JP2005527963A - ばね押し双安定性マイクロ電気機械的系統スイッチ - Google Patents
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Abstract
基板と、弾性スイッチング部材とを備えているMEMSスイッチ組立体が提供される。部分を有する横方向捩り部材と、この捩り部材の可撓性部分から延びている板ばねおよび片持ちばりとを備えている。更に、スイッチング・アセンブリは、捩り部材を安定な構造体に取付ける第1の固定部材と、板ばねを安定な構造体に取付ける第2の固定部材とを備えている。このようにして、板ばねは、第1および第2のアンカー間に可撓性部分を有し、この可撓性部分を有は両反対方向に交互に曲げられることが可能であり、それによって片持ちばりを両反対方向に振る。板ばねは、両反対方向のうちの一方に曲げられると、第1の安定な幾何形状(例えば、凸形の幾何形状)を示し、両反対方向のうちの他方に曲げられると、第2の安定な幾何形状(例えば、凹形の幾何形状)を示すことができる。かくして、このスイッチは、瞬間的な力を使用して2つの安定な状態間で切換えられることができ、エネルギの更なる消費なしにこれらの2つの安定な状態を維持することができる。片持ちばりは、板ばねの距離より大きい、例えば2倍より大きい距離振れる。かくして、この場合、スイッチング部材の独特な幾何形状は、機械的増幅器として作用し、合理的な作動寸法を維持しながら、片持ちばりの大きな移動距離を許容する。スイッチング・アセンブリは、様々なスイッチング方法のうちのいずれか1つを達成するように設計されることができる。例えば、スイッチング・アセンブリは、片持ちばりが共通の端子と2つの選択された端子のうちの一方との間で電気接触することができる単極双投(SPDT)スイッチとして、或いは、片持ちばりが2つの端子を交互に電気的に結合および脱結合することができる単極単投(SPST)スイッチとして配置されることができる。
Description
本発明は、一般にスイッチング装置に関し、より詳細には、双安定性スイッチに関する。
マイクロ電気機械的系統(MEMS)装置は、通信、感知、光学機器、マイクロ流体素子工学および材料特性の測定のような様々な分野に用途がある。通信の分野では、MENS無電周波数(RF)スイッチは、より線状の応答および高い品質(Qファクタ)を含めて、ソリッドステートスイッチを上回る幾つかの利点をもたらす。代表的なMEMSスイッチは、スイッチング・アセンブリを所望に位置のうちの少なくとも1つに維持するために、一定の静電力または磁力の付加を必要とする。この結果、パワーの使用が不十分となり、パワーの保存が望ましい用途においては、例えば、移動ワイヤレス電話においては、不都合となってしまう。
かくして、そのときのいずれの状態でもパワーを保存する能力を有する信頼できる双安定性のMEMSRFスイッチの必要性が残存している。
本発明は、例えば基板のような安定な構造体と、この安定な構造体に取付けられた弾性スイッチング部材とを備えているスイッチ組立体に向けられている。この弾性スイッチング部材は、可撓性部分を有する横方向捩り部材と、この捩り部材の可撓性部分から延びている板ばねおよび片持ちばりとを備えている。更に、弾性スイッチング・アセンブリは、捩り部材を安定な構造体に取付ける第1の固定部材と、板ばねを安定な構造体に取付ける第2の固定部材とを備えている。このようにして、板ばねは、第1および第2のアンカー間に可撓性部分を有し、この可撓性部分は両反対方向に交互に曲げられることが可能であり、それによって前記片持ちばりの端部を両反対方向に振るように構成されている。
好適な実施の形態では、スイッチング・アセンブリは、マイクロ電気機械的系統(MEMS)スイッチである。しかしながら、本発明は、MEMSスイッチに限定されなく、他の種類の機械的スイッチを同様に意図している。
非限定例として、板ばねは、両反対方向のうちの一方に曲げられると、第1の安定な幾何形状を示し、両反対方向のうちの他方に曲げられると、第2の安定な幾何形状を示すことができる。この場合、板ばねは、これを安定な幾何形状に維持する応力勾配を有することができる。これらの幾何形状は、任意の形状であることができるが、好適な実施の形態では、板ばねの第1の曲げモードに対応し、そして有利には、良好な応答性をスイッチング部材に与える凹形および凸形の幾何形状が使用される。かくして、このスイッチは、瞬間的な力を使用して2つの安定な状態間で切換えられることができ、エネルギの更なる消費なしにこれらの2つの安定な状態を維持することができる。好適な実施の形態では、片持ちばりの自由端部は、板ばねの最大の変位の距離より大きい、例えば2倍より大きい距離振れる。かくして、この場合、スイッチング部材の独特な幾何形状は、機械的増幅器として作用し、合理的な作動寸法を維持しながら、片持ちばりの大きな移動距離を許容する。
好適な実施の形態では、スイッチング部材は、平面状の膜で構成されており、これにより、より容易に製造可能な応答性構造体を有利にもたらす。更に、スイッチング部材は、捩り部材の可撓性部分から延びている他の板ばねを備えており、第1および第2の板ばねが中心片持ちばりをその間に挟むように配置されている。このようにして、第2の板ばねは、更なる応答性をスイッチング部材に与える。(導電性であれば)板ばねにより引起されることがある電気干渉を最小にするために、片持ちばりは、捩り部材の可撓性部分から、板ばねよりも大きい距離延びており、従って、片持ちばりの自由端部が接触するいずれの電気端子も電気的に活性のばねから十分な距離隔てられている。
スイッチング・アセンブリは、様々なスイッチング方法のうちのいずれか1つを達成するように設計されることができる。例えば、スイッチング・アセンブリは、単極双投(SPDT)スイッチとして配置されることができ、この場合、スイッチング・アセンブリは、(導電性である)片持ちばりに恒久的に電気的に結合された共通の電気端子と、片持ちばりが両反対方向のうちの一方に振られるときにのみ、片持ちばりに電気的に結合される第1の電気端子と、片持ちばりが両反対方向のうちの他方に振られるときにのみ、片持ちばりに電気的に結合される第2の電気端子とを備えている。この場合、第1のアンカーは、片持ちばりに電気通路を与えるように、共通の端子に電気的に結合され、取付けられることができる。このようにして、共通の端子は、アンカーおよび片持ちばりを介して選択された第1および第2の端子のうちの1つに電気的に結合される。
他の例として、スイッチング・アセンブリは、単極単投(SPST)スイッチとして配置されることができる。この場合、スイッチング・アセンブリは、(導電性である)片持ちばりに恒久的に電気的に結合されている第1の電気端子と、片持ちばりが両反対方向のうちの一方に振られるときにのみ、片持ちばりに電気的に結合される第2の電気端子とを備えていてもよい。この場合、第1のアンカーは、片持ちばりに電気通路を与えるように、第1の端子に電気的に結合されて設けられることができる。このようにして、第1の端子は、第2の端子に選択的に電気的に結合される。SPSTスイッチング方法を使用して、スイッチング・アセンブリは、片持ちばりが両反対方向のうちの一方に振られるときにのみ、片持ちばりに共に電気的に結合される第1および第2の端子を択一的に備えてもよい。この場合、片持ちばりは、これが一方の反対方向に振られるときに、第1および第2の電気端子を短絡する短絡バーを備えてもよい。この場合、スイッチング部材は、短絡バーを除いて、電気干渉を最小にするために絶縁材料で構成されることができる。
好適な実施の形態では、スイッチング・アセンブリは、反対の第1および第2の方向に交互に曲げるように板ばねに作動的に結合されているアクチュエータを備えている。非限定例として、板ばねは、機械的に、静電気的に、圧電的に或いは熱的に作動されてもよい。好適な実施の形態では、比較的大きい変位量が伴うために、磁気アクチュエータが使用される。例えば、磁気アクチュエータは、磁界コイルおよび1つまたはそれ以上の鉄要素を備えてもよい。磁界コイルは、板ばねに取付けられてもよく、この場合、1つまたはそれ以上の鉄要素は、第1の極性を有する電流が磁界コイルを通って流れるときに、板ばねが1つまたはそれ以上の鉄要素に向けて曲げられ、第2の極性を有する電流が磁界コイルを通って流れるときに、板ばねが1つまたはそれ以上の鉄要素から離れる方向に曲げられるように、磁界コイルから間隔を隔てられて設置されてもよい。1つまたはそれ以上の鉄要素は、板ばねに取付けられてもよく、この場合、磁界コイルは、第1の極性を有する電流が磁界コイルを通って流れるときに、板ばねが1つまたはそれ以上の鉄要素に向けて曲げられ、第2の極性を有する電流が磁界コイルを通って流れるときに、板ばねが1つまたはそれ以上の鉄要素から離れる方向に曲げられるように、1つまたはそれ以上の鉄要素から間隔を隔てられて設置されてもよい。
図面は、同様な要素が共通の参照符号で示されている本発明の好適な実施の形態の設計および実用性を示している。本発明の前述および他の利点および目的が如何に得られるかを良く理解するために、添付図面に示される本発明の特定の実施の形態を参照することによって、以上に簡単に述べた本発明のより特定の説明を行なう。これらの図面が本発明の代表的な実施の形態を示し、従って、本発明の範囲を限定するものと考えるべきではないことを理解して、添付図面を使用して本発明を追加の特性および詳細について説明する。
一般に図1および図2を参照して、本発明の1つの好適な実施の形態により構成されたばね作動式双安定性マイクロ電気―機械装置(MEMS)無線周波数(RF)スイッチング・アセンブリ100を以下に説明する。このスイッチング・アセンブリ100は、付加外力によりこの組立体を、他の外力により作用されるまで係止される他の安定状態に移行させるまで、1つの安定な状態に「係止」されたままであると言う点で双安定性である。かくして、スイッチング・アセンブリ100は、その安定状態または位置のうちのいずれか1つに留まるために外力を必要としない。この組立体は、何時の安定な位置から他の安定な位置まで切換えるのに瞬間的な力を必要とするだけである。
スイッチング・アセンブリ100は、夫々のチップに配置された電気的に隔離された回路間で共通RF信号を切換えることが可能である機械的ラッチング2チップスイッチとして構成されるという点で単極双投(SPDT)スイッチとして特徴付けられることができる。これに関して、スイッチング・アセンブリ100は、一般に、底チップ102と、頂チップ104と、底チップ102に固定された弾性の平面状スイッチング部材106と、スイッチング・アセンブリ100を、共通信号を頂チップ104の回路に出力結合する「アップ」状態(図1)および共通信号を底チップ102の回路に出力結合する「ダウン状態()図2」にするために、スイッチング部材106に作動的に接続されるアクチュエータ108とを備えている。底および頂チップ102は、離隔絶縁体(図示せず)を介して互いに取付けられている。
底チップ102は、基板110を備えており、この基板は110、図示の実施の形態では、酸化アルミニウム(Al2O3)のような適当な材料で構成されている。シリコン、セラミック、ポリマー、ガラス、またはガリウム砒素化物などの半導体材料のような他の適当な材料を使用することができる。更に、底チップ102は、RFパワー/信号伝導能力を底チップ102に与えるために基板110に配置された同一平面状導波管(CPW)112の形態の電気回路を備えている。このCPW112は、金または銀のような良好なRF特性を有する適当に導電性の材料で構成されている。変更例として、CPW112は、例えば、MgO基板に薄膜高温超導電体(HTS)材料で製造されてもよい。薄膜HTS材料は、現在、常習的に形成され、市販されている。例えば、米国特許第5,476,836号、第5,508,255号、第5,843,870号および第5,883,050号を参照せよ。また、例えば、B.ロアス、L.シュルツおよびG.エンドレスの「レーザー蒸着法によるYBa2Cu3O7−x薄膜のエピタキシアル成長」Appl.Phys.Lett.53、1557(1988)およびH.マエダ、Y.タナカ、M.フコトミおよびT.アサノの「希土類元素を含有しない新規な高Tc酸化物超導電体」Jpn.J.Appl.Phys,27、L209(1998)を参照せよ。更に、底チップ102は、RF信号が底チップ102と頂チップ104との間で切換えられる共通RF入力端子114と、スイッチング・アセンブリ100がダウン状態(図2参照)にされると、共通RF入力端子114と電気導通される底RF出力端子116とを備えている。
頂チップ104は、底基板110と同様に、酸化アルミニウムのような適当な材料で構成されている基板118を備えている。更に、頂チップ104は、RFパワーおよび信号伝導能力を頂チップ104に与えるために基板118に配置されたCPW120の形態の電気回路を備えている。このCPW120は、金または銀のような適当な導電性材料、またはHTS材料で構成されている。更に、頂チップ104は、スイッチング・アセンブリ100がアップ状態(図1参照)にされると、共通の入力端子114と電気導通される頂RF出力端子122を備えている。
スイッチング部材106は、横方向の捩り部材124と、この横方向の捩り部材124の端部から延びている中心片持ちばり126と、横方向の捩り部材124の端部から延びていて、片持ちばり126をその間に挟むように配置されている1対の板ばね128とを備えている。中心片持ちばり126は、以下に更に詳細に説明するように、底および頂端子116、122に交互に接続する1対の対向接点132、134を有する自由端部130を有している。スイッチング部材106は、高い導電率、低損失、配置容易および優れた可撓性を特徴とする金属で構成されている。この金属層用の適当な金属は、限定されないが、金および銀を含む。
かくして、中心片持ちばり126は、ばね128をそれぞれ上方または下方に曲げることによって「アップ状態」または「ダウン状態」に位置決めされることができるリードとして作用する。詳細には、ばね128を上方に曲げると、片持ちばり126の基部のところに捩り部材124の曲げ部分130が上方に傾き、それにより片持ちばり126を上方に回転させる(図3に最も良く示されている)。ばね128を下方に曲げると、片持ちばり126の基部のところに捩り部材124の曲げ部分130が下方に傾き、それにより片持ちばり126を下方に回転させる(図4に最も良く示されている)。
ばね128は、転移が行なわれると、片持ちばり126を適所に係止する。詳細には、ばね128は、頂チップ104から見た場合、上方に曲げられると、安定な凸形の幾何形状(図1)を示し、下方に曲げられると、安定な凹形の幾何形状(図2)を示すことが可能である。かくして、ばね128が上方に曲げられて凸形の幾何形状をとると、片持ちばり126は、ダウン状態からアップ状態に切換り、ばね128が下方に曲げられるまで、アップ状態に維持される。同様に、ばね128が下方に曲げられて凹形の幾何形状をとると、片持ちばり126は、アップ状態からダウン状態に切換り、ばね128が上方に曲げられるまで、ダウン状態に維持される。
図示のように、片持ちばり126の自由端部130は、有利には、ばね128より大きい垂直距離、振られる。この効果は、ばね128が片持ちばり126により示されるものより大きい湾曲を示すようにばね128に固有の応力勾配を導入することによって達成されることができる。その結果、ばね128の大きい湾曲により、ばね128の端部が大きい垂直振れを達成するのを防ぎ、その一方、ばね128の小さい湾曲により、片持ちばり126の自由端部130が大きい垂直振れを達成する。片持ちばり126は、比較的平のままであるべきであるので(ほとんど或いは全く残留応力がない)、板ばね128における応力勾配は、選択的に導入されるべきである。後で更に詳細に論述するように、応力勾配は、例えば異なる熱膨張率(CTE)を有する金属でばね128を層状化することによって、或いは固有の応力勾配を有する単一の金属(例えば、軟質の金および硬質の金)を使用することによって、ばね128に導入されることができる。
予備計算の結果、片持ちばり126の垂直振れは、ばね128の垂直振れの2倍より大きい(約6倍)。例えば、片持ちばり126およびばね128の長さが0.85mmおよび0.60mmであると仮定して、1つの方向における片持ちばり126の推定の粗振れは、0.085mmであると算出され、1つの方向におけるばね128の推定の粗振れは、0.014mmであると算出された。かくして、スイッチング部材106の独特な幾何形状は、機械的増幅器として作用し、合理的な作動寸法を維持しながら、片持ちばりの端部130の大きな移動距離を許容する。
安定なプラットホームを設けるために、スイッチング部材106は、3つのアンカーを介して底チップ102に取付けられている。詳細には、スイッチング部材106の捩り部材124は、共通のアンカー136に取付けられており、このアンカー136は、底チップ102の共通の入力端子114に取付けられていて、これと電気接触状態にある。このようにして、共通のアンカー136は、共通の入力端子114と片持ちばり126との間の電気導管として作用する。スイッチング部材106の捩り部材124と反対側のばね128の端部は、底チップ102に取付けられている2つの夫々のアンカー138に取付けられている。かくして、ばね128は、共通のアンカー136とばねアンカー138との間に延びている可撓性部分140を有している。共通のアンカー136とは違って、ばねアンカー138は、単に支持構造体として機能するだけであり、電気導管として機能せず、かくして底チップ102のCPW112と直接電気連通していない。
かくして、スイッチング・アセンブリ100がアップ状態であるとき、共通の入力端子114と頂出力端子122との間に閉回路が形成される。詳細には、中心片持ちばり126の接触点134が、頂チップ104の頂出力端子122と接触し、従って、底チップ102の共通の入力端子114のところのRF信号が、共通のアンカー136を上り、中心片持ちばり126を横切って頂出力端子122に入り、そして頂CPW120を通り、そこで頂チップ104の関連回路に送られる。スイッチング・アセンブリ100がダウン状態にあるとき、共通の入力端子114と底出力端子116との間に閉回路が形成される。詳細には、中心片持ちばり126の接触点132が、底チップ102の底出力端子116と接触し、従って、底チップ102の共通の入力端子114のところのRF信号が、共通のアンカー136を上り、中心片持ちばり126を横切って底出力端子116に入り、そして底CPW112を通り、そこで底チップ102の回路に送られる。特に、中心片持ちばり126は、ばね128よりも捩り部材124から更に延びている。その結果、中心片持ちばり126上の電気接点132、134は、電気的に「高温の」ばね128と底および頂出力端子116、122のいずれかとの間の容量的結合が最小化されるように、ばね128の端部を通り越して延びている。
なお、入力または出力端子としての端子の特徴付けは、回路が如何に設計されるかに依存している。例えば、共通の端子114は、RF出力端子であることができ、底および頂端子116、122は、RF入力端子であることができる。この場合、スイッチング・アセンブリ100は、RF信号が選択された底および頂入力端子116、122のうちの一方から共通の出力端子114まで移動することを除いて、前述のように機能する。
スイッチング部材106の撓みは、幾つかを挙げると、磁気、静電気、圧電、形状記憶および熱手段を含めて、様々な手段を使用して作動されることができる。詳細には、図示の実施の形態では、アクチュエータ108は、頂チップ104の基板118に取付けられている磁界コイル142と、両ばね128の長さに沿って取付けられている複数の鉄要素144とを備えている。磁界コイル142は、銅のような適当な導電性材料で構成されている。更に、頂チップ104は、電流をコイル142に供給してコイル142を付勢するための(図7Kおよび図8Kに示される)コイル入力端子146およびコイル出力端子148を備えている。反対極性を持つ電流をコイル142に供給することにより、スイッチング・アセンブリ100を選択的にアップ状態およびダウン状態にする。詳細には、電流が、ばね128上の鉄要素144を引付ける磁界を生じるように磁界コイル142を誘発する極性を有している場合、ばね128は、相応して上方に曲がり、それによって片持ちばり126をアップ状態にする。対照的に、電流が、ばね128上の鉄要素144をはね返す磁界を生じるように磁界コイル142を誘発する逆の極性を有している場合、ばね128は、相応して下方に曲がり、それによって片持ちばりをダウン状態にする。
別の実施の形態では、磁界コイル142は、図10に示されるように、底チップ102の基板110に取付けられている。この場合、アクチュエータ108は、電流の極性がばね128の同じ上方および下方曲げをもたらすように切換えられることを除いて、同様に作動される。更に別の実施の形態では、磁界コイルは、頂き版118の裏側に印刷されることができ、結合ワイヤが、コイルの端部に接続されることができる。このようにして、コイルは、これが「ピックアップ」コイルとして作用するのを防ぐためにCPWから遮断されることができ、そうでなければ、CPW内のRF信号に支障を引起すことがある。更に他の実施の形態では、磁界コイルの作成工程を省くことができ、コイルは、普通の銅ワイヤを使用して、組立て後に2チップ装置全体のまわりに手で巻かれることができる。
更に他の別の実施の形態では、図11に示されるように、鉄要素145は、底および頂チップ102、104の基板110、118のいずれかに取付けられており、磁界コイル143は、ばね128の長さに沿って取付けられている。この場合、磁界コイル143は、不動態化層(図示せず)を介して導電性ばねから隔離されており、RF電気経路から隔離された電気経路を通して電流が供給される。また、ばね128の曲げは、反対極性の電流で磁界コイルを付勢することにより作動される。
図5ないし図9を参照して、スイッチング・アセンブリ100を作成する模範的な方法を説明する。一般に、底チップ102、スイッチング部材196、離隔絶縁体(図示せず)およびアクチュエータ108の鉄部分は、まず底基板110に底CPW112を形成し、CPW112に共通の入力端子114および底出力端子116を形成し、共通の入力端子114に共通のアンカー136を形成し、基盤110にばねアンカー138および離隔絶縁体を形成し、次いでアンカー136、138にアクチュエータ108の鉄要素144と共にスイッチング部材106を形成することによって、相互に一体に作成される。頂チップ104およびアクチュエータ108の磁性部分は、頂基板118に頂CPW120およびDC付勢線を形成し、頂出力端子122、コイル端子146、148を形成し、磁界コイル142を形成し、次いで最終的に離隔絶縁体(図示せず)を形成することによって相互に一体に作成される。なお、図5ないし図9は、一定の比率ではなく、模範的な作成方法により意図される工程を示すだけのものである。なお、また、離隔絶縁体の作成は、下記の詳細な工程では論述しない。しかしながら、一般に、離隔絶縁体は、方法における各金属層が付設されるのにつれて夫々の基板110、118に次第に形成される。
予備的なこととして、下記の平版印刷作成方法は、スイッチング・アセンブリ100の種々の要素をパターン化して形成するために複数のパターン化層およびマスクを利用している。図示の方法では、写真マスクを介してパターン化層の一部を光学的に露光して重合するのに写真平版印刷法が使用されている。下記の方法により使用されたパターン化層は、任意の適当な感光性材料で構成されることができる。図示の方法では、パターン化層は、別段述べないかぎり、フォトレジストで構成される。しかしながら、選択レーザーエッチング、eビーム書き込みなどのような任意の適当な方法を使用して、パターン化層をパターン化することができることは気づくべきである。写真平版印刷法、選択レーザーエッチング、eビーム書き込みは、平版印刷法の業界における周知な方法であるので、更に詳細には論述しない。なお、また、下記の論述は、マスクが、正のパターン(すなわち、パターン化層の露光部分は除去される)または不のパターン(すなわち、パターン化層の非露光部分は除去される)に言及することなしにパターンを有するものとして説明している。しかしながら、当業者は、下記の方法において正または不のパターンのどちらも使用することができることを理解するであろう。
まず図5および図6を参照して、底チップ102の、その関連部材と共にの作成を詳細に説明する。
図5Aおよび図6Aにおいて、電気めっきのような標準付着技術を使用して、底基板110の全面を金層150で被覆する。この工程は、作成方法の直前に行われることができ、或いはこのような製品の供給者により行われることができる。図5Bおよび図6Bにおいて、CPWパターン化層152を金層150に付着し、底CPW112の形状でパターン化する。詳細には、このパターン化層152を底CPW112の所望のパターンを有する第1のマスク(図示せず)を介して光に露光し、次いで光に露光されたパターン化層152の部分を選択的にエッチング除去し、それによりマスクのパターンをパターン化層152に転写する。図5Cおよび図6Cにおいて、底CPW112は、パターン化層152により露出された金層150の部分を選択的にエッチング除去する標準の金エッチング剤(例えば、水中KI42%/Iw13%/残部)で金層150をエッチングすることによりパターン化層152のパターンを金層150に転写することによって形成される。図5Dおよび図6Dにおいて、例えばアセトンを使用してパターン化層152をCPW112から除去する。
図5Eおよび図6Eにおいて、スイッチング・アセンブリ100の構成部品間の電気的隔離ならびに取扱い中のスイッチング・アセンブリ100の敏感な領域の保護を行なうために、不動態化層154をCPW112および基板110の露出部分に付着する。図示実施の形態では、不動態化層154は、写真平版材料、詳細には、紫外線を使用して直接パターン化されることができるビスベンゾシクロブテン4022(BCB)で構成される。図5Fおよび図6Fにおいて、端子通路156、158を下層のCPW112に開口するように不動態化層154をパターン化する。詳細には、通路156、158の所望のパターンを有する第2のマスク(図示せず)を介して不動態化層154をUV光に露光し、次いで、UV光に露光された不動態化層154の部分を選択的にエッチング除去し、それにより第2のマスクのパターンを不動態化層154に転写する。図5Gおよび図6Gにおいて、不動態化層154を通して硬質の金を通路156、158内に電気めっきして共通の入力端子114および底出力端子116を形成する。硬質の金は、この工程において、軟質の金で構成される片持ち梁126が底出力端子116に融着しないように、さもなければ粘着問題を引起さないように使用される。
図5Hおよび図6Hにおいて、作成中、スイッチング部材106および関連アンカー136、138の機械的支持を行なうために、犠牲層160をパターン化された不動態化層154に付着する。犠牲層160は、任意の適当な材料、例えば、厚いフォトレジストまたはポリカーボネートで構成されてもよい。図示の例では、厚いフォトレジスト、例えば、SU−8が使用されている。図5Iおよび図6Iにおいて、共通のアンカー通路162を下層の共通の入力端子114に、ばね通路164を不動態化層154に開口するように、犠牲層160をパターン化する。詳細には、通路162、164の所望のパターンを有する第3のマスク(図示せず)により犠牲層160を光に露光し、次いで、UV光に露光された犠牲層160の部分を選択的にエッチング除去し、それにより第3のマスクのパターンを犠牲層160に転写する。図5Jおよび図6Jにおいて、犠牲層156を通して硬質の金を通路162、164内に電気めっきして共通のアンカー136およびばねアンカー138を形成する。方法におけるこの段階で、アンカー136、138の頂部および犠牲層160の頂面は、一般に粗い。これは、この表面が後でスイッチング部材106の底面を規定するので、望ましくない。スイッチング部材106の滑らかな底面を得るために、リフロー方法または化学機械的研磨工程を使用して、図5Kおよび図6Kに示されるように、アンカー136、138の頂部および犠牲層160の頂面を平面化して犠牲層160の頂面を滑らかにする。これは、2重締付けビームの第1のモード形状、すなわち、「ギター弦」モードに対応する好適な曲げモードを有するばね128を確保するようになされる。さもなければ、ばね128が望ましくない「S」形状(第2のモード)またはもっと悪い形状をとる恐れがある。
図5Lおよび図6Lにおいて、例えば、蒸着のような適当な方法によりシード層166を犠牲層160に付着する。このシード層166は、導電性であって、電気めっき溶液中の金属イオン、例えば、金、チタンおよび/またはタングステンのイオンに対する高い親和性を有する材料で構成される。図5Mおよび図6Mにおいて、ばねパターン化層168をシード層166に付着し、パターン化してスイッチング部材106のばね128の湾曲誘発層用の型170を形成する。詳細には、パターン化層168を、スイッチング部材106のばね128の所望のパターンを有する第4のマスク(図示せず)を介して光に露光し、次いで、光に露光されたパターン化層168の部分を選択的にエッチング除去し、それによりマスクのパターンをパターン化層168に転写する。図5Nおよび図6Nにおいて、硬質金の薄層172(図示の実施の形態では、ほぼ1ジムだが、一般には、好ましくは、後で付着される軟質金の全厚の約10%)をばね型170内、すなわち、パターン化層168のエッチング済み部分内に選択的に電気めっきする。以下に更に詳細に説明するように、この薄い金層172は、ばね128が所望の湾曲を示すように、ばね128に固有の応力勾配を与えるために使用される。部材内の応力勾配の導入についての更なる詳細は、「固有の応力勾配を有する静電アクチュエータ」と称する出願中の米国特許出願第09/944,867号(これは参照によりここに組み入れられる)に開示されている。図示の方法では、アンカー138に隣接したばね128の端部は、これらが固定され、かくしていずれの湾曲も示さないので、金層172を有していない。図5Oおよび6Oにおいて、例えば、アセトンを使用してパターン化層168をシード層166から除去する。図5Pおよび6Pにおいて、軟質金の薄層174(例えば、10μm)を、ばね128の1つの層を形成する薄い金層172、ならびにシード層166の露出部分に(例えば、電気めっきにより)付着してスイッチング部材106の主構造体を形成する。
図5Qおよび6Qにおいて、鉄要素パターン化層176を軟質金層174に付着し、ばね128にわたってのみパターン化してアクチュエータ108の鉄要素144用の型178を形成する。詳細には、パターン化層176を、鉄要素144の所望のパターンを有する第5のマスク(図示せず)を介して光に露光し、次いで、光に露光されたパターン化層176の部分を選択的にエッチング除去し、それによりマスクのパターンをパターン化層176に転写する。図5Rおよび6Rにおいて、鉄材料を鉄要素型178内、すなわち、パターン化層176のエッチング済み部分内に選択的に電気めっきして鉄要素144を形成する。図5Sおよび6Sにおいて、例えば、アセトンを使用して、パターン化層176を軟質金層174から除去する。
図5Tおよび6Tにおいて、スイッチング部材パターン化層182を軟質金層174に付着し、そしてスイッチング部材106の形状にパターン化する。詳細には、パターン化層182を、スイッチング部材106の所望のパターンを有する第6のマスク(図示せず)を介して光に露光し、次いで、光に露光されたパターン化層182の部分を選択的にエッチング除去し、それによりマスクのパターンをパターン化層182に転写する。図5Uおよび6Uにおいて、パターン化層182により露出された金層174の部分を選択的にエッチング除去する標準のエッチング剤で金層174をエッチングすることによりパターン化層182のパターンを軟質金層174に転写することによって、横方向捩り部材124、中心片持ち梁126およびばね128と共にスイッチング部材106を形成する。図5Vおよび6Vにおいて、例えば、アセトンを使用して、パターン化層182をスイッチング部材106から除去する。
図5Wおよび6Wにおいて、犠牲層160を除去してスイッチング部材106を解放する。犠牲層160を溶解し、その後、液剤、例えば、脱イオン化(DI)水またはメタノールによりリンス、または適切な乾式エッチングプラズマ、またはポリカーボネート剥離層の場合、熱分解を行なうように、適当な手段、例えば、厚いレジストストリッパを使用して犠牲層160を除去する。
図7を参照して、頂チップ102の、その関連要素と共の作成を詳細に説明する。
図7Aおよび8Aにおいて、電気めっきのような標準付着技術を使用して、頂基板118の全面を金層184で被覆する。この工程は、作成方法の直前に行われることができ、或いはこのような製品の供給者により行われることができる。図7Aおよび図7Bにおいて、図示の実施の形態では、フォトレジスト材料で構成されるCPWパターン化層186を金層184にわたって付着し、頂CPW120の形状にパターン化する。詳細には、パターン化層186を、頂CPW120の所望のパターンを有する第7のマスク(図示せず)を介して光に露光し、次いで、光に露光されたパターン化層186の部分を選択的にエッチング除去し、それによりマスクのパターンをパターン化層186に転写する。図7Cにおいて、パターン化層186により露出された金層184の部分を選択的にエッチング除去する標準の金エッチング剤で金層184をエッチングすることによりパターン化層186のパターンを金層184に転写することによって頂CPW120を形成する。図7Dにおいて、例えばアセトンを使用して、パターン化層186をCPW120から除去する。
図7Eおよび図8Eにおいて、スイッチング・アセンブリ100の構成部品間の電気的隔離、ならびに取扱い中のスイッチング・アセンブリ100の敏感な保護を行なうために、不動態化層188をCPW120および基板118の露出部分に付着する。図示実施の形態では、不動態化層188は、写真平版材料、詳細には、BCBで構成される。図7Fおよび図8Fにおいて、端子通路190、192を下層のCPW120に開口するように不動態化層188をパターン化する。
詳細には、不動態化層188を、通路190、192、194の所望のパターンを有する第8のマスク(図示せず)を介してUV光に露光し、次いで、UV光に露光された不動態化層188の部分を選択的にエッチング除去し、それにより第8のマスクのパターンを不動態化層188に転写する。図7Gおよび図8Gにおいて、硬質の金のような適当な導電性材料を、不動態化層188を通して通路190、192、194内に電気めっきして頂出力端子122用のスペーサ端子149およびコイル端子146、148を形成する。
図7Hおよび図8Hにおいて、例えば蒸着のような適当な方法によりシード層195を不動態化層188に付着する。このシード層195は、導電性であって、電気めっき溶液中の金属イオン、例えば、金、チタンおよび/またはタングステンのイオンに対する高い親和性を有する材料で構成される。図7Iおよび図8Iにおいて、図示の実施の形態では、厚いフォトレジストで構成されるコイルパターン化層196をシード層195に付着する。図7Jおよび図8Jにおいて、パターン化層196をパターン化してコイル型197を形成する。詳細には、パターン化層196を、磁気アクチュエータコイル142の所望のパターンを有する第9のマスク(図示せず)を介して光に露光し、次いで、光に露光されたパターン化層196の部分を選択的にエッチング除去し、それによりマスクのパターンをパターン化層196に転写する。図7Kおよび図8Kにおいて、銅のようなコイル材料をコイル型197内に電気めっきしてコイル142を形成する。図7Lおよび図8Lにおいて、化学機械的研磨のような適当な方法を使用してコイルの頂部およびパターン化層196の頂面を平面化する。
図7Mおよび図8Mにおいて、端子パターン化層198をコイルパターン化層196およびコイル142にわたって付着し、そしてパターン化して頂出力端子122用の通路199を生じる。詳細には、パターン化層198を、通路199の所望のパターンを有する第10のマスク(図示せず)を介して光に露光し、次いで、光に露光された不動態化層188の部分を選択的にエッチング除去し、それにより第10のマスクのパターンをパターン化層198に転写する。図7Nおよび図8Nにおいて、パターン化層198を通して硬質の金を通路199内に電気めっきして頂出力端子122を形成する。硬質の金は、この工程では、軟質の金で構成される片持ち梁126が頂出力端子122に融着しないように、さもなければ粘着問題を引起さないように使用される。次に、第7の厚いフォトレジストマスク(図示せず)を使用して離隔絶縁体(図示せず)を露光し、次いで、軟質金の厚い層およびインジウムまたは他の適当なはんだ金属の薄い層(図示せず)を適切な付着方法、例えば蒸着またはスパッタリングにより付着する。これにより離隔絶縁体の高さを反対側チップの離隔絶縁体の高さと等しくし、離隔絶縁体が上側および下側チップ間の付着層として作用する。図7Oおよび図8Oにおいて、例えばアセトンを使用して異質インジウム、インジウムパターン化層および端子パターン化層198をコイルパターン化層196から除去する。図7Pおよび図8Pにおいて、コイルパターン化層196を、例えば適切なストリッパ、プラズマエッチングまたは熱分解によりシード層195から除去し、それによりパターン化層196を溶解し、その後、液剤、例えば、脱イオン化(DI)水またはメタノールによりリンスを行なう。図7Qおよび図8Qにおいて、シード層195の露出部分を選択的にエッチング除去する標準の金エッチング剤でシード層195を不動態化層188からエッチング除去する。
底および頂チップ102、104が作成されると、図9に示されるように、これらのチップ102、104を互いに対して取付けることによってスイッチング・アセンブリ100を組立てる。これらのチップ102、104間の間隔は、スイッチング・アセンブリ100がアップ状態にあるとき、片持ち梁126の自由端部130が頂出力端子122と接触し(図1)、スイッチング・アセンブリ100がダウン状態にあるとき、片持ち梁126の自由端部130が底出力端子116と接触するように(図2)、離隔絶縁体の高さにより定められる。2つのチップが的確に整合されると、上側および下側チップの金離隔絶縁体間にインジウム層または他のこのような軟質はんだ状材料を使用して低温共融結合を形成する。
前述のスイッチング・アセンブリ100をSPDTスイッチとして説明したが、スイッチング部材106を他の種類の双安定性スイッチについて有利に使用することができる。例えば、図12および図13は、本発明の他の好適な実施の形態により構成された単極単投(SPST)スイッチング・アセンブリ200を示している。このスイッチング・アセンブリ200は、頂チップを利用しておらず、かくして頂RF出力端子をスイッチング系に使用していないことを除いて、スイッチング・アセンブリ100と構造上同様である。この場合、磁界コイル142は、(図10に示されるように)隣接構造体に取付けられるか、或いは底チップ102に取り付けられる。
機能的には、RF信号を共通の入力端子から2つの出力端子のうちの一方に交互に切り換えるのではなく、スイッチング・アセンブリ200は、RF信号が入力端子から単一の出力端子へ送られるオン状態と、RF信号が入力端子から全く送られないオフ状態との間で交互に切り換わる。
かくして、スイッチング・アセンブリ200がダウン状態(または「オン状態」にあるとき(図13)、入力および出力端子114、116間に閉回路が形成されることは理解できる。詳細には、中心片持ち梁126の接触点132が、底チップ102の出力端子116と接触し、従って、底チップ102の入力端子114のところのRF信号が、共通のアンカー136を上り、中心片持ち梁126を横切って出力端子116に入り、そして底CPW112を通り、そこで底チップ102の回路に送られる。しかしながら、スイッチング・アセンブリ200がアップ状態(または「オフ状態」)にあるとき(図12)、入力および出力端子114、116間に開回路が形成される。詳細には、中心片持ち梁126の接触点132が、出力端子116との接触から解放され、かくして入力端子114からのRF信号は、出力端子116に移動しない。
先に述べたように、入力および出力端子としての端子の特徴付けは、回路が如何に設計されるかに依存している。例えば、端子114は、RF出力端子であることができ、端子116は、RF入力端子であることができる。この場合、スイッチング・アセンブリ200は、これがオン状態にされると、RF信号が入力端子116から出力端子114へ移動することを除いて、前述のように機能する。
スイッチング・アセンブリ200は、磁界コイル142を含む、底チップ102の関連構成部品のみが底チップ102に一体に作成されることを除いて、スイッチング・アセンブリ100と同様に作成されることができる。
図14および図15は、本発明の他の好適な実施の形態により構成された他のSPSTスイッチング・アセンブリ300を示している。このスイッチング・アセンブリ300は、RF入力および出力端子が互いに隣接しており、中心片持ちばりがこれらの入力および出力端子を短絡するように変更されていることを除いて、スイッチング・アセンブリ200と構造上同様である。この目的で、スイッチング・アセンブリ300は、互いに隣接して基板110の一方の側に配置されたRF入力および出力端子114、116を有する底チップ302を備えている。更に、スイッチング・アセンブリ300は、自由端部330に横方向短絡バー332を有する中心片持ち梁326を備えていることを除いて、前述のスイッチング部材106と同様であるスイッチング部材306を備えている。短絡バー332は、中心片持ち梁326の自由端部330に心出しされており、そして入力および出力端子114、116間の間隔に少なくとも等しい長さを有している。
かくして、スイッチング・アセンブリ300がダウン状態(または「オン状態」にあるとき(図15)、入力および出力端子114、116間に閉回路が形成されることは理解できる。詳細には、中心片持ち梁126の短絡バー332は、入力端子114のところのRF信号が短絡バー332を横切って出力端子116へ移動するように、入力および出力端子114、116と接触する。しかしながら、スイッチング・アセンブリ300がアップ状態(または「オフ状態」にあるとき(図14)、入力および出力端子114、116間に開回路が形成される。詳細には、中心片持ち梁126の短絡バー332は、入力および出力端子114、116との接触から解放され、かくして、出力端子114からのRF信号は、出力端子116へ移動しない。
先に述べたように、入力および出力端子としての端子の特徴付けは、回路が如何に設計されるかに依存している。例えば、端子114は、RF出力端子であることができ、端子116は、RF入力端子であることができる。この場合、スイッチング・アセンブリ300は、これがオン状態にされると、RF信号が入力端子116から出力端子114へ移動することを除いて、前述のように機能する。
スイッチング・アセンブリ300は、入力および出力端子114、116が隣接して作成されることを除いて、スイッチング・アセンブリ200と同様に作成されることができる。また、共通のアンカー136が導電性である必要がなく、或いは少なくともCPW112に接続される必要がないので、共通のアンカー136は、ばねアンカー138とともに不動態化層に直接形成されることができる(図6K−1参照)。また、短絡バー332を除いて、スイッチング部材106は、非導電性材料、または少なくとも、金ほど導電性ではない導電性材料、例えば、ポリマーで構成されることができる。このようにして、導電性スイッチング部材により発生されるいずれのRF干渉が除去される。
本発明の特定の実施の形態を示して説明したが、本発明を好適な実施の形態に限定しようとするものではないことは理解されるであろうし、また、本発明の精神および範囲を逸脱することなしに、種々の変更例および変形例を行なうことができることは、当業者には明らかであろう。かくして、本発明は、請求項により定められる本発明の精神および範囲内に含まれる変更例、変形例および同等例を網羅するものである。
Claims (44)
- 安定な構造体と、
可撓性部分を有する横方向捩り部材、板ばね、および自由端部を有する導電性片持ちばりを有するスイッチング部材であって、板ばねおよび片持ちばりが、横方向捩り部材の可撓性部分から延びているスイッチング部材と、
前記捩り部材を前記安定な構造体に取付ける第1の固定部材と、
前記板ばねを前記安定な構造体に取付ける第2の固定部材と、
を備えたマイクロ電気機械的系統(MEMS)スイッチング・アセンブリであって、
前記板ばねは、前記第1および第2の固定部材の間に可撓性部分を有し、この可撓性部分は両反対方向に交互に曲げられることが可能であり、それによって前記片持ちばりの端部を両反対方向に振るように構成されているマイクロ電気機械的系統(MEMS)スイッチング・アセンブリ。 - 前記安定な構造体は、基板よりなる請求項1に記載のスイッチング・アセンブリ。
- 前記弾性スイッチング部材は、平面状の膜を備えている請求項1に記載のスイッチング・アセンブリ。
- 前記片持ちばりは、導電性である請求項1に記載のスイッチング・アセンブリ。
- 前記スイッチング部材は、前記捩り部材の可撓性部分から延びている他の板ばねを備えており、前記第1および第2の板ばねは、前記片持ちばりをその間に挟むように配置されている、請求項1に記載のスイッチング・アセンブリ。
- 前記板ばねは、前記捩り部材の可撓性部分から第1の距離延びており、前記片持ちばりは、前記捩り部材の可撓性部分から第1の距離より大きい第2の距離延びている、請求項1に記載のスイッチング・アセンブリ。
- 前記片持ちばりの端部は、前記板ばねが第2の距離曲がると、第1の距離振れ、第1の距離は、第2の距離より大きい、請求項1に記載のスイッチング・アセンブリ。
- 前記第1の距離は、前記第2の距離の2倍より大きい、請求項7に記載のスイッチング・アセンブリ。
- 前記板ばねは、両反対方向のうちの一方に曲げられると、第1の安定な幾何形状を示し、両反対方向のうちの他方に曲げられると、第2の安定な幾何形状を示す、請求項1に記載のスイッチング・アセンブリ。
- 前記板ばねは、これを第1および第2の安定な幾何形状に維持する応力勾配を有している、請求項9に記載のスイッチング・アセンブリ。
- 前記第1の安定な幾何形状は、凸形の幾何形状であり、前記第2の安定な幾何形状は、凹形の幾何形状である、請求項9に記載のスイッチング・アセンブリ。
- 前記片持ちばりに恒久的に電気的に結合されている共通の電気端子と、
前記片持ちばりが両反対方向のうちの一方に振られるときにのみ、前記片持ちばりに電気的に結合される第1の電気端子と、
前記片持ちばりが両反対方向のうちの他方に振られるときにのみ、前記片持ちばりに電気的に結合される第2の電気端子とを更に具備している、請求項1に記載のスイッチング・アセンブリ。 - 前記第1の固定部材は、導電性であり、前記共通の電気端子に取付けられている、請求項12に記載のスイッチング・アセンブリ。
- 前記片持ちばりに恒久的に電気的に結合されている第1の電気端子と、
前記片持ちばりが両反対方向のうちの一方に振られるときにのみ、前記片持ちばりに電気的に結合される第2の電気端子とを更に具備している、請求項1に記載のスイッチング・アセンブリ。 - 前記第1の固定部材は、導電性であり、前記第1の電気端子に取付けられている、請求項14に記載のスイッチング・アセンブリ。
- 前記片持ちばりが両反対方向のうちの一方に振られるときにのみ、前記片持ちばりに電気的に結合される第1および第2の電気端子を更に具備している、請求項1に記載のスイッチング・アセンブリ。
- 前記片持ちばりは、これが前記一方の反対方向に振られると、前記第1および第2の電気端子を短絡する短絡バーを備えている請求項16に記載のスイッチング・アセンブリ。
- 前記板ばねを反対の第1および第2の方向に交互に曲げるように前記板ばねに作動的に結合されているアクチュエータを更に具備している、請求項1に記載のスイッチング・アセンブリ。
- 前記アクチュエータは、磁気アクチュエータである請求項18に記載のスイッチング・アセンブリ。
- 前記アクチュエータは、
前記板ばねに取付けられた磁界コイルと、
前記磁界コイルから距離を隔てて設置された1つまたはそれ以上の鉄要素とを備えており、第1の極性を有する電流が前記磁界コイルを通って流れると、前記板ばねが前記の1つまたはそれ以上の鉄要素に向けて曲げられ、第2の極性を有する電流が前記磁界コイルを通って流れると、前記板ばねが前記の1つまたはそれ以上の鉄要素から離れる方向に曲げられるようになっている、請求項19に記載のスイッチング・アセンブリ。 - 前記アクチュエータは、
前記板ばねに取付けられた1つまたはそれ以上の鉄要素と、
前記鉄要素から距離を隔てて設置された磁界コイルとを備えており、第1の極性を有する電流が前記磁界コイルを通って流れると、前記板ばねが前記の1つまたはそれ以上の鉄要素に向けて曲げられ、第2の極性を有する電流が前記磁界コイルを通って流れると、前記板ばねが前記の1つまたはそれ以上の鉄要素から離れる方向に曲げられるようになっている、請求項19に記載のスイッチング・アセンブリ。 - 共通の端子および第1の端子を有する第1の基板と、
第2の端子を有する第2の基板と、
可撓性部分を有する横方向捩り部材、板ばね、および自由端部を有する導電性片持ちばりを有する弾性スイッチング部材であって、前記板ばねおよび前記片持ちばりが、前記捩り部材の可撓性部分から延びている、弾性スイッチング部材と、
前記捩り部材を安定な構造体に取付ける第1の固定部材と、
前記板ばねを安定な構造体に取付ける第2の固定部材と、
を備えたマイクロ電気機械的系統(MEMS)スイッチング・アセンブリであって、
前記板ばねは、前記第1および第2の固定部材の間に可撓性部分を有し、この可撓性部分は両反対方向に交互に曲げられることが可能であり、それにより前記片持ちばりの端部を両反対方向に振って前記第1および第2の端子と電気導通させるように構成されているマイクロ電気機械的系統(MEMS)スイッチング・アセンブリ。 - 前記スイッチング部材は、平面状の膜を備えている請求項22に記載のスイッチング・アセンブリ。
- 前記片持ちばりは、導電性である請求項22に記載のスイッチング・アセンブリ。
- 前記スイッチング部材は、前記捩り部材の可撓性部分から延びている他の板ばねを備えており、前記第1および第2の板ばねは、前記片持ちばりをその間に挟むように配置されている、請求項22に記載のスイッチング・アセンブリ。
- 前記板ばねは、前記捩り部材の可撓性部分から第1の距離延びており、前記片持ちばりは、前記捩り部材の可撓性部分から第1の距離より大きい第2の距離伸びている、請求項22に記載のスイッチング・アセンブリ。
- 前記片持ちばりの端部は、前記板ばねが第2の距離曲がると、第1の距離振れ、前記第1の距離は、前記第2の距離より大きい、請求項22に記載のスイッチング・アセンブリ。
- 前記第1の距離は、前記第2の距離の2倍より大きい、請求項27に記載のスイッチング・アセンブリ。
- 前記板ばねは、両反対方向のうちの一方に曲げられると、第1の安定な幾何形状を示し、両反対方向のうちの他方に曲げられると、第2の安定な幾何形状を示す、請求項22に記載のスイッチング・アセンブリ。
- 前記板ばねは、これを第1および第2の安定な幾何形状に維持する応力勾配を有している、請求項29に記載のスイッチング・アセンブリ。
- 前記第1の安定な幾何形状は、凸形の幾何形状であり、前記第2の安定な幾何形状は、凹形の幾何形状である、請求項29に記載のスイッチング・アセンブリ。
- 前記第1の固定部材は、導電性であり、共通の端子に取付けられている、請求項22に記載のスイッチング・アセンブリ。
- 前記板ばねを反対の第1および第2の方向に交互に曲げるように前記板ばねに作動的に結合されているアクチュエータを更に具備している、請求項22に記載のスイッチング・アセンブリ。
- 前記アクチュエータは、磁気アクチュエータである請求項33に記載のスイッチング・アセンブリ。
- 前記アクチュエータは、
前記板ばねに取付けられた磁界コイルと、
前記第1および第2の基板のうちの一方に取付けられた1つまたはそれ以上の鉄要素とを備えており、第1の極性を有する電流が前記磁界コイルを通って流れると、前記板ばねが前記の1つまたはそれ以上の鉄要素に向けて曲げられ、第2の極性を有する電流が前記磁界コイルを通って流れると、前記板ばねが前記の1つまたはそれ以上の鉄要素から離れる方向に曲げられるようになっている、請求項34に記載のスイッチング・アセンブリ。 - 前記アクチュエータは、
前記板ばねに取付けられた1つまたはそれ以上の鉄要素と、
前記第1および第2の基板のうちの一方に取付けられた磁界コイルとを備えており、第1の極性を有する電流が前記磁界コイルを通って流れると、前記板ばねが前記の1つまたはそれ以上の鉄要素に向けて曲げられ、第2の極性を有する電流が前記磁界コイルを通って流れると、前記板ばねが前記の1つまたはそれ以上の鉄要素から離れる方向に曲げられるようになっている、請求項34に記載のスイッチング・アセンブリ。 - 前記第1の基板は、共通の入力端子および第1の端子に結合された同一平面状の導波管を備えており、前記第2の基板は、前記第2の端子に結合された同一平面状導波管を備えている、請求項22に記載のスイッチング・アセンブリ。
- 可撓性部分を有する横方向捩り部材と、
前記捩り部材の可撓性部分から延びていて、自由端部を有する導電性片持ちばりと、
前記捩り部材の可撓性部分から延び、前記片持ちばりをその間に挟むように配置されている1対の板ばねと、
を備えたマイクロ電気機械的系統(MEMS)スイッチング・アセンブリ用のスイッチング部材であって、
前記1対の板ばねは、両反対方向に曲げられたとき、安定な第1および第2の幾何形状を交互に示し、それによって前記片持ちばりの端部を夫々の両反対方向に振るように構成されているマイクロ電気機械的系統(MEMS)スイッチング・アセンブリ。 - 前記片持ちばりは、導電性である請求項38に記載のスイッチング部材。
- 前記1対の板ばねは、前記捩り部材の可撓性部分から第1の距離延びており、前記片持ちばりは、前記捩り部材の可撓性部分から前記第1の距離より大きい第2の距離延びている、請求項38に記載のスイッチング部材。
- 前記片持ちばりは、前記板ばねが第2の距離曲がると、第1の距離振れ、前記第1の距離は、前記第2の距離より大きい、請求項38に記載のスイッチング部材。
- 前記第1の距離は、前記第2の距離の2倍より大きい請求項41に記載のスイッチング部材。
- 前記1対の板ばねは、これらを安定な凸形および凹形の幾何形状に維持する応力勾配を有している、請求項38に記載のスイッチング部材。
- 前記第1の幾何形状は、凸形の幾何形状であり、前記第2の幾何形状は、凹形の幾何形状である、請求項38に記載のスイッチング部材。
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