JP2005349301A

JP2005349301A - Washing device and washing method

Info

Publication number: JP2005349301A
Application number: JP2004172464A
Authority: JP
Inventors: Yoshihiko Yokoyama; 好彦横山
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 2004-06-10
Filing date: 2004-06-10
Publication date: 2005-12-22

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a washing device and a washing method corresponding to a narrowed pitch of a semiconductor package. <P>SOLUTION: This washing device washing the semiconductor package is provided with a holding part holding the semiconductor package, a rotating means rotating the holding part, and a spraying means spraying a washing solution to the holding part. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、洗浄装置および洗浄方法に関する。 The present invention relates to a cleaning apparatus and a cleaning method.

従来から、半導体チップを外部環境から保護するためパッケージングがなされている。パッケージングは、回路基板の電極端子と半導体チップに形成されたバンプとを位置合わせし、半田付けにより電気的に接続を確保して半導体チップを回路基板に実装する。そして、樹脂注入、外部端子ボール等の工程を経てパッケージングが完了する。ここで、上記半導体チップの実装方式としてはフリップチップ方式等が挙げられ、パッド上に予めハンダバンプを形成し、熱によるハンダリフローや、加圧した状態で超音波振動を用いて回路基板の電極端子と半導体チップのバンプとを電気的に接続する方法が広く利用されている。さらに、上記半田には、接続信頼性を向上させるために、フラックスを回路基板に塗布してハンダの表面張力を小さくする方法が採用されている。
ところが、フラックスを用いて半導体チップを回路基板に実装した場合、フラックスが半導体チップまたは回路基板に残る場合がある。このフラックスの残渣は、吸湿、絶縁性の劣化、および金属部の腐食等とさまざまな問題を引き起こすことが知られている。
そこで、このような問題を解決するために、半導体チップを一枚ずつ回転させる手段と、前記ウェハの表裏面どちらか一方または両方に対しアルコール系溶剤を吐出するノズルを有するウェハ洗浄装置が提案されている（例えば、特許文献１）。
特開２０００−５８４９８号公報 Conventionally, packaging is performed to protect a semiconductor chip from an external environment. In packaging, the electrode terminals of the circuit board and the bumps formed on the semiconductor chip are aligned, and the semiconductor chip is mounted on the circuit board by ensuring electrical connection by soldering. Then, packaging is completed through processes such as resin injection and external terminal balls. Here, as a mounting method of the semiconductor chip, there is a flip chip method or the like, and solder bumps are formed on the pads in advance, solder reflow by heat, and ultrasonic vibration in a pressurized state is used for the electrode terminals of the circuit board. A method of electrically connecting the semiconductor chip and the bump of the semiconductor chip is widely used. Furthermore, in order to improve connection reliability, the solder employs a method of applying a flux to the circuit board to reduce the surface tension of the solder.
However, when a semiconductor chip is mounted on a circuit board using a flux, the flux may remain on the semiconductor chip or the circuit board. It is known that the residue of this flux causes various problems such as moisture absorption, insulation deterioration, and corrosion of metal parts.
Therefore, in order to solve such a problem, a wafer cleaning apparatus having means for rotating semiconductor chips one by one and a nozzle for discharging alcoholic solvent to either or both of the front and back surfaces of the wafer has been proposed. (For example, Patent Document 1).
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ところで、近年、携帯電話機等の携帯型の電子機器には、小型化および軽量化が要求されている。これに伴って、上記電子機器における半導体チップの実装スペースも極めて制限されるため、半導体チップの高密度実装である３次元実装技術が提案されている。３次元実装技術は、半導体チップ同士を積層等することで、半導体チップの高密度実装を図る技術である。しかしながら、上記特許文献１に開示されるウェハ洗浄装置では、半導体チップ同士の積層間に付着したフラックス等の洗浄をすることが困難である。その理由としては、半導体チップに設けられる電極の狭ピッチ化が進み、これに伴い半導体チップ同士の積層間、または、基板とこの実装される半導体チップとの間隔等においても狭ピッチ化が進んでおり、これらの隙間に洗浄液が浸透しにくいためである。従って、フラックスの洗浄能力が低下してしまうという問題があった。さらに、上記特許文献１に開示される洗浄装置では、噴流した洗浄液に半導体パッケージ等を浸透させるため、半導体パッケージにダメージを与えてしまうという問題があった。
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、狭ピッチ化に対応した洗浄装置および洗浄方法を提供することにある。 Incidentally, in recent years, portable electronic devices such as mobile phones have been required to be small and light. Along with this, since the mounting space of the semiconductor chip in the electronic device is extremely limited, a three-dimensional mounting technique that is high-density mounting of the semiconductor chip has been proposed. The three-dimensional mounting technique is a technique for achieving high-density mounting of semiconductor chips by stacking semiconductor chips or the like. However, in the wafer cleaning apparatus disclosed in Patent Document 1, it is difficult to clean the flux and the like attached between the stacked semiconductor chips. The reason for this is that the pitch of the electrodes provided on the semiconductor chip has been reduced, and accordingly, the pitch has also been reduced between the stacks of the semiconductor chips or the distance between the substrate and the mounted semiconductor chip. This is because the cleaning liquid hardly penetrates into these gaps. Therefore, there is a problem that the flux cleaning ability is lowered. Furthermore, the cleaning device disclosed in Patent Document 1 has a problem in that the semiconductor package is damaged because the semiconductor package or the like is infiltrated into the jetted cleaning liquid.
This invention is made | formed in view of the said subject, The objective is to provide the washing | cleaning apparatus and the washing | cleaning method corresponding to pitch narrowing.

本発明は、上記課題を解決するために、半導体パッケージを洗浄する洗浄装置であって、前記半導体パッケージが保持される保持部と、前記保持部を回転させる回転手段と、前記保持部に洗浄液を噴霧する噴霧手段と、を備えることを特徴とする。 In order to solve the above-described problems, the present invention provides a cleaning apparatus for cleaning a semiconductor package, wherein the semiconductor package is held by a holding unit, a rotating unit that rotates the holding unit, and a cleaning liquid is supplied to the holding unit. Spraying means for spraying.

上述したように、半導体チップに形成される電極の狭ピッチ化が進んでおり、これに伴い、半導体チップ上に積層される半導体チップ同士の間隔等も狭ピッチ化している。そのため、従来の洗浄装置では、吐出した洗浄液が半導体チップ同士の積層間に浸透することが困難であった。これに対して、本発明の構成によれば、噴霧手段により保持部に洗浄液を噴霧することにより、洗浄液が霧状の微細粒子となるため、狭ピッチ化した半導体チップ同士の狭い積層間にも洗浄液が浸透する。
また、半導体チップ同士の積層間に噴霧された洗浄液が、半導体チップの積層間に均一に浸透しない場合、洗浄液の液だまりや未洗浄部分が発生してしまう。この場合においても、保持部を回転させる回転手段を備えているため、この回転による遠心力によって、半導体パッケージに噴霧された洗浄液が半導体チップ同士の積層間に均一に浸透する。
これらの結果、洗浄機能を向上させることができ、効率よくフラックス残渣のような被洗浄物を除去することができる。また、洗浄液を噴霧するため、洗浄液の使用量を削減することができるとともに、半導体パッケージ等に与えるダメージを減少させることができる。さらに、保持部を回転させることにより半導体パッケージの乾燥も同時に行うことができる。 As described above, the pitch of the electrodes formed on the semiconductor chip is becoming narrower, and accordingly, the interval between the semiconductor chips stacked on the semiconductor chip is also reduced. Therefore, in the conventional cleaning apparatus, it is difficult for the discharged cleaning liquid to penetrate between the stacked semiconductor chips. On the other hand, according to the configuration of the present invention, since the cleaning liquid becomes mist-like fine particles by spraying the cleaning liquid onto the holding portion by the spraying means, it is also possible to narrow the pitch between the narrow stacks of semiconductor chips. The cleaning liquid penetrates.
In addition, when the cleaning liquid sprayed between the stacked semiconductor chips does not uniformly penetrate between the stacked semiconductor chips, a pool of cleaning liquid or an uncleaned portion is generated. Also in this case, since the rotating means for rotating the holding portion is provided, the cleaning liquid sprayed on the semiconductor package uniformly permeates between the stacked semiconductor chips by the centrifugal force generated by the rotation.
As a result, the cleaning function can be improved, and an object to be cleaned such as a flux residue can be efficiently removed. In addition, since the cleaning liquid is sprayed, the amount of the cleaning liquid used can be reduced, and damage to the semiconductor package or the like can be reduced. Further, the semiconductor package can be dried simultaneously by rotating the holding portion.

本発明は、半導体パッケージを洗浄する洗浄装置であって、前記半導体パッケージが保持される保持部と、前記保持部を回転させる回転手段と、前記保持部に洗浄液を噴霧する噴霧手段と、前記保持部を加熱する保持部加熱手段と、を備えることを特徴とする。
噴霧手段により保持部に洗浄液を噴霧する場合、保持部に保持されている半導体パッケージ全体に均一に洗浄液を噴霧するため、噴霧手段と保持部とは一定の間隔をあけて配置されている。そのため、噴霧される洗浄液は、保持部に着弾するまでの間に温度が下がってしまう。これに対して、本発明の構成によれば、保持部に保持部加熱手段を備えているため、保持部に噴霧された洗浄液は保持部加熱手段により加熱されることによって、洗浄能力を向上させることができ、効率よくフラックス残渣を除去することができる。 The present invention is a cleaning apparatus for cleaning a semiconductor package, wherein a holding unit that holds the semiconductor package, a rotating unit that rotates the holding unit, a spray unit that sprays a cleaning liquid on the holding unit, and the holding Holding part heating means for heating the part.
When spraying the cleaning liquid onto the holding part by the spraying means, the spraying means and the holding part are arranged at a certain interval in order to spray the cleaning liquid uniformly on the entire semiconductor package held on the holding part. For this reason, the temperature of the sprayed cleaning liquid drops before reaching the holding portion. On the other hand, according to the configuration of the present invention, since the holding portion is provided with the holding portion heating means, the cleaning liquid sprayed on the holding portion is heated by the holding portion heating means, thereby improving the cleaning ability. And the flux residue can be efficiently removed.

また、本発明は、前記噴霧手段から噴霧される洗浄液を加熱する洗浄液加熱手段を備えることも好ましい。
このような構成によれば、洗浄液加熱手段を備えているため、噴霧手段から噴霧される洗浄液の温度を一定温度に上昇させることができ、保持部に保持されている半導体パッケージ同士の積層間への洗浄能力を向上させることができ、効率よくフラックス残渣を除去することができる。 In addition, the present invention preferably includes a cleaning liquid heating unit that heats the cleaning liquid sprayed from the spraying unit.
According to such a configuration, since the cleaning liquid heating means is provided, the temperature of the cleaning liquid sprayed from the spraying means can be raised to a constant temperature, and between the stacked semiconductor packages held in the holding portion. The cleaning ability can be improved, and the flux residue can be efficiently removed.

また、本発明は、前記半導体パッケージを保持する保持部面が水平方向に配置されており、前記保持部面の中心軸上に前記噴霧手段が設けられていることも好ましい。
このような構成によれば、保持部面が水平方向に配置され、この保持部面の中心軸上に前記噴霧手段が設けられているため、保持部上に保持されている半導体パッケージ全体に均一に洗浄液を噴霧することできる。この結果、積層される半導体パッケージの積層間等に均一に洗浄液が浸透し、フラックスを効率よく除去することができる。 In the present invention, it is also preferable that a holding portion surface for holding the semiconductor package is arranged in a horizontal direction, and the spraying means is provided on a central axis of the holding portion surface.
According to such a configuration, since the holding portion surface is arranged in the horizontal direction and the spraying means is provided on the central axis of the holding portion surface, the entire semiconductor package held on the holding portion is uniform. The cleaning liquid can be sprayed on the surface. As a result, the cleaning liquid penetrates uniformly between the stacked semiconductor packages and the flux can be efficiently removed.

また、前記噴霧手段が、洗浄液を噴霧するノズルと、リンス液を噴霧するノズルと、を
備えることも好ましい。
このような構成によれば、同一の洗浄装置内に洗浄液を噴霧するノズルと、リンス液を
噴霧するノズルとを備えているため、洗浄処理からリンス処理に移行する場合であっても
、同一の場所において、半導体パッケージを異なる場所に移動させることく洗浄処理およ
びリンス処理を行うことができる。 The spraying means preferably includes a nozzle for spraying the cleaning liquid and a nozzle for spraying the rinse liquid.
According to such a configuration, since the nozzle for spraying the cleaning liquid and the nozzle for spraying the rinsing liquid are provided in the same cleaning apparatus, even when the cleaning process is shifted to the rinsing process, the same In the place, the cleaning process and the rinsing process can be performed without moving the semiconductor package to different places.

また、前記保持部が、着脱自在な機構を備えることも好ましい。
このような構成によれば、後述するように例えば、一つの保持部から構成され一定方向
に回転可能な保持部と、または複数の保持部から構成され遊星回転可能な保持部とのいず
れかを選択することが可能となる。 Moreover, it is also preferable that the holding unit includes a detachable mechanism.
According to such a configuration, as will be described later, for example, either a holding unit configured with one holding unit and rotatable in a fixed direction, or a holding unit configured with a plurality of holding units and rotatable on a planetary plane is provided. It becomes possible to select.

また、前記保持部が、前記半導体パッケージが保持される回転自在な複数の第一保持部
と、前記複数の第一保持部が保持される回転自在な第二保持部とを備えることも好ましい
。
このような構成によれば、第一保持部と第二保持部とをそれぞれ独立して所定方向、所定回転数等により回転させることができる。これにより、例えば、噴霧手段が保持部の中心軸上に設けられている場合に、保持部上に保持される半導体パッケージへの洗浄液の偏りを回避することができ、洗浄液を半導体パッケージ全体に均一に噴霧することができる。従って、半導体パッケージ同士の積層間に効率よく洗浄液を浸透させることによって、洗浄機能を向上させることができ、効率よくフラックス残渣を除去することができる。 It is also preferable that the holding unit includes a plurality of rotatable first holding units that hold the semiconductor package and a rotatable second holding unit that holds the plurality of first holding units.
According to such a configuration, the first holding unit and the second holding unit can be independently rotated in a predetermined direction, a predetermined rotation speed, and the like. Thereby, for example, when the spraying means is provided on the central axis of the holding part, it is possible to avoid the bias of the cleaning liquid to the semiconductor package held on the holding part, and the cleaning liquid is uniformly distributed over the entire semiconductor package. Can be sprayed on. Therefore, the cleaning function can be improved by efficiently infiltrating the cleaning liquid between the stacked semiconductor packages, and the flux residue can be efficiently removed.

また、前記第一保持部と前記第二保持部とが互いに遊星回転することも好ましい。
このような構成によれば、第一保持部と第二保持部とは、互いに反対方向に独立して回転する。これにより、保持部上に保持される半導体パッケージへの洗浄液の偏りを回避することができ、洗浄液を半導体パッケージ全体に均一に噴霧することができる。従って、半導体パッケージ同士の積層間に効率よく洗浄液を浸透させることによって、洗浄機能を向上させることができ、効率よくフラックス残渣を除去することができる。 Further, it is also preferable that the first holding part and the second holding part rotate on a planetary axis.
According to such a configuration, the first holding unit and the second holding unit rotate independently in opposite directions. Thereby, the bias of the cleaning liquid to the semiconductor package held on the holding part can be avoided, and the cleaning liquid can be uniformly sprayed on the entire semiconductor package. Therefore, the cleaning function can be improved by efficiently infiltrating the cleaning liquid between the stacked semiconductor packages, and the flux residue can be efficiently removed.

また、前記半導体パッケージが、機械的な固定手段によって前記保持部に固定されてい
ることも好ましい。
このような構成よれば、噴霧される洗浄液によって半導体パッケージが濡れてしまう場
合でも、機械的な固定手段によって確実に半導体パッケージを保持部に固定させることが
できる。また、保持部を回転させる場合であっても、機械的な固定手段により確実に半導
体パッケージを保持部に固定させることができる。 Moreover, it is also preferable that the semiconductor package is fixed to the holding portion by mechanical fixing means.
According to such a configuration, even when the semiconductor package gets wet by the sprayed cleaning liquid, the semiconductor package can be reliably fixed to the holding portion by the mechanical fixing means. Even when the holding portion is rotated, the semiconductor package can be reliably fixed to the holding portion by the mechanical fixing means.

また、前記回転手段が、回転方向を切り替え可能であることも好ましい。
例えば、保持部が一定方向に回転することにより、洗浄液が半導体パッケージの積層間の一方に偏ってしまい、液だまりや未洗浄部分が生じてしまう。このような場合においても、本発明の構成によれば、保持部の回転方向を切り替えることによって一方に偏ってしまった洗浄液を他方に移動させることができる。この結果、洗浄液を全体に均一に浸透させることができ、効率よくフラックスを除去することができる。 Moreover, it is also preferable that the rotation means can switch the rotation direction.
For example, when the holding portion rotates in a certain direction, the cleaning liquid is biased to one side between the stacked semiconductor packages, resulting in a liquid pool or an uncleaned portion. Even in such a case, according to the configuration of the present invention, the cleaning liquid biased to one side can be moved to the other by switching the rotation direction of the holding portion. As a result, the cleaning liquid can be uniformly permeated throughout, and the flux can be efficiently removed.

本発明の洗浄装置は、少なくとも前記保持部と前記噴霧手段とを内部に収容するチャンバーと、前記チャンバー内を減圧する減圧手段とを備えることも好ましい。
前記チャンバー内を減圧することで乾燥工程においてリンス液が気化し易くなり、効率よく乾燥を行うことができる。 The cleaning apparatus of the present invention preferably further includes a chamber that houses at least the holding unit and the spraying unit, and a decompression unit that decompresses the inside of the chamber.
By reducing the pressure in the chamber, the rinsing liquid is easily vaporized in the drying step, and the drying can be performed efficiently.

本発明の半導体パッケージを洗浄する洗浄方法は、前記半導体パッケージを保持部に保持する工程と、前記保持部を回転させる工程と、前記保持部に液体を噴霧する工程と、を備えることを特徴とする。 A cleaning method for cleaning a semiconductor package according to the present invention includes a step of holding the semiconductor package in a holding portion, a step of rotating the holding portion, and a step of spraying a liquid on the holding portion. To do.

上述したように、半導体チップに形成される電極の狭ピッチ化が進んでおり、これに伴い、半導体チップ上に積層される半導体チップ同士の間隔等も狭ピッチ化している。そのため、従来の洗浄方法では、吐出した洗浄液が半導体チップ同士の積層間に浸透することが困難であった。このような方法によれば、噴霧手段により保持部に洗浄液を噴霧することにより、洗浄液が霧状の微細粒子となるため、狭ピッチ化した半導体チップ同士の狭い積層間にも洗浄液が浸透する。
また、半導体チップ同士の積層間に噴霧された洗浄液が、半導体チップの積層間に均一に浸透しない場合、洗浄液の液だまりや未洗浄部分が発生してしまう。この場合においても、保持部を回転させる回転手段を備えているため、この回転による遠心力によって、半導体パッケージに噴霧された洗浄液が半導体チップ同士の積層間に均一に浸透する。
これらの結果、洗浄機能を向上させることができ、効率よくフラックス残渣を除去することができる。また、洗浄液を噴霧するため、洗浄液の使用量を削減することができるとともに、半導体パッケージ等に与えるダメージを減少させることができる。さらに、保持部を回転させることにより洗浄機能を向上させるとともに、半導体パッケージの乾燥を行うことができる。 As described above, the pitch of the electrodes formed on the semiconductor chip is becoming narrower, and accordingly, the interval between the semiconductor chips stacked on the semiconductor chip is also reduced. Therefore, in the conventional cleaning method, it is difficult for the discharged cleaning liquid to penetrate between the stacked semiconductor chips. According to such a method, since the cleaning liquid is sprayed onto the holding portion by the spraying means, the cleaning liquid becomes mist-like fine particles, so that the cleaning liquid permeates between narrow stacks of narrow-pitch semiconductor chips.
In addition, when the cleaning liquid sprayed between the stacked semiconductor chips does not uniformly penetrate between the stacked semiconductor chips, a pool of cleaning liquid or an uncleaned portion is generated. Also in this case, since the rotating means for rotating the holding portion is provided, the cleaning liquid sprayed on the semiconductor package uniformly permeates between the stacked semiconductor chips by the centrifugal force generated by the rotation.
As a result, the cleaning function can be improved, and the flux residue can be efficiently removed. In addition, since the cleaning liquid is sprayed, the amount of the cleaning liquid used can be reduced, and damage to the semiconductor package or the like can be reduced. Furthermore, by rotating the holding part, the cleaning function can be improved and the semiconductor package can be dried.

本発明の半導体パッケージを洗浄する洗浄方法は、前記半導体パッケージを保持部に保持する工程と、前記保持部を回転させる工程と、前記保持部に液体を噴霧する工程と、前記保持部に設けられ、前記噴霧手段から噴霧された液体を第一加熱手段により加熱する工程と、を備えることを特徴とする。
噴霧手段により保持部に洗浄液を噴霧する場合、保持部に保持されている半導体パッケージ全体に均一に洗浄液を噴霧するため、噴霧手段と保持部とは一定の間隔をあけて配置されている。そのため、噴霧される洗浄液は、保持部に着弾するまでの間に温度が下がってしまう。このような方法によれば、保持部に保持部加熱手段を備えているため、保持部に噴霧された洗浄液は保持部加熱手段により加熱され、半導体パッケージ同士の積層間等に均一に洗浄液が浸透し易くなる。従って、洗浄機能を向上させることができ、効率よくフラックス残渣を除去することができる。 A cleaning method for cleaning a semiconductor package of the present invention is provided in the holding unit, the step of holding the semiconductor package in a holding unit, the step of rotating the holding unit, the step of spraying liquid on the holding unit, and the holding unit. And a step of heating the liquid sprayed from the spraying means by the first heating means.
When spraying the cleaning liquid onto the holding part by the spraying means, the spraying means and the holding part are arranged at a certain interval in order to spray the cleaning liquid uniformly on the entire semiconductor package held on the holding part. For this reason, the temperature of the sprayed cleaning liquid drops before reaching the holding portion. According to such a method, since the holding part is provided with the holding part heating means, the cleaning liquid sprayed on the holding part is heated by the holding part heating means, and the cleaning liquid penetrates uniformly between the stacked semiconductor packages. It becomes easy to do. Therefore, the cleaning function can be improved and the flux residue can be efficiently removed.

以下、本発明の実施形態につき、図面を参照して説明する。なお、以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするため、各部材の縮尺を適宜変更している。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. In each drawing used for the following description, the scale of each member is appropriately changed to make each member a recognizable size.

［第１の実施の形態］
(半導体パッケージの洗浄装置)
図１は、本実施の形態における洗浄装置１０の概略構成を模式的に示す図である。洗浄装置１０は、真空チャンバー３６と、この真空チャンバー３６内部に半導体パッケージ２０を配置するためのステージ１８（保持部）と、ステージ１８を加熱するためのステージヒーター２２（保持部加熱手段）と、ステージ１８を回転させるための回転駆動モーター８（回転手段）と、洗浄液ノズル１４（噴霧手段）とリンス液ノズル１６（噴霧手段）とを支持する支持部１２とを備えている。 [First Embodiment]
(Semiconductor package cleaning equipment)
FIG. 1 is a diagram schematically showing a schematic configuration of a cleaning apparatus 10 in the present embodiment. The cleaning apparatus 10 includes a vacuum chamber 36, a stage 18 (holding unit) for disposing the semiconductor package 20 inside the vacuum chamber 36, a stage heater 22 (holding unit heating unit) for heating the stage 18, A rotation drive motor 8 (rotating means) for rotating the stage 18, and a support portion 12 that supports the cleaning liquid nozzle 14 (spraying means) and the rinsing liquid nozzle 16 (spraying means) are provided.

真空チャンバー３６は、上面および底面を有する円筒の形状からなり、この円筒の形状からなる真空チャンバー３６の側面部には、真空ポンプ（不図示）が接続されている。この真空ポンプを動作させることにより真空チャンバー３６内部の圧力を減圧させることができるようになっている。このように、真空チャンバー３６内部は減圧手段によって減圧されるため、真空チャンバー３６内部に収容される半導体パッケージ２０の乾燥能力を向上させることができる。なお、本実施の形態においては、真空チャンバー３６内部の圧力を減圧した状態で、半導体パッケージ２０の洗浄を行うが、通常の大気中において半導体パッケージ２０の洗浄を行うことも可能である。 The vacuum chamber 36 has a cylindrical shape having an upper surface and a bottom surface, and a vacuum pump (not shown) is connected to a side surface portion of the vacuum chamber 36 having the cylindrical shape. By operating this vacuum pump, the pressure inside the vacuum chamber 36 can be reduced. Thus, since the inside of the vacuum chamber 36 is depressurized by the decompression means, the drying capability of the semiconductor package 20 accommodated in the vacuum chamber 36 can be improved. In the present embodiment, the semiconductor package 20 is cleaned while the pressure inside the vacuum chamber 36 is reduced. However, the semiconductor package 20 can also be cleaned in a normal atmosphere.

真空チャンバー３６の底面部には、ステージヒーター２２が設置されている。ステージヒーター２２は、ステージ１８表面温度を一定の温度に保持する機能を有している。そのため、ステージヒーター２２は、ステージ１８の表面温度を検出する温度検出部（不図示）と、この温度検出部に接続され、温度検出部によって検出された温度に基づいてステージ１８の表面温度を制御する制御部（不図示）とを備えることも好ましい。このように、制御部によってステージ１８の表面温度の目標値を設定し、温度検出部によって検出した実際のステージ１８の表面温度と目標温度との温度差を算出して、フィードバック制御により、ステージ１８の表面温度を目標温度に制御することができるようになっている。このように、ステージ１８にステージヒーター２２を設置することにより、ステージ１８に噴霧された洗浄液を加熱することによって、洗浄能力を向上させることができ、効率よく半導体チップを洗浄することができる。 A stage heater 22 is installed on the bottom surface of the vacuum chamber 36. The stage heater 22 has a function of maintaining the surface temperature of the stage 18 at a constant temperature. Therefore, the stage heater 22 is connected to a temperature detector (not shown) that detects the surface temperature of the stage 18 and the temperature detector, and controls the surface temperature of the stage 18 based on the temperature detected by the temperature detector. It is also preferable to include a control unit (not shown). Thus, the target value of the surface temperature of the stage 18 is set by the control unit, the temperature difference between the actual surface temperature of the stage 18 detected by the temperature detection unit and the target temperature is calculated, and the stage 18 is subjected to feedback control. The surface temperature can be controlled to the target temperature. As described above, by installing the stage heater 22 on the stage 18, the cleaning liquid sprayed on the stage 18 is heated, so that the cleaning capability can be improved, and the semiconductor chip can be efficiently cleaned.

ステージ１８は、円形の形状からなり、ステージヒーター２２上に設置されている。ステージ１８は、複数の半導体パッケージ２０がステージ１８上面に配置することができるように所定のスペースを有している。また、このステージ１８は、回転駆動モーター８に接続されており、ステージ１８上面の中心軸に対して水平に、所定の回転速度において所定方向に回転自在となっている。なお、上記回転駆動モーター８は、回転速度および回転方向等の切り替えが可能である。従って、回転速度を高速または低速に調整することもでき、また、回転方向を例えば、時計回りに回転しているステージ１８を反時計回りに切り替えてステージ１８を回転させることも可能である。 The stage 18 has a circular shape and is installed on the stage heater 22. The stage 18 has a predetermined space so that a plurality of semiconductor packages 20 can be arranged on the upper surface of the stage 18. The stage 18 is connected to the rotational drive motor 8 and is rotatable in a predetermined direction at a predetermined rotational speed horizontally with respect to the central axis of the upper surface of the stage 18. Note that the rotation drive motor 8 can be switched between a rotation speed and a rotation direction. Therefore, the rotation speed can be adjusted to high speed or low speed, and the stage 18 can be rotated by switching the rotation direction of the stage 18 rotating clockwise, for example, counterclockwise.

図２は、半導体パッケージ２０が配置されるステージ１８上面を拡大した平面図である。図２に示すように、ステージ１８上面には、半導体パッケージ２０の４辺を固定するため、半導体パッケージ２０の４辺上のそれぞれに対応するように固定爪３０（機械的な固定手段）が設置されている。本実施の形態において、半導体パッケージ２０は４個配置されるので、４組の固定爪３０がステージ１８上面に配置されている。そして、ステージ１８上面には、４個の半導体パッケージ２０が、半導体パッケージ２０の４辺のそれぞれを固定爪３０に固定され配置されている。このように、ステージ１８が回転する場合にも、半導体パッケージ２０がステージ１８上面に固定されているため、ステージ１８が回転することによって遠心力が生じた際にも、半導体パッケージ２０がステージ１８上を移動することを回避することができる。なお、ステージ１８上面に配置される半導体パッケージ２０の数は上記個数に限定されるものではない。 FIG. 2 is an enlarged plan view of the upper surface of the stage 18 on which the semiconductor package 20 is disposed. As shown in FIG. 2, fixing claws 30 (mechanical fixing means) are provided on the upper surface of the stage 18 so as to correspond to the four sides of the semiconductor package 20 in order to fix the four sides of the semiconductor package 20. Has been. In the present embodiment, since four semiconductor packages 20 are arranged, four sets of fixed claws 30 are arranged on the upper surface of the stage 18. On the upper surface of the stage 18, four semiconductor packages 20 are arranged with the four sides of the semiconductor package 20 fixed to the fixing claws 30. As described above, even when the stage 18 rotates, the semiconductor package 20 is fixed to the upper surface of the stage 18. Therefore, even when a centrifugal force is generated by the rotation of the stage 18, the semiconductor package 20 remains on the stage 18. Can be avoided. The number of semiconductor packages 20 arranged on the upper surface of the stage 18 is not limited to the above number.

支持部１２の下面には、洗浄液ノズル１４とリンス液ノズル１６とが、ステージ１８の中央位置の法線軸上に対応するように設置され、ステージ１８に配置される半導体パッケージ２０全体に対して洗浄液を均一に噴霧することができるようになっている。そして、支持部１２の上面には、洗浄液供給管２４とリンス液供給管３８とがそれぞれ接合されている。そして、洗浄液供給管２４は洗浄液ノズル１４と、リンス液供給管３８はリンス液ノズル１６とに支持部１２を介してそれぞれ独立して接続され、洗浄液またはリンス液それぞれ供給されるようになっている。なお、洗浄液ノズル１４とリンス液ノズル１６は、支持部１２に複数設置することも好ましい。また、上記洗浄液ノズル１４とリンス液ノズル１６とは異なる種類のノズル、例えば、後述するように半導体パッケージ２０を乾燥するための気体を噴出するノズルを設置することも好ましい。 A cleaning liquid nozzle 14 and a rinsing liquid nozzle 16 are installed on the lower surface of the support portion 12 so as to correspond to the normal axis at the center position of the stage 18, and the cleaning liquid with respect to the entire semiconductor package 20 disposed on the stage 18. Can be sprayed uniformly. The cleaning liquid supply pipe 24 and the rinsing liquid supply pipe 38 are joined to the upper surface of the support portion 12, respectively. The cleaning liquid supply pipe 24 and the rinsing liquid supply pipe 38 are connected to the rinsing liquid nozzle 16 and the rinsing liquid nozzle 16 independently via the support portion 12, and are supplied with the cleaning liquid or the rinsing liquid, respectively. . A plurality of cleaning liquid nozzles 14 and rinsing liquid nozzles 16 are preferably installed on the support portion 12. It is also preferable to install a different type of nozzle from the cleaning liquid nozzle 14 and the rinsing liquid nozzle 16, for example, a nozzle that ejects a gas for drying the semiconductor package 20 as will be described later.

洗浄液供給管２４は、真空チャンバー３６内部から外部に延在しており、真空チャンバー３６の外部に設置されている洗浄液タンク２８に接続されている。そして、真空チャンバー３６と洗浄液タンク２８との間には、洗浄液ヒーター２６（洗浄液加熱手段）が設置され、洗浄液供給管２４を介して上記洗浄液ノズル１４と洗浄液タンク２８とに接続されている。この洗浄液ヒーター２６は洗浄液タンク２８と同様に真空チャンバー３６の外部に設置されている。 The cleaning liquid supply pipe 24 extends from the inside of the vacuum chamber 36 to the outside, and is connected to a cleaning liquid tank 28 installed outside the vacuum chamber 36. A cleaning liquid heater 26 (cleaning liquid heating means) is installed between the vacuum chamber 36 and the cleaning liquid tank 28, and is connected to the cleaning liquid nozzle 14 and the cleaning liquid tank 28 via the cleaning liquid supply pipe 24. The cleaning liquid heater 26 is installed outside the vacuum chamber 36 in the same manner as the cleaning liquid tank 28.

リンス液供給管３８は、真空チャンバー３６内部から外部に延在しており、真空チャンバー３６の外部に設置されているリンス液タンク３４に接続されている。そして、真空チャンバー３６とリンス液タンク３４との間には、リンス液ヒーター３２が設置され、リンス液供給管３８を介して上記リンス液ノズル１６とリンス液タンク３４とに接続されている。このリンス液ヒーター３２は洗浄液タンク２８と同様に真空チャンバー３６の外部に設置されている。
このような構成により、真空チャンバー３６内部に設置されている洗浄液ノズル１４およびリンス液ノズル１６に洗浄液およびリンス液が供給される。なお、洗浄液供給管２４、洗浄液タンク２８、リンス液供給管３８およびリンス液タンク３４は、いずれも真空チャンバー３６外部に設置したが、真空チャンバー３６内部に設置することも好ましい。 The rinsing liquid supply pipe 38 extends from the inside of the vacuum chamber 36 to the outside and is connected to a rinsing liquid tank 34 installed outside the vacuum chamber 36. A rinse liquid heater 32 is installed between the vacuum chamber 36 and the rinse liquid tank 34, and is connected to the rinse liquid nozzle 16 and the rinse liquid tank 34 via a rinse liquid supply pipe 38. The rinse liquid heater 32 is installed outside the vacuum chamber 36 in the same manner as the cleaning liquid tank 28.
With such a configuration, the cleaning liquid and the rinsing liquid are supplied to the cleaning liquid nozzle 14 and the rinsing liquid nozzle 16 installed in the vacuum chamber 36. The cleaning liquid supply pipe 24, the cleaning liquid tank 28, the rinsing liquid supply pipe 38, and the rinsing liquid tank 34 are all installed outside the vacuum chamber 36. However, it is also preferable to install them inside the vacuum chamber 36.

本実施の形態によれば、洗浄液ノズル１４およびリンス液ノズル１６によって、ステージ１８に洗浄液を噴霧するため、洗浄液が霧状の微細粒子となり、狭ピッチ化した半導体チップ同士の狭い積層間にも洗浄液が浸透する。また、ステージ１８が回転するため、この回転による遠心力によって半導体パッケージ２０に噴霧された洗浄液が半導体チップ同士の積層間に均一に浸透する。従って、洗浄機能を向上させることができ、効率よくフラックス残渣を除去することができる。また、洗浄液を噴霧するため、洗浄液の使用量を削減することができるとともに、半導体パッケージ２０等に与えるダメージを減少させることができる。さらに、ステージ１８を回転させることによって洗浄機能を向上させるとともに、半導体パッケージ２０の乾燥を行うことができる。 According to the present embodiment, since the cleaning liquid is sprayed onto the stage 18 by the cleaning liquid nozzle 14 and the rinsing liquid nozzle 16, the cleaning liquid becomes mist-like fine particles, and the cleaning liquid is also formed between narrow stacks of semiconductor chips with a narrow pitch. Penetrates. Further, since the stage 18 rotates, the cleaning liquid sprayed on the semiconductor package 20 uniformly penetrates between the stacked semiconductor chips by the centrifugal force generated by the rotation. Therefore, the cleaning function can be improved and the flux residue can be efficiently removed. Further, since the cleaning liquid is sprayed, the amount of the cleaning liquid used can be reduced, and damage to the semiconductor package 20 and the like can be reduced. Furthermore, the cleaning function can be improved by rotating the stage 18, and the semiconductor package 20 can be dried.

（半導体パッケージの洗浄方法）
以下に、上述した洗浄装置１０を使用して半導体パッケージ２０を洗浄する方法について図３のフローチャートを参照して説明する。 (Semiconductor package cleaning method)
Hereinafter, a method of cleaning the semiconductor package 20 using the above-described cleaning apparatus 10 will be described with reference to the flowchart of FIG.

まず、図３に示すように半導体パッケージ配置工程Ｓ１において、真空チャンバー３６内部に設置されているステージ１８上面に半導体パッケージ２０を配置する。そして、ステージ１８上面に設置されている固定爪３０によって、半導体パッケージ２０の四辺の部位をそれぞれ固定する。 First, as shown in FIG. 3, in the semiconductor package arranging step S <b> 1, the semiconductor package 20 is arranged on the upper surface of the stage 18 installed inside the vacuum chamber 36. Then, the four sides of the semiconductor package 20 are fixed by the fixing claws 30 installed on the upper surface of the stage 18.

次に、図３に示すようにステージ回転工程Ｓ２において、ステージ１８に接続されている回転駆動モーター８を駆動させ、ステージ１８を所定方向に回転させる。本実施の形態において、ステージ１８の回転方向は例えば時計回りに回転させる。 Next, as shown in FIG. 3, in the stage rotation step S2, the rotation drive motor 8 connected to the stage 18 is driven to rotate the stage 18 in a predetermined direction. In the present embodiment, the rotation direction of the stage 18 is rotated clockwise, for example.

次に、図３に示すように洗浄液噴霧工程Ｓ３において、ステージ１８上面に配置されている半導体パッケージ２０に洗浄液を噴霧する。具体的には、洗浄液タンク２８から洗浄装置１０に備えられている真空ポンプ（不図示）によって、洗浄液供給管２４を介して洗浄液ヒーター２６に洗浄液が供給される。洗浄液ヒーター２６へ供給された洗浄液は、洗浄液ヒーター２６によって一定温度に加熱され、洗浄液供給管２４を介して真空チャンバー３６内部に設置されている洗浄液ノズル１４に供給される。そして、洗浄液ノズル１４の洗浄液噴霧口から洗浄液がステージ１８に対して噴霧される。なお、洗浄液ノズル１４から洗浄液が噴霧されている間、ステージ１８は継続した回転している。 Next, as shown in FIG. 3, in the cleaning liquid spraying step S3, the cleaning liquid is sprayed onto the semiconductor package 20 disposed on the upper surface of the stage 18. Specifically, the cleaning liquid is supplied from the cleaning liquid tank 28 to the cleaning liquid heater 26 via the cleaning liquid supply pipe 24 by a vacuum pump (not shown) provided in the cleaning device 10. The cleaning liquid supplied to the cleaning liquid heater 26 is heated to a certain temperature by the cleaning liquid heater 26 and supplied to the cleaning liquid nozzle 14 installed inside the vacuum chamber 36 via the cleaning liquid supply pipe 24. Then, the cleaning liquid is sprayed onto the stage 18 from the cleaning liquid spray port of the cleaning liquid nozzle 14. Note that the stage 18 continues to rotate while the cleaning liquid is sprayed from the cleaning liquid nozzle 14.

ここで、半導体パッケージ２０を洗浄する洗浄液としては、例えば、エチルアルコール、メチルアルコール、イソプロピルアルコール、その他非ハロゲン系洗浄液等の各種公知洗浄液が挙げられる。さらに、非ハロゲン系洗浄液として具体的には、非ハロゲン系リモネン等のテルペン類、ドデカン等の石油系溶剤等の炭化水素系溶剤型、グリコールエーテル系化合物等の高級アルコール型、およびこれらの混合物、並びにこれらと各種界面活性剤や水との混合物等が挙げられる。 Here, examples of the cleaning solution for cleaning the semiconductor package 20 include various known cleaning solutions such as ethyl alcohol, methyl alcohol, isopropyl alcohol, and other non-halogen cleaning solutions. Further, as the non-halogen cleaning liquid, specifically, terpenes such as non-halogen limonene, hydrocarbon solvent types such as petroleum solvents such as dodecane, higher alcohol types such as glycol ether compounds, and mixtures thereof, In addition, a mixture of these with various surfactants and water may be used.

ここで、界面活性剤としては、ノニオン性またはアニオン性の界面活性剤を例示でき、特にノニオン性界面活性剤を含有している場合が好ましい。ノニオン性界面活性剤としては、ポリオキシエチレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレンフェノールエーテル、ポリオキシエチレンアルキルフェノールエーテルなどのポリエチレングリコールエーテル型ノニオン性界面活性剤；ポリエチレングリコールモノエステル、ポリエチレングリコールジエステルなどのポリエチレングリコールエステル型ノニオン性界面活性剤；高級脂肪族アミンのエチレンオキサイド付加物；脂肪酸アミドのエチレンオキサイド付加物；ソルビタン脂肪酸エステル、ショ糖脂肪酸エステルなどの多価アルコール型ノニオン性界面活性剤；脂肪酸アルカノールアミドなど、さらにはこれらに対応するポリオキシプロピレン系ノニオン性界面活性剤およびポリオキシエチレンポリオキシプロピレン共重合型ノニオン性界面活性剤があげられる。また、アニオン性界面活性剤としてはリン酸エステル系またはスルホン酸系のアニオン性界面活性剤があげられる。 Here, examples of the surfactant include nonionic or anionic surfactants, and it is particularly preferable that the surfactant contains a nonionic surfactant. Nonionic surfactants include polyethylene glycol ether type nonionic surfactants such as polyoxyethylene alkyl ether, polyoxyethylene phenol ether and polyoxyethylene alkyl phenol ether; polyethylene glycol esters such as polyethylene glycol monoester and polyethylene glycol diester Type nonionic surfactants; ethylene oxide adducts of higher aliphatic amines; ethylene oxide adducts of fatty acid amides; polyhydric alcohol type nonionic surfactants such as sorbitan fatty acid esters and sucrose fatty acid esters; fatty acid alkanolamides, etc. Furthermore, the corresponding polyoxypropylene-based nonionic surfactant and polyoxyethylene polyoxypropylene copolymer type nonionic Surfactants, and the like. Examples of the anionic surfactant include phosphate ester type or sulfonic acid type anionic surfactants.

次に、図３に示すようにリンス液噴霧工程Ｓ４において、洗浄液噴霧工程Ｓ３の終了後、ステージ１８上面に配置されている半導体パッケージ２０にリンス液を噴霧する。具体的には、リンス液タンク３４から洗浄装置１０に備えられている真空ポンプ（不図示）によって、リンス液供給管３８を介してリンス液ヒーター３２にリンス液が供給される。リンス液ヒーター３２へ供給されたリンス液は、リンス液ヒーター３２によって一定温度に加熱され、リンス液供給管３８を介して真空チャンバー３６内部に設置されているリンス液ノズル１６に供給される。そして、リンス液ノズル１６のリンス液噴霧口からリンス液がステージ１８に対して噴霧される。なお、リンス液ノズル１６からリンス液が噴霧されている間、ステージ１８は継続して回転している。ここで、本実施の形態において半導体パッケージ２０をリンスするリンス液としては、純水、その他の公知のリンス液を使用することが可能である。 Next, as shown in FIG. 3, in the rinse liquid spraying step S4, after the cleaning liquid spraying step S3 is completed, the rinse liquid is sprayed onto the semiconductor package 20 disposed on the upper surface of the stage 18. Specifically, the rinse liquid is supplied from the rinse liquid tank 34 to the rinse liquid heater 32 via the rinse liquid supply pipe 38 by a vacuum pump (not shown) provided in the cleaning device 10. The rinse liquid supplied to the rinse liquid heater 32 is heated to a constant temperature by the rinse liquid heater 32 and supplied to the rinse liquid nozzle 16 installed inside the vacuum chamber 36 via the rinse liquid supply pipe 38. Then, the rinse liquid is sprayed onto the stage 18 from the rinse liquid spray port of the rinse liquid nozzle 16. Note that the stage 18 continues to rotate while the rinse liquid is sprayed from the rinse liquid nozzle 16. Here, as the rinse liquid for rinsing the semiconductor package 20 in the present embodiment, pure water or other known rinse liquids can be used.

次に、図３に示すように半導体パッケージ乾燥工程Ｓ５において、ステージ１８上面に配置されている半導体パッケージ２０を乾燥する。ステージ１８は、上述した洗浄液噴霧工程Ｓ３からリンス液噴霧工程Ｓ４にかけて継続して回転しており、リンス液噴霧工程Ｓ４の後も継続して回転している。そのため、ステージ１８の回転の遠心力によって半導体パッケージ２０に残っているリンス液等を脱水して、半導体パッケージ２０を乾燥することができる。なお、上記乾燥工程Ｓ５においては、ステージ１８を回転させることにより、ステージ１８に配置される半導体パッケージ２０に残っているリンス液等を乾燥しているが、このステージ１８を回転することによる乾燥に加えて、ステージ１８に気体を噴射することにより、半導体パッケージ２０に残っているリンス液等を乾燥させることも好ましい。 Next, as shown in FIG. 3, in the semiconductor package drying step S5, the semiconductor package 20 disposed on the upper surface of the stage 18 is dried. The stage 18 is continuously rotated from the above-described cleaning liquid spraying step S3 to the rinse liquid spraying step S4, and is continuously rotated after the rinse liquid spraying step S4. Therefore, the rinsing liquid remaining in the semiconductor package 20 can be dehydrated by the centrifugal force of the rotation of the stage 18 and the semiconductor package 20 can be dried. In the drying step S5, the rinsing liquid remaining in the semiconductor package 20 disposed on the stage 18 is dried by rotating the stage 18, but the drying is performed by rotating the stage 18. In addition, it is also preferable to dry the rinse liquid remaining in the semiconductor package 20 by injecting gas onto the stage 18.

［第２の実施の形態］
次に、本実施の形態の洗浄装置について図面を参照して説明する。なお、上記第１の実施の形態と同様の構成等についての説明は省略する。上記第１の実施の形態と異なる点は、第１の実施の形態では、一つのステージ上に半導体パッケージ２０を配置し、このステージを回転させることにより半導体パッケージ２０の洗浄処理およびリンス処理を行っていた。これに対して、本実施の形態においては、複数の小ステージ（第一保持部）上に半導体パッケージ２０を配置し、この複数の小ステージを大ステージ（第二保持部）に設置する。そして、大ステージと複数の小ステージ４６とを独立して遊星回転させることにより、半導体パッケージ２０の洗浄処理およびリンス処理を行う点において異なる。 [Second Embodiment]
Next, the cleaning apparatus of the present embodiment will be described with reference to the drawings. Note that the description of the same configuration as that of the first embodiment is omitted. The difference from the first embodiment is that in the first embodiment, the semiconductor package 20 is arranged on one stage, and the cleaning process and the rinsing process of the semiconductor package 20 are performed by rotating this stage. It was. In contrast, in the present embodiment, the semiconductor package 20 is arranged on a plurality of small stages (first holding units), and the plurality of small stages are installed on the large stage (second holding unit). The difference is that the cleaning process and the rinsing process of the semiconductor package 20 are performed by rotating the large stage and the plurality of small stages 46 independently.

図４は、本実施の形態の洗浄装置１０に設置されている大ステージ４０の概略構成を示
す平面図である。大ステージ４０上には、４つの小ステージ４６が設置され、このそれぞ
れの小ステージ４６上には、半導体パッケージ２０が配置されている。大ステージ４０の
構成については、上記第１の実施の形態において説明したステージ１８と同様の構成から
なるため本実施の形態においては説明を省略する。 FIG. 4 is a plan view showing a schematic configuration of the large stage 40 installed in the cleaning apparatus 10 of the present embodiment. Four small stages 46 are installed on the large stage 40, and the semiconductor package 20 is disposed on each of the small stages 46. The configuration of the large stage 40 is the same as the configuration of the stage 18 described in the first embodiment, and thus the description thereof is omitted in the present embodiment.

小ステージ４６は円形の形状からなり、大ステージ４０の直径の約半分以下の直径から
構成されている。この小ステージ４６は、それぞれ回転駆動モーター８に接続され、この
回転駆動モーター８が駆動することにより、小ステージ４６のそれぞれが独立して回転自
在となっている。そして、本実施の形態において小ステージ４６は、大ステージ４０とは
それぞれ逆方向に回転、すなわち遊星回転している。具体的には、大ステージ４０が時計
回りに回転している場合には、小ステージ４６のそれぞれは、逆時計回りに回転している
。なお、上記第２の実施の形態において、複数の小ステージ４６は、大ステージ４０とは
異なる方向に回転するように設定されていたが、複数の小ステージ４６がそれぞれ同じ方
向に独立して回転するように設定することも好ましい。 The small stage 46 has a circular shape and has a diameter that is approximately half or less than the diameter of the large stage 40. Each of the small stages 46 is connected to the rotational drive motor 8, and each of the small stages 46 is independently rotatable by being driven by the rotational drive motor 8. In this embodiment, the small stage 46 rotates in the opposite direction to the large stage 40, that is, rotates in a planetary manner. Specifically, when the large stage 40 is rotating clockwise, each of the small stages 46 is rotating counterclockwise. In the second embodiment, the plurality of small stages 46 are set to rotate in different directions from the large stage 40, but the plurality of small stages 46 rotate independently in the same direction. It is also preferable to set so as to.

なお、本発明の技術範囲は、上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において、上述した実施形態に種々の変更を加えたものを含む。
例えば、洗浄装置１０に着脱機構を設けることにより、上記第２の実施の形態における大ステージ４０と複数の小ステージ４６とから構成されるステージ機構を取り外して、第１の実施の形態における一つのステージ１８から構成されるステージ機構に交換することも可能である。 It should be noted that the technical scope of the present invention is not limited to the above-described embodiments, and includes those in which various modifications are made to the above-described embodiments without departing from the spirit of the present invention.
For example, by providing the cleaning device 10 with an attaching / detaching mechanism, the stage mechanism composed of the large stage 40 and the plurality of small stages 46 in the second embodiment is removed, and one of the first embodiment is removed. It is also possible to replace the stage mechanism composed of the stage 18.

また、上記第１の実施の形態ではステージ１８、第２の実施の形態では大ステージ４０のそれぞれは平面に形成され、この平面上に複数の半導体パッケージ２０が配置または小ステージ４６が設置されていた。これに代えて、ステージ１８および大ステージ４０を円錐形状とすることによってステージ中央を基準として傾斜面を設けて、この傾斜面に対して半導体パッケージ２０を配置または小ステージ４６を設置することも可能である。このような洗浄装置１０によれば、半導体パッケージ２０は傾斜面に配置されるため、噴霧された洗浄液およびリンス液が半導体パッケージ２０に浸透し易くなる。 Further, the stage 18 in the first embodiment and the large stage 40 in the second embodiment are each formed on a plane, and a plurality of semiconductor packages 20 are arranged on the plane or the small stage 46 is installed. It was. Alternatively, the stage 18 and the large stage 40 may have a conical shape so that an inclined surface is provided with respect to the center of the stage, and the semiconductor package 20 may be disposed on the inclined surface or the small stage 46 may be installed. It is. According to such a cleaning apparatus 10, since the semiconductor package 20 is disposed on the inclined surface, the sprayed cleaning liquid and rinse liquid are likely to penetrate into the semiconductor package 20.

図１は、洗浄装置を模式的に示す平面図である。FIG. 1 is a plan view schematically showing the cleaning apparatus. 図２は、洗浄装置のステージを模式的に示す平面図である。FIG. 2 is a plan view schematically showing the stage of the cleaning apparatus. 図３は、洗浄工程を示すフローチャートである。FIG. 3 is a flowchart showing the cleaning process. 図４は、洗浄装置のステージを模式的に示す平面図である。FIG. 4 is a plan view schematically showing the stage of the cleaning apparatus.

Explanation of symbols

８…回転駆動モーター（回転手段）、１０…洗浄装置、１２…支持部、１４…洗浄液ノズル、１６…リンス液ノズル、１８…ステージ（保持部）、２０…半導体パッケージ、２２…ステージヒーター（保持部加熱手段）、２４…洗浄液供給管、２６…洗浄液ヒーター（洗浄液加熱手段）、２８…洗浄液タンク、３０…固定爪（機械的固定手段）、３２…リンス液ヒーター、３４…リンス液タンク３６…真空チャンバー、３８…リンス液供給管、４０…大ステージ（第二保持部）、４６…小ステージ（第一保持部） DESCRIPTION OF SYMBOLS 8 ... Rotation drive motor (rotating means), 10 ... Cleaning apparatus, 12 ... Support part, 14 ... Cleaning liquid nozzle, 16 ... Rinse liquid nozzle, 18 ... Stage (holding part), 20 ... Semiconductor package, 22 ... Stage heater (holding) Part heating means), 24 ... cleaning liquid supply pipe, 26 ... cleaning liquid heater (cleaning liquid heating means), 28 ... cleaning liquid tank, 30 ... fixed claw (mechanical fixing means), 32 ... rinse liquid heater, 34 ... rinse liquid tank 36 ... Vacuum chamber, 38 ... rinse liquid supply pipe, 40 ... large stage (second holding part), 46 ... small stage (first holding part)

Claims

A cleaning device for cleaning a semiconductor package,
A holding part for holding the semiconductor package;
A rotating means for rotating the holding portion;
Spraying means for spraying the cleaning liquid onto the holding unit;
A cleaning apparatus comprising:

A cleaning device for cleaning a semiconductor package,
A holding part for holding the semiconductor package;
A rotating means for rotating the holding portion;
Spraying means for spraying the cleaning liquid onto the holding unit;
Holding unit heating means for heating the holding unit;
A cleaning apparatus comprising:

The cleaning apparatus according to claim 1, further comprising a cleaning liquid heating unit that heats the cleaning liquid sprayed from the spraying unit.

The holding part surface which hold | maintains the said semiconductor package is arrange | positioned at the horizontal direction, The said spraying means is provided on the center axis | shaft of the said holding part surface, The one of Claim 1 thru | or 3 characterized by the above-mentioned. The cleaning apparatus according to Item 1.

The cleaning apparatus according to claim 1, wherein the spraying unit includes a nozzle that discharges a cleaning liquid and a nozzle that discharges a rinsing liquid.

The cleaning apparatus according to claim 1, wherein the holding unit includes a detachable mechanism.

The said holding | maintenance part is equipped with the several rotatable 1st holding | maintenance part by which the said semiconductor package is hold | maintained, and the rotatable 2nd holding | maintenance part by which these several 1st holding | maintenance parts are hold | maintained, The cleaning apparatus according to any one of claims 1 to 6.

The cleaning apparatus according to claim 7, wherein the first holding unit and the second holding unit rotate planetarily with respect to each other.

The cleaning apparatus according to claim 1, wherein the semiconductor package is fixed to the holding portion by mechanical fixing means.

The cleaning device according to any one of claims 1 to 9, wherein the rotation means is capable of switching a rotation direction.

A chamber that houses at least the holding portion and the spraying means;
The cleaning apparatus according to claim 1, further comprising a decompression unit that decompresses the inside of the chamber.

A cleaning method for cleaning a semiconductor package,
Holding the semiconductor package in a holding portion;
Rotating the holding part;
Spraying liquid onto the holding part;
A cleaning method comprising:

A cleaning method for cleaning a semiconductor package,
Holding the semiconductor package in a holding portion;
Rotating the holding part;
Spraying liquid onto the holding part;
A step of heating the liquid sprayed from the spraying means by the first heating means provided in the holding unit;
A cleaning method comprising: