JP2005528838A - Ｒｆ電力信号のエンベロープを検出する装置 - Google Patents

Abstract

ＲＦ周波数範囲における非線形動作点で本質的に動作するＲＦトランジスタと、ＲＦトランジスタに給電するＤＣ電源と、ＲＦ信号の出力を終端する擬似負荷と、ＤＣ電源がＲＦトランジスタに給電することにより、インピーダンスの両端に発生した表示信号を得る少なくとも１つのインピーダンスとを備えたＲＦ信号のエンベロープを検出する装置である。表示信号は、ＲＦ信号が給電入力に印加される期間中にＲＦトランジスタによりＤＣ電源から流れる変動電流のエンベロープを表している。

Description

本発明は、無線周波数（ＲＦ）検出器の分野に関する。特に、本発明は、大電力レベルを有するＲＦ信号の振幅エンベロープをリアル・タイム検出する増幅器に基づいたＲＦ検出器に関する。

従来の通信システムは、送信される信号の大きさを制御するためにＲＦ電力増幅器を採用している。このようなＲＦ電力増幅器は、これらのパフォーマンスを変動する信号レベルに適応できるようにするために、増幅器への入力信号又は増幅器から出力信号のレベルを検出することがしばしば必要である。このような必要条件は、例えば、ＷＯ ０１／６７５９８に開示されており、これは、電力増幅器に対する入力信号のレベルが予め定めたしきい値を超えたときに、その動作モードを変更するＲＦ電力増幅器を開示している。従って、このような増幅器の最適動作のために、信頼性のある信号レベル検出を促すことが不可欠である。

ＲＦ信号を検出する従来の技術は、ダイオードに基づいた検出器を採用している。しかしながら、通常、このような検出器のダイオードは、種々の研究所機器及び通信受信機において典型的なレベルとする１÷１０ｍＷ程度の低電力信号を処理することを可能とする。近年、キロワット・パワー・レンジにおける送信を処理可能な高パフォーマンスのＲＦ電力増幅器が開発された。従って、このような電力増幅器を適正に制御するために設計された補助回路は、例えば、数ワット程度の出力パルスのように、かなり高レベルのＲＦ信号を検出することがしばしば要求される。このため、ＲＦ信号のエンベロープを検出するためにダイオードに基づく検出器を使用するときは、そのエンベロープも増幅する必要があり（実際に検出される信号は、エンベロープの平均値なので）、ＲＦ信号の振幅において発生する急速な変化を検出して制御に使用するときに許容できない遅延をもたらす。

以上で述べた方法は、ＲＦ電力増幅器により増幅された高レベルのＲＦ信号をリアル・タイム振幅検出することの問題に対して満足な解決方法を依然として提供するものでなかった。

本発明の目的は、本質的に遅延のない高レベルのＲＦ信号の振幅を検出する装置を提供することである。

本発明の更なる他の目的は、高レベルのＲＦ信号の振幅を検出しかつ対応する高レベルのエンベロープ信号を出力する装置を提供することである。

本発明の他の目的及び効果は、説明を進めるに従って明らかとなる。

（発明の概要）
本発明は、ＲＦ信号のエンベロープを検出する方法に向けられている。ＲＦ周波数範囲において、Ｂ級、ＡＢ級又はＣ級のように非線形動作点で本質的に動作するＲＦトランジスタを提供する。このＲＦトランジスタは、ＲＦフィルタを介してＤＣ電源により給電され、ＲＦトランジスタの出力信号におけるＲＦ成分に対する擬似負荷によって終端されている。ＲＦ信号は、ＲＦトランジスタの入力に供給されかつＲＦ信号が入力に印加されている期間中に、ＲＦトランジスタによりＤＣ電源から流れる変動電流からエンベロープを表す出力信号を得る。検出信号は、変動電流からＲＦ成分をろ波することによって得てもよく、これによってＲＦ信号のエンベロープに単純に関連した平均検出電流を得る。

ＲＦトランジスタが接地したソースを有するＦＥＴ又は接地したエミッタを有するバイポーラ・トランジスタであるときは、ＲＦフィルタの１接点をＦＥＴのドレイン又はバイポーラ・トランジスタのコレクタに接続し、ＤＣ電源の負接点を接地に接続し、ＤＣ電源の正接点を純抵抗、純リアクタンス又はそれらの任意の組み合わせであってもよいインピーダンスを介してＲＦフィルタの他の接点に接続し、かつインピーダンスの両端に発生した電圧をカップリング・コンデンサによって結合することにより、出力信号を得る。このようにすることにより、その出力信号の極性がＤＣ電源の極性に対して逆であることを判断する。

ＲＦトランジスタがドレインを有するＦＥＴ又はＤＣ電源の正接点に接続されたコレクタを有するバイポーラ・トランジスタであるときは、ＤＣ電源の負接点を接地に接続し、バイポーラ・トランジスタのエミッタをインピーダンスを介して接地に接続し、ＦＥＴのソース又はバイポーラ・トランジスタのエミッタをインピーダンスを介して接地に接続し、ＦＥＴのゲート又はバイポーラ・トランジスタのベースをベースに接続したＲＦフィルタと直列に接続されたバイアス抵抗を介してバイアスし、ＲＦフィルタ及びバイアス抵抗の共通接点と、ソース又はエミッタとの間にコンデンサを接続し、インピーダンス両端間に発生する電圧をカップリング・コンデンサにより結合することにより出力信号を得る。このようにすることにより、その出力信号の極性がＤＣ電源の極性と同一の極性であることを判断する。

ＲＦフィルタの１接点をＦＥＴのドレイン又はバイポーラ・トランジスタのコレクタに接続し、ＤＣ電源の負接点を接地に接続し、ＤＣ電源の正接点を第１のインピーダンスを介してＲＦフィルタの他の接点に接続し、ＦＥＴのソース又はバイポーラ・トランジスタのエミッタを第２のインピーダンスを介して接地に接続し、ＦＥＴのソース又はバイポーラ・トランジスタのエミッタを第２のインピーダンスを介して接地に接続し、ＦＥＴのゲート又はバイポーラ・トランジスタのベースをゲート又はベースに接続されたＲＦフィルタと直列に接続されたバイアス抵抗を介してバイアスし、ＲＦフィルタ及びバイアス抵抗の共通接点とソース又はエミッタとの間にコンデンサを接続し、カップリング・コンデンサにより第１のインピーダンスの両端に発生する電圧を結合することによって、出力パルス形式信号の極性がＤＣ電源の電極とに対して逆電極であることを判断し、かつ第２のインピーダンスの両端に発生する電圧をカップリング・コンデンサにより結合してその出力信号の極性がＤＣ電源の電極と同一であることを判断することにより、逆極性を有する２出力信号を得てもよい。

好ましくは、増幅器の入力及び出力は、増幅器を任意の負荷及び／又はＲＦ信号のレベルにより無条件に安定するように整合される。

更に、本発明は、
ａ）ＲＦ周波数範囲において非線形動作点で本質的に動作するようにバイアスされたＲＦ電力トランジスタと、
ｂ）第１のコンデンサにより接地するように接続され、かつＲＦ周波数成分がＤＣ電源に到達しないように遮断させるＲＦフィルタを介してトランジスタの出力ポートに接続されたＲＦトランジスタを給電するＤＣ電源と、
ｃ）ＲＦ信号のソースに対してＲＦトランジスタを整合し、その振幅を検出する入力整合回路と、
ｄ）ＲＦ信号を擬似負荷に整合して出力ポートを終端させる出力整合回路と、
ｅ）ＲＦフィルタの接点に接続され、ＲＦ信号がソースにより印加される期間中にＲＦトランジスタによりＤＣ電源から流れる変動電流から振幅又は振幅における変動を表す表示信号を発生させる出力接点と、
を備え、ＲＦ信号のエンベロープを検出する装置にも向けられている。

表示信号は、検出されたＲＦ信号のエンベロープに比例していてもよい。

更に、前記装置は、ＲＦトランジスタの入力及び出力を整合させて、ＲＦトランジスタを任意の負荷及び／又はＲＦ信号のレベルに対して無条件に安定化させる回路を含んでいてもよい。

１つの特徴において、前記装置は、
ａ）ＲＦ周波数範囲においてＢ級条件により本質的に動作するようにバイアスされたＲＦ電力トランジスタと、
ｂ）第１のコンデンサにより接地するように接続され、かつＲＦ周波数成分がＤＣ電源に到達しないように遮断させるＲＦフィルタを介してトランジスタの出力ポートに接続されたＲＦトランジスタを給電するＤＣ電源と、
ｃ）ＲＦ信号のソースに対してＲＦトランジスタを整合させ、その振幅を検出する入力整合回路と、
ｄ）ＲＦトランジスタを擬似負荷に整合させ、出力ポートを終端させる出力整合回路と、
ｅ）ＲＦフィルタの接点へ接続されて、ＲＦ信号がソースにより印加される期間中にＲＦトランジスタによりＤＣ電源から流れる変動電流から振幅又は振幅における変動を表す表示信号を発生させる出力接点と、
を備える。

ＲＦトランジスタが、接地されたソースを有するＦＥＴ又は接地されたエミッタを有するバイポーラ・トランジスタであるときに、
ａ）ＦＥＴのドレイン又はバイポーラ・トランジスタのコレクタに接続されたＲＦフィルタと、
ｂ）接地に接続された負接点及びインピーダンスを介してＲＦフィルタの他の接点に接続された正接点を有するＤＣ電源と、
ｃ）他の接点に接続され、インピーダンス両端間に発生する電圧を印加するカップリング・コンデンサであって、その極性がＤＣ電源の極性に対して逆であるカップリング・コンデンサと、
を備えてもよい。

ＲＦトランジスタがドレインを有するＦＥＴ又はＲＦフィルタを介してＤＣ電源の正接点に接続されたコレクタを有するバイポーラ・トランジスタであるときに、その負接点が接地に接続され、前記装置は、
ａ）ＦＥＴのソース又はバイポーラ・トランジスタのエミッタと接地との間に接続された第１のインピーダンスと、
ｂ）ＦＥＴのゲート又はバイポーラ・トランジスタのベースに接続されたＲＦフィルタと直列に接続され、ゲート又はベースをバイアスするバイアス抵抗と、
ｃ）ＲＦフィルタ及びバイアス抵抗の共通接点とソース又はエミッタとの間に接続されたコンデンサと、
ｄ）第１のインピーダンスの非接地接点に接続され、第１のインピーダンスの両端間に発生する電圧を結合させる第１のカップリング・コンデンサであって、その極性がＤＣ電源の極性と同一である第１のカップリング・コンデンサと、
を備えている。

前記装置は、更に、
ａ）ＲＦフィルタとＤＣ電源との間に直列に接続された第２のインピーダンスと、
ｂ）第２のインピーダンスとＲＦフィルタとの間の共通接点に接続され、第２のインピーダンスの両端間に発生する電圧を結合させる第２のカップリング・コンデンサであって、その極性がＤＣ電源の極性に対して逆である第２のカップリング・コンデンサと、
を更に備えてもよい。

本発明の以上の特徴、他の特徴及び効果は、添付する図面を参照して、その好ましい実施例の下記説明及び非限定的な詳細な説明によってよく理解されるものとなる。

（好ましい実施例の詳細な説明）
本発明は、Ｂ級増幅器の入力にＲＦ信号が存在するときにのみ、Ｂ級増幅器が動作するようにバイアスされるということを用いている。従って、このようなＢ級増幅器は、ＲＦ検出器として機能することができる。本発明によれば、ＲＦ電力増幅器に対する入力であるＲＦ信号ν_inがＢ級ＲＦ増幅器に結合かつ給電され、これがその振幅変動を検出し出力端子に提供する。

図１は、Ｂ級により本質的に動作し、ＲＦ検出器として本発明の好ましい実施例により用いられるトランジスタ（増幅器）の入出力伝達特性を概要的に示す。トランジスタの動作バイアス点１０１は、トランジスタがＢ級により本質的に動作することを保証するために、可能な限り非導通（ｉ_out=0）に近く設定される。Ｖ_Biasの好ましい値は、トランジスタの変換特性１０７の利用可能な線形範囲に従って選択される。Ｂ級において本質的にトランジスタの適正な動作を保証するように、適正なＤＣバイアスが結合されたＲＦ入力信号１００ａに付加される。

検出は、本質的にＢ級動作に基づいているために、変調されたＲＦ結合信号の１／２（この例では正部分）のみがＢ級増幅器により増幅され、かつゼロより大きな瞬時電圧を有する入力信号（即ちν_in）の複数部分のみが本質的にＢ級バイアスされたトランジスタにより増幅されるために検出される。その結果の増幅信号１０４は、本質的にＲＦ電力増幅器の動作周波数における半正弦波のみを有する。

図１から理解されるように、結合された入力信号のエンベロープ１００ｂは、この結合された入力信号を増幅するＢ級増幅器の（変動する）出力電流１０４のエンベロープ値Ｉ_env１０５に反映される。実際には、エンベロープ１０５は、単なる想像表示に過ぎない。エンベロープの実際表示は、エンベロープ値Ｉ_env１０５に比例している出力電流の平均値Ｉmean１０６により得られる。理論比例係数は、πである（即ち、Ｉ_env＝π＊Ｉ_mean）。Ｉ_envは、入力信号ν_inのエンベロープに比例し、更にＩ_meanは、ν_inに対して比例している。従って、入力信号ν_inのエンベロープは、Ｂ級増幅器の出力電流により表され（かつ検出）される。

図２Ａは、本発明の好ましい実施例により、負極性出力を発生する高レベルのＲＦ信号の振幅検出に使用されるＢ級増幅器の実施を示す。ＲＦフィルタ２０６、２０７は、ＲＦ周波数成分のみをろ波出力するために、即ち、ＲＦ成分がＤＣ電源Ｖ_D及びＶ_Bに行くのを阻止するために用いられる。抵抗Ｒ２は、点ｘにおける供給電圧＋Ｖ_Dから、Ｉ_meanに比例した発生変動電圧を引算させることになる。表示信号（即ち、信号のエンベロープ電圧）を発生させる負荷は、カップリング・コンデンサＣ２を介して点ｘに接続されてもよい。トランジスタＱ１は、ＲＦ入力信号ν_inを印加することによりＢ級で動作し、ＤＣ電源から電流が流れるので、点ｘにおける電圧（入力信号なしのときは本質的に＋Ｖ_Dとなる）が低い値に降下する。従って点ｘにおける検出は、負極性の検出信号により表される。このようにして、負荷に転送される電力出力は、Ｂ級増幅器２０５を実施するために採用されるトランジスタＱ１の電力処理能力まで望む大きさとすることができる。ＲＦ整合回路網２０８、２０９は、どのような動作条件でも安定するように、擬似負荷（トランジスタＱ１の出力を整合させて無条件に安定させるために使用するＲＦ負荷）と直列に、トランジスタＱ１の入力及び出力にそれぞれ埋め込まれる。トランジスタＱ１のゲートは、電圧源Ｖ_Bを使用して抵抗Ｒ１により適正にバイアスされる。

図２Ｂは、本発明の好ましい他の実施例による、正極性出力を発生する高レベルのＲＦ信号の振幅検出に使用されるＢ級増幅器の実施を概要的に示す。この実施例では、図２Ａに示す実施に使用した抵抗Ｒ₂及びコンデンサＣ₂を省略し、（例えば、ＲＦチョークとコンデンサとの組合せからなるものでよい）ＲＦフィルタ２１１を介してＦＥＴＱ２のソースに接続した抵抗Ｒ₃及びコンデンサＣ₃により置換している。Ｒ３を流れる電流Ｉ_meanにより点ｙに発生する出力電圧パルスは、正であり、カップリング・コンデンサＣ₃によって負荷に結合される。ＦＥＴＱ２のゲートは、電圧源に接続されたバイアス抵抗Ｒ₁を使用し、ＲＦフィルタ２１０を介して適正にバイアスされる。コンデンサＣ₁は、点ｙとバイアス抵抗Ｒ₁との間に接続され、かつＦＥＴＱ２がカット・オフ状態にならないように、出力電圧パルスをＦＥＴＱ２のゲートに供給することである。

図２Ｃは、本発明の好ましい更なる実施例により正及び負極性出力の両者を発生する高レベルのＲＦ信号の振幅検出をするために使用されるＢ級増幅器の実施を概要的に示す。この例に示されている回路は、図２Ｂに示す回路の構成に図２Ａに示す回路の構成を組み合わせた結果である。従って、正出力信号及び負出力信号は、同一回路の点ｙ及びｘからそれぞれ得られる。

以上で説明した実施例がＦＥＴよりもバイポーラ・トランジスタを使用して、同じような方法により実施されてもよいということに注意すべきである。この場合に、ゲート、ドレイン及びソースに接続された要素は、当該技術分野に習熟する者に明らかな（簡潔のために示されていない）適正なバイアスによりゲート、ドレイン及びソースにそれぞれ接続される必要がある。更に、Ｂ級動作に関して以上で説明した技術は、当該技術分野に習熟する者により、ＡＢ級増幅器、Ｃ級増幅器に対し、かつ実際に非線形動作点で動作する任意のＲＦトランジスタ／増幅器に対して同様に実施されてもよい。重要な点は、出力電流ｉ_outが正極性の振れに対してν_inの正極性の振れに対して増大するように、図１に示された動作バイアス点１０１を決定する必要があるということである。加えて、変動電圧を純抵抗（図２Ａ〜２Ａにおける抵抗Ｒ２及びＲ３）の両端に発生させる代わりに、リアクティブ・インピーダンス、同様に抵抗とリアクタンスとの組合せである任意のインピーダンスを採用してもよい。

以上の例及び説明は、勿論、単に説明を目的として提供されたが、いずれにしろ本発明を限定する意図はない。当該技術分野における者により理解されるように、全て本発明の範囲を逸脱することなく、以上で説明したものから１以上の技術を採用した種々の方法により実施可能である。

本発明の好ましい実施例によりＲＦ検出器として用いられるＢ級増幅器の入出力伝達特性を概要的に示す。 本発明の好ましい実施例により負極性出力を発生する高レベルのＲＦ信号の振幅検出をするために使用されるＢ級増幅器の実施を概要的に示す。 本発明の好ましい他の実施例により正極性出力を発生する高レベルのＲＦ信号の振幅検出をするために使用されるＢ級増幅器の実施を概要的に示す。 本発明の好ましい更なる実施例により正極性出力及び負極性出力の両者を発生する高レベルのＲＦ信号の振幅検出をするために使用されるＢ級増幅器の実施を概要的に示す。

Claims (17)

1. ＲＦ信号のエンベロープを検出する方法において、
   ａ）ＲＦ周波数範囲における非線形動作点で本質的に動作するＲＦトランジスタであって、ＲＦフィルタを介してＤＣ電源によって給電され、かつＲＦトランジスタの出力信号におけるＲＦ成分に対する擬似負荷により終端されているＲＦトランジスタを設けるステップと、
   ｂ）ＲＦトランジスタの入力にＲＦ信号を供給するステップと、
   ｃ）ＲＦ信号が入力に印加されている期間中にＲＦトランジスタによりＤＣ電源から流れる変動電流のエンベロープを表す出力信号を得るステップと、
   を含む前記方法。
2. 請求項１記載の方法であって、前記変動電流からＲＦ成分をろ波して検出信号を得ることにより、ＲＦ信号のエンベロープに単純に関連した平均検出電流を得る前記方法。
3. 請求項２記載の方法であって、前記ＲＦトランジスタは、接地されたソースを有するＦＥＴ又は接地されたエミッタを有するバイポーラ・トランジスタであり、前記出力信号は、
   ａ）ＲＦフィルタの１接点をＦＥＴのドレイン又はバイポーラ・トランジスタのコレクタに接続するステップと、
   ｂ）ＤＣ電源の負接点を接地に接続するステップと、
   ｃ）ＤＣ電源の正接点をインピーダンスを介してＲＦフィルタの他の接点に接続するステップと、
   ｄ）インピーダンス両端間に発生する電圧をカップリング・コンデンサによって結合することにより、その出力信号の極性がＤＣ電源の極性に対して逆であることを判断するステップと
   を実行することにより得られる前記方法。
4. 請求項２記載の方法であって、前記ＲＦトランジスタは、ＤＣ電源の正接点に接続されたドレインを有するＦＥＴ又はコレクタを有するバイポーラ・トランジスタであり、前記出力信号は、
   ａ）ＤＣ電源の正接点を接地に接続するステップと、
   ｂ）バイポーラ・トランジスタのエミッタをインピーダンスを介して接地に接続するステップと、
   ｃ）ＦＥＴのゲート又はバイポーラ・トランジスタのベースをゲート又はベースに接続されたＲＦフィルタと直列に接続されたバイアス抵抗を介してバイアスするステップと、
   ｄ）ＲＦフィルタとバイアス抵抗との共通接点およびソースまたはエミッタの間にコンデンサを接続するステップと、
   ｅ）インピーダンス両端間に発生する電圧をカップリング・コンデンサにより結合し、その出力信号の極性がＤＣ電源の極性と同一の極性を有することを判断するステップと、
   を実行することにより得られる前記方法。
5. 請求項４記載の方法であって、更に、
   ａ）前記ＲＦフィルタの１接点をＦＥＴのドレイン又はバイポーラ・トランジスタのコレクタに接続するステップと、
   ｂ）ＤＣ電源の負接点を接地に接続するステップと、
   ｃ）ＤＣ電源の正接点を第１のインピーダンスを介してＲＦフィルタの他の接点に接続するステップと、
   ｄ）ＦＥＴのソース又はバイポーラ・トランジスタのエミッタを第２のインピーダンスを介して接地に接続するステップと、
   ｅ）ＦＥＴのゲート又はバイポーラ・トランジスタのベースをゲート又はベースに接続されたＲＦフィルタと直列に接続されたバイアス抵抗を介してバイアスするステップと、
   ｆ）ＲＦフィルタ及びバイアス抵抗の共通接点とソース又はエミッタとの間にコンデンサを接続するステップと、
   ｇ）カップリング・コンデンサにより第１のインピーダンスの両端に発生する電圧を結合することによって、その出力信号の極性がＤＣ電源の電極に対して逆電極であることを判断するステップと、
   ｈ）第２のインピーダンスの両端に発生する電圧をカップリング・コンデンサにより結合しその出力信号の極性がＤＣ電源の電極と同一であることを判断するステップと、
   を実行することにより、逆極性を有する２出力信号を得る前記方法。
6. 請求項１記載の方法であって、更に、前記増幅器の入力及び出力を整合させ増幅器を任意の負荷及び／又はＲＦ信号のレベルにおいて無条件に安定化させる前記方法。
7. 請求項１から６のいずれかに記載の方法であって、前記非線形動作点は、Ｂ級、ＡＢ級、Ｃ級から選択される前記方法。
8. 請求項１から７記載の方法であって、前記インピーダンスは、純抵抗又は純リアクタンス又は任意の組合せである前記方法。
9. ＲＦ信号のエンベロープを検出する装置において、
   ａ）ＲＦ周波数範囲における非線形動作点で本質的に動作するＲＦトランジスタと、
   ｂ）ＲＦトランジスタに給電するＤＣ電源と、
   ｃ）ＲＦ信号の出力を終端する擬似負荷と、
   ｄ）ＤＣ電源がＲＦトランジスタに給電することにより、インピーダンスの両端に発生した表示信号を得る少なくとも１つのインピーダンスであって、表示信号は、ＲＦ信号が給電入力に印加される期間中にＲＦトランジスタによりＤＣ電源から流れる変動電流のエンベロープを表しているインピーダンスと、
   を含む前記装置。
10. 請求項９記載の装置であって、前記表示信号は、検出されたＲＦ信号のエンベロープに比例している前記装置。
11. 請求項９記載の装置であって、更に、前記ＲＦトランジスタの入力及び出力を整合させ、ＲＦトランジスタをＲＦ信号の任意の負荷及び／又はレベルに対して無条件に安定化させる回路を含む前記装置。
12. 請求項９記載の装置であって、ａ）前記ＲＦ周波数範囲においてＢ級条件により本質的に動作するようにバイアスされたＲＦ電力トランジスタと、
    ｂ）第１のコンデンサにより接地するように接続され、かつＲＦ周波数成分がＤＣ電源に到達しないように遮断させるＲＦフィルタを介して前記トランジスタの出力ポートに接続された前記トランジスタを給電するＤＣ電源と、
    ｃ）ＲＦ信号のソースに対して前記トランジスタを整合させ、その振幅を検出する入力整合回路と、
    ｄ）ＲＦ信号を擬似負荷に整合させ、出力ポートを終端させる出力整合回路と、
    ｅ）ＲＦフィルタの接点に接続され、ＲＦ信号がソースにより印加される期間中に前記トランジスタによりＤＣ電源から流れる変動電流から振幅又は振幅における変動を表す表示信号を発生させる出力接点と、
    を含む前記装置。
13. 請求項９記載の装置であって、前記ＲＦトランジスタは、接地されたソースを有するＦＥＴ又は接地されたエミッタを有するバイポーラ・トランジスタであり、
    ａ）ＦＥＴのドレイン又はバイポーラ・トランジスタのコレクタに接続されたＲＦフィルタと、
    ｂ）接地へ接続されている負接点及びインピーダンスを介してＲＦフィルタの他の接点へ接続された正接点を有するＤＣ電源と、
    ｃ）インピーダンス両端間に発生する電圧を印加するために、他の接点に接続され、その極性がＤＣ電源の極性に対して逆であるカップリング・コンデンサと、
    を含む前記装置。
14. 請求項９記載の装置であって、前記トランジスタは、ドレインを有するＦＥＴ又はＲＦフィルタを介してＤＣ電源の正接点に接続されたコレクタを有するバイポーラ・トランジスタであり、その負接点が接地に接続され、
    ａ）ＦＥＴのソース又はバイポーラ・トランジスタのエミッタと接地との間に接続された第１のインピーダンスと、
    ｂ）ＦＥＴのゲート又はバイポーラ・トランジスタのベースに接続されたＲＦフィルタと直列に接続され、ゲート又はベースをバイアスするバイアス抵抗と、
    ｃ）ＲＦフィルタ及びバイアス抵抗の共通接点とソース又はエミッタとの間に接続されたコンデンサと、
    ｄ）第１のインピーダンスの非接地接点に接続され、第１のインピーダンスの両端間に発生する電圧を結合させる第１のカップリング・コンデンサであって、その極性がＤＣ電源の極性と同一である第１のカップリング・コンデンサと、
    を含む前記装置。
15. 請求項１４記載の装置であって、更に、
    ａ）ＲＦフィルタとＤＣ電源との間に接続された第２のインピーダンスと、
    ｂ）第２のインピーダンスとＲＦフィルタとの間に接続され、第２のインピーダンスの両端間に発生する電圧を結合させる第２のカップリング・コンデンサであって、その極性がＤＣ電源の極性に対して逆である第２のカップリング・コンデンサと、
    を含む前記装置。
16. 請求項９から１５記載の装置であって、前記非線形動作点は、Ｂ級、ＡＢ級、Ｃ級から選択される前記装置。
17. 請求項９−１６のいずれかに記載の装置であって、前記インピーダンスは、純抵抗又は純リアクタンス又は任意の組合せである前記装置。

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