JP2006012474A - イオン質量分離方法及び装置 - Google Patents
イオン質量分離方法及び装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006012474A JP2006012474A JP2004184585A JP2004184585A JP2006012474A JP 2006012474 A JP2006012474 A JP 2006012474A JP 2004184585 A JP2004184585 A JP 2004184585A JP 2004184585 A JP2004184585 A JP 2004184585A JP 2006012474 A JP2006012474 A JP 2006012474A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- current
- ion
- density
- peak position
- measured
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Abstract
【解決手段】中和電子供給体7の電流と、プラズマ発生装置8のアーク電流と、引出し電極9の引出し電流とを設定して出口部3から導出されるイオンビームのビーム電流密度が所定の照射要求密度になるように調節した状態において、空芯励磁電流路6の磁石電流を変化させることにより磁場強度を変化させ、磁場強度の変化時における出口部3から導出されるイオンビームのビーム電流密度を測定し、測定したビーム電流密度の分布から所望イオン種の密度ピーク位置を計測し、計測した密度ピーク位置から基準磁石電流を計算して、磁石電流を設定する。
【選択図】図1
Description
2 入口部
3 出口部
5 イオン偏向ケーシング
6 空芯励磁電流路
7 中和電子供給体
8 プラズマ発生装置
9 引出し電極
15 アーク用フィラメント
16 ファラデーカップ
18 演算制御装置
19 磁石電流設定器
20 密度ピーク位置
21 基準磁石電流
22 許容範囲
23 ビーム特性調整装置
24 中和電流調節器
25 アーク電流調節器
26 引出し電流調節器
27 密度最大値
28 照射要求密度
29 許容範囲
Claims (7)
- 湾曲したイオン偏向ケーシングの一端の入口部と他端の出口部とを通るようにイオン偏向ケーシングの外周に湾曲に沿って幅方向へ導体を巻いた空芯励磁電流路により磁場を形成し、プラズマ発生装置においてアークにより生成したプラズマから引出し電極によりイオンビームを引出して前記イオン偏向ケーシングの入口部に導入し、前記磁場によりイオンビームを質量に応じて湾曲させると同時に、イオン偏向ケーシング内の中和電子供給体により中和電子を供給して所望イオン種のイオンビームを前記出口部から導出するようにしているイオン質量分離方法であって、中和電子供給体の電流と、プラズマ発生装置のアーク電流と、引出し電極の引出し電流とを設定して前記出口部から導出されるイオンビームのビーム電流密度が所定の照射要求密度になるように調節した状態において、空芯励磁電流路の磁石電流を変化させることにより磁場強度を変化させ、磁場強度の変化時における前記出口部から導出されるイオンビームのビーム電流密度を測定し、測定したビーム電流密度の分布から所望イオン種の密度ピーク位置を計測し、計測した密度ピーク位置から基準磁石電流を求め、磁石電流を設定することを特徴とするイオン質量分離方法。
- 前記イオン質量分離装置の運転時における所定期間ごとに前記所望イオン種の密度ピーク位置を計測し、計測した密度ピーク位置が基準磁石電流の許容範囲を外れた場合には、前記密度ピーク位置が前記基準磁石電流の許容範囲内になるように中和電子供給体の電流を制御することを特徴とする請求項1に記載のイオン質量分離方法。
- 前記計測した密度ピーク位置が前記基準磁石電流の許容範囲内になるように中和電子供給体の電流を制御することに加え、前記ビーム電流密度の密度最大値が前記照射要求密度の許容範囲内になるようにプラズマ発生装置のアーク電流又は引出し電極の引出し電流の少なくとも1つを制御することを特徴とする請求項2に記載のイオン質量分離方法。
- 一端に入口部を有し他端に出口部を有して湾曲したイオン偏向ケーシングと、該イオン偏向ケーシングの入口部と出口部とを通るようにイオン偏向ケーシングの外周に湾曲に沿って幅方向へ導体を巻いた空芯励磁電流路と、プラズマ発生装置と、該プラズマ発生装置で生成したプラズマからイオンビームを引出して前記イオン偏向ケーシングの入口部に導入する引出し電極と、前記イオン偏向ケーシングの内部に備えた中和電子供給体とを有し、前記空芯励磁電流路の磁場によりイオンビームを質量に応じて湾曲させて所望イオン種のイオンビームを前記出口部から導出するようにしているイオン質量分離装置であって、前記出口部から導出されるイオンビームのビーム電流密度を測定するファラデーカップと、該ファラデーカップで測定したビーム電流密度の分布から所望イオン種の密度ピーク位置を計測する演算制御装置と、該演算制御装置で演算した密度ピーク位置から計算して、前記空芯励磁電流路の磁石電流を設定する磁石電流設定器とを含む、イオンビームの特性を調節するビーム特性調整装置を備えたことを特徴とするイオン質量分離装置。
- 前記ビーム特性調整装置が、中和電子供給体の電流を変化させる中和電流調節器を含むことを特徴とする請求項4に記載のイオン質量分離装置。
- 前記ビーム特性調整装置が、プラズマ発生装置のアーク電流を変化させるアーク電流調節器を含むことを特徴とする請求項4に記載のイオン質量分離装置。
- 前記ビーム特性調整装置が、引出し電極の引出し電流を変化させる引出し電流調節器を含むことを特徴とする請求項4に記載のイオン質量分離装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004184585A JP4525203B2 (ja) | 2004-06-23 | 2004-06-23 | イオン質量分離方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004184585A JP4525203B2 (ja) | 2004-06-23 | 2004-06-23 | イオン質量分離方法及び装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006012474A true JP2006012474A (ja) | 2006-01-12 |
JP4525203B2 JP4525203B2 (ja) | 2010-08-18 |
Family
ID=35779490
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004184585A Expired - Fee Related JP4525203B2 (ja) | 2004-06-23 | 2004-06-23 | イオン質量分離方法及び装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4525203B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109148246A (zh) * | 2017-06-16 | 2019-01-04 | 上海凯世通半导体股份有限公司 | 离子注入设备及方法 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0594790A (ja) * | 1991-10-01 | 1993-04-16 | Nissin Electric Co Ltd | 質量分析器 |
JPH06103906A (ja) * | 1992-09-18 | 1994-04-15 | Hitachi Ltd | イオン打込装置の中和制御方式 |
JPH087822A (ja) * | 1994-06-24 | 1996-01-12 | Nissin Electric Co Ltd | イオン注入装置 |
JPH0992196A (ja) * | 1995-09-27 | 1997-04-04 | Hitachi Ltd | 走査イオン顕微鏡 |
JP2002203805A (ja) * | 2000-12-28 | 2002-07-19 | Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd | イオン質量分離方法及び装置、並びにイオンドーピング装置 |
JP2002230652A (ja) * | 2001-01-30 | 2002-08-16 | Nohmi Bosai Ltd | 車両防犯システム |
JP2003257356A (ja) * | 2002-02-27 | 2003-09-12 | Nissin Electric Co Ltd | イオンビーム照射装置 |
-
2004
- 2004-06-23 JP JP2004184585A patent/JP4525203B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0594790A (ja) * | 1991-10-01 | 1993-04-16 | Nissin Electric Co Ltd | 質量分析器 |
JPH06103906A (ja) * | 1992-09-18 | 1994-04-15 | Hitachi Ltd | イオン打込装置の中和制御方式 |
JPH087822A (ja) * | 1994-06-24 | 1996-01-12 | Nissin Electric Co Ltd | イオン注入装置 |
JPH0992196A (ja) * | 1995-09-27 | 1997-04-04 | Hitachi Ltd | 走査イオン顕微鏡 |
JP2002203805A (ja) * | 2000-12-28 | 2002-07-19 | Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd | イオン質量分離方法及び装置、並びにイオンドーピング装置 |
JP2002230652A (ja) * | 2001-01-30 | 2002-08-16 | Nohmi Bosai Ltd | 車両防犯システム |
JP2003257356A (ja) * | 2002-02-27 | 2003-09-12 | Nissin Electric Co Ltd | イオンビーム照射装置 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109148246A (zh) * | 2017-06-16 | 2019-01-04 | 上海凯世通半导体股份有限公司 | 离子注入设备及方法 |
CN109148246B (zh) * | 2017-06-16 | 2024-02-02 | 上海凯世通半导体股份有限公司 | 离子注入设备及方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4525203B2 (ja) | 2010-08-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4470127B2 (ja) | イオン注入装置及びイオンを注入する方法 | |
TW511113B (en) | Ion implantation with high brightness, low emittance ion source, acceleration-deceleration transport system and improved ion source construction | |
US20050223991A1 (en) | Faraday dose and uniformity monitor for plasma based ion implantation | |
JP2007525811A (ja) | イオンビーム電流の調整 | |
US20010046566A1 (en) | Apparatus and method for direct current plasma immersion ion implantation | |
TW200416769A (en) | Deflecting acceleration/deceleration gap | |
JP4411581B2 (ja) | イオン源装置及びそのための電子エネルギー最適化方法 | |
TW497159B (en) | System and method for removing contaminant particles relative to an ion beam | |
KR20100117646A (ko) | 이온 주입 장치, 이온 주입 방법 및 프로그램 | |
KR19990077744A (ko) | 광 방출 분광기를 사용해서 플라즈마 구성물을 조절하는 이온 주입시스템 및 그 방법 | |
KR101726560B1 (ko) | 이온 주입에서 강화된 저 에너지 이온 빔 이송 | |
JP2004039936A (ja) | ドーピング方法、ドーピング装置の制御システム、およびドーピング装置 | |
CN102124538B (zh) | 控制宽束一致性的系统和方法 | |
JP2009524908A (ja) | リボン状イオンビームのイオン注入システムのアーキテクチャ | |
CN104835709B (zh) | 为离子植入建立中电流带状离子束的方法及其离子束系统 | |
JP4525203B2 (ja) | イオン質量分離方法及び装置 | |
JP2005005328A (ja) | 不純物導入方法、不純物導入装置およびこれを用いて形成された半導体装置 | |
TWI479545B (zh) | 利用氣體饋送控制迴路使射束電流穩定 | |
JP3460242B2 (ja) | 負イオン注入装置 | |
JP6913678B2 (ja) | ビーム電流動作の広い範囲におけるイオンビームの制御 | |
JPWO2009122555A1 (ja) | 半導体装置の製造方法、イオンビームの調整方法及びイオン注入装置 | |
Kisaki et al. | Progress of experimental study on negative ion production and extraction | |
JP2000048734A (ja) | 高周波イオン源 | |
JP2007273150A (ja) | イオン注入装置用の質量分析器 | |
TW201608613A (zh) | 離子佈植方法與離子佈植機 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070425 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20091002 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20091027 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20091221 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100119 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100319 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100428 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100511 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100524 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130611 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130611 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140611 Year of fee payment: 4 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |