JP2005512221A - ロットおよび装置の健全性量（ヘルスメトリック）に基づく生産ロットスケジュールのための方法および装置 - Google Patents

Abstract

本発明の一態様は製造フローのスケジュール作成方法は、処理フローにおいて、複数の製造物品を処理するステップを含む。複数の製造物品の少なくとも一部について、物品健全性量を決定する。処理フロー中の複数の装置（３０−８０）について装置健全性量を決定する。物品健全性量および装置健全性量に基づいて、製造物品の装置（３０−８０）による処理のためのスケジュールを立てる。
製造システム（１０）は、処理フローにおいて複数の製造物品を処理するための複数の装置（３０−８０）、物品健全性監視装置（１３０）、装置健全性監視装置（１５０）およびスケジュールサーバ（９０）を含む。物品健全性監視装置（１３０）は、複数の製造物品の少なくとも一部について物品健全性量を決定するように構成されている。装置健全性監視装置（１５０）は、複数の装置（３０−８０）の少なくとも一部について装置健全性量を決定するように構成されている。スケジュールサーバ（９０）は、物品健全性量および装置健全性量に基づいて、製造物品の装置（３０−８０）による処理のためのスケジュールを立てるように構成されている。

Description

本発明は一般に半導体装置製造の分野に関し、さらに詳細には、ロットおよび装置の健全性量（ヘルスメトリック、Health Metrics）に基づく生産ロット計画（スケジューリング）のための方法および装置に関する。

半導体業界においては、集積回路装置、例えばマイクロプロセッサ、メモリ装置等の品質、信頼性およびスループットの改善に対する継続的な動機付けが存在する。この動機付けは、より高い信頼性を持って動作する高品質のコンピュータおよび電気製品に対する消費者の要求によってあおられている。このような要求は、半導体装置、例えばトランジスタの製造における継続的な改善、さらにはそのようなトランジスタを含む集積回路装置の製造における継続的な改善へと繋がる。さらに、一般的なトランジスタ部品の製造における欠陥を減らすことにより、トランジスタ当たりの全体のコストを下げることができ、さらにはそのようなトランジスタを含む集積回路装置のコストをも下げることができる。

一般的に、あるウェハに対して、１セットの処理ステップが様々な処理（プロセス）装置を用いて行われる。処理装置には、フォトリソグラフィーステッパ、エッチング装置、デポジション（deposition）装置、研磨装置、ラピッド・サーマル処理（rapid thermal processing）装置、インプランテーション（implantation、イオン注入）装置等々が含まれる。半導体処理ラインの運用を改善するテクニックの一つは、様々な処理装置の動作を自動的に制御する全工場的（ファクトリーワイドな）制御システムを採用することである。製造装置が製造フレームワークまたは処理モジュールのネットワークと通信を行う。各製造装置は、通常、装置インターフェイスに結合される。装置インターフェイスは、製造装置と製造フレームワークとの間の通信を促進する機械インターフェイスに結合される。機械インターフェイスは一般にアドバンスド・プロセス・コントロール（ＡＰＣ）システムの一部であってもよい。ＡＰＣシステムは、製造（manufacturing）モデルに基づいて制御スクリプトを起動する。制御スクリプトは、製造プロセスを実行するために必要なデータを自動的に読み出すソフトウェアプログラムとすることができる。しばしば、半導体装置は複数のプロセスのための複数の製造装置を通り抜けて、処理された半導体装置の品質に関するデータを生成する。処理前および／または処理後の測定データが装置のためのプロセス制御装置（コントローラ）に供給される。処理後の結果が目標値にできるだけ近くなるように、プロセス制御装置は性能モデルおよび計測情報に基づいて操作レシピパラメータを計算する。このようにして偏差を減少させることで、スループットを増大、コスト削減、デバイスの性能向上などの収益率向上に等しい結果が生まれる。

典型的な半導体製造工場では、ウェハは、ロットと呼ばれるグループ単位で処理される。ある特定のロット内のウェハは通常同じ処理環境を経て処理される。ある種の装置では、ロット内のすべてのウェハが同時に処理され、他の装置ではウェハは個別に処理されるが、類似の条件（例えば、同一の操作レシピを用いて）下で処理される。通常、多くのウェハがその処理サイクルの開始時においてある優先度を割り当てられている。この優先度は、例えばそのロット中のウェハの数、またはその試験（テスト）もしくは実験ロットとしての状態をもとに割り当てることができる。

ある特定の処理ステップにおいて、処理準備ができたすべてのロットに相対的に割り当てられた優先度が比較される。適格なロットのうちどのロットを処理のために選択するかを決定するためには、様々な基準を用いる。例えば、同じ優先度を持つ２つのロットに対しては、しばしば古い方のロットを続く処理のために選択する。ウェハの試験ロットの場合（つまり、一般的に少ない数のウェハを含む）では、そのロットは、プロセスの特性または最終デバイスの性能を改善しようとする努力において、一以上の実験的処理ステップまたはレシピ調整の対象となる。実験的なパラメータを用いて通常の製造ロットの生産を開始する前に、まず試験ロットのウェハの最終特性に基づいて変更の効果を試験してみるのが有用である。それ故、試験ロットには他の製造ロットに対して相対的に高い優先度が与えられ、その処理がより早く完了するようにしている。特定の優先度の割り当てが行われているにもかかわらず、それらの基準は本質的に静的で、かつ予め決められているものである。ある特定のロットの優先度は、その状態が例えば製造ロットから試験ロットに変化しない限りは、通常その処理サイクル中に変化しない。

製造プロセスの間、製造中のデバイスの性能に影響を与える様々な出来事が発生しうる。つまり、製造プロセスステップ中の変動がデバイス性能のばらつきにつながる。構造の限界寸法（critical dimensions）、ドーピングレベル、接点抵抗、粒子汚染（particle contamination）などの要素はすべて潜在的にデバイスの最終性能に影響を与えうる。デバイスには、通常等級測定によってランク付け（等級付け、格付け）を行い、それによって市場価値を効率的に決定する。一般的に、デバイスの等級が高いほど、デバイスの価値は高い。

あるプロセスが与えられたとき、要求される処理を実行するために一以上の処理装置が利用可能である。あるロットに対して様々な装置で同じ処理を実行することができるが、それらの装置は同じ熟達度のレベル（つまり、装置の健全性）で動作するわけではない。例えば、ある装置はクリーニングサイクルの間隔の終わり近くで動作する。ある場合には、ある装置がそのクリーニング間隔の終点近くで動作しているときには、そのクリーニング間隔の始点近くで動作しているときに比べて、その装置で処理されるウェハはより高い粒子汚染率を示す。より高い粒子汚染率は、その装置で処理されるウェハの等級を下げ、または歩留まりを悪化させうる。装置の利用可能性およびロットの優先度に基づいて、処理ラインを通過するロットのスケジュールを立てると、高い等級および歩留まりを持つロットを低い装置健全性を持つ装置で処理することになり、結果としてそのロットの等級または歩留まりを低下させる。

本発明は上述の一以上の課題を解決し、または少なくともその影響を低減することを目的としている。

発明の概要

本発明の一態様は製造フローのスケジュール作成方法である。この方法は、処理フローにおいて、複数の製造物品を処理するステップを含む。複数の製造物品の少なくとも一部について、物品健全性量を決定する。処理フロー中の複数の装置について装置健全性量を決定する。物品健全性量および装置健全性量に基づいて、製造物品の装置による処理のための計画を立てる。

本発明の他の態様は、処理フローにおいて複数の製造物品を処理するための複数の装置、物品健全性監視装置、装置健全性監視装置およびスケジュールサーバを含む製造システムである。物品健全性監視装置は、複数の製造物品の少なくとも一部について物品健全性量を決定するように構成されている。装置健全性監視装置は、複数の装置の少なくとも一部について装置健全性量を決定するように構成されている。スケジュールサーバは、物品健全性量および装置健全性量に基づいて、製造物品の装置による処理のための計画を立てるように構成されている。

本発明は、添付の図面と関係付けて、以下の説明を参照することによって理解できるであろう。図面中、類似の参照符号は類似の要素を示している。
本発明は様々な変形および代替の形態をとりうるが、その特定の実施形態を例示のために図面に示し、本明細書において詳細に説明する。しかしながら、特定の実施形態についての本明細書中の説明は、開示された特定の形態に本発明を限定しようとするものではなく、むしろ反対に、添付の特許請求の範囲に規定される本発明の精神および範囲の範疇に入る、すべての変形物、均等物および代替物を含むことを意図している、ことを理解してもらいたい。

本発明の例示としての実施形態を以下説明する。明確化のために、本明細書では、現実の実施品のすべての特徴を説明することはしない。そのような現実の実施品の開発においては、例えばシステム関連の順守事項およびビジネス上の制約など、実用化の事例毎に異なる、開発者の特定の目標を達成するために、数々の実施に則した判断を行わなければならないことは当然理解してもらえるだろう。さらに、そのような開発努力は複雑で時間のかかるものであるかもしれないが、それにもかかわらず本明細書の開示による利益を得た当業者にとっては日常作業に過ぎないことも理解できるであろう。

図１は、実施例たる製造システム１０の簡略ブロック図である。本実施形態では、製造システム１０は半導体装置を製造するように構成されている。ここでは本発明を半導体製造工場において実現するように説明するが、本発明はそれに限定されるものではなく、他の製造環境にも適用可能である。ここで説明する技術は、様々な製造物品、例えばマイクロプロセッサ、メモリ装置、デジタルシグナルプロセッサ、ＡＳＩＣｓ（application specific integrated circuits）または同様のデバイスに適用可能であるが、もっともそれらに限定されるものではない。この技術は、半導体装置以外の製造物品にも適用可能である。

ネットワーク２０は、製造システム１０の様々な構成要素を相互に接続して、それらが情報交換できるようにする。製造システム１０は複数の装置（ツール）３０−８０を含む。装置３０−８０のそれぞれは、ネットワーク２０とのインターフェイスのためのコンピュータ（図示せず）に結合される。装置３０−８０は、アルファベットの接尾辞によって示されるように、類似した装置の組にグループ分けされる。例えば、装置３０Ａ−３０Ｃの組は、あるタイプの装置、例えばフォトリソグラフィーステッパを示す。特定のウェハまたはウェハのロットはそれが製造されるに従って装置３０−８０を通って進む。装置３０−８０のそれぞれは、処理フローにおいて特定の機能を実行する。半導体装置製造環境のための処理装置の例には、計測装置、フォトリソグラフィーステッパ、エッチング装置、デポジション装置、研磨装置、ラピッド・サーマル処理装置、インプランテーション装置などが含まれる。装置３０−８０は平坦なグループ分けで示されているが、これは例示の目的のためであって、これに限定されるものではない。実際の形態では、装置はどのような順番のグループ分けで配置してもよい。さらに、ある特定のグループ分けにおける装置間の接続は、装置相互の接続ではなく、ネットワーク２０への接続のみを表すことを意味する。本発明を、多数の製造物品のスケジュール作成を実現するように説明しているが、個別の製造物品のスケジュール作成に使用することもできる。

製造実行システム（manufacturing execution system, MES）サーバ９０は製造システム１０の高いレベルの運用を管理する。ＭＥＳサーバ９０は、製造システム１０のなかの様々な実体（つまり、ロット、装置３０−８０）の状態を監視して、処理フローを通る製造物品（例えば、半導体ウェハのロット）の流れを制御する。ＭＥＳサーバ９０は、スケジュール（スケジューリング）サーバとも呼ばれる。データベースサーバ１００は、処理フロー内の様々な実体および製造物品の状態に関するデータを記憶するために使用する。データベースサーバ１００は、一以上のデータ記憶装置１１０に情報を記憶することができる。データには、処理前（プリプロセス）および処理後（ポストプロセス）の測定データ、装置の状態、ロットの特性等々が含まれる。製造システム１０はさらに、ワークステーション１４０上で動作するロット健全性監視装置１３０およびワークステーション１６０上で動作する装置健全性監視装置１５０を含む。以下でさらに詳細に説明するように、ロット健全性監視装置１３０は、処理中のロットのためのロット健全性量（lot health metrics）を生成し、それらをデータ記憶装置１１０に記憶する。装置健全性監視装置１５０は製造システム１０内の装置３０−８０のための装置健全性量（tool health metrics）を生成し、それらをデータ記憶装置１１０に記憶する。

ＭＥＳサーバ９０はデータ記憶装置１１０内の製造中のロットの推定性能等級および／または歩留まり（つまり、ロット健全性量）および装置３０−８０の健全性（つまり、装置健全性量）に関する情報にアクセスして、装置３０−８０を通るロットの処理ルートを決定する。図１の異なったコンピュータまたはワークステーションの間で、通常処理およびデータ記憶機能の配分が行われ、独立した中央情報記憶装置が提供される。もちろん、異なった数のコンピュータおよび異なった配置も使用可能である。

製造システム１０に使用するのに適切な情報交換およびプロセス制御フレームワークの例は、KLA Tencor, Inc社から提供されるCatalystシステムによって実現できるような、ＡＰＣ（Advanced Process Control）フレームワークである。Catalystシステムは、SEMI（Semiconductor Equipment and Materials International）のCIM（Computer Integrated Manufacturing）フレームワークに準拠したシステム技術を使用し、アドバンスト・プロセス・コントロール（ＡＰＣ）フレームワークに基づいている。CIM（SEMI E81-0699 CIMフレームワーク・ドメイン・アーキテクチャのための暫定仕様書）およびAPC（SEMI E93-0999 CIMフレームワーク・アドバンスト・プロセス・コントロール・コンポーネントのための暫定仕様書）仕様書は、カリフォルニア州マウンテンビューを本拠地とする、SEMIから一般に入手可能である。

本発明の一部および対応する詳細な説明は、ソフトウェア、つまりアルゴリズムおよびコンピュータメモリ内のデータビット操作のシンボリックな表現として説明される。これらの説明および表現は、当該技術分野の当業者が彼らの仕事を効率的に他の当業者に伝達するためのものである。アルゴリズムとは、その用語が本明細書で用いられる場合、そして一般的に用いられているように、目的とする結果に繋がる自己整合的なステップの配列であると考えられる。これらのステップは、物理量の物理的な操作を必要とするものである。通常、もっとも必ずしも必要ではないが、これらの物理量は、光学的、電気的または磁気的な信号の形態をとり、それらは蓄積、転送、結合、比較、その他の操作が可能なものである。専ら一般的な用例という理由から、ときには、これらの信号をビット、値（value）、要素（element）、シンボル、キャラクタ、項（term）、数などと呼ぶのが便利である。
しかしながら、これらの用語のすべてまたは類似の用語は適切な物理量に関連付けられるべきであり、それらの量に適用される単なる便利なラベルである、ことを念頭に置く必要がある。特に断らない限り、またはこれまでの議論から明らかなように、「プロセス（処理）」、「コンピューティング」、「計算」、「決定」、「表示」などの用語は、コンピュータシステムまたは類似の電子情報処理装置の処理または動作を意味する。ここで、コンピュータシステムまたは類似の電子情報処理装置の処理または動作とは、コンピュータシステムのレジスタおよびメモリのなかの物理的、電気的な量として表されるデータを操作して、コンピュータシステムのレジスタおよびメモリまたはその他の情報記憶装置、転送装置または表示装置のなかの物理的な量として同様に表される他のデータに変換することである。

ロットの製造中に様々な計測情報が収集される。例えば、トランジスタゲートの限界寸法（critical dimension）、粒子汚染、プロセス層の厚みなどの物理的測定値はすべて、ロット健全性監視装置１３０によって、特定の性能等級および歩留まり推定に対する相関関係を算定される。ウェハの電気的試験（例えば、駆動電流、実効チャネル長、誘電率）などの直接的な性能計測値もまた性能等級および歩留まりに関する情報を提供する。ロット健全性監視装置１３０によって等級（格付け）を推定するために使用される特定の計測情報は、格付けされた変数の性質とともに、製造中の特定の製造物品およびその物品の市場に応じて変化する。例えば、メモリ装置は、マイクロプロセッサとは異なって格付けされる。

本実施形態では、ロット健全性監視装置１３０は推定等級および歩留まりに基づいてロット健全性量を生成する。しかしながら、他の実施形態では、ロット健全性量を他の品質基準またはそれらの他の組み合わせに基づいたものとすることができる。例えば、ロット健全性量を歩留まりのみに基づいたものとすることができる。

特定ロットについての推定等級および歩留まり（広くロット健全性と呼ぶ）は、その処理サイクルの間に変化しうる。例えば、デポジション装置は、クリーニングサイクルの間に、一般に副産物の集積が増加する。それ故、クリーニングサイクルが実行された直後に処理されたウェハは、クリーニングサイクルが実行される直前に処理されたウェハよりも粒子汚染（パーティクルコンタミネーション）が少ない。もしある特定のロットがデポジション装置をクリーニングサイクルの間の期間中において終わりに近い時点で通過したとすると、デポジションされたプロセス層中の粒子汚染は比較的大きい。この粒子汚染はプロセス層の絶縁特性を劣化させ、それによってロット内のデバイスの予想等級の引き下げに繋がる。この粒子汚染の増大はさらに、例えば回路の短絡（ショート）数の増加による、ロットの予想歩留まりの低下に繋がる。一方で、もしそのウェハのロットがクリーニングサイクルの実行直後にデポジション装置において処理されたとすると、推定ロット健全性量は増加しうる。その他の装置における処理の影響から、推定ロット健全性に対して似たような影響が生じうる。

ある特定のロットが製造システム１０を通過した際に収集された、処理前および処理後の計測情報は、推定ロット健全性量を動的に更新するためにロット健全性監視装置１３０によって用いられる。処理フロー内の様々なステップにおいて、経験的ロット健全性モデル１３５に基づいて、処理後の計測情報の推定ロット健全性量に対する相関関係を算定する。処理フロー中における、ロット健全性量が更新される特定のポイントは特定の実施形態に応じて変化する。ロット健全性調整ポイントの例には、ゲート電極が形成された後（つまり、ゲート電極の物理的な寸法に基づく）、第１金属層の形成後（つまり、駆動電流または実効チャネル長に基づく）、層間絶縁膜の形成後（つまり、測定された誘電率に基づく）、能動ソース／ドレイン領域の形成後（つまり、ディメンジョン（寸法）に基づく）、イオン注入およびサーマル・アニールの後（つまり、測定された基板（バルク）の抵抗率、トランジスタの閾値電圧、駆動電流、インプラントドーズ（薬量）およびエネルギー、インプラントアニール時間および温度に基づく）などが含まれる。ロット健全性モデル１３５は、実際には、様々な推定ポイントで収集された情報に基づいて、ロット健全性量を推定するための個別のモデルを複数含むことができる。

ロット健全性監視装置１３０は、物理的および電気的な、多くの異なった測定値を用いて、ロット健全性量を決定することができる。網羅的ではないが、物理的な測定値のリストの例には、トランジスタゲートの限界寸法（ＣＤ、クリティカルディメンジョン）、プロセス層の厚み、粒子汚染計数およびトランジスタ能動領域の寸法が含まれる。網羅的ではないが、電気的な測定値のリストの例には、トランジスタの実効チャネル長、駆動電流、絶縁層の誘電率、トランジスタのオーバーラップキャパシタンス、局所的な材料の抵抗率、トランジスタの閾値電圧、ｎチャネル対ｐチャネル駆動電流比、オフ状態のトランジスタ漏れ電流、電荷キャリア移動度測定（electrical charge carrier mobility measurement）および発信器試験回路周波数が含まれる。さらに、プロセスのパラメータもロット健全性量を推定するために用いることができる。網羅的ではないが、プロセスパラメータの例には、インプラントのドーズおよびエネルギー、およびアニール温度および時間が含まれる。

装置健全性監視装置１５０は、装置３０−８０についての装置健全性量を決定するために、監視されている装置３０−８０の処理ラン（run）の間、装置状態追跡（トレース）データを収集する。特定の装置３０−８０の健全性を監視する技術の一つには、装置内でウェハを処理する間、その装置の期待される動作パラメータを予想するのに適した多変量の装置健全性モデル１５５を採用することを含む。もし、実際の装置パラメータが予想された装置パラメータに近ければ、その装置は高い健全性量を有するといえる（つまり、その装置は期待されたとおりに動作している）。期待された装置のパラメータと、実際の装置のパラメータとの間のギャップが広がるにつれ、その装置の健全性量は減少する。もし装置健全性量が所定の閾値を下回ったならば、補修手順を実行して装置の修理またはトラブル対処を行う。もし装置の健全性量が十分に低いならば、その装置によって劣化した条件で処理されたウェハは要注意または再加工対象としてフラグされる。

一般的に、装置３０−８０の動作パラメータを予想して、それによって装置３０−８０の健全性を測定するために用いられた装置健全性モデル１５５は、特定の装置３０−８０およびウェハを処理するために装置３０−８０によって採用される基本動作レシピに基づくものである。それ故、装置３０−８０のそれぞれは、装置３０−８０上で実行される基本動作レシピのそれぞれについての個別の装置健全性モデル１５５を有する。装置健全性監視ソフトウェアアプリケーションの例は、カナダ国カナダ・バンクーバー、ブリティッシュコロンビア、ナナイモのTriant, Inc.社から提供されるModelWare（商標）である。装置健全性を監視するためのシステムの例は、発明の名称「装置の健全性を監視するための方法および装置」、Elfido Coss Jr., Richard J. MarkleおよびPatrick M. Cowanらの名前で出願された、米国特許出願第０９／８６３，８２２号に開示されている。当該出願は本出願の譲受人に譲渡されたものであり、その全体を本明細書に参照して含めるものである。

ＭＥＳサーバ９０が処理のためにある特定のロットのスケジュールを立てようとするとき、記憶装置１１０からその特定のロットについてのロット健全性量および利用可能な装置３０−８０についての装置健全性量を読み出す。ロット健全性量および装置健全性量を評価して、ＭＥＳサーバ９０によって作られる特定のデシジョントリー（決定木、decision tree）は実施形態に応じて変化する。一実施形態では、ロット健全性量が所定の閾値（つまり、おそらく高い値のロット）よりも大きいときにだけ、ＭＥＳサーバ９０がデータ記憶装置１１０から利用可能な装置３０−８０についての装置健全性量を読み出す。ＭＥＳサーバ９０は、比較的高い装置健全性量を持つ装置３０−８０にそのロットを割り当てるようにする。閾値よりも下のロット健全性量を持つロットに対しては、ロットの優先度、古さ、装置の利用可能性に基づく標準のスケジュール作成技術を用いることができる。

閾値の代わりに、加重法を使用することもできる。例えば、スケジュール作成を必要とするロットに、それらの優先度、古さおよびロット健全性などの要素に基づく得点を与えることができる。もちろん、そのようなロットに得点付けするのに他の要素またはより少ない要素を用いることができる（つまり、ロット健全性量のみを使用する）。次に、ＭＥＳサーバ９０はそれらのロットに対して、それらの得点および利用可能な装置３０−８０に関連した装置健全性量に基づいてスケジュールを組む。高い得点を持つロットは、高い装置健全性量を持つ装置３０−８０に割り当てられる。高いロット健全性量を持つ複数のロットはまた、一度に１ロットより多いロットの処理を実行する装置３０−８０（例えば、炉（furnace））での処理のために、バッチ単位に互いにグループ化することができる。

ロットのスケジュールを立てる際に、ＭＥＳサーバ９０は、高いロット健全性量を持つすべてのロットを、常に最も高い装置健全性量を持つ装置３０−８０に割り当てられるわけではない。ＭＥＳサーバ９０はボトルネック、つまり高いロット健全性量を持つすべてのロットが最も性能が高い装置３０−８０によって処理されようとする状態を作り出さないようにスケジュール決定を評価する。上述の加重法はボトルネックの可能性を減らすために用いることができる。例えば、もし２つのロットが似たようなロット健全性量を持っていたとすると、より高い優先度を持つロットが、よりよい性能を持つ装置３０−８０に割り当てられる。他の例では、もし２つのロットが似たようなロット健全性量を持っているが、一方のロットがより高い推定等級を持っていたとすると、より価値のあるデバイスの歩留まりを維持するようにそのロットが優先される。

図２は、本発明の他の実施形態に従った、ロットおよび装置の健全性に基づいた製造ロットのスケジュール作成（スケジューリング）方法の簡略流れ図である。ブロック２００では、半導体ウェハのような、複数の製造物品が複数の装置３０−８０を含む処理フローにおいて処理される。ブロック２１０では、複数の製造物品の少なくとも一部について物品健全性量を決定する。物品健全性量は、等級および歩留まりのような要素に基づいて決定できる。ブロック２２０では、複数の装置の少なくとも一部について装置健全性量を決定する。ブロック２３０では、物品健全性量および装置健全性量に基づいて装置における製造物品の処理のスケジュールを立てる。

上述したように、製造中の半導体装置のロット健全性量を決定し、装置３０−８０の装置健全性量に基づいて製造システム１０を通るデバイスの流れのスケジュールを作成することは、数多くの利点を有する。高いロット健全性を持つロットの価値を後続の処理の間も維持することができる。高い価値を持つロットを特定し、それらを高性能の装置で処理してそれらの価値を保護しようとすることで、製造されたデバイスの品質は向上し、それによって製造システム１０の収益性もあがる。

これまでに開示した特定の実施形態は例示にすぎない。本明細書の教示による利益を得た当業者に明らかなように、本発明を変形することができ、また異なるが均等な方法で実施することができる。さらに、添付の特許請求の範囲の記載を除いては、本明細書に開示した構造または設計の詳細に、本発明を限定しようとする意図はない。従って、上述の特定の実施形態は改造または変更が可能であり、そのような変形物は本発明の範囲および精神の中にあるものとして考えられる。従って、保護を求める範囲は添付の特許請求の範囲に記載されるとおりである。

本発明の一実施形態に従った製造システムの簡略ブロック図。 本発明の他の実施形態に従った、ロットおよび装置の健全性に基づいた製造ロットのスケジュール作成（スケジューリング）方法の簡略流れ図。

Claims (10)

1. 製造フローのスケジュール作成方法であって、
   処理フローにおいて、複数の製造物品を処理するステップと、
   前記複数の製造物品の少なくとも一部について、物品健全性量を決定するステップと、
   前記処理フロー中の複数の装置（３０−８０）について装置健全性量を決定するステップと、
   前記物品健全性量および前記装置健全性量に基づいて、製造物品の前記装置（３０−８０）による処理のためのスケジュールを作成するステップとを含む方法。
2. 前記物品健全性量を決定するステップはさらに、
   前記処理フロー中の複数の製造物品の特性を測定するステップと、
   前記測定された特性に基づいて、前記複数の製造物品について物品健全性量を推定するステップとを含む、請求項１の方法。
3. 前記製造物品の前記装置（３０−８０）による処理のためのスケジュールを作成するステップはさらに、選択された装置（３０−８０）による処理のために類似した物品健全性量を持つ製造物品をグループ分けするステップを含む、請求項１の方法。
4. 前記装置健全性量を決定するステップはさらに、
   選択された製造物品の処理の際に、選択された装置（３０−８０）のパラメータを測定することで前記選択された装置（３０−８０）内の前記選択された製造物品の処理に関する装置状態トレースを生成するステップと、
   前記装置状態トレースと、前記選択された装置（３０−８０）に関する装置健全性モデルとを比較するステップと、
   前記装置状態トレースと前記装置健全性モデルとの比較に基づいて、装置健全性量を生成するステップとを含む、請求項１の方法。
5. 前記製造物品の前記装置（３０−８０）による処理のためのスケジュールを作成するステップはさらに、
   前記装置健全性量に基づいて、性能の順番に前記装置（３０−８０）を格付けするステップと、
   前記物品健全性量に基づいて、健全性の順番に製造物品を格付けするステップと、
   前記性能格付けおよび前記健全性格付けに基づいて、前記装置（３０−８０）に前記製造物品を割り当てるステップとを含む、請求項１の方法。
6. 処理フローにおいて、複数の製造物品を処理する複数の装置（３０−８０）と、
   前記複数の製造物品の少なくとも一部について、物品健全性量を決定するように構成された物品健全性監視装置（１３０）と、
   前記複数の装置（３０−８０）の少なくとも一部について装置健全性量を決定するように構成された装置健全性監視装置（１５０）と、
   前記物品健全性量および前記装置健全性量に基づいて、前記製造物品の前記装置（３０−８０）による処理のためのスケジュールを作成するように構成されたスケジュールサーバ（９０）とを備える、製造システム（１０）。
7. 前記物品健全性監視装置（１３０）はさらに、前記処理フロー中の複数の製造物品の特性の測定値にアクセスして、前記測定値に基づいて前記複数の製造物品についての前記物品健全性量を推定するように構成されている、請求項６のシステム（１０）。
8. 前記スケジュールサーバ（９０）はさらに、選択された装置（３０−８０）による処理のために、類似した物品健全性量を持つ物品をグループ分けするように構成されている、請求項６のシステム（１０）。
9. 前記装置健全性監視装置（１５０）はさらに、
   選択された製造物品の処理の際に、少なくとも一つの測定されたパラメータを含む選択された装置（３０−８０）についての装置状態トレースにアクセスして、前記装置状態トレースと、前記選択された装置（３０−８０）に関する装置健全性モデルとを比較し、前記装置状態トレースと前記装置健全性モデルとの比較に基づいて、前記装置健全性量を生成するように構成されている、請求項６のシステム（１０）。
10. 前記スケジュールサーバ（９０）はさらに、前記装置健全性量に基づいて、性能の順番に前記装置（３０−８０）を格付けし、前記物品健全性量に基づいて、健全性の順番に前記製造物品を格付けし、前記性能格付けおよび前記健全性格付けに基づいて、前記装置（３０−８０）に前記製造物品を割り当てるように構成されている、請求項６のシステム（１０）。

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