JP2005525540A - 回路構造、レドックス再生利用センサー、センサー構造、および、センサー電極によって供給された電流信号の処理方法 - Google Patents
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Abstract
Description
回路設計において、用いる要素(ノイズ、パラメータの変化)の非理想性について、これらの非理想性が可能な限り無視できる程度に機能する動作点が、回路中のこれらの構成素子用に選択されるような形で考慮することが知られている。
第1の選択肢では、制御回路の入力部に流れている電流が所定の電流強度範囲の上限を上回った場合、計数読み取り値を所定値だけ上昇させる。それに対して、制御回路の入力部に流れている電流が所定の電流強度範囲の下限を下回った場合、計数読み取り値を所定値だけ下げる。
m=(I1−I0)/(t1−t0) (1)
電流軸を部分ΔIに分割することにより、および、他の間隔ΔIの超過部分を検出することによって、実際に、以下の式によって表される変数m*を記録する。
m*(t1)=nΔI/(t1−t0) (2)
有限幅の電流間隔ΔIにおける電流の量子化に起因する相対誤差については、以下の式が重要である。
(m−m*)/m=1/(n+1) (3)
(3)から、nを十分大きく選択した場合(つまり、測定時間を十分に長く、または、電流間隔ΔIを十分に短く選択した場合)、相対誤差を無視できる程に小さくすることができるということがわかる。nは、ほぼ、
n≒(I1−I0)/ΔI (4)
である。
図7に示した電流源704は、電圧制御電流源である。
ISensor=IMess+IRange (5)
となる。
IMess(t)=ISensor(t)−ISensor(t*)+IBase (6a)
IRange(t)=ISensor(t*)−IBase (6b)
となる。
IMess(t)=IBase (7a)
IRange(t)=ISensor(t)−IBase (7b)
となる。
m*(t1)=nΔI/(t1−t0−nΔt) (8)
強調すべきは、図7に示した回路構造700とは違って、計数素子714を提供する代わりに、パルス727の周波数を検出ユニット711の出力部で直接記録できる。この周波数には、センサー電流信号ISensor715の情報が含まれている。
また、制御ユニット905の他の第2入力部906bから制御ユニット905に供給された第2パルス信号908bは、測定信号IMess708が所定の電流強度値IBase924に戻るように、電流源704を制御する。計数素子904の第2入力部904bに供給された第2パルス908bによって、そこで、計数素子904bの計数読み取り値が所定値(例えば「1」)まで下がる。これにより、リセットパルスを正確に合計できる。なぜなら、時点927で生じたリセットパルスが、他の電流強度範囲804によるセンサー電流の増加には起因していないからであり、例えばノイズ効果によって戻された電流信号の低下に起因しているからである。
これに対して、リセット点926bは、時点927で記録されるセンサー電流801が電流強度間隔ΔI804だけ逆戻りしていることを示している。「+ΔI」事象から生じた第2パルス908bを、計数素子904の前方入力部904aに供給し、「−ΔI」事象から生成された第2パルス908bを、計数素子904の後方入力部904bに供給する。結果として、計数読み取り値928は、どの第1リセット点926bでも、所定値「1」まで上昇する。したがって、図9Aに示した回路構造900を用いた場合、センサー電流が望ましくない効果のゆえに一時的に低減するという例においても、パルスを完全に正確に合計できる。
第4p型MOSトランジスタ1008の他のソースドレイン領域は、供給電圧源1009に連結されている。第4p型MOSトランジスタ1008のゲート領域は、第4電気接点1010に連結されている。第4電気接点1010は、検出ユニット711の出力部および計数素子714の入力部に連結されている。さらに、第2電気接点1003は、第2演算増幅器1011の反転入力部に連結されている。第2演算増幅器1011の非反転入力部は、第2基準電圧源1012に連結されている。第1出力信号1013を供給できる第2演算増幅器1011の出力部は、検出ユニット711の入力部に連結されている。検出ユニット711の他の出力部が、第3p型MOSトランジスタ1006のゲート領域に連結されている。第3p型MOSトランジスタ1006の他のソースドレイン領域は、第5電気接点1014に連結されている。第5電気接点1014は、第2p型MOSトランジスタ1002のゲート領域とメモリーキャパシタ1015とに連結されている。さらに、メモリーキャパシタ1015は、第6電気接点1016に連結されている。さらに、第6電気接点1016は、第2p型MOSトランジスタ1002の他のソースドレイン領域に連結されている。第6電気接点1016は、さらに、供給電圧源1009に連結されている。
Vout=A1(VK−VBias) (9)
が有効である。
VK=VBias+Vout/A1 (10)
となる。
このエッジは、パルスを生成するための検出ユニット711を刺激する。すでに記載したように、検出ユニットは、通常の状態では検出ユニット711の両方の出力部が動作状態{1}1020のスイッチを切り替えるように、設定されている。つまり、第3p型MOSトランジスタ1006のゲート領域が導通しておらず、それに対して第4p型MOSトランジスタ1008のゲート領域は導通している。検出ユニット711では、第1パルス1017および第2パルス1018が生じ、所定の時間間隔Δtの間に第2動作状態{2}を作り出す。この例では、第3p型MOSトランジスタ1006のゲート領域は導通しており、それに対して第4p型MOSトランジスタ1008のゲート領域は導通していない。この第2動作状態では、測定電流IMess708は値0に戻り、同時に新しい補助電流IRange709を規定する。また、リセット工程の数を、パルス数を計数素子714を用いて記録することにより、認識する。このとき、計数素子714中のパルスの数または時間順序をデジタルで格納する。
[1]Hintsche,R, Paeschke,M, Uhlig,A, Seitz,R (1997年)『Si技術によって製造されたマイクロバイオセンサー、最先端のバイオセンサー学、基本原理(Microbiosensors using Electrodes made in Si-technology, Frontiers in Biosensorics, Fundamental Aspects)』Scheller,FW, Schubert,F, Fedrowitz,J編集, Birkhauser出版, バーゼル,スイス、267-283ページ。
[2]van Gerwen,P (1997年)「生化学センサー用のナノ規模のインターデジタル電極アレイ(Nanoscaled Interdigitated Electrode Arrays for Biochemical Sensors)」『IEEE』,ソリッドステートセンサーと作動装置に関する国際会議(International Conference on Solid-State Sensors), シカゴ,907‐910ページ, 1997年6月16日‐19日
[3]Paeschke,M, Dietrich,F, Uhlig,A, Hintsche,R (1996年)「微小電極アレイによって製造されたシリコンを用いた電圧電流多チャネル測定(Voltammetric Multichannel Measurements Using Silicon Fabricated Microelectrode Arrays)」『電機分析(Electroanalysis)』7巻、1号、1−8ページ。
[4]Uster,M, Loelier,T, Guggenbuehl,W, Jaeckel,H (1999年)「積分器としての単トランジスタを用いた集積ADCおよび超低量(最低1fA)入力電流用増幅器」『進化したA/DおよびD/A変換器技術、および、それらの使用(Advanced A/D and D/A Conversion Techniques and Their Applications)』(巣トラスクライド大学(イギリス)の会議(Konferenz der Universitaet Strathclyde)、1999年7月27−28日、会議出版物466号、86−89ページ、IEE)
101 センサー電極
102 制御回路
103 入力部
104 電流源
105 調整入力部
106 調整入力部
107 出力部
108 第1電流信号
109 第2電流信号
110 検出ユニット
111 捕獲分子
112 記録される分子
113 酵素
114 帯電された粒子
115 第3電流信号
200 センサー
201 電極
202 電極
203 絶縁体
204 電極端子
205 電極端子
206 DNAプローブ分子
207 電解液
208 DNA鎖
300 インターデジタル電極
400 バイオセンサー
401 第1電極
402 第2電極
403 絶縁層
404 第1電極の固定領域
405 DNAプローブ分子
406 電解液
407 DNA鎖
408 酵素
409 分裂可能な分子
410 負電荷の第1部分分子
411 矢印
412 他の解決法
413 酸化された第1部分分子
414 還元された第1部分分子
500 グラフ
501 電流
502 時間
503 電流‐時間グラフ
504 オフセット電流
600 グラフ
601 電気センサー電流
602 時間
603 電流‐時間グラフ
604 オフセット電流
605 電流-時間グラフの傾斜
700 回路構造
701 センサー電極
702 制御回路
703 入力部
704 電流源
705 調整入力部
706 調整出力部
707 出力部
708 測定電流信号
709 補助電流信号
710 電流強度値
711 検出ユニット
712 閾値検出器
713 所定の電流強度範囲
714 計数素子
715 センサー電流信号
716 グラフ
717 グラフ
718 グラフ
719 グラフ
720 電流電圧変換器
721 電気節点
722 第1動作状態
723 第2駆動状態
723a 実際の第2駆動状態
724 制御ユニット
725 他の入力部
726 所定の閾値
727 パルス
728 グラフ
800 グラフ
801 電気センサー電流
802 時間
803 センサー-電流‐時間グラフ
804 電流強度間隔
805 センサー電流の測定間隔
806 電流間隔線
810 グラフ
811 電気測定電流
812 時間
813 測定‐電流‐時間グラフ
814 所定の電流強度値
815 所定の電流強度範囲
816 リセット点
817 測定電流の測定間隔
900 回路構造
901 制御回路
902a 検出ユニットの第1領域
902b 検出ユニットの第2領域
903a 閾値検出器の第1領域
903b 閾値検出器の第2領域
904 計数素子
904a 第1入力部
904b 第2入力部
905 制御ユニット
906a 他の第1入力部
906b 他の第2入力部
907a 所定の第1閾値
907b 所定の第2閾値
908a 第1パルス
908b 第2パルス
920 グラフ
921 電圧測定電流
922 時間
923 測定‐電流‐時間グラフ
924 所定の電流強度値
925 所定の電流強度範囲
926a 第1リセット点
926b 第2リセット点
927 時点
928 計数読み取り値
1000 回路構造
1001 第1p型MOSトランジスタ
1002 第2p型MOSトランジスタ
1003 第2電気接点
1004 第3電気接点
1005 第1演算増幅器
1006 第3p型MOSトランジスタ
1007 第1基準電圧源
1008 第4p型MOSトランジスタ
1009 供給電圧源
1010 第4電気接点
1011 第2演算増幅器
1012 第2基準電圧源
1013 第1出力信号
1014 第5電気接点
1015 メモリーキャパシタ
1016 第6電気接点
1017 第1パルス
1018 第2パルス
1019 電気接続剤
1020 第1制御ループ
1021 第2制御ループ
1050 フリップフロップ
1051 第1入力部
1052 第2入力部
1053 出力部
1054 電気接点
1055 オームの抵抗
1056 第2電気接点
1057 キャパシタ
1058 第1インバータ段階
1059 第2インバータ段階
Claims (17)
- 回路構造であって、
センサー電極と、
入力部を介して上記センサー電極と連結している制御回路と、
電流源であって、上記制御回路により制御可能になるように、電流源の制御入力部を介して上記制御回路の制御出力部に連結され、かつ、電流源の出力部を介して上記センサー電極に連結されている、電流源と、を備え、
上記制御回路にその入力部を介して流れる電流信号が、所定の電流強度範囲外である場合、制御回路が電流源を制御し、この制御により電流源がその発生電流を調整することによって、制御回路の入力部に所定の電流強度値の電流が流れるようになっており、
上記制御回路へその入力部を介して流れる電流信号が、所定の電流強度範囲内である場合、上記制御回路が上記電流源を制御し、この制御により発生した電流を実際の値に固定するようになっており、
上記制御回路にその入力部を介して流れる電流信号が所定の電流強度範囲外であるという、事象を検出できる検出ユニットを備える、回路構造。 - さらに、計数素子を備え、上記計数素子は、上記検出ユニットに電気的に連結され、かつ、上記検出ユニットにより検出された事象の数、および/または、事象の時間的順序を計算するように設定されている、請求項1に記載の回路構造。
- 上記制御回路の入力部に流れている電流が所定の電流強度範囲の上限を越えた場合に、計数読み取り値が所定値だけ上昇するように、計数素子が設定されている、請求項2に記載の回路構造。
- 上記制御回路の入力部に流れている電流が所定の電流強度範囲の下限を下回った場合に、計数読み取り値が所定値だけ下がるように、計数素子が設定されている、請求項3に記載の回路構造。
- 上記制御回路の入力部に流れている電流が所定の電流強度範囲の上限を上回った場合に、計数読み取り値が所定値だけ下がるように、計数素子が設定されている、請求項2に記載の回路構造。
- 上記制御回路の入力部に流れている電流が所定の電流強度範囲の下限を下回った場合に、計数読み取り値が所定値だけ上昇するように、計数素子が設定されている、請求項5に記載の回路構造。
- 上記電流源が電圧制御電流源である、請求項1〜6のいずれか1項に記載の回路構造。
- 上記制御回路がその入力部において電流電圧変換器を備え、
上記電流電圧変換器は、上記制御回路の入力部に供給される電流が電圧信号に変換されるように設定されている、請求項1〜7のいずれか1項に記載の回路構造。 - 集積回路として設計されている、請求項1〜8のいずれか1項に記載の回路構造。
- 請求項1〜9のいずれか1項に記載の回路構造を備えた、レドックス再生利用センサー。
- 請求項1〜10のいずれか1項に記載回路構造を複数備えたセンサー構造。
- センサー電極を介して供給される電流信号の処理方法であって、
センサー電極と、
入力部を介して上記センサー電極と連結している制御回路と、
電流源であって、上記制御回路により制御可能になるように、電流源の制御入力部を介して上記制御回路の制御出力部に連結され、かつ、電流源の出力部を介して上記センサー電極に連結されている、電流源と、を備え、
上記制御回路にその入力部を介して流れる電流信号が、所定の電流強度範囲外である場合、制御回路が電流源を制御し、この制御により電流源がその発生電流を調整することによって、制御回路の入力部に所定の電流強度値の電流が流れるようになっており、
上記制御回路へその入力部を介して流れる電流信号が、所定の電流強度範囲内である場合、上記制御回路が上記電流源を制御し、この制御により発生した電流を実際の値に固定するようになっており、
上記制御回路にその入力部を介して流れる電流信号が所定の電流強度範囲外であるという、事象を検出できる検出ユニットを備える回路構造を有し、
上記回路構造において、
上記制御回路にその入力部を介して流れる電流信号が、所定の電流強度範囲外である場合、上記制御回路は、上記電流源がその発生電流を調整することによって、制御回路の入力部に流れる電流が所定の電流強度値になるように、上記電流源を制御し、
上記制御回路にその入力部を介して流れる電流信号が、上記所定の電流強度範囲内である場合、上記制御回路は、上記電流源がその発生電流を実際の値に固定するように、上記電流源を制御し、
上記検出ユニットは、上記制御回路にその入力部を介して流れる電流信号が所定の電流強度範囲外であるという事象を検出する、方法。 - 上記制御回路に電気的に接続された計数素子を用いて、上記事象の数、および/または、上記事象の時間的順序を計算する、請求項12に記載の方法。
- 上記制御回路の入力部に流れている電流が所定の電流強度範囲の上限を上回った場合、計数読み取り値を所定値だけ上昇させる、請求項13に記載の方法。
- 上記制御回路の入力部に流れている電流が所定の電流強度範囲の下限を下回った場合、計数読み取り値を所定値だけ下げる、請求項14に記載の方法。
- 上記制御回路の入力部に流れている電流が所定の電流強度範囲の上限を上回った場合、計数読み取り値を所定値だけ下げる、請求項13に記載の方法。
- 上記制御回路の入力部に流れている電流が所定の電流強度範囲の下限を下回った場合、計数読み取り値を所定値だけ上昇させる、請求項16に記載の方法。
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