処理を施す基板処理装置であって、前記搬送中の基板に向けて処理液を供給して基板処理を施すとともに処理後の処理液を基板から回収する液回収型ノズル部と、前記液回収型ノズル部の基板搬送路の下流側に基板上の処理液をエアを吹き付けて液切りを行う液切り部と、前記液回収型ノズル部と前記液切り部との間に配置され、少なくとも前記液切り部に搬送されるまで基板をウエット状態に保持する処理液を供給する保持液供給部とを備えてなることを特徴とするものである。   The invention according to claim 1 is a substrate processing apparatus for performing a predetermined process on the substrate by supplying a processing liquid to the substrate being transferred in a substantially horizontal posture along the transfer path, the substrate being transferred A liquid recovery type nozzle unit for supplying a processing liquid toward the substrate and recovering the processed processing liquid from the substrate, and a processing liquid on the substrate downstream of the substrate transport path of the liquid recovery type nozzle unit A process for holding the substrate in a wet state until it is transported to at least the liquid draining part, which is disposed between the liquid recovery nozzle part and the liquid draining part. And a retentate supply section for supplying the liquid.

かかる構成を採用したことにより、基板処理装置内に導入された基板は、搬送されつつ、まず液回収型ノズル部から供給された処理液によって処理され、引き続き保持液供給部からの処理液が供給されて液濡れ状態で液切り部に到達し、この液切り部によって液切り処理が施されるため、液回収型ノズル部から必要最小限の処理液しか供給されないことにより基板が液切り用ノズルに到達するまでに乾燥してしまい、これによって基板上にパーティクルが部分的に固着したり処理液中の成分が部分的に結晶化して析出するような不都合の発生が防止される。   By adopting such a configuration, the substrate introduced into the substrate processing apparatus is first transported and processed by the processing liquid supplied from the liquid recovery type nozzle unit, and then the processing liquid is supplied from the retentate supply unit. Since the liquid draining part reaches the liquid draining part and the liquid draining process is performed by the liquid draining part, the substrate is made to be a liquid draining nozzle by supplying only the minimum necessary processing liquid from the liquid recovery type nozzle part. Thus, it is possible to prevent the occurrence of inconvenience such that the particles are partially fixed on the substrate and the components in the processing liquid are partially crystallized and deposited.

請求項2記載の発明は、請求項1記載の発明において、前記液切り部は、基板搬送方向であって、基板搬送面と平行な面上で所定角度だけ傾斜して配置されていることを特徴とするものである。   According to a second aspect of the present invention, in the first aspect of the present invention, the liquid draining portion is arranged to be inclined at a predetermined angle on a surface parallel to the substrate transport surface in the substrate transport direction. It is a feature.

かかる構成を採用したことにより、液切り部から吐出されたエアは、その押圧力が基板に付着した処理液に対して基板幅方向に向かう分力として作用するため、液切り部が基板搬送方向に対して直交している場合に比較し、基板に付着した処理液の除去が効率的に行われる。   By adopting such a configuration, the air discharged from the liquid draining part acts as a component force in the substrate width direction with respect to the processing liquid adhering to the substrate. As compared with the case of being orthogonal to the substrate, the treatment liquid adhering to the substrate is efficiently removed.

請求項3記載の発明は、請求項1記載の発明において、前記保持液供給部は、前記液回収型ノズル部と前記液切り部との略中間位置に設けられていることを特徴とするものである。   According to a third aspect of the present invention, in the first aspect of the present invention, the retentate supply part is provided at a substantially intermediate position between the liquid recovery type nozzle part and the liquid draining part. It is.

かかる構成を採用したことにより、保持液供給部設置の容易性を確保した上で、液回収型ノズル部によって処理された基板は、乾燥が可能な限り乾燥が抑えられた状態になる。   By adopting such a configuration, the substrate processed by the liquid recovery type nozzle unit is in a state where the drying is suppressed as much as possible while ensuring the ease of installing the retentate supply unit.

請求項4記載の発明は、請求項1乃至3のいずれかに記載の発明において、前記液回収型ノズル部、液切り部及び保持液供給部は基板搬送方向上下流側の壁面に基板搬出入口を有する1つの処理室に内装され、前記処理室は、基板の搬送路を除いて基板搬送方向に対して仕切り壁で仕切られており、この仕切り壁で囲まれた下流側の空間内に前記液切り部を備え、上流側の空間内に前記保持液供給部を備えたことを特徴とするものである。   According to a fourth aspect of the present invention, in the invention according to any one of the first to third aspects, the liquid recovery nozzle unit, the liquid draining unit, and the retentate supply unit are provided on a substrate carry-in / out port on a wall surface on the upstream / downstream side in the substrate transport direction The process chamber is partitioned by a partition wall with respect to the substrate transport direction except for the substrate transport path, and the process chamber is separated into a downstream space surrounded by the partition wall. A liquid draining part is provided, and the retentate supply part is provided in the upstream space.

かかる構成によれば、基板搬入口を介して処理室本体内に導入された基板は、搬送路に沿って処理室本体内に設けられた液回収型ノズル部、液切り部および保持液供給部へ順次搬送され、各ノズル装置による所定の処理が施されたのち基板排出口から系外に排出される。そして、処理室内には仕切り壁が設けられてその上流側に保持液供給部が設けられている一方、下流側に液切り部が設けられているため、たとえ保持液供給部内に浮遊パーティクルや処理液の飛沫が生じても、仕切り壁に阻まれて液切り部が設けられている空間(乾燥空間)にこれら浮遊パーティクル等が移動することが防止され、これによって乾燥空間の清浄な雰囲気が維持される。   According to such a configuration, the substrate introduced into the processing chamber main body through the substrate carry-in port is arranged such that the liquid recovery type nozzle unit, the liquid draining unit, and the holding liquid supply unit provided in the processing chamber main body along the transfer path. Are sequentially discharged, and after being subjected to a predetermined process by each nozzle device, they are discharged out of the system from the substrate discharge port. A partition wall is provided in the processing chamber, and a retentate supply unit is provided on the upstream side. On the other hand, a liquid draining unit is provided on the downstream side. Even when liquid splashes occur, these floating particles are prevented from moving to the space (dry space) where the liquid drainage is provided by the partition wall, thereby maintaining a clean atmosphere in the dry space. Is done.

請求項5記載の発明は、請求項1乃至4のいずれかに記載の発明において、前記処理液は、基板を洗浄する洗浄水であることを特徴とするものである。   According to a fifth aspect of the invention, in the invention according to any one of the first to fourth aspects, the processing liquid is cleaning water for cleaning the substrate.

かかる構成によれば、基板処理装置を基板の洗浄装置として利用することができ、基板は、洗浄水によって清浄化処理される。   According to such a configuration, the substrate processing apparatus can be used as a substrate cleaning apparatus, and the substrate is cleaned by the cleaning water.

請求項1記載の発明によれば、液回収型ノズル部から必要最小限の処理液しか供給されないことにより基板が液切り用ノズルに到達するまでに部分的に乾燥しても、これによって基板上にパーティクルが部分的に固着したり処理液中の成分が部分的に結晶化して析出するような不都合の発生を確実に防止することができる。   According to the first aspect of the present invention, even if the substrate is partially dried before reaching the liquid draining nozzle because only the necessary minimum processing liquid is supplied from the liquid recovery type nozzle portion, Therefore, it is possible to reliably prevent the occurrence of inconveniences such as particles partially adhering to each other and components in the processing liquid being partially crystallized and precipitated.

したがって、基板処理装置のコンパクト化およびランニングコストの低減化のために液回収型ノズル部を採用したにも拘らず、基板上にパーティクル等が部分的に固着することで製品の不良率が増大するような事態を回避することが可能になり、基板処理装置を液回収型ノズル部の利点を最大限に引き出したものにすることができる。   Therefore, in spite of adopting the liquid recovery type nozzle unit for downsizing the substrate processing apparatus and reducing the running cost, the defect rate of the product increases due to particles or the like partially sticking on the substrate. Such a situation can be avoided, and the substrate processing apparatus can be made to the maximum with the advantages of the liquid recovery nozzle unit.

請求項2記載の発明によれば、液切り部は、基板搬送方向であって、基板搬送面と平行な面上で所定角度だけ傾斜して配置されているため、液切り部から吐出されたエアは、その押圧力が基板に付着した処理液に対して基板幅方向に向かう分力として作用し、これによって液切り部が基板搬送方向に対して直交している場合に比較し、基板に付着した処理液の除去を効率的に行うことができる。   According to the second aspect of the present invention, the liquid draining portion is disposed in an inclined direction by a predetermined angle on the surface parallel to the substrate transport surface in the substrate transport direction, and is thus discharged from the liquid drain portion. The air acts as a component force toward the substrate width direction with respect to the processing liquid adhering to the substrate, and thereby the liquid draining portion is applied to the substrate as compared with the case where the liquid draining portion is orthogonal to the substrate transport direction. The attached treatment liquid can be efficiently removed.

請求項3記載の発明によれば、保持液供給部は、液回収型ノズル部と液切り部との間の基板搬送方向における中央位置より液回収型ノズル部寄りの位置に設けられているため、保持液供給部設置の容易性を確保した上で、液回収型ノズル部によって処理された基板の乾燥を可能な限り抑えることができる。   According to the third aspect of the present invention, the retentive liquid supply unit is provided at a position closer to the liquid recovery type nozzle unit than the center position in the substrate transport direction between the liquid recovery type nozzle unit and the liquid draining unit. In addition, it is possible to suppress the drying of the substrate processed by the liquid recovery nozzle unit as much as possible while ensuring the ease of installation of the retentate supply unit.

請求項4記載の発明によれば、処理室内には仕切り壁が設けられてその上流側に保持液供給部が設けられている一方、下流側に液切り部が設けられているため、たとえ保持液供給部内に浮遊パーティクルや処理液の飛沫が生じても、仕切り壁に阻まれて液切り部が設けられている空間(乾燥空間)にこれら浮遊パーティクル等が移動することが防止され、これによって乾燥空間の清浄な雰囲気を維持することができる。   According to the fourth aspect of the present invention, since the partition wall is provided in the processing chamber and the retentate supplying part is provided on the upstream side, the liquid draining part is provided on the downstream side. Even if suspended particles or splashes of processing liquid occur in the liquid supply unit, these floating particles are prevented from moving to the space (dry space) where the liquid draining unit is provided by the partition wall. A clean atmosphere in the dry space can be maintained.

請求項5記載の発明によれば、処理液として基板を洗浄する洗浄水が採用されているため、基板処理装置を洗浄装置として利用することができ、基板に付着したパーティクル等の汚染物が洗浄水によって洗い流されることで基板を清浄化処理することができる。   According to the invention described in claim 5, since the cleaning water for cleaning the substrate is employed as the processing liquid, the substrate processing apparatus can be used as a cleaning apparatus, and contaminants such as particles adhering to the substrate are cleaned. The substrate can be cleaned by being washed away with water.

図1は、本発明に係る基板処理装置の一実施形態を示す断面視の説明図である。この実施形態においては、基板処理装置10として基板処理の最終段階に配設される基板洗浄装置を例に挙げている。図1に示すように、基板処理装置10は、直方体状を呈した処理室本体11内(すなわち処理室)に、基板Bに対して予備的な洗浄処理を施す第1洗浄室12と、この第1洗浄室12からの基板Bに対して中間的な洗浄処理を施す第2洗浄室13と、この第2洗浄室13からの基板Bに対して最終的な洗浄を施す第3洗浄室14と、この第3洗浄室14で最終的な洗浄処理が施された基板Bに対し乾燥処理を施す乾燥室15とを備えて構成されている。   FIG. 1 is a cross-sectional explanatory view showing an embodiment of a substrate processing apparatus according to the present invention. In this embodiment, a substrate cleaning apparatus disposed at the final stage of substrate processing is exemplified as the substrate processing apparatus 10. As shown in FIG. 1, a substrate processing apparatus 10 includes a first cleaning chamber 12 that performs a preliminary cleaning process on a substrate B in a processing chamber body 11 (that is, a processing chamber) having a rectangular parallelepiped shape, A second cleaning chamber 13 that performs an intermediate cleaning process on the substrate B from the first cleaning chamber 12 and a third cleaning chamber 14 that performs final cleaning on the substrate B from the second cleaning chamber 13. And a drying chamber 15 that performs a drying process on the substrate B that has been subjected to a final cleaning process in the third cleaning chamber 14.

前記処理室本体11の上流側壁111(図1における右方)には、基板搬入口16が開口されているとともに、下流側壁112には、前記基板搬入口16と対向した位置に基板搬出口16′が開口されている。そして、これら基板搬入口16と基板搬出口16′との間には、基板搬送方向(図1において左方へ向う方向)に等ピッチで複数の搬送ローラ17が並設され、これら複数の搬送ローラ17上に処理室本体11内で基板Bを搬送するための搬送路171が形成されている。各搬送ローラ17は、図略の駆動モータの駆動で図1における反時計方向に駆動回転するようになっている。   A substrate carry-in port 16 is opened on the upstream side wall 111 (right side in FIG. 1) of the processing chamber body 11, and the substrate carry-out port 16 is located on the downstream side wall 112 at a position facing the substrate carry-in port 16. 'Is opened. Between the substrate carry-in port 16 and the substrate carry-out port 16 ′, a plurality of carry rollers 17 are arranged in parallel at an equal pitch in the substrate carrying direction (the direction toward the left in FIG. 1). A transport path 171 for transporting the substrate B in the processing chamber body 11 is formed on the roller 17. Each transport roller 17 is driven to rotate counterclockwise in FIG. 1 by driving of a drive motor (not shown).

したがって、系外から基板搬入口16を介して処理室本体11内に導入された基板Bは、各搬送ローラ17の駆動回転により搬送路171を下流側へ向けて搬送されつつ、第1〜第3洗浄室12,13,14でそれぞれ所定の洗浄処理が施され、引き続き乾燥室15で乾燥処理が施されたのち、基板搬出口16′を介して系外に排出されるようになっている。   Therefore, the substrate B introduced into the processing chamber body 11 from the outside through the substrate carry-in port 16 is transported toward the downstream side through the transport path 171 by the driving rotation of the transport rollers 17, while the first to the first. Each of the three cleaning chambers 12, 13, and 14 is subjected to a predetermined cleaning process, and after the drying process is subsequently performed in the drying chamber 15, it is discharged out of the system through the substrate carry-out port 16 ′. .

前記第1〜第3洗浄室12,13,14および乾燥室15の搬送路171より下方位置には、第1ホッパ121、第2ホッパ131、第3ホッパ141および第4ホッパ151がそれぞれ設けられ、搬送路171に沿って搬送中の基板Bから滴り落ちた洗浄水がこれら第1〜第4ホッパ121,131,141,151によって受けられた後、底部の開口から後述する気液分離器181を通って処理室本体11の底部に一時貯留され、適宜排水されるようになっている。   A first hopper 121, a second hopper 131, a third hopper 141, and a fourth hopper 151 are provided at positions below the transfer path 171 of the first to third cleaning chambers 12, 13, 14 and the drying chamber 15, respectively. After the cleaning water dripped from the substrate B being transported along the transport path 171 is received by the first to fourth hoppers 121, 131, 141, 151, a gas-liquid separator 181 to be described later from the opening at the bottom. It is temporarily stored in the bottom of the processing chamber body 11 through the water and drained as appropriate.

また、第1〜第3洗浄室12,13,14における搬送路171より上方空間には、各室を仕切る仕切り壁が設けられていないのに対し、第3洗浄室14と乾燥室15との間には処理室本体11の天板113から搬送路171の直上方位置まで垂下された仕切り壁114が設けられ、これによって第3洗浄室14内で生じた水滴等が乾燥室15内に侵入するのを防止するようになされている。   Further, in the first to third cleaning chambers 12, 13, and 14, a space above the transfer path 171 is not provided with a partition wall that partitions the chambers, whereas the third cleaning chamber 14 and the drying chamber 15 A partition wall 114 is provided between the top plate 113 of the processing chamber body 11 and a position directly above the conveyance path 171, so that water droplets or the like generated in the third cleaning chamber 14 enter the drying chamber 15. It is made to prevent it.

また、第3洗浄室14は、基板搬送方向の長さ寸法が第1および第2洗浄室12,13の長さ寸法より長尺に設定されている。このようにされるのは、最終的な洗浄処理が施された後の基板Bに対しさらに後述の液保持用ノズル装置(保持液供給部)40によるパーティクル形成防止処置を施すための空間を確保するためである。   The length of the third cleaning chamber 14 in the substrate transport direction is set to be longer than that of the first and second cleaning chambers 12 and 13. The reason for this is to secure a space for performing a particle formation prevention treatment by the liquid holding nozzle device (holding liquid supply unit) 40 described later on the substrate B after the final cleaning process. It is to do.

そして、処理室本体11内に導入された基板Bに対し、前記第1洗浄室12においてオゾン水による洗浄処理が施され、第2洗浄室13においてアルカリ水素水による中間的な洗浄処理が施され、第3洗浄室14において高度に純水化処理されたいわゆる超純水による仕上げの洗浄処理が施された後、乾燥室15において洗浄処理済の基板Bに対し乾燥処理が施されるようになっている。   Then, the substrate B introduced into the processing chamber main body 11 is subjected to a cleaning process with ozone water in the first cleaning chamber 12 and an intermediate cleaning process with alkaline hydrogen water in the second cleaning chamber 13. After the finishing cleaning process is performed with so-called ultrapure water that has been highly purified in the third cleaning chamber 14, the drying process is performed on the substrate B that has been cleaned in the drying chamber 15. It has become.

前記洗浄処理のために、第1〜第3洗浄室12,13,14には、搬送路171を挟むように上下で対向した一対の液回収型ノズル装置(液回収型ノズル部)20がそれぞれ設けられているとともに、第1および第2洗浄室12,13には、液回収型ノズル装置20の直下流側に搬送路171を挟んで上下一対のエアナイフ(液切り部)30がそれぞれ設けられている。これに対し、第3洗浄室14においては液回収型ノズル装置20の下流側に搬送路171を挟んだ状態で上下一対の液保持用ノズル装置40が設けられている。   For the cleaning process, in the first to third cleaning chambers 12, 13, and 14, a pair of liquid recovery type nozzle devices (liquid recovery type nozzle units) 20 that are opposed to each other so as to sandwich the transport path 171 are provided. In addition, a pair of upper and lower air knives (liquid cutting portions) 30 are provided in the first and second cleaning chambers 12 and 13 on the downstream side of the liquid recovery nozzle device 20 with the conveyance path 171 interposed therebetween. ing. In contrast, in the third cleaning chamber 14, a pair of upper and lower liquid holding nozzle devices 40 are provided on the downstream side of the liquid recovery nozzle device 20 with the conveyance path 171 interposed therebetween.

第3洗浄室14にエアナイフ30に代えて液保持用ノズル装置40が設けられているのは、エアナイフ30による本格的な乾燥処理は、乾燥室15において行われるため、第3洗浄室14では、基板Bを乾燥までさせる必要はなく、特にエアナイフ30による乾燥処理を行う必要がないこと、および第3洗浄室14において液回収型ノズル装置20により最終的な洗浄処理が施された基板Bは、乾燥室15に到達するまでの間に乾燥してしまうことがあり、そうなると、基板Bの表裏面にパーティクルが固着したりウォーターマークが付いた状態になる場合があるため、これを防止するべくさらなる最終的な洗浄処理として液保持用ノズル装置40から超純水が基板Bの表裏面に向けて吐出されるのである。こうすることによって、乾燥室15における乾燥処理で基板B上にパーティクルやウォーターマークが生じないようにすることができる。   The reason why the liquid holding nozzle device 40 is provided in the third cleaning chamber 14 instead of the air knife 30 is that the full drying process by the air knife 30 is performed in the drying chamber 15. It is not necessary to dry the substrate B, in particular, it is not necessary to perform a drying process with the air knife 30, and the substrate B that has been subjected to the final cleaning process by the liquid recovery nozzle device 20 in the third cleaning chamber 14 is: In some cases, it may dry before reaching the drying chamber 15, and in such a case, particles may adhere to the front and back surfaces of the substrate B or may have a watermark. As a final cleaning process, ultrapure water is discharged from the liquid holding nozzle device 40 toward the front and back surfaces of the substrate B. By doing so, particles and watermarks can be prevented from being generated on the substrate B by the drying process in the drying chamber 15.

そして、基板処理装置10の近傍には液回収型ノズル装置20および液保持用ノズル装置40に洗浄用の水を供給するための洗浄水供給源50が設置されている。この洗浄水供給源50は、第1洗浄室12の液回収型ノズル装置20にオゾン(O)を含む洗浄水(いわゆるオゾン水)を供給する第1洗浄水供給源51と、第2洗浄室13の液回収型ノズル装置20にアンモニア(NH)および水素(H)が溶解された洗浄水(いわゆるアルカリ水素水)を供給する第2洗浄水供給源52と、第3洗浄室14の液回収型ノズル装置20に純水化処理され、かつ、水素(H)を含んだ洗浄水(いわゆる超純水)を供給する第3洗浄水供給源53とからなっている。 A cleaning water supply source 50 for supplying cleaning water to the liquid recovery type nozzle device 20 and the liquid holding nozzle device 40 is installed in the vicinity of the substrate processing apparatus 10. The cleaning water supply source 50 includes a first cleaning water supply source 51 that supplies cleaning water (so-called ozone water) containing ozone (O 3 ) to the liquid recovery nozzle device 20 of the first cleaning chamber 12, and a second cleaning water. A second cleaning water supply source 52 for supplying cleaning water (so-called alkaline hydrogen water) in which ammonia (NH 3 ) and hydrogen (H 2 ) are dissolved to the liquid recovery type nozzle device 20 in the chamber 13; The liquid recovery type nozzle device 20 includes a third cleaning water supply source 53 that supplies a cleaning water (so-called ultrapure water) containing hydrogen (H 2 ).

前記乾燥室15には、搬送路171を挟むように配設された上下一対のエアナイフ30が上流側と下流側とにそれぞれ設けられている。かかる各エアナイフ30は、その吐出口が搬送路171に向うように上流側に向けて斜めに配設されている。かかるエアナイフ30に清浄化処理された加圧エアを供給するエア供給装置60が装置本体11の近傍に設けられている。このエア供給装置60からの加圧エアは、第1および第2洗浄室12,13のエアナイフ30へも供給されるようになっている。   In the drying chamber 15, a pair of upper and lower air knives 30 disposed so as to sandwich the conveyance path 171 are provided on the upstream side and the downstream side, respectively. Each of the air knives 30 is disposed obliquely toward the upstream side so that the discharge port faces the transport path 171. An air supply device 60 that supplies the compressed air to the air knife 30 is provided in the vicinity of the apparatus main body 11. The pressurized air from the air supply device 60 is also supplied to the air knives 30 of the first and second cleaning chambers 12 and 13.

そして、乾燥室15に導入された基板Bは、上流側のエアナイフ30によってまず液切りが行われ、引き続き下流側のエアナイフ30によって十分な乾燥処理が施されるようになっている。かかる乾燥室15での乾燥処理が完了した基板Bは、基板搬出口16′を通って系外に排出され、つぎの工程へ向わせられることになる。   Then, the substrate B introduced into the drying chamber 15 is first drained by the upstream air knife 30 and then sufficiently dried by the downstream air knife 30. The substrate B that has been dried in the drying chamber 15 is discharged out of the system through the substrate carry-out port 16 'and is sent to the next step.

図2は、液回収型ノズル装置20、エアナイフ30および液保持用ノズル装置40を説明するための斜視図であり、液回収型ノズル装置20および液保持用ノズル装置40が第3洗浄室14に、エアナイフ30が乾燥部15にそれぞれ設けられた状態を示している。図2に示すように、液回収型ノズル装置20は、搬送路171の上方側に設けられる上部ノズル装置201と、同下方側に上部ノズル装置201と対向配置された下部ノズル装置202とからなっている。   FIG. 2 is a perspective view for explaining the liquid recovery type nozzle device 20, the air knife 30, and the liquid holding nozzle device 40. The liquid recovery type nozzle device 20 and the liquid holding nozzle device 40 are provided in the third cleaning chamber 14. The state where the air knife 30 is provided in the drying unit 15 is shown. As shown in FIG. 2, the liquid recovery nozzle device 20 includes an upper nozzle device 201 provided on the upper side of the conveyance path 171 and a lower nozzle device 202 disposed on the lower side of the liquid recovery type nozzle device 20 so as to face the upper nozzle device 201. ing.

かかる液回収型ノズル装置20は、図3に示すように、基板搬送方向に直交する幅方向(図3の紙面に直交する方向)に長尺の直方体状を呈した上下一対のノズル本体21と、各ノズル本体21の基板搬送方向下流側の端部に接続された導入管22と、同基板搬送方向上流側の端部に接続された導出管23と、上下一対のノズル本体21の各対向面に導入管22と連通するように形成された基板搬送方向に直交する基盤幅方向に細長い液導入口24と、同導出管23と連通するように前記液導入口24と対向配置された液導出口25とを備えて構成されている。   As shown in FIG. 3, the liquid recovery type nozzle device 20 includes a pair of upper and lower nozzle bodies 21 having a rectangular parallelepiped shape that is long in the width direction orthogonal to the substrate transport direction (direction orthogonal to the paper surface of FIG. 3). The inlet tube 22 connected to the downstream end of the nozzle body 21 in the substrate transport direction, the outlet tube 23 connected to the upstream end of the substrate transport direction, and the pair of upper and lower nozzle bodies 21 facing each other. A liquid introduction port 24 that is formed on the surface so as to communicate with the introduction tube 22 and that is elongated in the width direction of the substrate perpendicular to the substrate conveyance direction, and a liquid disposed opposite to the liquid introduction port 24 so as to communicate with the discharge tube 23. The lead-out port 25 is provided.

一方、第2洗浄水供給源53の下流側には、図2に示すように、この第2洗浄水供給源53の超純水を送出する送出ポンプ531が設けられている。この送出ポンプ531は前記各導入管22に接続されているとともに、前記各導出管23は処理装置本体11の近傍に設けられた吸引ポンプ532に接続されている。したがって、送出ポンプ531の駆動で第2洗浄水供給源53からの超純水が各導入管22へ導入されると、この超純水は、上下のノズル装置201,202間に挟持された状態の基板Bの表裏面と上下のノズル本体21の対向面との間に液導入口24を介して供給され、毛細管現象によって基板Bとノズル本体21の隙間から外部に漏洩することなく液導出口25の方向へ向って移動することになる。そして、液導出口25に到達した超純水は、吸引ポンプ532の駆動で導出管23を介して吸引され、系外へ排出される。   On the other hand, on the downstream side of the second cleaning water supply source 53, as shown in FIG. 2, a delivery pump 531 for sending the ultrapure water of the second cleaning water supply source 53 is provided. The delivery pump 531 is connected to the introduction pipes 22, and the outlet pipes 23 are connected to a suction pump 532 provided in the vicinity of the processing apparatus main body 11. Therefore, when the ultrapure water from the second cleaning water supply source 53 is introduced into each introduction pipe 22 by driving the delivery pump 531, the ultrapure water is sandwiched between the upper and lower nozzle devices 201 and 202. The liquid lead-out port is supplied between the front and back surfaces of the substrate B and the opposing surfaces of the upper and lower nozzle bodies 21 via the liquid introduction port 24 and does not leak outside through the gap between the substrate B and the nozzle body 21 due to capillary action. It will move in the direction of 25. Then, the ultrapure water that has reached the liquid outlet 25 is sucked through the outlet pipe 23 by the driving of the suction pump 532 and discharged out of the system.

また、図3に示すように、下部のノズル本体21の上面側には、基板Bを支持する複数の支持コロ26が設けられ、基板Bがこれらの支持コロ26に支持されることにより、当該基板Bと下部のノズル本体21の上面との間に超純水を通過させる通路が形成されるようになっている。   As shown in FIG. 3, a plurality of support rollers 26 that support the substrate B are provided on the upper surface side of the lower nozzle body 21, and the substrate B is supported by these support rollers 26. A passage through which ultrapure water passes is formed between the substrate B and the upper surface of the lower nozzle body 21.

このように、液回収型ノズル装置20を採用することにより、基板Bには必要最小限の超純水を供給することで確実な洗浄処理が実現するため、高価な超純水を用いた基板洗浄処理のランニングコストの低減化に貢献することができる。   As described above, by adopting the liquid recovery type nozzle device 20, since the substrate B is supplied with the minimum necessary amount of ultrapure water, a reliable cleaning process is realized. Therefore, the substrate using expensive ultrapure water is used. This can contribute to reducing the running cost of the cleaning process.

前記エアナイフ30は、側面視で五角形状を呈した基板幅方向に長尺のエアナイフ本体31と、このエアナイフ本体31の先端側に形成された先細りのノズル部32と、エアナイフ本体31の基端側に接続されたエア導入管33とを備えている。ノズル部32の先端には、基板幅方向に長尺のエア吹付けスリット321が設けられている。したがって、エア供給装置60の駆動で送出された加圧エアは、エア導入管33を介してエアナイフ本体31内に導入されたのちエア吹付けスリット321から基板Bへ向けて吹き付けられ、これによる加圧気流で基板Bの表裏面に付着している超純水が吹き飛ばされるようになっている。   The air knife 30 has a pentagonal shape in a side view and is elongated in the width direction of the substrate, a tapered nozzle portion 32 formed on the distal end side of the air knife body 31, and a proximal end side of the air knife body 31. And an air introduction pipe 33 connected to the. An air blowing slit 321 that is long in the substrate width direction is provided at the tip of the nozzle portion 32. Therefore, the pressurized air delivered by driving the air supply device 60 is introduced into the air knife body 31 through the air introduction pipe 33 and then blown toward the substrate B from the air blowing slit 321. The ultrapure water adhering to the front and back surfaces of the substrate B is blown off by the pressurized airflow.

かかるエアナイフ30は、図2に示すように、基板Bの搬送方向に対して斜めになるように姿勢設定されている。こうすることでエア吹付けスリット321から吐出された吹き付けエアは、その押圧力が基板Bに付着した洗浄水に対して基板幅方向に向かう分力として作用するため、エア吹付けスリット321が基板搬送方向に対して直交している場合に比較し、基板Bに付着した洗浄水の除去が効率的に行われる。   As shown in FIG. 2, the air knife 30 is set to be inclined with respect to the substrate B transport direction. By doing so, the blowing air discharged from the air blowing slit 321 acts as a component force of the pressing force on the cleaning water adhering to the substrate B in the substrate width direction. Compared to the case where the direction is perpendicular to the transport direction, the cleaning water adhering to the substrate B is efficiently removed.

前記液保持用ノズル装置40は、液回収型ノズル装置20とエアナイフ30との間にあって搬送路171を挟むように上下一対で設けられるものであり、円筒状のノズル管41と、このノズル管41の一端部に接続され、前記送出ポンプ531の駆動で第3洗浄水供給源53からの超純水が導入される導入管42と、各ノズル管41における基板Bに対向した面に長手方向の略全長に亘って等ピッチで穿設された複数のノズル孔43とを備えて構成されている。   The liquid holding nozzle device 40 is provided between the liquid recovery type nozzle device 20 and the air knife 30, and is provided in a pair of upper and lower sides so as to sandwich the transport path 171. A cylindrical nozzle tube 41 and the nozzle tube 41 are provided. And an introduction pipe 42 into which ultrapure water from the third washing water supply source 53 is introduced by driving the delivery pump 531 and a surface of each nozzle pipe 41 facing the substrate B in the longitudinal direction. A plurality of nozzle holes 43 drilled at an equal pitch over substantially the entire length.

搬送路171を挟んで上下一対で設けられたかかる液保持用ノズル装置40のノズル孔43から超純水が基板Bの表裏面に噴霧されることにより、液回収型ノズル装置20によって洗浄処理された基板Bは、エアナイフ30に到達するまでに乾燥することが防止されるとともに、液保持用ノズル装置40からの噴霧水によってさらに最終段階の洗浄処理が施されるため、エアナイフ30による基板Bの乾燥処理が実行された状態で、基板Bの表裏面にパーティクルが固着するような不都合の発生が確実に防止される。   Ultrapure water is sprayed on the front and back surfaces of the substrate B from the nozzle holes 43 of the liquid holding nozzle device 40 provided in a pair of upper and lower sides with the transport path 171 interposed therebetween, so that the liquid recovery nozzle device 20 performs the cleaning process. The substrate B is prevented from drying before reaching the air knife 30 and is further subjected to a final cleaning process by the spray water from the liquid holding nozzle device 40. In the state where the drying process is performed, it is possible to reliably prevent the occurrence of inconvenience that particles adhere to the front and back surfaces of the substrate B.

そして、本実施形態においては、かかる液保持用ノズル装置40は、液回収型ノズル装置20とエアナイフ30との間の中間位置より液回収型ノズル装置20寄りの位置であって、可能な限り液回収型ノズル装置20に接近した位置に設けられている。このようにされるのは、液回収型ノズル装置20では必要最小限の超純水しか基板Bに接触しないため付着水の量が少なく、したがって、基板Bの洗浄されていた部分が液回収型ノズル装置20から外れた瞬間から速やかに自然乾燥が進行してしまうため、これを避けるべく液保持用ノズル装置40は可能な限り液回収型ノズル装置20に近づけて設置されるのである。   In the present embodiment, the liquid holding nozzle device 40 is located closer to the liquid recovery type nozzle device 20 than the intermediate position between the liquid recovery type nozzle device 20 and the air knife 30, and as much as possible. It is provided at a position close to the recovery type nozzle device 20. The reason for this is that the liquid recovery type nozzle device 20 has only a minimum amount of ultrapure water coming into contact with the substrate B, so that the amount of adhering water is small. Therefore, the cleaned part of the substrate B is the liquid recovery type. Since natural drying proceeds immediately from the moment when the nozzle device 20 is detached, the liquid holding nozzle device 40 is installed as close to the liquid recovery type nozzle device 20 as possible to avoid this.

一方、第1〜第4ホッパ121,131,141,151の低部には、図1に示すように、処理装置本体11内の気液の導出を案内する案内管18が設けられている。各案内管18は、下端部が開放されて処理装置本体11の底部に臨まされているとともに、案内管18の途中には排気管19が分岐されている。案内管18の排気管19に対する分岐位置には、所定の気液分離器181が設けられ、案内管18に集められた清浄空気および処理液は、これらの気液分離器181によって分離された後、処理液は案内管18の下端開口から処理装置本体11の底部へ導出される一方、第1洗浄室12、第2洗浄室13、第3洗浄室14および乾燥室15を通過した用済み空気は排気管19へ向わせられるようになっている。   On the other hand, as shown in FIG. 1, a guide tube 18 that guides the derivation of gas-liquid in the processing apparatus main body 11 is provided in the lower part of the first to fourth hoppers 121, 131, 141, 151. Each guide tube 18 has its lower end opened to face the bottom of the processing apparatus body 11, and an exhaust tube 19 is branched in the middle of the guide tube 18. A predetermined gas-liquid separator 181 is provided at a branching position of the guide pipe 18 with respect to the exhaust pipe 19, and the clean air and the processing liquid collected in the guide pipe 18 are separated by the gas-liquid separator 181. The processing liquid is led out from the lower end opening of the guide tube 18 to the bottom of the processing apparatus main body 11, while used air that has passed through the first cleaning chamber 12, the second cleaning chamber 13, the third cleaning chamber 14, and the drying chamber 15. Is directed to the exhaust pipe 19.

前記各排気管19は、その下流端が基板処理装置10の近傍に配設された、工場内各所の排気を吸引するための集中排気管(排気手段)74に接続されている。したがって、気液分離器181で分離された排気管19内の用済み空気は集中排気管74へ集められ、工場内に設置された図略の集塵装置で所定の集塵処理が施された後、系外に排出されることになる。   Each exhaust pipe 19 is connected at its downstream end to a central exhaust pipe (exhaust means) 74 disposed in the vicinity of the substrate processing apparatus 10 for sucking exhaust from various places in the factory. Therefore, the spent air in the exhaust pipe 19 separated by the gas-liquid separator 181 is collected in the centralized exhaust pipe 74 and subjected to a predetermined dust collection process by a dust collector (not shown) installed in the factory. Later, it will be discharged out of the system.

そして、各排気管19内には、吸引風量を調節するための調節ダンパー191がそれぞれ設けられている。この調節ダンパー191は、第1洗浄室12、第2洗浄室13および乾燥室15に設けられたエアナイフ30から加圧エアが吐出されている場合と吐出されていない場合とで開度を調節するものであり、これによって処理装置本体11内の圧力を常に予め設定された負圧環境にすることができる。なお、第3洗浄室14にはエアナイフ30が設けられていないが、第3洗浄室14は、第1洗浄室12、第2洗浄室13および乾燥室15と連通しており、したがって、第3洗浄室14内の圧力は、第1洗浄室12、第2洗浄室13および乾燥室15に設けられたエアナイフ30が稼働しているか否かで影響を受けるため、第3洗浄室14の調節ダンパー191についてもエアナイフ30から加圧エアが吐出されている場合と吐出されていない場合とで開度が調節される。   Each exhaust pipe 19 is provided with an adjustment damper 191 for adjusting the amount of suction air. The adjustment damper 191 adjusts the opening degree when the pressurized air is discharged from the air knife 30 provided in the first cleaning chamber 12, the second cleaning chamber 13 and the drying chamber 15 and when it is not discharged. As a result, the pressure in the processing apparatus main body 11 can always be set to a preset negative pressure environment. Although the air knife 30 is not provided in the third cleaning chamber 14, the third cleaning chamber 14 communicates with the first cleaning chamber 12, the second cleaning chamber 13, and the drying chamber 15. The pressure in the cleaning chamber 14 is affected by whether or not the air knife 30 provided in the first cleaning chamber 12, the second cleaning chamber 13, and the drying chamber 15 is operating. Also for 191, the opening degree is adjusted depending on whether pressurized air is discharged from the air knife 30 or not.

すなわち、エアナイフ30から加圧エアが吐出される場合には、このことが所定のセンサによって検出され、この検出信号が図略の制御装置に入力されることにより、当該制御装置からの制御信号が調節ダンパー191へ向けて出力され、この制御信号に基づく調節ダンパー191の開度増大で調節ダンパー191への用済み空気の吸引量が増加される一方、エアナイフ30からの加圧エアの吐出が停止されると、このことが所定のセンサによって検出され、この検出信号に基づく制御装置からの制御信号によって調節ダンパー191の開度が小さくされ、用済み空気の吸引量が減少されるようになっている。   That is, when pressurized air is discharged from the air knife 30, this is detected by a predetermined sensor, and this detection signal is input to a control device (not shown), whereby a control signal from the control device is received. The amount of used air sucked into the adjustment damper 191 is increased by increasing the opening of the adjustment damper 191 based on this control signal, and the discharge of pressurized air from the air knife 30 is stopped. Then, this is detected by a predetermined sensor, and the opening degree of the adjustment damper 191 is reduced by a control signal from the control device based on this detection signal, and the amount of suction of used air is reduced. Yes.

かかる調節ダンパー191の開度制御によって、エアナイフ30からの加圧エアの吐出および吐出停止に拘らず、第1〜第3洗浄室12〜14および乾燥室15内の圧力が常に一定になるようにしている。   By controlling the opening degree of the adjustment damper 191, the pressures in the first to third cleaning chambers 12 to 14 and the drying chamber 15 are always kept constant regardless of the discharge and stoppage of pressurized air from the air knife 30. ing.

以上詳述したように、本発明に係る基板処理装置10は、搬送路171に沿って略水平姿勢で搬送されつつある基板Bに処理液を供給することにより、該基板Bに所定の処理(本実施形態においては洗浄処理)を施すものであり、搬送路171の上流側に基板Bに向けて供給された処理液(本実施形態おいては洗浄水)を基板Bから回収可能に構成された液回収型ノズル装置20(本実施形態においては第3洗浄室14に設けられた液回収型ノズル装置20)が設けられているとともに、同下流側に基板B上の洗浄水を吹き飛ばすエアナイフ30が設けられ、液回収型ノズル装置20とエアナイフ30との間には、基板Bに乾燥防止用の洗浄水を供給する液保持用ノズル装置40が設けられている。   As described above in detail, the substrate processing apparatus 10 according to the present invention supplies a processing liquid to the substrate B being transported in a substantially horizontal posture along the transport path 171, thereby performing predetermined processing ( In the present embodiment, a cleaning process is performed, and the processing liquid (cleaning water in the present embodiment) supplied toward the substrate B on the upstream side of the transport path 171 can be recovered from the substrate B. A liquid recovery nozzle device 20 (in this embodiment, a liquid recovery nozzle device 20 provided in the third cleaning chamber 14) is provided, and an air knife 30 that blows off the cleaning water on the substrate B on the downstream side. Between the liquid recovery type nozzle device 20 and the air knife 30, a liquid holding nozzle device 40 for supplying cleaning water for preventing drying to the substrate B is provided.

かかる構成によれば、基板処理装置内に導入された基板Bは、搬送されつつ、まず液回収型ノズル装置20から供給された洗浄水によって洗浄処理され、引き続き液保持用ノズル装置40からの洗浄水が供給されて液濡れ状態でエアナイフ30に到達し、このエアナイフ30によって液切り処理が施されるため、液回収型ノズル装置20から必要最小限の洗浄水しか供給されないことにより基板Bが液切り用ノズルに到達するまでに乾燥してしまい、これによって基板B上にパーティクルが固着した状態になることを確実に防止することができる。   According to such a configuration, the substrate B introduced into the substrate processing apparatus is first cleaned with the cleaning water supplied from the liquid recovery type nozzle device 20 while being transported, and subsequently cleaned from the liquid holding nozzle device 40. Since water is supplied and reaches the air knife 30 in a liquid wet state, and a liquid draining process is performed by the air knife 30, the substrate B becomes liquid by supplying only the minimum necessary cleaning water from the liquid recovery type nozzle device 20. It is possible to reliably prevent the particles from being dried by the time they reach the cutting nozzle, and thereby the particles are fixed on the substrate B.

したがって、基板処理装置のコンパクト化およびランニングコストの低減化のために液回収型ノズル装置20を採用したにも拘らず、基板B上にパーティクル等が固着することで製品の不良率が増大するような事態を回避することが可能になり、基板処理装置10を液回収型ノズル装置20の利点を最大限に引き出したものにすることができる。   Therefore, in spite of adopting the liquid recovery type nozzle device 20 for downsizing the substrate processing apparatus and reducing the running cost, the defect rate of the product increases due to the particles or the like adhering to the substrate B. Therefore, the substrate processing apparatus 10 can maximize the advantages of the liquid recovery type nozzle apparatus 20.

また、液保持用ノズル装置40は、液回収型ノズル装置20とエアナイフ30との間の基板搬送方向における中央位置より液回収型ノズル装置20寄りの位置に設けられているため、液回収型ノズル装置20によって洗浄された基板Bの乾燥を可能な限り抑えることができる。   Further, since the liquid holding nozzle device 40 is provided at a position closer to the liquid recovery type nozzle device 20 than the central position in the substrate transport direction between the liquid recovery type nozzle device 20 and the air knife 30, the liquid recovery type nozzle device 40 is provided. Drying of the substrate B cleaned by the apparatus 20 can be suppressed as much as possible.

また、処理室本体11内に清浄空気を導入する清浄空気用ブロア61が設けられているとともに、処理室本体11内の空気を工場内に配設された集中排気管74を介して排気するようになされているため、処理室本体11内には清浄空気用ブロア61からの清浄空気が常に導入されるとともに、処理室本体11内の空気は集中排気管74を介して常に排気される。したがって、たとえ処理室本体11内に浮遊パーティクルが存在しても排気に同伴して系外に排出され、これによって処理室本体11内の雰囲気を常に清浄に維持することができ、基板Bが処理室本体11内の汚染された雰囲気に起因してパーティクルで汚染されるような不都合を確実に防止することができる。   Further, a clean air blower 61 for introducing clean air into the processing chamber main body 11 is provided, and air in the processing chamber main body 11 is exhausted through a centralized exhaust pipe 74 disposed in the factory. Therefore, the clean air from the clean air blower 61 is always introduced into the processing chamber main body 11 and the air in the processing chamber main body 11 is always exhausted through the concentrated exhaust pipe 74. Therefore, even if floating particles exist in the processing chamber main body 11, they are accompanied by exhaust and discharged out of the system, whereby the atmosphere in the processing chamber main body 11 can always be kept clean and the substrate B is processed. Inconveniences such as contamination by particles due to the contaminated atmosphere in the chamber body 11 can be reliably prevented.

さらに、第3洗浄室14で使用される洗浄水として超純水が採用されているため、基板Bを洗浄処理の最終段階で極めて清浄なものにすることができる。   Furthermore, since ultrapure water is used as the cleaning water used in the third cleaning chamber 14, the substrate B can be made extremely clean at the final stage of the cleaning process.

本発明は、上記の実施形態に限定されるものではなく、以下の内容をも包含するものである。   The present invention is not limited to the above embodiment, and includes the following contents.

(1)上記の実施形態においては、基板処理装置10として基板Bに洗浄処理を施すものを挙げているが、本発明は、基板処理装置10が洗浄処理用のものであることに限定されるものではなく、処理液としてエッチング液などの薬液を使用した薬液処理用のものであってもよい。   (1) In the above embodiment, the substrate processing apparatus 10 is described as performing the cleaning process on the substrate B, but the present invention is limited to the substrate processing apparatus 10 being for cleaning process. It may be for chemical processing using a chemical solution such as an etching solution as a processing solution.

(2)上記の実施形態においては、第1および第2洗浄室12,13に液保持用ノズル装置40が設けられていないが、本発明は、第1および第2洗浄室12,13に液保持用ノズル装置40を設けないことに限定されるものではなく、これらの室にも液保持用ノズル装置40を設けてもよい。この場合、第1洗浄室12に設けられる液保持用ノズル装置40には、第1洗浄水供給源51からの洗浄水が供給されるとともに、第2洗浄室13に設けられる液保持用ノズル装置40には、第2洗浄水供給源52からの洗浄水が供給される。こうすることによって、第1および第2洗浄室12,13内での洗浄処理が液回収型ノズル装置20と液保持用ノズル装置40との2段処理になるため、第1および第2洗浄室12,13の段階におけるより効果的な洗浄処理を実現することができる。   (2) In the above embodiment, the liquid holding nozzle device 40 is not provided in the first and second cleaning chambers 12 and 13, but in the present invention, the liquid is not added to the first and second cleaning chambers 12 and 13. It is not limited to not providing the holding nozzle device 40, and the liquid holding nozzle device 40 may also be provided in these chambers. In this case, the liquid holding nozzle device 40 provided in the first cleaning chamber 12 is supplied with the cleaning water from the first cleaning water supply source 51 and the liquid holding nozzle device provided in the second cleaning chamber 13. 40 is supplied with wash water from the second wash water supply source 52. By doing so, the cleaning process in the first and second cleaning chambers 12 and 13 becomes a two-stage process of the liquid recovery type nozzle device 20 and the liquid holding nozzle device 40, and therefore the first and second cleaning chambers. A more effective cleaning process in steps 12 and 13 can be realized.

(3)上記の実施形態においては、第3洗浄室14における液回収型ノズル装置20を用いた超純水による基板Bの洗浄処理で液回収型ノズル装置20から排出された洗浄処理後の超純水を系外に排出するようにしているが、こうする代わりに、洗浄処理後の超純水を第2洗浄水供給源52または第1洗浄水供給源51へ戻して再利用してもよい。   (3) In the above-described embodiment, after the cleaning process, the substrate B is discharged from the liquid recovery type nozzle device 20 in the cleaning process of the substrate B with ultrapure water using the liquid recovery type nozzle device 20 in the third cleaning chamber 14. The pure water is discharged out of the system, but instead of this, the ultrapure water after the cleaning treatment may be returned to the second cleaning water supply source 52 or the first cleaning water supply source 51 and reused. Good.

(4)上記の実施形態においては、液保持用ノズル装置40に洗浄水を吐出するための円形のノズル孔43がノズル管41に穿設されているが、本発明は、洗浄水を吐出する部分が円形のノズル孔43であることに限定されるものではなく、角孔や多角形状の孔、あるいは星型孔等であってもよいし、孔に代えてスリットを採用してもよいし、所定のノズル部材を取り付けてもよい。   (4) In the above embodiment, the circular nozzle hole 43 for discharging the cleaning water to the liquid holding nozzle device 40 is formed in the nozzle tube 41, but the present invention discharges the cleaning water. The portion is not limited to the circular nozzle hole 43, but may be a square hole, a polygonal hole, a star hole, or the like, or a slit may be employed instead of the hole. A predetermined nozzle member may be attached.

(5)上記の実施形態においては、第3洗浄室14において液保持用ノズル装置40は、液回収型ノズル装置20とエアナイフ30との略中間位置に設けられているが、本発明は、液保持用ノズル装置40が前記中間位置に設けられることに限定されるものではなく、基板Bの種類や操業条件など基板処理に関する各種の状況に基づき適宜設置位置を設定すればよい。   (5) In the above embodiment, in the third cleaning chamber 14, the liquid holding nozzle device 40 is provided at a substantially intermediate position between the liquid recovery type nozzle device 20 and the air knife 30. The holding nozzle device 40 is not limited to being provided at the intermediate position, and the installation position may be set as appropriate based on various situations relating to substrate processing such as the type of substrate B and operating conditions.

本発明に係る基板処理装置の一実施形態を示す断面視の説明図である。It is explanatory drawing of the cross sectional view which shows one Embodiment of the substrate processing apparatus which concerns on this invention. 第3洗浄室および乾燥室における液回収型ノズル装置、エアナイフおよび液保持用ノズル装置の設置状態を説明するための斜視図である。It is a perspective view for demonstrating the installation state of the liquid collection | recovery type nozzle apparatus, an air knife, and the liquid holding nozzle apparatus in a 3rd washing chamber and a drying chamber. 図2に示す液回収型ノズル装置の側面視の断面図である。It is sectional drawing of the side view of the liquid collection | recovery type nozzle apparatus shown in FIG.

符号の説明Explanation of symbols

10 基板処理装置 11 処理室本体
111 上流側壁 112 下流側壁
113 天板 114 仕切り壁
12 第1洗浄室 121 第1ホッパ
13 第2洗浄室 131 第2ホッパ
14 第3洗浄室 141 第3ホッパ
15 乾燥室 151 第4ホッパ
16 基板搬入口 16′ 基板搬出口
17 搬送ローラ 171 搬送路
18 案内管 181 気液分離器
19 排気管 191 調節ダンパー
20 液回収型ノズル装置(液回収型ノズル部)
201 上部ノズル装置 202 下部ノズル装置
21 ノズル本体 22 導入管
23 導出管 24 液導入口
25 液導出口 30 エアナイフ(液切り部)
31 エアナイフ本体 32 ノズル部
321 エア吹付けスリット 33 エア導入管
40 液保持用ノズル装置(液保持ノズル部)
41 ノズル管 42 導入管
43 ノズル孔 50 洗浄水供給源
51 第1洗浄水供給源 52 第2洗浄水供給源
53 第3洗浄水供給源 531 送出ポンプ
532 吸引ポンプ 60 エア供給装置
61 清浄空気用ブロア(空気導入手段)
74 集中排気管(排気手段) B 基板
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Substrate processing apparatus 11 Processing chamber main body 111 Upstream side wall 112 Downstream side wall 113 Top plate 114 Partition wall 12 1st cleaning chamber 121 1st hopper 13 2nd cleaning chamber 131 2nd hopper 14 3rd cleaning chamber 141 3rd hopper 15 Drying chamber 151 Fourth hopper 16 Substrate carry-in port 16 ′ Substrate carry-out port 17 Transport roller 171 Transport path 18 Guide tube 181 Gas-liquid separator 19 Exhaust tube 191 Adjustment damper 20 Liquid recovery nozzle device (liquid recovery nozzle unit)
201 Upper Nozzle Device 202 Lower Nozzle Device 21 Nozzle Body 22 Introducing Pipe 23 Outlet Pipe 24 Liquid Inlet 25 Liquid Outlet 30 Air Knife (Liquid Cutting Section)
31 Air knife body 32 Nozzle part 321 Air blowing slit 33 Air introduction tube 40 Liquid holding nozzle device (liquid holding nozzle part)
41 Nozzle pipe 42 Introduction pipe 43 Nozzle hole 50 Washing water supply source 51 First washing water supply source 52 Second washing water supply source 53 Third washing water supply source 531 Delivery pump 532 Suction pump 60 Air supply device 61 Clean air blower (Air introduction means)
74 Central exhaust pipe (exhaust means) B Substrate

Claims (5)

搬送路に沿って略水平姿勢で搬送中の基板に処理液を供給することにより、前記基板に所定の処理を施す基板処理装置であって、前記搬送中の基板に向けて処理液を供給して基板処理を施すとともに処理後の処理液を基板から回収する液回収型ノズル部と、前記液回収型ノズル部の基板搬送路の下流側に基板上の処理液をエアを吹き付けて液切りを行う液切り部と、前記液回収型ノズル部と前記液切り部との間に配置され、少なくとも前記液切り部に搬送されるまで基板をウエット状態に保持する処理液を供給する保持液供給部とを備えてなることを特徴とする基板処理装置。   A substrate processing apparatus for performing a predetermined process on the substrate by supplying the processing liquid to the substrate being transferred in a substantially horizontal posture along the transfer path, and supplying the processing liquid toward the substrate being transferred. The substrate is subjected to substrate processing and the processing liquid after processing is recovered from the substrate, and the processing liquid on the substrate is blown to the downstream side of the substrate transport path of the liquid recovery type nozzle portion to cut off the liquid. A liquid draining unit to be performed, and a liquid holding unit that is disposed between the liquid recovery type nozzle unit and the liquid draining unit and supplies a processing liquid that holds the substrate in a wet state until it is conveyed to at least the liquid draining unit. A substrate processing apparatus comprising: 前記液切り部は、基板搬送方向であって、基板搬送面と平行な面上で所定角度だけ傾斜して配置されていることを特徴とする請求項1記載の基板処理装置。   The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the liquid draining portion is disposed at an angle of a predetermined angle on a surface parallel to the substrate transport surface in the substrate transport direction. 前記保持液供給部は、前記液回収型ノズル部と前記液切り部との略中間位置に設けられていることを特徴とする請求項1記載の基板処理装置。   The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the holding liquid supply unit is provided at a substantially intermediate position between the liquid recovery nozzle unit and the liquid draining unit. 前記液回収型ノズル部、液切り部及び保持液供給部は基板搬送方向上下流側の壁面に基板搬出入口を有する1つの処理室に内装され、前記処理室は、基板の搬送路を除いて基板搬送方向に対して仕切り壁で仕切られており、この仕切り壁で囲まれた下流側の空間内に前記液切り部を備え、上流側の空間内に前記保持液供給部を備えたことを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の基板処理装置。   The liquid recovery type nozzle unit, the liquid draining unit, and the retentate supply unit are provided in a single processing chamber having a substrate loading / unloading port on the wall surface on the upstream and downstream sides in the substrate transport direction, and the processing chamber excludes the substrate transport path. It is partitioned by a partition wall with respect to the substrate transport direction, the liquid draining section is provided in a downstream space surrounded by the partition wall, and the retentate supply section is provided in an upstream space. 4. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the substrate processing apparatus is characterized in that: 前記処理液は、基板を洗浄する洗浄水であることを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載の基板処理装置。   The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the processing liquid is cleaning water for cleaning the substrate.
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