JP2005332673A - Manufacturing method of display panel - Google Patents

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友良 池谷
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知之 中谷
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a manufacturing method of a display panel of high quality at low cost without extending the manufacturing time. <P>SOLUTION: This is the manufacturing method of the display panel in which a sealing layer 7 formed so as to surround a discharge space S between an opposed pair of front substrate 1 and a rear substrate 4 is heated and by softening this sealing layer 7 at a prescribed temperature and sealing the substrates, the discharge space S is sealed. Before a sealing process for sealing the discharge space S by the sealing layer 7 is carried out after the temperature for heating the sealing layer 7 has reached a softening starting temperature of the sealing layer 7, a first exhausting process for exhausting the discharge space S and an introduction process of introducing a substitution gas to the discharge space S after this first exhausting process are carried out. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

この発明は、ディスプレイパネルの製造方法に関する。   The present invention relates to a method for manufacturing a display panel.

図1は、ディスプレイパネルの一例である交流駆動方式の反射型プラズマディスプレイパネル(PDP)のパネル構造を示す縦断面図である。   FIG. 1 is a longitudinal sectional view showing a panel structure of an AC drive type reflection type plasma display panel (PDP) which is an example of a display panel.

このPDPの前面基板1の内面側に、それぞれITOなどからなる透明電極Xa,Yaと銀などの厚膜電極からなるバス電極Xb,Ybとによって構成される行電極XとYが対になった行電極対(X,Y)と、この行電極対(X,Y)を被覆する誘電体層2と、この誘電体層2を被覆するMgOなどからなる保護層3が形成されている。   On the inner surface side of the front substrate 1 of this PDP, row electrodes X and Y each composed of transparent electrodes Xa and Ya made of ITO and bus electrodes Xb and Yb made of thick film electrodes such as silver are paired. A row electrode pair (X, Y), a dielectric layer 2 covering the row electrode pair (X, Y), and a protective layer 3 made of MgO or the like covering the dielectric layer 2 are formed.

また、背面基板4の前面基板1に対向する内面側には、行電極対(X,Y)と交差する方向に延びて行電極対(X,Y)と交差する位置の放電空間S内に放電セルCを構成する列電極Dと、この列電極Dを被覆する列電極保護層5と、この列電極保護層5上に各放電セルC毎に赤,緑,青に色分けされた蛍光体層6と、放電空間Sを各放電セルC毎に区画する隔壁(図示せず)が形成されている。   Further, on the inner surface side of the rear substrate 4 facing the front substrate 1, it extends in a direction intersecting with the row electrode pair (X, Y) and is in the discharge space S at a position intersecting with the row electrode pair (X, Y). A column electrode D constituting the discharge cell C, a column electrode protective layer 5 covering the column electrode D, and phosphors color-coded in red, green and blue for each discharge cell C on the column electrode protective layer 5 The layer 6 and the partition (not shown) which divides the discharge space S for each discharge cell C are formed.

そして、前面基板1と背面基板4の間に形成され、周縁部を封着層7によって封止された放電空間S内には、キセノンXeを5〜10%含むネオンNeとの混合ガスが放電ガスとして封入されている。   Then, in the discharge space S formed between the front substrate 1 and the back substrate 4 and having the peripheral edge sealed by the sealing layer 7, a mixed gas with neon Ne containing 5 to 10% xenon Xe is discharged. It is sealed as a gas.

蛍光体層6は、放電によってXeガスから放出される真空紫外線(波長147nm)によって励起されることにより発光する。   The phosphor layer 6 emits light when excited by vacuum ultraviolet rays (wavelength 147 nm) emitted from the Xe gas by discharge.

図2は、上記のような構成のPDPの従来の製造方法を示す工程説明図であり、図3はこの従来の製造方法におけるベーク炉内の温度変化と工程経過時間との関係を示す図である。   FIG. 2 is a process explanatory diagram showing a conventional manufacturing method of the PDP having the above-described configuration, and FIG. 3 is a diagram showing a relationship between a temperature change in the baking furnace and a process elapsed time in the conventional manufacturing method. is there.

次に、この図2および3を参照しながら、従来の製造方法について説明を行う。   Next, a conventional manufacturing method will be described with reference to FIGS.

先ず、図2の前面基板作製工程s1において、前面基板1上にフォトリソ法などによって行電極X,Yが形成され、次いで、スクリーン印刷法などによって誘電体層2が形成され、この後、MgOを成膜して保護層3が形成される。   First, in the front substrate manufacturing step s1 of FIG. 2, the row electrodes X and Y are formed on the front substrate 1 by a photolithography method or the like, and then the dielectric layer 2 is formed by a screen printing method or the like. The protective layer 3 is formed by forming a film.

一方、背面基板作製工程s2において、背面基板4上にフォトリソ法などによって列電極Dが形成され、次いで、スクリーン印刷法などによる列電極保護層5の形成とサンドブラスト法などによる隔壁の形成が順次行われた後、隔壁間に蛍光体ペーストが充填されて焼成されることにより、蛍光体層6が形成される。   On the other hand, in the back substrate manufacturing step s2, the column electrode D is formed on the back substrate 4 by a photolithography method or the like, and then the column electrode protective layer 5 by the screen printing method or the like and the partition by the sandblast method or the like are sequentially performed. After being broken, the phosphor layer 6 is formed by filling and baking the phosphor paste between the partition walls.

次に、上記のようにして作製された背面基板4の前面基板1に対向される側の面の周縁部に、封着用のガラスフリットが塗布されて、約400℃の温度で仮焼成されることにより封着層7が形成される(工程s3)。   Next, a glass frit for sealing is applied to the peripheral portion of the surface of the back substrate 4 manufactured as described above facing the front substrate 1 and pre-baked at a temperature of about 400 ° C. Thus, the sealing layer 7 is formed (step s3).

そして、この封着層が形成された背面基板4と前面基板1が、背面基板4の列電極Dに対して前面基板1の行電極X,Yが直交する向きになるように対向されて重ね合わされ(工程s4)、この状態で、前面基板1と背面基板4がベーク炉内に投入される(工程s5)。   Then, the back substrate 4 and the front substrate 1 on which the sealing layer is formed are opposed and overlapped so that the row electrodes X and Y of the front substrate 1 are orthogonal to the column electrodes D of the back substrate 4. (Step s4) In this state, the front substrate 1 and the back substrate 4 are put into a baking furnace (step s5).

この後、図3に示されるように、ベーク炉内の温度が上昇され、その温度が封着温度t1(約450℃)に達すると、この封着温度t1があらかじめ設定されている封着工程期間p1の間維持され、この封着工程期間p1の間に、背面基板4に形成された封着層7が加熱によって前面基板1に溶着されることにより、背面基板4と前面基板1の間に形成される放電空間Sの周囲が封止される(工程s6)。   Thereafter, as shown in FIG. 3, when the temperature in the baking furnace is increased and the temperature reaches the sealing temperature t1 (about 450 ° C.), the sealing step in which the sealing temperature t1 is set in advance. During the sealing step period p1, the sealing layer 7 formed on the back substrate 4 is welded to the front substrate 1 by heating, so that the space between the back substrate 4 and the front substrate 1 is maintained. The periphery of the discharge space S formed is sealed (step s6).

この封着工程期間p1の経過後、ベーク炉の温度が、封着温度t1よりも低い所定の温度t2(約400℃)まで降下されて封着層7のガラスフリットが固まってくると、あらかじめ設定されている排気・ベーキング工程期間p2の間、この温度t2が維持される。   After the elapse of the sealing step period p1, when the temperature of the baking furnace is lowered to a predetermined temperature t2 (about 400 ° C.) lower than the sealing temperature t1, the glass frit of the sealing layer 7 is solidified in advance. This temperature t2 is maintained during the set exhaust / baking process period p2.

そして、この排気・ベーキング工程期間p2において、前面基板1および背面基板4が温度t2で加熱(ベーキング)されながら、放電空間S内からの排気が行われて放電空間S内が真空にされる(工程s7)。   Then, in the exhaust / baking process period p2, the front substrate 1 and the rear substrate 4 are heated (baked) at the temperature t2, and the exhaust from the discharge space S is performed to evacuate the discharge space S ( Step s7).

この排気・ベーキング工程期間p2が経過すると、ベーク炉内の温度が降下されて、ほぼ常温近くになった状態で、放電空間S内に放電ガスが所定の圧力(400〜600Toor)で導入され(工程s8)、この放電ガスの導入終了後に、排気および放電ガスの導入に使用された排気管がバーナ等によって封止される(工程s9)。   When the evacuation / baking process period p2 elapses, the discharge gas is introduced into the discharge space S at a predetermined pressure (400 to 600 Toor) in a state where the temperature in the baking furnace is lowered to near normal temperature ( Step s8) After the introduction of the discharge gas, the exhaust pipe used for introduction of the exhaust gas and the discharge gas is sealed with a burner or the like (step s9).

そして、前面基板1の対をなす行電極X,Y間に駆動パルスが印加されて所定時間放電が発生されることにより、前面基板1に形成されている保護層3の活性化と放電の安定化(エージング)が行われる(工程s10)(例えば、特許文献1参照)。   Then, a drive pulse is applied between the pair of row electrodes X and Y of the front substrate 1 to generate a discharge for a predetermined time, thereby activating the protective layer 3 formed on the front substrate 1 and stabilizing the discharge. (Aging) is performed (step s10) (see, for example, Patent Document 1).

上記のような従来のディスプレイパネルの製造方法では、封着層7によって放電空間Sを封止する封止工程s6において、封着工程期間p1の間、前面基板1と背面基板4の間の空間には大気と加熱によって基板から放出されてくる不純ガスが充満しており、高温条件下において、各基板の内面側がHO,COなどの不純ガスに曝された状態になっている。 In the conventional display panel manufacturing method as described above, in the sealing step s6 for sealing the discharge space S by the sealing layer 7, the space between the front substrate 1 and the rear substrate 4 during the sealing step period p1. Is filled with an impurity gas released from the substrate by the atmosphere and heating, and the inner surface side of each substrate is exposed to an impurity gas such as H 2 O and CO 2 under a high temperature condition.

これは、製造過程にあるディスプレイパネルにとっては、非常に好ましくない状態であり、前面基板1においては保護層3を形成するMgOに対する脱ガス処理が阻害されるといった問題が発生し、背面基板4においては蛍光体層6を形成する蛍光材料が劣化するといった問題が発生する。   This is a very unfavorable state for the display panel in the manufacturing process, and the front substrate 1 has a problem that the degassing process for MgO forming the protective layer 3 is hindered. This causes a problem that the fluorescent material forming the phosphor layer 6 deteriorates.

このような問題の発生を回避するために、排気・ベーキング工程期間p2における放電空間Sからの排気時間を十分に長く設定して保護層(MgO)3からの十分な脱ガスと劣化した蛍光体層6の回復が行われるようにするといった手法や、真空環境下において放電空間Sの封止を行う真空封着といった手法の採用が考えられる。   In order to avoid the occurrence of such a problem, the exhaust time from the discharge space S in the exhaust / baking process period p2 is set to be sufficiently long, and sufficient degassing from the protective layer (MgO) 3 and the deteriorated phosphor It is conceivable to adopt a technique such as recovery of the layer 6 or a technique such as vacuum sealing that seals the discharge space S in a vacuum environment.

しかしながら、十分な排気を行うために排気・ベーキング工程期間p2を長く設定すると製造時間が非常に長くなり、また、真空封着を行うには、そのための装置が大掛かりになるために、何れも、製造コストを上昇させる要因になる。   However, if the evacuation / baking process period p2 is set to be long in order to perform sufficient evacuation, the manufacturing time becomes very long. Also, in order to perform vacuum sealing, since the apparatus for that is large, This increases the manufacturing cost.

特開2000−30618号公報JP 2000-30618 A

この発明は、上記のようなディスプレイパネルの製造工程における問題点を解決することをその課題の一つとする。   An object of the present invention is to solve the problems in the manufacturing process of the display panel as described above.

この発明(請求項1に記載の発明)によるディスプレイパネルの製造方法は、上記目的を達成するために、所要の間隔を開けて対向される一対の基板の間の内部空間を囲むように位置された封着材を加熱して、この封着材を所定の温度で軟化させて基板に溶着させることにより一対の基板間の内部空間を封止するディスプレイパネルの製造方法において、前記封着材の加熱温度が封着材の軟化開始温度に達した後、一対の基板間の内部空間を封着材によって封止する封着工程が行われる前に、一対の基板間の内部空間から排気を行う一次排気工程とこの一次排気工程の後の内部空間への置換ガスの導入工程が行われることを特徴としている。   In order to achieve the above object, a display panel manufacturing method according to the present invention (the invention described in claim 1) is positioned so as to surround an internal space between a pair of substrates opposed to each other with a predetermined interval. In the method of manufacturing a display panel, the sealing material is heated by heating the sealing material, and the sealing material is softened at a predetermined temperature and welded to the substrate to seal the internal space between the pair of substrates. After the heating temperature reaches the softening start temperature of the sealing material, before the sealing step of sealing the internal space between the pair of substrates with the sealing material is performed, the internal space between the pair of substrates is evacuated. The present invention is characterized in that a primary exhaust process and a process of introducing a replacement gas into the internal space after the primary exhaust process are performed.

この発明は、PDPの互いに対向される前面基板と背面基板の間の放電空間を囲むように背面基板上に形成された封着層を加熱し、この封着層を形成する封着材を軟化させて前面基板に溶着させることにより放電空間を封止するPDPの製造方法において、封着層を加熱するための温度が封着材の軟化開始温度、または、この軟化開始温度の近傍で軟化開始温度よりも僅かに高い温度に達した後、放電空間を封着層によって封止する封着工程が行われる前に、放電空間内から所定の圧力で排気を行う一次排気工程と、この一次排気された放電空間内に置換ガスを導入する置換ガス導入工程が行われるPDPの製造方法を、その最良の実施形態としているものである。   The present invention heats the sealing layer formed on the back substrate so as to surround the discharge space between the front substrate and the back substrate facing each other of the PDP, and softens the sealing material forming the sealing layer In the method of manufacturing a PDP in which the discharge space is sealed by welding to the front substrate, the temperature for heating the sealing layer starts softening at or near the softening start temperature of the sealing material. After reaching a temperature slightly higher than the temperature, before performing a sealing process for sealing the discharge space with a sealing layer, a primary exhaust process for exhausting the discharge space from the discharge space at a predetermined pressure, and this primary exhaust A method of manufacturing a PDP in which a replacement gas introduction step of introducing a replacement gas into the discharge space is performed as the best embodiment.

この実施形態のPDPの製造方法によれば、所要の間隔を開けて前面基板と対向される背面基板上に放電空間を囲むように封着層が形成され、例えばこの封着層を介して互いに対向された前面基板と背面基板が収容されたベーク炉内の温度が上昇されることによって、封着層が加熱されて、この封着層を形成する封着材が前面基板に溶着されることにより、放電空間が封止される。   According to the PDP manufacturing method of this embodiment, a sealing layer is formed on the rear substrate facing the front substrate at a predetermined interval so as to surround the discharge space. When the temperature in the baking furnace in which the front substrate and the back substrate facing each other are increased, the sealing layer is heated, and the sealing material forming this sealing layer is welded to the front substrate. Thus, the discharge space is sealed.

このとき、ベーク炉内の加熱温度の上昇が開始されて、この加熱温度が、封着材の軟化開始温度、または、この軟化開始温度よりも僅かに高い温度に達した直後に、背面基板に接続された排気管を介して、放電空間からの一次排気が行われ、さらに、その後に、この一次排気が行われた放電空間内に置換ガスが導入される。   At this time, an increase in the heating temperature in the baking furnace is started, and immediately after the heating temperature reaches the softening start temperature of the sealing material or a temperature slightly higher than the softening start temperature, The primary exhaust from the discharge space is performed through the connected exhaust pipe, and then the replacement gas is introduced into the discharge space where the primary exhaust is performed.

この置換ガスとしては、HOおよびCOを含まないガスが使用され、例えば、不活性ガス,不活性ガスと水素ガスまたは酸素ガスとの混合ガス,酸素ガス,窒素ガス,弗素ガス,塩素ガス,窒素ガスと水素ガスまたは酸素ガスとの混合ガス,弗素ガスと水素ガスまたは酸素ガスとの混合ガス,塩素ガスと水素ガスまたは酸素ガスとの混合ガス等の各種ガスが使用される。 As the replacement gas, a gas not containing H 2 O and CO 2 is used. For example, an inert gas, a mixed gas of inert gas and hydrogen gas or oxygen gas, oxygen gas, nitrogen gas, fluorine gas, chlorine Various gases such as a gas, a mixed gas of nitrogen gas and hydrogen gas or oxygen gas, a mixed gas of fluorine gas and hydrogen gas or oxygen gas, and a mixed gas of chlorine gas and hydrogen gas or oxygen gas are used.

この実施形態のPDPの製造方法によれば、PDPの製造を真空封着炉を使用して製造するのと同様の効果を得ることができ、従来の製造方法における不具合を解消することが出来る。   According to the PDP manufacturing method of this embodiment, it is possible to obtain the same effect as that of manufacturing a PDP using a vacuum sealing furnace, and to solve the problems in the conventional manufacturing method.

すなわち、PDPの製造工程において、前面基板と背面基板の間の放電空間を封止するために加熱が行われて、封着層の加熱温度が封着材の軟化開始温度に達した以降に放電空間内からの一次排気と置換ガスの導入が行われるので、放電空間を封着層によって封止する封着工程が行われる前に、放電空間内に充満する大気と加熱によって基板側から放出されてくる不純ガスが排出されることによって、例えば基板に形成されたMgO層などからの脱ガスが促進され、さらに、高温条件下において各基板の内面側がHO,COなどの不純ガスに曝されるのが防止されるので、例えば基板に形成された蛍光体層が劣化するのが防止され、これによって、PDPのパネル性能(放電特性)の大幅な改善を図ることが出来るようになる。 That is, in the PDP manufacturing process, heating is performed to seal the discharge space between the front substrate and the rear substrate, and the discharge is performed after the heating temperature of the sealing layer reaches the softening start temperature of the sealing material. Since the primary exhaust and the replacement gas are introduced from the space, the discharge space is released from the substrate side by the atmosphere filled with the discharge space and heating before the sealing process for sealing the discharge space with the sealing layer is performed. By discharging the impure gas coming, for example, degassing from the MgO layer formed on the substrate is promoted, and further, the inner surface side of each substrate becomes impure gas such as H 2 O, CO 2 under high temperature conditions. Since the exposure is prevented, for example, the phosphor layer formed on the substrate is prevented from deteriorating, and thereby the panel performance (discharge characteristics) of the PDP can be greatly improved. .

そして、上記の製造方法によれば、放電空間の封止後に、この放電空間内からの排気を行う工程時間を長時間に設定したり、大がかりな真空封着装置を使用することなく、上記効果を発揮することができ、しかも、従来の製造装置においても簡単な変更や改造で実施することができるので、大幅に製造コストが上昇することはない。   And according to said manufacturing method, after sealing discharge space, the said effect is set without setting the process time which exhausts from this discharge space to a long time, or using a large-scale vacuum sealing apparatus. In addition, since the conventional manufacturing apparatus can be implemented with simple changes and modifications, the manufacturing cost does not increase significantly.

図4は、この発明によるディスプレイパネルの製造方法の実施形態における第1実施例を示す工程説明図であり、図5は、同例の製造方法におけるベーク炉内の温度変化と工程経過時間との関係を示す図であり、図6は、同例の製造方法において使用されるベーク炉の概略構成図である。   FIG. 4 is a process explanatory view showing a first example in the embodiment of the display panel manufacturing method according to the present invention, and FIG. 5 shows the temperature change in the baking furnace and the process elapsed time in the manufacturing method of the example. FIG. 6 is a schematic configuration diagram of a baking furnace used in the manufacturing method of the same example.

この図4の製造工程について、図1を参照しながら説明する。   The manufacturing process of FIG. 4 will be described with reference to FIG.

先ず、前面基板1上にフォトリソ法などによって行電極対(X,Y)が形成され、この行電極対(X,Y)を被覆するようにスクリーン印刷法などによって誘電体層2が形成され、さらに、この誘電体層2にその背面を被覆する保護層(MgO層)3が形成される(前面基板作製工程S1)。   First, a row electrode pair (X, Y) is formed on the front substrate 1 by a photolithography method or the like, and a dielectric layer 2 is formed by a screen printing method or the like so as to cover the row electrode pair (X, Y). Further, a protective layer (MgO layer) 3 covering the back surface of the dielectric layer 2 is formed (front substrate manufacturing step S1).

一方、背面基板4上にフォトリソ法などによって列電極Dが形成され、スクリーン印刷法などによって列電極Dを被覆する列電極保護層5が形成され、この列電極保護層5上にサンドブラスト法などによって放電空間Sを区画する隔壁が形成され、さらに、この隔壁間に蛍光体ペーストが充填されて焼成されることにより蛍光体層6が形成される(背面基板作製工程S2)。   On the other hand, a column electrode D is formed on the back substrate 4 by a photolithography method or the like, a column electrode protective layer 5 covering the column electrode D is formed by a screen printing method or the like, and a sand blast method or the like is formed on the column electrode protective layer 5. A partition wall for partitioning the discharge space S is formed, and a phosphor layer 6 is formed by filling and baking the phosphor paste between the partition walls (back substrate manufacturing step S2).

以上のようにして、前面基板作製工程S1および背面基板作製工程S2が終了すると、次に、背面基板4の前面基板1に対向される側の面の周縁部に、封着用のガラスフリットが塗布されて約400℃の温度で焼成されることにより、封着層7が形成される(工程S3)。   When the front substrate manufacturing step S1 and the back substrate manufacturing step S2 are completed as described above, a sealing glass frit is then applied to the peripheral portion of the surface of the back substrate 4 facing the front substrate 1. And the sealing layer 7 is formed by baking at the temperature of about 400 degreeC (process S3).

そして、この後、前面基板1と背面基板4とが、それぞれに形成された行電極対(X,Y)と列電極Dとが直交する向きになるように互いに対向されて重ね合わされ(工程S4)、この状態で、図6に示されるようにベーク炉H内に投入され、背面基板4に形成された排気孔に排気管10が接続されて封着される(工程S5)。   After that, the front substrate 1 and the rear substrate 4 are overlapped with each other so that the row electrode pair (X, Y) and the column electrode D formed on each of the front substrate 1 and the rear substrate 4 are orthogonal to each other (step S4). In this state, as shown in FIG. 6, it is put into the baking furnace H, and the exhaust pipe 10 is connected to the exhaust hole formed in the back substrate 4 and sealed (step S5).

この排気管10には、排気ポンプ11および置換ガス導入系12,放電ガス導入系13が接続されている。   An exhaust pump 11, a replacement gas introduction system 12, and a discharge gas introduction system 13 are connected to the exhaust pipe 10.

この状態でベーク炉H内の加熱が開始され、図5に示されるように、このベーク炉H内の温度が背面基板4に形成されている封着層7のガラスフリットが溶解し始める温度t2(約420℃)を僅かに超える温度t11(約425℃)に達すると、その時点からあらかじめ設定されている封着工程期間P11の間、ベーク炉H内の温度がこの温度t11に維持される。   In this state, heating in the baking furnace H is started, and as shown in FIG. 5, the temperature in the baking furnace H is a temperature t2 at which the glass frit of the sealing layer 7 formed on the back substrate 4 starts to melt. When a temperature t11 (about 425 ° C) slightly exceeding (about 420 ° C) is reached, the temperature in the baking furnace H is maintained at this temperature t11 during the sealing process period P11 set in advance from that point. .

そして、この封着工程期間P11の開始直後に、排気ポンプ11が駆動されて、前面基板1と背面基板4との間に形成される放電空間S内からの一次排気が開始される(工程S6)。   Immediately after the start of the sealing process period P11, the exhaust pump 11 is driven to start primary exhaust from the discharge space S formed between the front substrate 1 and the back substrate 4 (step S6). ).

このとき、封着層7のガラスフリットはその表面が溶解を始めた状態であり、放電空間Sを密閉してはいるが、その流動性は低い状態であるため、工程S6の一次排気が行われても、放電空間S内が負圧になることによる封着層7の放電空間Sへの引き込みは発生しない。   At this time, the glass frit of the sealing layer 7 is in a state where the surface thereof has started to melt and seals the discharge space S, but its fluidity is low, so that the primary exhaust of step S6 is performed. Even if this occurs, the sealing layer 7 is not drawn into the discharge space S due to the negative pressure in the discharge space S.

この一次排気の後、置換ガス導入系12から排気管10を介して放電空間S内に置換ガスの導入が行われる(工程S7)。   After the primary exhaust, the replacement gas is introduced into the discharge space S from the replacement gas introduction system 12 through the exhaust pipe 10 (step S7).

この工程S7において導入される置換ガスには、HOおよびCOを含まないガスが使用され、例えば、不活性ガス,不活性ガスと水素ガスまたは酸素ガスとの混合ガス,酸素ガス,窒素ガス,弗素ガス,塩素ガス,窒素ガスと水素ガスまたは酸素ガスとの混合ガス,弗素ガスと水素ガスまたは酸素ガスとの混合ガス,塩素ガスと水素ガスまたは酸素ガスとの混合ガス等の各種ガスが使用される。 As the replacement gas introduced in this step S7, a gas not containing H 2 O and CO 2 is used. For example, an inert gas, a mixed gas of inert gas and hydrogen gas or oxygen gas, oxygen gas, nitrogen Various gases such as gas, fluorine gas, chlorine gas, mixed gas of nitrogen gas and hydrogen gas or oxygen gas, mixed gas of fluorine gas and hydrogen gas or oxygen gas, mixed gas of chlorine gas and hydrogen gas or oxygen gas Is used.

ここで、不活性ガスに微量の水素ガス(約3%以下)を混合した場合には蛍光体層6の回復効果を得ることが出来、不活性ガスに少量の酸素ガス(約20%以下)を混合した場合には保護層(MgO層)3の膜質の改善効果を得ることが出来る。   Here, when a trace amount of hydrogen gas (about 3% or less) is mixed with the inert gas, the recovery effect of the phosphor layer 6 can be obtained, and a small amount of oxygen gas (about 20% or less) is added to the inert gas. When is mixed, an effect of improving the film quality of the protective layer (MgO layer) 3 can be obtained.

この工程S7における置換ガスの導入圧力は、例えば、大気の1/100〜大気圧程度に設定される。   The introduction pressure of the replacement gas in step S7 is set to, for example, about 1/100 to atmospheric pressure of the atmosphere.

そして、この封着工程期間P11の間に、封着層7のガラスフリットの表面が加熱によって溶解されていることによって、前面基板1に封着されて、背面基板4と前面基板1の間に形成される放電空間Sの周囲が封止される(工程S8)。   During the sealing process period P11, the surface of the glass frit of the sealing layer 7 is melted by heating, so that it is sealed to the front substrate 1 and between the back substrate 4 and the front substrate 1. The periphery of the discharge space S to be formed is sealed (step S8).

この封着工程期間P11の経過後、ベーク炉Hの温度が、温度t11から下降されて、封着層7のガラスフリットの溶解温度t2(約420℃)以下の温度t12(約400℃)まで下降すると、あらかじめ設定されている排気・ベーキング工程期間P12の間、この温度t12が維持される。   After the sealing process period P11 has elapsed, the temperature of the baking furnace H is lowered from the temperature t11 to a temperature t12 (about 400 ° C.) that is equal to or lower than the melting temperature t2 (about 420 ° C.) of the glass frit of the sealing layer 7. When descending, this temperature t12 is maintained during the preset exhaust / baking process period P12.

そして、この排気・ベーキング工程期間P12において、前面基板1および背面基板4が温度t12で加熱(ベーキング)されながら、放電空間S内からガスを排気する二次排気が行われて放電空間S内が真空にされる(工程S9)。   In the exhaust / baking process period P12, the front substrate 1 and the rear substrate 4 are heated (baked) at the temperature t12, and the secondary exhaust for exhausting the gas from the discharge space S is performed, so that the interior of the discharge space S is obtained. A vacuum is applied (step S9).

次に、この排気・ベーキング工程期間P12が経過すると、ベーク炉H内の温度がさらに再度下降されて、ほぼ常温t3の近くなった状態で、放電空間S内に放電ガスが所定の圧力(400〜600Toor)で導入され(工程S10)、この放電ガスの導入終了後に、排気および放電ガスの導入に使用された排気管がバーナ等によって封止される(工程S11)。   Next, when the evacuation / baking process period P12 elapses, the temperature in the baking furnace H is lowered again, and the discharge gas is kept at a predetermined pressure (400) in the discharge space S in a state where the temperature is close to room temperature t3. (Step S10), and after the introduction of the discharge gas is completed, the exhaust and the exhaust pipe used for introducing the discharge gas are sealed by a burner or the like (step S11).

そして、前面基板1の対をなす行電極X,Y間に駆動パルスが印加されて所定時間放電が発生されることにより、前面基板1に形成されている保護層3の活性化と放電の安定化(エージング)が行われる(工程S12)。   Then, a drive pulse is applied between the pair of row electrodes X and Y of the front substrate 1 to generate a discharge for a predetermined time, thereby activating the protective layer 3 formed on the front substrate 1 and stabilizing the discharge. (Aging) is performed (step S12).

以上のようなディスプレイパネルの製造方法により、ディスプレイパネルの製造を真空封着炉を使用して製造するのと同様の効果を得ることができ、従来の製造方法における不具合を解消することが出来る。   With the display panel manufacturing method as described above, it is possible to obtain the same effect as that of manufacturing a display panel using a vacuum sealing furnace, and to solve the problems in the conventional manufacturing method.

すなわち、製造工程において、加熱開始後、ベーク炉H内の温度が封着層7のガラスフリットが溶解し始める温度t2(約420℃)を僅かに超える温度t11(約425℃)に維持されている封着工程期間P11おいて、放電空間Sを封止する封着工程S8が完了する前に一次排気工程S6および置換ガス導入工程S7が実施されることにより、放電空間S内に充満する大気と加熱によって基板側から放出されてくる不純ガスが排出されて、保護層(MgO層)3からの脱ガスが促進されるとともに、高温条件下において各基板の内面側がHO,COなどの不純ガスに曝されるのが防止されるので、蛍光体層6が劣化するのが防止され、これによって、ディスプレイパネルのパネル性能(放電特性)の大幅な改善を図ることが出来るようになる。 That is, in the manufacturing process, after the heating is started, the temperature in the baking furnace H is maintained at a temperature t11 (about 425 ° C.) slightly exceeding the temperature t2 (about 420 ° C.) at which the glass frit of the sealing layer 7 starts to melt. In the sealing process period P11, the primary exhaust process S6 and the replacement gas introduction process S7 are performed before the sealing process S8 for sealing the discharge space S is completed, thereby filling the discharge space S with the atmosphere. And the impure gas released from the substrate side by the heating is discharged, the degassing from the protective layer (MgO layer) 3 is promoted, and the inner surface side of each substrate is H 2 O, CO 2 or the like under high temperature conditions. Therefore, it is possible to prevent the phosphor layer 6 from deteriorating, which can greatly improve the panel performance (discharge characteristics) of the display panel. Uninaru.

そして、上記の製造方法は、排気・ベーキング工程期間P12を長時間に設定したり、大がかりな真空封着装置を使用することなく、上記効果を発揮することが出来、しかも、従来の製造装置においても簡単な変更や改造で実施することが出来るので、大幅に製造コストが上昇することはない。   The above manufacturing method can exert the above-mentioned effects without setting the exhaust / baking process period P12 to a long time or using a large-scale vacuum sealing apparatus. In addition, in the conventional manufacturing apparatus, Since it can be implemented with simple changes and modifications, the manufacturing cost will not increase significantly.

さらに、一次排気の後、放電空間S内に導入される置換ガスの圧力を調整することによって、製造工程における放電空間S内の圧力を所望の圧力に維持することができ、これによって、前面基板1と背面基板4の間の間隔を任意に調整したりすることが出来るようになる。   Further, by adjusting the pressure of the replacement gas introduced into the discharge space S after the primary exhaust, the pressure in the discharge space S in the manufacturing process can be maintained at a desired pressure. It is possible to arbitrarily adjust the distance between 1 and the back substrate 4.

なお、上記の一次排気工程S6の一次排気が行われる際や、二次排気・ベーキング工程S9の置換ガスの排気の際に、あらかじめ排気ポンプ11を駆動させて、排気管10内を真空にしておき、工程S6や工程S9の開始時に、排気ポンプ11と排気管10を接続するバルブを解放するようにすれば、排気が一気に行われて、それぞれの工程時間を短縮することが出来るようになる。   When the primary exhaust is performed in the primary exhaust process S6 or when the replacement gas is exhausted in the secondary exhaust / baking process S9, the exhaust pump 11 is driven in advance so that the exhaust pipe 10 is evacuated. In addition, if the valve connecting the exhaust pump 11 and the exhaust pipe 10 is opened at the start of the step S6 and the step S9, the exhaust is performed all at once and the time for each step can be shortened. .

図7は、上記の一次排気工程S6における排気圧力とPDPの電圧寿命との関係を示したグラフである。   FIG. 7 is a graph showing the relationship between the exhaust pressure and the voltage life of the PDP in the primary exhaust process S6.

この図7に示されるように、一次排気工程S6において、一次排気圧力が低いほどPDPの電圧寿命が延び、特に、この一次排気圧力を1×10−2Pa以下になるように設定することによって、PDPの電圧寿命を大幅に延ばすことが出来るようになる。 As shown in FIG. 7, in the primary exhaust step S6, the lower the primary exhaust pressure, the longer the voltage life of the PDP. In particular, by setting the primary exhaust pressure to be 1 × 10 −2 Pa or less. The voltage life of the PDP can be greatly extended.

また、図8は、置換ガス導入工程S7において酸素ガスを置換ガスとして導入した場合の、導入する酸素ガスの濃度とPDPの加速電圧寿命との関係を示したグラフである。   FIG. 8 is a graph showing the relationship between the concentration of oxygen gas to be introduced and the accelerating voltage life of the PDP when oxygen gas is introduced as a replacement gas in the replacement gas introduction step S7.

この図8に示されるように、置換ガス導入工程S7において、置換ガスとして導入される酸素ガスの濃度が高いほどPDPの電圧寿命が延び、酸素ガス単体(濃度100パーセント)を置換ガスとして導入することによって、PDPの電圧寿命を最も延ばすことが出来るようになる。   As shown in FIG. 8, in the replacement gas introduction step S7, the higher the concentration of oxygen gas introduced as replacement gas, the longer the voltage life of the PDP, and oxygen gas alone (concentration 100%) is introduced as replacement gas. As a result, the voltage life of the PDP can be maximized.

なお、Oの混合割合を増やすとパネルの加速電圧寿命は延びるが、この場合には、パネルの初期特性が悪化する虞がある。 If the mixing ratio of O 2 is increased, the acceleration voltage life of the panel is extended, but in this case, the initial characteristics of the panel may be deteriorated.

したがって、パネルの加速電圧寿命および初期特性を両立させるために、例えば、置換ガスをNとOの混合ガスとしてOの混合割合を35パーセント以下、好ましくは30パーセント程度とするのが望ましい。 Therefore, in order to achieve both the acceleration voltage life and the initial characteristics of the panel, for example, it is desirable that the replacement gas is a mixed gas of N 2 and O 2 and the mixing ratio of O 2 is 35% or less, preferably about 30%. .

図9は、この発明によるディスプレイパネルの製造方法の実施形態の第2実施例におけるベーク炉内の温度変化と工程経過時間との関係を示す図である。   FIG. 9 is a diagram showing the relationship between the temperature change in the baking furnace and the process elapsed time in the second example of the embodiment of the display panel manufacturing method according to the present invention.

上記第1実施例の製造方法において、排気・ベーキング工程期間P12におけるベーク炉内の設定温度t12が封着工程期間P11における設定温度t11よりも低く設定されていたのに対し、この第2実施例におけるディスプレイパネルの製造方法は、封着工程期間P21と排気・ベーキング工程期間P22におけるそれぞれのベーク炉H内の設定温度が、何れも、封着層7のガラスフリットが溶解し始める温度t2(約420℃)を僅かに超える温度t21(約425℃)に維持される。   In the manufacturing method of the first embodiment, the set temperature t12 in the baking furnace in the exhaust / baking process period P12 is set lower than the set temperature t11 in the sealing process period P11, whereas the second embodiment. In the manufacturing method of the display panel, the set temperatures in the respective baking furnaces H in the sealing process period P21 and the exhaust / baking process period P22 are both temperatures t2 at which the glass frit of the sealing layer 7 starts to melt. The temperature t21 (about 425 ° C.) slightly exceeding (420 ° C.) is maintained.

すなわち、前面基板1と背面基板4が互いに重ね合わされた状態でベーク炉H内に投入され、ベーク炉H内の加熱が開始されて、このベーク炉H内の温度が背面基板4に形成されている封着層7のガラスフリットが軟化し始める温度t2(約420℃)を僅かに超える温度t21(約425℃)に達すると、その時点からあらかじめ設定されている封着工程期間P21、および、封着工程期間P21に続く排気・ベーキング工程期間P22の間、ベーク炉H内の温度がこの温度t21に維持される。   That is, the front substrate 1 and the back substrate 4 are put into the baking furnace H in a state where they are overlapped with each other, and the heating in the baking furnace H is started, and the temperature in the baking furnace H is formed on the back substrate 4. When a temperature t21 (about 425 ° C.) slightly exceeding a temperature t2 (about 420 ° C.) at which the glass frit of the sealing layer 7 starts to soften is reached, a sealing process period P21 set in advance from that point, and During the exhaust / baking process period P22 following the sealing process period P21, the temperature in the baking furnace H is maintained at this temperature t21.

そして、この封着工程期間P21の開始直後に、排気ポンプ11の駆動による放電空間S内からの一次排気工程S6が行われ、さらに、これに続いて、置換ガス導入系12からの置換ガス導入工程S7,封着工程S8が行われる(図4および5参照)。   Then, immediately after the start of the sealing process period P21, a primary exhaust process S6 from the discharge space S by driving the exhaust pump 11 is performed, and subsequently, a replacement gas introduction from the replacement gas introduction system 12 is performed. Step S7 and sealing step S8 are performed (see FIGS. 4 and 5).

この封着工程期間P21の終了後、ベーク炉H内が温度t21に維持されたまま、次の排気・ベーキング工程期間P22に、二次排気・ベーキング工程S9が行われる。   After the sealing process period P21, the secondary exhaust / baking process S9 is performed in the next exhaust / baking process period P22 while the temperature in the baking furnace H is maintained at the temperature t21.

さらに、この排気・ベーキング工程期間P22の終了後に、ベーク炉H内の温度がほぼ常温t3近くまで下降され、この後、放電ガス導入系13からの放電空間S内への放電ガス導入工程S10および排気管封止工程S11,エージング工程S12が行われる。   Furthermore, after the end of the exhaust / baking process period P22, the temperature in the baking furnace H is lowered to about the room temperature t3, and then the discharge gas introduction process S10 from the discharge gas introduction system 13 into the discharge space S and An exhaust pipe sealing step S11 and an aging step S12 are performed.

なお、この実施例においても、置換ガス導入工程において導入される置換ガスの種類、および、置換ガスとして酸素ガスを導入した場合のその濃度とPDPの加速電圧寿命との関係(図8)は、前記第1実施例の場合と同様である。   Also in this example, the type of the replacement gas introduced in the replacement gas introduction step, and the relationship between the concentration when oxygen gas is introduced as the replacement gas and the acceleration voltage life of the PDP (FIG. 8) are: This is the same as in the case of the first embodiment.

さらに、一次排気工程における排気圧力とPDPの電圧寿命との関係(図7)も、前記第1実施例の場合と同様である。   Further, the relationship between the exhaust pressure in the primary exhaust process and the voltage life of the PDP (FIG. 7) is the same as in the first embodiment.

この実施例におけるPDPの製造方法によっても、前記第1実施例の場合と同様に、ディスプレイパネルの製造工程において、ベーク炉H内の温度が封着層7のガラスフリットが軟化し始める温度t2(約420℃)を僅かに超える温度t21(約425℃)に維持されている封着工程期間P11おいて、放電空間Sを封止する封着工程S8が完了する前に、一次排気工程S6および置換ガス導入工程S7が実施されることにより、放電空間S内に充満する大気と加熱によって基板側から放出されてくる不純ガスが排出されて、保護層(MgO層)3からの脱ガスが促進されるとともに、高温条件下において各基板の内面側がHO,COなどの不純ガスに曝されるのが防止されるので、蛍光体層6が劣化するのが防止され、これによって、ディスプレイパネルのパネル性能(放電特性)の大幅な改善を図ることが出来るようになる。 Also in the PDP manufacturing method in this embodiment, as in the case of the first embodiment, in the display panel manufacturing process, the temperature in the baking furnace H is such that the glass frit of the sealing layer 7 begins to soften, t2 ( Before the sealing step S8 for sealing the discharge space S is completed in the sealing step period P11 maintained at a temperature t21 (about 425 ° C) slightly exceeding about 420 ° C), the primary exhaust step S6 and By performing the replacement gas introduction step S7, the impure gas discharged from the substrate side by heating and the atmosphere filling the discharge space S is discharged, and the degassing from the protective layer (MgO layer) 3 is promoted. while being, since the inner surface of each substrate under high temperature conditions is prevented from being exposed to impure gas such as H 2 O, CO 2, is prevented from phosphor layer 6 is deteriorated, depending on which , It becomes possible to achieve significant improvements in panel of the display panel performance (discharge characteristics).

なお、上記実施例において、封着工程期間P21および排気・ベーキング工程期間P22において維持されるベーク炉H内の温度t21は、PDPの封着層7のフリット軟化点温度と同じかこれよりも僅かに高い温度に設定されるが、封着層7が結晶性フリットによって形成される場合には、非結晶性フリットによって形成される場合よりも高い温度に設定することが出来る。   In the above embodiment, the temperature t21 in the baking furnace H maintained in the sealing process period P21 and the exhaust / baking process period P22 is equal to or slightly lower than the frit softening point temperature of the sealing layer 7 of the PDP. However, when the sealing layer 7 is formed of a crystalline frit, the temperature can be set higher than when it is formed of an amorphous frit.

図10は、この発明によるディスプレイパネルの製造方法の実施形態の第3実施例におけるベーク炉内の温度変化と工程経過時間との関係を示す図である。   FIG. 10 is a diagram showing the relationship between the temperature change in the baking furnace and the process elapsed time in the third example of the embodiment of the display panel manufacturing method according to the present invention.

前述した第1および第2実施例が、封着工程期間の間、加熱温度が封着材の軟化開始温度に維持されるのに対し、この第3実施例におけるディスプレイパネルの製造方法は、重ね合わされた前面基板1と背面基板4が投入されたベーク炉H内の温度が、フリット軟化点温度t2に達した後、一旦、フリット軟化点温度t2よりも低い温度t31(約400℃)まで下降され、この温度t31が所定の一次排気・置換ガス導入期間P31の間、維持される。   In the first and second embodiments described above, the heating temperature is maintained at the softening start temperature of the sealing material during the sealing step, whereas the display panel manufacturing method in the third embodiment is overlapped. After the temperature in the baking furnace H into which the front substrate 1 and the back substrate 4 that have been introduced has reached the frit softening point temperature t2, it once falls to a temperature t31 (about 400 ° C.) lower than the frit softening point temperature t2. This temperature t31 is maintained during a predetermined primary exhaust / substitution gas introduction period P31.

そして、この一次排気・置換ガス導入期間P31の間に、排気ポンプ11の駆動による放電空間S内からの一次排気工程S6、および、置換ガス導入系12からの置換ガス導入工程S7が行われる(図4および5参照)。   During the primary exhaust / substitution gas introduction period P31, a primary exhaust step S6 from the discharge space S driven by the exhaust pump 11 and a substitution gas introduction step S7 from the substitution gas introduction system 12 are performed ( (See FIGS. 4 and 5).

このとき、一次排気工程S6と置換ガス導入工程S7が実施される前に、ベーク炉H内の温度がフリット軟化点温度t2に一旦達しており、軟化し始めた封着層7の表面が前面基板1に密着されることによって、前面基板1と背面基板4の間の放電空間Sが密閉されているので、放電空間S内に大気が入り込むことなく一次排気と置換ガスの導入が確実に行われる。   At this time, before the primary exhaust step S6 and the replacement gas introduction step S7 are performed, the temperature in the baking furnace H once reaches the frit softening point temperature t2, and the surface of the sealing layer 7 that has started to soften is the front surface. Since the discharge space S between the front substrate 1 and the rear substrate 4 is sealed by being in close contact with the substrate 1, the primary exhaust and the replacement gas are reliably introduced without entering the discharge space S. Is called.

この一次排気・置換ガス導入期間P31の終了後、ベーク炉H内がフリット軟化点温度t2よりも高い封着温度t32(約450℃)まで上昇され、この封着温度t32が所定の封着工程期間P32の間維持されて、この封着工程期間P32に封着工程S8が行われて、封着層7が前面基板1に完全に封着される。   After the end of the primary exhaust / substitution gas introduction period P31, the inside of the baking furnace H is raised to a sealing temperature t32 (about 450 ° C.) higher than the frit softening point temperature t2, and this sealing temperature t32 is a predetermined sealing step. During the period P32, the sealing step S8 is performed in the sealing step period P32, and the sealing layer 7 is completely sealed to the front substrate 1.

そして、この封着工程期間P32の終了後、ベーク炉H内の温度が再び温度t31まで下降され、この温度t31が排気・ベーキング工程期間P33の間維持されて、この排気・ベーキング工程期間P33に、二次排気・ベーキング工程S9が行われる。   After the sealing process period P32, the temperature in the baking furnace H is lowered again to the temperature t31, and this temperature t31 is maintained during the exhaust / baking process period P33. The secondary exhaust / baking step S9 is performed.

なお、一次排気・置換ガス導入期間P31と排気・ベーキング工程期間P33の温度は、フリット軟化点と同程度以下であればよく、同一である必要はない。   The temperatures of the primary exhaust / substitution gas introduction period P31 and the exhaust / baking process period P33 need only be equal to or lower than the frit softening point, and need not be the same.

さらに、この排気・ベーキング工程期間P33の終了後に、ベーク炉H内の温度がほぼ常温t3近くまで下降され、この後、放電ガス導入系13からの放電空間S内への放電ガス導入工程S10、および、放電空間Sの封止工程S11,エージング工程S12が行われる。   Further, after the end of the exhaust / baking process period P33, the temperature in the baking furnace H is lowered to about room temperature t3, and thereafter, a discharge gas introduction process S10 from the discharge gas introduction system 13 into the discharge space S, And the sealing process S11 and the aging process S12 of the discharge space S are performed.

なお、この実施例においても、置換ガス導入工程において導入される置換ガスの種類、および、置換ガスとして酸素ガスを導入した場合のその濃度とPDPの加速電圧寿命との関係(図8)は、前記第1実施例の場合と同様である。   Also in this example, the type of the replacement gas introduced in the replacement gas introduction step, and the relationship between the concentration when oxygen gas is introduced as the replacement gas and the acceleration voltage life of the PDP (FIG. 8) are: This is the same as in the case of the first embodiment.

さらに、一次排気工程における排気圧力とPDPの電圧寿命との関係(図7)も、前記第1実施例の場合と同様である。   Further, the relationship between the exhaust pressure in the primary exhaust process and the voltage life of the PDP (FIG. 7) is the same as in the first embodiment.

この実施例におけるディスプレイパネルの製造方法も、封着工程期間P32における封着工程S8が行われる前に、一次排気工程S6および置換ガス導入工程S7が実施されることにより、放電空間S内に充満する大気と加熱によって基板側から放出されてくる不純ガスが排出されて、保護層(MgO層)3からの脱ガスが促進されるとともに、高温条件下において各基板の内面側がHO,COなどの不純ガスに曝されるのが防止されるので、蛍光体層6が劣化するのが防止され、これによって、ディスプレイパネルのパネル性能(放電特性)の大幅な改善を図ることが出来るようになる。 The display panel manufacturing method in this embodiment also fills the discharge space S by performing the primary exhaust process S6 and the replacement gas introduction process S7 before the sealing process S8 in the sealing process period P32 is performed. The impure gas released from the substrate side due to the atmosphere and heating is exhausted, and degassing from the protective layer (MgO layer) 3 is promoted, and the inner surface side of each substrate is H 2 O, CO under high temperature conditions. 2 is prevented from being exposed to an impure gas such as 2, so that the phosphor layer 6 is prevented from deteriorating, and thereby the panel performance (discharge characteristics) of the display panel can be greatly improved. become.

そして、この実施例においては、ベーク炉H内の温度がフリット軟化点温度t2に達した時に前面基板1と背面基板4の間の放電空間Sが密閉され、その後にベーク炉Hの温度が下降されることによって封着層7のフリットの流動が抑制されるので、一次排気および置換ガス導入を安定して行うことが出来るようになる。   In this embodiment, when the temperature in the baking furnace H reaches the frit softening point temperature t2, the discharge space S between the front substrate 1 and the rear substrate 4 is sealed, and then the temperature of the baking furnace H decreases. As a result, the flow of the frit of the sealing layer 7 is suppressed, so that the primary exhaust and the introduction of the replacement gas can be performed stably.

図11は、この発明によるディスプレイパネルの製造方法の実施形態の第4実施例におけるベーク炉内の温度変化と工程経過時間との関係を示す図である。   FIG. 11 is a diagram showing the relationship between the temperature change in the baking furnace and the process elapsed time in the fourth example of the embodiment of the display panel manufacturing method according to the present invention.

前述した第3実施例が、一次排気・置換ガス導入期間P31の経過後にベーク炉H内がフリット軟化点温度t2よりも高い封着温度t32まで上昇されて、この封着温度t32に維持された状態で封着工程期間P32が設定されていたのに対し、この実施例では、一次排気・置換ガス導入期間P41と封着工程期間P42においてベーク炉H内の温度が、ともにフリット軟化点温度t2よりも低い温度t41(約400℃)に維持された状態で行われる。   In the third embodiment described above, the inside of the baking furnace H is raised to the sealing temperature t32 higher than the frit softening point temperature t2 after the primary exhaust / substitution gas introduction period P31, and is maintained at the sealing temperature t32. In this embodiment, the sealing process period P32 is set in the state, whereas in the primary exhaust / substitution gas introduction period P41 and the sealing process period P42, both the temperatures in the baking furnace H are the frit softening point temperature t2. The temperature is maintained at a lower temperature t41 (about 400 ° C.).

すなわち、この実施例では、重ね合わされた前面基板1と背面基板4が投入されたベーク炉H内の温度がフリット軟化点温度t2に達した後、フリット軟化点温度t2よりも低い温度t41まで下降され、この温度t41が所定の一次排気・置換ガス導入期間P41およびこの後に続く封着工程期間P42,排気・ベーキング工程期間P43の間、維持される。   That is, in this embodiment, after the temperature in the baking furnace H into which the front substrate 1 and the back substrate 4 that have been superposed has reached the frit softening point temperature t2, it falls to a temperature t41 that is lower than the frit softening point temperature t2. This temperature t41 is maintained for a predetermined primary exhaust / substitution gas introduction period P41 and the subsequent sealing process period P42 and exhaust / baking process period P43.

そして、この一次排気・置換ガス導入期間P41の間に、排気ポンプ11の駆動による放電空間S内からの一次排気工程S6、および、置換ガス導入系12からの置換ガス導入工程S7が行われる(図4および5参照)。   During the primary exhaust / substitution gas introduction period P41, the primary exhaust step S6 from the discharge space S driven by the exhaust pump 11 and the substitution gas introduction step S7 from the substitution gas introduction system 12 are performed ( (See FIGS. 4 and 5).

このとき、一次排気工程S6と置換ガス導入工程S7が実施される前に、ベーク炉H内の温度がフリット軟化点温度t2に一旦達していて、軟化し始めた封着層7の表面が前面基板1に密着されることによって、放電空間Sが密閉されるので、大気が放電空間S内に入り込むことなく、一次排気と置換ガスの導入が確実に行われる。   At this time, before the primary exhaust process S6 and the replacement gas introduction process S7 are performed, the temperature in the baking furnace H once reaches the frit softening point temperature t2, and the surface of the sealing layer 7 that has started to soften is the front surface. Since the discharge space S is sealed by being in close contact with the substrate 1, the primary exhaust and the replacement gas are reliably introduced without the atmosphere entering the discharge space S.

この一次排気・置換ガス導入期間P41の終了後、封着工程期間P42の間の封着工程S8によって、ベーク炉H内の温度がフリット軟化点温度t2に達した際に溶解した封着層7の表面が前面基板1に完全に封着される。   After the end of the primary exhaust / substitution gas introduction period P41, the sealing layer 7 dissolved when the temperature in the baking furnace H reaches the frit softening point temperature t2 by the sealing process S8 during the sealing process period P42. Are completely sealed on the front substrate 1.

そして、この封着工程期間P42の終了後の排気・ベーキング工程期間P43に、二次排気・ベーキング工程S9が行われる。   Then, the secondary exhaust / baking step S9 is performed in the exhaust / baking step period P43 after the end of the sealing step P42.

さらに、この排気・ベーキング工程期間P43の終了後に、ベーク炉H内の温度がほぼ常温t3近くまで下降され、この後、放電ガス導入系13からの放電空間S内への放電ガス導入工程S10、および、放電空間Sの封止工程S11,エージング工程S12が行われる。   Further, after the end of the exhaust / baking process period P43, the temperature in the baking furnace H is lowered to almost normal temperature t3, and thereafter, a discharge gas introduction process S10 from the discharge gas introduction system 13 into the discharge space S, And the sealing process S11 and the aging process S12 of the discharge space S are performed.

なお、この実施例においても、置換ガス導入工程において導入される置換ガスの種類、および、置換ガスとして酸素ガスを導入した場合のその濃度とPDPの加速電圧寿命との関係(図8)は、前記第1実施例の場合と同様である。   Also in this example, the type of the replacement gas introduced in the replacement gas introduction step, and the relationship between the concentration when oxygen gas is introduced as the replacement gas and the acceleration voltage life of the PDP (FIG. 8) are: This is the same as in the case of the first embodiment.

さらに、一次排気工程における排気圧力とPDPの電圧寿命との関係(図7)も、前記第1実施例の場合と同様である。   Further, the relationship between the exhaust pressure in the primary exhaust process and the voltage life of the PDP (FIG. 7) is the same as in the first embodiment.

この実施例におけるディスプレイパネルの製造方法も、封着工程期間P42における封着工程S8が行われる前に、一次排気工程S6および置換ガス導入工程S7が実施されることにより、放電空間S内に充満する大気と加熱によって基板側から放出されてくる不純ガスが排出されて、保護層(MgO層)3からの脱ガスが促進されるとともに、高温条件下において各基板の内面側がHO,COなどの不純ガスに曝されるのが防止されるので、蛍光体層6が劣化するのが防止され、これによって、ディスプレイパネルのパネル性能(放電特性)の大幅な改善を図ることが出来るようになる。 The display panel manufacturing method in this embodiment also fills the discharge space S by performing the primary exhaust process S6 and the replacement gas introduction process S7 before the sealing process S8 in the sealing process period P42 is performed. The impure gas released from the substrate side due to the atmosphere and heating is exhausted, and degassing from the protective layer (MgO layer) 3 is promoted, and the inner surface side of each substrate is H 2 O, CO under high temperature conditions. 2 is prevented from being exposed to an impure gas such as 2, so that the phosphor layer 6 is prevented from deteriorating, and thereby the panel performance (discharge characteristics) of the display panel can be greatly improved. become.

そして、この実施例においては、ベーク炉H内の温度がフリット軟化点温度t2に達した時に前面基板1と背面基板4の間の放電空間Sが密閉され、その後にベーク炉Hの温度が下降されることによって封着層7のフリットの流動が抑制されるので、一次排気および置換ガス導入を安定して行うことが出来るようになる。   In this embodiment, when the temperature in the baking furnace H reaches the frit softening point temperature t2, the discharge space S between the front substrate 1 and the rear substrate 4 is sealed, and then the temperature of the baking furnace H decreases. As a result, the flow of the frit of the sealing layer 7 is suppressed, so that the primary exhaust and the introduction of the replacement gas can be performed stably.

図12は、この発明によるPDPの製造方法の実施形態の第5の実施例におけるベーク炉内の温度変化と工程経過時間との関係を示す図である。   FIG. 12 is a diagram showing the relationship between the temperature change in the baking furnace and the process elapsed time in the fifth example of the embodiment of the PDP manufacturing method according to the present invention.

前述した第3実施例が、封着工程期間P32の経過度、ベーク炉H内の温度がフリット軟化点温度t2よりも低い温度t31(約400℃)まで再度下降されて、この温度t31が維持された状態で、次の排気・ベーキング工程期間P33において二次排気・ベーキング工程S9が行われるのに対し、この実施例では、封着工程期間P52の終了後、ベーク炉H内の温度が下降されて、この温度下降時に、ベーク炉H内の温度がフリット軟化点温度t2まで下降された以降に、この温度下降過程において二次排気が行われる。   In the third embodiment described above, the degree of progress of the sealing process period P32, the temperature in the baking furnace H is lowered again to a temperature t31 (about 400 ° C.) lower than the frit softening point temperature t2, and this temperature t31 is maintained. In this state, the secondary exhaust / baking process S9 is performed in the next exhaust / baking process period P33. In this embodiment, the temperature in the baking furnace H decreases after the sealing process period P52 ends. Then, when the temperature is lowered, the temperature in the baking furnace H is lowered to the frit softening point temperature t2, and then the secondary exhaust is performed in the temperature lowering process.

すなわち、重ね合わされた前面基板1と背面基板4が投入されたベーク炉H内の温度がフリット軟化点温度t2に達した後、ベーク炉H内の温度がフリット軟化点温度t2よりも低い温度t51(約400℃)まで降下され、この温度t51が所定の一次排気・置換ガス導入期間P51の間、維持される。   That is, after the temperature in the baking furnace H in which the front substrate 1 and the back substrate 4 that have been superimposed have reached the frit softening point temperature t2, the temperature t51 in which the temperature in the baking furnace H is lower than the frit softening point temperature t2. The temperature is lowered to (about 400 ° C.), and this temperature t51 is maintained during a predetermined primary exhaust / substitution gas introduction period P51.

そして、この一次排気・置換ガス導入期間P51の間に、排気ポンプ11の駆動による放電空間S内からの一次排気工程S6、および、置換ガス導入系12からの置換ガス導入工程S7が行われる(図4および5参照)。   During the primary exhaust / substitution gas introduction period P51, a primary exhaust step S6 from the discharge space S driven by the exhaust pump 11 and a substitution gas introduction step S7 from the substitution gas introduction system 12 are performed ( (See FIGS. 4 and 5).

この時、一次排気工程S6と置換ガス導入工程S7が実施される前に、ベーク炉H内の温度がフリット軟化点温度t2に一旦達しており、軟化し始めた封着層7の表面が前面基板1に密着されていることによって、前面基板1と背面基板4の間の放電空間Sが密閉されるので、大気が放電空間S内に入り込むことなく一次排気と置換ガスの導入が確実に行われる。   At this time, before the primary exhaust step S6 and the replacement gas introduction step S7 are performed, the temperature in the baking furnace H once reaches the frit softening point temperature t2, and the surface of the sealing layer 7 that has started to soften is the front surface. Since the discharge space S between the front substrate 1 and the rear substrate 4 is sealed by being in close contact with the substrate 1, the primary exhaust gas and the replacement gas are reliably introduced without the atmosphere entering the discharge space S. Is called.

この一次排気・置換ガス導入期間P51の終了後、ベーク炉H内がフリット軟化点温度t2よりも高い封着温度t52(約450℃)まで上昇され、この封着温度t52が所定の封着工程期間P52の間維持されて、この封着工程期間P52に封着工程S8が行われて、封着層7が前面基板1に完全に封着される。   After the end of the primary exhaust / substitution gas introduction period P51, the inside of the baking furnace H is raised to a sealing temperature t52 (about 450 ° C.) higher than the frit softening temperature t2, and the sealing temperature t52 is a predetermined sealing step. During the period P52, the sealing process S8 is performed in the sealing process period P52, and the sealing layer 7 is completely sealed to the front substrate 1.

この封着工程期間P52の終了後、ベーク炉H内の温度がほぼ常温t3近くまで下降され、この降温過程で、ベーク炉H内の温度が略フリット軟化点温度t2になった以降に、排気が開始されて、二次排気工程が行われる。   After the sealing process period P52 is finished, the temperature in the baking furnace H is lowered to about normal temperature t3, and after the temperature in the baking furnace H becomes substantially the frit softening point temperature t2 in this temperature lowering process, the exhaust gas is exhausted. Is started and a secondary exhaust process is performed.

この実施例においては、ベーキング工程は行われない。   In this embodiment, the baking process is not performed.

そして、ベーク炉H内の温度がほぼ常温t3まで下降した後、放電ガス導入系13からの放電空間S内への放電ガス導入工程S10、および、放電空間Sの封止工程S11,エージング工程S12が行われる。   And after the temperature in the baking furnace H falls to substantially normal temperature t3, the discharge gas introduction process S10 from the discharge gas introduction system 13 into the discharge space S, the sealing process S11 of the discharge space S, and the aging process S12. Is done.

なお、この実施例においても、置換ガス導入工程において導入される置換ガスの種類、および、置換ガスとして酸素ガスを導入した場合のその濃度とPDPの加速電圧寿命との関係(図8)は、前記第1実施例の場合と同様である。   Also in this example, the type of the replacement gas introduced in the replacement gas introduction step, and the relationship between the concentration when oxygen gas is introduced as the replacement gas and the acceleration voltage life of the PDP (FIG. 8) are: This is the same as in the case of the first embodiment.

さらに、一次排気工程における排気圧力とPDPの電圧寿命との関係(図7)も、前記第1実施例の場合と同様である。   Further, the relationship between the exhaust pressure in the primary exhaust process and the voltage life of the PDP (FIG. 7) is the same as in the first embodiment.

この実施例におけるディスプレイパネルの製造方法も、封着工程期間P52における封着工程S8が行われる前に、一次排気工程S6および置換ガス導入工程S7が実施されることにより、放電空間S内に充満する大気と加熱によって基板側から放出されてくる不純ガスが排出されて、保護層(MgO層)3からの脱ガスが促進されるとともに、高温条件下において各基板の内面側がHO,COなどの不純ガスに曝されるのが防止されるので、蛍光体層6が劣化するのが防止され、これによって、ディスプレイパネルのパネル性能(放電特性)の大幅な改善を図ることが出来るようになる。 The display panel manufacturing method in this embodiment also fills the discharge space S by performing the primary exhaust process S6 and the replacement gas introduction process S7 before the sealing process S8 in the sealing process period P52 is performed. The impure gas released from the substrate side due to the atmosphere and heating is exhausted, and degassing from the protective layer (MgO layer) 3 is promoted, and the inner surface side of each substrate is H 2 O, CO under high temperature conditions. 2 is prevented from being exposed to an impure gas such as 2, so that the phosphor layer 6 is prevented from deteriorating, and thereby the panel performance (discharge characteristics) of the display panel can be greatly improved. become.

ディスプレイパネルの一般的構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the general structure of a display panel. 従来のディスプレイパネルの製造方法を示す工程説明図である。It is process explanatory drawing which shows the manufacturing method of the conventional display panel. 従来の製造方法におけるベーク炉内の温度変化を示す図である。It is a figure which shows the temperature change in the baking furnace in the conventional manufacturing method. この発明によるディスプレイパネルの製造方法の実施形態における第1実施例を示す工程説明図である。It is process explanatory drawing which shows the 1st Example in embodiment of the manufacturing method of the display panel by this invention. 同例におけるベーク炉内の温度変化を示す図である。It is a figure which shows the temperature change in the baking furnace in the example. 同例の製造方法に使用されるベーク炉の概略構成図である。It is a schematic block diagram of the baking furnace used for the manufacturing method of the example. この発明によるディスプレイパネルの製造方法における一次排気圧力とPDPの電圧寿命との関係を示す図である。It is a figure which shows the relationship between the primary exhaust pressure and the voltage lifetime of PDP in the manufacturing method of the display panel by this invention. この発明によるディスプレイパネルの製造方法において置換ガスとして導入される酸素ガス濃度とPDPの電圧寿命との関係を示す図である。It is a figure which shows the relationship between the oxygen gas concentration introduce | transduced as replacement gas in the manufacturing method of the display panel by this invention, and the voltage life of PDP. この発明によるディスプレイパネルの製造方法の実施形態における第2実施例を示す図である。It is a figure which shows the 2nd Example in embodiment of the manufacturing method of the display panel by this invention. この発明によるディスプレイパネルの製造方法の実施形態における第3実施例を示す図である。It is a figure which shows the 3rd Example in embodiment of the manufacturing method of the display panel by this invention. この発明によるディスプレイパネルの製造方法の実施形態における第4実施例を示す図である。It is a figure which shows the 4th Example in embodiment of the manufacturing method of the display panel by this invention. この発明によるディスプレイパネルの製造方法の実施形態における第5実施例を示す図である。It is a figure which shows the 5th Example in embodiment of the manufacturing method of the display panel by this invention.

符号の説明Explanation of symbols

1 …前面基板(基板)
3 …保護層
4 …背面基板(基板)
7 …封着層
10 …排気管
11 …排気ポンプ
12 …置換ガス導入系
13 …放電ガス導入系
t2 …フリット軟化点温度(封着材軟化開始温度)
P11,P21,P32,P42,P52
…封着工程期間
P31,P41,P51 …一次排気・置換ガス導入期間
P12,P22,P33,P43 …排気・ベーキング工程期間
1 ... Front substrate (substrate)
3 ... Protective layer 4 ... Back substrate (substrate)
7 ... Sealing layer 10 ... Exhaust pipe 11 ... Exhaust pump 12 ... Replacement gas introduction system 13 ... Discharge gas introduction system t2 ... Frit softening point temperature (sealing material softening start temperature)
P11, P21, P32, P42, P52
... Sealing process period P31, P41, P51 ... Primary exhaust / substitution gas introduction period P12, P22, P33, P43 ... Exhaust / baking process period

Claims (16)

所要の間隔を開けて対向される一対の基板の間の内部空間を囲むように位置された封着材を加熱して、この封着材を所定の温度で軟化させて基板に溶着させることにより一対の基板間の内部空間を封止するディスプレイパネルの製造方法において、
前記封着材の加熱温度が封着材の軟化開始温度に達した後、一対の基板間の内部空間を封着材によって封止する封着工程が行われる前に、一対の基板間の内部空間から排気を行う一次排気工程とこの一次排気工程の後の内部空間への置換ガスの導入工程が行われることを特徴とするディスプレイパネルの製造方法。
By heating a sealing material positioned so as to surround an internal space between a pair of substrates opposed to each other with a predetermined interval, and softening the sealing material at a predetermined temperature to be welded to the substrate In a method for manufacturing a display panel for sealing an internal space between a pair of substrates,
After the heating temperature of the sealing material reaches the softening start temperature of the sealing material, before the sealing step of sealing the internal space between the pair of substrates with the sealing material is performed, the interior between the pair of substrates A display panel manufacturing method comprising: a primary exhaust process for exhausting air from a space, and a process of introducing a replacement gas into an internal space after the primary exhaust process.
前記一次排気工程と置換ガス導入工程,封着工程が、封着材の加熱温度が封着材の軟化開始温度、または、この軟化開始温度の近傍で軟化開始温度よりも高い温度に維持されている状態で行われる請求項1に記載のディスプレイパネルの製造方法。   In the primary exhaust process, the replacement gas introduction process, and the sealing process, the heating temperature of the sealing material is maintained at the softening start temperature of the sealing material or higher than the softening start temperature in the vicinity of the softening start temperature. The method for manufacturing a display panel according to claim 1, wherein the display panel is performed in a state where 前記一次排気工程と置換ガス導入工程,封着工程が行われた後、封着材の加熱温度が封着材の軟化開始温度よりも低い所定の温度に維持された状態で、封止された一対の基板間の内部空間からの二次排気工程が行われる請求項2に記載のディスプレイパネルの製造方法。   After the primary exhaust step, the replacement gas introduction step, and the sealing step, the sealing material was sealed in a state where the heating temperature of the sealing material was maintained at a predetermined temperature lower than the softening start temperature of the sealing material. The method for manufacturing a display panel according to claim 2, wherein a secondary exhaust process from the internal space between the pair of substrates is performed. 前記一次排気工程と置換ガス導入工程,封着工程が行われた後、封着材の加熱温度が一次排気工程と置換ガス導入工程,封着工程が行われた温度とほぼ同じ温度に維持された状態で、封止された一対の基板間の内部空間からの二次排気工程が行われる請求項2に記載のディスプレイパネルの製造方法。   After the primary exhaust process, the replacement gas introduction process, and the sealing process are performed, the heating temperature of the sealing material is maintained at substantially the same temperature as the primary exhaust process, the replacement gas introduction process, and the sealing process. The method for manufacturing a display panel according to claim 2, wherein a secondary exhaust process from the internal space between the pair of sealed substrates is performed in a state where the substrate is sealed. 前記一次排気工程と置換ガス導入工程が、封着材の加熱温度が封着材の軟化開始温度に到達した後、封着材の軟化開始温度よりも低い所定の温度に維持された状態で行われる請求項1に記載のディスプレイパネルの製造方法。   The primary evacuation step and the replacement gas introduction step are performed in a state where the heating temperature of the sealing material reaches a softening start temperature of the sealing material and is maintained at a predetermined temperature lower than the softening start temperature of the sealing material. A method for manufacturing a display panel according to claim 1. 前記一次排気工程と置換ガス導入工程が行われた後、封着材の加熱温度が封着材の軟化開始温度よりも高い所定の温度に維持された状態で封着工程が行われる請求項5に記載のディスプレイパネルの製造方法。   6. The sealing process is performed in a state where the heating temperature of the sealing material is maintained at a predetermined temperature higher than the softening start temperature of the sealing material after the primary exhaust process and the replacement gas introducing process are performed. The manufacturing method of the display panel as described in any one of. 前記封着工程が行われた後、封着材の加熱温度が封着材の軟化開始温度よりも低い所定の温度に維持された状態で二次排気工程が行われる請求項6に記載のディスプレイパネルの製造方法。   The display according to claim 6, wherein after the sealing step is performed, the secondary exhaust step is performed in a state where the heating temperature of the sealing material is maintained at a predetermined temperature lower than the softening start temperature of the sealing material. Panel manufacturing method. 前記一次排気工程と置換ガス導入工程が行われた後、封着材の加熱温度が封着材の軟化開始温度よりも低い所定の温度に維持された状態で封着工程が行われる請求項5に記載のディスプレイパネルの製造方法。   6. The sealing process is performed in a state where the heating temperature of the sealing material is maintained at a predetermined temperature lower than the softening start temperature of the sealing material after the primary exhaust process and the replacement gas introducing process are performed. The manufacturing method of the display panel as described in any one of. 前記封着工程が行われた後、封着材の加熱温度が封着材の軟化開始温度よりも低い所定の温度に維持された状態で二次排気工程が行われる請求項8に記載のディスプレイパネルの製造方法。   The display according to claim 8, wherein after the sealing step is performed, the secondary exhaust step is performed in a state where the heating temperature of the sealing material is maintained at a predetermined temperature lower than the softening start temperature of the sealing material. Panel manufacturing method. 前記封着工程が行われた後、封着材の加熱温度が下降され、この加熱温度が下降されている過程で、封着材の軟化開始温度よりも低い温度になった以降に二次排気工程が行われる請求項6に記載のディスプレイパネルの製造方法。   After the sealing step is performed, the heating temperature of the sealing material is lowered, and in the process in which the heating temperature is lowered, secondary exhaust is performed after the temperature becomes lower than the softening start temperature of the sealing material. The manufacturing method of the display panel of Claim 6 with which a process is performed. 置換ガスに水素ガスが含まれている請求項1に記載のディスプレイパネルの製造方法。   The method for manufacturing a display panel according to claim 1, wherein the replacement gas contains hydrogen gas. 前記水素ガスの割合が置換ガスの3パーセント以下である請求項11に記載のディスプレイパネルの製造方法。   The method for manufacturing a display panel according to claim 11, wherein a ratio of the hydrogen gas is 3% or less of a replacement gas. 置換ガスに酸素ガスが含まれている請求項1に記載のディスプレイパネルの製造方法。   The display panel manufacturing method according to claim 1, wherein the replacement gas contains oxygen gas. 前記酸素ガスの割合が置換ガスの20パーセント以下である請求項13に記載のディスプレイパネルの製造方法。   The method for manufacturing a display panel according to claim 13, wherein a ratio of the oxygen gas is 20 percent or less of a replacement gas. 前記一次排気工程における排気圧力が1×10−2パスカル以下である請求項1に記載のディスプレイパネルの製造方法。 The method for manufacturing a display panel according to claim 1, wherein an exhaust pressure in the primary exhaust process is 1 × 10 −2 Pascal or less. 前記置換ガス導入工程において、酸素ガス濃度が100パーセントの置換ガスが導入される請求項1に記載のディスプレイパネルの製造方法。   The method for manufacturing a display panel according to claim 1, wherein a replacement gas having an oxygen gas concentration of 100 percent is introduced in the replacement gas introduction step.
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