JP2006013232A - Method of reproducing laser chamber of ultraviolet gas laser device - Google Patents

Method of reproducing laser chamber of ultraviolet gas laser device Download PDF

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JP2006013232A
JP2006013232A JP2004190028A JP2004190028A JP2006013232A JP 2006013232 A JP2006013232 A JP 2006013232A JP 2004190028 A JP2004190028 A JP 2004190028A JP 2004190028 A JP2004190028 A JP 2004190028A JP 2006013232 A JP2006013232 A JP 2006013232A
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laser
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Shinji Nagai
伸治 永井
Akira Sumiya
明 住谷
Ikuo Uchino
郁夫 内野
Kazu Mizoguchi
計 溝口
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Komatsu Ltd
Ushio Denki KK
Ushio Inc
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Ushio Denki KK
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method by which the laser chamber of an ultraviolet gas laser device can be reproduced easily in a short time by omitting the labor of cleaning/removing dust generated in the laser chamber. <P>SOLUTION: At the time of opening the laser chamber of the ultraviolet gas laser device to the atmosphere for exchanging a consumable component, the accumulated dust in the chamber is prevented from absorbing water by adjusting the dew-point temperature in the working environment to ≤-20°C or, after the consumable component is exchanged and the chamber is isolated from the atmosphere, the water absorbed by the accumulated dust while the chamber is opened to the atmosphere is discharged from the inside of the chamber by performing a dust dehydrating process by introducing a fluorine gas into the chamber. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、エキシマレーザやF2分子レーザ等の紫外領域で発振する紫外ガスレーザ装置で使用するレーザチャンバの再生処理方法に関するものである。 The present invention relates to a method for regenerating a laser chamber used in an ultraviolet gas laser apparatus that oscillates in the ultraviolet region, such as an excimer laser or an F 2 molecular laser.

KrFエキシマレーザ、ArFエキシマレーザに代表されるエキシマレーザや、F2分子レーザなど、紫外線波長領域で発光する放電励起ガスレーザ装置で使用されるレーザチャンバでは、レーザ媒質ガス(例えば、Ar, Ne, Xe, He, F2, Cl2)を数千hPaの圧力で封入し、数mm〜数十mmの間隔を置いて対向して配置させた主電極間に数十kVの高電圧を印加し、放電させることによって、レーザ媒質をレーザ上準位に急速に励起させ、レーザパルス発光を得ている。 In laser chambers used in discharge-excited gas laser devices that emit light in the ultraviolet wavelength region, such as excimer lasers typified by KrF excimer lasers, ArF excimer lasers, and F 2 molecular lasers, laser medium gases (eg, Ar, Ne, Xe , He, F 2 , Cl 2 ) at a pressure of several thousand hPa, a high voltage of several tens of kV is applied between the main electrodes arranged facing each other at intervals of several mm to several tens of mm, By discharging, the laser medium is rapidly excited to the laser upper level, and laser pulse emission is obtained.

その中にあって、半導体リソグラフィー分野で用いられるガスレーザ装置では、レーザ発光の繰り返し周波数が数kHzと大きく、また数十億回ものパルス放電を繰り返す。そのため後掲する特許文献1に示されるように、高電圧印加に伴う高電界で生じるスパッタリングにより、金属微粒子が前記主電極表面から叩き出され、主電極は徐々に消耗していく。叩き出された微粒子はレーザチャンバ内の活性ハロゲンガスと反応しつつレーザチャンバ内に堆積する(以下この微粒子堆積物をダスト堆積物あるいは単にダストという。)。   Among them, in a gas laser device used in the field of semiconductor lithography, the repetition frequency of laser emission is as high as several kHz, and pulse discharge is repeated billions of times. Therefore, as shown in Patent Document 1 described later, metal fine particles are knocked out from the surface of the main electrode by sputtering generated by a high electric field accompanying application of a high voltage, and the main electrode is gradually consumed. The struck fine particles are deposited in the laser chamber while reacting with the active halogen gas in the laser chamber (hereinafter, this fine particle deposit is referred to as dust deposit or simply dust).

主電極が消耗するとともに、主電極間隔の変化や主電極表面の不均一化も進行し、消耗が一定のレベルを越えると所定のレーザ性能が得られなくなる。よって、たとえば所定のレーザ出力が得られなくなった場合には、所定のレーザ出力が出るようにガスレーザ装置を再生処理(メンテナンス)する必要がある。その場合、レーザ性能が劣化したレーザチャンバを一括廃棄して新しいレーザチャンバと交換してもよいが、これではメンテナンスごとにレーザチャンバ一台分のコストが発生してしまう。   As the main electrode is consumed, the change of the main electrode interval and the non-uniformity of the surface of the main electrode also proceed. When the consumption exceeds a certain level, a predetermined laser performance cannot be obtained. Therefore, for example, when a predetermined laser output cannot be obtained, it is necessary to regenerate (maintain) the gas laser device so that the predetermined laser output is obtained. In that case, the laser chamber with degraded laser performance may be discarded and replaced with a new laser chamber. However, this causes a cost for one laser chamber for each maintenance.

そこで、従来、性能が劣化したレーザチャンバを回収し、消耗部品のみを新品と交換して再びレーザチャンバを組み上げることでレーザチャンバの再利用を図っている。以下において、性能劣化したレーザチャンバを再利用できる状態にするための一連の作業を「レーザチャンバ再生処理」と呼ぶ。   Therefore, conventionally, the laser chamber whose performance has deteriorated is collected, the consumable parts are replaced with new ones, and the laser chamber is assembled again to recycle the laser chamber. Hereinafter, a series of operations for making a laser chamber whose performance has deteriorated into a state where it can be reused is referred to as “laser chamber regeneration processing”.

消耗部品としては、毎回交換される主電極のほかに、予備電離用の予備電離電極、レーザチャンバの温度を調整するための熱交換器、主電極間に常に新鮮なガスを送り込むためのガス循環用ファンとそのファン軸受け、主電極表面から発生したダストを集塵するダストフィルタ、またレーザ光をレーザチャンバから取り出す窓などがあり、これらは劣化の程度を考慮して新品と交換される。   In addition to the main electrode that is replaced every time, consumable parts include a preliminary ionization electrode for preliminary ionization, a heat exchanger for adjusting the temperature of the laser chamber, and a gas circulation for constantly feeding fresh gas between the main electrodes. There are a fan for use and its fan bearing, a dust filter for collecting dust generated from the surface of the main electrode, a window for taking out laser light from the laser chamber, etc., and these are replaced with new ones in consideration of the degree of deterioration.

ところで、発生したダストは、その大半が上記ダストフィルタで集塵されるが、一部のダストは、レーザチャンバ内壁およびレーザチャンバ内の部品に堆積してしまう。特に、レーザチャンバ内の循環ガス流が滞留する領域に、比較的多く堆積する。   By the way, most of the generated dust is collected by the dust filter, but a part of the dust is accumulated on the inner wall of the laser chamber and the components in the laser chamber. In particular, a relatively large amount is deposited in a region where the circulating gas flow stays in the laser chamber.

ダスト堆積物はその表面積が大きく、また親水性が高いため、大気中の水分を大量に吸着できる。そのため、レーザチャンバを大気開放し、所定の部品交換を行い、ダスト堆積物を除去しないで再び大気遮断した場合、ダスト堆積物に吸着した大量の水分がレーザチャンバ内に持ち込まれることになる。「大気開放」とは、レーザチャンバを分解し、レーザチャンバ内部が大気中に曝されることであり、「大気遮断」とは、レーザチャンバを組み立て、更にレーザチャンバ内部の空間に残された大気成分を真空引きにより排除し、He又はNe等の希ガスをレーザチャンバ内へ封入しておくことをいう。   Since the dust deposit has a large surface area and high hydrophilicity, it can adsorb a large amount of moisture in the atmosphere. Therefore, when the laser chamber is opened to the atmosphere, predetermined parts are replaced, and the atmosphere is shut off again without removing the dust deposit, a large amount of moisture adsorbed on the dust deposit is brought into the laser chamber. “Open to the atmosphere” means that the laser chamber is disassembled and the inside of the laser chamber is exposed to the atmosphere, and “atmosphere cut-off” means that the atmosphere is left in the space inside the laser chamber after the laser chamber is assembled. The component is removed by evacuation and a rare gas such as He or Ne is sealed in the laser chamber.

このようにダスト堆積物に大量の水分を含むレーザチャンバで放電し、レーザ発光を繰り返すと、ダスト堆積物の表面あるいはレーザチャンバ内空間で、レーザ媒質ガスに含まれる活性ハロゲンガスがこれらの水分と反応し分解される。たとえばフッ素ガスの場合は、フッ化水素と酸素に分解される。   As described above, when discharge is performed in a laser chamber containing a large amount of moisture in the dust deposit and laser light emission is repeated, the active halogen gas contained in the laser medium gas is separated from these moisture on the surface of the dust deposit or the space inside the laser chamber. Reacts and decomposes. For example, in the case of fluorine gas, it is decomposed into hydrogen fluoride and oxygen.

ところで、エキシマレーザのような紫外波長領域の光は、水分、フッ化水素、酸素等の不純物ガスによる光吸収と発光効率の低下(例えば、レーザ上準位分子に不純物ガスが衝突して上準位密度を減少させる脱励起や、レーザ上準位分子の前駆体となる励起原子やイオンの生成効率の低下などを引き起こす)の影響を受けて、レーザ出力が低下してしまう。   By the way, light in the ultraviolet wavelength region such as an excimer laser absorbs light by an impurity gas such as moisture, hydrogen fluoride, oxygen, and the light emission efficiency is lowered (for example, the upper gas is collided with a laser upper level molecule. The laser output is reduced under the influence of deexcitation that reduces the density of density and the generation efficiency of excited atoms and ions that are precursors of the laser upper level molecules.

そこでこれらの不純物ガスをレーザチャンバから排除するか、あるいは発生させないようにする必要がある。このため、従来、レーザチャンバ再生処理の際にレーザチャンバ内のダスト堆積物を出来得るかぎり清掃・除去してきた。   Therefore, it is necessary to eliminate these impurity gases from the laser chamber or prevent them from being generated. For this reason, conventionally, dust deposits in the laser chamber have been cleaned and removed as much as possible during the laser chamber regeneration process.

図18は、従来のレーザチャンバ再生処理工程図である。   FIG. 18 is a conventional laser chamber regeneration processing step diagram.

図において、主電極が消耗してレーザ出力が低下したレーザチャンバは、紫外線ガスレーザ装置から切り離されてレーザチャンバ再生処理室に回収される。この再生処理室は室内を負圧にしてあるので、上記レーザチャンバ内に残留する毒性のハロゲン化合物が万一散乱しても室外に漏れることはない。さらに、併置した排気ドラフタにより上記有害物質は安全に排除される。   In the figure, the laser chamber in which the main electrode is consumed and the laser output is reduced is separated from the ultraviolet gas laser device and collected in the laser chamber regeneration processing chamber. Since this regeneration processing chamber has a negative pressure in the chamber, even if toxic halogen compounds remaining in the laser chamber are scattered, they do not leak out of the chamber. In addition, the harmful substances are safely excluded by the exhaust draft placed side by side.

所定の部品を交換するために、レーザチャンバを大気開放する(ステップS181)。レーザチャンバ内には、主電極、熱交換器、ガス循環用ファン等の構成部品が組み込まれており、この状態のままでは、レーザチャンバ内のダストを手あるいは清掃具で十分に除去できないため、レーザチャンバ内のダストをできるだけ、望ましくは完全に除去するために、これらの構成部品を全て取り外し分解する(ステップS182)。   In order to replace predetermined parts, the laser chamber is opened to the atmosphere (step S181). The laser chamber has built-in components such as the main electrode, heat exchanger, gas circulation fan, etc. In this state, the dust in the laser chamber cannot be removed sufficiently by hand or with a cleaning tool. All these components are removed and disassembled (step S182) in order to remove dust in the laser chamber as completely as possible and desirably.

次に、分解した部品のうち、再使用が可能な耐用部品の表面に堆積したダストと、レーザチャンバ内壁に堆積したダストを、揮発性のアルコール等を含ませた紙や布で手拭きし十分に清掃・除去するとともに、消耗した主電極と所定以上の劣化が認められる部品は廃棄する(ステップS183)。新しい交換部品とダストを清掃・除去した耐用部品を用いてレーザチャンバをもとの状態に組立て、その後レーザチャンバを大気遮断する(ステップS184)。   Next, out of the disassembled parts, dust accumulated on the surface of reusable parts and dust accumulated on the inner wall of the laser chamber should be thoroughly wiped with paper or cloth soaked with volatile alcohol. In addition to cleaning / removal, the worn main electrode and parts that are deteriorated over a predetermined level are discarded (step S183). The laser chamber is assembled to the original state using the new replacement part and the durable part from which dust has been cleaned and removed, and then the laser chamber is shut off to the atmosphere (step S184).

次に、大気遮断した上記レーザチャンバをダミーの紫外線レーザ装置に組み込み、レーザチャンバの内壁あるいは構成部品に吸着した水分を加熱脱水処理するために真空ベーキングを行う。たとえば、レーザチャンバ全体を100℃程度に加熱するとともに、ターボ分子ポンプ等でレーザチャンバ内の真空度を10−2Pa以下に保ち、2日間以上継続して真空引きを行う(ステップS185)。 Next, the above-described laser chamber cut off from the atmosphere is incorporated in a dummy ultraviolet laser device, and vacuum baking is performed to heat and dehydrate the moisture adsorbed on the inner wall or components of the laser chamber. For example, the entire laser chamber is heated to about 100 ° C., and the degree of vacuum in the laser chamber is maintained at 10 −2 Pa or less with a turbo molecular pump or the like, and evacuation is continuously performed for two days or more (step S185).

次に、フッ素ガスを混入させた放電ガスをレーザチャンバ内へ封入して新しく交換した主電極の放電パシベーションを行う(ステップS186)。これは、安定なレーザ出力を得るために、放電の繰り返しを所定回数以上行って電極表面を均一にしておく必要があるからである。なお、放電パシベーションを行うことによって、レーザチャンバ内の一部は100℃以上の高温になるため、先の真空ベーキングでは除去できなかった吸着エネルギーの大きい水分等を除去することができる。また、放電ガスにフッ素ガスを混入しているので、放電パシベーションにより新しい交換部品の表面はフッ化不動体化される。このフッ化不動体化処理をすることで、後にレーザ発振のために行われる放電でレーザ媒質である微量のフッ素ガスが前記交換部品の表面と反応して減少するのを抑制することができ、従って長期間安定したレーザ性能を得ることができる。   Next, discharge passivation of the newly replaced main electrode is performed by sealing the discharge gas mixed with fluorine gas into the laser chamber (step S186). This is because in order to obtain a stable laser output, it is necessary to repeat the discharge a predetermined number of times or more to make the electrode surface uniform. Note that, by performing discharge passivation, a part of the laser chamber is heated to a high temperature of 100 ° C. or higher, so that moisture or the like having high adsorption energy that cannot be removed by the previous vacuum baking can be removed. In addition, since fluorine gas is mixed in the discharge gas, the surface of the new replacement part is made into a fluorinated non-moving body by discharge passivation. By performing this fluorination immobilization treatment, it is possible to suppress a small amount of fluorine gas that is a laser medium from reacting with the surface of the replacement part in a discharge that is performed for laser oscillation later, Therefore, stable laser performance can be obtained for a long time.

最後に、レーザ性能の確認と調整を行う(ステップS187)。ここでは、一連の再生処理工程を経たレーザチャンバが所定の性能に戻っているかを確認する。ここでいう性能とは、例えばそのレーザの用途が半導体リソグラフィー用であれば、レーザ出力以外に、スペクトル線幅、スペクトル純度、ビーム形状、ビーム広がり角、中心波長、各値のパルス安定性などが考えられ、それぞれの応用・用途に応じた必要な特性すべてを言う。
特開平4−101476号公報(第5頁下から2行目〜第7頁2行目)
Finally, the laser performance is confirmed and adjusted (step S187). Here, it is confirmed whether the laser chamber that has undergone a series of regeneration processing steps has returned to a predetermined performance. For example, if the laser is used for semiconductor lithography, the performance here includes spectral line width, spectral purity, beam shape, beam divergence angle, center wavelength, pulse stability of each value, etc. in addition to laser output. It refers to all the necessary characteristics for each application / use.
JP-A-4-101476 (2nd line to the 7th page, 2nd line from the bottom of page 5)

しかしながら、従来のレーザチャンバ再生処理方法には、以下に述べるような問題がある。   However, the conventional laser chamber regeneration processing method has the following problems.

上記したように、堆積したダストはアルコール等を含ませた紙や布を用いて清掃・除去しているが、熱交換器やガス循環用ファンの場合、形状が複雑で表面積が大きいために、すべてのダスト堆積物を手作業で拭き取るには多大な手間と時間を要する。また、レーザチャンバ内の構成部品をすべて分解するには、Oリングやガスケットなどのシール材やネジ類も全て取り外す必要があるが、これにも多大な手間と時間がかかる。当然ながら、清掃後に行われる部品の再組立てにおいても、上記分解作業と同様な手間と時間がかかってしまう。本発明者らのデータによれば、上記分解、清掃、および再組立におよそ45時間を要している。   As described above, accumulated dust is cleaned and removed using paper or cloth containing alcohol etc., but in the case of heat exchangers and gas circulation fans, the shape is complicated and the surface area is large. It takes a lot of labor and time to manually wipe off all dust deposits. Further, in order to disassemble all the components in the laser chamber, it is necessary to remove all sealing materials and screws such as O-rings and gaskets, which also takes a lot of time and effort. Of course, reassembly of parts performed after cleaning also takes time and effort similar to the above disassembly work. According to our data, the disassembly, cleaning and reassembly takes approximately 45 hours.

なお、シール材は、再利用するとガスリークが発生するおそれがあるため新品と交換する必要がある。また、ネジ・ワッシャ・ナットなどのネジ部品は小さくしかも個数が多いので、何回使用されたか等の履歴管理をするのが困難であり、通常、構成部品の再組立てにおいてはすべて新品に交換される。   Note that the seal material needs to be replaced with a new one because there is a possibility that gas leakage may occur when it is reused. Also, since screw parts such as screws, washers and nuts are small and many, it is difficult to manage the history of how many times they have been used. Normally, when reassembling components, all parts are replaced with new ones. The

また真空ベーキングには約40時間、放電パシベーションに約50時間を要しており、その他レーザ性能確認等も含めると、一連のレーザチャンバ再生処理に総計で140時間以上を費やしている。   Further, the vacuum baking requires about 40 hours and the discharge passivation requires about 50 hours. Including other laser performance confirmation, a total of 140 hours or more is spent on a series of laser chamber regeneration processes.

さらには、ダスト堆積物除去のために、たとえばアルコールを含んだ紙や布を用いて清掃すると、アルコールが気化する際の気化熱で大気の水分がダストを清掃・除去した表面に取りまれてしまうという問題がある。表面に取り込まれた水分は、レーザ性能を悪化させる不純物ガスのHF,O2源となり、これらの不純物ガスが発生した場合、レーザ出力を低下させてしまう。また、清掃に用いたアルコール自身も一部は表面に取り込まれて残留する可能性がある。アルコールは不純物ガスのCF4,CO2,CO発生源となり、これらはレーザ性能を悪化させ、レーザ出力を低下させる。 Furthermore, when dust is removed using, for example, paper or cloth containing alcohol, the moisture in the atmosphere is trapped in the dust-cleaned / removed surface by the heat of vaporization when alcohol is vaporized. There is a problem. Moisture taken into the surface becomes a source of HF and O 2 impurity gases that deteriorate the laser performance, and when these impurity gases are generated, the laser output is reduced. Moreover, a part of the alcohol itself used for cleaning may be taken in and remain on the surface. Alcohol becomes a source of CF 4 , CO 2 , and CO as impurity gases, and these deteriorate the laser performance and lower the laser output.

本発明は、このような問題点に鑑みてなされたものであり、レーザチャンバ内に発生したダストを清掃・除去する手間を省くことができるレーザチャンバ再生処理方法を提供することを目的としている。   The present invention has been made in view of such problems, and an object of the present invention is to provide a laser chamber regeneration processing method that can save the trouble of cleaning and removing dust generated in the laser chamber.

以上のような目的を達成するために、第1発明においては、レーザチャンバを大気開放し、前記レーザチャンバ内の所定の部品を交換し、前記レーザチャンバを大気遮断するまでの間、前記レーザチャンバを乾燥した大気環境に保持しておくことを特徴としている。   In order to achieve the above object, in the first aspect of the present invention, the laser chamber is opened until the laser chamber is opened to the atmosphere, predetermined parts in the laser chamber are replaced, and the laser chamber is shut off to the atmosphere. Is characterized by being kept in a dry atmospheric environment.

第2発明は、第1発明において、前記乾燥した大気環境の露点温度が−20℃以下であることを特徴としている。   A second invention is characterized in that, in the first invention, a dew point temperature of the dried atmospheric environment is −20 ° C. or lower.

また第3発明は、レーザチャンバを大気開放し、前記レーザチャンバ内の所定の品を交換し、前記レーザチャンバを大気遮断した後に、前記レーザチャンバ内にハロゲンガスまたはハロゲン化物を含む混合ガスを流すことを特徴としている。   According to a third aspect of the present invention, the laser chamber is opened to the atmosphere, a predetermined product in the laser chamber is replaced, and the laser chamber is shut off to the atmosphere, and then a mixed gas containing a halogen gas or a halide is flown into the laser chamber. It is characterized by that.

第4発明は、第3発明において、前記ハロゲンがフッ素であることを特徴としている。   A fourth invention is characterized in that, in the third invention, the halogen is fluorine.

第5発明は、第3発明において、前記レーザチャンバ内の温度を110℃以上とすることを特徴としている。   A fifth invention is characterized in that, in the third invention, the temperature in the laser chamber is 110 ° C. or higher.

第6発明は、第1発明に記載の前記大気遮断したレーザチャンバに、第3発明に記載の再生処理を行うことを特徴としている。   A sixth invention is characterized in that the regeneration process described in the third invention is performed on the laser chamber which is shut off to the atmosphere described in the first invention.

第7発明は、第1発明に記載の前記大気遮断したレーザチャンバに、第5発明に記載の再生処理を行うことを特徴としている。   A seventh aspect of the invention is characterized in that the regeneration process described in the fifth aspect is performed on the laser chamber cut off from the atmosphere described in the first aspect.

第8発明は、レーザチャンバを大気開放する前に所定の交換用モジュールを準備し、前記レーザチャンバを大気開放し、前記レーザチャンバ内の所定のモジュールと前記交換用モジュールとをモジュール単位で交換し、前記レーザチャンバを大気遮断することを特徴としている。   According to an eighth aspect of the present invention, a predetermined replacement module is prepared before the laser chamber is opened to the atmosphere, the laser chamber is opened to the atmosphere, and the predetermined module in the laser chamber and the replacement module are replaced in module units. The laser chamber is shielded from the atmosphere.

第9発明は、第8発明において、前記レーザチャンバを大気開放した時から、前記レーザチャンバを大気遮断するまでの間、前記レーザチャンバを乾燥した大気環境に保持しておくことを特徴としている。   The ninth invention is characterized in that, in the eighth invention, the laser chamber is maintained in a dry atmospheric environment from when the laser chamber is opened to the atmosphere until the laser chamber is shut off to the atmosphere.

第10発明は、第8発明において、前記交換用モジュールに真空脱ガス処理が施されていることを特徴としている。   According to a tenth aspect, in the eighth aspect, the replacement module is subjected to vacuum degassing.

第11発明は、レーザチャンバを大気開放する前に部品単位で真空脱ガス処理した所定の交換用モジュール部品を準備し、前記レーザチャンバを大気開放し、前記レーザチャンバ内の所定の部品と前記交換用モジュール部品とを交換し、その後前記レーザチャンバを大気遮断することを特徴としている。   According to an eleventh aspect of the present invention, a predetermined replacement module part that is vacuum degassed in units of parts before opening the laser chamber to the atmosphere is prepared, the laser chamber is opened to the atmosphere, and the predetermined part in the laser chamber is replaced with the predetermined part. It is characterized in that the module part is replaced with a new one and then the laser chamber is shut off to the atmosphere.

第12発明は、第11発明において、前記レーザチャンバを大気開放した時点から、前記レーザチャンバを大気遮断するまでの間、前記レーザチャンバを乾燥した大気環境に保持しておくことを特徴としている。   The twelfth invention is characterized in that, in the eleventh invention, the laser chamber is maintained in a dry atmospheric environment from the time when the laser chamber is opened to the atmosphere until the laser chamber is shut off to the atmosphere.

第1発明によれば、図1および図2に示すように、レーザチャンバを大気開放し、レーザチャンバ内の部品を交換し、その後レーザチャンバを大気遮断するまでの作業環境が乾燥しているので、レーザチャンバ内壁あるいは前記部品の表面、特に、主電極から発生したダスト堆積物に水分が吸着するのを抑制することができる。よって、真空ベーキング等によるレーザチャンバ内の吸着水分の脱水処理時間を短縮することができる。   According to the first invention, as shown in FIGS. 1 and 2, the working environment is dry until the laser chamber is opened to the atmosphere, the components in the laser chamber are replaced, and then the laser chamber is shut off to the atmosphere. In addition, it is possible to prevent moisture from adsorbing to the inner wall of the laser chamber or the surface of the component, particularly dust deposits generated from the main electrode. Therefore, it is possible to shorten the time for dehydrating the adsorbed moisture in the laser chamber by vacuum baking or the like.

第2発明によれば、図2に示す作業環境の露点温度が−20℃以下であるので、第1発明よりさらに効果的に水分の吸着を抑制することができ、その後の真空ベーキング等によるレーザチャンバ内の吸着水分の脱水処理時間をさらに大幅に短縮できる。   According to the second invention, since the dew point temperature of the working environment shown in FIG. 2 is −20 ° C. or lower, it is possible to more effectively suppress the adsorption of moisture than the first invention, and a laser by subsequent vacuum baking or the like. The time for dehydration of the adsorbed moisture in the chamber can be further greatly shortened.

第3発明によれば、図9および図10に示すように、導入した活性なハロゲンガスがレーザチャンバ内のダスト堆積物に吸着した水分と反応し気体となって蒸発するので、レーザチャンバ内の吸着水分を容易に脱水することができる。また従来、手ではダストの清掃・除去が困難であった箇所を脱水できる。よって、レーザチャンバ内の残留水分を原因とするレーザ性能悪化を引き起こすことがない。   According to the third invention, as shown in FIG. 9 and FIG. 10, the introduced active halogen gas reacts with the moisture adsorbed on the dust deposit in the laser chamber and evaporates as a gas. Adsorbed moisture can be easily dehydrated. In addition, it is possible to dehydrate portions that have conventionally been difficult to clean and remove dust by hand. Therefore, laser performance is not deteriorated due to residual moisture in the laser chamber.

第4発明によれば、高い反応性を有するフッ素ガスにより、レーザチャンバ内の吸着水分を効果的に脱水することができる。   According to the fourth invention, moisture adsorbed in the laser chamber can be effectively dehydrated by the fluorine gas having high reactivity.

第5発明によれば、図17のデータに示すように、レーザチャンバ内の温度を110℃以上とすることで脱水反応性を高めることができるので、ダスト堆積物に吸着した水分を効率的に脱水することができる。   According to the fifth invention, as shown in the data of FIG. 17, the dehydration reactivity can be increased by setting the temperature in the laser chamber to 110 ° C. or higher, so that the moisture adsorbed on the dust deposit can be efficiently removed. Can be dehydrated.

第6発明によれば、図12に示すように、部品交換を行っている際に、レーザチャンバ内のダスト堆積物に水分が吸着するのを抑制できるとともに、レーザチャンバを大気遮断した後に、レーザチャンバ内に多少取り込まれていた水分を脱水することができる。   According to the sixth invention, as shown in FIG. 12, when parts are being replaced, moisture can be prevented from adsorbing to dust deposits in the laser chamber, and after the laser chamber is shut off to the atmosphere, the laser Moisture that has been somewhat taken into the chamber can be dehydrated.

第7の発明によれば、高温下でのダスト脱水処理により、レーザチャンバ内の水分をさらに効果的に脱水することができる。   According to the seventh aspect, the moisture in the laser chamber can be more effectively dehydrated by the dust dehydration process at a high temperature.

第8発明によれば、図5に示すように、交換用モジュールを一括して交換できるので、レーザチャンバの大気開放から大気遮断までの処理工程時間を短縮することができ、また大気からのレーザチャンバ内への水分吸着を抑制することができる。   According to the eighth aspect of the invention, as shown in FIG. 5, the replacement modules can be exchanged in a batch, so that the processing time from the release of the laser chamber to the atmosphere can be shortened, and the laser from the atmosphere can be reduced. Water adsorption into the chamber can be suppressed.

第9発明によれば、レーザチャンバを大気開放している間、レーザチャンバが乾燥した作業環境にあるので、さらに作業環境からのレーザチャンバ内への水分吸着を抑制することができる。   According to the ninth aspect, since the laser chamber is in a dry work environment while the laser chamber is open to the atmosphere, moisture adsorption from the work environment into the laser chamber can be further suppressed.

第10発明によれば、交換用モジュールに真空脱ガス処理が施されているので、交換用モジュールがレーザチャンバ内に水分を持ち込むことを回避できる。   According to the tenth invention, since the vacuum degassing process is performed on the replacement module, it can be avoided that the replacement module brings moisture into the laser chamber.

第11発明によれば、図6に示すように、真空脱ガス処理が施されている部品を交換することにより、レーザチャンバ内に水分を持ち込むことを抑制できる。   According to the eleventh aspect, as shown in FIG. 6, it is possible to suppress the introduction of moisture into the laser chamber by exchanging the parts subjected to the vacuum degassing process.

第12発明によれば、図7に示すように、大気開放から大気遮断するまでの間の作業環境が乾燥しているので、その間にレーザチャンバ内に大気中の水分が吸着することを抑制できる。   According to the twelfth invention, as shown in FIG. 7, the working environment from the release to the atmosphere to the blocking of the atmosphere is dry, so that moisture in the atmosphere can be prevented from being adsorbed in the laser chamber during that time. .

以下に、本発明に係わる紫外ガスレーザ装置のレーザチャンバの再生処理方法ついて、図面を参照して説明する。   A method for regenerating a laser chamber of an ultraviolet gas laser apparatus according to the present invention will be described below with reference to the drawings.

まず、本発明に至った実験経緯および本発明の基本原理について説明する。   First, the experimental background leading to the present invention and the basic principle of the present invention will be described.

水分を大量に吸着するダストは、前掲の特許文献1に示されているように、主電極を構成する金属が放電ガスの中に叩き出され、レーザ媒質のフッ素ガスと反応して生成されるフッ化金属が主成分であることが、本発明者等のダストX線回折分析で明らかになった。   Dust that adsorbs a large amount of moisture is generated by the metal constituting the main electrode being struck into the discharge gas and reacting with the fluorine gas of the laser medium, as described in the above-mentioned Patent Document 1. It was revealed by the present inventors' dust X-ray diffraction analysis that metal fluoride is the main component.

このフッ化金属を大気中に曝しておくと、水との親和性が高いため、大気側から衝突し吸着してくる水分子と以下のような化学反応式で表される水和物に変化することが知られている。   When this metal fluoride is exposed to the atmosphere, it has a high affinity with water, so it changes to water molecules that collide and adsorb from the atmosphere and hydrates represented by the following chemical reaction formula. It is known to do.

MF2 + xH2O →MF2・xH2O (1)
ただし、Mは2価金属、xは任意数である。
MF 2 + xH 2 O → MF 2 xH 2 O (1)
However, M is a divalent metal and x is an arbitrary number.

なお、このフッ化金属水和物は、窒素中や希ガス中で加熱して水分を取り除こうとしても、
MF2・H2O →MOHF + HF(gas) (2)
MOHF →MO + HF(gas) (3)
という2つの反応により、最終的に酸化金属の形態となって酸素が排除されないことが分かっている。
In addition, even if this metal fluoride hydrate tries to remove moisture by heating in nitrogen or a rare gas,
MF 2・ H 2 O → MOHF + HF (gas) (2)
MOHF → MO + HF (gas) (3)
These two reactions have been found to ultimately eliminate the oxygen in the form of metal oxides.

一方、ファンデルワールス力による44〜50kJ/molの比較的弱い吸着エネルギーでレーザチャンバ内の表面に物理吸着している水分は、その平均滞在時間が10−6〜10−4秒と短いため、ロータリーポンプ等の真空排気で取り除くことができる。しかし、表面を長時間大気開放しておくと、表面の吸着サイトは次第に結合力の強い化学吸着サイトに変化していく。このような場合、水分はおよそ70〜300kJ/molの強い吸着エネルギーでレーザチャンバ内表面に吸着されている。 On the other hand, the moisture physically adsorbed on the surface of the laser chamber with a relatively weak adsorption energy of 44 to 50 kJ / mol by van der Waals force has a short average stay time of 10 −6 to 10 −4 seconds, It can be removed by vacuum exhaust such as a rotary pump. However, if the surface is opened to the atmosphere for a long time, the adsorption sites on the surface gradually change to chemical adsorption sites with a strong binding force. In such a case, moisture is adsorbed on the inner surface of the laser chamber with a strong adsorption energy of about 70 to 300 kJ / mol.

SUS316L材の試験片を数時間大気に放置し、その後、昇温脱離スペクトル分析計で計測して試験片の表面上の水分の吸着エネルギーを測定したところ180kJ/molであった。この値は、表面での平均滞在時間が、20℃で3.4x1015時間、100℃で4.5x108時間、250℃で26時間に対応し、水分を取り除くために温度に依存した膨大な時間がかかることが分かる。 The specimen of the SUS316L material was left in the atmosphere for several hours and then measured with a temperature programmed desorption spectrum analyzer to measure the adsorption energy of moisture on the surface of the specimen, which was 180 kJ / mol. This value corresponds to an average dwell time on the surface of 3.4 × 10 15 hours at 20 ° C., 4.5 × 10 8 hours at 100 ° C. and 26 hours at 250 ° C., and an enormous amount of time depending on temperature to remove moisture. You can see this.

なお、実際の水分子の化学吸着エネルギーは上記のように一つの値とは限らず、3つ以上の異なる吸着エネルギーで表面に吸着していることが多い。そのため、レーザチャンバ内にそれぞれの吸着エネルギーで吸着した水分が、それぞれの時間をかけて脱離し、レーザ媒質のガス中に混入していくことになる。   The actual chemical adsorption energy of water molecules is not limited to one value as described above, and is often adsorbed on the surface with three or more different adsorption energies. Therefore, the moisture adsorbed in the laser chamber with the respective adsorption energy is desorbed over the respective time and mixed into the gas of the laser medium.

以上のように、大気に放置する時間が数時間程度であれば、250℃以上のベーキング温度で、24時間以上真空排気すれば吸着水分がほぼ取り除かれる。しかし、レーザチャンバ内には、温度膨張係数が異なる異種金属の接合部や、軸受け機構など、250℃まで昇温するのが困難な箇所があるため、実際上、真空ベーキングで十分に吸着水分を除去することはできない。また、上記したように、ダストの水和物を単に高温加熱するだけでは酸素原子を取り除くことはできない。   As described above, if the time of leaving in the atmosphere is about several hours, the adsorbed moisture is almost removed by evacuating at a baking temperature of 250 ° C. or more for 24 hours or more. However, because there are places in the laser chamber where it is difficult to raise the temperature up to 250 ° C, such as joints of dissimilar metals with different temperature expansion coefficients and bearing mechanisms, practically sufficient adsorption moisture can be obtained by vacuum baking. It cannot be removed. Further, as described above, it is not possible to remove oxygen atoms simply by heating the dust hydrate at a high temperature.

そこで上記問題を解決するためには、レーザチャンバを大気開放している時に、レーザチャンバ内に水分を吸着させないようにすればよい。   Therefore, in order to solve the above problem, it is only necessary to prevent moisture from being adsorbed in the laser chamber when the laser chamber is opened to the atmosphere.

しかし、完全に水分を遮断することは困難であり、また水分を完全に遮断することは必ずしも必要でない。すなわち、ロータリーポンプ等の真空引きで除去できる物理吸着レベルの水分や、真空ベーキング工程と放電パシベーション工程で除去できるレベルの吸着水分は容認してもよい。
そこで本発明者等は、所定の露点温度をパラメータとして大気中にレーザチャンバを開放し、所定時間放置した時のレーザチャンバの水分吸着量を求めることとした。露点温度とは、大気中に含まれている水分が水滴になり始める温度をいい、露点計を用いて測定することができる。
However, it is difficult to completely block moisture, and it is not always necessary to completely block moisture. That is, moisture at a physical adsorption level that can be removed by evacuation using a rotary pump or the like, and adsorbed moisture at a level that can be removed by a vacuum baking process and a discharge passivation process may be acceptable.
Therefore, the present inventors have determined the moisture adsorption amount of the laser chamber when the laser chamber is opened in the atmosphere with the predetermined dew point temperature as a parameter and left for a predetermined time. The dew point temperature refers to a temperature at which moisture contained in the atmosphere starts to form water droplets, and can be measured using a dew point meter.

図14はその結果であり、図において、横軸を4種類の露点温度をパラメータとし、縦軸は、レーザチャンバを、上記各露点温度の大気に1時間開放し、次に1時間真空引きを行い、その後、レーザチャンバ内に希ガスを3000hPaになるまで封入し、レーザチャンバ温度を50℃に保ちながら2時間放置した時点でのレーザチャンバ内の水分の濃度(ppm)を表している。   FIG. 14 shows the results. In the figure, the horizontal axis indicates four types of dew point temperatures as parameters, and the vertical axis indicates that the laser chamber is opened to the atmosphere at each of the above dew point temperatures for 1 hour, and then vacuumed for 1 hour. After that, a rare gas is sealed in the laser chamber until reaching 3000 hPa, and the moisture concentration (ppm) in the laser chamber when the laser chamber temperature is kept at 50 ° C. for 2 hours is shown.

露点温度が−10℃の場合、大気開放中にレーザチャンバ内に吸着した水分が、2時間後にはレーザチャンバ内に大量に再放出されている。露点温度を下げるにつれ吸着水分量は減少し、露点温度が−30℃以下では、水分の再放出量は検出限界以下であった。   When the dew point temperature is −10 ° C., a large amount of moisture adsorbed in the laser chamber during release to the atmosphere is re-released in a large amount in the laser chamber after 2 hours. As the dew point temperature was lowered, the amount of adsorbed water decreased. When the dew point temperature was −30 ° C. or lower, the amount of water re-released was below the detection limit.

このように、作業環境の露点温度を低く保つことでレーザチャンバ内に水分を吸着させないレーザチャンバ再生処理を本発明ではドライリファブリケーション(ドライリファブ)と呼ぶ。本発明のドライリファブにおいては、レーザチャンバ内のダスト堆積物の清掃・除去作業を行わないのを基本とする。   Thus, the laser chamber regeneration process in which moisture is not adsorbed in the laser chamber by keeping the dew point temperature in the working environment low is referred to as dry refabrication (dry refab) in the present invention. In the dry refab according to the present invention, the dust deposits in the laser chamber are basically not cleaned / removed.

図15は、所定の露点温度で所定の時間レーザチャンバを大気開放してドライリファブを行い、その後レーザチャンバを大気遮断して真空ベーキングと放電パシベーション処理を行った後のレーザ出力の変化に対する試験前のレーザ出力の変化との比較を示す。大気開放時間は1時間あるいは3時間とした。なお、一回目に引き続き二回目を行った時の比較も示してある。ここでいうレーザ出力の変化とは、所定時間経過したあとのレーザ出力の減少量であり、前述したように、この減少の原因は不純物ガスの発生によるものである。 FIG. 15 shows a pre-test for a change in laser output after a laser beam is opened to the atmosphere for a predetermined time at a predetermined dew point temperature and dry refabrication is performed, and then the laser chamber is shut off to the atmosphere and vacuum baking and discharge passivation are performed. A comparison with the laser output change is shown. The air release time was 1 hour or 3 hours. In addition, the comparison when the second time is performed following the first time is also shown. The change in laser output here is the amount of decrease in laser output after a predetermined time has elapsed, and as described above, the cause of this decrease is due to the generation of impurity gas.

この図から明らかなように、露点温度が−10℃の場合、放電パシベーションを行ってもレーザ性能が試験前の減少量レベルには戻らず、約70%悪化しているが、露点温度を−20℃にすると、ドライリファブ後のレーザ性能の悪化はあまり大きくない。そのため、さらに数時間の追加放電パシベーションを行えば試験前のレーザ性能を得ることができることが分かった。また、露点温度が−30℃以下の場合には、ドライリファブによるレーザ性能の悪化は特に見られなかった。   As is clear from this figure, when the dew point temperature is −10 ° C., the laser performance does not return to the decrease level before the test even if the discharge passivation is performed, but it is deteriorated by about 70%. When the temperature is 20 ° C., the deterioration of the laser performance after dry refab is not so great. Therefore, it was found that the laser performance before the test can be obtained by performing additional discharge passivation for several hours. Further, when the dew point temperature was −30 ° C. or lower, there was no particular deterioration in laser performance due to dry refab.

よって、少なくとも、露点温度が−20℃以下の作業環境で部品交換を行うことにより、特にダスト堆積物を清掃・除去しなくてもレーザチャンバ再生処理以前のレーザ性能を得ることができる。露点温度が−30℃以下の作業環境で部品交換を行うことがより望ましい。   Therefore, by performing component replacement at least in a working environment having a dew point temperature of −20 ° C. or lower, laser performance before laser chamber regeneration processing can be obtained without particularly cleaning and removing dust deposits. It is more desirable to replace parts in a work environment with a dew point temperature of −30 ° C. or lower.

またこのような低露点温度の大気環境で部品交換を行えば、レーザチャンバ内に吸着される水分量が極めて抑制されるため、水分を放出させるための真空ベーキング処理を不用または、従来より短縮することが可能となる。   In addition, if parts are replaced in such an air environment with a low dew point temperature, the amount of moisture adsorbed in the laser chamber is extremely suppressed, so that the vacuum baking process for releasing moisture is unnecessary or shortened compared to the conventional case. It becomes possible.

また本発明の目的を達成するための他の方法として、たとえ作業環境の水分がレーザチャンバ内のダスト堆積物に吸着し、ダストと水和物を構成しても、この水和物を容易に取り除いてしまうことが考えられる。   As another method for achieving the object of the present invention, even if moisture in the working environment is adsorbed by dust deposits in the laser chamber and constitutes dust and hydrate, the hydrate can be easily formed. It may be possible to remove it.

前述した通り、フッ化金属の水和物は、単に高温加熱しただけでは最終的に酸化金属になってしまう。しかし、フッ素を含む混合ガスを流すことにより、フッ素金属の水和物には、
MF2・H2O + F2(gas) → MF2 + 2HF(gas) + O(gas) (4)
という脱水反応が生じることが、発明者等の実験で明らかになった。上記反応の場合、分解された酸素はガスとして放出されるので、真空排気することにより容易に除去することができる。
As described above, a metal fluoride hydrate is finally converted into a metal oxide simply by heating at a high temperature. However, by flowing a mixed gas containing fluorine,
MF 2 · H 2 O + F 2 (gas) → MF 2 + 2HF (gas) + O (gas) (4)
It has become clear through experiments by the inventors that a dehydration reaction occurs. In the case of the above reaction, the decomposed oxygen is released as a gas and can be easily removed by evacuation.

図16に、温度環境を変えて、フッ素ガスを1%含ませた混合ガスをダスト成分の水和物に流速100sccmで2時間流したあとのダスト成分のX線回折分析の結果を示す。   FIG. 16 shows the result of X-ray diffraction analysis of the dust component after changing the temperature environment and flowing a mixed gas containing 1% fluorine gas to the hydrate of the dust component at a flow rate of 100 sccm for 2 hours.

200℃の温度環境で上記ガスを流した場合、検出されたのは大部分がフッ化金属であった。図示はしていないが、酸化金属は全く検出されていなかった。また、環境温度の上昇につれて、水和物が減少し、無水物に変化していくのが分かる。このことから、フッ素ガスを含む混合ガスをレーザチャンバ内にフローすることによって、レーザチャンバ内のダスト水和物から水分を脱水することが可能であることが分かる。
このように、本発明において、フッ素等の活性ハロゲンガスを含む混合ガスをレーザチャンバ内にフローしてダスト水和物の水分を脱水する方法を「ダスト脱水処理」と呼ぶ。上記実験データから得られた脱水反応の活性化エネルギーは39kJ/mol、そしてその指数因子は7.3であった。
When the above gas was allowed to flow in a temperature environment of 200 ° C., most of the metal fluoride was detected. Although not shown, no metal oxide was detected. Moreover, it turns out that a hydrate reduces and changes to an anhydride as an environmental temperature rises. From this, it is understood that moisture can be dehydrated from the dust hydrate in the laser chamber by flowing a mixed gas containing fluorine gas into the laser chamber.
Thus, in the present invention, a method of dehydrating the moisture of dust hydrate by flowing a mixed gas containing an active halogen gas such as fluorine into the laser chamber is called “dust dehydration treatment”. The activation energy of the dehydration reaction obtained from the above experimental data was 39 kJ / mol, and its index factor was 7.3.

図17に、上記物性値より、ダスト成分から99%以上の水分を脱水するために必要な時間を計算した結果を示す。図によれば、脱水反応に必要な時間はダスト水和物の環境温度が高くなるほど短くなり、たとえば110℃で46時間、150℃で14時間である。よって、上記方法を用いれば、レーザチャンバ内の部品の全分解とそれに伴うダスト清掃・除去、その後の再組立て等の手間をかけずに済み、さらには真空ベーキング処理を行うことなく、従来より短時間にレーザチャンバ内の水分を所定レベル以下まで除去できることが分かった。   FIG. 17 shows the result of calculating the time required to dehydrate 99% or more of moisture from the dust component from the above physical property values. According to the figure, the time required for the dehydration reaction becomes shorter as the environmental temperature of the dust hydrate becomes higher, for example, 46 hours at 110 ° C. and 14 hours at 150 ° C. Therefore, if the above method is used, it is not necessary to take the troubles such as total disassembly of the components in the laser chamber, dust cleaning / removal associated therewith, and subsequent reassembly. It has been found that the moisture in the laser chamber can be removed to a predetermined level or less over time.

次に、上記基本原理をふまえた実施例につき図を参照しながら説明する。   Next, an embodiment based on the above basic principle will be described with reference to the drawings.

図1に、本発明のドライリファブによるレーザチャンバ再生処理工程の1実施例を示す。また、図2に、上記ドライリファブを行うための設備レイアウトを示す。   FIG. 1 shows an embodiment of a laser chamber regeneration processing step using the dry refab of the present invention. FIG. 2 shows an equipment layout for performing the dry refab.

あとの説明の都合上、上記設備レイアウトについてまず説明しておく。   For the convenience of later description, the facility layout will be described first.

図2において、ドライリファブ室22の空気は除湿器23に送られる。送られてきた空気は、除湿器23内に設置した露点計で設定した露点温度になるまで脱水される。そしてここで脱水された空気は再びドライリファブ室22に送りこまれる。ドライリファブ室22にも露点計が設置してあり、室内が所定の露点温度になるように、除湿器23をフィードバック制御している。
なお、有毒ガスに対する安全確保のため、真空ポンプ24により排気ドラフタ25を常時稼動させてドライリファブ室22を負圧にしているので、ドライリファブ室22内に外部空気がたえず入り込んでいる。そのため、好ましくはドライリファブ室22を密閉構造にして、除湿器23の流量を大きくするのが良い。またドライリファブ室22に接して組立て室26が設けてあり、必要に応じて矢印26bで示すように部品搬入口26aを通じて部品を出し入れできるようになっている。ドライリファブ前室21と組立て室26も除湿しておくのが好ましい。
In FIG. 2, the air in the dry refab chamber 22 is sent to the dehumidifier 23. The sent air is dehydrated until the dew point temperature set by the dew point meter installed in the dehumidifier 23 is reached. The dehydrated air is sent again to the dry refab chamber 22. A dew point meter is also installed in the dry refab chamber 22, and the dehumidifier 23 is feedback-controlled so that the room has a predetermined dew point temperature.
For ensuring safety against toxic gases, the exhaust pump 25 is always operated by the vacuum pump 24 to make the dry refab chamber 22 have a negative pressure, so that external air constantly enters the dry refab chamber 22. For this reason, it is preferable to increase the flow rate of the dehumidifier 23 by making the dry refab chamber 22 a sealed structure. An assembly chamber 26 is provided in contact with the dry refab chamber 22 so that components can be taken in and out through the component carry-in port 26a as indicated by an arrow 26b. It is preferable that the dry refab front chamber 21 and the assembly chamber 26 are also dehumidified.

上記ドライリファブ設備レイアウトを用いて、実施例1では以下のようなレーザチャンバ再生処理が行われる。   In the first embodiment, the following laser chamber regeneration process is performed using the dry refab facility layout.

図1において、性能劣化してレーザ出力が低下したレーザチャンバ1は、紫外線ガスレーザ装置から切り離され、ドライリファブ前室21を経て、矢印で示したチャンバ搬入路21aを通ってドライリファブ室22に回収される。   In FIG. 1, the laser chamber 1 whose performance has deteriorated and the laser output has been reduced is separated from the ultraviolet gas laser device, and is collected in the dry refab chamber 22 through the dry refab front chamber 21 through the chamber carry-in path 21a indicated by the arrow. .

(ステップS11)回収されたレーザチャンバ1が大気開放され、再生処理が始まる。 (Step S11) The collected laser chamber 1 is opened to the atmosphere, and the regeneration process is started.

(ステップS12)大気開放されたレーザチャンバ1にたいして所定のドライリファブ処理Aを行う。 (Step S12) A predetermined dry refab process A is performed on the laser chamber 1 opened to the atmosphere.

図3に、上記ドライリファブ処理Aの実施例を示す(図2を参照)。   FIG. 3 shows an example of the dry refab process A (see FIG. 2).

レーザチャンバ1をドライリファブ室22に搬入し(ステップS31)、露点温度が所定温度になっていることを確認した後、レーザチャンバ1を大気開放する(ステップS32)。この時点で、レーザチャンバ1の内部が大気に曝されるが、露点温度を低く設定しているため、大気中の水分によるダスト堆積物への吸着量は少ない。次に、所定の消耗部品を交換し(ステップS33)、レーザチャンバ1を再び大気遮断し(ステップS34)、最後に、リークディテクタを用いてリークが無いかどうかチェックする(ステップS35)。ステップS32からステップS34までが、レーザチャンバの内部が大気曝露される時間であり、大気曝露時間は短いほど好ましい。   The laser chamber 1 is carried into the dry reclaim chamber 22 (step S31), and after confirming that the dew point temperature is a predetermined temperature, the laser chamber 1 is opened to the atmosphere (step S32). At this time, the inside of the laser chamber 1 is exposed to the atmosphere, but since the dew point temperature is set low, the amount of adsorption to dust deposits by moisture in the atmosphere is small. Next, predetermined consumable parts are replaced (step S33), the laser chamber 1 is shut off to the atmosphere again (step S34), and finally, a leak detector is used to check whether there is any leak (step S35). Steps S32 to S34 are the time during which the inside of the laser chamber is exposed to the atmosphere, and the shorter the air exposure time, the better.

(ステップS13)上記ドライリファブ処理Aを行い、所定の消耗部品が交換されたレーザチャンバ1は、図1において真空ベーキング処理工程に進む。これは、交換部品に吸着されている水分を除去するために実施するものであるが、上記理由によりレーザチャンバ1内に持ち込まれる水分量が少ないので真空ベーキングを短時間で済ますことができる。 (Step S13) The dry refab process A is performed, and the laser chamber 1 in which predetermined consumable parts are replaced proceeds to a vacuum baking process in FIG. This is performed to remove the moisture adsorbed on the replacement part. However, since the amount of moisture brought into the laser chamber 1 is small for the above reason, the vacuum baking can be completed in a short time.

(ステップS14)さらに、主電極を安定化させるために、放電パシベーション処理を行う。 (Step S14) Further, a discharge passivation treatment is performed to stabilize the main electrode.

(ステップS15)最後にレーザ性能の確認と調整が行われる。 (Step S15) Finally, the laser performance is confirmed and adjusted.

ステップS15を経てレーザチャンバ再生処理を終了したレーザチャンバ1は、紫外線ガスレーザ装置の交換用レーザチャンバとして供給される。   The laser chamber 1 that has finished the laser chamber regeneration process through step S15 is supplied as a replacement laser chamber of the ultraviolet gas laser device.

ドライリファブ時、レーザチャンバの大気開放時間を低減するために、交換する部品は、レーザチャンバを大気開放する前に交換が簡易なモジュール単位で用意されるのが望ましい。   In order to reduce the time during which the laser chamber is opened to the atmosphere during dry refab, it is desirable that the parts to be replaced be prepared in units of modules that can be replaced easily before the laser chamber is opened to the atmosphere.

図4に、レーザチャンバ1の中央部を、光軸に対して垂直方向に切断した断面模式図を示す。   FIG. 4 shows a schematic cross-sectional view of the center portion of the laser chamber 1 cut in a direction perpendicular to the optical axis.

図において、上チャンバ1aと下チャンバ1bで大気と遮断されたレーザチャンバ1の中央部には、上側の主電極2と下側の主電極3が対向して設けられている。主電極2は電極ホルダ4で、また主電極3は電極ホルダ5で保持されており、さらに電極ホルダ4はセラミックプレート6によって保持されている。セラミックプレート6は上チャンバ1aの上方に設けられた開口1cを大気遮断する役目も担っている。   In the figure, an upper main electrode 2 and a lower main electrode 3 are provided opposite to each other at the center of the laser chamber 1 which is cut off from the atmosphere by the upper chamber 1a and the lower chamber 1b. The main electrode 2 is held by an electrode holder 4, the main electrode 3 is held by an electrode holder 5, and the electrode holder 4 is held by a ceramic plate 6. The ceramic plate 6 also serves to block the opening 1c provided above the upper chamber 1a to the atmosphere.

さて上記レーザチャンバ1において、たとえば主電極2と主電極3のみを交換したい場合、レーザチャンバ1を大気開放した後、主電極2,3を保持している電極ホルダ4,5と、電極ホルダ4を保持しているセラミックプレート6なども同時に分解しなければならない。そのため、この分解作業および再組立に時間がかかってしまい、レーザチャンバ1内に吸着される水分量もその分だけ増加してしまう。   In the laser chamber 1, for example, when only the main electrode 2 and the main electrode 3 are to be exchanged, after the laser chamber 1 is opened to the atmosphere, the electrode holders 4 and 5 holding the main electrodes 2 and 3, and the electrode holder 4 The ceramic plate 6 holding the metal must also be disassembled at the same time. For this reason, this disassembling operation and reassembly take time, and the amount of moisture adsorbed in the laser chamber 1 increases accordingly.

これを回避するには、交換したい部品(ここでは主電極2,3)を含む部位をモジュール単位ですばやく交換してしまえばよい。図4の場合、5つの部位がモジュール化されている。すなわち、モジュールM1は主電極2、電極ホルダ4、そしてセラミックプレート6からなる部位、モジュールM2は主電極3、電極ホルダ5、予備電離用電極7からなる部位、モジュールM3は熱交換器の部位、モジュールM4はガス循環用ファン8と軸受け9からなる部位、そしてモジュールM5はダストフィルタの部位である。各モジュールは所定の固定治具で容易に脱着できるようになっている。 In order to avoid this, the part including the parts to be replaced (main electrodes 2 and 3 in this case) may be quickly replaced in units of modules. In the case of FIG. 4, five parts are modularized. That is, the module M1 is a part consisting of the main electrode 2, the electrode holder 4 and the ceramic plate 6, the module M2 is a part consisting of the main electrode 3, the electrode holder 5 and the preionization electrode 7, the module M3 is a part of the heat exchanger, The module M4 is a part composed of a gas circulation fan 8 and a bearing 9, and the module M5 is a part of a dust filter. Each module can be easily attached and detached with a predetermined fixing jig.

このように、ドライリファブを行う前に交換用モジュールを準備しておけば、ドライリファブの際に、一括して簡易に交換でき、交換時間を短縮できる。   As described above, if the replacement module is prepared before the dry refab, the replacement can be easily performed at the same time and the replacement time can be shortened.

図5に、消耗部品をモジュール単位で交換する場合のドライリファブ処理Bを示した。   FIG. 5 shows dry refab processing B in the case where consumable parts are replaced in units of modules.

ドライリファブ処理Bがドライリファブ処理Aと異なるところは、ステップS52でレーザチャンバを大気開放する前に、副工程のステップS52aで交換用モジュールを組立てて置き、ステップS53の交換作業において、準備しておいた交換用モジュールを一括して交換することである。その前後の工程はドライリファブAの場合と同様である。   The dry refab process B is different from the dry refab process A. Before the laser chamber is opened to the atmosphere in step S52, the replacement module is assembled in step S52a of the sub-process and prepared in the replacement operation in step S53. The replacement module is to be replaced at once. The steps before and after that are the same as in the case of dry refab A.

ところで、レーザチャンバ内に組み込んだ交換部品には水分が吸着しているため、ドライリファブ処理B後、レーザチャンバに真空ベーキング処理を行う必要がある。この真空ベーキング処理は、前述したように最大で約40時間を必要とし、作業効率が悪い。そこで、レーザチャンバに組み込む前に交換部品に真空脱ガス処理を施しておくことが望ましい。ここでいう真空脱ガス処理とは、真空度を10−4Pa以下にして、最大400℃で、約24時間加熱することであり、これにより交換部品に吸着した水分を効率よく脱水できる。 By the way, since moisture is adsorbed to the replacement parts incorporated in the laser chamber, it is necessary to perform a vacuum baking process on the laser chamber after the dry refab process B. As described above, this vacuum baking process requires about 40 hours at the maximum, and the working efficiency is poor. Therefore, it is desirable to subject the replacement part to vacuum degassing before incorporating it into the laser chamber. The vacuum degassing treatment referred to here is heating at a maximum degree of 400 ° C. for about 24 hours with a degree of vacuum of 10 −4 Pa or less, whereby water adsorbed on the replacement part can be efficiently dehydrated.

図8に、未処理のSUS部品と真空脱ガス処理を実施したSUS部品の放出ガス速度の昇温脱離スペクトルを示した。横軸は昇温パラメータであり、縦軸は昇温時におけるSUS部品からの放出ガス速度である。図から、たとえば400℃の真空脱ガス処理をすることによって、真空脱ガス処理後のSUS部品の吸着水分量が減少することが分かる。また、上記処理を施すことで、水分のみならず、水素、窒素、酸素、一酸化炭素、二酸化炭素の部品からの放出量も減少していることも確認されている。   FIG. 8 shows the temperature-programmed desorption spectrum of the release gas velocity of an untreated SUS part and a SUS part subjected to vacuum degassing. The horizontal axis is the temperature increase parameter, and the vertical axis is the gas release rate from the SUS part at the time of temperature increase. From the figure, it can be seen that, for example, by performing vacuum degassing at 400 ° C., the amount of adsorbed moisture of the SUS parts after vacuum degassing is reduced. It has also been confirmed that the amount of hydrogen, nitrogen, oxygen, carbon monoxide, and carbon dioxide released from the components is reduced by applying the above treatment.

図6に、本実施例の他のドライリファブ処理Cを示した。この処理工程ではドライリファブ処理Aに2つの副工程を付加している。すなわち、ステップS62でレーザチャンバを大気開放する前に、交換部品を予め真空脱ガス装置で脱ガスし(ステップS62a)、この交換部品を交換用モジュールに組立てておく(ステップS62b)。そしてレーザチャンバを大気開放した時点で上記脱ガスしておいた交換用モジュールを交換する(ステップS63)。その前後の工程はドライリファブAの場合と同様である。   FIG. 6 shows another dry refab treatment C of this example. In this processing step, two sub-steps are added to the dry refab processing A. That is, before the laser chamber is opened to the atmosphere in step S62, the replacement part is degassed in advance by a vacuum degasser (step S62a), and the replacement part is assembled into a replacement module (step S62b). Then, the replacement module that has been degassed when the laser chamber is opened to the atmosphere is replaced (step S63). The steps before and after that are the same as in the case of dry refab A.

上記2つの処理工程を付加し、十分に脱水処理された交換用モジュールをレーザチャンバ内に組み込むことにより、その後に行われる真空ベーキングの時間を従来より大幅に短縮あるいは真空ベーキング処理を省略することができる。   By adding the above two processing steps and incorporating a fully dehydrated replacement module into the laser chamber, the time for subsequent vacuum baking can be greatly reduced or the vacuum baking process can be omitted. it can.

ところで、真空脱ガス処理を施された交換部品を一度大気に曝すと、大気中の水分が再度吸着してしまう。短時間なら水分の吸着量は少ないが、交換部品を大気中に長時間放置しておくと、真空脱ガス処理前の状態に近づいてしまう。よって、真空脱ガス処理した交換部品は、所定の乾燥室に保管されることが望ましい。また部品から交換用モジュールを組み立てる場合、乾燥した室で交換用モジュールを組立てることが望ましい。場合によっては、これらの部品やモジュールを真空パック、あるいは不活性ガスを充填したパック等で保管しておいてもよい。   By the way, when the replacement part subjected to the vacuum degassing process is once exposed to the atmosphere, moisture in the atmosphere is adsorbed again. Although the amount of moisture adsorbed is small for a short time, if the replacement part is left in the atmosphere for a long time, the state before the vacuum degassing process is approached. Therefore, it is desirable to store the replacement parts that have been vacuum degassed in a predetermined drying chamber. When assembling the replacement module from the parts, it is desirable to assemble the replacement module in a dry room. In some cases, these parts and modules may be stored in a vacuum pack or a pack filled with an inert gas.

図7に、乾燥室で部品組立を実施する場合のドライリファブ処理Dを示した。図の二つの副工程において、ステップS72aで真空脱ガス処理された交換部品は乾燥した組立て室に搬入され、この室で交換部品の組立てが行われる(ステップS72b)。その後レーザチャンバを大気開放し(ステップS72)、ステップS73で部品の交換を行う。その前後の工程はドライリファブAの場合と同様である。   FIG. 7 shows a dry refab process D when parts are assembled in the drying chamber. In the two sub-processes in the figure, the replacement part that has been vacuum degassed in step S72a is carried into a dry assembly chamber, where the replacement part is assembled (step S72b). Thereafter, the laser chamber is opened to the atmosphere (step S72), and parts are replaced in step S73. The steps before and after that are the same as in the case of dry refab A.

なお、上記組立て室は、たとえば前述した図2の組立て室26のように、ドライリファブ室22の隣に設けられ、水分の多い大気中を通らずに、直接ドライリファブ室22に交換部品を搬入できるレイアウトであることが望ましい。同様の理由で、真空脱ガス装置やリークディテクタなども乾燥した組立て室26かドライリファブ室22内に設置されるのが望ましい。また、組立て室26の露点温度は−10℃以下であることが望ましい。 The assembly chamber is provided next to the dry refab chamber 22 as in the above-described assembly chamber 26 of FIG. 2, for example, so that the replacement parts can be directly carried into the dry refab chamber 22 without passing through the atmosphere with much moisture. It is desirable that For the same reason, it is desirable to install a vacuum degassing device, a leak detector, etc. in the dry assembly chamber 26 or the dry refab chamber 22. Further, it is desirable that the dew point temperature of the assembly chamber 26 is −10 ° C. or lower.

本発明のドライリファブ処理では、その露点温度を−30℃以下にすることがさらに望ましく、また、その時のレーザチャンバの大気開放時間は3時間以内であることが望ましい。   In the dry refab treatment of the present invention, it is more desirable that the dew point temperature be −30 ° C. or lower, and the time during which the laser chamber is opened to the atmosphere is preferably within 3 hours.

以上のように、上記ドライリファブ処理を行うことにより、真空ベーキング処理時間を短縮、あるいは省略することができ、従来より短時間にレーザチャンバ再生処理を終了することが可能となる。   As described above, by performing the dry refab process, the vacuum baking process time can be shortened or omitted, and the laser chamber regeneration process can be completed in a shorter time than before.

前述したように、レーザチャンバ内のダスト堆積物に吸着した水分をダスト脱水処理で脱水し、レーザチャンバ再生処理に伴うダスト堆積物の清掃・除去作業を省略することでレーザチャンバ再生処理時間の短縮を図ることもできる。   As described above, the moisture adsorbed on the dust deposit in the laser chamber is dehydrated by the dust dehydration process, and the cleaning and removing work of the dust deposit accompanying the laser chamber regeneration process is omitted, thereby shortening the laser chamber regeneration process time. Can also be planned.

図9に、本発明の第2の実施例としてダスト脱水処理を適用したレーザチャンバ再生処理工程を示す。   FIG. 9 shows a laser chamber regeneration processing step to which dust dehydration processing is applied as a second embodiment of the present invention.

劣化したレーザチャンバは再生処理室に搬送され、ステップS91で大気開放されるとともに、ステップS92で消耗部品が交換される。この場合、実施例1の場合と異なって大気の水分は除湿されていなくても良い。なお、部品の交換時間の短縮化を図るために、実施例1の図5〜図7で説明した副工程を適宜用いて交換部品の供給を行うことができる。次にステップS93でダスト脱水処理を行った後、ステップS94でただちに放電パシベーションを行う。その後に行われるレーザ性能確認・調整以下の工程は実施例1の場合と同様であり説明を省く。   The deteriorated laser chamber is transported to the regeneration processing chamber and released into the atmosphere in step S91, and the consumable parts are replaced in step S92. In this case, unlike the case of Example 1, the moisture in the atmosphere does not have to be dehumidified. In addition, in order to shorten the replacement time of parts, it is possible to supply replacement parts by appropriately using the sub-processes described in FIGS. Next, after dust dehydration processing is performed in step S93, discharge passivation is performed immediately in step S94. The subsequent steps after laser performance confirmation / adjustment are the same as those in the first embodiment and will not be described.

図10に、ダスト脱水処理を実施するための装置構成図を示す。   FIG. 10 shows an apparatus configuration diagram for carrying out the dust dehydration process.

レーザチャンバ1に、ガスポート用開口部31、32が離間して形成されており、両開口部31、32に、図示しないガス吸気ポートとガス排気ポートがそれぞれ取り付けられている。上記ガス吸気ポートには、所定の割合でフッ素ガスを希ガスと混合させたフッ素混合ガスボンベ33のガスライン33aと、ダスト脱水処理後にレーザチャンバ1内から余分なフッ素ガスを除去するための洗浄用の希ガスボンベ34のガスライン34aが並列して接続されている。 フッ素ガスを所定流量だけレーザチャンバ1内に送りこむために、ガスライン33aにはマスフローコントローラ(MFC)35を取り付けられている。   Gas port openings 31 and 32 are formed in the laser chamber 1 apart from each other, and a gas intake port and a gas exhaust port (not shown) are respectively attached to the openings 31 and 32. The gas intake port includes a gas line 33a of a fluorine mixed gas cylinder 33 in which fluorine gas is mixed with a rare gas at a predetermined ratio, and cleaning for removing excess fluorine gas from the laser chamber 1 after dust dehydration processing. The gas lines 34a of the rare gas cylinders 34 are connected in parallel. A mass flow controller (MFC) 35 is attached to the gas line 33a in order to send fluorine gas into the laser chamber 1 by a predetermined flow rate.

一方、上記ガス排気ポートには、有毒なフッ素ガスを除害するためのハロゲンフィルタ36を取り付けられており、さらに真空引きのためのロータリーポンプ37が配置されている。またフッ素ガスをフローさせるために、ロータリーポンプ37は、逆止弁38を介してバイパスされている。レーザチャンバ1の周囲には、高温加熱できるように、図示しないヒータが所定の箇所に取り付けられている。なお、ヒータは脱着が容易なマントルヒータが好適である。   On the other hand, a halogen filter 36 for removing toxic fluorine gas is attached to the gas exhaust port, and a rotary pump 37 for evacuation is disposed. Further, the rotary pump 37 is bypassed via a check valve 38 in order to cause the fluorine gas to flow. Around the laser chamber 1, a heater (not shown) is attached at a predetermined location so that the laser chamber 1 can be heated at a high temperature. The heater is preferably a mantle heater that can be easily detached.

図11に、上記構成図を用いたダスト脱水処理工程を示す。   FIG. 11 shows a dust dehydration process using the above configuration diagram.

(ステップS111)劣化したレーザチャンバ1を真空排気して、チャンバ1内にある大気成分を除去する。このときの真空度は10Pa程度で良い。 (Step S111) The deteriorated laser chamber 1 is evacuated to remove atmospheric components in the chamber 1. The degree of vacuum at this time may be about 10 Pa.

(ステップ112)たとえばフッ素ガスの割合を1%としたフッ素混合ガスを、フッ素混合ガスボンベ33からMFC35を介してレーザチャンバ1内に導入し、チャンバ1内に行き渡るようにフローさせる。フッ素混合ガスの流量は100sccm以上であることが望ましい。 (Step 112) For example, a fluorine mixed gas having a fluorine gas ratio of 1% is introduced into the laser chamber 1 from the fluorine mixed gas cylinder 33 through the MFC 35, and flows so as to reach the inside of the chamber 1. The flow rate of the fluorine mixed gas is desirably 100 sccm or more.

(ステップS113)レーザチャンバ1に取り付けたヒータを加熱し、チャンバ1が所定温度に到達した後、一定時間その温度に保持する。 (Step S113) The heater attached to the laser chamber 1 is heated, and after the chamber 1 reaches a predetermined temperature, the temperature is maintained for a certain time.

(ステップS114)所定のダスト脱水工程を終えた後、ヒータの電源を切り、フッ素混合ガスライン33aのフローを止め、レーザチャンバ1内をロータリーポンプ37で真空排気する。 (Step S114) After the predetermined dust dehydration process is completed, the heater is turned off, the flow of the fluorine mixed gas line 33a is stopped, and the inside of the laser chamber 1 is evacuated by the rotary pump 37.

(ステップS115)最後に、レーザチャンバ1内に希ガスボンベ34の希ガスを封入してダスト脱水処理工程を終了する。 (Step S115) Finally, the rare gas in the rare gas cylinder 34 is sealed in the laser chamber 1 to finish the dust dehydration process.

なお、上記ステップ113では、前述した図17のデータを参照して脱水処理を行えばよい。   In step 113, the dehydration process may be performed with reference to the data shown in FIG.

以上のように、本発明によれば、消耗した部品の交換作業と平行してレーザチャンバ内のダスト堆積物の清掃・除去を行わなくても、その後レーザチャンバを大気遮断した時点でダスト脱水処理を行うことにより、レーザチャンバ内のダスト堆積物に吸着した水分を、短時間に、しかも構成部品の細部にわたって除去することができる。その結果、構成部品を分解し、ダスト堆積物を清掃・除去し、再度部品組立てを行う必要がなくなり、また真空ベーキング工程を省略できるため、レーザチャンバ再生処理時間を大幅に短縮することができる。さらに、普通の大気環境でレーザチャンバを大気開放できることから、レーザチャンバ再生処理室を特に改造する必要がない。   As described above, according to the present invention, the dust dehydration process is performed at the time when the laser chamber is shut off to the atmosphere without performing cleaning / removal of dust deposits in the laser chamber in parallel with the replacement work of the worn parts. By performing the above, moisture adsorbed on the dust deposit in the laser chamber can be removed in a short time and over the details of the component parts. As a result, it is not necessary to disassemble the components, clean and remove dust deposits, and reassemble the components, and the vacuum baking process can be omitted, so that the laser chamber regeneration processing time can be greatly shortened. Furthermore, since the laser chamber can be opened to the atmosphere in a normal atmospheric environment, there is no need to particularly modify the laser chamber regeneration processing chamber.

なお、本実施例においては、ダスト脱水処理に用いる活性ガスをフッ素ガスとして説明したが、本発明はこれに限られるものではなく、フッ素ガス以外のハロゲンガスを適宜使用することができる。   In this embodiment, the active gas used for the dust dehydration process has been described as the fluorine gas. However, the present invention is not limited to this, and a halogen gas other than the fluorine gas can be used as appropriate.

図12に、本発明のレーザチャンバ再生処理方法の他の実施例を示した。   FIG. 12 shows another embodiment of the laser chamber regeneration processing method of the present invention.

本実施例の場合、ステップS121の再生処理スタート後、実施例1で用いたドライリファブ処理(ステップS122)を行い、次に実施例2で用いたダスト脱水処理を行う(ステップS123)というもので、水分の除外に有効な二つの処理工程を連続して組み合わせている。上記2つの処理およびその前後の工程については明らかであるのでその説明はここでは省く。   In the case of the present embodiment, after starting the regeneration process in step S121, the dry refab process (step S122) used in the first embodiment is performed, and then the dust dehydration process used in the second embodiment is performed (step S123). Two processing steps effective in removing moisture are combined in succession. Since the two processes and the processes before and after the two processes are obvious, the description thereof is omitted here.

上記方法により、レーザチャンバ内の水分を二段階で除去することが可能になり、水分を原因としたレーザ性能の悪化をさらに抑制することができる。また、本実施例の場合、たとえばドライリファブ処理を−20℃以上の露点温度で行っても、次にダスト脱水処理を施すことで、レーザ性能を悪化させないレベルまで水分を除去することが期待できる。   By the above method, it becomes possible to remove the moisture in the laser chamber in two stages, and it is possible to further suppress the deterioration of the laser performance caused by the moisture. In the case of the present embodiment, for example, even if dry refab treatment is performed at a dew point temperature of −20 ° C. or higher, it is expected that moisture is removed to a level that does not deteriorate laser performance by performing dust dehydration treatment next.

図13に、従来技術および上記三つの実施例によるレーザチャンバ再生処理時間を比較したデータを示す。図から明らかなように、従来技術でのレーザチャンバ処理時間を100%とした場合、実施例1で62%、実施例2と実施例3で66%となっており、いずれの実施例の場合も従来より大幅にレーザチャンバ再生処理時間の短縮化が達成できている。   FIG. 13 shows data comparing laser chamber regeneration processing times according to the prior art and the above three embodiments. As can be seen from the figure, when the laser chamber processing time in the prior art is 100%, it is 62% in the first embodiment and 66% in the second and third embodiments. In addition, the laser chamber regeneration processing time can be significantly shortened compared to the prior art.

以上説明したように、本発明のレーザチャンバ再生処理方法を用いれば、紫外線ガスレーザ装置のレーザチャンバ再生処理時間の短縮化を実現できる。   As described above, by using the laser chamber regeneration processing method of the present invention, it is possible to shorten the laser chamber regeneration processing time of the ultraviolet gas laser apparatus.

本発明のレーザチャンバ再生処理方法により、紫外線ガスレーザ装置のレーザチャンバのメンテナンスが容易になるとともに紫外線ガスレーザ装置の稼働率の向上に寄与することができる。   According to the laser chamber regeneration processing method of the present invention, the maintenance of the laser chamber of the ultraviolet gas laser device can be facilitated, and the operating rate of the ultraviolet gas laser device can be improved.

本発明の実施例1を説明するための工程図である。It is process drawing for demonstrating Example 1 of this invention. 本発明で使用される設備レイアウト例の概念図である。It is a conceptual diagram of the example of an equipment layout used by this invention. 本発明のドライリファブ処理Aを説明するための工程図である。It is process drawing for demonstrating the dry refab process A of this invention. 本発明におけるモジュールを説明するための断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram for demonstrating the module in this invention. ドライリファブ処理Bを説明するための工程図である。FIG. 5 is a process diagram for explaining a dry refab process B. ドライリファブ処理Cを説明するための工程図である。FIG. 6 is a process diagram for explaining dry refab processing C; ドライリファブ処理Dを説明するための工程図である。FIG. 5 is a process diagram for explaining a dry refab process D; SUS材における放出ガス速度の温度依存を示す図である。It is a figure which shows the temperature dependence of the discharge gas velocity in SUS material. 本発明の実施例2を説明するための工程図である。It is process drawing for demonstrating Example 2 of this invention. 本発明のダスト脱水処理を行うための装置構成図である。It is an apparatus block diagram for performing the dust dehydration process of this invention. ダスト脱水処理を説明するための工程図である。It is process drawing for demonstrating a dust dehydration process. 本発明の実施例3を説明するための工程図である。It is process drawing for demonstrating Example 3 of this invention. 従来および本発明の方法によるレーザチャンバ再生処理時間の比較図である。It is a comparison figure of the laser chamber reproduction | regeneration processing time by the method of the past and this invention. レーザチャンバ内に放出される水分量と露点温度の関係を示す図である。It is a figure which shows the relationship between the moisture content discharge | released in a laser chamber, and dew point temperature. レーザ出力の減少量と露点温度の関係を示す図である。It is a figure which shows the relationship between the reduction amount of a laser output, and dew point temperature. フッ素ガスによる脱水効果を説明する図である。It is a figure explaining the dehydration effect by fluorine gas. 99%以上の脱水を行うための時間と加熱温度の関係を計算した図である。It is the figure which calculated the relationship between the time for performing dehydration of 99% or more, and heating temperature. 従来のレーザチャンバ再生処理方法を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the conventional laser chamber reproduction | regeneration processing method.

符号の説明Explanation of symbols

M1〜M5 モジュール
1 レーザチャンバ
2、3 主電極
4,5 電極ホルダ
6 セラミックプレート
7 予備電離用電極
8 ガス循環用ファン
21 ドライリファブ前室
22 ドライリファブ室
23 除湿器
24 真空ポンプ
25 排気ドラフタ
26 組立て室
33 フッ素混合ガスボンベ
34 希ガスボンベ
35 マスフローコントローラ
36 ハロゲンフィルタ
37 ロータリーポンプ
M1 to M5 Module 1 Laser chamber 2, 3 Main electrode 4, 5 Electrode holder 6 Ceramic plate 7 Preionization electrode 8 Gas circulation fan 21 Dry refab front chamber 22 Dry refab chamber 23 Dehumidifier 24 Vacuum pump 25 Exhaust dryer 26 Assembly chamber 33 Fluorine mixed gas cylinder 34 Noble gas cylinder 35 Mass flow controller 36 Halogen filter 37 Rotary pump

Claims (12)

レーザチャンバを大気開放し、前記レーザチャンバ内の所定の部品を交換し、前記レーザチャンバを大気遮断するまでの間、前記レーザチャンバを乾燥した大気環境に保持しておくことを特徴とする紫外ガスレーザ装置のレーザチャンバ再生処理方法。 An ultraviolet gas laser characterized in that a laser chamber is opened to the atmosphere, a predetermined part in the laser chamber is replaced, and the laser chamber is kept in a dry atmospheric environment until the laser chamber is shut off to the atmosphere. Laser chamber regeneration processing method of apparatus. 前記乾燥した大気環境の露点温度が−20℃以下であることを特徴とする請求項1に記載の紫外ガスレーザ装置のレーザチャンバ再生処理方法。 The laser chamber regeneration processing method for an ultraviolet gas laser apparatus according to claim 1, wherein a dew point temperature of the dried atmospheric environment is -20 ° C or lower. レーザチャンバを大気開放し、前記レーザチャンバ内の所定の品を交換し、前記レーザチャンバを大気遮断し、その後に前記レーザチャンバ内にハロゲンガスまたはハロゲン化物ガスを含む混合ガスを流すことを特徴とする紫外ガスレーザ装置のレーザチャンバ再生処理方法。 The laser chamber is opened to the atmosphere, a predetermined product in the laser chamber is replaced, the laser chamber is shut off to the atmosphere, and then a mixed gas containing a halogen gas or a halide gas is allowed to flow into the laser chamber. A laser chamber regeneration processing method for an ultraviolet gas laser apparatus. 前記ハロゲンがフッ素であることを特徴とする請求項3に記載の紫外ガスレーザ装置のレーザチャンバ再生処理方法。 4. The laser chamber regeneration processing method for an ultraviolet gas laser device according to claim 3, wherein the halogen is fluorine. 前記レーザチャンバ内の温度を110℃以上とすることを特徴とする請求項3に記載の紫外ガスレーザ装置のレーザチャンバ再生処理方法。 4. The method of claim 3, wherein the temperature in the laser chamber is 110 [deg.] C. or higher. 請求項1に記載の前記大気遮断したレーザチャンバに、請求項3に記載の再生処理を行うことを特徴とする紫外ガスレーザ装置のレーザチャンバ再生処理方法。 A laser chamber regeneration processing method for an ultraviolet gas laser apparatus, wherein the regeneration process according to claim 3 is performed on the laser chamber cut off from the atmosphere according to claim 1. 請求項1に記載の前記大気遮断したレーザチャンバに、請求項5に記載の再生処理を行うことを特徴とする紫外ガスレーザ装置のレーザチャンバ再生処理方法。 A laser chamber regeneration processing method for an ultraviolet gas laser apparatus, wherein the regeneration process according to claim 5 is performed on the laser chamber cut off to the atmosphere according to claim 1. レーザチャンバを大気開放する前に所定の交換用モジュールを準備し、前記レーザチャンバを大気開放し、前記レーザチャンバ内の所定のモジュールと前記交換用モジュールとをモジュール単位で交換し、前記レーザチャンバを大気遮断することを特徴とする紫外ガスレーザ装置のレーザチャンバ再生処理方法。 A predetermined replacement module is prepared before the laser chamber is opened to the atmosphere, the laser chamber is opened to the atmosphere, the predetermined module in the laser chamber and the replacement module are replaced in units of modules, and the laser chamber is A laser chamber regeneration processing method for an ultraviolet gas laser device, characterized by shielding the atmosphere. 前記レーザチャンバを大気開放した時から、前記レーザチャンバを大気遮断するまでの間、前記レーザチャンバを乾燥した大気環境に保持しておくことを特徴とする請求項8に記載の紫外ガスレーザ装置のレーザチャンバ再生処理方法。 9. The laser of an ultraviolet gas laser device according to claim 8, wherein the laser chamber is maintained in a dry atmospheric environment from when the laser chamber is opened to the atmosphere until the laser chamber is shut off to the atmosphere. Chamber regeneration processing method. 前記交換用モジュールに真空脱ガス処理が施されていることを特徴とする請求項8に記載の紫外ガスレーザ装置のレーザチャンバ再生処理方法。 9. The laser chamber regeneration processing method for an ultraviolet gas laser device according to claim 8, wherein the replacement module is subjected to vacuum degassing processing. レーザチャンバを大気開放する前に部品単位で真空脱ガス処理した所定の交換用モジュール部品を準備し、前記レーザチャンバを大気開放し、前記レーザチャンバ内の所定の部品と前記交換用モジュール部品とを交換し、その後前記レーザチャンバを大気遮断することを特徴とする紫外レーザ装置のレーザチャンバ再生処理方法。 Prepare predetermined replacement module parts that have been vacuum degassed in units of parts before opening the laser chamber to the atmosphere, open the laser chamber to the atmosphere, and connect the predetermined parts in the laser chamber and the replacement module parts. A laser chamber regeneration processing method for an ultraviolet laser device, characterized in that the laser chamber is replaced and then the laser chamber is shut off to the atmosphere. 前記レーザチャンバを大気開放した時点から、前記レーザチャンバを大気遮断するまでの間、前記レーザチャンバを乾燥した大気環境に保持しておくことを特徴とする請求項11に記載の紫外ガスレーザ装置のレーザチャンバ再生処理方法。 The laser of the ultraviolet gas laser device according to claim 11, wherein the laser chamber is maintained in a dry atmospheric environment from the time when the laser chamber is opened to the atmosphere until the laser chamber is shut off to the atmosphere. Chamber regeneration processing method.
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