JP2007265768A - Method of manufacturing plasma display panel and its manufacturing device - Google Patents

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Shohei Miyatake
正平 宮武
Munehito Hakomori
宗人 箱守
Kazuya Uchida
一也 内田
Toshiharu Kurauchi
倉内  利春
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  • Manufacture Of Electron Tubes, Discharge Lamp Vessels, Lead-In Wires, And The Like (AREA)
  • Gas-Filled Discharge Tubes (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a technique of manufacturing a plasma display panel capable of preventing foaming of a sealing material in sealing, and of surely removing impurities, particularly a CH-based contaminant. <P>SOLUTION: This method of manufacturing a plasma display panel has a sealing process for sealing a front plate and a back plate for the plasma display panel in vacuum by using a sealing material and by heating them at a predetermined temperature. The manufacturing method includes: a first degassing process S2 for executing evacuation by heating the back plate with the sealing material arranged thereon at a temperature higher than that in the sealing process S6 in a vacuum treatment vessel before the sealing process S6; and a second degassing process S3 for executing evacuation by heating the back plate at a temperature higher than that in the sealing process S6 by introducing O<SB>2</SB>gas into the vacuum treatment vessel. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、真空中においてパネルの作製を行うプラズマディスプレイパネルの製造技術に関する。   The present invention relates to a technique for manufacturing a plasma display panel in which a panel is manufactured in a vacuum.

プラズマディスプレイパネル(以下、適宜「PDP」という。)は、電極を形成した2枚のガラス板である前面基板と背面基板とを平行に重ねて構成される。
前面基板には、維持電極及び表示電極が設けられており、さらにこの維持電極と表示電極を前面基板の間に挟み込むように透明誘電体層が設けられている。そして、この透明誘電体層の上には保護膜が形成されている。
A plasma display panel (hereinafter referred to as “PDP” as appropriate) is configured by stacking a front substrate and a rear substrate, which are two glass plates on which electrodes are formed, in parallel.
A sustain electrode and a display electrode are provided on the front substrate, and a transparent dielectric layer is provided so as to sandwich the sustain electrode and the display electrode between the front substrate. A protective film is formed on the transparent dielectric layer.

一方、背面基板には、アドレス電極が設けられるとともに仕切部により多数の小部屋(セル)が設けられ、これらのセルには、それぞれ、赤(R)、緑(G)、青(B)の蛍光体が塗布されている。   On the other hand, an address electrode is provided on the rear substrate, and a number of small rooms (cells) are provided by a partition. These cells have red (R), green (G), and blue (B), respectively. A phosphor is applied.

ここで、前面基板と背面基板の間の隙間の中には、Ne−Xeの混合ガスが封入されており、この小さなセルに電圧を加えると、表示電極とアドレス電極との間のガス放電により発生した紫外線により、セルに塗布された赤(R)、緑(G)、青(B)の蛍光体が発光してカラー表示が行われる。   Here, a mixed gas of Ne—Xe is sealed in the gap between the front substrate and the rear substrate. When a voltage is applied to this small cell, gas discharge between the display electrode and the address electrode occurs. The generated ultraviolet rays emit red (R), green (G), and blue (B) phosphors applied to the cells, and color display is performed.

近年、PDPの用途の多様化から、大画面、高品質、かつ、低価格の製品の開発が要求されており、特に、製品の低価格化を実現する観点から、PDPの製造工程の簡略化が望まれている。
従来、PDPを製造するにあたっては、放電電圧の安定化のため、封着及び排気工程後にパネルを全面連続点灯させるエージング工程が行われている。
このエージング工程は、長時間を要するものであるから、この工程を省くため、前面基板と背面基板とを高真空中で封着することが提案されている。
In recent years, due to diversification of PDP applications, development of products with large screens, high quality, and low prices has been demanded. In particular, from the viewpoint of realizing low price products, the manufacturing process of PDPs has been simplified. Is desired.
Conventionally, when manufacturing a PDP, an aging process for continuously lighting the entire panel after the sealing and exhaust processes is performed in order to stabilize the discharge voltage.
Since this aging process takes a long time, it has been proposed to seal the front substrate and the back substrate in a high vacuum in order to omit this step.

しかし、全面基板と背面基板との封着を高真空中で行うと封着材が発泡して気泡が発生する問題や、この気泡の発生による封着材表面に荒れが発生し、これにより封着部分でリークが発生する問題があった。
また、真空中での加熱は、H2O、CO2、CO等の不純物ガスの脱ガスには効果的ではあるが、誘電体層、リブ、蛍光体及び封着材などの中に残存する炭素を含む不純物の除去が不十分であり、封着後のパネル内にこれらの不純物ガスが残存するため、PDPの放電特性が低下(放電電圧の上昇やパネルのエージングに長時間を要することなど)することが問題であった。
However, when sealing the whole substrate and the back substrate in a high vacuum, the sealing material foams and bubbles are generated, and the surface of the sealing material is roughened due to the generation of the bubbles. There was a problem that a leak occurred at the landing part.
Heating in vacuum is effective for degassing impurity gases such as H 2 O, CO 2 , and CO, but remains in the dielectric layer, ribs, phosphor, sealing material, and the like. Removal of impurities including carbon is insufficient, and these impurity gases remain in the panel after sealing, so that the discharge characteristics of the PDP are deteriorated (e.g., a long time is required for discharge voltage increase or panel aging) ) Was a problem.

その一方、従来、真空槽内に所定の気体を導入しながら脱ガスを行うことで封着材の発泡を抑えることも提案されているが(例えば特許文献1参照)、この方法によってもエージング工程は必要である。
特開2000−315457号
On the other hand, it has been proposed to suppress foaming of the sealing material by degassing while introducing a predetermined gas into the vacuum chamber (see, for example, Patent Document 1). Is necessary.
JP 2000-315457 A

本発明は、このような従来の技術の課題を解決するためになされたもので、その目的とするところは、封着の際における封着材の発泡を防止するとともに、不純物、特にCH系の汚染物質を確実に除去することができるプラズマディスプレイパネルの製造技術を提供することにある。   The present invention has been made in order to solve the above-described problems of the conventional technology. The object of the present invention is to prevent foaming of the sealing material at the time of sealing, as well as impurities, particularly CH-based ones. It is an object of the present invention to provide a plasma display panel manufacturing technique that can reliably remove contaminants.

上記目的を達成するためになされた請求項1記載の発明は、真空中においてプラズマディスプレイパネル用の前面基板と背面基板を封着材を用い所定の温度で加熱して封着を行う封着工程を有するプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、前記封着工程の前に、真空処理槽内において、前記封着材を配置した前記背面基板を、前記封着工程における温度より高い温度で加熱して真空排気を行う第1の脱ガス工程と、前記真空処理槽内に酸化ガスを導入して、前記背面基板を、前記封着工程における温度より高い温度で加熱して真空排気を行う第2の脱ガス工程とを有するものである。なお、本発明において、「酸化ガス」としては、例えば、O2ガスを使用することができる。
請求項2記載の発明は、請求項1記載の発明において、前記真空処理室内における酸化ガスの分圧が2kPa〜20kPaとなるように制御するものである。
請求項3記載の発明は、複数の真空処理槽を有し、前面基板と背面基板に対して真空中で順次処理及び搬送を行いプラズマディスプレイパネルを製造するプラズマディスプレイパネル製造装置であって、前記真空処理槽として、請求項1記載の方法を用い、前記背面基板に対して脱ガス処理を行うための脱ガス処理槽を備え、当該脱ガス処理槽が、酸化ガスを導入するように構成されるとともに、導入された酸化ガスの分圧を制御するための圧力調整手段と、前記背面基板を加熱する加熱手段とを有し、前記脱ガス処理槽において脱ガス処理された背面基板を、前記前面基板と前記背面基板を封着する封着槽に搬送するように構成されているものである。
In order to achieve the above object, the invention according to claim 1 is a sealing step in which a front substrate and a rear substrate for a plasma display panel are sealed at a predetermined temperature by using a sealing material in a vacuum. A plasma display panel manufacturing method comprising: heating the back substrate on which the sealing material is disposed at a temperature higher than the temperature in the sealing step in a vacuum processing tank before the sealing step. A first degassing step in which vacuum evacuation is performed, and a second in which oxidization gas is introduced into the vacuum processing tank and the back substrate is heated at a temperature higher than the temperature in the sealing step to perform vacuum evacuation. Degassing step. In the present invention, for example, O 2 gas can be used as the “oxidizing gas”.
According to a second aspect of the present invention, in the first aspect of the invention, the partial pressure of the oxidizing gas in the vacuum processing chamber is controlled to be 2 kPa to 20 kPa.
Invention of Claim 3 is a plasma display panel manufacturing apparatus which has a plurality of vacuum processing tanks, and manufactures a plasma display panel by sequentially processing and transporting the front substrate and the rear substrate in vacuum. The method according to claim 1 is used as a vacuum processing tank, and a degassing processing tank for degassing the back substrate is provided, and the degassing processing tank is configured to introduce an oxidizing gas. And a pressure adjusting means for controlling the partial pressure of the introduced oxidizing gas and a heating means for heating the back substrate, and the back substrate degassed in the degassing treatment tank is It is comprised so that it may convey to the sealing tank which seals a front substrate and the said back substrate.

本発明の場合、第1の脱ガス工程において、封着材を配置した背面基板を、封着工程における温度より高い温度で加熱して真空排気を行うことによって、背面基板の誘電体膜等に含まれる封着材中の不純物が発泡を伴って封着材の外部に排出される。   In the case of the present invention, in the first degassing step, the rear substrate on which the sealing material is disposed is heated at a temperature higher than the temperature in the sealing step and evacuated to form a dielectric film or the like on the rear substrate. Impurities in the contained sealing material are discharged to the outside of the sealing material with foaming.

そして、第2の脱ガス工程において、真空処理槽内に酸化ガスを導入することにより、真空処理室内の圧力が上昇して封着材の発泡が停止する。そして、背面基板を、封着工程における温度より高い温度で加熱して真空排気を行うことにより、背面基板の誘電体膜等や封着材に含まれるCH系の汚染物質が燃焼除去されるとともに、発泡によって凹凸状となった封着材の表面部分が平坦化される。   And in a 2nd degassing process, by introduce | transducing oxidizing gas in a vacuum processing tank, the pressure in a vacuum processing chamber rises and foaming of a sealing material stops. Then, by heating the back substrate at a temperature higher than the temperature in the sealing step and performing evacuation, CH-based contaminants contained in the dielectric film and the like of the back substrate and the sealing material are removed by combustion. The surface portion of the sealing material that has become uneven due to foaming is flattened.

このように本発明によれば、封着時の温度より高温で加熱して行う脱ガス工程の後に、前面基板と背面基板の封着を行うので、封着の際に封着材は発泡せず、しかも、表面が平坦な封着材によって前面基板と背面基板を封着することができるので、封着部分にリークが発生することはなく、前面基板と背面基板を確実に封着することができる。   Thus, according to the present invention, since the front substrate and the rear substrate are sealed after the degassing step performed by heating at a temperature higher than the sealing temperature, the sealing material is foamed during sealing. In addition, since the front substrate and the rear substrate can be sealed with a sealing material having a flat surface, there is no leakage at the sealing portion, and the front substrate and the rear substrate are securely sealed. Can do.

さらに、本発明によれば、不純物、特にCH系の汚染物質を確実に除去することができるので、エージング処理が不要になり、PDPの製造コストを低減することができる。
一方、本発明のプラズマディスプレイパネル製造装置によれば、上述した脱ガス工程を含む各処理工程を真空中で一貫して効率良く行うことができ、しかもエージング処理が不要になるので、PDPの製造コストを大幅に低減することができる。
Furthermore, according to the present invention, impurities, in particular, CH-based contaminants can be reliably removed, so that an aging process is not required, and the manufacturing cost of the PDP can be reduced.
On the other hand, according to the plasma display panel manufacturing apparatus of the present invention, each processing step including the above-described degassing step can be performed consistently and efficiently in a vacuum, and the aging process is not required. Cost can be greatly reduced.

本発明によれば、エージング処理が不要になり、PDPの製造コストを低減することができる。   According to the present invention, the aging process becomes unnecessary, and the manufacturing cost of the PDP can be reduced.

以下、本発明の実施の形態を図面を参照して詳細に説明する。
図1は、本発明のPDP製造装置の実施の形態を示す概略構成図、図2は、同PDP製造装置の脱ガス処理室の内部構成図、図3は、本発明のプラズマディスプレイパネルの製造方法の実施の形態の手順を説明する工程図である。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing an embodiment of a PDP manufacturing apparatus of the present invention, FIG. 2 is an internal configuration diagram of a degassing treatment chamber of the PDP manufacturing apparatus, and FIG. 3 is a manufacturing of a plasma display panel of the present invention. It is process drawing explaining the procedure of embodiment of a method.

図1に示すように、本実施の形態のPDP製造装置1は、前面板(前面基板)20と背面板(背面基板)21を搬入してPDP22を作製するもので、図示しない真空排気系にそれぞれ接続された、MgO成膜室2、脱ガス処理室(脱ガス処理槽)3、アライメント室4、封着・冷却室(封着槽)5及びガス封入・封じ切り室6を有している。   As shown in FIG. 1, the PDP manufacturing apparatus 1 of the present embodiment carries a front plate (front substrate) 20 and a back plate (rear substrate) 21 to produce a PDP 22, and a vacuum exhaust system (not shown) is used. Each has an MgO film forming chamber 2, a degassing processing chamber (degassing processing tank) 3, an alignment chamber 4, a sealing / cooling chamber (sealing tank) 5, and a gas sealing / sealing chamber 6. Yes.

MgO成膜室2は、前面板20上に設けられた透明誘電体層に対して蒸着によってMgO膜を形成するもので、その後段にはバルブ7を介してアライメント室4が連結されている。   The MgO film forming chamber 2 forms an MgO film by vapor deposition on the transparent dielectric layer provided on the front plate 20, and the alignment chamber 4 is connected to the subsequent stage via a valve 7.

脱ガス処理室3は、封着材が配置された背面板21に対して後述する脱ガス処理を行うもので、バルブ8を介してアライメント室4に連結され、脱ガス処理室3で処理された背面板21がアライメント室4に搬入されるようになっている。
アライメント室4は、前面板20と背面板21を封着する際の位置決めを行うもので、その後段には、バルブ9を介して封着・冷却室5が連結されている。
The degassing chamber 3 performs a degassing process to be described later on the back plate 21 on which the sealing material is disposed. The degassing chamber 3 is connected to the alignment chamber 4 through the valve 8 and is processed in the degassing chamber 3. The rear plate 21 is carried into the alignment chamber 4.
The alignment chamber 4 performs positioning when sealing the front plate 20 and the rear plate 21, and a sealing / cooling chamber 5 is connected to the subsequent stage via a valve 9.

封着・冷却室5は、封着材を加熱溶融して前面板20と背面板21とを貼り合わせた後、冷却を行うものである。
封着・冷却室5の後段にはバルブ10を介してガス封入・封じ切り室6が連結されている。
ガス封入・封じ切り室6は、前面板20と背面板21との間に形成された空間にガスを封入し、その後、ガスの封入を遮断してPDP22を作製するものである。
The sealing / cooling chamber 5 performs cooling after the sealing material is heated and melted to bond the front plate 20 and the back plate 21 together.
A gas filling / sealing chamber 6 is connected to the subsequent stage of the sealing / cooling chamber 5 via a valve 10.
The gas sealing / sealing chamber 6 is for sealing a gas in a space formed between the front plate 20 and the back plate 21 and then blocking the gas sealing to produce the PDP 22.

図2に示すように、本実施の形態の脱ガス処理室3は、図示しないガス源から酸化ガスとしてO2ガスを導入し、圧力調整手段24によってその分圧を制御するように構成されている。この場合、例えば、図示しないマスフローコントローラーによるO2ガスの導入量の制御と脱ガス処理室3内の雰囲気の排気速度の調整を行うことによりO2ガスの分圧を所定の圧力に制御する。 As shown in FIG. 2, the degassing treatment chamber 3 of the present embodiment is configured to introduce O 2 gas as an oxidizing gas from a gas source (not shown) and to control the partial pressure by the pressure adjusting means 24. Yes. In this case, for example, the partial pressure of the O 2 gas is controlled to a predetermined pressure by controlling the amount of O 2 gas introduced by a mass flow controller (not shown) and adjusting the exhaust speed of the atmosphere in the degassing treatment chamber 3.

そして、脱ガス処理室3内の支持台25の上に、封着材23が配置された背面板21が載置される。この支持台25の内部には加熱手段26が設けられており、この加熱手段26は、温度制御手段27によってその温度を調整するように構成されている。   Then, the back plate 21 on which the sealing material 23 is arranged is placed on the support base 25 in the degassing treatment chamber 3. A heating unit 26 is provided inside the support base 25, and the heating unit 26 is configured to adjust the temperature by a temperature control unit 27.

このような構成を有する本実施の形態のPDP製造装置1を用いてPDP22を製造する方法について、図1〜図3を用いて説明する。
まず、工程S1では、背面板21について、大気中において、例えば380℃、30分間の条件で、封着材23の仮焼成を行う。
工程S2では、背面板21を脱ガス処理室3内に搬入して、脱ガス処理室3を真空排気しつつ、後述する封着温度より高い温度で背面板21及び封着材23を加熱する(第1の脱ガス工程)。
A method of manufacturing the PDP 22 using the PDP manufacturing apparatus 1 of the present embodiment having such a configuration will be described with reference to FIGS.
First, in step S1, the sealing material 23 is temporarily fired on the back plate 21 in the atmosphere, for example, at 380 ° C. for 30 minutes.
In step S2, the back plate 21 is carried into the degassing chamber 3 and the back plate 21 and the sealing material 23 are heated at a temperature higher than a sealing temperature described later while the degassing chamber 3 is evacuated. (First degassing step).

本発明の場合、脱ガス処理室3内の圧力は、特に限定されるものではないが、封着材23の脱ガスを出来るだけ完全に行う観点からは、1kPa〜1.3×10-3Paとすることが好ましい。 In the present invention, the pressure in the degassing treatment chamber 3 is not particularly limited, but from the viewpoint of performing degassing of the sealing material 23 as completely as possible, 1 kPa to 1.3 × 10 −3. Pa is preferable.

また、背面板21及び封着材23の加熱温度は、特に限定されるものではないが、封着材23を確実に発泡させる観点からは、封着温度より50℃以上高い温度で加熱することが好ましい。
この加熱温度は高い方が効果的であるが、例えば封着温度が450℃である場合には、実用的な温度を考慮して、480℃〜500℃とすることが好ましい。
Moreover, the heating temperature of the back plate 21 and the sealing material 23 is not particularly limited, but from the viewpoint of surely foaming the sealing material 23, heating is performed at a temperature higher by 50 ° C. than the sealing temperature. Is preferred.
A higher heating temperature is more effective. For example, when the sealing temperature is 450 ° C., it is preferable to set the heating temperature to 480 ° C. to 500 ° C. in consideration of a practical temperature.

さらにまた、背面板21及び封着材23の加熱時間は、特に限定されるものではないが、封着材23を十分に発泡させる観点からは、20分〜30分とすることが好ましい。
この工程S2により、封着材23の内部の不純物が発泡し、背面板21及び封着材23の脱ガスが行われる。
Furthermore, the heating time of the back plate 21 and the sealing material 23 is not particularly limited, but is preferably 20 minutes to 30 minutes from the viewpoint of sufficiently foaming the sealing material 23.
By this step S2, impurities inside the sealing material 23 are foamed, and the back plate 21 and the sealing material 23 are degassed.

工程S3では、脱ガス処理室3内にO2ガスを導入して真空排気しつつ、封着温度より高い温度で背面板21及び封着材23を加熱する(第2の脱ガス工程)。
ここで、脱ガス処理室3内のO2ガスの分圧は、特に限定されるものではないが、封着材の発泡を確実に停止させ、かつ、CH系の汚染物質を十分に燃焼除去する観点からは、2kPa〜20kPaとなるように制御することが好ましい。
In step S3, the back plate 21 and the sealing material 23 are heated at a temperature higher than the sealing temperature while introducing O 2 gas into the degassing treatment chamber 3 and evacuating it (second degassing step).
Here, the partial pressure of the O 2 gas in the degassing treatment chamber 3 is not particularly limited, but the foaming of the sealing material is surely stopped, and the CH-based pollutant is sufficiently removed by combustion. It is preferable to control so that it may become 2kPa-20kPa from the viewpoint to do.

また、背面板21及び封着材23の加熱処理温度は、特に限定されるものではないが、CH系の汚染物質を十分に燃焼除去する観点からは、封着温度より50℃以上高い温度で加熱することが好ましい。
この加熱処理温度は高い方が効果的であるが、例えば封着温度が450℃である場合には、実用的な温度を考慮して、450℃〜500℃とすることが好ましい。
Moreover, the heat treatment temperature of the back plate 21 and the sealing material 23 is not particularly limited, but from the viewpoint of sufficiently removing the CH-based contaminants at a temperature higher by 50 ° C. than the sealing temperature. It is preferable to heat.
A higher heat treatment temperature is more effective. For example, when the sealing temperature is 450 ° C., it is preferable to set the heat treatment temperature to 450 ° C. to 500 ° C. in consideration of a practical temperature.

さらにまた、背面板21及び封着材23の加熱処理時間は、特に限定されるものではないが、CH系の汚染物質を十分に燃焼除去する観点からは、20分〜30分とすることが好ましい。
この工程S3により、脱ガス処理室3内の圧力が上昇して封着材23の発泡が停止するとともに、CH系の汚染物質が燃焼除去され、さらに、発泡によって凹凸状となった封着材23の表面部分が平坦化される。
Furthermore, the heat treatment time of the back plate 21 and the sealing material 23 is not particularly limited, but from the viewpoint of sufficiently removing the CH-based contaminants, it may be 20 minutes to 30 minutes. preferable.
By this step S3, the pressure in the degassing treatment chamber 3 is increased, the foaming of the sealing material 23 is stopped, the CH-based pollutant is burned and removed, and the sealing material becomes uneven by the foaming. The surface portion of 23 is flattened.

一方、上述した工程S1〜S3と並行して、工程S4では、MgO成膜室2内において、前面板20の透明誘電層上に蒸着によってMgO保護膜を形成する。   On the other hand, in parallel with Steps S1 to S3 described above, in Step S4, an MgO protective film is formed on the transparent dielectric layer of the front plate 20 by vapor deposition in the MgO film forming chamber 2.

工程S5では、前面板20及び背面板21をアライメント室4へ搬入し、前面板20と背面板21との位置決めを行う。
工程S6では、前面板20及び背面板21を封着・冷却室5へ搬送し、封着材を加熱することにより封着材を例えば温度450℃で溶融し前面板20及び背面板21を貼り合わせ、パネルを作製する(封着)。その後、封着・冷却室5においてパネルを冷却する(工程S7)。
In step S5, the front plate 20 and the back plate 21 are carried into the alignment chamber 4, and the front plate 20 and the back plate 21 are positioned.
In step S6, the front plate 20 and the rear plate 21 are conveyed to the sealing / cooling chamber 5, and the sealing material is melted at a temperature of 450 ° C., for example, by heating the sealing material, and the front plate 20 and the rear plate 21 are attached. Together, a panel is produced (sealing). Thereafter, the panel is cooled in the sealing / cooling chamber 5 (step S7).

工程S8では、ガス封入・封じ切り室6にパネルを搬送し、パネル内の空間へ例えばネオン・キセノン混合ガスの封入を行う。
工程S9では、ガス封入・封じ切り室6において、パネル内の空間へのガスの封入を終了しパネル内の空間を封じ切る。これにより、目的とするPDP22が得られる。
In step S8, the panel is transported to the gas sealing / sealing chamber 6 and, for example, a neon / xenon mixed gas is sealed in the space in the panel.
In step S9, in the gas sealing / sealing chamber 6, the sealing of the gas into the space in the panel is finished, and the space in the panel is sealed. Thereby, the target PDP 22 is obtained.

以上述べたように本実施の形態によれば、封着時の温度より高温で加熱して行う脱ガス工程の後に前面板20と背面板21の封着を行うので、封着の際に封着材23は発泡せず、しかも、表面が平坦な封着材23によって前面板20と背面板21を封着するので、封着部分にリークが発生することはなく、前面板20と背面板21を確実に封着することができる。   As described above, according to the present embodiment, the front plate 20 and the rear plate 21 are sealed after the degassing step performed by heating at a temperature higher than the sealing temperature. Since the front material 20 and the rear plate 21 are sealed with the sealing material 23 having a flat surface, the dressing material 23 does not foam, so that no leak occurs in the sealed portion, and the front plate 20 and the rear plate. 21 can be securely sealed.

このように本実施の形態によれば、不純物、特にCH系の汚染物質を確実に除去することができるので、エージング処理が不要になり、PDPの製造コストを低減することができる。   As described above, according to the present embodiment, impurities, in particular, CH-based contaminants can be reliably removed, so that an aging process is not required, and the manufacturing cost of the PDP can be reduced.

一方、本実施の形態のプラズマディスプレイパネル製造装置1によれば、上述した脱ガス工程を含む各処理工程を真空中で一貫して効率良く行うことができ、しかもエージング処理が不要になるので、PDPの製造コストを大幅に低減することができる。   On the other hand, according to the plasma display panel manufacturing apparatus 1 of the present embodiment, each processing step including the above-described degassing step can be performed consistently and efficiently in a vacuum, and the aging process becomes unnecessary. The manufacturing cost of the PDP can be greatly reduced.

以下、本発明の実施例を比較例とともに説明する。   Examples of the present invention will be described below together with comparative examples.

<実施例>
まず、背面板上に配置された封着材を大気中において30分間仮焼成した。この場合、封着材の温度が380℃となるように加熱した。
次に、背面板を脱ガス処理室に搬入して以下に示す処理を行った。
<Example>
First, the sealing material arrange | positioned on a backplate was baked for 30 minutes in air | atmosphere. In this case, the sealing material was heated so that the temperature was 380 ° C.
Next, the back plate was carried into the degassing chamber and the following processing was performed.

まず、室内が1.3×10-3Pa以下となるように真空排気して30分間脱ガスを行った。この場合、背面板の温度が500℃となるように加熱した。
その後、背面板の温度を500℃に維持しながら、室内にO2ガスを導入した。このとき、室内におけるO2ガスの分圧が2kPaとなるように調整した。
この状態を30分間維持して脱ガスを行った後、背面板をアライメント室に搬入した。
First, the chamber was evacuated and degassed for 30 minutes so that the pressure became 1.3 × 10 −3 Pa or less. In this case, it heated so that the temperature of a backplate might be set to 500 degreeC.
Thereafter, O 2 gas was introduced into the room while maintaining the temperature of the back plate at 500 ° C. At this time, the partial pressure of O 2 gas in the room was adjusted to 2 kPa.
After degassing while maintaining this state for 30 minutes, the back plate was carried into the alignment chamber.

一方、前面板については、透明誘電体層上にMgO保護膜を蒸着形成し、その後、この前面板をアライメント室に搬入した。
アライメント室においては、室内を1.3×10-3Pa以下となるように真空排気して、前面板と背面板との位置決めを行った。この場合、室内の温度は250℃となるように制御した。
On the other hand, for the front plate, an MgO protective film was deposited on the transparent dielectric layer, and then this front plate was carried into the alignment chamber.
In the alignment chamber, the chamber was evacuated to 1.3 × 10 −3 Pa or less, and the front plate and the back plate were positioned. In this case, the room temperature was controlled to be 250 ° C.

続いて、前面板と背面板を封着・冷却室に搬入して以下に示す処理を行った。
まず、室内が1.3×10-3Pa以下となるように真空排気しつつ、封着材の温度が450℃となるように10分間加熱し、前面板と背面板との貼り合わせを行いパネルを形成した。
その後、封着・冷却室において、このパネルを室温まで冷却した。
最後に、このパネルをガス封入・封じ切り室に搬入し、パネル内の空間にネオン・ヘリウム混合ガスを封入した後、パネル内の空間を封じ切った。
Subsequently, the front plate and the back plate were carried into the sealing / cooling chamber, and the following processing was performed.
First, the chamber is evacuated to 1.3 × 10 −3 Pa or less, heated for 10 minutes so that the temperature of the sealing material is 450 ° C., and the front plate and the back plate are bonded together. A panel was formed.
Thereafter, the panel was cooled to room temperature in a sealing / cooling chamber.
Finally, this panel was carried into a gas sealing / sealing chamber, and after neon / helium mixed gas was sealed in the space in the panel, the space in the panel was sealed.

<比較例1>
背面板の脱ガス工程を行わず、PDP製造方法の全ての工程を大気中で行った。この場合、封着温度は実施例と同一とした。
<Comparative Example 1>
All processes of the PDP manufacturing method were performed in the atmosphere without performing the degassing process of the back plate. In this case, the sealing temperature was the same as in the example.

<比較例2>
背面板の脱ガスをO2ガスを導入せず封着温度と同じ温度で行ったこと以外は実施例と同様の方法によってPDPを製造した。
<Comparative example 2>
A PDP was produced in the same manner as in the example except that the back plate was degassed at the same temperature as the sealing temperature without introducing O 2 gas.

(分析方法)
実施例及び比較例のPDPについて放電電圧(V)の変動を測定した。
(Analysis method)
The variation of the discharge voltage (V) was measured for the PDP of the example and the comparative example.

図4は、実施例及び比較例1、2によって製造したPDPの放電電圧の時間変化を示すグラフである。
図4から理解されるように、大気中で製造し背面板の脱ガスを行わなかった比較例1は、放電開始電圧(Vf)と最小放電維持電圧(Vsm)が安定するまでそれぞれ放電開始から約10時間を要している。
FIG. 4 is a graph showing the change over time in the discharge voltage of the PDP manufactured according to the example and the comparative examples 1 and 2.
As understood from FIG. 4, Comparative Example 1 which was manufactured in the atmosphere and did not degas the back plate started from the start of discharge until the discharge start voltage (Vf) and the minimum discharge sustain voltage (Vsm) were stabilized. It takes about 10 hours.

また、背面板の脱ガスをO2ガスを導入せず封着温度と同じ温度で行った比較例2は、放電開始電圧(Vf)と最小放電維持電圧(Vsm)が安定するまでそれぞれ放電開始から約5時間を要している。
一方、実施例の場合は、放電開始電圧(Vf)と最小維持電圧(Vsm)は共に放電開始直後からそれぞれ200V付近及び155V付近の値で安定している。
Further, in Comparative Example 2 in which the back plate was degassed at the same temperature as the sealing temperature without introducing O 2 gas, the discharge was started until the discharge start voltage (Vf) and the minimum discharge sustain voltage (Vsm) were stabilized. It takes about 5 hours.
On the other hand, in the example, both the discharge start voltage (Vf) and the minimum sustain voltage (Vsm) are stable at values near 200 V and 155 V, respectively, immediately after the start of discharge.

以上から明らかなように、本発明によれば、組立直後において既に放電電圧が安定しエージングが不要なPDPを得ることができる。   As is clear from the above, according to the present invention, it is possible to obtain a PDP in which the discharge voltage is already stable and aging is not required immediately after assembly.

本発明のPDP製造装置の実施の形態を示す概略構成図The schematic block diagram which shows embodiment of the PDP manufacturing apparatus of this invention 同PDP製造装置の脱ガス処理室の内部構成図Internal configuration diagram of degassing treatment chamber of the same PDP manufacturing apparatus 本発明のPDPの製造方法の実施の形態の手順を説明する工程図Process drawing explaining the procedure of embodiment of the manufacturing method of PDP of this invention 実施例及び比較例1、2によって製造したPDPの放電電圧の時間変化を示すグラフThe graph which shows the time change of the discharge voltage of PDP manufactured by the Example and Comparative Examples 1 and 2.

符号の説明Explanation of symbols

1…PDP製造装置 2…MgO成膜室 3…脱ガス処理室 4…アライメント室 5…封着・冷却室 6…ガス封入・封じ切り室 20…前面板(前面基板) 21…背面板(背面基板) 22…PDP 23…封着材 26…加熱手段 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... PDP manufacturing apparatus 2 ... MgO film-forming chamber 3 ... Degassing treatment chamber 4 ... Alignment chamber 5 ... Sealing / cooling chamber 6 ... Gas enclosure / sealing chamber 20 ... Front plate (front substrate) 21 ... Back plate (back) Substrate) 22 ... PDP 23 ... sealing material 26 ... heating means

Claims (3)

真空中においてプラズマディスプレイパネル用の前面基板と背面基板を封着材を用い所定の温度で加熱して封着を行う封着工程を有するプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、
前記封着工程の前に、真空処理槽内において、前記封着材を配置した前記背面基板を、前記封着工程における温度より高い温度で加熱して真空排気を行う第1の脱ガス工程と、
前記真空処理槽内に酸化ガスを導入して、前記背面基板を、前記封着工程における温度より高い温度で加熱して真空排気を行う第2の脱ガス工程とを有するプラズマディスプレイパネルの製造方法。
A plasma display panel manufacturing method comprising a sealing step in which a front substrate and a rear substrate for a plasma display panel are sealed in a vacuum by heating at a predetermined temperature using a sealing material,
Before the sealing step, a first degassing step of evacuating the back substrate on which the sealing material is disposed at a temperature higher than the temperature in the sealing step in a vacuum processing tank; ,
A plasma display panel manufacturing method comprising: a second degassing step of introducing an oxidizing gas into the vacuum processing tank and heating the back substrate at a temperature higher than the temperature in the sealing step to perform vacuum evacuation .
前記真空処理室内における酸化ガスの分圧が2kPa〜20kPaとなるように制御する請求項1記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。   The method for manufacturing a plasma display panel according to claim 1, wherein the partial pressure of the oxidizing gas in the vacuum processing chamber is controlled to be 2 kPa to 20 kPa. 複数の真空処理槽を有し、前面基板と背面基板に対して真空中で順次処理及び搬送を行いプラズマディスプレイパネルを製造するプラズマディスプレイパネル製造装置であって、
前記真空処理槽として、請求項1記載の方法を用い、前記背面基板に対して脱ガス処理を行うための脱ガス処理槽を備え、
当該脱ガス処理槽が、酸化ガスを導入するように構成されるとともに、導入された酸化ガスの分圧を制御するための圧力調整手段と、前記背面基板を加熱する加熱手段とを有し、
前記脱ガス処理槽において脱ガス処理された背面基板を、前記前面基板と前記背面基板を封着する封着槽に搬送するように構成されているプラズマディスプレイパネル製造装置。
A plasma display panel manufacturing apparatus that has a plurality of vacuum processing tanks and sequentially processes and conveys the front substrate and the rear substrate in a vacuum to manufacture a plasma display panel,
As the vacuum processing tank, using the method according to claim 1, comprising a degassing processing tank for performing a degassing process on the back substrate,
The degassing treatment tank is configured to introduce an oxidizing gas, and has a pressure adjusting means for controlling a partial pressure of the introduced oxidizing gas, and a heating means for heating the back substrate,
The plasma display panel manufacturing apparatus comprised so that the back substrate degassed in the said degassing processing tank may be conveyed to the sealing tank which seals the said front substrate and the said back substrate.
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