JP2006011238A - 液晶表示装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】本発明は低消費電力化が実現でき、形成プロセスが簡単で、電源を供給しなくても静止画表示を維持できる液晶表示装置を提供することにある。
【解決手段】
本発明は、上側主面に偏光素子を備え且つ下側主面に導電膜18を備えた表示面側の第1の基板14と、下側主面に偏光素子を備え且つ上側主面に導電膜3を備えた第2の基板15とが対向して配置されるとともに、前記第1及び第2の基板14、15の間隙に、液晶層12を配置し、且つ強誘電体の柱状スペーサー21を形成した。
【選択図】図4

Description

本発明はアクティブ型の液晶表示装置に関するものである。
近年、液晶表示装置は小型もしくは中型の携帯情報端末やノートパソコンの他に、大型かつ高精細のモニターにまで使用されている。さらにバックライトを使用しない反射型液晶表示装置の技術も開発されており、薄型、軽量および低消費電力化に優れている。
反射型液晶表示装置には、後方に配設した基板の内面に凹凸形状の光反射層を形成した散乱反射型があるが、バックライトを用いないことで、周囲の光を有効に利用している。
また、光反射層に代えて、半透過膜を形成し、バックライトを設け、反射モードや透過モードに使い分ける半透過型液晶表示装置も開発されている。
この半透過型液晶表示装置によれば、太陽光、蛍光灯などの外部照明によって反射型の装置として用いたり、あるいはバックライトを内部照明として装着して透過型の装置として使用するが、双方の機能を併せ持たせるために、半透過膜を使用している(特開平8−292413号および特開平7−318929号参照)。
また、光透過用ホールを設けた反射膜により、光透過用ホールから光の一部を透過させ、反射膜にて光の一部を反射させることにより半透過型液晶表示装置を実現する構成も提案されている(特開2000-19563号参照)。
携帯情報機器用途においては、長時間の電池駆動が必須となり、より消費電力の少ない表示装置が望まれている。そこで、電源を遮断しても表示を維持することを可能にするため、メモリー性を持った表示装置が必要とされる。このような液晶表示装置としては、強誘電性液晶、コレステリック型液晶等のメモリー性を有する液晶材料を用いる構造と、それぞれの画素にメモリー性を付与するためのフラッシュメモリー等の回路を設ける構造がある。前者の強誘電性液晶、コレステリック型液晶については、階調表示が難しい点や、衝撃に対する強度が弱い点や、使用温度範囲が狭いといった問題がある。後者のフラッシュメモリー等の回路を設ける構造については、画素構造の微細化が難しく、透過構造における開口率が低くなり、高精細化に不利であるといった問題がある。
このような問題を解決する液晶表示装置として、強誘電体キャパシタを液晶層に直列に接続した構造が提案されている。(特開2003−241169号および特開平09−236824号参照)。
特開2003−241169号公報 特開平09−236824号公報。
しかしながら、強誘電体キャパシタを液晶層に直列に接続すると、通常電源をつなぎ各画素に電圧を印加する際に、その電圧は液晶層と強誘電体キャパシタの容量の比率で分圧されてしまい。液晶層に十分な電圧を印加するために、より大きな電圧を画素に与えなければならず、消費電力が大きくなってしまう。
また、強誘電体層を形成する工程が増えてしまい、製造方法が複雑となり、不良率が高くなり、コストが高いという問題があった。
即ち、従来においては低消費電力化が実現でき、形成プロセスが簡単で、電源を供給しなくても静止画表示を維持できる液晶表示装置の実現ができていなかった。
本発明は上述の課題に鑑みて案出されたものであり、その目的は低消費電力化が実現でき、形成プロセスが簡単で、電源を供給しなくても静止画表示を維持できる液晶表示装置を提供することにある。
本発明は、上側主面に偏光素子を備え且つ下側主面に導電膜を備えた表示面側の第1の基板と、下側主面に偏光素子を備え且つ上側主面に導電膜を備えた第2の基板とが対向して配置されるとともに、前記第1及び第2の基板の間隙に、液晶層を配置し、且つ強誘電体の柱状スペーサーを形成したことを特徴とする液晶表示装置である。
また、前記表示面側の第1の基板にカラーフィルター層を形成し、前記第2の基板にアクティブ素子及び光透過穴を有する反射膜を形成したことを特徴とする。
また、前記第2の基板に光透過穴を有する反射膜、カラーフィルター層を形成し、前記表示面側の第1の基板にアクティブ素子を形成したことを特徴とする。
本発明では、第1の基板の下側主面(内面)に形成した導電膜と第2の基板の上側主面(内面)に形成した導電膜間に、液晶層と強誘電体の柱状スペーサーによる強誘電体キャパシタとが並列的に形成されることになる。これにより、電源の供給を止めた時にも強誘電体キャパシタにより、電荷を保持できるため表示を維持することができる。また、液晶に印加される電圧が、強誘電体の柱状スペーサーを形成したとしても分圧されないため、電源の供給時にも消費電力を低くすることができる。
よって、低消費電力化が実現でき、形成プロセスが簡単で、電源を供給しなくても静止画表示を維持できる液晶表示装置となる。
以下、本発明の液晶表示装置を図面に基づいて詳説する。
図1は、本発明の液晶表示装置の概略断面図を示すものである。図2は斜視図である。本発明の液晶表示装置は、液晶表示素子LCと、導光板60、光源62とからなるバックライトBLと両者を収容する筐体C1、C2から構成されている。
液晶表示素子LCは、図3に示すように表示側の第1の基板(図では符号14)
、バックライト側の第2の基板15、両透明基板14、15との間には、シール部Sによって周囲が囲まれた液晶層12が配置されている。また、基板14、
15のそれぞれ内面には、例えば、表示電極である導体膜、配向膜などが形成されている。図3では第1の基板14の内部に形成した導体膜を含む構造物を単に符号S1で示し、第2の基板15の内面に形成した導体膜を含む構造物を単に符号S2で示示している。
この第1の基板14の表示電極と第2の基板15の表示電極とは、互いに対向してあっており、表示面からみた時に、対向しあう領域(画素領域)がマトックス状に配列されている。
なお、各表示画素領域を構成する1画素には、たとえば透過型液晶表示装置においては、表示電極が全て透明電極で構成されてバックライトBLからの光を表示面側に透過しえる光透光部となり、半透過型液晶表示装置においては、一部が反射金属膜で構成された光反射部と、一部がバックライトBLの光を透過しえる光透過部を並設している。即ち、この半透過型液晶表示装置では、表示面側から入射した外部の光を利用して、画素領域の光反射部で反射し表示面側に戻すとともに、また、バックライトBLの光を透過させてその光を表示面側に与えている。これにより、外光が強い場合には、反射型モードで表示して、外光が弱い時とには、透過型モードで表示を行っている。
また、基板14、15の外面主面には、図では省略しているが、偏光板が配置され、さらに必要に応じて位相差フィルム、拡散フィルタなどが配置されている。
また、カラー表示を達成するために、第1の基板14の内部構造物S1または第2の基板15の内部構造物S1のいずれかには、各画素領域に対応したカラーフィルターが形成されている。
また、表示駆動方式によっては、たとえば図面で第1の基板14の内部構造部物S1または第2の基板15の内部構造物S2のいずれかには各画素領域に対応したTFT(薄膜トランジスタ)からなるスイッチング手段が形成されている。
基板14、15は、ガラス、透光性プラスチックなどが例示できる。また、導体膜である表示電極は、たとえば透明導電材料であるITOや酸化錫などで形成され、また、反射部を構成すると反射金属膜はアルミニウム(Al、Al合金(AlNd、AlTi)、Ag、Ag合金(AgPd、AgPdCu、AuCuAg))やチタンなどで構成されている。また、配向膜はラビング処理したポリイミド樹脂からなる。また、カラーフィルターを形成する場合には樹脂に染料や顔料など添加して、画素領域ごとに赤、緑、青の各色のフィルタを形成し、さらに各フィルタ間や画素領域の周囲を遮光目的で黒色樹脂を用いてもよい。
このような基板14と基板15は、シール部Sを介して貼り合わせ圧着し、そのシール部S一部の開口よりネマチック液晶などからなる液晶材を注入し、しかる後に、その注入口を封止する。また、この液晶表示素子LCの第2の基板15の外側(下面側)にはバックライトBLが配置されている。
このような液晶表示素子LCとバックライトBLは、たとえば表示領域が開口した上側の筐体C1とバックライトBLを保護する下側の筐体C2とに収容される。
バックライトBLは、導光板LTと導光板LTに供給される光源LSとから構成されている。
以下に、内部構造S1、S2の構造のうち1画素領域部分の構造を各断面構造図に基づいて説明する。説明においては符号15を付す基板は、上述の薄膜トランジスタスイッチング手段を形成した基板を示し、図1のように下側基板の第2の基板であったり(図4〜図6)、また、逆に表示側の第1の基板であったりする。
即ち、符号15は表示面側基板、下側基板を示すものではなく、薄膜トランジタが形成された基板を示し、他方の薄膜トランジスタが形成されていない側の基板を対向基板14として以下に説明を行う。
(実施形態例1、2、3)
図4は実施例1、図5実施例2、図6は実施例3の1画素領域部分の断面構造図であり、各画素領域のスイッチ手段である薄膜トランジスタを有する基板15が下部側の基板に用いた例であり、対向基板14上側基板である。
図4において、1はゲート配線、2は補助容量配線、3は透明電極、4は反射膜、5は薄膜トランジスタ、11は保護膜、12は液晶材料、18は透明電極、14、15はガラスまたはプラスチック等からなる透明材料からなる対向基板、下側基板である。
前記下側基板15については、基板15上に複数のゲート配線1と複数のソース配線6が交差(直交)するように配置され、これらの配線に囲まれた部分が画素であり、これらの配線の交差部には前記スイッチング素子である薄膜トランジスタ5が設けられている。
薄膜トランジスタ5は、従来周知のごとく、ゲート配線1の上部に、ゲート絶縁膜8、半導体層9、n−Si層10、ソース電極6、ドレイン電極7で構成される。
ゲート配線1はCr、Ta、Al、Al合金(AlTa、AlNd)等の金属薄膜で形成される。ゲート絶縁膜8はTaやSiNXやSiO等で形成される。半導体膜9はSiで形成される。ソース電極6とドレイン電極7は、Cr、Al、Al合金(AlTa、AlNd)等の金属膜で形成され、また透過孔有する反射膜4をAl、Al合金(AlTa、AlNd)、Ag、Ag合金等の金属膜で形成され、またITOからなる透明電極3と接続される。
画素電極は、前記透明電極(たとえば、ITOなどからなる)である透明電極3と前記金属層(たとえば、Al、Al合金(AlTa、AlNd)等からなる)である反射膜4との組合せからなり、反射膜4の被着領域に対応して反射モードとなし、反射膜4のない領域に対応して透過モードとなす。ここで、透過孔を全くなくし完全反射型液晶表示装置としてもよい。
本実施例ではRED,GREEN,BLUE用の画素全てにおいて同じ大きさの透過孔を形成(RED:GREEN:BLUE=30%、30%、30%)したが、例えばRED,GREEN,BLUE用画素において異なる大きさの透過孔を形成(RED:GREEN:BLUE=35%、25%、35%)して反射モードのホワイトバランスを黄色よりにし、透過モードのホワイトバランスを青よりにしてもよい。
図示していないが、以上のような構成のアクティブマトリクス基板上に配向膜を塗布している。
図4の液晶表示装置の上側基板(対向基板)14の上に1.0μmの膜厚で顔料分散したカラーフィルター16と0.12μmの膜厚のITO等からなる透明電極18と0.05μmの膜厚の配向膜(図示せず)を形成したものであって、一方部材と貼り合わせ、双方の基板間に液晶12を注入し、強誘電体からなる柱状のスペーサー21を両基板14、15に導電体膜である透明電極3、18間に形成し、本例の液晶表示装置が得られる。尚、強誘電体からなるスペーサー21は、図4のように直接透明電極3、18間に接続する形成してもよいし、透明電極3、18と柱状のスペーサー21の間に図では省略した配向膜が介在されていても構わない。
図5に示す実施例2の上側基板である対向基板14は、その内面側主面上に1.0μmの膜厚で顔料分散したカラーフィルター16を形成し、反射部に対応する部分にカラーフィルターが無い部分を形成する。本実施例ではRED,GREEN,BLUE用の画素全てにおいて同じ大きさのカラーフィルターが無い部分を形成(RED:GREEN:BLUE=10%、10%、10%)したが、例えばRED,GREEN,BLUE用画素において異なる大きさのカラーフィルターが無い部分を形成(RED:GREEN:BLUE=8%、24%、8%)して反射モードのホワイトバランスを青色よりにしてもよい。さらに、3.5μmの膜厚で透明なオーバーコート層を形成する。さらに、0.12μmの膜厚のITO等からなる透明電極18と0.05μmの膜厚の配向膜(図示せず)を形成したものであって、一方部材と貼り合わせ、双方の基板間に液晶12を注入し、強誘電体からなる柱状のスペーサー21を両基板14、15に導電体膜である透明電極3、18間に形成し、本例の液晶表示装置が得られる。
図6に示す実施例3の上側基板である対向基板14によれば、その内面側主面上に反射部に対応する部分のみに1.0μmの膜厚で透明樹脂からなる構造物を形成し、さらに顔料分散したカラーフィルター16を形成することにより、反射部に対応するカラーフィルター膜厚を0.7μm、透過部に対応するカラーフィルター膜厚を1.5μmに形成される。さらに、3.5μmの膜厚で透明なオーバーコート層を形成する。さらに、0.12μmの膜厚のITO等からなる透明電極13と0.05μmの膜厚の配向膜(図示せず)を形成したものであって、一方部材と貼り合わせ、双方の基板間に液晶12を注入し、強誘電体からなる柱状のスペーサー21を両基板14、15に導電体膜である透明電極3、18間に形成し、本例の液晶表示装置が得られる。
液晶層12のΔnd(液晶のΔnとセルギャップdとの積)を0.238μm(Δn=0.07、セルギャップ=3.4μm)としている。なお、液晶表示装置の液晶分子のねじれ角は70°である。
前記強誘電体からなる柱状のスペーサー21は、ポリマー系として、ポリフッ化ビニリデン(PVDF) -(CF2-CH2)n- 、フッ化ビニリデンオリゴマー(VDFオリゴマー) [CF3(CF2CH2)17I] 、(モノマー)フッ化ビニリデン(VDF) CF2=CH2 、(モノマー)トリフルオロエチレン(TrFE) CH2=CFH 、(モノマー)テトラフルオロエチレン(TFE) CH2=CF2 があり、無機系として、ニオブ酸リチウムLNO LiNbO3、タンタル酸リチウムLTO LiTaO3、チタン酸ジルコン酸鉛PZT Pb(Ti,Zr)O3、チタン酸鉛PTO PbTiO3、チタン酸バリウムBTO BaTiO3、SBTO、ハフニア(HFO2)、およびそのシリケート(HF−SI−O)とアルミネート(HF−AL−O)等からなる。
このよう構成では、図7に示すように、導電膜間に液晶層12による容量部CLCと強誘電体の柱状スペーサー21によるキャパシタCFEを並列に形成することにより、電源の供給を止めた時にも強誘電体キャパシタCFEにより、電荷を保持できるため表示を維持することができ、なおかつ、液晶12に印加される電圧は分圧されないため、電源の供給時にも消費電力を低くすることができた。
これに対して、特開2003−241169号および特開平09−236824号にて提案されている強誘電体キャパシタを液晶層に直列に接続した構造による回路図(図8参照)では、電源を供給を止めた時にも強誘電体キャパシタにより、電荷を保持できるため表示を維持することができる。しかしながら、液晶に印加される電圧は、液晶層からなるキャパシタと強誘電体からなるキャパシタにより分圧されるため、液晶に印加する電圧より高い電圧を印加しないとならないため、消費電力が高くなのである。
図9は実施例4、図10は実施例5、図11は実施例6の液晶表示装置における断面図である。図9〜11は、薄膜トランジスタが形成された基板15が上側基板である第1の基板となり、これ対向する対向基板14が下側基板である第2の基板となる。
図9〜11において、1はゲート配線、2は補助容量配線、3は透明電極、4は反射膜、5は薄膜トランジスタ、11は保護膜、12は液晶材料、18は透明電極、14、15はガラスまたはプラスチック等からなる透明基板である。
前記上側基板については、透明基板15上に複数のゲート配線1と複数のソース配線6が交差(直交)するように配置され、これらの配線に囲まれた部分が画素であり、これらの配線の交差部には前記スイッチング素子である薄膜トランジスタ5が設けられている。
薄膜トランジスタ5は、従来周知のごとく、ゲート配線1の上部に、ゲート絶縁膜8、半導体層9、n−Si層10、ソース電極6、ドレイン電極7で構成される。
ゲート配線1はCr、Ta、Al、Al合金(AlTa、AlNd)等の金属薄膜で形成される。ゲート絶縁膜8はTaやSiNXやSiO等で形成される。半導体膜9はSiで形成される。ソース電極6とドレイン電極7は、Cr、Al、Al合金(AlTa、AlNd)等の金属膜で形成され、またITOからなる透明電極と接続される。
図示していないが、以上のような構成のアクティブマトリクス基板15上に配向膜を塗布している。
実施例4の下側基板である対向基板14の上に透過孔有する反射膜をAl、Al合金(AlTa、AlNd)、Ag、Ag合金等の金属膜を0.12μmで形成され、金属膜の被着領域に対応して反射モードとなし、透過穴の領域に対応して透過モードとなす。本実施例ではRED,GREEN,BLUE用の画素全てにおいて同じ大きさの透過孔を形成(RED:GREEN:BLUE=30%、30%、30%)したが、例えばRED,GREEN,BLUE用画素において異なる大きさの透過孔を形成(RED:GREEN:BLUE=35%、25%、35%)して反射モードのホワイトバランスを黄色よりにし、透過モードのホワイトバランスを青よりにしてもよい。次に1.0μmの膜厚で顔料分散したカラーフィルター16と0.12μmの膜厚のITO等からなる透明電極18と0.05μmの膜厚の配向膜(図示せず)を形成したものであって、一方部材と貼り合わせ、双方の基板間に液晶12を注入し、強誘電体からなる柱状のスペーサー21を両基板14、15に導電体膜である透明電極3、18間に形成し、本例の液晶表示装置が得られる。
実施例5の下側基板である対向基板14の上に透過孔有する反射膜をAl、Al合金(AlTa、AlNd)、Ag、Ag合金等の金属膜を0.12μmで形成され、金属膜の被着領域に対応して反射モードとなし、透過穴の領域に対応して透過モードとなす。本実施例ではRED,GREEN,BLUE用の画素全てにおいて同じ大きさの透過孔を形成(RED:GREEN:BLUE=30%、30%、30%)したが、例えばRED,GREEN,BLUE用画素において異なる大きさの透過孔を形成(RED:GREEN:BLUE=35%、25%、35%)して反射モードのホワイトバランスを黄色よりにし、透過モードのホワイトバランスを青よりにしてもよい。次に、1.0μmの膜厚で顔料分散したカラーフィルター16を形成し、反射部に対応する部分にカラーフィルターが無い部分CFスリット20を形成する。本実施例ではRED,GREEN,BLUE用の画素全てにおいて同じ大きさのカラーフィルターが無い部分CFスリット20を形成(RED:GREEN:BLUE=10%、10%、10%)したが、例えばRED,GREEN,BLUE用画素において異なる大きさのカラーフィルターが無い部分CFスリット20を形成(RED:GREEN:BLUE=8%、24%、8%)して反射モードのホワイトバランスを青色よりにしてもよい。さらに、3.5μmの膜厚で透明なオーバーコート層を形成する。さらに、0.12μmの膜厚のITO等からなる透明電極18と0.05μmの膜厚の配向膜(図示せず)を形成したものであって、一方部材と貼り合わせ、双方の基板間に液晶12を注入し、強誘電体からなる柱状のスペーサー21を両基板14、15に導電体膜である透明電極3、18間に形成し、本例の液晶表示装置が得られる。
実施例6の下側基板によれば、対向基板14の上に透過孔有する反射膜をAl、Al合金(AlTa、AlNd)、Ag、Ag合金等の金属膜を0.12μmで形成され、金属膜の被着領域に対応して反射モードとなし、透過穴の領域に対応して透過モードとなす。本実施例ではRED,GREEN,BLUE用の画素全てにおいて同じ大きさの透過孔を形成(RED:GREEN:BLUE=30%、30%、30%)したが、例えばRED,GREEN,BLUE用画素において異なる大きさの透過孔を形成(RED:GREEN:BLUE=35%、25%、35%)して反射モードのホワイトバランスを黄色よりにし、透過モードのホワイトバランスを青よりにしてもよい。さらに、反射部に対応する部分のみに1.0μmの膜厚で透明樹脂からなる構造物を形成し、さらに顔料分散したカラーフィルター16を形成することにより、反射部に対応するカラーフィルター膜厚を0.7μm、透過部に対応するカラーフィルター膜厚を1.5μmに形成される。さらに、3.5μmの膜厚で透明なオーバーコート層を形成する。さらに、0.12μmの膜厚のITO等からなる透明電極18と0.05μmの膜厚の配向膜(図示せず)を形成したものであって、一方部材と貼り合わせ、双方の基板間に液晶12を注入し、強誘電体からなる柱状のスペーサー21を両基板14、15に導電体膜である透明電極3、18間に形成し、本例の液晶表示装置が得られる。
液晶層12のΔnd(液晶のΔnとセルギャップdとの積)を0.238μm(Δn=0.07、セルギャップ=3.4μm)としている。なお、液晶表示装置の液晶分子のねじれ角は70°である。
前記強誘電体からなるスペーサー21は、ポリマー系として、ポリフッ化ビニリデン(PVDF) -(CF2-CH2)n- 、フッ化ビニリデンオリゴマー(VDFオリゴマー) [CF3(CF2CH2)17I] 、(モノマー)フッ化ビニリデン(VDF) CF2=CH2 、(モノマー)トリフルオロエチレン(TrFE) CH2=CFH 、(モノマー)テトラフルオロエチレン(TFE) CH2=CF2 があり、無機系として、ニオブ酸リチウムLNO LiNbO3、タンタル酸リチウムLTO LiTaO3、チタン酸ジルコン酸鉛PZT Pb(Ti,Zr)O3、チタン酸鉛PTO PbTiO3、チタン酸バリウムBTO BaTiO3、SBTO、ハフニア(HFO2)、およびそのシリケート(HF−SI−O)とアルミネート(HF−AL−O)等からなる。
図12〜図14の実施例はアクティブマトリクス基板15が第2の基板(下部基板)であり、対向基板14が第1の基板(上側基板)に用いた液晶表示装置である。
図12に示す実施例7では対向基板14の上に1.0μmの膜厚で顔料分散したカラーフィルター16と、その上に反射部に対応する部分のみに2.3μmの膜厚で透明樹脂からなる構造物透明樹脂19aを形成し、反射部に対応する部分と透過部に対応する部分の液晶層の膜厚を異ならせる役割をしている。さらに、0.12μmの膜厚のITO等からなる透明電極18と0.05μmの膜厚の配向膜(図示せず)を形成している。
図13の実施例8では、対向基板14の上に1.0μmの膜厚で顔料分散したカラーフィルター16を形成し、反射部に対応する部分にカラーフィルターが無い部分を形成する。本実施例ではRED,GREEN,BLUE用の画素全てにおいて同じ大きさのカラーフィルターが無い部分CFスリット20を形成(RED:GREEN:BLUE=10%、10%、10%)したが、例えばRED,GREEN,BLUE用画素において異なる大きさのカラーフィルターが無い部分を形成(RED:GREEN:BLUE=8%、24%、8%)して反射モードのホワイトバランスを青色よりにしてもよい。その上に反射部に対応する部分のみに2.3μmの膜厚で透明樹脂からなる構造物透明樹脂19aを形成し、反射部に対応する部分と透過部に対応する部分の液晶層の膜厚を異ならせる役割をしている。さらに、0.12μmの膜厚のITO等からなる透明電極18と0.05μmの膜厚の配向膜(図示せず)を形成したものである。
図14の実施例9では、対向基板14の上に反射部に対応する部分のみに1.0μmの膜厚で透明樹脂からなる構造物透明樹脂19aを形成し、さらに顔料分散したカラーフィルター16を形成することにより、反射部に対応するカラーフィルター膜厚を0.7μm、透過部に対応するカラーフィルター膜厚を1.5μmに形成される。その上に反射部に対応する部分のみに2.3μmの膜厚で透明樹脂からなる構造物透明樹脂19bを形成し、反射部に対応する部分と透過部に対応する部分の液晶層の膜厚を異ならせる役割をしている。さらに、0.12μmの膜厚のITO等からなる透明電極18と0.05μmの膜厚の配向膜(図示せず)を形成したものである。
反射部の液晶層のΔnd(液晶のΔnとセルギャップdとの積)を0.138μm(Δn=0.06、セルギャップ=2.3μm)とし、透過部の液晶層のΔnd(液晶のΔnとセルギャップdとの積)を0.276μm(Δn=0.06、セルギャップ=4.6μm)とし、ている。なお、液晶表示装置の液晶分子のねじれ角は0°である。
図15〜17はアクティブマトリクス基板15が第1の基板(上部基板)であり、対向基板14が第2の基板(下側基板)に用いた液晶表示装置である(実施形態例10、11、12)。
図15に示す実施例10の下側基板である対向基板14の上に透過孔有する反射膜をAl、Al合金(AlTa、AlNd)、Ag、Ag合金等の金属膜を0.12μmで形成され、金属膜の被着領域に対応して反射モードとなし、透過穴の領域に対応して透過モードとなす。本実施例ではRED,GREEN,BLUE用の画素全てにおいて同じ大きさの透過孔を形成(RED:GREEN:BLUE=30%、30%、30%)したが、例えばRED,GREEN,BLUE用画素において異なる大きさの透過孔を形成(RED:GREEN:BLUE=35%、25%、35%)して反射モードのホワイトバランスを黄色よりにし、透過モードのホワイトバランスを青よりにしてもよい。ここで、透過孔を全くなくし完全反射型液晶表示装置としてもよい。
次に1.0μmの膜厚で顔料分散したカラーフィルター16と、その上に反射部に対応する部分のみに2.3μmの膜厚で透明樹脂からなる構造物透明樹脂19aを形成し、反射部に対応する部分と透過部に対応する部分の液晶層の膜厚を異ならせる役割をしている。0.12μmの膜厚のITO等からなる透明電極18と0.05μmの膜厚の配向膜(図示せず)を形成したものである。
図16の実施例11の下側基板である対向基板14の上に透過孔を有する反射膜をAl、Al合金(AlTa、AlNd)、Ag、Ag合金等の金属膜を0.12μmで形成され、金属膜の被着領域に対応して反射モードとなし、透過穴の領域に対応して透過モードとなす。本実施例ではRED,GREEN,BLUE用の画素全てにおいて同じ大きさの透過孔を形成(RED:GREEN:BLUE=30%、30%、30%)したが、例えばRED,GREEN,BLUE用画素において異なる大きさの透過孔を形成(RED:GREEN:BLUE=35%、25%、35%)して反射モードのホワイトバランスを黄色よりにし、透過モードのホワイトバランスを青よりにしてもよい。次に、1.0μmの膜厚で顔料分散したカラーフィルター16を形成し、反射部に対応する部分にカラーフィルターが無い部分CFスリット20を形成する。本実施例ではRED,GREEN,BLUE用の画素全てにおいて同じ大きさのカラーフィルターが無い部分を形成(RED:GREEN:BLUE=10%、10%、10%)したが、例えばRED,GREEN,BLUE用画素において異なる大きさのカラーフィルターが無い部分を形成(RED:GREEN:BLUE=8%、24%、8%)して反射モードのホワイトバランスを青色よりにしてもよい。その上に反射部に対応する部分のみに2.3μmの膜厚で透明樹脂からなる構造物透明樹脂19aを形成し、反射部に対応する部分と透過部に対応する部分の液晶層の膜厚を異ならせる役割をしている。さらに、0.12μmの膜厚のITO等からなる透明電極18と0.05μmの膜厚の配向膜(図示せず)を形成したものである。
図17に示す実施例12の下側基板である対向基板14の上に透過孔有する反射膜をAl、Al合金(AlTa、AlNd)、Ag、Ag合金等の金属膜を0.12μmで形成され、金属膜の被着領域に対応して反射モードとなし、透過穴の領域に対応して透過モードとなす。本実施例ではRED,GREEN,BLUE用の画素全てにおいて同じ大きさの透過孔を形成(RED:GREEN:BLUE=30%、30%、30%)したが、例えばRED,GREEN,BLUE用画素において異なる大きさの透過孔を形成(RED:GREEN:BLUE=35%、25%、35%)して反射モードのホワイトバランスを黄色よりにし、透過モードのホワイトバランスを青よりにしてもよい。さらに、反射部に対応する部分のみに1.0μmの膜厚で透明樹脂からなる構造物透明樹脂19aを形成し、さらに顔料分散したカラーフィルター16を形成することにより、反射部に対応するカラーフィルター膜厚を0.7μm、透過部に対応するカラーフィルター膜厚を1.5μmに形成される。その上に反射部に対応する部分のみに2.3μmの膜厚で透明樹脂からなる構造物19bを形成し、反射部に対応する部分と透過部に対応する部分の液晶層の膜厚を異ならせる役割をしている。さらに、0.12μmの膜厚のITO等からなる透明電極18と0.05μmの膜厚の配向膜(図示せず)を形成したものである。
反射部の液晶層のΔnd(液晶のΔnとセルギャップdとの積)を0.138μm(Δn=0.06、セルギャップ=2.3μm)とし、透過部の液晶層のΔnd(液晶のΔnとセルギャップdとの積)を0.276μm(Δn=0.06、セルギャップ=4.6μm)とし、ている。なお、液晶表示装置の液晶分子のねじれ角は0°である。
尚上述の実施例では、液晶表示装置にバックライト備え、外部の光を液晶表示素子LC内の反射部で反射して、バックライトの光を透過部で透過させて表示を行う半透過型であるが、完全透過型の表示を行う際には、画素電極である導体膜を透明電極(たとえば、ITOなどからなる)にて形成し、また、反射型の表示を行う際には第2の基板(下側の基板)の画素電極である導体膜を、金属層(たとえば、Al、Al合金(AlTa、AlNd)等、Ag、Ag合金等からなる)から形成すればよい。
本発明の液晶表示装置の断面図である 本発明の液晶表示装置の概略斜視図である 本発明の液晶表示装置に用いられる液晶表示素子の構造を示す断面図である。 実施例1の液晶表示装置における断面図である。 実施例2の液晶表示装置における断面図である。 実施例3の液晶表示装置における断面図である 本発明の液晶表示装置の画素領域における等価回路図である。 従来の液晶表示装置の画素領域における等価回路図である。 実施例4の液晶表示装置における断面図である 実施例5の液晶表示装置における断面図である 実施例6の液晶表示装置における断面図である 実施例7の液晶表示装置における断面図である 実施例8の液晶表示装置における断面図である 実施例9の液晶表示装置における断面図である 実施例10の液晶表示装置における断面図である 実施例11の液晶表示装置における断面図である。 実施例12の液晶表示装置における断面図である。
符号の説明
1…ゲート配線
2…補助容量配線
3…透明電極
4…反射膜
5…薄膜トランジスタ
6…ソース電極
7…ドレイン電極
8…ゲート絶縁膜
9…半導体層
10…n−Si層
11…保護膜
12…液晶材料
13…オーバーコート層
14、15…基板
16…カラーフィルター
18…透明電極
19a…透明樹脂
19b…透明樹脂
20…CFスリット
21…強誘電体スペーサー

Claims (3)

  1. 上側主面に偏光素子を備え且つ下側主面に導電膜を備えた表示面側の第1の基板と、下側主面に偏光素子を備え且つ上側主面に導電膜を備えた第2の基板とが対向して配置されるとともに、前記第1及び第2の基板の間隙に、液晶層を配置し、且つ強誘電体の柱状スペーサーを形成したことを特徴とする液晶表示装置。
  2. 前記表示面側の第1の基板にカラーフィルター層を形成し、前記第2の基板にアクティブ素子及び光透過穴を有する反射膜を形成したことを特徴とする、請求項1記載の液晶表示装置。
  3. 前記第2の基板に光透過穴を有する反射膜、カラーフィルター層を形成し、前記表示面側の第1の基板にアクティブ素子を形成したことを特徴とする請求項1記載の液晶表示装置。
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