JP2005354120A - 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 電極14を有する半導体素子12と、それぞれの電極14の少なくとも一部を避けて半導体素子12の表面上に設けられるパッシベーション膜11と、パッシベーション膜11が形成された面の上方において、厚み方向に所定の間隔をあけて設けられる導電箔22と、導電箔22上に形成される外部電極26と、パッシベーション膜11と導電箔22との間に形成されるとともに導電箔22を支持する中間層16と、電極14と導電箔22とを電気的に接続する配線18と、を有し、中間層16には、導電箔22における外部電極26との接合部を含む領域の下方に、パッシベーション膜11側から導電箔22側に近づくに従い開口領域が広くなる凹部16aが形成されている。
【選択図】 図1
Description
それぞれの電極の少なくとも一部を避けて前記半導体素子の表面上に設けられるパッシベーション膜と、
前記パッシベーション膜が形成された面の上方において、厚み方向に所定の間隔をあけて設けられる導電箔と、
前記導電箔上に形成される外部電極と、
前記パッシベーション膜と前記導電箔との間に形成されるとともに前記導電箔を支持する中間層と、
前記電極と前記導電箔とを電気的に接続する配線と、を有し、
前記中間層には、前記導電箔における前記外部電極との接合部を含む領域の下方に、前記パッシベーション膜側から前記導電箔側に近づくに従い開口領域が広くなる凹部が形成されている。本発明に係る「半導体素子」は、半導体チップにとどまらず、個片になっていないウエーハ状のものを指す場合もある。すなわちここでいう半導体素子とは、例えばシリコンからなるベース基板状に切り離したとしても使える所定の回路が形成されていれば良く、切り離されて個片となっているかそれとも一体となっているかについては特に限定する必要はない。本発明によれば、外部電極が導電箔に形成され、導電箔は中間層にて支持されている。中間層には凹部が形成され、凹部の上方に外部電極が位置している。すなわち、外部電極が中間層に直接支持されずに、中間層から浮いた状態になっている。このことによって、外部電極は比較的自由に動くことができるので、回路基板との熱膨張率の差によって生じた応力(熱ストレス)を吸収することができる。
(2)前記凹部内には、前記中間層よりもヤング率が低い樹脂が充填されていてもよい。こうすることで、凹部の空間を埋めることができるので、リフロー工程などの加熱時に、水蒸気の膨張によるクラックを防止することができる。
(3)前記配線は、前記パッシベーション膜が形成された面上に形成されるとともに前記中間層の凹部の底面に位置し、
前記樹脂は、導電フィラーが添加されたものであって、前記配線と前記導電箔とを電気的に接続されていてもよい。
(4)前記中間層は、前記電極と前記導電箔との間に傾斜面を有し、
前記配線は、前記傾斜面を通って前記電極と前記導電箔とを電気的に接続してもよい。
(5)前記中間層は、柔軟性を有する材料から形成されてもよい。こうすることで、中間層自体によっても応力を緩和することができる。
(6)前記導電箔は、前記凹部の開口領域の内側の位置であって前記外部電極との接続部を避ける位置に、穴を有してもよい。こうすることで、導電箔が変形しやすくなり、導電箔によって応力を吸収することができる。
(7)本発明において、前記導電箔が形成された基板が、前記導電箔が形成された面を前記中間層に向けて設けられており、
前記基板は、前記凹部の上方に貫通穴を有し、
前記貫通穴を介して前記導電箔に前記外部電極が形成されてもよい。これによれば、導電箔上が基板にて覆われて保護される。
(8)本発明において、前記中間層と前記導電箔との間に、柔軟性を有する材料から形成される基板が設けられ、
前記基板は、前記凹部の上方を除く領域に貫通穴を有し、
前記貫通穴を介して前記配線と前記導電箔とが電気的に接続されてもよい。
(9)前記導電箔と前記配線とは、一体的に形成されていてもよい。
(10)前記導電箔と前記配線とは、別体であってもよい。
(11)本発明に係る半導体装置の製造方法は、電極を有し、それぞれの電極の少なくとも一部を避けて表面上にパッシベーション膜が設けられた半導体素子を用意する工程と、
前記パッシベーション膜が形成された面の上方に、厚み方向に所定の間隔をあけて導電箔を設け、前記パッシベーション膜と前記導電箔との間に前記導電箔を支持する中間層を形成し、前記中間層に、前記電極を避ける位置でくぼむ凹部を形成する工程と、
前記電極と前記導電箔とを電気的に接続する配線を形成する工程と、
前記導電箔における前記凹部の上方位置に外部電極を形成する工程と、
を含む。本発明によって製造される半導体装置によれば、外部電極が導電箔に形成され、導電箔は中間層にて支持されている。中間層には凹部が形成され、凹部の上方に外部電極が位置している。すなわち、外部電極が中間層に直接支持されずに、中間層から浮いた状態になっている。このことによって、外部電極は比較的自由に動くことができるので、回路基板との熱膨張率の差によって生じた応力(熱ストレス)を吸収することができる。
(12)本発明において、貫通穴を有し、かつ、前記貫通穴上を含めて前記導電箔が貼り付けられた基板を用意し、
前記パッシベーション膜が形成された面上に前記中間層を形成し、前記中間層に前記凹部を形成し、
その後、前記貫通穴を前記凹部の上方に位置させて、かつ、前記導電箔を前記凹部に対向させて、前記基板を前記中間層に載せ、
前記貫通穴を介して前記導電箔に前記外部電極を形成してもよい。これによれば、導電箔が基板に貼り付けられているので、導電箔を形成する工程を簡単に行うことができる。
(13)本発明において、柔軟性を有する材料から形成されて貫通穴を有する基板を用意し、
前記パッシベーション膜が形成された面上に前記中間層を形成し、前記中間層に前記凹部を形成し、かつ、前記中間層に前記配線を形成し、
前記配線上に前記貫通穴を位置させて前記基板を前記中間層に載せ、前記基板に前記導電箔を形成し、前記貫通穴を介して前記配線と前記導電箔とを電気的に接続してもよい。
これによれば、導電箔が基板に貼り付けられているので、導電箔を形成する工程を簡単に行うことができる。
(14)前記パッシベーション膜が形成された面上に前記中間層を形成し、前記中間層に前記導電箔を形成し、前記導電箔に穴を形成し、前記穴を介して前記中間層をエッチングして前記凹部を形成してもよい。
(15)前記中間層は、前記半導体素子のエッチングが不可能な条件下で、エッチング可能な材料で形成されてもよい。こうすることで、中間層をエッチングするときに、半導体素子の表面もエッチングされることを防止できる。
(16)前記パッシベーション膜は、前記中間層のエッチング条件下でエッチングされるものであり、
前記パシベーション膜上に、前記中間層のエッチング条件下でエッチングされにくい材料からなる被覆層を形成し、前記被覆層に前記中間層を形成し、前記中間層に前記導電箔を形成し、前記導電箔に穴を形成し、前記穴を介して前記中間層をエッチングして前記凹部を形成してもよい。このように、パシベーション膜に被覆層を形成することで、パシベーション膜のエッチングを防止することができる。
(17)前記パッシベーション膜は、前記中間層のエッチング条件下でエッチングされるものであり、
前記パシベーション膜上に、前記中間層のエッチング条件下でエッチングされにくい材料からなる第1の被覆層を形成し、
前記第1の被覆層上に前記中間層を形成し、
前記中間層上に前記導電箔及び配線を形成するとともに前記導電箔に穴を形成し、
前記配線上にソルダレジスト層を形成し、
前記ソルダレジスト層上に、前記中間層のエッチング条件下でエッチングされにくい材料からなる第2の被覆層を形成し、
前記導電箔の穴を介して前記導電箔の下に至るまで前記中間層をエッチングしてもよい。
(18)前記中間層をエッチングする工程の前に、前記導電箔に前記外部電極を形成し、前記外部電極に、前記中間層のエッチング条件下でエッチングされにくい材料からなる電極被覆層を形成する工程を含んでもよい。これによれば、外部電極を形成してから、中間層をエッチングして凹部を形成する。したがって、外部電極の形成により生じる残渣を除去してからエッチングを行えるので、残渣が凹部に残らない。
(19)本発明では、前記凹部に、前記中間層よりもヤング率が低い樹脂を充填する工程を含んでもよい。
(20)本発明に係る回路基板には、上記半導体装置が実装される。
(21)本発明に係る電子機器は、上記回路基板を有する。
図1は、第1実施形態に係る半導体装置を示す断面図である。同図に示す半導体装置10は、パッケージサイズが半導体チップ12とほぼ同じであるCSP型のものである。
配線18<電極14となっているが、実際には、
電極14≦配線18とすることが好ましい。特に、
電極14<配線18となる場合には、配線18の抵抗値が小さくなるばかりか、強度が増すので断線が防止される。
図4は、第2実施形態に係る半導体装置を示す図である。同図に示す半導体装置30は、図1に示す半導体装置10の凹部16aに、樹脂32が充填されたことを特徴としており、それ以外の構成は半導体装置10と同様である。図4に示す凹部16aの開口端部は、外部電極26の根本の部分の大きさよりもかなり大きいが、これに限定されず、外部電極26の根本の部分の大きさとほぼ等しいかあるいはそれ以上であればよい。さらに、外部電極26の根本の一部に、凹部16aの開口が位置しても良く、この場合は、この開口が中間層の変形を許し、応力緩和効果を発揮できる。また、凹部16aは、中間層16を貫通してその下のパッシベーション膜(図示せず)を露出させてもよいが、中間層16を貫通しないように凹部16aの底部に中間層16の一部を残しても良い。
図5は、第3実施形態に係る半導体装置を示す図である。同図に示す半導体装置40は、図1に示す半導体装置10と同様に、半導体チップ12、電極14、中間層16及び配線18を有し、中間層16には凹部16aが形成されている。
図6は、第4実施形態に係る半導体装置を示す図である。同図に示す半導体装置50は、図1に示す半導体装置10と同様に、電極54を有する半導体チップ52に中間層56が形成され、中間層56には凹部56aが形成されている。また、電極54から中間層56上にかけて配線58が形成され、配線58と一体的に導電箔60が中間層56上に形成されている。導電箔60には、少なくとも一つの穴60aが形成されている。そして、導電箔60における凹部56a上の領域に、外部電極62が形成されている。また、外部電極62を避けて、配線58及び導電箔60上にソルダレジスト層64が形成されて、これらが保護されている。
図9(A)〜図9(C)は、第5実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す図である。
図10(A)〜図10(C)は、第6実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す図である。
図11(A)及び図11(B)は、第7実施形態に係る半導体装置の一部を示す図である。なお、図11(B)は、図11(A)のB−B線断面図である。本実施形態に係る半導体装置120は、図1に示す半導体装置10における基板20及び導電箔22に、穴122、124が形成されたものである。
図12は、第8実施形態に係る半導体装置を示す図である。同図に示す半導体装置130は、半導体チップ132の能動面132a上に、電極134から配線136が形成されている。配線136の上には中間層138が形成されている。そして、中間層138には、配線136上の位置で配線136が露出するように、凹部138aが形成されている。中間層138の上には、接着剤142を介して、基板146が設けられている。この基板146には、凹部138aの上方の位置で、かつ、この凹部138aに対向する面に、導電箔144が形成されている。また、基板146には、凹部138aの上方において、貫通穴146aが形成されており、導電箔144が反対側の面から露出するようになっている。そして、貫通穴146aを介して、外部電極148が形成されている。
図13(A)〜図14(B)は、第9実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す図である。本実施形態では、図10(A)に示す半導体チップ102と同様に、パシベーション膜(図示せず)が能動面152aに形成された半導体チップ152が使用される。このパシベーション膜は、中間層158のエッチング条件下で、エッチングされる材料から形成される。
Claims (15)
- 電極を有し、それぞれの電極の少なくとも一部を避けて表面上にパッシベーション膜が設けられた半導体素子を用意する工程と、
前記パッシベーション膜が形成された面の上方に、厚み方向に所定の間隔をあけて導電箔を設け、前記パッシベーション膜と前記導電箔との間に前記導電箔を支持する中間層を形成し、前記中間層に、前記電極を避ける位置でくぼむ凹部を形成する工程と、
前記電極と前記導電箔とを電気的に接続する配線を形成する工程と、
前記導電箔における前記凹部の上方位置に外部電極を形成する工程と、
を含み、
柔軟性を有する材料から形成されて貫通穴を有する基板を用意し、
前記パッシベーション膜が形成された面上に前記中間層を形成し、前記中間層に前記凹部を形成し、かつ、前記中間層に前記配線を形成し、
前記配線上に前記貫通穴を位置させて前記基板を前記中間層に載せ、前記基板に前記導電箔を形成し、前記貫通穴を介して前記配線と前記導電箔とを電気的に接続する半導体装置の製造方法。 - 電極を有し、それぞれの電極の少なくとも一部を避けて表面上にパッシベーション膜が設けられた半導体素子を用意する工程と、
前記パッシベーション膜が形成された面の上方に、厚み方向に所定の間隔をあけて導電箔を設け、前記パッシベーション膜と前記導電箔との間に前記導電箔を支持する中間層を形成し、前記中間層に、前記電極を避ける位置でくぼむ凹部を形成する工程と、
前記電極と前記導電箔とを電気的に接続する配線を形成する工程と、
前記導電箔における前記凹部の上方位置に外部電極を形成する工程と、
を含み、
前記パッシベーション膜が形成された面上に前記中間層を形成し、前記中間層に前記導電箔を形成し、前記導電箔に穴を形成し、前記穴を介して前記中間層をエッチングして前記凹部を形成する半導体装置の製造方法。 - 請求項2記載の半導体装置の製造方法において、
前記中間層は、前記半導体素子のエッチングが不可能な条件下で、エッチング可能な材料で形成される半導体装置の製造方法。 - 電極を有し、それぞれの電極の少なくとも一部を避けて表面上にパッシベーション膜が設けられた半導体素子を用意する工程と、
前記パッシベーション膜が形成された面の上方に、厚み方向に所定の間隔をあけて導電箔を設け、前記パッシベーション膜と前記導電箔との間に前記導電箔を支持する中間層を形成し、前記中間層に、前記電極を避ける位置でくぼむ凹部を形成する工程と、
前記電極と前記導電箔とを電気的に接続する配線を形成する工程と、
前記導電箔における前記凹部の上方位置に外部電極を形成する工程と、
を含み、
前記パッシベーション膜は、前記中間層のエッチング条件下でエッチングされるものであり、
前記パシベーション膜上に、前記中間層のエッチング条件下でエッチングされにくい材料からなる被覆層を形成し、前記被覆層に前記中間層を形成し、前記中間層に前記導電箔を形成し、前記導電箔に穴を形成し、前記穴を介して前記中間層をエッチングして前記凹部を形成する半導体装置の製造方法。 - 電極を有し、それぞれの電極の少なくとも一部を避けて表面上にパッシベーション膜が設けられた半導体素子を用意する工程と、
前記パッシベーション膜が形成された面の上方に、厚み方向に所定の間隔をあけて導電箔を設け、前記パッシベーション膜と前記導電箔との間に前記導電箔を支持する中間層を形成し、前記中間層に、前記電極を避ける位置でくぼむ凹部を形成する工程と、
前記電極と前記導電箔とを電気的に接続する配線を形成する工程と、
前記導電箔における前記凹部の上方位置に外部電極を形成する工程と、
を含み、
前記パッシベーション膜は、前記中間層のエッチング条件下でエッチングされるものであり、
前記パシベーション膜上に、前記中間層のエッチング条件下でエッチングされにくい材料からなる第1の被覆層を形成し、
前記第1の被覆層上に前記中間層を形成し、
前記中間層上に前記導電箔及び配線を形成するとともに前記導電箔に穴を形成し、
前記配線上にソルダレジスト層を形成し、
前記ソルダレジスト層上に、前記中間層のエッチング条件下でエッチングされにくい材料からなる第2の被覆層を形成し、
前記導電箔の穴を介して前記導電箔の下に至るまで前記中間層をエッチングする半導体装置の製造方法。 - 請求項2から請求項5のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記中間層をエッチングする工程の前に、前記導電箔に前記外部電極を形成し、前記外部電極に、前記中間層のエッチング条件下でエッチングされにくい材料からなる電極被覆層を形成する工程を含む半導体装置の製造方法。 - 請求項1から請求項6のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記凹部に、前記中間層よりもヤング率が低い樹脂を充填する工程を含む半導体装置の製造方法。 - 電極を有し、それぞれの電極の少なくとも一部を避けて表面上にパッシベーション膜が設けられた半導体素子を用意する工程と、
前記パッシベーション膜が形成された面の上方に、厚み方向に所定の間隔をあけて導電箔を設け、前記パッシベーション膜と前記導電箔との間に前記導電箔を支持する中間層を形成し、前記中間層に、前記電極を避ける位置でくぼむ凹部を形成する工程と、
前記電極と前記導電箔とを電気的に接続する配線を形成する工程と、
前記導電箔における前記凹部の上方位置に外部電極を形成する工程と、
前記凹部に、前記中間層よりもヤング率が低い樹脂を充填する工程と、
を含む半導体装置の製造方法。 - 電極を有する半導体素子と、
それぞれの電極の少なくとも一部を避けて前記半導体素子の表面上に設けられるパッシベーション膜と、
前記パッシベーション膜が形成された面の上方において、厚み方向に所定の間隔をあけて設けられる導電箔と、
前記導電箔上に形成される外部電極と、
前記パッシベーション膜と前記導電箔との間に形成されるとともに前記導電箔を支持する中間層と、
前記電極と前記導電箔とを電気的に接続する配線と、を有し、
前記中間層には、前記導電箔における前記外部電極との接合部を含む領域の下方に、前記パッシベーション膜と前記導電箔との間に開口領域となる凹部が形成され、
前記凹部内には、前記中間層よりもヤング率が低い樹脂が充填されている半導体装置。 - 請求項9記載の半導体装置において、
前記配線は、前記パッシベーション膜が形成された面上に形成されるとともに前記中間層の凹部の底面に位置し、
前記樹脂は、導電フィラーが添加されたものであって、前記配線と前記導電箔とを電気的に接続する半導体装置。 - 電極を有する半導体素子と、
それぞれの電極の少なくとも一部を避けて前記半導体素子の表面上に設けられるパッシベーション膜と、
前記パッシベーション膜が形成された面の上方において、厚み方向に所定の間隔をあけて設けられる導電箔と、
前記導電箔上に形成される外部電極と、
前記パッシベーション膜と前記導電箔との間に形成されるとともに前記導電箔を支持する中間層と、
前記電極と前記導電箔とを電気的に接続する配線と、を有し、
前記中間層には、前記導電箔における前記外部電極との接合部を含む領域の下方に、前記パッシベーション膜と前記導電箔との間に開口領域となる凹部が形成され、
前記導電箔は、前記凹部の開口領域の内側の位置であって前記外部電極との接続部を避ける位置に、穴を有する半導体装置。 - 電極を有する半導体素子と、
それぞれの電極の少なくとも一部を避けて前記半導体素子の表面上に設けられるパッシベーション膜と、
前記パッシベーション膜が形成された面の上方において、厚み方向に所定の間隔をあけて設けられる導電箔と、
前記導電箔上に形成される外部電極と、
前記パッシベーション膜と前記導電箔との間に形成されるとともに前記導電箔を支持する中間層と、
前記電極と前記導電箔とを電気的に接続する配線と、を有し、
前記中間層には、前記導電箔における前記外部電極との接合部を含む領域の下方に、前記パッシベーション膜と前記導電箔との間に開口領域となる凹部が形成され、
前記導電箔が形成された基板が、前記導電箔が形成された面を前記中間層に向けて設けられており、
前記基板は、前記凹部の上方に貫通穴を有し、
前記貫通穴を介して前記導電箔に前記外部電極が形成される半導体装置。 - 電極を有する半導体素子と、
それぞれの電極の少なくとも一部を避けて前記半導体素子の表面上に設けられるパッシベーション膜と、
前記パッシベーション膜が形成された面の上方において、厚み方向に所定の間隔をあけて設けられる導電箔と、
前記導電箔上に形成される外部電極と、
前記パッシベーション膜と前記導電箔との間に形成されるとともに前記導電箔を支持する中間層と、
前記電極と前記導電箔とを電気的に接続する配線と、を有し、
前記中間層には、前記導電箔における前記外部電極との接合部を含む領域の下方に、前記パッシベーション膜と前記導電箔との間に開口領域となる凹部が形成され、
前記中間層と前記導電箔との間に、柔軟性を有する材料から形成される基板が設けられ、
前記基板は、前記凹部の上方を除く領域に貫通穴を有し、
前記貫通穴を介して前記配線と前記導電箔とが電気的に接続される半導体装置。 - 請求項9から請求項13のいずれかに記載の半導体装置が実装された回路基板。
- 請求項14記載の回路基板を有する電子機器。
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