JP2006004946A - フラットランプ - Google Patents

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▲尚▼ 勳 藏
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永 模 金
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聖 儀 李
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起 永 金
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Abstract

【課題】 フラットランプを提供する。
【解決手段】 互いに対向するように配置され、その間に放電空間を形成する下部基板及び上部基板と、下部基板と上部基板のうち少なくとも一つに形成される複数の放電電極と、下部基板と上部基板との間に設けられて、下部基板と上部基板との間隔を一定に維持する複数のスペーサと、前記放電空間の内壁に形成される蛍光体層と、各スペーサの内部に少なくとも一つ設けられて、放電電極に印加される電圧に応じて電圧を誘起する少なくとも一つの補助電極と、を備えることを特徴とするフラットランプ。
【選択図】 図2

Description

本発明はフラットランプに関し、より詳細には、放電電圧を低下させ、発光効率を向上させることができる改善された構造のフラットランプに関する。
主に、液晶ディスプレイ(Liquid Crystal Display;LCD)のバックライトとして利用されているフラットランプは、従来は冷陰極蛍光ランプを利用したエッジ・ライト方式またはダイレクト・ライト方式であったが、発光効率、輝度の均一度などの観点から、発光面の下部全体が放電空間となる面放電型や対向放電型フラットランプが開発されている。面放電型フラットランプは、対向放電型フラットランプに比べて放電特性が安定しているという利点があるが、全体的な輝度は、対向放電型フラットランプに比べて劣っているのが一般的である。
図1は、従来の面放電型フラットランプの一例を示す。図1に示すように、下部基板10と上部基板20とが、複数のスペーサ14により一定の間隔で離隔されて互いに対向するように配置される。このような下部基板10と上部基板20との間には、プラズマ放電がおきる放電空間が形成され、この放電空間の内部には、主にネオン(Ne)ガスとキセノン(Xe)ガスとが混合された放電ガスが満たされる。
前記下部基板10と上部基板20の内面(下部基板10の上面及び上部基板20の下面)及びスペーサ14の両側面には、放電によって発生した紫外線によって励起されて、可視光を発生する蛍光体層13が形成されている。そして、前記下部基板10及び上部基板20上には、プラズマ放電を引き起こすための複数の放電電極が形成される。具体的には、下部基板10及び上部基板20の外面(下部基板10の下面及び上部基板20の上面)には、それぞれ第1、第2下部電極12a、12bと第1、第2上部電極22a、22bとが対をなして形成される。ここで、第1下部電極12a及び第1上部電極22aには同じ電位が印加されて、これらの間には放電が誘導されない。そして、第2下部電極12b及び第2上部電極22bにもやはり同じ電位が印加されて、これらの間に放電が誘導されない。一方、第1下部電極12aと第2下部電極12bとの間及び第1上部電極22aと第2上部電極22bとの間には、それぞれ所定の電位差が存在して、下部基板10または上部基板20に平行な方向に面放電が誘導される。
しかし、前記のような構造のフラットランプでは、発光効率を高めるために、放電電極間の間隔を広くするか、または、Xeガスの分圧や放電ガスの圧力を高めれば、放電電圧が上昇するという問題が起こる。
本発明は、前記のような問題点を鑑みてなされたものであり、放電電圧を低下させし放電効率を向上させることができる改善された構造のフラットランプを提供する。
前記目的を達成するために、本発明の実施形態によるフラットランプは、互いに対向するように配置され、その間に放電空間を形成する下部基板及び上部基板と、前記下部基板と上部基板のうち少なくとも一方に形成される複数の放電電極と、前記下部基板と上部基板との間に設けられて、前記下部基板と上部基板との間隔を一定に維持する複数のスペーサと、前記放電空間の内壁に形成される蛍光体層と、前記各スペーサ内部に少なくとも一つ設けられて、前記放電電極に印加される電極に応じて電圧を誘起する補助電極と、を備える。
前記放電電極は、前記下部基板の下面と上部基板の上面のうち少なくとも一方に形成されることが望ましい。
前記スペーサは、前記放電電極と直交する方向に設けられることが望ましく、さらに、前記スペーサは、四角形の断面や円形の断面を持つことが望ましい。そして、前記スペーサは、透明なガラス材質の誘電物質からなることが望ましい。
前記スペーサの内部には、2個の補助電極が前記スペーサの長手方向に互いに平行に設けられることが望ましい。前記2個の補助電極は、水平方向に互いに離隔して配置されることもでき、垂直方向に互いに離隔して配置されることもできる。
前記補助電極は、金属からなることが望ましく、前記金属は、銀(Ag)、銅(Cu)及びクロム(Cr)からなる群より選択される少なくとも一種からなってもよい。
前記下部基板と上部基板との間には、複数の補助スペーサが前記スペーサと直交する方向に設けられる。ここで、前記複数の補助スペーサの少なくとも一部は、前記スペーサより低く形成されることが望ましい。そして、前記複数の補助スペーサの少なくとも一部の表面には、前記蛍光体層が形成されることが望ましい。
前記放電空間の内部には、NeガスとXeガスとが混合された放電ガスが満たされることが望ましい。
本発明の他の実施形態によるフラットランプは、互いに対向するように配置されて、その間に放電空間を形成する下部基板及び上部基板と、前記下部基板と上部基板のうち少なくとも一方に形成される複数の放電電極と、前記下部基板と上部基板との間に設けられて、前記下部基板と上部基板との間隔を一定に維持する複数のスペーサと、前記放電空間の内壁に形成される蛍光体層と、前記下部基板と上部基板のうち少なくとも一方に形成されて、前記放電電極に印加される電圧に応じて電圧を誘起する複数の補助電極と、を備える。
前記放電電極は、前記下部基板の下面と上部基板の上面のうち少なくとも一方に形成されることが望ましい。
前記補助電極は、前記放電電極と直交する方向に形成されることが望ましい。前記補助電極は、前記下部基板の上面と上部基板の下面のうち少なくとも一方に形成され、前記補助電極が設けられた前記下部基板の上面と上部基板の下面のうち少なくとも一方には、前記補助電極を覆うように誘電体層が形成されることが望ましい。
前記補助電極は、ITO(Indium Tin Oxide)のような透明な導電性材料から構成されることが望ましい。一方、前記補助電極は、Ag、Cu及びCrからなる群より選択される少なくとも一種からなることが望ましい。
本発明によるフラットランプによれば、放電電極に電圧が印加されることによって電圧を誘起する補助電極をスペーサ内部に設けることによって、放電電圧を低めることができる。これにより、Xeガスの分圧及び放電ガスの圧力を高めることができて、発光効率を向上させることができる。
以下、添付された図面を参照して本発明による望ましい実施形態を詳細に説明する。図面で、同じ参照符号は同じ構成要素を示す。
図2は、本発明の一実施形態によるフラットランプの一部分離斜視図である。そして、図3及び図4は、それぞれ図2に図示されたフラットランプの概略断面図及び平面図である。
図2ないし図4に示すように、下部基板110と上部基板120とが離隔して互いに対向するように配置される。このような下部基板110と上部基板120との間には、プラズマ放電がおきる放電空間が形成され、この放電空間の内部には、主にNeガスとXeガスとが混合された放電ガスが満たされる。
前記下部基板110の下面には、放電電極である第1及び第2下部電極112a、112bが対をなして互いに平行にストライプ状に形成される。ここで、前記第1及び第2下部電極112a、112bに所定の電圧が印加されれば、放電空間の内部でプラズマ放電がおきる。そして、前記上部基板120の上面にも、放電電極である第1及び第2上部電極122a、122bが対をなして、前記第1及び第2下部電極112a、112bと平行な方向に、ストライプ状に形成される。ここで、前記第1及び第2上部電極122a、122bにも、プラズマ放電を引き起こすために所定の電圧が印加される。なお、本実施形態の変形例として、下部基板110の下面にのみ第1及び第2下部電極112a、112bを形成してもよいし、または、上部基板120の上面にのみ第1及び第2上部電極122a、122bを形成してもよい。
前記下部基板110と上部基板120との間には、下部基板110と上部基板120とが互いに一定の間隔を維持するように複数のスペーサ114が設けられる。このようなスペーサ114は、放電電極112a、112b、122a、122bと直交する方向に互いに平行に配置される。前記スペーサ114は、四角形の断面を持つ。そして、このようなスペーサ114は誘電物質からなり、望ましくは、透明なガラス材質からなる。
前記各スペーサ114の内部には、第1及び第2補助電極140a、140bがスペーサ114の長手方向に互いに平行に設けられ、前記第1及び第2補助電極140a、140bは、水平方向に互いに離隔して配置される。前記第1及び第2補助電極140a、140bは、導電性材料であるAg、Cu及びCrのうち少なくともいずれか一種の金属からなる。このような第1及び第2補助電極140a、140bは、放電電極112a、112b、122a、122bに所定の電圧を印加することで電圧を誘起するフローティング電極である。なお、本実施形態の変形例として、スペーサ114の内部に1つ又は3つ以上の補助電極を設けてもよい。
前記放電空間の内壁には、放電によって発生した紫外線によって励起されて、可視光を発生する蛍光体層130が形成される。すなわち、前記蛍光体層130は、下部基板110の上面、上部基板120の下面及びスペーサ114の両側面に所定の厚さに塗布される。
前記のような構造のフラットランプで、第1及び第2下部電極112a、112bに、例えば、2000V、0Vの電圧が印加され、第1及び第2上部電極122a、122bに、例えば、2000V、0Vの電圧が印加されれば、第1及び第2補助電極140a、140bには、2000Vより低い所定の電圧が誘起される。そして、このように誘起された電圧によって、第1、第2補助電極140a、140bと第2下部電極112bとの間及び第1、第2補助電極140a、140bと第2上部電極122bとの間には、開始放電が立ち上がり、これにより、放電電圧は従来のフラットランプにおける電圧より低くなる。そして、開始放電が発生した後には、維持放電が第1下部電極112aと第2下部電極112bとの間及び第1上部電極122aと第2上部電極122bとの間に立ち上がる。
図5は、本発明の実施形態によるフラットランプの変形例を示す。図5に示すように、下部基板110と上部基板120との間に、スペーサ114と直交する方向に複数の補助スペーサ115が互いに平行に設けられる。ここで、前記補助スペーサ115は、スペーサ114より低く形成されることが望ましい。そして、前記補助スペーサ115の表面、すなわち、補助スペーサ115の両側面及び上面には、蛍光体層130が形成される。このように、下部基板110と上部基板120との間に補助スペーサ115を備え、前記補助スペーサ115の表面に蛍光体層130を形成すれば、図2に図示されたフラットランプよりさらに多くの可視光を発生することができるので発光効率が向上する。
図6ないし図8は、本発明の他の実施形態によるフラットランプの断面をそれぞれ図示したものである。以下では、前述した実施形態と異なる点のみを説明する。
まず、図6に図示されたフラットランプでは、下部基板110と上部基板120との間には、円形の断面を持つ複数のスペーサ214が設けられる。そして、前記各スペーサ214の内部には、放電電極(図2の112a、112b、122a、122b)に印加された電圧によって電圧が誘起される第1及び第2補助電極240a、240bが設けられる。なお、本実施形態の変形例として、スペーサ214の内部に1つ又は3つ以上の補助電極を設けてもよい。このように、円筒形のスペーサ214を下部基板110と上部基板120との間に備えれば、スペーサ214の表面にさらに多くの蛍光体層130を塗布でき、これにより、ランプの発光効率が向上する。そして、スペーサ214と上部基板120とが接触する面積が減ることによって、さらに多くの可視光が上部基板120を通じて放射される。
図7に図示されたフラットランプでは、下部基板110と上部基板120との間には、複数のスペーサ114が設けられ、各スペーサ114の内部には、放電電極(図2の112a、112b、122a、122b)に印加された電圧によって電圧を誘起する一つの補助電極340が設けられる。なお、本実施形態の変形例として、スペーサ114を円筒形に形成してもよい。
図8に図示されたフラットランプでは、下部基板110と上部基板120との間に複数のスペーサ114が設けられ、各スペーサ114の内部には、放電電極(図2の112a、112b、122a、122b)に印加された電圧によって電圧を誘起する第1及び第2補助電極440a、440bが垂直方向(図8の上下方向)、すなわち、各スペーサの上下部に互いに離隔して配置される。なお、本実施形態の変形例として、スペーサ114の内部に3つ以上の補助電極を垂直方向に設けてもよく、スペーサ114を円筒形に形成してもよい。
図9は、本発明のさらに他の実施形態によるフラットランプの一部分離斜視図であり、図10は、図9に図示されたフラットランプの断面図である。
図9及び図10に示すように、下部基板510と上部基板520とが互いに離隔されて対向するように配置され、その間には放電空間が形成される。この放電空間の内部には、主にNeガスとXeガスとが混合された放電ガスが満たされる。前記下部基板510の下面には、放電電極である第1及び第2下部電極512a、512bが対をなして互いに平行にストライプ状に形成される。そして、前記上部基板520の上面にも、放電電極である第1及び第2上部電極522a、522bが、第1及び第2下部電極512a、512bと平行な方向に対をなして形成される。なお、本実施形態の変形例として、下部基板510の下面にのみ第1及び第2下部電極512a、512bを形成してもよいし、または、上部基板520の上面にのみ第1及び第2上部電極522a、522bを形成してもよい。
前記下部基板510と上部基板520との間には、下部基板510と上部基板520とが一定の間隔を維持するように、複数のスペーサ514が設けられる。このようなスペーサ514は、放電電極512a、512b、522a、522bと直交する方向に、互いに平行に配置される。しかし、前記スペーサ514は、放電電極512a、512b、522a、522bと平行な方向に配置されることもできる。前記スペーサ514は、透明なガラス材質からなることが望ましい。本実施形態ではスペーサ514の断面形状は四角形であるが、変形例として、円筒形のスペーサを設けてもよい。
そして、前記下部基板510と上部基板520との間には、複数の補助スペーサ515がスペーサ514と直交する方向に設けられる。ここで、前記補助スペーサ515は、スペーサ514より低く形成されることが望ましい。
前記下部基板510の上面には、第1及び第2下部電極512a、512bと直交する方向に第1補助電極540aが互いに平行に形成される。そして、前記上部基板520の下面には、第1及び第2上部電極522a、522bと直交する方向に、第2補助電極540bが互いに平行に形成される。なお、本実施形態の変形例として、下部基板510の上面と上部基板520の下面のいずれか一方のみに補助電極を形成してもよい。前記第1及び第2補助電極540a、540bは、透明な導電性材料、例えばインジウム・錫酸化物(Indium Tin Oxide;ITO)からなることが望ましい。あるいは導電性材料であるAg、Cu及びCrのうち少なくともいずれか一種の金属からなってもよい。このような第1及び第2補助電極540a、540bは、それぞれ第1、第2下部電極512a、512b及び第1、第2上部電極522a、522bに所定の電圧を印加することで、電圧を誘起するフローティング電極である。
前記下部基板510の上面には、第1補助電極540aを覆うように所定厚さの第1誘電体層511が形成される。そして、前記上部基板520の下面には、第2補助電極540bを覆うように、所定厚さの第2誘電体層521が形成される。なお、本実施形態の変形例として、補助電極が設けられた、下部基板510の上面又は上部基板520の下面のいずれか一方のみに誘導体層を形成してもよい。
前記放電空間の内壁をなす第1誘電体層511の上面、第2誘電体層521の下面及びスペーサ514の両側面には、蛍光体層530が形成される。また、前記蛍光体層530は、前記補助スペーサ515の両側面及び上面にも形成される。
前記のような構造のフラットランプで、第1及び第2下部電極512a、512bに、例えば、2000V、0Vの電圧が印加され、第1及び第2上部電極522a、522bに、例えば、2000V、0Vの電圧が印加されれば、第1補助電極540a及び第2補助電極540bには、2000Vより低い所定の電圧が誘起される。そして、このように誘起された電圧によって、第1補助電極540aと第2下部電極512bとの間及び第2補助電極540bと第2上部電極522bとの間には、開始放電が起き、これにより、放電電圧は、従来のフラットランプにおける電圧より低くなる。そして、開始放電が発生した後には、維持放電が、第1下部電極512aと第2下部電極512bとの間及び第1上部電極522aと第2上部電極522bとの間に立ち上がる。
図11は、図1に図示された従来のフラットランプと、図2に図示された本発明の実施形態によるフラットランプとの放電電圧を比較するグラフである。図11でAは、従来のフラットランプで放電ガスの圧力が40Torrであるときの放電開始電圧Vf及び放電維持電圧Vsを表したものであり、B、C、Dは、本発明の実施形態によるフラットランプで放電ガスの圧力がそれぞれ40Torr、100Torr、150Torrであるときの放電開始電圧Vf及び放電維持電圧Vsを表したものである。そして、図11で、放電ガスの組成は、A、B、C、Dの場合にNe−Xe50%であって、いずれも同一である。図11に示すように、放電ガスの圧力が40Torrである場合、従来のフラットランプより、本発明の実施形態によるフラットランプで放電開始電圧Vfが約35.7%減少することが分かる。
図12は、図1に図示された従来のフラットランプと、図2に図示された本発明の実施形態によるフラットランプとの輝度を図示したグラフであり、図13は、図1に図示された従来のフラットランプと、図2に図示された本発明の実施形態によるフラットランプとの発光効率を図示したグラフである。図12及び図13で、Aは、従来のフラットランプで放電ガスの圧力が40Torr、放電維持電圧が2kVであるときの輝度及び発光効率を表したものであり、B、C、Dは、本発明の実施形態によるフラットランプで放電ガスの圧力がそれぞれ40Torr、100Torr、150Torrであり、放電維持電圧がそれぞれ2kV、2kV、2.6kVであるときの輝度及び発光効率を表したものである。そして、図12及び図13で、放電ガスの組成は、A、B、C、Dの場合にNe−Xe50%であって、いずれも同一である。図12及び図13に示すように、同じ放電ガスの組成及び放電維持電圧で、従来のフラットランプより、本発明の実施形態によるフラットランプで輝度は約13%向上し、発光効率は約51%向上したことが分かる。
以上本発明の望ましい実施形態を説明したが、これは例示的なものに過ぎず、当業者ならば、この実施形態の多様な変形及び他の均等な実施形態が可能であるという点を理解できるであろう。したがって、本発明の真の技術的保護範囲は、特許請求の範囲により定められねばならない。
本発明は、主にLCDのバックライトとして開発されているフラットランプの関連技術分野に好適に用いられる。
従来のフラットランプの一部斜視図である。 本発明の実施形態によるフラットランプの一部分離斜視図である。 図2に図示されたフラットランプの概略断面図である。 図2に図示されたフラットランプの概略平面図である。 本発明の実施形態によるフラットランプの変形例を示す一部分離斜視図である。 本発明の他の実施形態によるフラットランプの断面図である。 本発明のさらに他の実施形態によるフラットランプの断面図である。 本発明のさらに他の実施形態によるフラットランプの断面図である。 本発明のさらに他の実施形態によるフラットランプの一部分離斜視図である。 図9に図示されたフラットランプの断面図である。 従来のフラットランプと本発明によるフラットランプとの放電電圧を比較するグラフである。 従来のフラットランプと本発明によるフラットランプとの輝度を比較するグラフである。 従来のフラットランプと本発明によるフラットランプとの効率を比較するグラフである。
符号の説明
110 下部基板
112a 第1下部電極
112b 第2下部電極
114 スペーサ
120 上部基板
122a 第1上部電極
122b 第2上部電極
130 蛍光体層
140a 第1補助電極
140b 第2補助電極

Claims (31)

  1. 互いに対向するように配置され、その間に放電空間を形成する下部基板及び上部基板と、
    前記下部基板と前記上部基板のうち少なくとも一方に形成される複数の放電電極と、
    前記下部基板と前記上部基板との間に設けられて、前記下部基板と前記上部基板との間隔を一定に維持する複数のスペーサと、
    前記放電空間の内壁に形成される蛍光体層と、
    前記各スペーサ内部に少なくとも一つ設けられて、前記放電電極に印加される電圧に応じて電圧を誘起する補助電極と、
    を備えることを特徴とするフラットランプ。
  2. 前記放電電極は、前記下部基板の下面と前記上部基板の上面のうち少なくとも一方に形成されることを特徴とする請求項1に記載のフラットランプ。
  3. 前記スペーサは、前記放電電極と直交する方向に設けられることを特徴とする請求項1に記載のフラットランプ。
  4. 前記スペーサは、四角形の断面を持つことを特徴とする請求項1に記載のフラットランプ。
  5. 前記スペーサは、円形の断面を持つことを特徴とする請求項1に記載のフラットランプ。
  6. 前記スペーサは、誘電物質からなることを特徴とする請求項1に記載のフラットランプ。
  7. 前記誘電物質は、透明なガラス材質であることを特徴とする請求項6に記載のフラットランプ。
  8. 前記スペーサの内部には、2個の補助電極が前記スペーサの長手方向に互いに平行に設けられることを特徴とする請求項1に記載のフラットランプ。
  9. 前記2個の補助電極は、水平方向に互いに離隔して配置されることを特徴とする請求項8に記載のフラットランプ。
  10. 前記2個の補助電極は、垂直方向に互いに離隔して配置されることを特徴とする請求項8に記載のフラットランプ。
  11. 前記補助電極は、金属からなることを特徴とする請求項1に記載のフラットランプ。
  12. 前記金属は、銀、銅及びクロムからなる群より選択される少なくとも一種からなることを特徴とする請求項11に記載のフラットランプ。
  13. 前記下部基板と前記上部基板との間には、複数の補助スペーサが、前記スペーサと直交する方向に設けられることを特徴とする請求項1に記載のフラットランプ。
  14. 前記複数の補助スペーサの少なくとも一部は、前記スペーサより低く形成されることを特徴とする請求項13に記載のフラットランプ。
  15. 前記複数の補助スペーサの少なくとも一部の表面には、蛍光体層が形成されることを特徴とする請求項13に記載のフラットランプ。
  16. 前記放電空間の内部には、ネオンガスとキセノンガスとが混合された放電ガスが満たされることを特徴とする請求項1に記載のフラットランプ。
  17. 互いに対向するように配置されて、その間に放電空間を形成する下部基板及び上部基板と、
    前記下部基板と前記上部基板のうち少なくとも一方に形成される複数の放電電極と、
    前記下部基板と前記上部基板との間に設けられて、前記下部基板と前記上部基板との間隔を一定に維持する複数のスペーサと、
    前記放電空間の内壁に形成される蛍光体層と、
    前記下部基板と前記上部基板のうち少なくとも一方に形成されて、前記放電電極に印加される電圧に応じて電圧を誘起する複数の補助電極と、
    を備えることを特徴とするフラットランプ。
  18. 前記放電電極は、前記下部基板の下面と前記上部基板の上面のうち少なくとも一方に形成されることを特徴とする請求項17に記載のフラットランプ。
  19. 前記補助電極は、前記放電電極と直交する方向に形成されることを特徴とする請求項17に記載のフラットランプ。
  20. 前記補助電極は、前記下部基板の上面と前記上部基板の下面のうち少なくとも一方に形成されることを特徴とする請求項17に記載のフラットランプ。
  21. 前記補助電極が設けられた前記下部基板の上面と前記上部基板の下面のうち少なくとも一方に、前記補助電極を覆うように誘電体層が形成されることを特徴とする請求項20に記載のフラットランプ。
  22. 前記補助電極は、透明な導電性材料からなることを特徴とする請求項17に記載のフラットランプ。
  23. 前記透明な導電性材料は、ITOからなることを特徴とする請求項22に記載のフラットランプ。
  24. 前記補助電極は、銀、銅及びクロムからなる群より選択される少なくとも一種からなることを特徴とする請求項17に記載のフラットランプ。
  25. 前記スペーサは、前記放電電極と直交する方向に設けられることを特徴とする請求項17に記載のフラットランプ。
  26. 前記スペーサは、四角形の断面を持つことを特徴とする請求項17に記載のフラットランプ。
  27. 前記スペーサは、円形の断面を持つことを特徴とする請求項17に記載のフラットランプ。
  28. 前記下部基板と前記上部基板との間には、複数の補助スペーサが、前記スペーサと直交する方向に設けられることを特徴とする請求項17に記載のフラットランプ。
  29. 前記複数の補助スペーサの少なくとも一部は、前記スペーサより低く形成されることを特徴とする請求項28に記載のフラットランプ。
  30. 前記複数の補助スペーサの少なくとも一部の表面には、蛍光体層が形成されることを特徴とする請求項28に記載のフラットランプ。
  31. 前記放電空間の内部には、ネオンガスとキセノンガスとが混合された放電ガスが満たされることを特徴とする請求項17に記載のフラットランプ。
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