JP2005354045A - III族窒化物p型半導体およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 p型ドーパントを含むIII族窒化物半導体を成長させた後降温する際に、成長終了時の温度と同じ温度にて、成長終了直後からキャリアガスに不活性ガスを用い、かつ窒素源の流量を減少し、その後の降温過程の途中で窒素源の供給を停止することを特徴とするIII族窒化物p型半導体の製造方法。
【選択図】 なし
Description
また、これらの従来例では、p型ドーパントを含む層を低抵抗化することが必要とされ、いずれの技術でも低抵抗のp型半導体層を提供することが述べられている。
(1)III族窒化物p型半導体の製造方法において、p型ドーパントを含むIII族窒化物半導体を成長させた後降温する際に、成長終了時の温度と同じ温度にて、成長終了直後からキャリアガスに不活性ガスを用い、かつ窒素源の流量を減少し、その後の降温過程の途中で窒素源の供給を停止することを特徴とするIII族窒化物p型半導体の製造方法。
本実施例で作製したLED10に使用したエピタキシャル積層構造体11の断面模式図を図2に示す。また、図3には、LED10の平面模式図を示す。
(1)Mgドープのp型Al0,07Ga0.93Nクラッド層106の成長を終了した後、成長反応炉内の圧力を2×104パスカル(Pa)とした。キャリアガスは水素を用いた。
実施例2で作製した積層構造体は、以下のような構造である。
積層構造体11は、サファイアのc面((0001)結晶面)からなる基板101上に、AlNからなるバッファ層(図示せず)を介して順次、アンドープGaN層(層厚=8μm)102、Geドープn型GaN層(層厚=2μm、キャリア濃度=7×1018cm-3)103、Siドープn型In0.01Ga0.99Nクラッド層(層厚=18nm、キャリア濃度=1×1018cm-3)104、6層のSiドープGaN障壁層(層厚=14.0nm、キャリア濃度=1×1017cm-3)と5層のアンドープIn0.20Ga0.80Nの井戸層(層厚=2.5nm)からなる多重量子構造の発光層105、Mgドープp型Al0.07Ga0.93Nクラッド層(層厚=12nm)106、及びMgドープAl0.02Ga0.98Nコンタクト層(層厚=175nm)107を積層して構成した。上記の積層構造体11の各構成層102〜107は、一般的な減圧MOCVD手段で成長させた。
上記の実施例1とは、成長後の処理法を変えて、Mgドープp型AlGaNコンタクト層を形成した。本比較例では、実施例1に記載の積層構造体を、実施例1に記載と同一の手順、条件で形成した後、気相成長時に使用したキャリアガスの水素は窒素に切り替えるものの、アンモニアは成長終了時に0.2%に減らした後、そのまま流通し続け、350度℃迄降温した。図5はこの降温過程を模式的に示した図である。
上記の実施例1とは、成長後の処理法を変えて、Mgドープp型GaNコンタクト層を形成した。本比較例では、実施例1に記載の積層構造体を、実施例1に記載と同一の手順、条件で形成した後、気相成長直後に、使用したキャリアガスの水素は窒素に切り替え、同時にアンモニアの流通を停止し、350度℃迄降温した。図6はこの降温過程を模式的に示した図である。
実施例3では、実施例1に記載したのと同一の積層構造体を用いて、FU型の電極を形成してLEDを作製した。図7は本実施例で形成した電極の平面図である。
2 バッファ層
3 n型半導体層
4 発光層
5 p型半導体層
6 負極
7 正極
10 LED
11 積層構造体
20 LED
101 基板
102 アンドープGaN層
103 n型GaN層
104 n型AlGaNクラッド層
105 多重量子井戸構造発光層
106 p型AlGaNクラッド層
107 p型AlGaNコンタクト層
108 負極
109 正極
110 正極ボンディングパッド
Claims (13)
- III族窒化物p型半導体の製造方法において、p型ドーパントを含むIII族窒化物半導体を成長させた後降温する際に、成長終了時の温度と同じ温度にて、成長終了直後からキャリアガスに不活性ガスを用い、かつ窒素源の流量を減少し、その後の降温過程の途中で窒素源の供給を停止することを特徴とするIII族窒化物p型半導体の製造方法。
- 成長終了時の温度が900℃以上であることを特徴とする請求項1に記載の製造方法。
- 窒素源がアンモニアガスであることを特徴とする請求項1または2に記載の製造方法。
- 半導体成長時のキャリアガスが水素ガスを含有していることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載の製造方法。
- 減少後の窒素源の流量が全ガス体積中の0.001〜10%であることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載の製造方法。
- 窒素源の供給を停止する温度が700〜950℃であることを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項に記載の製造方法。
- p型ドーパントの濃度の1/5よりも多く、かつp型ドーパントの濃度よりも少ない量の水素原子を含有することを特徴とするIII族窒化物p型半導体。
- 電気抵抗率が20Ωcm〜10000Ωcmであることを特徴とするIII族窒化物p型半導体。
- 基板上にIII族窒化物半導体からなるn型層、発光層およびp型層を有し、n型層およびp型層に負極および正極がそれぞれ設けられたIII族窒化物半導体発光素子において、p型層の製造方法が請求項1〜6のいずれか一項に記載の製造方法であることを特徴とするIII族窒化物半導体発光素子。
- 基板上にIII族窒化物半導体からなるn型層、発光層およびp型層を有し、n型層およびp型層に負極および正極がそれぞれ設けられたIII族窒化物半導体発光素子において、p型層が請求項7または8に記載のIII族窒化物p型半導体であることを特徴とするIII族窒化物半導体発光素子。
- 正極がPd、Pt、Rh、Os、IrおよびRuから選ばれた白金族金属を正極材料として使用していることを特徴とする請求項9または10に記載の発光素子。
- 発光素子がフリップチップ型であることを特徴とする請求項9〜11のいずれか一項に記載の発光素子。
- 発光素子がフェイスアップ型であることを特徴とする請求項9〜11のいずれか一項に記載の発光素子。
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